II.

Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras)
Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo

Fuentes de fotones de semiconductor: l´
aser de diodo

Figura 34: Un l´aser se compone de un medio material (semiconductor, en el
caso de los l´aseres de diodo) en el que se va a producir una amplificaci´on de
c
la luz y una cavidad ´optica resonante para alimentar esa ganancia. 1991
B.E.A Saleh, Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons)

Figura 35: L´aser de diodo con una cavidad tipo Fabry-Perot de dimensiones
c
L, H y W . 1999
S.O Kasap, Optoelectronics (Prentice Hall)

URJC–E.T.S.I.T

21

Fot´onica 2006-2007

Optical Fiber Communications (MacGraw-Hill) URJC–E. 2000 G.II. Keiser.S.T. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 36: Dimensiones t´ıpicas de la cavidad resonante tipo Fabry-Perot c de un l´aser de diodo.T 22 Fot´onica 2006-2007 .I.

1999 S.O Kasap. Optoelectronics (Prentice Hall) URJC–E. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 37: Estructura de un diodo l´aser (cavidad tipo Fabry–Perot) de doble heteroestructura n–AlGaAs/p–GaAs/p–AlGaAs.II.S. El contacto superior tiene c forma de tira o banda (stripe geometry).T.T 23 Fot´onica 2006-2007 .I.

M Senior.S.II.I. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 38: Esquema de la estructura de (a) l´aser DFB (Distributed– c feedback) y (b) l´aser DBR (Distributed–Bragg Reflector). Optical fiber communications (Prentice Hall) URJC–E.T 24 Fot´onica 2006-2007 . 1992 J.T.

I.II. Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons) URJC–E.A Saleh.T. a T = 0K (l´ınea continua) y a temperatura ambiente (l´ınea discontinua). del factor de inversi´on de Fermi. γ0 (ν). y.E. Los fotones con energ´ıas Eg < hν < Efc − Efv sufren amplificaci´on.S. c 1991 B. del coeficiente de ganancia. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 39: Dependencia con la energ´ıa de la densidad conjunta de estados.T 25 Fot´onica 2006-2007 . fg (ν). ρ(ν).

II.I. 1991 B.A Saleh. tomando como par´ametro la concentraci´on de portadores inyectados ∆n para un amplificador laser de InGaAsP a T = 300K.T. (b) M´aximo del coefic ciente de ganancia.E.A Saleh. Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons) URJC–E. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 40: (a) Coeficiente de ganancia.E. Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons) Figura 41: M´aximo del coeficiente de ganancia. γp . γp en funci´on de ∆n. en funci´on de la energ´ıa. ni amplifica ni absorbe. 1991 B. como funci´on de la densidad de corriente J seg´ un un modelo lineal. γ0 (ν). Cuando J = JT el material c es transparente.S.T 26 Fot´onica 2006-2007 .

O Kasap. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 42: Potencia emitida en funci´on de la intensidad de corriente y c espectros de emisi´on correspondientes a un LED y un laser.S. Optical Semiconductor Devices (Wiley Interscience) URJC–E. 1998 M.II. Optoelectronics (Prentice Hall) Figura 43: Perfil de ganancia. 1999 S. FUKUDA.T. modos de la cavidad Fabry-Perot y disc tribuci´on espectral de un laser de diodo.I.T 27 Fot´onica 2006-2007 .

pp.I. 1981 IEEE.3 µm).T 28 Fot´onica 2006-2007 . (IEEE Journal of Quantum Electronics. URJC–E. λ = 670 nm) para tres valores de la potencia emitida . QE–17.202–207) Figura 45: Espectro de emisi´on del laser de AlGaInP (HL6724MG de Hitachi.T. El n´ umero de modos decrece al c aumentar la corriente de inyecci´on.II.S. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 44: Distribuci´on espectral para tres intensidades de corriente diferentes de un laser de InGaAsP (λ = 1.

T. Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons) Figura 47: Potencia ´optica emitida por un laser de semiconductor en funci´on c de la intensidad de corriente por el dispositivo. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 46: Potencia ´optica emitida por un LED en funci´on de la intensic dad de corriente por el dispositivo. Fundamentals of Photonics (John Wiley and Sons) URJC–E.E.E.I.II.T 29 Fot´onica 2006-2007 . 1991 B.A Saleh. 1991 B.A Saleh.S.

T. Optical Fiber Communications (MacGraw-Hill) Figura 49: Dependencia con la temperatura de la corriente umbral en c dos tipos de l´aseres de semiconductor. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 48: Dependencia con la temperatura de la curva caracter´ıstica P –I c de un laser de semiconductor. Optical Fiber Communications (MacGraw-Hill) URJC–E.T 30 Fot´onica 2006-2007 .S. 2000 G. 2000 G. Keiser.II.I. Keiser.

co.T 31 Fot´onica 2006-2007 .I.T.nanoics. Dispositivos fot´onicos para la generaci´on y la detecci´on de luz (Figuras) Fuentes de fotones de semiconductor: l´aser de diodo Figura 50: Distribuci´on espacial de la emisi´on de un l´aser de semiconductor: emisi´on de campo cercano (near field) y de campo lejano (far field). URJC–E.il) Figura 51: Patr´on de emisi´on de campo lejano del l´aser de AlGaInP (HL6724MG de Hitachi. λ = 670 nm) .II.S. (www.