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MERCADO RICARDO ITZEL

ELECTRONICA BASICA
VIE. 113.11.2015

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET Y MOSFET)


FET
DEFINICIN
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales:

FUENTE (Source)
DRENAJE (Drain)
PUERTA (Gate)

Que trabajan controlando la corriente entre drenaje y fuente a travs del


campo elctrico establecido mediante la tensin aplicada al terminal de puerta.
La terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no maneja
virtualmente corriente, salvo alguna corriente de fuga.
A continuacin se muestra el smbolo de un FET y su esquema de polarizacin

APLICACIONES

Estos dispositivos presentan una elevada impedancia de entrada que resulta


esencial en variadas aplicaciones como pueden ser:

Llaves analgicas
Amplificadores de muy alta impedancia de entrada
Resistencias controladas por tensin y fuentes de corriente.
Algunos tipos de FET presentan facilidades en cuanto a su integracin en
reas pequeas y se utilizan especialmente en altas escalas de
integracin (LSI o VLSI), con un amplio desarrollo para circuitos digitales
(microprocesadores, memorias, etc.)

ANALISIS DEL FUNCIONAMIENTO


Primero se analizar el efecto de las variaciones de la tensin de puerta
manteniendo constante la tensin de drenaje en un valor pequeo. Luego se
mantiene la tensin de puerta constante haciendo variar la tensin drenaje
A partir de estos anlisis se diferenciarn las distintas zonas de
funcionamiento: zona de corte, zona hmica o resistiva, zona de estrangulacin
o saturacin del canal y zona de ruptura.
a) Tensin de drenaje constante (VDS=cte.). Si se aplica una tensin
constante pequea (fraccin de voltio) entre drenaje y fuente, la corriente de
drenaje (ID) resulta funcin de la tensin aplicada entre puerta y fuente (VGS).
Esta corriente puede fluir aun con una polarizacin nula en la puerta. A medida
que se aumenta la polarizacin inversa de puerta la corriente entre drenaje y
fuente va disminuyendo (el canal se angosta debido al efecto de la carga
espacial) hasta que, para un determinado valor de tensin de puerta (VP,
tensin de contraccin del canal o de pinch-off ) la circulacin se interrumpe.

(b)Tensin de puerta constante (VGS constante). Manteniendo constante


la tensin de puerta en un valor tal que asegure que el JFET est en la zona de
conduccin para tensin de drenaje - fuente nula la corriente de drenaje ser
nula.

Al ir incrementando la tensin de drenaje (vDS) la corriente comienza a


aumentar linealmente produciendo una mayor cada de tensin en el canal que
eleva la polarizacin inversa de puerta y produce el estrechamiento del canal.
http://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/TransistoresdeEfectoDeCampo.pdf
http://hispavila.com/blog/wp-content/uploads/2015/08/tema4_el-mosfet.pdf