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Fotodiodo

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Símbolo del fotodiodo.
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN,
sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su
funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se
producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la
luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células
fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión
muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Esta
corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de
oscuridad.

Tabla de
contenidos
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 1 Principio de operación
 2 Composición
 3 Investigación
 4 Véase también
 5 Fabricantes

6 Enlaces externos

[editar] Principio de operación
Un foto diodo es una unión P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de
suficiente energía llega al diodo,exita un electrón dándole movimento y
crea un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de
agotamiento de la unión, o a una distancia de difución de él, estos
portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de
agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan
con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga
fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo,

pero estos requieren refrigeración por nitrógeno líquido. El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. 1. .8 µm ). germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. [editar] Composición Fotodiodo.resultando en una ganancia interna. sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1µm). Suelen estar compuestos de silicio. Material Longitud de onda (nm) Silicio 190–1100 Germanio 800–1700 Indio galio arsénico (InGaAs) 800–2600 sulfuro de plomo <1000-3500 También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm). o de cualquier otro material semiconductor. que incrementa la resposividad del dispositivo.

Es por eso que en el presente informe estudiaremos un tipo de detector este es. el fotoeléctrico DETECTOR FOTOELECTRICO DE SALIDA TRANSISTORIZADA Este es un elemento que nos permite señalar o advertir el paso de un objeto atravez de un haz luminoso.Antiguamente se fabricaban exposímetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. Marca : Autonic Modelo : BM3M-TDT . INTRODUCCION Hoy en día los procesos productivos nos han exigido un mayor desarrollo en esta área. El emisor y el receptor deben ser posicionados exactamente uno enfrente del otro exigiendo una robusta e indeformable fijación DATOS TECNICOS Detector fotoeléctrico de salida transistorizada. [editar] Investigación La investigación a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el desarrollo de células solares económicas. miniaturización y mejora de los sensores CCD y CMOS. en este caso el emisor y el receptor se encuentran separados por lo que el emisor entrega un haz luminoso emitido por un diodo electroluminicente (LED) el cual tiene la propiedad de emitir rayos infrarrojos invisibles los cuales son concentrados por una lente y proyectados a un receptor el cual esta constituido por un foto transistor seguido de un amplificador y un dispositivo conmutador que nos entrega señales (on-off). esta se a conseguido gracias al desarrollo de la automatización la cual a sido acompañada con la aparición de elementos tales como sensores. Este detecta cuando el haz es interrumpido por el objeto existen tres sistemas de detección fotoeléctrica estos son:    reflex de proximidad de barrera SISTEMA DE BARRERA En esta oportunidad este será el objetivo de nuestro ensayo. Desde 2005 existen también semiconductores orgánicos. detectores y elementos controladores como los PLC. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un fotodetector orgánico. basado en fotodiodos orgánicos. así como de fotodiodos más rápidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra óptica. peligrosas o simplemente irrealizables con nuestras capacidades (sentidos). Estos en cierta forma estos han venido reemplazando la intervención del hombre en el proceso ya que realizan tareas que nos resultan tediosas.

* Temperatura de almacenamiento -25º a 90º. * Nivel de iluminación del ambiente: . -Luz incandescente 3000 lux (max).* Alimentación 12/24 Vdc riplley 10%. . * Salida por transistor conexión NPN.  En la detección de objetos pequeños.Luz solar 11000lux (max). * Sensibilidad fija no ajustable.  En distancias largas. * Temperatura de operación -10º a 60º. * Consumo < 20 mA. * Diámetro mínimo del objeto a detectar 8mm. * Velocidad de respuesta < 3mseg. CAMPO DE APLICACIÓN Este tipo de detector es usado principalmente en las siguientes ocasiones:  La detección de materiales opacos y brillantes. * Alcance 3 Mts.  Entornos contaminados por polvo y lluvia. 100mA máximo.

Se verificara la amplitud del haz en la extensión del mismo. reflectores y opacos. OBJETIVOS DEL ENSAYO. PROCEDIMIENTO DEL ENSAYO. FIG 1. En puertas y ascensores.  Timbre. Se medirá la corriente de consumo. MATERIALES 2.  Fuente ajustable de VDC 24v. para observar el comportamiento del dispositivo ante las pruebas que se le realizaran y determinar con certeza su operación. negro y blanco los cuales hemos identificado como positivo. además de comprobar valores otorgados por el fabricante. Desde el positivo de la fuente se sacara un terminal con el fin de polarizar en conjunto con la salida output del detector. En el terminal rojo se instalara un mili amperímetro para verificar la corriente de consumo otorgada por el fabricante. NOTA : No puede usarse en la detección de objetos transparentes. respectivamente.  SSR opto 22.Mili amperímetros. Se alimentara el emisor y el receptor con 24v.  Transformador 220/12v. . negativo y salida o (output). Se medirá corriente en salida del transistor. PRUEBAS :     Se interceptará el haz luminoso con objetos transparentes. PRUEBAS I ALIMENTACION I TRANSISTOR RESPUESTA ON/OFF Transparentes Opacos 3 ma 0 ma off 8 ma 25 ma Reflectantes on 8 ma 25 ma on Nota Con objetos de 8 mm de diámetro solo eran percibidos frente a los respectivos lentes y no en medio del haz donde comprobamos que tenia una amplitud aprox de 3 cm en forma vertical. HIPOTESIS. el ssr que comandara la campanilla en dicho terminal ira un mili amperímetro para vigilar la corriente de salida del transistor la que será limitada por la resistencia interna que posee el relé de estado sólido de 500 ohm. En el presente ensayo se instalara el dispositivo de acuerdo a lo que indica la figura “1”. el receptor quien conforma el circuito de salida esta compuesto por tres terminales rojo. Se realizara el circuito de la figura “1”.

En consideración a los datos recogidos del fabricante como las propias observaciones realizadas al propio dispositivo hemos deducido que se trata de un detector foto eléctrico ya que posee dos lentes entre los cuales fluye un haz luminoso proveniente del emisor que es emitido por un led infrarrojo y dicho haz llega a un elemento receptor el cual esta conformado por un foto transistor el que se encuentra unido a un elemento conmutador quien es el encargado de entregar las señales on-off. CONCLUSION En vista y considerando los resultados obtenidos en el ensayo realizado concluimos que el elemento analizado era un detector “foto eléctrico de barrera”. otra observación que realizamos fue que en este caso se trata de un elemento en que el emisor se encuentra separado físicamente del receptor por lo que creemos que se trata de un “detector foto eléctrico con sistema de barrera de tres hilos”. con tres hilos ya que su haz era proyectado desde un emisor asta un receptor que se encontraba en un modulo aparte. Además pudimos comprobar que el diámetro mínimo de los objetos a detectar dado por el fabricante solo es valido frente a los respectivos lentes ya que en el centro se produce una deformidad del haz que le hace tener una mayor amplitud. otra cosa que logramos verificar es la que el haz debe de ser interrumpido por completo para que el detector cambie su estado de salida (on-off). En el siguiente esquema se puede apreciar la deformación del haz luminoso: 7 . El detector reaccionaba cada vez que el haz luminoso era interrumpido por algún objeto reflectante o opacos ya que comprobamos que ante un objeto transparente este no era capaz de detectar su presencia. todas estas afirmaciones serán aclaradas Debidamente en el ensayo que se le realizara al elemento. Además debido a esta característica de entregar señales on-off afirmamos que se trata de un detector y no un sensor ya que entrega una señal de salida discreta.