Étude d’un transistor bipolaire

1 Principe
Sur la raquette du télescope se trouve un buzzer qui dans certaines circonstances (appui
d’une touche, fin de l’alignement du télescope. . .) émet un BIP. Pour générer ce BIP le PIC
fait commuter pendant 500ms un transistor bipolaire à la fréquence de 500Hz.
Le TP porte sur l’étude du transistor bipolaire.

2 Schéma de montage 1 pt

RC
iC
C
B
vCE VCC
RB iB
vBE E

EB

Recopier le schéma précédent en ajoutant des appareils pour mesurer iB , iC , vBE et vCE .
Préciser le type d’appareil et la fonction utilisée.

3 Relevés 6 pts
Réaliser le montage hors tension avec : Transistor NPN (2N2219, 2N1711, 2N2222. . .),
RB = 10kΩ et RC = 100Ω/1W . Faire contrôler par le professeur puis régler EB = 0V et
VCC = 10V .
Faire croître la tension EB entre 0 et 20V et compléter le tableau suivant (soit colonne-
par-colonne si vous disposez des multimètres nécessaires, soit ligne-par-ligne si vous n’en
avez qu’un à disposition) :

EB (en V ) 0 0,5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 15 20
iB (en µ A)
iC (en mA)
vCE (en V )
vBE (en V )

Remarque : Éteindre les alimentations entre chaque mesure. Le tableau est à saisir dans
un tableur (Regressi, Excel, Open Office Calc. . .).

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4 Amplification en courant du transistor 4 pts
Un amplificateur de courant est un dispositif tel que i2 = β i1 , β étant le coefficient
d’amplification.
1. Tracer la courbe iC = f (iB ) à l’aide du tableur. 1 pt
2. Montrer que dans une certaine zone de la courbe (appelée zone d’amplification) le
transistor fonctionne comme un amplificateur de courant. Indiquer la zone d’amplifi-
cation sur la courbe. Tracer la droite d’équation iC = β iB sur le graphique. 2 pts
3. Calculer le coefficient d’amplification du transistor dans cette zone. 1 pt

5 Saturation du transistor 8 pts

Lorsque la relation iC = β iB n’est plus valable parce que iC commence à plafonner autour
d’une valeur maximale appelée ICsat , on dit que le transistor est saturé.
1. Indiquer la zone de saturation sur la courbe iC = f (iB ) et donner l’intensité de satura-
tion ICsat . 1 pt
ICsat
2. Calculer IBsat = et reporter IBsat sur l’axe des abscisses du graphique. 1 pt
β
3. Comparer iB à IBsat lorsque le transistor est saturé. 1 pt
4. Tracer la courbe vCE = f (iB ) à l’aide du tableur et reporter IBsat sur l’axe des abscisses
du graphique. 1 pt
5. Déterminer VCEsat , la valeur de la tension vCE pour iB = IBsat . 1 pt
6. Déterminer VCEsat si l’on choisit un coefficient de sursaturation égal à 3 (c’est-à-dire
pour iB = 3IBsat ). 1 pt
7. Un transistor saturé est censé se comporter comme un interrupteur fermé ayant la
tension vCE à ses bornes. En déduire s’il est judicieux de sursaturer le transistor. 1 pt
8. Comparer vCE à VCEsat lorsque le transistor n’est pas saturé. 1 pt

6 Blocage du transistor 5 pts

1. Lorsque le courant iC est nul on dit que le transistor est bloqué. Indiquer la valeur de
iB lorsque le transistor est bloqué. 1 pt
2. Déterminer la valeur de vCE lorsque le transistor est bloqué. 1 pt
3. Proposer un modèle équivalent à un transistor bloqué. 1 pt
4. Tracer la courbe vBE = f (iB ) à l’aide du tableur. 1 pt
5. La tension de seuil VBE0 d’un transistor est la valeur de la tension vBE lorsque le
transistor n’est plus bloqué. Donner la tension de seuil du transistor et reporter sur
l’axe des ordonnées du graphique. 1 pt

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7 Droite de charge 6 pts
1. Tracer la caractéristique iC = f (vCE ) à l’aide du tableur. 1 pt
2. Cette caractéristique s’appelle « droite de charge ». Déduire du graphique l’équation
de la droite de charge. 1 pt
3. Indiquer sur la caractéristique les zones où le transistor est : 1 pt
– bloqué ;
– saturé ;
– passant (sans être saturé).
4. À partir du schéma, appliquer la loi des mailles et la loi d’Ohm pour donner la relation
entre VCC , RC , iC et vCE . 1 pt
5. En déduire que iC = f (vCE ) est une équation de droite (appelée droite de charge).
Donner le coefficient directeur et l’ordonnée à l’origine de cette droite. 1 pt
6. Faire l’application numérique avec les valeurs du TP. Comparer avec les valeurs ex-
périmentales. 1 pt

8 Commande du buzzer 10 pts

RC

BUZZER
C
B
vCE VCC
RB
vBE E
GBF
ue D

1. Indiquer le branchement de l’oscilloscope pour visualiser ue sur la voie 1 et vBE sur

la voie 2 puis réaliser le montage avec : RB = 1kΩ, RC = 1kΩ, buzzer (PKM13EPY-
4002-B0), diode (4148 ou 4007), VCC = 5V . 1 pt
2. À partir du schéma (en ignorant le buzzer), calculer ICsat et IBsat . 1 pt
3. Pour ue = 5V : calculer iB et en déduire si le transistor est bloqué, saturé ou sursaturé
(calculer le coefficient de sursaturation si c’est le cas). 1 pt
4. Régler ue signal périodique en créneaux symétriques (Ûe = 5V , Ǔe = −5V , f =
500Hz). Relever les oscillogrammes de ue et de vBE . 1 pt
5. Pour ue = 5V , donner et justifier la valeur de vBE ; préciser l’état de la diode et du
transistor. 1 pt
6. Pour ue = −5V , donner et justifier la valeur de vBE ; préciser l’état de la diode et du
transistor. 1 pt

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 7. La documentation technique de différents transistors indique :
MAX 2N2219 2N2219A 2N1711 2N2222 2N2222A
VEB0 5V 6V 7V 5V 6V
En déduire l’utilité de la diode dans le montage. Dans le fonctionnement normal de
la Maquette Raquette du thème 2010 d’où vient le signal commandant le transistor ?
Donner ses caractéristiques. La diode de protection du transistor est elle utile pour ce
signal ? 1 pt
8. Relever les oscillogrammes de ue et de vCE . 1 pt
9. Justifier l’allure de vCE . 1 pt
10. Augmenter la fréquence et déterminer la limite audible d’émission du buzzer. Cette
limite n’est pas la limite d’émission du buzzer mais c’est la limite d’audition de votre
oreille. La bande passante de l’oreille humaine diminue avec âge et les traumatismes
auditifs. Citez des causes possibles de traumatisme auditif. 1 pt

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