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Transistor de efecto campo (FET)

P-channel

N-channel

Smbolos esquemticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y


S=Fuente(Source).
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET dylan, en ingls) es en realidad una
familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas
por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La
regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se
deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es
como pantallas de cristal lquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor
FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta
es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base,
pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede
ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado
que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son
tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en
la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los
transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son
el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Tipo de transistores de efecto campo


Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y curva de
salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del MOSFET de
enrequecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del MOSFET de agotamiento.
Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre
el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal
y la puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente
SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una
barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET),
la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del
transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun
as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones
drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del
transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta
fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales
. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio
policristalino.

Caractersticas
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

MOSFET

Estructura del MOSFET donde se muestran los terminales de compuerta (G), sustrato (B), surtidor
(S) y drenador (D). La compuerta est separada del cuerpo por medio de una capa de aislante
(blanco).
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxidesemiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales
electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro
tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en
transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta
(G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal
del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la
compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. El
aluminio fue el material por excelencia de la compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio
policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas autoalineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de
incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la
compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha
reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de
tensiones ms pequeas.

Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect


transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es ms
inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un
aislante de compuerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un

transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor fieldeffect transistor)


Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.
Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el
surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores
minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin
con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace
referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un
incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un
pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y
tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y
tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se
debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual
ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de
la conductividad.
Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Vase Tecnologa
CMOS.

Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:


Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Ventajas con respecto a transistores bipolares
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS,
debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a los
transistores bipolares:
Consumo en modo esttico muy bajo.
Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de
entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja
potencia.