You are on page 1of 15

INGENIERIA CIVIL

GONZAGA DE ICA

UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS

INTRODUCCION
La mayor parte de los dispositivos electrónicos modernos están fabricados a
partir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos
dispositivos cuando se insertan en un circuito eléctrico, es necesario conocer el
comportamiento de los componentes desde un punto de vista físico. Por ello,
en este tema se presentan las propiedades y características fundamentales de
este tipo de materiales.
Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los
aislantes carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situación
intermedia: a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero
mediante una aportación de energía puede modificarse esta situación,
adquiriendo un comportamiento más cercano al de los conductores.
Los

materiales

semiconductores

de

uso

común

en

la

tecnología

microelectrónica son el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de
elementos del grupo IV de la tabla periódica, o bien combinaciones de
elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el más empleado actualmente
es el silicio, por lo que la discusión en este tema va a estar centrada en dicho
elemento. No obstante la gran mayoría de lo aquí expuesto puede aplicarse a
cualquier semiconductor.
Los grandes avances de la humanidad han sido posibles gracias a un material
o a un conjunto de ellos. Para ejemplificar, citemos algunos de los avances más
espectaculares de los años recientes: los transistores, el rayo láser o la fibra
óptica.

1
ENSAYO DE MATERIALES
SEMICONDUCTORES

AsGaAl. As. Te. (S) VI A 6 e- en El elemento semiconductor más usado es el silicio. B. Ga. CONDUCCIÓN ELECTRICA: 2 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES . De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear también el azufre. In III A 3 e- Si. Ge IV A 4 e- P. aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa. TeCd. teniendo el silicio una configuración electrónica s²p². La característica común a todos ellos es que son tetravalentes. Elemento Grupo Electrones la última capa Cd II B 2 e- Al.INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS SEMICONDUCTORES Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. SeCd y SCd). Sb VA 5 e- Se. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla siguiente. PIn.

Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente. absorbiendo la energía necesaria. algunos electrones pueden. son conductores. en la figura representados en el plano por simplicidad. del orden de 1 eV. La separación entre la banda de valencia y la de conducción se llama banda prohibida. sino que sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de conducción). por lo que suministrando energía pueden conducir la electricidad. TIPOS DE SEMICONDUCTORES: 1. o más propiamente. cosa que no puede hacerse con los metales. puesto que bastará disminuir la energía aportada para que sea menor el número de electrones que salte a la banda de conducción. dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Así podemos considerar tres situaciones:  Los metales. 3 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES . Semiconductores intrínsecos : Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos. su conductividad puede regularse. saltar a la banda de conducción. porque en ella no puede haber portadores de corriente.12 y 0. del orden de 6 eV impide.INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS Para que la conducción de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones que no estén ligados a un enlace determinado (banda de valencia). poco variable con la temperatura. en los que ambas bandas de energía se superponen. pero además. en los que la diferencia existente entre las bandas de energía. en los que el salto de energía es pequeño.  Los semiconductores. en condiciones normales el salto de los electrones. cuya conductividad es constante.67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. a temperatura ambiente son de 1. Las energías requeridas.  Los aislantes (o dieléctricos).

Semiconductores extrínsecos : 4 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES . Si se somete el cristal a una diferencia de tensión. A este fenómeno. se le denomina recombinación. de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable.INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS Obviamente el proceso inverso también se produce. a una determinada temperatura. se producen dos corrientes eléctricas. Sucede que. originando una corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción. las velocidades de creación de pares e-h. la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia. que tenderán a saltar a los huecos próximos (2). y de recombinación se igualan. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas). de modo que los electrones pueden caer desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción. y por otro. a un hueco en la banda de valencia liberando energía. se cumple que: Ni = n = p Semiconductores intrínsecos Siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción. función exclusiva de la temperatura. 2.

INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS Si a un semiconductor intrínseco. elementos trivalentes o pentavalentes.  Semiconductor tipo N : Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones). las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio. Evidentemente. en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio. el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos. por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar". tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. como el anterior. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres". se le añade un pequeño porcentaje de impurezas. el semiconductor se denomina extrínseco. es decir. éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Si un átomo con cinco electrones de valencia. Nótese que cada electrón libre en el 5 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES . Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. y se dice que está dopado. Cuando el material dopante es añadido. arsénico (As) o antimonio (Sb)). son llamados átomos donadores. fósforo (P). El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.

un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero. No obstante. Cuando el material dopante es añadido. añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente. que contienen impurezas de boro (B). éste libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor.  Semiconductor tipo P : Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado. En el caso del silicio. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. los huecos son los portadores mayoritarios. Así. un átomo trivalente (típicamente del grupo IIIA de la tabla periódica) de los átomos vecinos se le une completando así sus cuatro enlaces. por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general. 6 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES . Los diamantes azules (tipo IIb). Así los dopantes crean los "huecos".INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. cuando cada hueco se ha desplazado por la red. los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos.

INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS SEMICONDUCTORES ESTÁN EN TODAS LAS PARTES: Los semiconductores ayudan a muchos productos funcionar: o Auto/Anti-cerrar frenos o Computadoras o Satélites o Juegos de video o Teléfonos portátiles o Máquinas de fax o Teléfonos o Estéreos o Luces de tráfico (semáforos) o Aparatos auditivos 7 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES .

De su experimento según varios parámetros nos da información sobre el tipo de semiconductor que es. Así el enlace atómico depende del número de electrones de valencia de los átomos formantes del enlace y de la electronegatividad de los mismos. PROPIEDADES: Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder modificar su resistividad de manera controlada entre márgenes muy amplios. Los electrones de la capa externa o electrones de valencia son los que determinan y forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar 8 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES .INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS EFECTO HALL: Da una confirmación experimental de la conductividad en los semiconductores a la vez que permite medir el tipo de carga de los portadores y su concentración. básicamente en la distancia interatómica de sus átomos en la red así como el tipo de enlace entre ellos. La razón primera de este comportamiento diferente reside en su estructura atómica.

INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS el carácter conductivo o no de él. La estructura más común es la del diamante. Dependiendo de cómo se obtengan éste puede presentarse en forma de monocristal. policristal y amorfo. núcleos. El comportamiento eléctrico de los materiales semiconductores (resistividad y movilidad) así como su funcionamiento depende de la estructura cristalina del material de base. en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la carga hacia uno u otro átomo. la conducción se debe a dos tipos de portadores. En estas redes cristalinas cada átomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes con simetría tetraédrica. APLICACIONES: 9 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES . Así pues en los fenómenos de transporte en semiconductores y a diferencia de los metales. depende intrínsecamente del material en cuestión y no de su geometría. En un semiconductor formado por dos elementos químicos diferentes (Arseniuro de Galio) la asimetría conlleva en general una cierta pérdida de carácter covalente puro. Ello guarda relación con el parámetro de la resistividad (o conductividad) definido como la facilidad para la conducción eléctrica. disminuye la movilidad. que sea monocristal. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas únicas. común a los semiconductores Si y Ge. iones y vibraciones de la red. mayor será el desplazamiento y el enlace será más iónico que covalente. leds). Cuanto más diferente sea. huecos y electrones. y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. El parámetro que determina este desplazamiento es la electronegatividad de los átomos constituyentes. En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenómeno de las colisiones de los portadores con otros portadores. es decir. La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque puede visualizarse mediante superposición de estructuras más sencillas. siendo imprescindible la forma monocristalina cuando se requiere la fabricación de circuitos integrados y dispositivos electroópticos (láser.

hacia la región de transición. como interruptor rápido de la corriente.  Termisores: 10 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES .. transistores y termisores principalmente. esta disposición proporciona al conjunto unas propiedades particulares. como amplificador y también en ordenadores..Dos N separadas por una P (transistor NPN). que atraviesan. por medio de un electrodo metálico aislado por una delgada capa de óxido. en especial amplificadoras. Un transmisor se emplea.INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS Las aplicaciones de los semiconductores se dan en diodos. El dispositivo es un “diodo semiconductor” y actúa como rectificador de corriente. Si unimos un generador como se indica en la figura los electrones libres de la zona N son repelidos por el polo negativo y los huecos de la zona P por el polo positivo. sobre todo. No ocurriría esto si la conexión se hubiera hecho con la polaridad invertida. que crea una barrera de potencial que impide a los demás electrones de la zona N saturar los restantes huecos positivos de la zona. 2.  Diodos: Al unir un semiconductor N con otro P se produce un fenómeno de difusión de cargas en la zona de contacto.Dos P separadas por una N (transistor PNP). permiten actuar sobre la intensidad de la corriente electrónica que pasa entre dos cristales semiconductores del mismo tipo. La corriente pasa.  Transistores: Un transistor está constituido por dos zonas: 1.

y pueden funcionar en modo CW con una eficiencia superior al 50%. Sus aplicaciones son para medir la temperatura.  Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniería eléctrica. Níquel (NiO) y Titanio (TiO). Se ha diseñado un método que permite un uso de la energía aún más eficiente.. de Magnesio (MgO). Entre los usos más comunes de los láseres de semiconductores están los reproductores de discos compactos y las impresoras láser. o mejor. disco o varilla. con una densidad superior al millón por centímetro cuadrado. aproximadamente 1 mm.INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS Se llama así a los semiconductores que son sensibles a los cambios de temperatura. Cuando se usan en forma de discos o varillas se preparan por sintetizado.Los láseres de semiconductores son los más compactos. Manganeso (MnO). frente a la composición. Los últimos avances de la ingeniería han producido pequeños Chips semiconductores que contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de 11 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES . Los láseres de semiconductores se bombean mediante la aplicación directa de corriente eléctrica a la unión. medidas de vacío y en los circuitos de comunicaciones como reguladores de tensión y limitadores de volumen. y suelen estar formados por una unión entre capas de semiconductores con diferentes propiedades de conducción eléctrica. El arseniuro de galio es el semiconductor más usado. un gran valor.  Láseres de semiconductores. La cavidad del láser se mantiene confinada en la zona de la unión mediante dos límites reflectantes. indicando con esto la forma en que se separa el material base del termisor. Se utilizan en forma de bola. de Hierro (FeO). En el de bola se aplica la mezcla de óxido en forma viscosa entre dos hilos paralelos de Platino con una pequeña gotita. a aquellos en que las variaciones tienen. de diámetro y por y por cocción queda sujeta a los hilos. Los materiales más usados son óxidos de Cobalto (CoO). Implica el montaje vertical de láseres minúsculos.

A corto plazo se proponen otro tipo de actuaciones relacionadas con semiconductores policristalinos y amorfos para el desarrollo de dispositivos y sensores. así como su potencialidad en el futuro. La aplicación más eficiente de este tipo de chips es la fabricación de circuitos de semiconductores de metal-óxido complementario o CMOS. Se potenciará la investigación en materiales directamente relacionado con el Sí que emitan suficiente radiación para ser utilizado como fuente luminosa. siliciuros y capas tensadas para su aplicación en dispositivos electrónicos. hace que sea necesario mantener grupos de investigación en estos temas. CONCLUSIONES La importancia que los semiconductores tienen en las tecnologías actuales. optoelectrónicos y sensores.  Desarrollo de nuevos precursores organometálicos para la deposición de materiales electrónicos. Finalmente.  Procesos de micromecanización en silicio.  Crecimiento de nanoestructuras.INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS miniaturización en los dispositivos electrónicos. se observa una actividad creciente en la utilización de compuestos organometálicos como precursores para materiales electrónicos que podrían aplicarse en el área de sensores y dispositivos. microelectrónica.  Preparación y caracterización de materiales semiconductores de amplio espectro para aplicaciones de alta temperatura. que están formados por parejas de transistores de canal p y n controladas por un solo circuito.  Semiconductores policristalinos y amorfos para su aplicación en dispositivos electrónicos y sensores. 12 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES . comunicaciones ópticas y sensores. comunicaciones. así como en materiales de gap ancho para aplicaciones a alta temperatura. Su potencial aplicación al área de dispositivos que pudieran apoyar el desarrollo de grupos trabajando en cristales líquidos y en el área de sensores coloca a estos materiales próximos a una posible aplicación.  Nanoestructuras de silicio (silicio poroso y nanopartículas).

mailxmail.com/tutoriales/mater_semic.com/2008/07/materiales-deconstruccin-para-el-siglo.INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS BIBLIOGRAFIA:  http://nanotecnologiayarquitectura. htm  http://es.ar/monografias-de-arquitectura/obraspublicas-materiales-modernos/  http://profesormolina2.com/la/SEMICONDUCTORES/ms.htm  "Semiconductor. Microsoft Corporation.com." Microsoft® Student 2009.webcindario.html  http://sug.wikipedia. 13 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES .com/curso/excelencia/cienciamateriales/capitulo16.angelfire.html  http://www.org/wiki/Semiconductores  http://www.html  http://www. 2008.es/materiales.cesga.arquitectuba.blogspot.

8 APLICACIONES…………………………………………………….………...3 TIPOS DE SEMICONDUCTORES…………………………………….……….…...8 PROPIEDADES……………………………………………………….13 INDICE…………………………………………………………………………14 14 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES .……….INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS INDICE INTRODUCCION…………………………………………………………….7 EFECTO HALL…………………………………………………..………..……………2 CONDUCCIÓN ELECTRICA……………………………………….12 BIBLIOGRAFIA……………………………………………………………….1 SEMICONDUCTORES…………………………………………....9 CONCLUSIONES…………………………………………………………….….

INGENIERIA CIVIL GONZAGA DE ICA UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS 15 ENSAYO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES .