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Sumrio

Introduo

Dissipao de potncia no transistor

Potncia fornecida ao transistor

Dissipao mxima no transistor


Fatores que influenciam na dissipao mxima
Variao da potncia de dissipao mxima com a
temperatura
Correntes de fuga no transistor

8
10
12
15

Movimento dos portadores minoritrios


16
Corrente de coletor com emissor em aberto
16
Corrente de coletor com base em aberto
17
Correo da relao entre as correntes de coletor e de base
no transistor
18
Influncia da temperatura na corrente de coletor
19
Disparo trmico
20
Apndice

21

Questionrio

21

Bibliografia

22

Espao SENAI

Misso do Sistema SENAI


Contribuir para o fortalecimento da indstria e o desenvolvimento
pleno e sustentvel do Pas, promovendo a educao para o trabalho e a
cidadania, a assistncia tcnica e tecnolgica, a produo e disseminao
de informao e a adequao, gerao e difuso de tecnologia.

Srie de Eletrnica

Introduo
A descoberta do transistor determinou o final da era das vlvulas
eletrnicas, uma vez que a partir do emprego daquele componente foi possvel
desenvolver circuitos eletrnicos operando a baixas voltagens compondo
montagens substancialmente mais compactas, eliminando as limitaes inerentes
s vlvulas que, por envelhecimento, eram freqentemente substitudas nos
equipamentos eletrnicos.
Apesar dessas vantagens, o transistor tambm tem as suas limitaes. Um
dos fatores mais importantes com respeito a essas limitaes se refere quela
imposta pelo aquecimento do componente.
Este fascculo trata dos fatores associados ao aquecimento do transistor e
das correntes de fuga presentes no componente, com o objetivo de capacitar o
leitor a conhecer os limites de operao que devero ser observados quando da
utilizao de transistores em circuitos eletrnicos.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das


atividades contidas neste fascculo, o leitor dever estar
familiarizado com os conceitos relativos a:
Dissipao de potncia.
Diodo semicondutor.
Transistor bipolar: princpio de operao.

Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor

Dissipao de
potncia no
transistor
Todo componente sujeito a uma diferena de potencial V e percorrido por
uma corrente I consome uma potncia

P VI

Pode-se citar, por exemplo, o caso de uma lmpada que ao estar


submetida a uma diferena de potencial entre seus terminais percorrida por
uma corrente, dissipando energia em forma de luz e calor.
O transistor consome potncia devido circulao de corrente eltrica
atravs das junes, provocada pela aplicao de tenses entre os seus terminais.
Essa potncia dissipada na forma de calor, resulta em um aquecimento do
componente.

POTNCIA FORNECIDA AO TRANSISTOR


O transistor um componente
de trs terminais, conforme ilustrado
na Fig.1. Admitindo os sentidos de
corrente e os potenciais nos terminais
a indicados, a potncia fornecida ao
transistor pelas fontes externas pode
ser calculada da relao
Ptotal VC I C VB I B VE I E

com os parmetros IC, IB e IE,


representando as correntes fluindo do
6

Fig.1 Grandezas eltricas associadas


aos terminais de um transistor.

Srie de Eletrnica

circuito para os terminais do transistor e VC, VB e VE, correspondendo aos


potenciais nos terminais C, B e E, respectivamente.
Sem alterao da Eq.(2) pode-se escrever
Ptotal VC I C V E I C V E I C VB I B V E I B V E I B VE I E

ou seja, os termos entre parntesis so todos nulos e no alteram a Eq.(2).


Reagrupando os termos da expresso anterior, tem-se que
Ptotal VC VE I C VB VE I B VE I C I B I E

Com base na Fig.1 as quedas de tenso entre os terminais C e E e entre os


terminais B e E podem ser obtidas das relaes
VCE VC VE

V BE V B V E

Substituindo as Eqs.(4) e (5) na Eq.(3) vem


Ptotal VCE I C VBE I B V E I C I B I E

Pela 1a. lei de Kirchhoff, a soma das correntes que fluem do circuito para
os terminais do transistor da Fig.1 nula, i.e.,
IC IB IE 0

e conseqentemente, o ltimo termo entre parntesis da Eq.(6) nulo,


resultando em
Ptotal VCE I C VBE I B

A Eq.(8) mostra que a potncia fornecida ao transistor a soma de dois


termos:
A potncia de coletor, definida pela relao
PC VCE I C

Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor

A potncia de base, definida pela relao


PB VBE I B

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DISSIPAO MXIMA NO TRANSISTOR


Nas Eqs.(8) a (10) deve-se utilizar a conveno de sinais e as definies
para as correntes e tenses nos terminais do transistor. Dessa forma, para um
transistor npn operando na regio ativa os parmetros IC, IB, VCE e VBE so todos
positivos, sendo todos negativos para o caso de um transistor pnp. Assim, as
potncias obtidas das Eqs.(8) a (10) so sempre nmeros positivos.
Como discutido em fascculos anteriores, considerando o transistor
operando na regio ativa, conforme ilustrado na Fig.2, tem-se que IB << IC. Alm
disso, como na regio ativa a juno base-emissor polarizada diretamente
VBE 0,2 a 0,3 V (germnio)
VBE 0,6 a 0,7 V (silcio)
e esses valores tpicos so sempre bem inferiores tenso coletor-emissor em
condies normais de operao do transistor.

Fig.2 Transistor npn operando na regio ativa.


Com essas consideraes, conclui-se a partir das Eqs.(9) e (10) que as
potncias PC e PB satisfazem condio
PC VCE I C V BE I B = PB

Srie de Eletrnica

ou seja, a potncia de coletor muito superior potncia de base do transistor.


Isso permite desprezar o segundo termo do segundo membro da Eq.(8), i.e.,
PC PB Ptotal PC PB PC

ou equivalentemente, utilizando a Eq.(9),


Ptotal VCE I C

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A potncia fornecida ao transistor dissipada em forma de calor


produzindo uma elevao de temperatura da estrutura semicondutora do
componente.
Os valores mximos de temperatura de operao dos cristais de germnio
e silcio esto mostrados na Tabela 1. Acima dos limites de temperatura a
estabelecidos, as propriedades materiais dos cristais de Si e Ge sofrem alteraes
significativas desviando-os de suas caractersticas normais de operao.
Tabela 1 Temperaturas mximas de operao para os
cristais de Si e Ge
Cristal
Temperatura mxima
silcio
120 C
germnio
90C
Para evitar que as caractersticas eltricas do transistor sejam
influenciadas pelo aquecimento excessivo do cristal semicondutor, a potncia
dissipada no transistor limitada a um valor que permite o funcionamento
normal do componente. Esse valor de potncia denominado de potncia de
dissipao mxima e representado pelo parmetro PC,mx., sendo fornecido pelo
fabricante nos folhetos de especificaes do componente.

Potncia de dissipao mxima o valor mximo de potncia


que pode ser fornecida ao transistor sem que este sofra desvios
significativos de suas caractersticas eltricas ou danos por
sobreaquecimento.

Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor

FATORES QUE INFLUENCIAM NA DISSIPAO


MXIMA
A potncia de dissipao mxima de um transistor influenciada pela
resistncia trmica do encapsulamento e pela temperatura externa, conforme
discutido a seguir.

Resistncia trmica do encapsulamento


A resistncia trmica um parmetro que determina a oposio
apresentada por um material ao fluxo de calor. Dessa forma bons condutores
trmicos so aqueles materiais que exibem uma baixa resistncia trmica e nos
quais o calor pode ser transmitido mais rapidamente.
No caso do transistor, a resistncia trmica do encapsulamento determina
a rapidez com que o calor gerado internamente escoado para o meio ambiente,
conforme ilustrado na Fig.3

Fig.3 Fluxo de calor atravs do encapsulamento de um transistor.


Os transistores fabricados com
capacidade
de
dissipao
elevada,
denominados de transistores de potncia,
so
normalmente
encapsulados
em
invlucros metlicos, como ilustrado na
Fig.4. Esse tipo de componente afixado
em uma superfcie metlica que aumenta a Fig.4 Encapsulamento de um
transistor de potncia.
eficincia da dissipao de calor para o
meio ambiente.
10

Srie de Eletrnica

Os transistores de baixa
dissipao, geralmente denominados
de transistores de sinal, so
encapsulados
em
invlucros
plsticos, na forma ilustrada na
Fig.5.
Fig.5 Transistor com encapsulamento de
plstico.

Temperatura externa
O fluxo de calor atravs de um material tambm depende da diferena de
temperatura entre as paredes do material, conforme ilustrado na Fig.6.

Fig.6 Fluxo de calor entre as paredes de um material.


Para que haja transmisso de calor, as duas superfcies devem exibir
temperaturas distintas e nessas condies o calor flui da parede de temperatura
mais alta para aquela de temperatura mais baixa.

11

Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor

Quanto maior for a diferena de temperatura entre paredes, tanto maior


ser o fluxo de calor. Isso explica por exemplo, por que uma xcara de caf
esfria mais rapidamente no inverno do que no vero.
Esse conceito aplicado ao transistor pode ser posto de acordo com a
seguinte afirmativa:

O fluxo de calor entre o transistor e o meio ambiente depende


da diferena entre a temperatura interna do transistor e a
temperatura do ambiente externo.
Dessa forma, quanto mais baixa for a temperatura do ambiente externo,
tanto mais rapidamente se dar o escoamento do calor gerado no componente,
diminuindo assim o seu aquecimento.
Assim, dois transistores trabalhando com tenses e correntes idnticas
podero aquecer diferentemente se estiverem operando em ambientes de
temperaturas distintas.

Devido influncia da temperatura na transmisso de calor, a


especificao de potncia mxima de dissipao feita para uma
dada temperatura.
Por exemplo, o folheto de especificaes tcnicas do transistor BC547
fornece um valor para a potncia mxima de dissipao de 500 mW a uma
temperatura de no mximo 25 C. Esse valor de temperatura geralmente
adotado como padro nos folhetos de especificaes de transistores e outros
componentes.

VARIAO DA POTNCIA DE DISSIPAO MXIMA


COM A TEMPERATURA
Em muitas ocasies faz-se necessrio utilizar transistores em circuitos que
iro funcionar a temperaturas superiores ao valor padro de 25C. Nessas
situaes necessrio considerar que o valor de potncia de dissipao mxima
especificado a 25 C no pode ser empregado.

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Srie de Eletrnica

Para que o transistor possa ser utilizado a uma temperatura ambiente


superior ao valor padro de 25 C, os fabricantes fornecem, no folheto de
especificaes do componente, um grfico da potncia de dissipao mxima
como funo da temperatura ambiente. O grfico mostrado na Fig.7, por
exemplo, representativo das condies de operao dos transistores BC546,
547 e 548. O emprego do grfico na determinao da potncia de dissipao
mxima ilustrado no exemplo a seguir.
BC548

Potncia de dissipao mxima (mW)

500

400

300

200

100

0
0

50

100

150

Temp. ambiente ( oC)

Fig.7 Potncia de dissipao mxima como funo da


temperatura ambiente para o transistor BC548.
Exemplo 1: Determinar a potncia de dissipao mxima para o transistor
BC548 para operao a uma temperatura ambiente de 50 C.
No grfico da Fig.8, seleciona-se no eixo horizontal o valor de 50C para
a temperatura ambiente. A interseo com a curva, da linha vertical traada a
partir desse valor de temperatura, define o valor de 400 mW para a potncia de
dissipao mxima.

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Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor


BC548

Potncia de dissipao mxima (mW)

500

400

300

200

100

0
0

50

100

150

Temp. ambiente ( oC)

Fig.8 Determinao grfica da potncia de dissipao mxima para o


Exemplo 1.

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Srie de Eletrnica

Correntes de fuga no
transistor
Os transistores so fabricados com materiais semicondutores do tipo p e
do tipo n. Esses materiais sofrem um processo de purificao e dopagem que
permite obter a predominncia de um tipo de portador.
Assim, qualquer cristal semicondutor do tipo p apresenta uma grande
quantidade de lacunas e apenas uma pequena quantidade de eltrons livres.
Nesses materiais, as lacunas so denominadas de portadores majoritrios e os
eltrons de portadores minoritrios, conforme ilustrado na Fig.9a.
Semelhantemente, em um semicondutor tipo n, existe uma grande
predominncia de eltrons livres em comparao com as lacunas, conforme
mostrado na Fig.9b. Nesses materiais, os eltrons livres so os portadores
majoritrios e as lacunas, os minoritrios.

Fig.9 Portadores majoritrios e minoritrios em


um semicondutor:(a) tipo p, (b) tipo n.
15

Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor

MOVIMENTO DOS PORTADORES


MINORITRIOS
Os portadores minoritrios sofrem a influncia das tenses externas
aplicadas ao componente semicondutor, movimentando-se no interior da
estrutura cristalina.
O movimento de portadores minoritrios atravs de uma juno pn s
importante quando esta fica submetida a uma polarizao inversa. Como pode
ser observado na Fig.10, o potencial inversamente aplicado favorece a injeo
dos portadores minoritrios atravs da juno, dando origem a uma pequena
corrente de fuga.

Fig.10 Movimento de portadores minoritrios em uma


juno pn inversamente polarizada.
Nos transistores o movimento dos portadores minoritrios importante
apenas na juno base-coletor visto que essa juno permanece inversamente
polarizada nas condies normais de operao do componente.

CORRENTE DE COLETOR COM EMISSOR EM


ABERTO
A
injeo
dos
portadores
minoritrios atravs da juno basecoletor, inversamente
polarizada, d
origem a uma pequena corrente de fuga
entre base e coletor.
Com o emissor em aberto, na
configurao mostrada na Fig.11, essa
corrente de fuga assume um valor
16

Fig.11 Transistor com emissor


em aberto.

Srie de Eletrnica

prximo daquele obtido para um diodo inversamente polarizado. Para o


transistor, essa corrente denominada de corrente de coletor com emissor em
aberto, sendo representada pelo parmetro ICBO.
Com o emissor em aberto tem-se IE = 0 e da Eq.(7) resulta

12

I B I C

e da definio do parmetro ICBO, obtm-se


I C I CBO
I B I CBO

IE 0

13

CORRENTE DE COLETOR COM BASE EM ABERTO


Um segundo parmetro de
importncia na avaliao dos efeitos
das correntes de fuga em um
transistor a corrente de coletor
com base em aberto, representada
pelo parmetro ICEO.
Como mostrado na Fig.12,
com a base em aberto tem-se IB = 0 e
Fig.12 Transistor com base em aberto.
da Eq.(7) resulta

14

I E I C

e da definio do parmetro ICEO, obtm-se


I C I CEO
I E I CEO

IB 0

15

17

Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor

CORREO DA RELAO ENTRE AS CORRENTES


NO TRANSISTOR
Como discutido em fascculos anteriores, o ganho de corrente do
transistor em operao na regio ativa permite obter a corrente de coletor
diretamente da corrente de base, a partir da expresso
I C I B

16

No entanto a Eq.(16) prev que a corrente de coletor se anula se a


corrente de base tambm for nula. Conforme j discutido na seo anterior isso
no ocorre pois com IB = 0, flui uma pequena corrente ICEO entre coletor e
emissor.
Isso implica que a Eq.(16) foi obtida de forma aproximada sob a hiptese
de o transistor operar na regio ativa. No entanto, deve-se introduzir uma
modificao na Eq.(16) de forma a se poder prever o comportamento do
transistor quando a corrente de base tende a diminuir at um valor nulo. Essa
modificao corresponde a uma simples adio do termo ICEO ao segundo
membro da Eq.(16) resultando em
I C I B + I CEO

17

Assim, uma inspeo da Eq.(17) mostra que:


IB 0 IC = ICEO, conforme previsto pela Eq.(15).
Na regio ativa, IB >> ICEO IC IB, conforme previsto pela Eq.(16).
Como mencionado anteriormente, a corrente ICBO da ordem da corrente
de saturao inversa obtida para um diodo comum. Surge ento uma importante
questo:
Qual a ordem de grandeza da corrente de fuga no coletor de um transistor?
Ou alternativamente: Qual a relao entre a corrente de coletor com base
em aberto, ICEO, e aquela obtida com emissor em aberto, ICBO?
A resposta a essa questo envolve uma anlise mais detalhada que leva em
conta todas as componentes de corrente do transistor e que permite demonstrar
que a relao procurada da forma
I CEO 1 I CBO

18

18

Srie de Eletrnica

Como na regio ativa, 100, a Eq.(18) mostra uma diferena


importante entre o valor da corrente de fuga no coletor de um transistor
relativamente quela em um diodo comum.

A corrente de fuga no coletor de um transistor


aproximadamente (+1) vezes superior quela observada em um
diodo polarizado inversamente.
Na aproximao >> 1, a Eq.(18) pode ser aproximada para

19

I CEO I CBO

Inserindo a aproximao dada pela Eq.(19) na Eq.(17), resulta


I C I B I CBO

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INFLUNCIA DA TEMPERATURA NA CORRENTE DE


COLETOR
O aquecimento de um
cristal semicondutor promove o
rompimento
de
ligaes
covalentes, gerando portadores
minoritrios no cristal. No caso do
transistor, o acrscimo de
portadores minoritrios com a
temperatura aumenta a corrente de
fuga no coletor.
A Fig.13 apresenta um
grfico tpico da dependncia com
a temperatura da corrente ICBO
para transistores de germnio e
silcio, em escala logartmica.

100000

I CBO(nA)

10000
1000

Ge

100
10

Si

1
0.1

0
50
100
150
Como se pode observar na
o
Temperatura ( C)
Fig.13, a corrente ICBO dobra a
cada 10 C aproximadamente nos Fig.13 Dependncia com a temperatura da
transistores de germnio e silcio.
corrente ICBO para transistores de
Embora essa variao seja
germnio e silcio.
aproximadamente a mesma em

19

Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor

ambos os tipos de materiais, o parmetro ICBO cerca de 500 vezes menor no


transistor de silcio relativamente ao de germnio. Da a grande predominncia
de uso do silcio na fabricao de transistores e outros dispositivos
semicondutores.

DISPARO TRMICO
O disparo trmico, tambm denominado de avalanche trmica, um
fenmeno que ocorre no transistor devido corrente de fuga e que pode lev-lo
destruio por superaquecimento. Como ilustrado na Fig.14, a seqncia de
eventos que culminam com este fenmeno a seguinte:
A medida que o transistor funciona em um circuito eletrnico ocorre um
aquecimento das junes como resultado da dissipao da potncia eltrica
Ptotal VCE I C

O aquecimento aumenta a gerao de portadores minoritrios produzindo um


acrscimo na corrente de fuga no coletor
I CEO I CBO

Uma maior corrente de fuga provoca uma maior corrente de coletor


I C I B + I CEO I B + I CBO

O acrscimo em IC promove o aumento da potncia dissipada no transistor


Ptotal VCE I C

e o ciclo se repete, podendo levar a uma autodestruio do transistor.

Fig.14 Representao do ciclo da avalanche trmica em um transistor.


20

Srie de Eletrnica

Apndice
QUESTIONRIO
1. Qual a potncia dissipada em um transistor de silcio npn submetido s
condies eltricas: IB = 20 A, VBE = 0,6 V, IC = 2 mA e VCE = 10 V?
2. O que resistncia trmica?
3. Quais os fatores que influenciam a potncia dissipada em um transistor?
4. O que potncia de dissipao mxima de um transistor?
5. Determine a potncia de dissipao mxima de um transistor BC548
operando a uma temperatura ambiente de 100 C.
6. O que so portadores majoritrios e minoritrios em um cristal
semicondutor?
7. Sob que polarizao de uma juno pn se torna importante o movimento de
portadores minoritrios?
8. Defina os parmetros ICB0 e ICE0.
9. Por que a maioria de componentes semicondutores fabricada com cristais
de silcio?
10.O que disparo trmico e que conseqncia pode provocar em um transistor?

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Dissipao de potncia e correntes de fuga no transistor

BIBLIOGRAFIA
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e
desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos. 7. ed. So Paulo, rica,
1983. 289p.
ELETRNICA MODULAR PANTEC. O transistor; princpios bsicos. s.n.t.
(curso bsico, 4)
SENAI/DN. Transistores, Por Antnio Abel Correia Villela. Rio de Janeiro,
Diviso de Recursos Humanos, 1977. 81p. (Publicaes Tcnicas, 7)
MILLMAN, Jacob e HALKIAS, Christos C., Integrated electronics: analog and
digital circuits and systems, So Paulo, McGraw-Hill, 1972.

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