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Transistor

TRANSISTOR DARLINGTON FOTOTRANSISTOR


O transistor bipolar o transistor mais importante do ponto de vista histrico e o
de utilizao mais corrente. No entanto, convm referir os transistores de efeito de
campo (FET, Field Effect Transistor), nomeadamente, os transistores FET de
juno unipolar, os transistores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor), e os CMOS (complementary MOSFET), os quais so muito usados na
eletrnica integrada de alta densidade.
O material semicondutor mais usado no fabrico de transistores o silcio.
Contudo, o primeiro transistor foi fabricado em germnio. O silcio prefervel
porque possibilita o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 C, quando
comparado com os ~75C dos transistores de germnio) e tambm porque
apresenta correntes de fuga menores. O transistor bipolar formado por duas
junes p-n em srie, podendo apresentar as configuraes p-n-p e n-p-n . Os
transistores n-p-n so os mais comuns, basicamente porque a mobilidade dos
eltrons muito superior das lacunas, isto , os eltrons movem-se mais
facilmente ao longo da estrutura cristalina o que traz vantagens significativas no
processamento de sinais de alta frequncia. E so mais adequados produo em
massa. No entanto, deve-se referir que, em vrias situaes, muito til ter os dois
tipos de transistores num circuito.

Smbolos Transistores

O transistor de juno bipolar um dos componentes mais importantes na


Eletrnica. um dispositivo com trs terminais. Num elemento com trs terminais
possvel usar a tenso entre dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente
no terceiro terminal, i.e., obter uma fonte controlvel. O transistor permite a
amplificao e comutao de sinais, tendo substitudo as vlvulas terminicas na
maior parte das aplicaes. A figura da pgina seguinte mostra, de forma
esquemtica, um transistor bipolar p-n-p. Este transistor formado por duas
junes p-n que partilham a regio do tipo n (muito fina e no representada
escala). Neste aspecto, o dispositivo corresponde sanduche de um material
do tipo n, entre duas regies do tipo p. Existe tambm a estrutura complementar
(npn). Dependendo da polarizao de todas as junes (direta ou inversa), o
transistor pode operar no modo ativo/linear, estar em corte ou em saturao.

Verifique e simule a polarizao e funcionamento de um transistor bipolar. Um


transistor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) constitudo por duas junes PN
(juno base-emissor e juno base-colector) de material semicondutor (silcio ou
germnio) e por trs terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Coletor (C).

Smbolos Transstores

Zonas Funcionamento Transistores


NPN

PNP

Zona

Condies Modelo

Condies Modelo

Corte

IC = 0
VBE < 0.7V
IE = 0
VBC < 0.7V
IB = 0

VEB < 0.7V IC = 0 IE = 0


VCB < 0.7V IB = 0

Activa

VBE =0.7V
IC = * IB
VBE =0.7V
VEB = 0.7V
IE = IC+IB
VBC <0.7V
VCB < 0.7V
ou
IE = (+1)*IB

VBE =0.8V
VBE = 0.8V
Saturao
VCE =0.1V
VBC = 0.7V
IE = IC+IB

VEB =0.7V
IC = * IB
IE = IC+IB
ou
IE = (+1)*IB

VEB =0.8V
VEB = 0.8V
VEC =0.1V
VCB = 0.7V
IE = IC+IB

Em cada transistor bipolar existem duas junes que iro apresentar zonas de
funcionamento diferentes, consoante as junes base-emissor e base-coletor se
encontram polarizadas direta ou inversamente. Os transistores tm trs zonas de
funcionamento distintas:

Corte - Ambas as junes esto polarizadas inversamente

Saturao - Ambas as junes esto polarizadas diretamente

Ativa - Juno base-emissor polarizada diretamente e juno base coletor


polarizada inversamente

Transistor como Amplificador


Um transistor funciona como amplificador, quando a corrente de base oscila entre
zero e um valor mximo. Neste caso, a corrente de coletor um mltiplo da
corrente de base. Se aplicarmos na base do transistor um sinal, vamos obter uma
corrente mais elevada no coletor proporcional ao sinal aplicado:

Ganho de um transistor O ganho de um transistor, uma caracterstica do


transistor, o fator de multiplicao da corrente de base (Ib)ou Beta ou hfe do
transistor. A equao matemtica que permite efetuar o clculo :
Ic = Ib x

Existem algumas especificaes definidas pelo fabricante:

Ref ou Tipo: o nome do transistor.


VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tenso entre coletor e emissor com uma resistncia no emissor.
Pol: polarizao; N=NPN e P=PNP.
PTOT: Potncia mxima que o transistor pode dissipar
Ft: Frequncia mxima.
Encapsulamento: Cpsula do transistor que define cada um dos terminais.

Determinar Tenses e Correntes TJB (Transistor Juno Bipolar)


Considerando o circuito da figura em que o transistor bipolar NPN caracterizado por
=100 (ganho)

Determinar tenses e correntes do transistor.


Considerando que o transistor est na zona ativa, consideramos o circuito seguinte

Circulando pela malha da base:


-V1 + RB * IB + VBE = 0
ou
IB = (V1 - VBE) / RB
IB = (10-0,7)/220
IB = 42,27A
IC=*IB ou IC=4,23mA
para as tenses temos:
VE=0 VB=0,7 VC=10-RC*IC ou VC=5,7 onde
VBE=0,7 e VBC=-6,4 < 0,7
Podemos concluir que o transistor se encontra na zona ativa.

Configuraes Transistor Bipolar

ligao tpica transstor

Configurao

Emissor Base Coletor


comum comum comum

Impedncia entrada mdia

baixa

alta

Impedncia sada

mdia

alta

baixa

Ganho de tenso

mdio

alto

baixo

Ganho de corrente mdio

baixo

alto

Ganho de potncia alto

baixo

mdio

Desvio de fase

180

1. Base Comum (Ganho em tenso, sem ganho em corrente).


2. Emissor Comum (Ganho em tenso e corrente).
3. Coletor Comum (Ganho em corrente, sem ganho em tenso).

Transistor - Emissor Comum


A montagem de um transistor em emissor comum um estgio baseado num transistor
bipolar em srie com um elemento de carga. O termo "emissor comum" refere-se ao fato
de que o terminal do emissor do transistor tem uma ligao "comum", tipicamente a
referncia de 0V ou Terra. O terminal do coletor ligado carga da sada, e o terminal da
base atua como a entrada de sinal.
O circuito do emissor comum constitudo por uma resistncia de carga RC e um
transistor NPN; os outros elementos do circuito so usados para a polarizao do
transistor e para o acoplamento do sinal.
O circuito emissor comum utilizado para amplificar sinais de baixa voltagem, como os
sinais de rdios fracos captados por uma antena, para amplificao de um sinal de udio
ou vdeo.

Caractersticas de um amplificador com transstor em emissor comum:

IMPEDNCIA DE ENTRADA (Ze): igual ao quociente entre a tenso de entrada


(Ee= tenso CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do
sinal de entrada). A impedncia de entrada est compreendida entre 10K e
100K
Ze=Ee / Ie
IMPEDNCIA DE SADA (Zs): igual ao quociente entre a tenso CA do sinal de
sada (Es), quando a sada esta em vazio (isto , Is = 0) e a corrente CA do sinal
de sada (Is), quando a sada est em curto-circuito (Es =0).A impedncia de sada
esta situada entre 10Ke 100K.
Zs= Es (sada em vazio) / Is (sada em curto)
AMPLIFICAO DE CORRENTE (Ai): o quociente entre a corrente CA do sinal
de sada e a corrente CA do sinal de entrada. A amplificao de corrente est
compreendida entre 10 e 100 vezes.
Ai = Is / Ie
AMPLIFICAO DE TENSO (Av): o quociente entre a tenso CA do sinal de
sada e a tenso CA do sinal de entrada. A amplificao de tenso est situada
entre 100 e 1000 vezes.
Av = Es / Ee
AMPLIFICAO DE POTNCIA (Ap): igual ao produto entre a amplificao de
corrente e a amplificao de tenso. A amplificao de potncia est

compreendida entre 1.000 e 100.000 vezes.


Ap = Ai x Av
RELAO DE FASE: Ocorre um defasamento de 180 entre a tenso do sinal de
sada e a tenso do sinal de entrada (180 = 180 graus).

Transistor - Coletor Comum


O circuito com um transistor com coletor comum possui um ganho de tenso muito
prximo da unidade, significando que os sinais em CA que so inseridos na entrada
sero replicados quase igualmente na sada, assumindo que a carga de sada no
apresente dificuldades para ser controlada pelo transistor. O circuito possui um
ganho de corrente tpico que depende em grande parte do hFE do transistor. Uma
pequena mudana na corrente de entrada resulta em uma mudana muito maior
na corrente de sada enviada carga. Deste modo, um terminal de entrada com
uma fraca alimentao pode ser utilizado para alimentar uma resistncia menor no
terminal de sada. Esta configurao comumente utilizada nos estgios de sada
dos amplificadores Classe B e Classe AB, o circuito base modificado para operar o
transistor no modo classe B ou AB. No modo classe A, muitas vezes uma fonte de
corrente ativa utilizada em vez do RE para melhorar a linearidade ou eficincia.

Caractersticas de um amplificador com transistor no modo coletor


comum:

IMPEDNCIA DE ENTRADA: de 100K a 1M .


IMPEDNCIA DE SADA: de 50 a 5000.
AMPLIFICAO DE CORRENTE: de 10 a 100 vezes.
AMPLIFICAO DE TENSO: menor do que 1. Neste tipo de amplificador no
h amplificao de tenso.
AMPLIFICAO DE POTNCIA: de 10 a 100 vezes.

RELAO DE FASE: no h desfasamento entre a tenso do sinal de sada e a


tenso do sinal de entrada.

Transistor - Base Comum


A ligao de um transistor em base comum uma configurao de um transistor na qual sua
base ligada ao ponto comum do circuito. Esta montagem utilizada de forma menos
frequente do que as outras configuraes em circuitos de baixa de baixa frequncia que so
utilizadas para amplificadores que necessitam de uma impedncia de entrada baixa. Como
exemplo, temos o pr-amplificador de microfones. utilizado para amplificadores VHF e UHF
onde a baixa capacitncia da sada entrada de importncia crtica.
Os parmetros (Alfa) e (Beta) de um transistor bipolar Quando um transistor bipolar
ligado em base comum, o quociente entre a corrente de coletor (Ic) e a corrente de emissor (Ie)
recebe o nome de GANHO DE CORRENTE ESTTICO DA MONTAGEM BASE COMUM, e
indicado pela letra grega (ALFA).

=Ic/Ie

Caractersticas de um amplificador com transstor em base comum:

IMPEDNCIA DE ENTRADA: entre 10e 100 .


IMPEDNCIA DE SADA: entre 100K e 1M .
AMPLIFICAO DE CORRENTE: um pouco inferior unidade (entre O,95 e
O,99).Portanto, neste tipo de circuito no h amplificao de corrente.
AMPLIFICAO DE TENSO: entre 500 e 5.000 vezes.
AMPLIFICAO DE POTNCIA: entre 100 e 1.000 vezes.
RELAO DE FASE: no h desfasamento entre a tenso do sinal de sada e a
tenso do sinal de entrada.

Transistor Darlington

Transistor Darlington
O Darlington no mais do que a ligao de vrios transistores com a finalidade de
aumentar o ganho.
O ganho (HFE) total do Darlington a multiplicao dos ganhos individuais de cada um
dos transistores.
Vantagens:

Maior ganho de corrente.


Tanto o disparo como bloqueio sequencial.
A queda de tenso em saturao constante.

Desvantagens:

Utilizao apenas com mdias frequncias e mdias potncias.

Fototransistor

Fototransistor
O fototransistor no mais do que um transistor bipolar em que a luz incide sobre a base.
O seu funcionamento no difere do funcionamento do transistor bipolar, no entanto, a base
polarizada pela luz. Tem um tempo de resposta maior e mais sensvel que o fotodiodo.
Tem uma enorme utilizao nos acopladores pticos que tm a funo de isolar eletricamente
circuitos diferentes. O acoplador ptico composto por um dodo emissor de luz (LED) e um
fototransistor.

Fonte: http://www.electronica-pt.com/componentes-eletronicos/transistor-tipos
acessado em : 22/10/2015 s 10:23hs.