Universidad Politécnica Salesiana 1 Amplificadores con transistor FET

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA FACULTAD DE INGENIERÍAS CARRERA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA SEDE CUENCA Nombre: Vanessa Roche Intriago Docente: Ing. Rene Avila Ciclo: 5to Año: 2010 PRACTICA N°4

TEMA: AMPLIFICADORES CON TRANSISTOR FET. OBJETIVOS:  Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento los siguientes amplificadores con transistor FET. a. A. a drain común. b. A. a sourse común. c. A. a gate común. MARCO TEORICO:

Algunas definiciones importantes La amplificación (ganancia de tensión) ¨ V Es el cociente entre la tensión en la entrada y salida. ¨V = Vsal. / Vent. La ganancia de corriente ¨i Es el cociente entre la corriente de salida del amplificador y la corriente en los terminales de entrada. ¨i = isal / ient

Amplificadores con FET (transistor efecto de campo) Amplificador surtidor común. Cuando a un amplificador surtidor común se le aplica una señal de entrada como se muestra en el siguiente gráfico. Una tensión (VG) es aplicada a la compuerta (gate) del FET , causando una corriente de drenage (ID) que sigue las variaciones de la tensión aplicada.

Cuenca

Uni i Ampli i

li

ni t

l i na 2 it

Se puede ver que VG = Vi (C es un capacit r de paso que para las frecuencias a amplificar se puede considerar como un corto circuito) La corriente ID atraviesa el resistor RS, causando una caída de tensi n. Entonces sumando las tensiones en lazo compuerta-surtidor: Vin = VGS - VRS ó VGS = Vin - VRS Se puede ver que VGS no es i ual a VG. La tensión VRS no tiene la misma fase que la señal de entrada Vi y produce una realimentación negativa que disminuye la ganancia del amplificador. C e e e iv ió 
©  §  © ¦ ¦ § ¥§ ¨ § ¥

Se sabe que el resistor RS se necesita para lograr una tensión negativa en la compuerta (gate) del FET, pero causa una disminución en la ganancia del amplificador. La tensión negativa necesaria en VG, es en corriente continua y esta tensión es la que causa la disminución en la ganancia (debido a su paso por Rs). Pero la señal a amplificar no es continua sino alterna. Entonces hay que evitar la influencia del resistor cuando aparecen señales alternas. Para resolver este problema se pone en paralelo con el resistor Rs un capacitor de un valor que, para las frecuencias a amplificar, se comporte como un corto circuito (idealmente). De esta manera se elimina la tensión de realimentación causada por la señal alterna. El capacitor no afecta las condiciones de polarización en CC, porque la corriente de surtidor (IS = ID) carga el condensador Cs a la tensión de polarización Entonces: VRS (en corriente alterna) = 0 y Vin = VGS.

Ganancia de tensión La ganancia de tensión se obtiene con la fórmula: AV = - Vout / Vin Donde: AV = Ganancia de tensión

C

¤£¢¡ 

¦

Uni ersidad Politécnica Salesiana 3 Amplificadores con transistor FET Vout = Tensión de salida Vin = Tensión de entrada El signo negativo significa que la salida sale invertida con respecto a la entr da. Otra a forma de obtener la ganancia es con la siguiente fórmula: AV = - gm x RL. En esta fórmula aparece el valor de la transconductancia (gm). gm = ID / VGS. Este cociente e est definido como la razón de un pequeño cambio en la corriente de drenaje entr un pequeño cambio en la tensión compuerta - surtidor, cuando VDS es constante. La transconductancia da información acerca de la capacidad del FET de suministrar cambios de corriente de drenage (ID) cuando se cambia la tensión de compuerta surtidor (VGS)

El transistor FET (Transistor de efecto de campo) se puede utilizar como elemento activo de muchos amplificadores. Una de las configuraciones es: El Amplificador seguidor de cátodo al que se le conoce también con el nombre de circuito drenador común o ánodo común Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que es utilizado principalmente como adaptador de impedancias. La salida se obtiene del resistor RS y la ganancia es aproximadamente igual a 1. Esta ganancia no es 1 debido a que existe una pequeña diferencia de tensión entre la entrada (patilla compuerta G) y la salida (patilla fuente S): VGS. La ganancia de este amplificador se obtiene con la ayuda de la fórmula: AV = gm x Rs / [ 1 + (gm x Rs) ]

De la fórmula se deduce que la señal de salida está en fase con la señal de entrada pues no existe el signo menos que indica inversión de fase La impedancia de salida se obtiene con la siguiente fórmula: Ro = Rs / [ 1 + (gm x Rs) ]
!$ ! $%

Config

ción de compue t común.

C 

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A 

 

li i

seg i

de cát do

Uni ersidad Politécnica Salesiana 4 Amplificadores con transistor FET La última configuración para JFET que será analizada a detalle es la configuración de compuerta común de la figura 9.30, la cual es análoga a la configuración de base común utilizada para los transistores BJT. Al sustituir el circuito equivalente del JFET se tendrá por resultado la figura 9.31. Observe el requerimiento persistente de que la fuente controlada gmVgs se encuentre conectada del drenaje a la fuente con ra en paralelo. El aislamiento entre los circuitos de entrada y de salida obviamente se ha perdido ya que la terminal de la compuerta ahora se encuentra conectada a la tierra común de la red. Además, el resistor que está conectado entre las terminales de entrada ya no corresponde a R sino al resistor R conectado de la fuente a tierra. Observe también la posición del voltaje de control Vgs y el hecho de que éste aparece directamente a través del resistor R

MA ER ALE Y EQU P      
1

Transistor FET. Resistencias. Condensadores. Osciloscopio. Generador de funciones. Multímetro.

C

0)('&

5 4 3

2

3

2

Universidad Politécnica Salesiana 5 Amplificadores con transistor FET

DESARRO

AM
V DD ! 5V R ! 3.3K R S ! 3.3K V DS ! .5V R EQ ! 1M; VS ! 1.5V
8

RI

es R2 RS RL

0

Circuito equivalente

67

66

O: IFICADOR A DRAIN COMÚN

I DSS ! 1.5mA V p ! 1.5V
! 15K yos fc ! 1KHz

1

VCC 5V

R1

RD CD

Ci Co

0

0

0

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 6 Amplificadores con transistor FET

Cálculos Polarización ID ! VGS 1.5V ! 450uA 3.3k; « ID » V ! ¬1  ¼™ P I DSS ½ ­

« 0.45mA » VGS ! ¬1  ¼ ™  1.5V 1.5mA ½ ­ VGS ! .0678V

VG ! .678V  1.5V VG ! 0.822V
E!

VG 0.822V ! VDD 5V REQ

E ! 0.164

1M; E 0.164 R1 ! 6.087 M; R1 !
!

R1 ™ E 0.164 ™ 6.087 M; ! 1E 1  0.164 R2 ! 1.19M; R2 ! RD !
(VRD 1V ! ID 0.45mA

RD ! 2.22 K;

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 7 Amplificadores con transistor FET Ganancias 2 ™ I DSS gm ! VP gm !
Ci ! 1 2T ™ 1kHz ™ (1M;  50;)

ID I DSS

C i ! 159 pF 1 2T ™ 1kHz ™ ( 2.7 k;  3.3K; ) C S ! 27 nF CS ! 1 2T ™ 1kHz ™ 2.22 k; C D ! 72 nF CD !

2 ™ 1.5mA 0.4mA 1.5V 1.5mA gm ! 1.065m AV ! gm ™ RPS 1.65K; ™ 1.065m ! 1  gm ™ RPS 1  1.65 K; ™ 1.065m

AV ! 0.64 1M; 3.3 K; AI ! 193.39 AI ! 0.64 Condensadores Máxima dinámica VDS max ! RPS ™ I D ! 0.742V 1.485V ! 2.32V 0.64 VDS max ! 5V es ! I D max ! 5V ! 0.909 mA 5.5 K;

0

VDD 5Vdc

R1 6000K

RD 2.2K

CD 72nF

RI 50

Ci

160pF R2 1200K

Co 27nF RS 3.3K RL 3.3K

es 1.16Vac

0

0

0

0

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 8 Amplificadores con transistor FET Datos medidos.
@ C 9

olarizaci n VGS -0.57V VDS 2.67V ID 412uA

f (kHz) T (ms) Vipp (V) Vspp (V) T (us) (dB)

0,2 0,5 1 2 5 10 20 50 100 5 2 1 0,5 0,2 0,100 0,05 0,02 0,01 2,37 2,37 2,37 2,37 2,37 2,37 2,36 2,3 2,3 0,056 0,23 0,235 0,92 1,25 1,32 1,34 1,35 1,35 2100 680 250 82 14 3,8 0,25 -0,1 -0,2 0,013 0,024 0,097 0,099 0,388 0,527 0,557 0,568 0,587 0,587 -38,062 -32,531 -20,260 -20,074 -8,219 -5,557 -5,083 -4,916 -4,628 -4,628 151,2 122,4 90 59,04 25,2 13,68 1,8 -1,8 -7,2

0,1 10 2,4 0,03

Dia ramas d bod obt nidos
B B B A Ga na ncia de tensión
0,7 0,6 0,5 0,4

0,527

0,557

0,568

0,587 0,587

0,388

f c m e dida = 10 k H z

D
0,3 0,2

0,097
0,1

f c c a lc ula da = 1k H z

0,099

0,013
0

0,024 1 f (KHz 10 100

0,1

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 9 Amplificadores con transistor FET
GG GF G I z) z)
2 0,5 0,572 -4,846 46,365

0 -5 -10 -15 B) -20,26 -20 S -25 -30 -32,53 -35 -38,06 -40 T 0,1 1

-20,07

f

DUfase 160 140 120 100 80 60 40 20 0 -20 0,1 1 f P RQ 10 59,04 25,2 13,68 -1,8 -7,2 122,4 90

151,2

Diagramas de bode calculados
f (kHz) T (m ) 0,05 20 0,032 (dB) -29,908 152,084 0,1 10 0,064 -23,920 147,113 0,2 5 0,126 -18,026 137,340 0,5 2 0,286 -10,866 110,715 1 1 0,453 -6,887 78,540 5 0,2 0,628 -4,047 19,740 10 0,1 0,637 -3,920 9,967 20 0,05 0,639 -3,887 4,996 50 0,02 0,640 -3,878 2,000 100 0,01 0,640 -3,877 1,000 200 0,005 0,640 -3,877 0,500 500 0,002 0,640 -3,876 0,200 1000 0,001 0,640 -3,876 0,100

P RQ

GH GF

Ganancia

n si n n

cib l s -5,08 10 -4,63 100 -4,63 -4,92

-8,22

-5,56

100

E

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 10 Amplificadores con transistor FET
Ganancia de tensión 0,7 0,6 0,5 0,45 0,4 0,3 0,2 0,1 0 0,01 0,03 0,1 0,13 0,06 1 10 100 1000 0,29 0,57

0,63 0,64

0,64

0,64

(KHz)

Ganancia de tensión en decibeles 0 0,01 -5 -10 (dB) -15 -20 -25 -30 -35 -23,92 -29,91 0,1 -10,87 1 -6,89 -4,05 10 -3,88 100 -3,88 1000 -3,88

-18,03

c =1KH z

(KHz)

De ase 160,000 152,1 140,000 120,000 100,000 80,000 60,000 40,000 20,000 0,000 0,01 78,5 46,4 147,1 137,3 110,7

c =1KH z

0,1

1

W V Y X V V

c =1KH z

-3,89 -3,92

W

19,7 5,0 2,0 10 (KHz) 100 1,0 0,2 0,1 1000

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 11 Amplificadores con transistor FET Rectas de carga y puntos de trabajo calculados

Rectas de carga y puntos de trabajo medidos

Graficas obtenidas a la máxima amplificación

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 12 Amplificadores con transistor FET AM
V DD ! 15V R ! 10 K; R D ! 10 K; V DS ! 7.5V R EQ ! 1M; VS ! 3V
b a` 0

IFICADOR A GATE COMÚN

I DSS ! 1.5mA V p ! 1.5V
! 15K yos fc ! 2 KHz

1

15

0

0

0

0

Circuito equivalente

c

c

G

2

d

fc

R1

ed

c g

h
o RI es L

d dh d

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 13 Amplificadores con transistor FET Cálculos Polarización
ID ! VGS 15V  7.5V  3V ! 450uA 10 k; « ID » V ! ¬1  ¼ ™ P I DSS ½ ­

« 0.45mA » VGS ! ¬1  ¼ ™  1.5V 1.5mA ½ ­ VGS ! .0678V VG ! .678V  3V VG ! 2.321V E! VG 2.321V ! VDD 15V REQ

E ! 0.1547 1M; E 0.1547 R1 ! 6.461M; R1 ! ! 1M; 1  E 1  0.1547 R2 ! 1.183M; R2 ! REQ ! RS ! 3V (VRS ! ID 0.45mA ¨ 1 ¸ Z i ! REQ B © © yos  RPD ¹ ¹ ª º Z i ! 19.6 K;

Condensadores

RS ! 6.66 K;

REQ ¨ 1 Z O ! RPD B © © yos  R i ª Z i ! 6 K; Ci !

¸ ¹ ¹ º

Ganancias 2 ™ I DSS gm ! VP
gm !

ID I DSS

1 2T ™ 2 kHz ™ (19.6 K;  50; ) Ci ! 4.049nF 1 2T ™ 2 kHz ™ (6 k;  10 K; ) C S ! 4.973nF CS ! 1 2T ™ 2kHz ™ 1M; C D ! 79.57 pF CD !

2 ™ 1.5mA 0.45mA 1.5V 1.5mA gm ! 1.095m AV ! gm ™ R PD ! 1.905m ™ 5 K; AV ! 5.475 AI ! 1

Máxima dinámica

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 14 Amplificadores con transistor FET VDS max ! RPD ™ I D ! 2.25V 4.05V ! 0.821V 5.475 VDS max ! 15V es ! I D max ! 15V ! 0.9mA 6.66 K;
VDD

0
15Vdc R1 6400k RD 10k CD

5nF Ci RI RL R2 1200k 4nF RS 6.6K 50 es 0.41Vac 10k

CG 80pF

0

0

0

0

0

Datos medidos.
p i

olarizaci n VGS -0.57V VDS 7.55V ID 432uA
5 0,2 0,81 1,52 42,5 1,877 5,467 76,5 10 20 50 100 0,100 0,05 0,02 0,01 0,8 0,78 0,77 0,76 2,4 2,95 3,3 3,3 14 4 0,4 0,2 3,000 3,782 4,286 4,342 9,542 11,555 12,640 12,754 50,4 28,8 7,2 7,2

f (kHz) T (m ) ipp ( ) pp ( ) t(u ) (dB)
r r q q qr r

0,113 0,2 0,5 1 2 8,850 5 2 1 0,5 0,82 0,82 0,82 0,815 0,815 0,008 0,03 0,094 0,25 0,62 4400 2500 850 360 150 0,010 0,037 0,115 0,307 0,761 -40,214 -28,734 -18,814 -10,264 -2,375 178,992 180 153 129,6 108

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 15 Amplificadores con transistor FET Dia ramas d bod obt nidos
t t t s

Ganancia de tensión
5 4,5 4 3,5 3

4,286 3,782 3,000 1,877 y fc 0,307 0,115 1 f ( Hz v u 0,761 fc ca lcula da 2 k Hz y 10 100 x edida 10 k Hz 4,342

Ga na ncia de tensión en deci eles 20 10 0 0,1 (d w ‚ -10 -18,81 -20 -30 -40 -50 f ( Hz v u -28,73 -40,21 1 -10,26 -2,38 5,47 10 9,54 11,55 100 12,75 12,64

efa se

200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0,1 1 f ( Hz v u 10 fc ca lcula da 2 k Hz fc x y 50,4 edida 10 k Hz y 28,8 7,2 7,2 100 178,992 180 153 129,6 108 76,5

€

ƒ

w

2,5 2 1,5 1 0,5 0

0,010

0,037

0,1

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 16 Amplificadores con transistor FET

Diagramas de bode calculados
f (kHz) T (m ) 0,05 20 0,193 14,269 152,08 4 0,1 10 0,386 -8,264 147,11 3 0,2 5 0,767 -2,308 137,34 0 0,5 2 1,825 5,225 110,71 5 1 1 3,161 9,996 78,54 0 2 0,5 4,470 13,00 7 46,36 5 5 0,2 5,268 14,43 3 19,74 0 10 0,1 5,421 14,68 2 9,967 20 0,05 5,461 14,74 6 4,996 50 0,02 5,473 14,76 4 2,000 100 0,01 5,474 14,76 7 1,000 200 0,005 5,475 14,76 7 0,500 500 0,002 5,475 14,76 8 0,200

(dB)

Ganan a d t n ón 6 5 4 3 2 1 0,19 0 0,01 0,1 0,77 0,39 1 (KH ) 10 100 1000 1,83 3,16 4,47

Ganan a d t n ón en decibeles 20 15 10 5 (d ) 5,23 10,00 14,43 14,76 14,77 14,77 14,75 14,68

0 0,01 -5 -10 -15 -20

-2,31 0,1 -8,26 -14,27 1 10 100 1000

f (KH )

†ˆ ‡ ‡





†ˆ ‡ ‡

‰

†…

†…

‘

„

5,27 5,42 5,46

5,47 5,47 5,47 5,47

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 17 Amplificadores con transistor FET
Defase 160,000 152,1 140,000 120,000 100,000 147,1 137,3 110,7

0,000 0,01

0,1

1 f(

10

z)

Rectas de carga y puntos de trabajo calculados

Rectas de carga y puntos de trabajo medidos

’

”“

•

80,000 60,000 40,000 20,000

78,5 46,4

19 7 5,0 2,0 100 1,0 0,2 1000

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 18 Amplificadores con transistor FET

Graficas obtenidas a la máxima amplificación

VDD ! 15V R ! 10 K; R D ! 10 K; VDS ! 7.5V R EQ ! 1M; VS ! 2V
™

I DSS ! 1.5mA V p ! 1.5V
! 50 K yos fc ! 2 KHz

VCC 15V

R1

RI

Ci

es R2 RS CS RL

0

0

0

˜

AM

—–

IFICADOR A SO RSE COMÚN

1

RD Co

0

0

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 19 Amplificadores con transistor FET

Circuito equivalente

Cálculos Polarización
gm ! 2 ™ I DSS VP ID I DSS

ID ! VGS VGS VGS

15V  7.5V  2V ! 550uA 10k; « ID » ! ¬1  V ¼ ™ P I DSS ½ ­ « 0.55mA » ! ¬1  ¼ ™  1.5V 1.5mA ½ ­ ! 0.591V

gm !

2 ™ 1.5mA 0.55mA 1.5V 1.5mA gm ! 1.21m ¸ ! 1.21m ™ 5 K; B 50 K AV ! gm ™ ¨ R PD B 1 © yos ¹ º ª AV ! 5.5 AI ! AV AI ! 550 R EQ RL ! 5.5 1M; 10 K;

VG ! 0.591V  2V VG ! 1.4V
E!

VG 1.4V ! VDD 15V REQ

E ! 0.0933

1M; 0.0933 E R1 ! 10.71M; R1 !
!

R2 !

REQ

1 E R2 ! 907 K; RS !

!

1M; 1  0.0933

(VRS 2V ! ID 0.55mA

RS ! 3.636 K; Ganancias

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 20 Amplificadores con transistor FET Condensadores
Ci ! 1 2T ™ 2kHz ™ (1M;  50; )

C i ! 79.5 pF CS ! 1 2T ™ 2kHz ™ (8.33k;  10 K;) C S ! 4.34 nF CD ! 1 2T ™ 2 kHz ™ 3.63 K; C D ! 22 nF

Máxima dinámica VDS max ! RPD ™ I D ! 2.75V 5.5V ! 1V 5.5 VDS max ! 15V es ! I D max ! 15V ! 1.12mA 13.363K;
VDD

0
15Vdc R1 10800k RD 10k CD

RI 50

Ci 5nF 80pF RL R2 907k 10k RS 3.3K Co 22nF

es 1.16Vac

0

0

0

0

0

Datos medidos. olarizaci n VGS -0.552V VDS 8.33V ID 483uA
e d

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 21 Amplificadores con transistor FET
f (kHz) T (m ) ipp ( ) pp ( ) 0,125 8 1 0,01 0,2 5 1 0,015 0,5 2 1 0,04 -100 0,010 (dB) -40,000 0,015 -36,478 0,040 -27,959 -18 1 1 0,99 0,112 -70 0,113 -18,928 -25,2 2 0,5 0,99 0,31 -60 0,313 -10,085 -43,2 5 0,2 0,98 1,02 -45 1,041 0,347 -81 7,5 0,133 0,98 1,568 -36 1,600 4,082 -97,2 10 0,1 0,98 2 -30 2,041 6,196 -108 20 0,05 0,98 3,1 -19 3,163 10,003 -136,8 50 0,02 0,96 4 -8,5 4,167 12,396 -153 75 0,013 0,96 4,1 -6,2 4,271 12,610 -167,4 100 0,01 0,95 4,1 -5,3 4,316 12,701 -190,8 200 0,005 0,94 4,1 -3 4,362 12,793 -216

t(u )

Dia ramas d bod obt nidos
i i i h

1,5 1 0,5 0

1,041 0,313 0,113 0,040 fc ca lcula da 2k Hz 1 10 f ( Hz k j m 100 1000

0,1

Ga na ncia de tensión en deci eles 20 10 0 0,1 (d l pq -10 -20 -30 -36,48 -40 -50 f ( Hz k j -40,00 -27,96 1 -18,93 -10,09 0,35 10 12,79 10,00 12,70 100 1000

m

fc

o

n

l

g

g

f

f

fg

g

Ganancia de tensión
5 4,5 4 3,5 3 2,5 2

4,316 4,362 4,271 4,167 3,163 2,041

1,600

edida 20k Hz

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 22 Amplificadores con transistor FET
Defase 0 0,1 -50 -81 -100 -97,2 -136,8 -150 -153 -200 -216 -250 f s ut z) -167,4 w
5 0,2 5,292 14,473 119,029

fc calculada -18 1 -25,2 -43,2

2k z 100 w fc edida 20k z u v 1000

10

Diagramas de bode calculados
f (kHz) T (m ) 0,05 20 0,194 14,229 -2,499 0,1 10 0,388 8,225 4,996 0,2 5 0,770 2,268 9,967 0,5 2 1,833 5,265 24,498 1 1 3,175 10,036 46,365 2 0,5 4,491 13,046 78,540 10 0,1 5,446 14,721 137,340 20 0,05 5,486 14,786 147,113 50 0,02 5,498 14,804 153,082 100 0,01 5,499 14,806 155,080 200 0,005 5,500 14,807 156,080 500 0,002 5,500 14,807 156,680

(dB)

Ga a cia de e 6 5 4 3 2 1 0,19 0 0,01 0,1 0,77 0,39 1 f 1,83 3,18 4,49

{ y x zx

z)

u

| ~}

x x



r

i

5,29 5,45

5,50

10

100

1000

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 23 Amplificadores con transistor FET
Ga a cia e e si 0 0,01 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 f -23,92 -29,91 ) 0,1 -10,87 1 -6,89 e eci eles 10 -3,88 100 -3,88 -3,88 1000

-4,05

-3,89 -3,92

-18,03

)

fase

0 0,01 -20 -40 -60 -80

-2,5

-10,0 -5,0 0,1 -24,5 1 -46,4 -78,5 10 100 1000

-100 -120 -140 -160 -180 f -119,0 -147,1 -153,1

)

Rectas de carga y puntos de trabajo calculados

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-155,1

-156,7

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 24 Amplificadores con transistor FET

Rectas de carga y puntos de trabajo medidos

Graficas obtenidas a la máxima amplificación

Parámetros híbridos recalculados 0.483 1.5 gm ! 1.134m gm ! 2 ™ RPD B 1 RPD B 1 1 4.3 1.134

yos yos

!

! 3.791K;

yos

! 15.66 K;

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 25 Amplificadores con transistor FET SIM
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ACIONES: AM
‘’
50

IFICADOR A DRAIN COMÚN
0

Polarización

VDD 5Vdc 694.4nA R1 6000K 527.6uA RD 2.2K 3.839V -1.008pA 527.6uA 833.3mV 1.741V 27nF 3.3K C CD 72nF

0

0

0

0

Diagramas de bode
10 Ga n a c i a d e T e n s i o n

5

0 1 . 0 Hz V ( N0 1 6 9 7 ) / 50

1 0 Hz V ( N0 3 5 3 9 )

1 0 0 Hz

1 . 0 K Hz Fr equenc y

1 0 K Hz

Ga n a c i a d e T e n s i o n e n d e c i b e l e s

-0

- 50

- 100

- 150 1 . 0 Hz 1 0 Hz 2 0 * L OG1 0 ( V ( N0 1 6 9 7 ) /

1 0 0 Hz V ( N0 3 5 3 9 ) )

1 . 0 K Hz Fr equenc y

1 0 K Hz

”

“

s 1.16Vac

694.4nA R 1200K

R 3.3K

–
R
1 0 0 K Hz 1 . 0 MHz 1 0 0 K Hz 1 . 0 MHz

•

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R

Ci

160pF

—

Cuenca

Universidad Politécnica Salesiana 26 Amplificadores con transistor FET
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K

K

P ( Co : 2 )

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Tensiones a la máxima amplificación
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( Co : 2 )

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DE F AS E

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Universidad Politécnica Salesiana 27 Amplificadores con transistor FET AM Polarización
VDD

1.974uA 499.3uA R1 6400K 15Vdc RD 10k 10.01V C 499.3uA C

-1.180pA

5n

2.368V 1.974uA R2 1200K 3.295V

4n

CG 80p

R 6.6K

0

0

0

Diagramas de bode
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A A C I A DE T E S I O

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K

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4 8 ))

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Cuenca

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A A C I A DE T E S I O

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IFICADOR A GATE COMÚN

0

N01697

RI RL 50 es 0.41Vac 10k

0

0

À ¿ º¾ ½ »Â ¹ À ¿¹ º¾ ½ º¹ Ä Æ º Å » ¹ Á ¼ º ¼ º ººÅ

ººÅ À ¿ º¾ ½  Á À ¿¹ º¾ ½ » ¹ ¼» º¹ ¼ º º

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Universidad Politécnica Salesiana 28 Amplificadores con transistor FET
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8 . P ( Co : 2 )

DE F AS E

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K

K

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y

Tensiones a la máxima amplificación
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( RL : 2 )

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s

Universidad Politécnica Salesiana 29 Amplificadores con transistor FET
á
y

AM Polarización

8 859

33

0

0

0

0

Diagramas de bode
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. A A C I A DE T E S I O

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K

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Cuenca

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A A C I A DE T E S I O

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1 281uA 2 907k

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15 dc o N01697

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1 281uA

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IFICADOR A SO RSE COMÚN

0

5n

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10k

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M

.

M

Universidad Politécnica Salesiana 30 Amplificadores con transistor FET
8

4

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.

K

K

K

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Tensiones a la máxima amplificación
4.

2. 4 S

2.

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- 2.

- 4.

( RL : 2 )

( RI : 2 )

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DE F AS E

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Universidad Politécnica Salesiana 31 Amplificadores con transistor FET ANA ISIS:  Debemos tener mucha consideración en cuanto a los parámetros híbridos del transistor, ya que si los valores que nos impusimos no son cercanos a los valores reales de cada parámetro, va a existir variaciones en los valores calculados con los medidos y tambi n con las simulaciones.  Tambi n se debería tratar de colocar los valores más cercanos a los valores calculados de cada uno de los componentes para lograr con esto un circuito que funcione de la mejor manera posible.  Además se pudo notar que la frecuencia de corte calculada variaba mucho en relación a la frecuencia de corte obtenida mediante la máxima amplificación. 


CONC

SIONES Y RECOMENDACIONES: 

Pudimos comprobar el funcionamiento de los diferentes tipos de amplificadores con transistor FET, tanto del amplificador a drain común, gate común y source común.  Pudimos obtener los diagramas de bode de cada uno de los amplificadores comprobando con esto la teoría estudiada.  Una recomendación es tratar de tomar las mediciones en el osciloscopio lo más exactas posibles para poder obtener los diagramas de bode lo más exactos posibles.  Además debemos tratar de colocar cada uno de los componentes de cada amplificador lo más aproximado posibles a los valores calculados para obtener un amplificados que funcione lo más exacto posible.
! 

We could check the operation of the different types of amplifiers with transistor FET, so much of the amplifier to common drain, common gate and common source.  We could obtain the bode diagrams of each one of the amplifiers checking with this the studied theory.  A recommendation is to try to take the mensurations in the oscilloscope the most exact possible to be able to obtain the bode diagrams the most exact possible.  We should also try to place each one of the components of each amplifier the most approximate thing possible to the values calculated to obtain an amplified that the most exact thing works possible. BIB IOGRAFIA: http://www.victoryvictor.net/cascodo.htm http://www.unicrom.com/amplificadores
#

"

CONC

SIONS AND RECOMENDATIONS:

Cuenca

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