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2. Actividades Preparatorias
El alumno deber revisar la gua de laboratorio hecha especialmente a
modo de tutorial, pero que toma en consideracin lo necesario para un
aprendizaje rpido tomando en cuenta la bibliografa correspondiente al
curso, definida en el slabo.
3. Sumario de Conceptos
El IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada) combina las caractersticas
tanto del MOSFET como del BJT que lo hacen til en aplicaciones de
conmutacin de alto voltaje y alta corriente. El IGBT ha reemplazado en
gran medida al MOSFET y al BJT en muchas de estas aplicaciones.
El IGBT es un dispositivo que tiene las caractersticas de conduccin de
salida de un BJT pero es controlado por voltaje como un MOSFET, y
constituye una excelente opcin para aplicaciones de conmutacin de alto
voltaje. El IGBT tiene tres terminales: la compuerta, el colector y el emisor.
En la figura 1-1 se muestra un smbolo comn de circuito. Como se puede
ver, es similar al smbolo de BJT, excepto porque hay una barra extra que
representa la estructura de la compuerta de un MOSFET y no la de una
base.