Pozyskiwanie energii

elektrycznej z ogniw
fotowoltaicznych

Energia soneczna - bilans energetyczny

111

10

35

10

174 PW
33 PW

26

40

89 PW

Do granicy atmosfery ziemi dociera ze soca w sposb cigy strumie energii o mocy 1366
[W/m] i jest to tak zwana staa soneczna Zazwyczaj ok. poowa promieniowania sonecznego z
granicy atmosfery przedostaje si do powierzchni Ziemi, reszta jest odbijana rozpraszana przez
chmury i atmosfer. Ilo energii docierajcej do ziemi ze soca ulega cigym zmianom i zaley
2
od aktualnego stanu atmosfery.

Charakterystyka widmowa soca

pochaniacze
promieniowania

Energia soneczna docierajca do Ziemi ma posta

fali elektromagnetycznej o rnej dugoci
Podzia promieniowania sonecznego
ze wzgldu na dugo fali
Ultrafioletowe UV
znajduje si w pamie
10-400 nm i stanowi ok.
4,5% promieniowania
docierajcego do Ziemi .
Jest szkodliwe dla ludzi i
zwierzt

Widzialne
zwane sonecznym
znajduje si w pamie
400-750 nm i stanowi ok.
44% promieniowania
docierajcego do Ziemi .
Wywouje wraenie
wietlne-umoliwia
widzenie

Podczerwone
zwane promieniowaniem
cieplnym, znajduje si w
pamie powyej 1000 nm i
stanowi ok. 52 %
promieniowania
docierajcego do Ziemi.
Wywouje odczucie ciepa.

Wielkoci opisujce zasoby energii sonecznej

Natenie promieniowania sonecznego to chwilowa warto gstoci mocy
promieniowania sonecznego padajcego w cigu jednej sekundy na powierzchni
jednego m, prostopad do kierunku promieniowania. Warto ta podawana jest
zazwyczaj w [W/m] lub [kW/m]. Natenie promieniowania sonecznego ulega
cigym zmianom zazwyczaj w przedziale 100 800 [W/m] w cigu dnia.
Najwysze wartoci notowane s w soneczne bezchmurne dni i mog osiga
1000 [W/m].
Nasonecznienie to suma natenia promieniowania sonecznego w danym czasie
i na danej powierzchni np. suma natenia promieniowania sonecznego w czasie
godziny, dnia, roku na powierzchni 1m. Nasonecznienie najczciej wyraane
jest w Wh/m, kWh/m lub MJ/m, GJ/m na dzie, miesic lub rok
Usonecznienie jest definiowane, jako liczba godzin sonecznych, czas podany w
godzinach, podczas ktrego na powierzchni Ziemi padaj bezporednio
promienie soneczne. Jest to parametr opisujcy gwnie warunki pogodowe a nie
zasoby energii sonecznej. Wykorzystuje si go jednak w energetyce sonecznej
do szacowania warunkw pracy instalacji np. do wyliczania godzin pracy pompy
cyrkulacyjnej w instalacji kolektorw sonecznych.
5

Zasoby energii sonecznej w Polsce

TWh

Energia
soneczna
Energia soneczna cechuje si du zmiennoci w cyklu tygodniowym,
miesicznym i rocznym
6

Mapa rocznego nasonecznienia Europy

800-900
kWh/m2
1000-1200
kWh/m2

2000-2100
kWh/m2

Mapa nasonecznienia Polski

rednie roczne nasonecznienie obszaru Polski wynosi ~ 1000 kWhm-2rok-1

Liczba godzin do praktycznego wykorzystania przez OZE wynosi ok. 1600
8

Zasoby energii sonecznej w Polsce

W okresie zimowym w celu
zwikszenia iloci energii sonecznej
naley paszczyzn paneli zwrci
na poudnie pod duym ktem rzdu
60 90
W okresie wiosny i jesieni soce w
celu zwikszenie iloci energii
sonecznej w tym okresie naley
paszczyzn zwrci na poudnie
pod umiarkowanym ktem rzdu
45 60.
W okresie letnim w celu
zwikszenia iloci energii
sonecznej w tym okresie naley
paszczyzn zwrci na poudnie
pod nieznacznym ktem rzdu
5 20.
9

Sposoby wykorzystania energii sonecznej

Bezporednia produkcja
energii elektrycznej przez
panele fotowoltaiczne
PV

Bezporednia produkcja
energii cieplnej przez
kolektory soneczne

W 2050 r. przewidywany udzia energii

elektrycznej z ogniw fotowoltaicznych w
bilansie energetycznym wiata bdzie
wynosi ok. 27%.

Porednia produkcja
energii elektrycznej
Energia soneczna ulega
konwersji na energi ciepln,
dalej na mechaniczn a potem
na elektryczn)

10

Budowa ogniwa i zasada dziaania ogniwa PV

Budowa ogniwa:
Warstwa antyrefleksyjna
Przedni kontakt (ujemny)
Warstwa typu n (emiter)
Warstwa typu p (absorber)
Tylni kontakt (dodatni):

Generacja fotoprdu w ogniwie

fotowoltaicznym

Eduardo Lorenzo (1994). Solar Electricity: Engineering of Photovoltaic Systems. Progensa

11

Kiedy wystpuje efekt PV?

12

Charakterystyka I-V ogniwa owietlonego

qV
I = I s exp
1 I ph
mkT
I = I d I ph
I : prd ogniwa
IS : prd nasycenia
V : napicie ogniwa
T : temperatura
q : adunek elektronu
k : staa Boltzmana
m : wspczynnik idealnoci
Iph : fotoprd
Green, Solar cells, UNSW, 1986

13

Charakterystyka I-V ogniwa owietlonego

Isc : prd zwarcia
Voc : napicie w stanie rozwarcia
Imp : prd maksymalnej mocy
Vmp : napicie maksymalnej mocy
Maksymalna moc

Pmax = Vmp I mp
Pin = M e A

Sprawno

Pmax
Pin

Me moc promieniowania sonecznego [w/m2]

A powierzchnia fotoogniwa [m2]

MPP : punkt pracy

maksymalnej mocy
Green, Solar cells, UNSW, 1986

Pin : gsto mocy promieniowania padajcego

(standardowe warunki pomiaru: Pin= 1000 Wm-2 )
14

Charakterystyka I-V moduu PV owietlonego (1)

15

Wpyw promieniowania na parametry ogniwa PV

rdo: R. Tytko, odnawialne rda energii

16

Schemat zastpczy ogniwa owietlonego (idealnego)

IL= -I
Id

Iph

VL=V

RL

I L = I ph I d
gdzie

I ph f (V )
qV
I d = I s exp
1 f ( )
mkT
: strumie fotonw
Green, Solar cells, UNSW, 1986

17

Zaleno parametrw fotoogniwa od natenia

owietlenia

rdo: R. Tytko, odnawialne rda energii

18

Schemat zastpczy ogniwa owietlonego (rzeczywistego)

IL
RS

Id
Iph

RP

VL + RS I L
I L = I ph I d
RP

VL

RL

RS - rezystancja szeregowa
RP - rezystancja rwnolega (upywu)

Rezystancje RS i RP znaczco obniaj sprawno ogniwa.

Eduardo Lorenzo (1994). Solar Electricity: Engineering of Photovoltaic Systems. Progensa

19

Sprawno ogniwa
Czynniki wpywajce na sprawno ogniwa:
Optyczne

- odbicia
- zacienianie

Elektryczne

- rezystancja szeregowa
- rezystancja rwnolega

Materiaowe

- ograniczony zakres widmowy

- rekombinacja (powierzchniowa, defekty sieci
krystalicznej)
- temperatura

20

Odbicia
Teksturyzacja powierzchni zmniejszenie odbi
Struktura powierzchni w postaci
piramid zmniejsza straty
zwizane z odbiciami o ok. 30%

Powoka antyrefleksyjna

Zwierciadlana powierzchnia
tylnego kontaktu puapkowanie wiata
21

Rezystancja szeregowa
Rezystancja szeregowa ogniwa jest przyczyn
powstania znacznych strat.
R1 rezystancja kontaktu tylnego
R2 rezystancja obszaru typu p
R3 rezystancje obszarw typu n
pomidzy paskami siatki kontaktu
przedniego
R4 rezystancja kontaktu przedniego
R5 rezystancja paskw siatki
R6 rezystancja szyny kontaktu
przedniego

V. Benda, Solar cell physics and technology,, Dept. of Electrotechnology,

Czech Techn. Univ., Prague

22

Wpyw rezystancji pasoytniczych na waciwoci

ogniwa
IL [mA]

IL [mA]

0
1

50
20

RP
RS R
[]

RP []

VL [V]

MPP

VL [V]

Rezystancje RS i RP zmieniaj pooenie punktu maksymalnej mocy MPP

i mog znaczco obniy sprawno ogniwa.
Eduardo Lorenzo (1994). Solar Electricity: Engineering of Photovoltaic Systems. Progensa

23

Wpyw temperatury
Prd zwarcia

T I ph

Napicie rozwarcia

T Voc
Sprawno

T
Kyocera Module KC85TS, 85 Wp, Vmp = 17,4 V
Temperaturowy wspczynnik Voc
Temperaturowy wspczynnik Isc

- 82 mV/
2.12 mA /
24

Wpyw temperatury na prac fotoogniwa

Zaleno napicia i prdu

od temperatury

rdo: R. Tytko, odnawialne rda energii

Zaleno mocy od temperatury

25

Wpyw temperatury na prac fotoogniwa

rdo: R. Tytko, odnawialne rda energii

26

Ograniczony zakres widmowy (1)

Najwiksza dugo fali

absorbowanego
promieniowania

g max

1.24
=
Eg

gdzie Eg jest szerokoci

przerwy energetycznej

Krzem z przerw Eg = 1,1eV absorbuje 44% docierajcego promieniowania.

27

Wielozczowe ogniwo fotowoltaiczne

Trjzczowa struktura InGaP/GaAs/Ge ogniwa fotowoltaicznego na podou
germanowym. Charakterystyka widmowa pokrywa zakres od 0.3 do 1.8 m.

Dane katalogowe SPECTROLAB USA

28

Rozwj struktur wielozczowych

3-6 JUNCTION PHOTOVOLTAIC CELLS FOR SPACE
AND TERRESTRIAL CONCENTRATOR APPLICATIONS
F. Dimroth1, C. Baur1, A.W. Bett1, M. Meusel2, G. Strobl2
Photovoltaic Specialists Conference IEEE, 2005.

max = 57%

Koncentracja zwikszenie intensywnoci promieniowania padajcego na ogniwo

Prog. Photovolt: Res. Appl. 2007; 15:5168

29

Typy ogniw fotowoltaicznych w zastosowaniach

naziemnych
Najbardziej rozpowszechnione s ogniwa fotowoltaiczne
pprzewodnikowe:
1. ogniwa z krzemu monokrystalicznego (c-Si),
2. ogniwa z krzemu polikrystalicznego (p-Si),
3. cienkowarstwowe ogniwa z krzemu amorficznego (a-Si),
4. cienkowarstwowe ogniwa ze zwizkw pprzewodnikowych:
a. CuInSe2-selenek indowo-miedziowy (CIGS-miedzi, indu, galu
i selenu),
b. CdTe (tellurek kadmu),
Krzem jest obecnie najwaniejszym materiaem wykorzystywanym
do produkcji ogniw fotowoltaicznych.

J. elazny, R. Ciach, Materiay i technologie fotowoltaiczne, Fundacja Rozwuju

Nauk Materiaowych, Krakw

30

Ogniwa fotowoltaiczne z krzemu

Zalety:
- dobrze rozwinita technologia
- dobra sprawno ogniw w produkcji masowej
- sprawnoci powyej 24% uzyskiwane w skali laboratoryjnej
- stabilne parametry
- nieograniczone zasoby materiau wyjciowego
- dobra zgodno z wymogami ochrony rodowiska
Wady:
- may wspczynnik absorpcji wymaga stosowania grubego
obszaru absorbera (warstwa typu p), co powoduje zwikszenie
kosztw ogniwa.

J. elazny, R. Ciach, Materiay i technologie fotowoltaiczne, Fundacja Rozwuju

Nauk Materiaowych, Krakw

31

Ogniwa fotowoltaiczne porwnanie

Porwnanie waciwoci ogniw PV
Rodzaj ogniw

Sprawno
(lab)

Sprawno
(prod. mas.)

ywotno

Cena
( /1 W)

Krzem
monokrystaliczny
(c-Si)

27 - 28 %

14 -18 %

25 lat

4,6

Krzem polikrystaliczny
(p-Si)

17 -18 %

12 -13 %

15 -16 lat

4,0

Krzem amorficzny
(a-Si)

11 -13%

5- 8 %

8 -10 lat

2,6

CIGS

20,3%

9-13%

CdTe

16,7%

10-11%

Z punktu widzenia inwestycyjnego najwaniejszy jest stosunek ceny do

mocy panelu czy ogniwa a nie jego sprawno.
Obecnie 50% ogniw produkowanych jest z krzemu polikrystalicznego.
32

Ogniwa fotowoltaiczne z krzemu

Ogniwo z krzemu monokrystalicznego
(c-Si)

Ogniwo z krzemu polikrystalicznego

(p-Si)

Ogniwo z krzemu amorficznego

(a-Si)
33

Przykadowe parametry ogniwa krzemowego

Ogniwo fotowoltaiczne 230 mA
Napicie rozwarcia (Voc) 0,57 V
Prd zwarcia (Isc) >250 mA
Moc gwarantowana (P) 125 mWp
Sprawno (%) 18
Wymiary (mm) 77 x 12 x 0,25
Dane dla STC (standard Test Conditions)
1000W/m2, AM 1,5, Togniwa 25C

Cena brutto 6,50 PLN

Najnisza cena za 1W zainstalowanej mocy wUSA

~2,5$ wg. firmy First Solar
http://www.soltec.pl/Ogniwa-fotowoltaiczne/

34

Ogniwa fotowoltaiczne II generacji

Ogniwo CdTe

Ogniwo CIGS

Zasadnicza rnica midzy ogniwami

krzemowymi i II generacji
Ogniwo II genaracji
Cienkowarstwowe
Grubo 1-3 m

Ogniwo z krzemu
Krystalicznego
Gtubo 200-300m

35

Technologia ogniw z krzemu amorficznego a-Si

Proste procesy technologiczne
Mae zuycie energii, temperatura procesw ok. 250C
Zuywa si ma ilo materiau, warstwy maj grubo
mniejsz ni 1 m, (grubo ogniwa z c-Si okoo 500 m)
Stosowanie reakcji plazmowych umoliwia uzyskanie duych
powierzchni ogniw
Reakcje gazowe i niskie temperatury procesw
technologicznych umoliwiaj stosowanie tanich podoy
(np szko, stal nierdzewna, ceramika, folia plastikowa)

http://www.imio.pw.edu.pl/wwwzmite/pietruszko/pv.html

36

Ogniwa CuInSe2 (diselenek miedziowo-indowy CIS)

Dodatek Ga pozwala zwikszy szeroko przerwy energetycznej struktura Cu(In,Ga)Se2.
Szeroko energetycznej CIS - 1,04 eV, natomiast dla CGS - 1,68 eV.
Najwydajniejsze ogniwa CuIn0,8Ga0,2Se2 w strukturze warstwowej
{podoe/Mo/CIGS/CdS/ZnO} - sprawno 18.6%.
Fabrycznie ogniwa CIGS z przerw 1.2 eV maj sprawno > 13% .
Zalety:
Nie wymaga domieszkowania - materia typu p (niska energia tworzenia luk
miedziowych 30 meV).
Podoem moe by szko lub elastyczny materia (stal lub poliamid).
Wady:
Wysoka cena indu (wymiana na ZnO na razie bez sukcesw aplikacyjnych)
Wystpuj defekty metastabilne (typowe dla ogniw cienkowarstwowych)
37

Ogniwo Cu(InGa)Se2

Struktura warstwowa CIGS

Szklane podoe

Warstwa n

Warstwa p

Kontakt
tylni

38

Ogniwo CdTe/CdS
Szeroko przerwy energetycznej CdTe - 1,45 eV - bliska optymalnej
Naturalne przewodnictwo typu p - luki kadmowe
Osigana sprawno 16%
Procesy technologiczne w wysokich temperaturach,
Konieczno wygrzewania w celu stabilizacji parametrw
Zawiera toksyczny kadm
TCO (transparent conducting
oxides) - warstwa SnO2
CdS:
CdTe:

Eg=2.42 eV
Eg=1.45 eV
Cu / Au

A. Romeo, Growth and Characterization of High Eciency CdTe/CdS Solar Cells

SWISS FEDERAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY

Kontakt
przedni
Warstwa n
Warstwa p
Kontakt
tylni

39

Elementy systemw fotowoltaicznych - panele

Pojedyncze ogniwo krzemowe~0.5 V, ok. 30 mA/cm2

Ogniwo

Modu

Panel

Moduy

Dla uzyskania wikszych napi lub prdw ogniwa czone s szeregowo lub
rwnolegle tworzc modu fotowoltaiczny. Poczone moduy tworz panel
fotowoltaiczny.
W panelu moduy poczone s za pomoc diod w celu zmniejszenia strat przy uszkodzeniu moduu lub
przy nierwnomiernym owietleniu panelu.
Solar Energy Technologies Program, U.S. Department of Energy - Energy Efficiency and Renewable Energy

40

Zacienienie

Zacienienie niewielkiego obszaru moduu moe znaczco

zredukowa jego wydajno.
KYOCERA Solar Industrial Products Catalog January 2008

41

Parametry paneli PV
Ogniwa poczone w panele (moduy) fotowoltaiczne produkuj energi
elektryczn w postaci prdu staego. Producent kadego moduu powinien poda
takie parametry jak:
P moc nominaln panelu [W]
Imp natenie prdu przy maksymalnej mocy [A]
Vmp napicie prdu przy maksymalnej mocy [V]
Voc napicia jaowe bez obcienia (bez poboru mocy) [V]
oraz
I=f(U) charakterystyk prdowo-napiciowa przy rnym nateniu
promieniowania
=f(E) wykres zalenoci sprawnoci od natenia promieniowania

Parametry podawane przez producentw paneli wyznaczane s w

znormalizowanych warunkach pracy. Natenie promieniowania sonecznego
1000 W/m, temperatura otoczenia 25C. W rzeczywistych warunkach pracy
panel fotowoltaiczny bdzie zazwyczaj pracowa z moc nisz od nominalnej.

42

Sposoby czenia fotoogniw

Poczenie szeregowe

Poczenie rwnolege

43

Sposoby czenia fotoogniw

rdo: R. Tytko, odnawialne rda energii

44

Elementy systemw fotowoltaicznych - moduy

Kyocera Solar KC85TS
85 Watt, 17,4 Volt Solar Panel
Regular price: $ 300.05
(trzy lata wstecz kosztowa $559)

Wymiary
1007mm x 652mm x 58mm

Northern Arizona Wind & Sun, Inc

45

Specyfikacja techniczna

Elementy systemw fotowoltaicznych - moduy

Monokrystaliczny panel
190 W cena 1159 z
Model

JS190

Typ

Monokrystaliczny

Moc

190W

Prd adowania

5,19 A

Prd zwarciowy

5,56 A

Napicie nominalne

36,6 V

Napicie jaowe

45,2 V

Wymiary

1580 x 810 x 40 [mm]

Waga

14,5 kg
Dane dla warunkw: 1000W/m2, 25C, AM 1,5

http://www.modernhome.pl/

46

Typy instalacji fotowoltaicznej

Instalacja wyspowa (off grid)
w tym typie instalacji energia
elektryczna z paneli
fotowoltaicznych w postaci prdu
staego jest zamieniana przez
inwerter na prd zmienny o
odpowiednich parametrach i
nastpnie wykorzystywana na
potrzeby pracy urzdze
domowych. Nadwyki energii
poprzez regulator
wykorzystywane s do adowania
akumulatorw w celu
pniejszego wykorzystania
zgromadzonej energii.
Instalacja podczona do sieci (on grid) jest znacznie tasza i prostsza w realizacji od
instalacji wyspowej (off grid), gdy nie wymaga zakupu i pniejszego serwisu
akumulatorw.
47

Typy instalacji fotowoltaicznej

Instalacja podczona do sieci
(on grid) w tym typie instalacji
energia elektryczna z paneli
fotowoltaicznych w postaci prdu
staego jest zamieniana przez
inwerter na prd zmienny o
odpowiednich parametrach i
nastpnie wykorzystywana na
potrzeby pracy urzdze
domowych. Nadwyki energii
sprzedawane s do sieci
energetycznej.
Sprawno instalacji PV zaley nie tylko od sprawno konwersji energii w samym
panelu PV ale naley uwzgldni straty w przesyle energii elektrycznej (95-98%)
oraz transformacji w inwerterze (90-95%) i ewentualnie konwersji w akumulatorze
48
(70-75%)

Sposb obliczenia uzysku energii z instalacji PV

Okreli moc szczytow instalacji P w kWp
Wybra lokalizacj odczyta nasonecznienie
Okreli pochylenie i kierunek paneli fotowoltaicznych
Odczyta wspczynnik korekcji nasonecznienia wynikajcy z ustawienia paneli (w
zalenoci od ustawienia paneli mona zwikszy lub zmniejszy ilo docierajcej
do nich energii w stosunku do pooenia poziomego)
Wyliczy uzysk energii w oparciu o wzr empiryczny
E = 0,75 F N P [kWh]
gdzie:
N nasonecznienie w miejscu instalacji paneli fotowoltaicznych [kWh/m]
F wspczynnik korekcji nasonecznienia wynikajcy z ustawiania paneli
fotowoltaicznych
P moc instalacji [kW]

49

Sposb obliczenia uzysku energii z instalacji PV

rednie nasonecznienie w Warszawie w latach 1971-2000
iso
123750PL
Warszawa 4 (Okcie)
IDH [Wh/(m2mies]
2
ISH [Wh/(m2mies]
suma bezporedniego
ITH [Wh/(m mies]
suma cakowitego natenia natenia promieniowania suma rozproszonego natenia
promieniowania sonecznego na
sonecznego na
promieniowania sonecznego
powierzchni poziom
powierzchni poziom
na powierzchni poziom
Miesic
1
27 501
6 286
21 215
2
34 801
9 244
25 556
3
67 515
18 201
49 314
4
96 048
27 122
68 925
5
142 112
49 060
93 052
6
154 302
56 518
97 783
154 681
53 347
101 333
7
8
132 302
44 063
88 239
9
82 256
20 732
61 523
10
47 150
10 504
36 646
11
21 650
3 627
18 022
12
17 603
2 053
15 549
Za rok
977 921
300 757
677 157
rednia
81 493
25 063
56 430
Max
154 681
56 518
101 333
Min
17 603
2 053
15 549
rdo: http://www.transport.gov.pl/2-482be1a920074-1787534-p_1.htm

Sposb obliczenia uzysku energii z instalacji PV

Przykad obliczeniowy: Obliczenie uzysku energii elektrycznej z instalacji PV

1. Moc instalacji 3 kWp
2. Lokalizacja instalacji Warszawa nasonecznienie 978 kWh/m na rok
3. Wspczynnik korekcji nasonecznienia wynikajcy z ustawienia paneli
(panele ustawione 30 S) F = 1,19
4. Uzysk energii z instalacji E = 0,75 1,19 978 3 = 2618 [kWh]
5. Roczna oszczdno O przy cenie 1kWh=0,60 z
O =2918[kWh/rok] 0,6 [z/kWh] =1571 [z/rok]
6. Prosty okres zwrotu przy cenie instalacji ~30 000 z wynosi ok. 19 lat
51

Przykad instalacji PV
Dane oglne:
Lokalizacja projektu: Brandenburg, Niemcy
Data uruchomienia inwestycji: rok 2010
Informacje o instalacji
Typ moduw: Polikrystaliczne
Moc maksymalna: 81MWp
Uzyskane oszczdnoci energetyczne: 90,7 GWh/rok

52

Zastosowania ogniw fotowoltaicznych

Zastosowania naziemne

Zastosowania kosmiczne

53

Zastosowania naziemne
Elektrownie soneczne

Zastosowania domowe

54

Zastosowania naziemne (wymagania)

- Due moce
- May koszt 1 W ogniwa
- atwo instalacji
- Moliwo wsppracy sieciowej
- Zmienne warunki pracy (pogoda)
- Proste technologie wytwarzania
- Jednozczowe struktury ogniw
- Materia: krzem, tellurek kadmu
55

Zastosowania kosmiczne (1)

Promieniowanie kosmiczne

Meteoroidy

Zmiany temperatury
February_2008

56

Zastosowania kosmiczne
Pierwsza aplikacja kosmiczna: satelita Vanguard wprowadzony na
orbit 17 marca 1958.
Sze krzemowych ogniw
fotowoltaicznych
(ogniwa pierwszej generacji)
Sprawno 9%.
Maksymalna osigalna moc
ogniw 100 mW.
Zasilany nadajnik 108,03 MHz
o mocy 5 mW.

rdo: http://www.mappinginteractivo.com/
57

Zastosowania kosmiczne (wymagania)

- Promieniowanie kosmiczne (degradacja)

- Zmiany temperatury
- May wspczynnik wagi do mocy
- Przewidywalne warunki pracy
- Zaawansowane technologie wytwarzania
- Wielowarstwowe struktury ogniw
- Materia: zwizki z grup III-V
GaInP/GaAs, Cu(InGa)Se2
58

Wielowarstwowe ogniwo fotowoltaiczne (1)

Dzisiejszy standard:
Wielozczowe (podwjne oraz
potrjne) ogniwa oparte na zwizkach
grupy III-V np. GaInP/GaAs

Osigaj one w warunkach

kosmicznych (AM0 - Air Mass Zero)
sprawno konwersji powyej 27%.

rdo: http://www.mappinginteractivo.com/
59

Wielowarstwowe ogniwo fotowoltaiczne (2)

Trjwarstwowa struktura InGaP/InGaAs/Ge ogniwa
fotowoltaicznego na podou germanowym.
Charakterystyka widmowa pokrywa zakres od 0.3 do 1.8 m.

Solar Cell BTJ Parameters @ AM0, 28oC

Spawno 28,5 %
Voc = 2.7 V,
Jsc = 17.1 mA/cm2
Vmp = 2.37 V ,
Jmp = 16.3 mA/cm2
MPP 38.6 mW/cm2

Dane katalogowe ogniwa BTJ EMCORE Photovoltaics USA

60

Midzynarodowa stacja kosmiczna (I.S.S.)

Najwiksza instalacja PV w przestrzeni kosmicznej.

Skrzydo 34x12 m
(dwa panele)
Waga skrzyda
7.711 kg,
Moc 32.8 kW
Napicie 160 V
Panel skada si z
16400 krzemowych
ogniw (o powierzchni
8 cm2 ) z 4100
diodami.
Planowana
Szczegy
konfiguracja
konstrukcyjne
110kW do
panelu
roku 2010
ro:http://spaceflight.nasa.gov/

61

Koszt produkcji

Roczna produkcja

[$ / Wp]

[MWp]

Prognoza kosztw produkcji ogniw krzemowych

Ceny rynkowe ogniw PV w 2011 roku wynosiy ok. 2Euro/W (duy popyt) to
spodziewane jest obnienie ceny o poow do 2020 roku
rdo: Making affordable solar energy a reality, Ayodhya N. Tiwari, WWW.FLISOM.CH

62

Rozwj technologii ogniw fotowoltaicznych

L. Kazmerski, D. Gwinner, Al Hicks, Reported timeline of solar cell energy conversion

efficiencies (from National Renewable Energy Laboratory USA)

L. Kazmerski, D. Gwinner, Al Hicks, Reported timeline of solar cell energy conversion efficiencies (from National
Renewable Energy Laboratory USA)

63

Prognoza globalnego wykorzystania rde energii

Pozostae odnawialne

Prognoza globalnego wykorzystania rde energii

[EJ/rok]

Soneczna termika

Soneczna
energetyka
Wiatr
Biomasa
Energia wodna
Energia jdrowa
Gaz
Wgiel
Ropa
rdo: solarwirtschaft.de
64

wiatowi liderzy w produkcji ogniw PV

Pozycja
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

Firma
Suntech, China
JA Solar, China
First Solar, US
Yingli Green, China

Technologia
c-Si
c-Si
CdTe
c-Si

Trina Solar, China

c-Si
Q-Cells, Germany
c-Si, CIGS
Gintech, Taiwan
c-Si
Sharp, Japan
c-Si, a-Si
Motech, Taiwan
c-Si
Kyocera, Japan
c-Si
c-Si = Crystalline Silicone, CdTe = Cadmium Telluride,
Indium Gallium diSelenide

Moc
MW-dc
1 584
1 464
1 400
1 117
1 116
939
800
745
715
532
CIGS = Copper

Niemcy maj podobne warunki soneczne do polskich i s wiatowym liderem

w wykorzystaniu instalacji fotowoltaicznych
rdo: http://solarcellcentral.com

65

Zalety ogniw fotowoltaicznych

1. Bezporednia konwersja energii promieniowania w energi
elektryczn bez potrzeby wykorzystania innych procesw np..
ciepa w kolektorach sonecznych.
2. Sprawno przetwarzania energii jest taka sama, niezalenie
o skali produkcji.
3. Moc jest wytwarzana nawet w pochmurne dni przy wykorzystaniu
wiata rozproszonego.
4. Obsuga i konserwacja wymagaj minimalnych nakadw.
5. W czasie wytwarzania energii elektrycznej nie powstaj produkty
szkodliwe.

http://www.imio.pw.edu.pl/wwwzmite/pietruszko/pv.html
66

Inne moliwoci wykorzystania energii sonecznej

W przyszoci przewiduje si wykorzystanie ogniw
fotowoltaicznych do produkcji tzw. paliw
sonecznych.
Energia elektryczna z ogniw jest bezporednio
wykorzystywana do elektrolizy wody.
Ttlen i wodr mona magazynowa w zbiornikach
praktycznie przez dowolny okres czasu.
Elementem dodatkowo sprzyjajcym takiemu
wykorzystaniu ogniw PV jest to, e do elektrolizy
stosuje si prd stay.
Report on the Basic Energy Sciences Workshop on Solar Energy Utilization, Argonne National Laboratory, 2005

67

Dzikuj za uwag

68