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ESEMPIO DI AMPLIFICATORE A BJT

AD EMETTITORE COMUNE CON RESISTENZA DI EMETTITORE
(Dati uguali all’Esempio di par.8.2.2, Fig.8.33
del testo R.R.Spencer & M.M.Ghausi: Introduction to Electronic Circuit Design)
Calcolare il punto di lavoro del BJT Q1 di Fig.1, le amplificazioni a media frequenza di tensione Av= vo /vi e di
corrente Ai =il /ii , l’amplificazione di potenza Ap =Wl /Wi e le resistenze di ingresso Ri e di uscita Ro nei punti P1 e P2
indicati. Si trascuri l’effetto Early.
VCC= 10 V

i in

R IN vi

ii Ri

P1

RC
2.2k Ω

R1
40k Ω

C IN

Q1

100Ω

+
vin
-

R2
10k Ω

CO

P2

Ro

β=100
VBE =0.7 V

vO
il

RL
1k Ω

RE
650 Ω

Fig.1. Circuito con transistor BJT connesso a Emettitore Comune con resistenza in emettitore

Soluzione:
a – schema equivalente completo
Si può sostituire il transistor con un suo schema equivalente, ottenendo il circuito di Fig.2, valido sia ai grandi segnali
sia ai piccoli segnali. (Il tracciamento del circuito di Fig.2 è un passo intermedio, mostrato per facilitare la
comprensione degli sviluppi successivi e viene di solito omesso considerandolo sottinteso).

R IN
+
vin
-

C IN
RC
2.2k Ω
CO

100Ω
R BB
+
VBB
-

8kΩ

B

C

+
v BE
-

+
VCC
-

iC ( v BE )

vO
RL
1k Ω

E
RE
650 Ω

v BE =VBE + r π i b
iC =βI B + gmvbe

Fig.2. Schema equivalente completo
Nello schema equivalente del transistore, la tensione totale vBE si considera la somma della tensione continua del punto
di lavoro VBE , funzione come è noto della corrente IC , più un termine incrementale ai piccoli segnali pari al prodotto rπ
ib . Analogamente, la corrente totale di collettore iC si considera la somma di un termine continuo, relativo al punto di
lavoro, βIB , più un termine ai piccoli segnali gm vbe .
Il partitore, formato da R1 e R2 ed alimentato da VCC , è stato sostituito dal generatore equivalente VBB e dalla
resistenza equivalente RBB . I valori di tali elementi sono dati da
Corso di Fondamenti di Elettronica - A.A.2004-2005

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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

i condensatori impiegati nello schema hanno valori tali per cui le loro impedenze risultano molto alte in c. Spesso. che comprende RL .3. si osserva che.7 V (6) VBB − VBE − [R BB + (β + 1)R E ] IB = 0 (7) si ha da (3) Corso di Fondamenti di Elettronica .7 V Fig.VBB = VCC R2 10 ⋅ 103 = 10 ⋅ =2 V R1 + R 2 40 ⋅ 103 + 10 ⋅ 103 R BB = R 1 // R 2 = (1) R1 ⋅ R 2 40 ⋅ 103 ⋅ 10 ⋅ 103 = = 8 kΩ R 1 + R 2 40 ⋅ 103 + 10 ⋅ 103 (2) In base al principio della sovrapposizione degli effetti. Schema equivalente ai grandi segnali per la determinazione del punto di lavoro Si suppone che il BJT sia in condizioni di zona attiva e che la tensione base-emettitore sia di fatto VBE =0. interessa il comportamento ai piccoli segnali in centro banda. si può ritenere scollegata dal resto del circuito e senza effetti. e quello a valle di CO . di solito. se non specificato diversamente.7 V.3. che comprende il generatore di corrente iin e la resistenza RIN . i condensatori si considerano circuiti aperti nel ricavare lo schema ai grandi segnali e corti circuiti nel ricavare lo schema ai piccoli segnali. si può scrivere VBB − R BB IB − VBE − R E IE = 0 e tenendo conto che (3) IC = βIB (4) IE = I C + IB = (β + 1) )IB (5) VBE = 0.2004-2005 -2 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . IC R BB + VBB =2 V - VB B 8kΩ IB IC + VBE - RC 2. Perciò. ai fini della determinazione dello schema ai grandi segnali. la parte di circuito a monte di CIN . la resistenza RBB . ed in uno schema equivalente ai piccoli segnali.2k Ω + VCC =10 V VC C βI B IE VE E RE 650 Ω VBE = 0. e in particolare in questo caso. lo schema equivalente completo si può scindere in uno schema equivalente ai grandi segnali. che consente di determinare il punto di lavoro del sistema ed in particolare del BJT. continua e abbastanza basse a frequenza di centro banda. la caduta base-emettitore VBE e la resistenza RE .A.A. b – studio ai grandi segnali In base a quanto detto. Considerando la maglia che va dalla base del BJT all’emettitore e comprende il generatore VBB . Lo schema che si ricava è mostrato in Fig. su cui si calcolano le amplificazioni e le impedenze richieste. che sono appunto relative al comportamento ai piccoli segnali. Essa viene quindi omessa. cioè a frequenze diverse dalla continua ma non troppo alte. In questo caso.

gm = Corso di Fondamenti di Elettronica . con k costante di Boltzmann.85 mV ≈ 26 mV.4.60218 10-19 Coulomb. Come è noto si ha IC 1.A.65 ⋅ 10 −6 = 1. T temperatura assoluta in gradi Kelvin. ed in particolare è nota la corrente di collettore IC .2 V.765 ⋅ 10 −3 (14) = = 67. azzerando i generatori in continua e quindi sostituendo i generatori di alimentazione positiva e negativa con connessioni a massa.38066 10-23 J/ºK. e assumendo una temperatura di 27°C e quindi di 300°K. si può ricavare la tensione VCE . q=1. q carica dell’elettrone.159 V (12) e perciò VCE = VC − VE = 6.88 ⋅ 10 − 3 Siemens − 3 VT 26 ⋅ 10 dove VT è la tensione termica (thermal voltage) data da VT =kT/q. A tal fine si calcola VC = VCC − R C I C = 10 − 2. Emettitore e Collettore lo schema equivalente del BJT ai piccoli segnali. Essendo k=1.765 mA (9) IE = (β + 1) IB = (100 + 1) ⋅ 17.783 mA (10) Note IC e IE .159 = 4. i in + vin - R IN 100Ω vi ii Ri P1 RBB 8k Ω vb B ib ic + vbe - rπ ie ve C vc gmvbe P2 irc RC 2.A. sostituendo i condensatori CIN e CO con corti circuiti e inserendo tra Base.2k Ω Ro vO il RL 1k Ω E RE 650 Ω Fig. (13) c – studio ai piccoli segnali Dallo schema equivalente completo.2004-2005 -3 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . si può determinare la transconduttanza gm (che è un parametro ai piccoli segnali). si conferma che il transistor è in zona attiva.65 ⋅ 10 −6 = 1.4.117 − 1.da cui IB = VBB − VBE 2 − 0. Schema equivalente ai piccoli segnali Poiché è noto il punto di lavoro del BJT. si ottiene lo schema equivalente ai piccoli segnali di Fig. si ottiene VT =25.65 µA 3 R BB + (β + 1) R E 8 ⋅ 10 + (100 + 1) 650 (8) e quindi IC = β IB = 100 ⋅ 17.7 = = 17.958 V Essendo VCE >0.765 ⋅ 10 −3 = 6.783 ⋅ 10 −3 = 1.2 ⋅ 10 3 ⋅ 1.117 V (11) VE = R E IE = 650 ⋅ 1.

77 Ω R IN + R BB 100 + 8 ⋅ 103 Come detto. ricordando che ic = gm v be ib = (19) ic g = m v be β β (20) ie = ic + ib (21) e quindi ie = β +1 β +1 ic = gm v be β β Corso di Fondamenti di Elettronica .4 la tensione “a vuoto” v’in.473 kΩ gm 67.Il valore della resistenza differenziale di base rπ si ricava dalla nota formula rπ = 100 β = = 1. La R’IN è quindi data dal parallelo di RIN e di RBB R IN R BB 100 ⋅ 8 ⋅ 10 3 = = 98.5.77 Ω + v'in - (17) vb B ib (18) ic + vbe - rπ ie ve vO C vc gmvbe i' l R'L 688 Ω E RE 650 Ω Fig.2 ⋅ 10 3 + 1 ⋅ 103 R'IN 98.5. RBB ed il generatore di tensione vin . e riunendo in un’unica resistenza equivalente R’L le due resistenze in parallelo RC e RL .88 ⋅ 10 − 3 (15) E’ conveniente trasformare lo schema equivalente ai piccoli segnali.2 ⋅ 10 3 ⋅ 1 ⋅ 103 = = 688 Ω R C + RL 2.988 RIN + RBB 100 + 8 ⋅ 10 3 (16) La resistenza equivalente R’IN si ottiene nello stesso circuito annullando.A.2004-2005 (22) -4 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . come mostrato in Fig. il generatore di tensione vin . che si ottiene sconnettendo il circuito che comprende RIN . Schema equivalente ai piccoli segnali ridotto Nello schema ridotto di Fig.A. sostituendo il circuito connesso in base con un generatore equivalente di Thévenin.5. vale v ′in = v in ⋅ RBB 8 ⋅ 10 3 = v in ⋅ = v in ⋅ 0. cioè chiudendo in corto circuito. la resistenza equivalente R’L è data da R ′IN = (R IN // R BB ) = R ′L = (R C // R L ) = i'in R C RL 2. Dallo schema di Fig.

A.5. Dalle (26) e (27) si ricava quindi rb = −i i′l = c = −β = −100 i′in ib Anche l’amplificazione A’i è dunque negativa. Corso di Fondamenti di Elettronica . per la connessione a emettitore comune.Considerando la maglia che comprende v’in . e che le formule (29). Tenendo conto anche della (15) si ottiene [ ]  vb  β = + (β + 1)R E  = [rπ + (β + 1)R E ] = 1. R’IN .88 ⋅ 10 − 3 ⋅ [98. base.123 kΩ (32) ib g  m  Si può definire inoltre il rapporto A’i =i’l /i’in come l’amplificazione di corrente relativa allo schema ridotto di Fig.2004-2005 -5 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . E’ da notare che. dallo schema si ha β R′L gm β R′L (28) = −v ′in ′ + rπ + (β + 1)RE RIN β + gm [R′IN + (β + 1)RE ] Si può definire un’amplificazione di tensione A’v =vo /v’in .88 ⋅ 10 −3 ⋅ 100 ⋅ 688 =− = −1. sono formule classiche riportate in tutte le tabelle. emettitore e RE si può scrivere v ′in − R ′IN ib − v be − R Eie = 0 Tenendo conto delle (20) e (22) si ricava (23)  1 β +1 v ′in −  gmR ′IN + 1 + gmR E  v be = 0 β β   (24) 1 1 β +1 gmR E 1 + gmR ′IN + β β e sostituendo nella (20) e nella (19) v be = v ′in (25) ib = v ′in gm 1 = v ′in R ′IN + rπ + (β + 1)R E β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] (26) ic = v ′in gmβ β = v ′in R ′IN + rπ + (β + 1)R E β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] (27) Inoltre.023 β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] 100 + 67. (33). che può essere considerato come la resistenza di ingresso in base del BJT ad emettitore comune con resistenza in emettitore.473 ⋅ 103 + (100 + 1) ⋅ 650 = 67. A ′i = (33) E’ interessante rimarcare che lo schema ridotto di Fig. (26) e (25) si ricava il rapporto rb =vb /ib . dalla (17) si ricava A ′v = − 1+ gm β R ′L 67. Con i dati del caso in esame.77 + (100 + 1) 650] (30) Dall’esame del circuito e dalla (22) si vede che la tensione di base vb può essere espressa da    (β + 1) R E  β +1  (31) v b = v be + R Eie = v be 1 + gmR E  = v be 1 + β rπ     e dalle (31). l’amplificazione di tensione A’v è negativa. Dallo schema si vede che i’l =−ic e che i’in =ib .5 è lo schema tipico della connessione a emettitore comune con resistenza di emettitore di un BJT.A. che risulta dalla (28) v o = −R′Lic = −v ′in A ′v = vo gm β R ′L =− =− v ′in β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] gm R ′L ≈− gm R ′L 1 + gm R E (29) gm [R ′IN + (β + 1)R E ] β dove la semplificazione è valida soprattutto se β>>1. relativa allo schema ridotto. (32) che danno le amplificazioni di corrente e di tensione e la resistenza di ingresso.

88 ⋅ 10 −3 ⋅ 100 ⋅ 688 (40) =− = −1.4 risulta che vi =vb . Dallo schema di Fig. Dalle (37) e (38) si ricava quindi l’amplificazione di tensione relativa allo schema completo vo v gm β R ′L = o =− vi vb β + (β + 1) gmR E e introducendo i valori numerici Av = (39) vo gm β R ′L 67. dalla (37) si può ricavare Av = A vt = vo R BB 8 ⋅ 10 3 = ⋅ A ′v = − ⋅ 1. tenendo conto della (33).4 per calcolare i parametri richiesti. dalla (31) e dalla (36) si ricava v o = − v in ⋅ v b = v in ⋅ R BB β + (β + 1) gmR E ⋅ R IN + R BB β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] (37) (38) In base allo schema di Fig. (27).024 =− vi β + (β + 1) gmR E 100 + (100 + 1) 67. il =vo /RL e ic = −(irc +il )). includendo l’attenuazione dovuta a RIN . a sua volta.A.023 = −1. (28) l’espressione di v’in data dalla (16) si ottiene ib = v in ⋅ RBB gm ⋅ ′ RIN + RBB β + gm [RIN + (β + 1)RE ] (34) ic = v in ⋅ R BB gmβ ⋅ ′ R IN + R BB β + gm [R IN + (β + 1)R E ] (35) v be = v in ⋅ R BB ⋅ R IN + R BB 1 1 β +1 1 + gmR ′IN + gmR E β β (36) R BB R BB gm β R ′L = v in ⋅ ⋅ A ′v ⋅ ′ R IN + R BB R IN + R BB β + gm [R IN + (β + 1)R E ] inoltre.E’ necessario ora tornare allo schema ai piccoli segnali completo di Fig. Tenuto conto dei versi. si può dunque scrivere RC (43) R C + RL Dalle (42) e (43). (25). Si può dunque scrivere. Sostituendo nelle (26). A questo fine è opportuno esprimere le variabili dello schema in funzione del segnale di ingresso vin anziche di v’in .01 v in R IN + R BB 100 + 8 ⋅ 10 3 (41) Per calcolare l’amplificazione di corrente Ai =il /ii si devono ricavare le espressioni di ii e di il in funzione delle grandezze già determinate.4 si vede che la corrente ic = −i’l si ripartisce tra le resistenze RC e RL . Come è noto. dipende dalla tensione vi =vb . irc =vo /RC .4 si vede che la corrente ii =iin è data dalla somma di ib e della corrente irbb che fluisce in RBB .88 ⋅ 10 − 3 ⋅ 650 Se si fosse voluta calcolare l’amplificazione complessiva Avt =vo /vin tra il segnale di ingresso e quello di uscita. Questa corrente. ricordando la definizione di rb data dalla (32) ii = irbb + ib =  r  vb + ib = ib  b + 1 R BB  R BB  (42) Ancora da Fig. l’amplificazione di corrente relativa allo schema completo risulta il = −ic Ai = i −i RC il i R BB = l ⋅ b ⋅ c = ⋅ ⋅ A ′i ii − ic ii ib R C + R L R BB + rb (44) e introducendo i valori numerici Corso di Fondamenti di Elettronica . relativi allo schema completo. le relative correnti irc e il stanno in proporzione inversa alle resistenze (infatti.2004-2005 -6 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune .A.

che in questo caso si riduce alla resistenza di carico RL .024 ) ⋅ (− 7. Si ottiene la configurazione di Fig.2 ⋅ 103 + 1 ⋅ 103 8 ⋅ 103 + 67. cioè il generatore di tensione vin e la resistenza RIN . la corrente ix iniettata da vx nel punto P1 risulta  1  1 v vx v 1 1 + ib = x + b = v x  +  = v x  + ( + β + 1)R E R BB R BB rb R r R r b  π  BB  BB Poiché la resistenza Ri è per definizione Ri =vx /ix si ottiene ix = [ ]    R [r + (β + 1)RE ] 8 ⋅ 10 3 ⋅ 1. Schema per il calcolo dell’impedenza di ingresso Ri . Si ottiene la configurazione di Fig. cortocircuitando il generatore di segnale vin .A. di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti (non ve ne sono) e di collegare in P1 un generatore di prova vx .6.123 ⋅ 10 3 (45) L’amplificazione di potenza risulta perciò Ap = Wl v o ⋅ il v o il = ⋅ = A v ⋅ A i = (− 1. per calcolare la resistenza di uscita nel punto P2 (Fig.A.473 ⋅ 10 3 + (100 + 1)⋅ 650 che è pari al parallelo di RBB e rb .473 ⋅ 10 3 + (100 + 1)⋅ 650 vx = BB π = = 7.321 R C + R L R BB + rb 2. Ri ix + vx - P1 vb B RBB 8k Ω ib rπ ic + vbe ie ve C vc gmvbe vO RC irc 2.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna.2 ⋅ 103 8 ⋅ 10 3 ⋅ ⋅ A ′i = ⋅ ⋅ (− 100 ) = 7.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna.2k Ω il RL 1k Ω E RE 650 Ω Fig.Ai = RC R BB 2.6.2004-2005 -7 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune .148 k Ω ix RBB + rπ + (β + 1)RE 8 ⋅ 10 3 + 1. di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti.7. e di collegare in P2 un generatore di prova vx . Dallo schema.497 = Wi v i ⋅ ii v i ii (46) Per calcolare la resistenza di ingresso nel punto P1 (Fig. Ri = (47) (48) In modo simile.321) = 7. Corso di Fondamenti di Elettronica .

il che è in disaccordo con quanto trovato. abbastanza frequente. VCC= 10 V i in + vin - R IN vi ii Ri P1 C IN R1 40k Ω RC 2.2k Ω Q1 100Ω R2 10k Ω CE CO β=100 VBE =0. che in parallelo a RE venga connesso un condensatore CE . In modo simile si dimostra che non si può avere ic negativa causata da vx . Ro = d – condensatore di by-pass in parallelo a RE E’ interessante valutare come cambiano le amplificazioni dello schema nel caso.2004-2005 -8 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune . Per quest’ultima. Infatti. che ix =irc +ic e che vc =vo =vx . soprattutto con valori alti di RC e RL. Circuito con transistor BJT connesso a Emettitore Comune con resistenza di Emettitore avente in parallelo un condensatore di by-pass Corso di Fondamenti di Elettronica . L’impedenza di uscita risulta dunque vx = R C = 2. poiché si è supposto che ic >0.7.8. Nella base si dovrebbe avere dunque una corrente di verso opposto al verso positivo di ib indicato in figura. Perciò irc =vx /RC . L’effetto di tale resistenza è normalmente trascurabile nel calcolo di tutti i parametri considerati in questo esercizio. e si dovrebbe provocare quindi una caduta vbe = rπ ib negativa. Ma ic =gm vbe e. l’espressione di Ro avrebbe incluso anche l’effetto di ro . dovrebbe essere vbe >0.2k Ω + vx - E RE 650 Ω Fig.8. supponendo ad esempio che si abbia una corrente ic positiva.A. Si conclude che ix =irc +ic =irc =vx /RL. Schema per il calcolo dell’impedenza di uscita R’o E’ evidente. come mostrato in Fig.2 kΩ (49) ix Si può osservare che. si sarebbe dovuta definire una corrispondente resistenza ro in parallelo al generatore di corrente comandato gm vbe nello schema equivalente ai piccoli segnali del BJT. essa nel nodo di emettitore dovrebbe suddividersi .A.7 V P2 Ro vO il RL 1k Ω RE 650 Ω Fig. in ragione inversa alle rispettive resistenze equivalenti. La corrente ic provocata dalla tensione vx applicata al collettore è nulla. dallo schema. tranne che nella determinazione di Ro. tra i rami di emettitore e di base. Perciò non vi può essere corrente ic positiva.R IN vi ii vb B 100Ω RBB 8k Ω ib ic + vbe - rπ ie ve C vc Ro P2 gmvbe irc RC ix 2. nel caso si fosse dovuto tener conto dell’effetto Early.

la RE assume valore nullo.A. nello schema ai piccoli segnali di Fig. varia essendo variata la rb e diventa Av = RC R BB 2. diventa Ap = Ri = (53) (54) [ ] R [r + (β + 1)RE ] 8 ⋅ 10 3 ⋅ 1.A. le resistenze di ingresso e di uscita rimangono invariate.77 =− rπ + R ′IN β + gm [R ′IN + (β + 1)R E ] 100 + 67. lo schema ai grandi segnali che si può derivare da Fig.88 ⋅ 10 −3 ⋅ 100 ⋅ 688 (52) =− = gmR ′L = −46. come gli altri dello schema.7 β + (β + 1) gmR E 100 + (100 + 1) 67. poiché in tali espressioni non figura RE .473 ⋅ 10 3 L’amplificazione di potenza. l’annullamento di RE dà [ ] rb = [rπ + (β + 1)R E ] = 1.6 e Fig.88 ⋅ 10 − 3 ⋅ 0 L’amplificazione di corrente relativa allo schema completo Ai . data dalla (48).2004-2005 -9 - Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune .88 10-3 Siemens e rπ =1. rimangono gli stessi. come si può constatare dalle espressioni (42) di Ri e (49) di Ro .473 kΩ (51) L’amplificazione di corrente relativa allo schema ridotto A’i . data dalla (46). Invece l’amplificazione di tensione relativa allo schema completo Av . come mostra la (45). ricavato nel caso che il condensatore CE non vi sia. la transconduttanza gm e la resistenza equivalente rπ che. Ai piccoli segnali.473 kΩ. diventa gm β R ′L 67. ed anche in quello ridotto di Fig. Invece.77 + (100 + 1)⋅ 0] (50) Analogamente nella (32).06 R C + R L R BB + rb 2.244 k Ω ix RBB + rπ + (β + 1)RE 8 ⋅ 10 3 + 1. Perciò nella (30) che dà l’amplificazione di tensione A’v relativa allo schema ridotto. come mostra la (33).5 ed in quelli derivati di Fig. Corso di Fondamenti di Elettronica .473 ⋅ 10 3 + (100 + 1) ⋅ 0 (55) Invece. purché di valore adeguato si comporta come un circuito aperto in c. ed in particolare la corrente IC .3. non dipende da RE e rimane invariata a A’i = −β= −100. Perciò. Si ha A ′v = − gm β R ′L 67. continua e come un corto circuito a media frequenza.Un tale condensatore.473 ⋅ 10 3 + (100 + 1) ⋅ 0 vx = BB π = = 1. che dà la resistenza di ingresso in base del BJT ad emettitore comune con resistenza in emettitore .7.4. come mostra la (40).06 ) = 2711 Wi La resistenza di ingresso. il punto di lavoro.88 ⋅ 10 −3 ⋅ 100 ⋅ 688 βR ′L =− = −43. secondo le (14) e (15). la resistenza RE risulta cortocircuitata.8 è uguale a quello di Fig.88 ⋅ 10 − 3 ⋅ [98.473 ⋅ 103 + (100 + 1) ⋅ 0 = rπ = 1. diventa Ai = Wl = A v ⋅ A i = (− 46. Di conseguenza.7 ) ⋅ (− 58.2 ⋅ 103 + 1 ⋅ 103 8 ⋅ 103 + 1.2 ⋅ 103 8 ⋅ 103 ⋅ ⋅ A ′i = ⋅ ⋅ (− 100 ) = 58. sono funzioni di IC rimangono anch’esse invariate a gm =67.