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Fundamentos Fsicos y

Tecnolgicos de la Informtica

Fsica de semiconductores.
El diodo
- Clasificacin de los materiales. Teora del electrn libre y
teora de bandas. Semiconductores extrnsecos e intrnsecos.
- Conduccin en semiconductores. Estructura de la unin p-n.
Zona de carga espacial. Potencial de contacto.
Agustn lvarez Marquina
Departamento de Arquitectura y Tecnologa de Sistemas Informticos
Universidad Politcnica de Madrid

Clasificacin de los materiales


Atendiendo a las caractersticas de conductividad los
materiales pueden clasificarse en:

Conductores.

Aislantes.

Ejemplo: los metales.

Son malos conductores tales como los no metales.

Semiconductores.

Ejemplos: Si, Ge (elementos del Grupo IV de la tabla peridica).

La clasificacin de los materiales viene justificada por


las fuerzas de interaccin que se establezcan entre
los tomos y los electrones ms alejados de estos.
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Clasificacin de los materiales

Figura. Formacin de la estructura de bandas de energa en el proceso


de cristalizacin, dependiendo de la distancia que separa los tomos,
siendo d1< d2< d3.
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Clasificacin de los materiales

Figura. Tipos de materiales segn su distribucin de bandas de energa. La


banda de conduccin corresponde a energas E>Ec, mientras que la banda
de valencia corresponde a energas E<Ev . La banda prohibida (Eg) se halla
establecida para Ev Eg Ec.
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Clasificacin de los materiales


Smbolo

Nombre

Ancho
Banda
prohibida
(eV)

Movilidad
electrones
(cm2V-1s-1)

Movilidad
huecos
(cm2V-1s-1)

SPb

Galena

0,37

575

200

SZn

Blenda

3,60

110

Ge

Germanio

0,67

3900

1900

Si

Silicio

1,11

1350

480

Arseniuro de galio

1,43

8500

400

AsGa

Tabla. Propiedades de algunos semiconductores de inters.

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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
Semiconductores intrnsecos.

Son aquellos en los que su red cristalina no est


deformada por la presencia de algn elemento aadido
(extrao), es decir, se mantiene puro.

Ej. semiconductor de silicio intrnseco.

Caractersticas:

A temperatura ambiente son malos conductores.


La agitacin trmica permite que haya una presencia muy
reducida de electrones en la banda de conduccin.

La conductividad en los semiconductores intrnsecos es


muy dependiente de la temperatura.
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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos

Si

Si

Si
Banda de conduccin

Si

Si

Si

Zona prohibida (Eg1eV)

Banda de valencia
Si

Si

Si

Figura. Representacin simplificada de un semiconductor intrnseco


de silicio (Si).
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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
Semiconductores extrnsecos.

Es un material semiconductor intrnseco al que se le


introduce una cantidad controlada de un elemento
contaminante, llamado impureza (generalmente del
grupo III y V de la tabla peridica) para alterar
convenientemente las propiedades de conduccin del
material.

Semiconductor extrnseco de tipo p.


Ejemplos: Boro (B), Aluminio (Al), Galio (Ga), Indio (In)
(elementos del grupo III)

Semiconductor extrnseco de tipo n.


Ejemplos: Fsforo (P), Arsnico (As), Antimonio (Sb)
(elementos del grupo V).
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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos

Si

Si

Si
Banda de conduccin

Si

Si

Zona prohibida
Nivel aceptador

Banda de valencia
Si

Si

Si

Figura. Representacin simplificada de un semiconductor extrnseco de


tipo p. tomo de impureza de boro (B).
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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos

Si

Si

Si
Banda de conduccin

Si

Si

Nivel donador

Zona prohibida

Banda de valencia
Si

Si

Si

Figura. Representacin simplificada de un semiconductor extrnseco de


tipo n. tomo de impureza de fsforo (P).
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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
Semiconductores extrnsecos.

La conductividad mejora notablemente en relacin a


los semiconductores intrnsecos por la aparicin de un
nivel energtico intermedio.

Semiconductores extrnsecos tipo p.

Nivel intermedio de tipo aceptador.


Est prximo a la banda de valencia.
Inicialmente no est ocupado.

Portadores mayoritarios: huecos.

Portadores minoritarios: electrones.

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Semiconductores intrnsecos y
extrnsecos
Semiconductores extrnsecos.

Semiconductores extrnsecos tipo n.

Nivel intermedio de tipo donador.


Est prximo a la banda de conduccin.
Inicialmente est ocupado por un electrn.

Portadores mayoritarios: electrones.

Portadores minoritarios: huecos.

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Conduccin en semiconductores
Est en relacin a la cantidad de portadores de
carga presentes.
Semiconductores intrnsecos.

Concentracin
conduccin:

de

ni = N c

electrones

en

la

banda

de

E c Ei

e kT

Concentracin de huecos en la banda de valencia:

pi = N v e

Ei E v
kT

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Conduccin en semiconductores

Donde:
ni es la densidad volumtrica de electrones en la banda de
conduccin.

pi es la densidad volumtrica de huecos en la banda de valencia.


Nc es el nmero mximo de electrones por unidad de volumen
que se admitirn en la banda de conduccin.

Nv es el nmero mximo de huecos por unidad de volumen


potencialmente disponibles en la banda de valencia.

Ec es la energa del fondo de la banda de conduccin.


Ev es la energa del techo de la banda de valencia.
Ei es la energa de Fermi (mide la proporcin de ocupacin de
las bandas de valencia y conduccin).

k es la constante de Boltzmann.
T es la temperatura en K.
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Conduccin en semiconductores
Semiconductores intrnsecos.

El producto de las concentraciones anteriores ser:

ni pi = N c N v e

Eg
kT

Este producto ser nicamente dependiente de la


temperatura.
Por tanto para una temperatura determinada ser una
constante.

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Conduccin en semiconductores
Semiconductores intrnsecos.

En un semiconductor intrnseco (sin impurezas) las


concentraciones de portadores son iguales dado que
se generan a pares, por lo que:

ni = pi = [N c N v ]1 / 2 e

Ec Ev
2 kT

En equilibrio trmico la expresin del producto de


ambas concentraciones se escribe como:

n0 = p0 = n = N c N v e
2
i

Ec Ev
2 kT

Si se desequilibra artificialmente una de estas concentraciones


ser compensada con la variacin de la otra, manteniendo
siempre su producto constante.
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Conduccin en semiconductores
Semiconductores extrnsecos.

En los semiconductores extrnsecos hay un


desequilibrio muy grande en las concentraciones de los
portadores mayoritarios y minoritarios.

Semiconductor extrnseco tipo p.

NA es el nmero de impurezas aceptadoras por unidad


de volumen (cm3)
Portadores mayoritarios (huecos): p0 NA
Siendo NA >>pi y como pi =ni se tiene que: NA >>ni

Portadores minoritarios: n0 ni 2/NA= ni ni /NA << ni

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Conduccin en semiconductores
Semiconductores extrnsecos.

Semiconductor extrnseco tipo n.

ND es el nmero de impurezas donadoras por unidad de


volumen (cm3)
Portadores mayoritarios (electrones): n0 ND
Siendo ND >>ni y como ni =pi se tiene que: ND >>pi

Portadores minoritarios: p0 pi 2/ND= pi pi /ND << pi

Notas:

Los portadores mayoritarios son prcticamente constantes y


solo dependen de la concentracin de las impurezas.

La concentracin de portadores minoritarios es mucho menor


que en un semiconductor intrnseco y es fuertemente
dependiente de la temperatura.
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Estructura de la unin p-n


Se forma al poner en contacto un semiconductor
de tipo p con uno de tipo n.
Representacin esquemtica.
Zona p

Zona n
- V0 +
Huecos

Electrones
Iones P+
Iones B-xp

x=0 +x
n

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Estructura de la unin p-n


Al ponerse en contacto ambos semiconductores
se iniciar:

Un proceso de difusin de los portadores mayoritarios


desde una zona hacia la otra

pero interrumpindose este proceso antes de llegar


a igualar dichas concentraciones dado que con esta
difusin se va creando un potencial elctrico.

El potencial elctrico va aumentando progresivamente y


que se opone al proceso de difusin.

El potencial de contacto alcanzar un nivel para el que


se establecer el equilibrio entre el proceso de difusin y
el de arrastre (campo elctrico del potencial de contacto).
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Estructura de la unin p-n


Esta situacin de equilibrio se puede expresar del
siguiente modo:

J p = J pd + J pa

J n = J nd + J na

Donde:

Jpd es la densidad de corriente de huecos por difusin.

Jnd es la densidad de corriente de electrones por


difusin.

Jpa es la densidad de corriente de huecos por arrastre.

Jna es la densidad de corriente de electrones por


arrastre.
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Estructura de la unin p-n

Siendo:

J pd

dp ( x)
= qD p
dx

J pa = q p E ( x) p ( x)

J nd

dn( x)
= qDn
dx

J pa = q n E ( x)n( x)
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Estructura de la unin p-n


Sustituyendo en la expresin del equilibrio en la
zona p, tenemos:

D p dp ( x)
E ( x)dx =
p p( x)
Pero:

E ( x)dx = dV ( x)
Por tanto:

D p dp( x)
dV ( x) =
p p( x)
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Estructura de la unin p-n


Integrando en la ltima expresin entre los dos
lados de la unin entre los que se ha establecido
el potencial de contacto, tenemos:
V0

dV =

Dp

pne

p pe

dp
p

V0 =

Dp

[ln( p

pe

) ln( pne )

Empleando la relacin de Einstein


Dp kT
=
q
p

y las expresiones que relacionan las concentraciones


de portadores
ni2
p pe N A
pne
ND
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Estructura de la unin p-n


Finalmente, podemos escribir que:

kT p pe kT N A N D
=

ln
ln
V0 =
2
q pne q ni

De la anterior expresin podemos obtener una


expresin que relaciona las concentraciones a ambos
lados la unin:

pne = p pe e

qV0
kT

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Estructura de la unin p-n


Este mismo resultado se puede aplicar al caso de
concentraciones de los electrones a ambos lados
de la unin, siendo:

n pe = nne e

qV0

kT

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Zona de carga espacial en la unin p-n


Una vez alcanzado el equilibrio las cantidades de
carga a ambos lados de la unin sern:

Lado n:

Qn = + qN D xn S

Lado p:

Q p = qN A x p S

S el rea de la seccin del semiconductor.

xn y xp es la profundidad de la zona de vaciamiento o


carga espacial en el lado n y el lado p, respectivamente.
Zona p

Zona n
- V0 +
Huecos

Electrones
Iones P+
Iones B-xp

x=0 +x
n

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Zona de carga espacial en la unin p-n


Como la unin debe seguir elctricamente neutra,
tenemos que:

Qn = Q p

N D xn = N A x p

Grficamente, la distribucin de carga ser:

+qND
+

-xp

+xn
x

-qNA
x=0
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Zona de carga espacial en la unin p-n


La expresin del campo elctrico en ambos lados
ser:

Lado p:
Lado n:

dE = q

NA

dx

dE = + q

ND

dx

Integrando en los lmites de la zona de carga


espacial:

Lado p: E ( x) = q

Lado n: E ( x) =

NA

qN D

(x

x)

( x xn )

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Zona de carga espacial en la unin p-n


Grficamente, el campo elctrico ser:
E(x)
xp

xn
x

-qNA/

+qND/
E(x=0)

Una vez conocido el campo elctrico se puede


determinar el potencial de contacto (o barrera de
potencial), puesto que:

dV
E=
dx

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Zona de carga espacial en la unin p-n


Integrando, el potencial de contacto ser el rea
bajo las dos rectas (rea de un tringulo):

V0 =
W

x p + xn
2

W
E ( x = 0) = E ( x = 0)
2

es el ancho de la zona de carga espacial.

W = x p + xn

Adems:

E ( x = 0) =

N Axp =

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N D xn
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Zona de carga espacial en la unin p-n


Combinando
obtiene:

las

anteriores

expresiones

se

W q N AND

V0 =
2 N A + ND
2

Despejando el trmino ancho de zona de carga


espacial de la expresin anterior, tenemos:
2V0 N A + N D

W =
q N A N D

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Zona de carga espacial en la unin p-n


La representacin grfica de la tensin de
contacto V0 ser:

V0
xp

xn
x=0

Consecuencia importante:

Si aumentamos externamente el valor del potencial V0


(aplicando una polarizacin en inverso) aumentaremos
el ancho de la zona de carga.
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