BJT

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrnicode estado slido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de lacorriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgicaaunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital,
como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.
ransistor de unin bipolar

Transistor de unin bipolar BC548.

Tipo

Semiconductor

Invencin

William
Bradford
Shockley (1948)

Smbolo electrnico

Configuracin Emisor,
colector
Estructura[editar]

base

Estructura de un transistor de unin bipolar del tipo PNP.

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la
regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN en el cual se aprecia

como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de
material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de
la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que
el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso.
Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para
funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores
de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en
modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de
simetra es principalmente debido a las tasas dedopaje entre el emisor y el colector. El
emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramentedopado,
permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colectorbase antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa
durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es
para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores
inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran
ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor.

El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en

procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no
hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que
la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este
efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT
pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son
caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o
por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Principio de Funcionamiento

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin
base-colector en inversa.6 Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los

portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada

se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la
regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que
la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til
del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores
que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe
ser menor al ancho de difusin de los electrones.
Control de tensin, carga y corriente[editar]
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente baseemisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es
debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva
tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que
la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con
precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como
el modelo Ebers-Moll.
Parmetros Alfa y Beta del transistor de unin bipolar[editar]
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y
el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor.
La ganancia de corriente emisor comn est representada por
o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro
importante es la ganancia de corriente base comn,
. La ganancia de corriente base
comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la

regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):