13

PARÁMETROS DEL
TRANSISTOR
0.-

INTRODUCCIÓN (2)

1.-

SONDA DETECTORA (4)

2.-

MEDIDA DE LA fT (5)
2.1 Realización práctica (7)

3.-

PARÁMETRO DE TRANSFERENCIA
INVERSA (10)
3.1 Realización práctica (10)

4.-

CAPACIDAD DE LA UNIÓN “COLECTORBASE” (11)
4.1 Realización práctica (12)

Medida de parámetros del transistor Página 2 0 . Su finalidad es determinar los valores de los componentes del circuito equivalente híbrido en π. 2 Circuito en parámetros "h" .Capítulo 13.INTRODUCCION Esta práctica es un complemento de la que se realiza en electrónica con el nombre de «medida de los parámetros híbridos». 1 Circuito en parámetros híbridos π El circuito equivalente en parámetros "h": Ilustr. El circuito en su versión intrínseca es el siguiente: Ilustr.

C cb C b′e = h ie = h 11 h re = h12 h oe = h 22 fT ωT C cb Q = 1. . 10-19 Culombios K = 1.Capítulo 13. 10-23 J.T Q = 26mV Ccb = Capacidad entre colector-base. Medida de parámetros del transistor Página 3 Los parámetros de estos circuitos se pueden calcular según la siguiente tabla: FORMULA MEDIDA DE gm= Q Ic Ic = K ⋅T 26 mV r b′e = Ic β0 β 0 = h fe gm r b′b = hie-r b′e r b′e r b′c = h re 1 ro _ h oe gm .60219 . NOTA: Entre esta práctica y la hecha en primero se realiza todo el conjunto de medidas siendo las que se van a realizar en el "laboratorio de Medidas" las que presentan una mayor dificultad.38062 . Cb'e = Capacidad entre base emisor.KT = 273+25 = 298 º C K .

La sonda que se utiliza aquí tiene un margen de funcionamiento de 100KHz a 100MHz con un error de ± 1dB ≈ 10%. esto es rectificarla y luego filtrarla dando un nivel de continua igual al valor eficaz de la alterna presente en la entrada. En nuestro caso veremos que la precisión no tiene importancia pues se trata de hallar el punto en que la tensión es máxima. Ahora bien. Esta señal de continua se medirá con el osciloscopio o con el voltímetro. las sondas suelen funcionar correctamente a partir de los 100 KHz hasta bastantes MHz.. Otra limitación de la sonda es que no es capaz de medir cualquier tensión. sólo funciona correctamente para un margen de tensiones de entrada. que dan una buena precisión y no tienen problemas. en continua. que van de 250 mV a 30 V.Capítulo 13. que también tienen que ser pequeñas y la sonda detectora también cumple este requisito. Por lo tanto no es correcto utilizar la sonda Detectora para frecuencias inferiores a los 100 KHz. Pero la precisión de las sondas suele ser baja (10%) y además variable con la tensión. y es que suelen responder correctamente hasta unos 100K. .SONDA DETECTORA Los polímetros digitales suelen tener una limitación importante en cuanto a las medidas en alterna. Para superar esta limitación lo más sencillo es utilizar una sonda detectora también llamada demoduladora que lo que hace es detectar la señal. y no podemos utilizar el Osciloscopio por las capacidades. Una buena medida de precaución es comprobar que la sonda funcionará bien para las condiciones en que deseemos medir. Esto se puede hacer utilizando como medidor patrón un osciloscopio. Como en esta práctica hay algún apartado que tenemos que trabajar a bastantes MHz. Medida de parámetros del transistor Página 4 1. y comparando la medida realizada directamente con el osciloscopio y la realizada con la sonda y el voltímetro u osciloscopio.

la salida será una versión amplificada de la entrada y estará exactamente desfasada 180º. . Si representamos las gráficas de la tensión y de la fase de salida en función de la frecuencia nos dará unas curvas como las de la Ilustr. cuando la señal senoidal tiende a positiva las corrientes de base y de colector aumentarán. A bajas frecuencias. consiste en hallar la frecuencia para la cual la ganancia del transistor se hace la unidad. Para cambiar la corriente a través del transistor se necesita el movimiento de cargas de una región a otra de la base del transistor. Medida de parámetros del transistor Página 5 2. Ilustr. Este movimiento de cargas precisa un tiempo finito. La respuesta en frecuencia de un amplificador transistorizado está determinada en primer lugar por el propio transistor y luego por el circuito exterior.Capítulo 13. Si tenemos un montaje de un amplificador normal en emisor común. Primero observemos lo que sucede a baja frecuencia. la señal de salida no sólo disminuirá sino que aumentará el desfase respecto a señal de entrada. Pero si se aumenta la frecuencia de manera continuada. 4 Analicemos porqué cae la ganancia del transistor cuando se aumenta la frecuencia. como el de la figura 1. manteniendo constante la tensión de entrada. Este movimiento necesita tiempo.MEDIDA DE LA fT La medida de la fT. Este es un proceso errático que necesita un tiempo apreciable para mover las cargas hacia dentro y hacia fuera de la base.. Debe tenerse en cuenta que las cargas circulan hacia dentro y hacia fuera de la región de la base por difusión. Por lo tanto no podemos subir la frecuencia indefinidamente sin que haya modificaciones importantes en la salida. las cargas se mueven hacia la región de la base y en consecuencia aumenta la corriente de colector. 3 Amplificador en emisor común Esto significa un movimiento de cargas a través de la región de base del transistor. El transistor es un elemento activado básicamente por corriente. Cuando la onda senoidal tiende a positiva.

4 Gráficas de ganancia y fase Cuando aumenta la frecuencia. se designa por fß. Otro parámetro importante que ahora nos interesa y que se muestra en la Ilustr. dando lugar a una disminución en la ganancia y a una desviación de fase entre las señales de entrada y salida. O sea. la carga en la base está aún tratando de aumentar. como se indica en la Ilustr 3.3 es la fT. La fT es la frecuencia a la cual la ganancia de corriente en emisor común es igual a 1. es decir. En este momento el transistor no está respondiendo correctamente a las variaciones de entrada. el producto de la frecuencia por la ganancia a esa frecuencia será una constante llamada fT. Si se alcanza una frecuencia en que la parte positiva de la onda persiste durante un tiempo más corto que el necesario para mover la cantidad de carga apropiada en la región de la base. La frecuencia de corte superior de -3 dB. Medida de parámetros del transistor Página 6 Ilustr. en un montaje en emisor común. Si se mide la ganancia de corriente a cualquier frecuencia a lo largo de la zona de caída de 6 dB/octava. sucede que cuando la onda empieza a disminuir. cada vez que se duplica la frecuencia la tensión de salida cae 6 dB. Por encima de esta frecuencia la ganancia cae 6 dB/octava.Capítulo 13. el tiempo entre las partes positiva y negativa de la onda se hace más y más corta. se cumple que: f ω ⋅ β ω = f T ⋅ 1 2 .

porque los elementos exteriores al transistor principian a influir en el comportamiento del transistor De las anteriores medidas podemos deducir fT ya sea por cálculo o gráficamente.Capítulo 13. en una hoja semilogarítmica de unas 6 décadas. la ganancia en corriente expresada en dB.. 2M. Para conocer mejor el comportamiento del transistor hallaremos una serie de valores de la curva y trazaremos la curva. Se trata de hallar la frecuencia para la cual la ganancia del transistor se hace la unidad. Medida de parámetros del transistor Página 7 Por otra parte si conocemos la ganancia a frecuencias intermedias ßo y la fT podemos conocer la ganancia a cualquier frecuencia mediante la relación: β= β0 ⎛β • f 1+ ⎜⎜ 0 ⎝ fT ⎞ ⎟⎟ ⎠ 2 2. 8M. Fijarse bien en los puntos donde hay que aplicar la tensión y los aparatos de medida.REALIZACIÓN PRÁCTICA NOTA: En estas tres prácticas. prolongando la gráfica hasta cortar el eje de las X. basándose en el hecho deque en la zona de caída de 6 dB/octava se cumple que: f ω ⋅βω= f T Mediremos la ganancia de corriente a una frecuencia comprendida en dicha zona. Y mediante el producto. 1M.1. 4M. Haremos unas cuantas medidas desde 125 KHz a 8 MHz procurando tomar valores dobles unos de otros. Nota: No conviene trabajar a frecuencias superiores a los 8MHz. frecuencias desde 1K a 1000 MHz y en el eje Y. Para ello representaremos. observando entre que valores se cumple la condición de que al doblar la frecuencia la ganancia de corriente disminuye 6 dB. principiar por identificar bien los circuitos con los esquemas teóricos. 500 KHz. nºdB = 20 log Gi. frecuencia por ganancia. hallamos fT. En este punto tendremos: 0 dB = 20 ⋅ log ( Despejando: i2 ) i1 . 250 KHz. por ejemplo 125 KHz.

2ª Por tratarse de señales muy pequeñas puede haber problemas de sincronismos. Aunque la salida tendría que estar en cortocircuito para alterna. por lo que se recomienda sincronizar externamente tomando la señal directamente del punto 1 o del generador y ajustar bien el nivel de trigger. Al ser despreciable frente a Rc no introduce modificación apreciable.- Comprobar si Vce está comprendido entre 4.3) La caída de tensión en Rm se medirá por diferencia entre los puntos 1 y 2 respecto masa.5V si no avisar para ajustarla. pues los niveles de tensión son inferiores a los requeridos por la sonda.2. tenemos que poner una pequeña resistencia (20Ω) para medir la caída y de ella deducir la i2. Medida de parámetros del transistor log ( Página 8 0 i2 )= 20 i1 i2 = antilog de 0 = 1 i1 Proceso: 1. Para esta tensión la corriente Ic = (12-5) / 3K6 ≈ 2mA. NOTAS: 1ª Las medidas se harán con el osciloscopio y no con la sonda. si v 2 = 0 : h 21 = β ac = i 2⏐ ⏐ i 1⏐ v2= 0 Mediremos las corrientes i1 e i2 sobre las resistencias Rm y R´m respectivamente (Ilustr.Capítulo 13. 3ª Para obtener valores más precisos conviene aprovechar todas las posibilidades del osciloscopio como el filtro y el promediado.3.4. . De la ecuación: i 2 = h 21 ⋅ i 1 + h 22 ⋅ v 2 . Por tratarse de parámetros para pequeña señal aplicaremos señales a la entrada tales que la forma de onda de la salida no se deforme sino que sea senoidal.5V y 5.

Medida de parámetros del transistor Página 9 Ilustr.Capítulo 13. b) Ic = 2 mA.6K ≈ 2mA. 6 Esquema de montaje Las condiciones de medida son: a) Vce = 5V. teniendo en cuenta los 12 voltios de alimentación y los 5 Vce tendremos: Ic = 7V/3..1. 5 fT en función de Ic 3. para ello se ajustará la resistencia Rb2 (está debajo).. 3. .MEDIDA DEL PARÁMETRO DE TRANSFERENCIA INVERSA (h12 ó hre) De la ecuación: v 1 = h 11 ⋅ i 1 + h 12 ⋅ v 2 .REALIZACIÓN PRÁCTICA Ilustr. si i 1 = 0 : h 12 = h re = v 1⏐ ⏐ v 2⏐ i1 = 0 Se trata pues de deducir h12 midiendo v1 y v2.

Capítulo 13. 7 se muestra la capacidad Ccd entre colector y base.. 20. Ilustr. por los distintos caminos de corriente. Quizá la manera más práctica sea mediante el osciloscopio. .5x10-3 y 3x10-4). que no siempre es cero cuando se trata de tensiones muy pequeñas. 40. se hará una gráfica de la variación de hre con la frecuencia. Medida de parámetros del transistor Página 10 c) La frecuencia de medida ha de ser de 1 KHz. La corriente que abandona el colector al llegar al punto A se divide. que nos permite ver la forma de onda. hace que disminuya la salida. que al sumarse con la señal de entrada. 10. La presencia de esta capacidad produce una realimentación negativa entre la salida y la entrada del transistor. a tener en cuenta.BASE” (Ccb) En el circuito de la Ilustr. los efectos de realimentación se harán más pronunciados al aumentar la frecuencia.CAPACIDAD DE LA UNIÓN “COLECTOR . Además. 7 Amplificador emisor común Hay otro factor importante. 80 y 100 KHz. d) La tensión del generador ha de ser tal que la señal que aparece en la entrada no se deforme dando unos picos raros. de acuerdo con la impedancia. para las siguientes frecuencias 1. si queremos comparar el resultado obtenido con el que nos da el fabricante ( para el SC 108 y el BC 108 está comprendida entre 1. puesto que la reactancia capacitiva de Ccb disminuye al aumentar la frecuencia. 5. Una de las mayores dificultades es que la señal que aparece en la entrada es muy pequeña. Para darse cuenta de la influencia de la frecuencia. Puesto que el amplificador en emisor común presenta un desfase de 180º entre la entrada y la salida. producido por Ccb. Pero deberá ser lo más grande posible para poder medirla sin mucho error. 4. el efecto de Ccb es introducir realimentación negativa. De medirla con el voltímetro de alterna cuidar de hacer la corrección de la tensión que aparece cortocircuitando las puntas.

01 mA se realimenta a la base. respecto a la que tenemos en la entrada Ejemplo: Supongamos un transistor con ß=50 y una señal de salida 1 mA.1. es decir.Capítulo 13. Medida de parámetros del transistor Página 11 El efecto de Ccb es importante porque la corriente de realimentación está realmente multiplicada por ß.02mA 50 β La corriente neta de base después de realimentado será 0. la cual base tenía una corriente de : I c = 1mA = 0. 4.01 * 50 = 0.. Lo que nos da idea de la importancia de Ccb . El montaje tiene que ser compacto.01 mA. O sea que con un factor de realimentación del 1 % reduce la salida en un 50 %. 0. Se medirá por resonancia.REALIZACIÓN PRÁCTICA Ilustr 8 Esquema de montaje Vamos a medir la Ccb que es la capacidad de la unión colector-base más la capacidad de los terminales Esta medida es la que presenta mayor dificultad por ser muy pequeña (entre 2.02-0. necesitamos un milivoltímetro de radiofrecuencia o una sonda detectora de .5mA. Para no tener que utilizar una bobina muy grande se ha de obtener la resonancia a una frecuencia elevada. Si el 1% de esta señal de salida.01=0. La corriente de colector disminuirá desde 1 mA a 0.5 pF).8 y 4. mediante una bobina cuya capacidad entre espiras se conozca. Para poder medir tensiones a estas frecuencias y además pequeñas capacidades.

por este motivo usaremos la sonda detectora que tiene una capacidad pequeña y conocida. Ilustr. CL = Capacidad distribuida de la bobina está comprendida entre 1 y 1. Dado que la frecuencia de resonancia es la misma para el circuito paralelo que para el serie con los mismos elementos. podemos utilizar el circuito equivalente serie el de la Ilustr.. debido a ser un circuito LC paralelo . y por tanto la tensión en el punto 1 es máxima. Lo que importa es que tenga una capacidad pequeña y conocida. Colocaremos la sonda en el punto 1 e iremos variando la frecuencia del generador hasta obtener una tensión máxima. que sucederá en el momento de la resonancia. En un circuito resonante paralelo la tensión es máxima en la resonancia. la corriente será mínima. El circuito resonante queda formado por la bobina y por las capacidades (Ccb // Cs // CL). en la resonancia la impedancia es máxima . L = Inductancia de la bobina =Entre 0.34 µH. porque lo que nos interesa es sencillamente un valor máximo. Se hallará entre qué valores está comprendida la capacidad Ccb tomando los valores de la capacidad de la sonda y de la bobina y la inductancia de la bobina de forma a obtener los valores máximo y mínimo posibles Llamando C a la capacidad paralelo de (Ccb + Cs + CL) el circuito resonante esta formado por el paralelo de la bobina con los condensadores. 9 Circuito resonante equivalente Tampoco hay problemas de tensión mínima. De la fórmula: f r= 1 2π L ⋅ C . Cd es para desacoplar más perfectamente la fuente principal. Aquí no importa la precisión de la sonda. las polaridades !!. Cs = Capacidad de la sonda detectora está comprendida entre 6 a 8 pF.7 pF. pues podemos variar el generador. Medida de parámetros del transistor Página 12 capacidad conocida.33 y 0. Se utilizarán dos fuentes de 5 y 12 voltios respectivamente para la polarización del transistor. En este apartado utilizaremos la sonda. 9 El condensador de acoplamiento C0 no influye apenas por estar en serie con otro mucho más pequeño y el equivalente sería aproximadamente el más pequeño.Capítulo 13. Dado que la capacidad que hemos de medir es pequeña importa mucho conocer la capacidad del instrumento que utilizamos . ¡¡ Cuidado.

Capítulo 13. Ccb: C cb ≈ C µ = C .( C s + C L ) Página 13 . Medida de parámetros del transistor Podemos deducir C. y por tanto.