ESEMPIO DI AMPLIFICATORE A BJT

AD EMETTITORE COMUNE CON RESISTENZA DI EMETTITORE
(Dati uguali all’Esempio di par.8.2.2, Fig.8.33
del testo R.R.Spencer & M.M.Ghausi: Introduction to Electronic Circuit Design)
Calcolare il punto di lavoro del BJT Q1 di Fig.1, le amplificazioni a media frequenza di tensione Av= vo /vi e di
corrente Ai =il /ii , l’amplificazione di potenza Ap =Wl /Wi e le resistenze di ingresso Ri e di uscita Ro nei punti P1 e P2
indicati. Si trascuri l’effetto Early.
VCC= 10 V

i in

R IN vi

ii Ri

P1

RC
2.2k Ω

R1
40k Ω

C IN

Q1

100Ω

+
vin
-

R2
10k Ω

CO

P2

Ro

β=100
VBE =0.7 V

vO
il

RL
1k Ω

RE
650 Ω

Fig.1. Circuito con transistor BJT connesso a Emettitore Comune con resistenza in emettitore

Soluzione:
a – schema equivalente completo
Si può sostituire il transistor con un suo schema equivalente, ottenendo il circuito di Fig.2, valido sia ai grandi segnali
sia ai piccoli segnali. (Il tracciamento del circuito di Fig.2 è un passo intermedio, mostrato per facilitare la
comprensione degli sviluppi successivi e viene di solito omesso considerandolo sottinteso).

R IN
+
vin
-

C IN
RC
2.2k Ω
CO

100Ω
R BB
+
VBB
-

8kΩ

B

C

+
v BE
-

+
VCC
-

iC ( v BE )

vO
RL
1k Ω

E
RE
650 Ω

v BE =VBE + r π i b
iC =βI B + gmvbe

Fig.2. Schema equivalente completo
Nello schema equivalente del transistore, la tensione totale vBE si considera la somma della tensione continua del punto
di lavoro VBE , funzione come è noto della corrente IC , più un termine incrementale ai piccoli segnali pari al prodotto rπ
ib . Analogamente, la corrente totale di collettore iC si considera la somma di un termine continuo, relativo al punto di
lavoro, βIB , più un termine ai piccoli segnali gm vbe .
Il partitore, formato da R1 e R2 ed alimentato da VCC , è stato sostituito dal generatore equivalente VBB e dalla
resistenza equivalente RBB . I valori di tali elementi sono dati da
Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2004-2005

-1

-

Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

che comprende RL .7 V Fig. Considerando la maglia che va dalla base del BJT all’emettitore e comprende il generatore VBB . si può ritenere scollegata dal resto del circuito e senza effetti. si può scrivere VBB − R BB IB − VBE − R E IE = 0 e tenendo conto che (3) IC = βIB (4) IE = I C + IB = (β + 1) )IB (5) VBE = 0. interessa il comportamento ai piccoli segnali in centro banda.2k Ω + VCC =10 V VC C βI B IE VE E RE 650 Ω VBE = 0. la resistenza RBB .A. ed in uno schema equivalente ai piccoli segnali. i condensatori impiegati nello schema hanno valori tali per cui le loro impedenze risultano molto alte in c. si osserva che.7 V. che sono appunto relative al comportamento ai piccoli segnali. e quello a valle di CO . se non specificato diversamente. continua e abbastanza basse a frequenza di centro banda. ai fini della determinazione dello schema ai grandi segnali.A. Spesso. che consente di determinare il punto di lavoro del sistema ed in particolare del BJT. cioè a frequenze diverse dalla continua ma non troppo alte. IC R BB + VBB =2 V - VB B 8kΩ IB IC + VBE - RC 2. In questo caso. b – studio ai grandi segnali In base a quanto detto.3. la parte di circuito a monte di CIN . Perciò. la caduta base-emettitore VBE e la resistenza RE .7 V (6) VBB − VBE − [R BB + (β + 1)R E ] IB = 0 (7) si ha da (3) Corso di Fondamenti di Elettronica . i condensatori si considerano circuiti aperti nel ricavare lo schema ai grandi segnali e corti circuiti nel ricavare lo schema ai piccoli segnali. Schema equivalente ai grandi segnali per la determinazione del punto di lavoro Si suppone che il BJT sia in condizioni di zona attiva e che la tensione base-emettitore sia di fatto VBE =0. di solito.VBB = VCC R2 10 ⋅ 103 = 10 ⋅ =2 V R1 + R 2 40 ⋅ 103 + 10 ⋅ 103 R BB = R 1 // R 2 = (1) R1 ⋅ R 2 40 ⋅ 103 ⋅ 10 ⋅ 103 = = 8 kΩ R 1 + R 2 40 ⋅ 103 + 10 ⋅ 103 (2) In base al principio della sovrapposizione degli effetti. Essa viene quindi omessa. lo schema equivalente completo si può scindere in uno schema equivalente ai grandi segnali. e in particolare in questo caso.3.2004-2005 -2 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . che comprende il generatore di corrente iin e la resistenza RIN . Lo schema che si ricava è mostrato in Fig. su cui si calcolano le amplificazioni e le impedenze richieste.

Schema equivalente ai piccoli segnali Poiché è noto il punto di lavoro del BJT. si ottiene VT =25.958 V Essendo VCE >0.765 ⋅ 10 −3 = 6. con k costante di Boltzmann. Come è noto si ha IC 1.159 V (12) e perciò VCE = VC − VE = 6. Essendo k=1. (13) c – studio ai piccoli segnali Dallo schema equivalente completo.65 ⋅ 10 −6 = 1. si ottiene lo schema equivalente ai piccoli segnali di Fig.159 = 4.65 µA 3 R BB + (β + 1) R E 8 ⋅ 10 + (100 + 1) 650 (8) e quindi IC = β IB = 100 ⋅ 17.765 mA (9) IE = (β + 1) IB = (100 + 1) ⋅ 17. e assumendo una temperatura di 27°C e quindi di 300°K. si conferma che il transistor è in zona attiva.da cui IB = VBB − VBE 2 − 0.85 mV ≈ 26 mV.2 V. q carica dell’elettrone.2004-2005 -3 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . A tal fine si calcola VC = VCC − R C I C = 10 − 2. si può determinare la transconduttanza gm (che è un parametro ai piccoli segnali). T temperatura assoluta in gradi Kelvin. gm = Corso di Fondamenti di Elettronica .4. q=1.A.A. Emettitore e Collettore lo schema equivalente del BJT ai piccoli segnali.117 − 1.2 ⋅ 10 3 ⋅ 1.765 ⋅ 10 −3 (14) = = 67.38066 10-23 J/ºK.783 ⋅ 10 −3 = 1.2k Ω Ro vO il RL 1k Ω E RE 650 Ω Fig.65 ⋅ 10 −6 = 1.88 ⋅ 10 − 3 Siemens − 3 VT 26 ⋅ 10 dove VT è la tensione termica (thermal voltage) data da VT =kT/q. ed in particolare è nota la corrente di collettore IC . sostituendo i condensatori CIN e CO con corti circuiti e inserendo tra Base.117 V (11) VE = R E IE = 650 ⋅ 1.4.60218 10-19 Coulomb. i in + vin - R IN 100Ω vi ii Ri P1 RBB 8k Ω vb B ib ic + vbe - rπ ie ve C vc gmvbe P2 irc RC 2.783 mA (10) Note IC e IE .7 = = 17. azzerando i generatori in continua e quindi sostituendo i generatori di alimentazione positiva e negativa con connessioni a massa. si può ricavare la tensione VCE .

vale v ′in = v in ⋅ RBB 8 ⋅ 10 3 = v in ⋅ = v in ⋅ 0. RBB ed il generatore di tensione vin . e riunendo in un’unica resistenza equivalente R’L le due resistenze in parallelo RC e RL .Il valore della resistenza differenziale di base rπ si ricava dalla nota formula rπ = 100 β = = 1. La R’IN è quindi data dal parallelo di RIN e di RBB R IN R BB 100 ⋅ 8 ⋅ 10 3 = = 98. cioè chiudendo in corto circuito.A.5. come mostrato in Fig.5.2 ⋅ 10 3 ⋅ 1 ⋅ 103 = = 688 Ω R C + RL 2.2 ⋅ 10 3 + 1 ⋅ 103 R'IN 98. che si ottiene sconnettendo il circuito che comprende RIN .77 Ω + v'in - (17) vb B ib (18) ic + vbe - rπ ie ve vO C vc gmvbe i' l R'L 688 Ω E RE 650 Ω Fig. sostituendo il circuito connesso in base con un generatore equivalente di Thévenin. ricordando che ic = gm v be ib = (19) ic g = m v be β β (20) ie = ic + ib (21) e quindi ie = β +1 β +1 ic = gm v be β β Corso di Fondamenti di Elettronica .988 RIN + RBB 100 + 8 ⋅ 10 3 (16) La resistenza equivalente R’IN si ottiene nello stesso circuito annullando. Schema equivalente ai piccoli segnali ridotto Nello schema ridotto di Fig.4 la tensione “a vuoto” v’in.77 Ω R IN + R BB 100 + 8 ⋅ 103 Come detto. il generatore di tensione vin .5.A. Dallo schema di Fig. la resistenza equivalente R’L è data da R ′IN = (R IN // R BB ) = R ′L = (R C // R L ) = i'in R C RL 2.88 ⋅ 10 − 3 (15) E’ conveniente trasformare lo schema equivalente ai piccoli segnali.473 kΩ gm 67.2004-2005 (22) -4 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune .

R’IN . Dallo schema si vede che i’l =−ic e che i’in =ib . dallo schema si ha β R′L gm β R′L (28) = −v ′in ′ + rπ + (β + 1)RE RIN β + gm [R′IN + (β + 1)RE ] Si può definire un’amplificazione di tensione A’v =vo /v’in .023 β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] 100 + 67. Corso di Fondamenti di Elettronica . Dalle (26) e (27) si ricava quindi rb = −i i′l = c = −β = −100 i′in ib Anche l’amplificazione A’i è dunque negativa.2004-2005 -5 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . relativa allo schema ridotto. l’amplificazione di tensione A’v è negativa.5 è lo schema tipico della connessione a emettitore comune con resistenza di emettitore di un BJT.88 ⋅ 10 − 3 ⋅ [98. che risulta dalla (28) v o = −R′Lic = −v ′in A ′v = vo gm β R ′L =− =− v ′in β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] gm R ′L ≈− gm R ′L 1 + gm R E (29) gm [R ′IN + (β + 1)R E ] β dove la semplificazione è valida soprattutto se β>>1. (32) che danno le amplificazioni di corrente e di tensione e la resistenza di ingresso. che può essere considerato come la resistenza di ingresso in base del BJT ad emettitore comune con resistenza in emettitore. e che le formule (29). Tenendo conto anche della (15) si ottiene [ ]  vb  β = + (β + 1)R E  = [rπ + (β + 1)R E ] = 1.Considerando la maglia che comprende v’in .5. per la connessione a emettitore comune.A. emettitore e RE si può scrivere v ′in − R ′IN ib − v be − R Eie = 0 Tenendo conto delle (20) e (22) si ricava (23)  1 β +1 v ′in −  gmR ′IN + 1 + gmR E  v be = 0 β β   (24) 1 1 β +1 gmR E 1 + gmR ′IN + β β e sostituendo nella (20) e nella (19) v be = v ′in (25) ib = v ′in gm 1 = v ′in R ′IN + rπ + (β + 1)R E β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] (26) ic = v ′in gmβ β = v ′in R ′IN + rπ + (β + 1)R E β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] (27) Inoltre. sono formule classiche riportate in tutte le tabelle. Con i dati del caso in esame.77 + (100 + 1) 650] (30) Dall’esame del circuito e dalla (22) si vede che la tensione di base vb può essere espressa da    (β + 1) R E  β +1  (31) v b = v be + R Eie = v be 1 + gmR E  = v be 1 + β rπ     e dalle (31). base.A.88 ⋅ 10 −3 ⋅ 100 ⋅ 688 =− = −1. A ′i = (33) E’ interessante rimarcare che lo schema ridotto di Fig. dalla (17) si ricava A ′v = − 1+ gm β R ′L 67.123 kΩ (32) ib g  m  Si può definire inoltre il rapporto A’i =i’l /i’in come l’amplificazione di corrente relativa allo schema ridotto di Fig. E’ da notare che.473 ⋅ 103 + (100 + 1) ⋅ 650 = 67. (33). (26) e (25) si ricava il rapporto rb =vb /ib .

01 v in R IN + R BB 100 + 8 ⋅ 10 3 (41) Per calcolare l’amplificazione di corrente Ai =il /ii si devono ricavare le espressioni di ii e di il in funzione delle grandezze già determinate. dalla (31) e dalla (36) si ricava v o = − v in ⋅ v b = v in ⋅ R BB β + (β + 1) gmR E ⋅ R IN + R BB β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] (37) (38) In base allo schema di Fig. a sua volta.88 ⋅ 10 −3 ⋅ 100 ⋅ 688 (40) =− = −1.4 per calcolare i parametri richiesti.A. tenendo conto della (33). il =vo /RL e ic = −(irc +il )). dalla (37) si può ricavare Av = A vt = vo R BB 8 ⋅ 10 3 = ⋅ A ′v = − ⋅ 1. Tenuto conto dei versi.88 ⋅ 10 − 3 ⋅ 650 Se si fosse voluta calcolare l’amplificazione complessiva Avt =vo /vin tra il segnale di ingresso e quello di uscita. Dalle (37) e (38) si ricava quindi l’amplificazione di tensione relativa allo schema completo vo v gm β R ′L = o =− vi vb β + (β + 1) gmR E e introducendo i valori numerici Av = (39) vo gm β R ′L 67. Sostituendo nelle (26). si può dunque scrivere RC (43) R C + RL Dalle (42) e (43).4 si vede che la corrente ic = −i’l si ripartisce tra le resistenze RC e RL . dipende dalla tensione vi =vb . Questa corrente. le relative correnti irc e il stanno in proporzione inversa alle resistenze (infatti.E’ necessario ora tornare allo schema ai piccoli segnali completo di Fig. A questo fine è opportuno esprimere le variabili dello schema in funzione del segnale di ingresso vin anziche di v’in . irc =vo /RC . l’amplificazione di corrente relativa allo schema completo risulta il = −ic Ai = i −i RC il i R BB = l ⋅ b ⋅ c = ⋅ ⋅ A ′i ii − ic ii ib R C + R L R BB + rb (44) e introducendo i valori numerici Corso di Fondamenti di Elettronica . (27). relativi allo schema completo. Si può dunque scrivere.023 = −1.2004-2005 -6 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . ricordando la definizione di rb data dalla (32) ii = irbb + ib =  r  vb + ib = ib  b + 1 R BB  R BB  (42) Ancora da Fig.4 si vede che la corrente ii =iin è data dalla somma di ib e della corrente irbb che fluisce in RBB . Come è noto.4 risulta che vi =vb . Dallo schema di Fig. (28) l’espressione di v’in data dalla (16) si ottiene ib = v in ⋅ RBB gm ⋅ ′ RIN + RBB β + gm [RIN + (β + 1)RE ] (34) ic = v in ⋅ R BB gmβ ⋅ ′ R IN + R BB β + gm [R IN + (β + 1)R E ] (35) v be = v in ⋅ R BB ⋅ R IN + R BB 1 1 β +1 1 + gmR ′IN + gmR E β β (36) R BB R BB gm β R ′L = v in ⋅ ⋅ A ′v ⋅ ′ R IN + R BB R IN + R BB β + gm [R IN + (β + 1)R E ] inoltre.A. includendo l’attenuazione dovuta a RIN .024 =− vi β + (β + 1) gmR E 100 + (100 + 1) 67. (25).

148 k Ω ix RBB + rπ + (β + 1)RE 8 ⋅ 10 3 + 1. Schema per il calcolo dell’impedenza di ingresso Ri .7.2k Ω il RL 1k Ω E RE 650 Ω Fig.473 ⋅ 10 3 + (100 + 1)⋅ 650 vx = BB π = = 7. cortocircuitando il generatore di segnale vin .A.2 ⋅ 103 + 1 ⋅ 103 8 ⋅ 103 + 67. Corso di Fondamenti di Elettronica .497 = Wi v i ⋅ ii v i ii (46) Per calcolare la resistenza di ingresso nel punto P1 (Fig.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna.123 ⋅ 10 3 (45) L’amplificazione di potenza risulta perciò Ap = Wl v o ⋅ il v o il = ⋅ = A v ⋅ A i = (− 1. di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti (non ve ne sono) e di collegare in P1 un generatore di prova vx . Si ottiene la configurazione di Fig.6. cioè il generatore di tensione vin e la resistenza RIN . che in questo caso si riduce alla resistenza di carico RL .321) = 7. e di collegare in P2 un generatore di prova vx .024 ) ⋅ (− 7. di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna. Si ottiene la configurazione di Fig.A.2 ⋅ 103 8 ⋅ 10 3 ⋅ ⋅ A ′i = ⋅ ⋅ (− 100 ) = 7. per calcolare la resistenza di uscita nel punto P2 (Fig.321 R C + R L R BB + rb 2.6. Dallo schema. la corrente ix iniettata da vx nel punto P1 risulta  1  1 v vx v 1 1 + ib = x + b = v x  +  = v x  + ( + β + 1)R E R BB R BB rb R r R r b  π  BB  BB Poiché la resistenza Ri è per definizione Ri =vx /ix si ottiene ix = [ ]    R [r + (β + 1)RE ] 8 ⋅ 10 3 ⋅ 1.2004-2005 -7 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune .473 ⋅ 10 3 + (100 + 1)⋅ 650 che è pari al parallelo di RBB e rb . Ri = (47) (48) In modo simile. Ri ix + vx - P1 vb B RBB 8k Ω ib rπ ic + vbe ie ve C vc gmvbe vO RC irc 2.Ai = RC R BB 2.

supponendo ad esempio che si abbia una corrente ic positiva. si sarebbe dovuta definire una corrispondente resistenza ro in parallelo al generatore di corrente comandato gm vbe nello schema equivalente ai piccoli segnali del BJT. nel caso si fosse dovuto tener conto dell’effetto Early.R IN vi ii vb B 100Ω RBB 8k Ω ib ic + vbe - rπ ie ve C vc Ro P2 gmvbe irc RC ix 2. poiché si è supposto che ic >0. dovrebbe essere vbe >0. abbastanza frequente.7 V P2 Ro vO il RL 1k Ω RE 650 Ω Fig.2 kΩ (49) ix Si può osservare che.A. dallo schema. VCC= 10 V i in + vin - R IN vi ii Ri P1 C IN R1 40k Ω RC 2.2004-2005 -8 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . Ro = d – condensatore di by-pass in parallelo a RE E’ interessante valutare come cambiano le amplificazioni dello schema nel caso. soprattutto con valori alti di RC e RL.7. come mostrato in Fig. La corrente ic provocata dalla tensione vx applicata al collettore è nulla. Ma ic =gm vbe e. tra i rami di emettitore e di base. In modo simile si dimostra che non si può avere ic negativa causata da vx . l’espressione di Ro avrebbe incluso anche l’effetto di ro .A. Perciò irc =vx /RC . Per quest’ultima. Perciò non vi può essere corrente ic positiva. Infatti. il che è in disaccordo con quanto trovato. che ix =irc +ic e che vc =vo =vx .2k Ω + vx - E RE 650 Ω Fig.8. tranne che nella determinazione di Ro. L’impedenza di uscita risulta dunque vx = R C = 2. L’effetto di tale resistenza è normalmente trascurabile nel calcolo di tutti i parametri considerati in questo esercizio.2k Ω Q1 100Ω R2 10k Ω CE CO β=100 VBE =0.8. Circuito con transistor BJT connesso a Emettitore Comune con resistenza di Emettitore avente in parallelo un condensatore di by-pass Corso di Fondamenti di Elettronica . essa nel nodo di emettitore dovrebbe suddividersi . Si conclude che ix =irc +ic =irc =vx /RL. in ragione inversa alle rispettive resistenze equivalenti. Nella base si dovrebbe avere dunque una corrente di verso opposto al verso positivo di ib indicato in figura. e si dovrebbe provocare quindi una caduta vbe = rπ ib negativa. che in parallelo a RE venga connesso un condensatore CE . Schema per il calcolo dell’impedenza di uscita R’o E’ evidente.

244 k Ω ix RBB + rπ + (β + 1)RE 8 ⋅ 10 3 + 1.88 ⋅ 10 − 3 ⋅ 0 L’amplificazione di corrente relativa allo schema completo Ai .2 ⋅ 103 8 ⋅ 103 ⋅ ⋅ A ′i = ⋅ ⋅ (− 100 ) = 58.473 ⋅ 103 + (100 + 1) ⋅ 0 = rπ = 1.8 è uguale a quello di Fig. le resistenze di ingresso e di uscita rimangono invariate. Perciò. Corso di Fondamenti di Elettronica . che dà la resistenza di ingresso in base del BJT ad emettitore comune con resistenza in emettitore . varia essendo variata la rb e diventa Av = RC R BB 2. la resistenza RE risulta cortocircuitata. poiché in tali espressioni non figura RE .88 ⋅ 10 −3 ⋅ 100 ⋅ 688 (52) =− = gmR ′L = −46.4. l’annullamento di RE dà [ ] rb = [rπ + (β + 1)R E ] = 1.88 ⋅ 10 −3 ⋅ 100 ⋅ 688 βR ′L =− = −43. purché di valore adeguato si comporta come un circuito aperto in c.88 ⋅ 10 − 3 ⋅ [98.473 ⋅ 10 3 + (100 + 1) ⋅ 0 vx = BB π = = 1. continua e come un corto circuito a media frequenza.7 ) ⋅ (− 58.473 kΩ (51) L’amplificazione di corrente relativa allo schema ridotto A’i . diventa gm β R ′L 67. ed in particolare la corrente IC .2 ⋅ 103 + 1 ⋅ 103 8 ⋅ 103 + 1. come mostra la (33).A. ricavato nel caso che il condensatore CE non vi sia.06 ) = 2711 Wi La resistenza di ingresso.7 β + (β + 1) gmR E 100 + (100 + 1) 67.473 ⋅ 10 3 + (100 + 1) ⋅ 0 (55) Invece.Un tale condensatore. Invece l’amplificazione di tensione relativa allo schema completo Av .77 + (100 + 1)⋅ 0] (50) Analogamente nella (32).77 =− rπ + R ′IN β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] 100 + 67. data dalla (48).A.473 kΩ. nello schema ai piccoli segnali di Fig. Ai piccoli segnali. diventa Ap = Ri = (53) (54) [ ] R [r + (β + 1)RE ] 8 ⋅ 10 3 ⋅ 1. diventa Ai = Wl = A v ⋅ A i = (− 46. lo schema ai grandi segnali che si può derivare da Fig. Si ha A ′v = − gm β R ′L 67. come mostra la (40). ed anche in quello ridotto di Fig.7. il punto di lavoro.5 ed in quelli derivati di Fig.3. Invece.473 ⋅ 10 3 L’amplificazione di potenza.2004-2005 -9 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . come si può constatare dalle espressioni (42) di Ri e (49) di Ro . Perciò nella (30) che dà l’amplificazione di tensione A’v relativa allo schema ridotto. la RE assume valore nullo. non dipende da RE e rimane invariata a A’i = −β= −100. rimangono gli stessi. Di conseguenza. come gli altri dello schema.06 R C + R L R BB + rb 2. la transconduttanza gm e la resistenza equivalente rπ che. sono funzioni di IC rimangono anch’esse invariate a gm =67. come mostra la (45). secondo le (14) e (15).6 e Fig.88 10-3 Siemens e rπ =1. data dalla (46).