Practica # 4 Amplificador con Transistor FET

Gabriel Santiago Orellana Cabrera

gorellanac@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana
Cuenca, Ecuador
Abstract En esta prctica, se analiz en primer lugar el
diseo de los amplificadores con los transistores FET, y a su vez
despus del diseo se analiza el funcionamiento de estos
amplificadores basndose en las condiciones del diseo de cada
uno de los circuitos de los amplificadores, que en este caso son tres,
source comn, gate comn, drain comn.
Palabras clave las palabras claves son las siguientes;
(Amplificador, JFet, Frecuencia de Corte, Transistor)

configuraciones nos debe dar el 100% de la ganancia, Tomando

en cuenta esto para la ganancia de 6 en la frecuencia de corte nos
dar un aproximado de 4.24 V y para 10 veces la frecuencia nos
dar los 6 V. Para la ganancia de 3 en la frecuencia de corte nos
dar un aproximado de 2.12 V y para 10 veces la frecuencia nos
dar los 3 V. Y para la ganancia de 1 en la frecuencia de corte
nos dar un aproximado de 0.707 V y para 10 veces la frecuencia
nos dar los 1 V.

OBJETIVO GENERAL

II. MARCO TEORICO

Comprobar las configuraciones utilizando transistor FET

OBJETIVOS ESPECIFICOS
1.

Disear calcular y comprobar el funcionamiento de las

siguientes configuraciones utilizando el transistor fet para
una frecuencia de corte de 1Khz.
a.

Amplificador en Source Comn con y sin condensador

de Source y una ganancia de 6.

b.

Amplificador en Drain Comn con y sin condensador

de Drain y una ganancia de 1.

c.

Amplificador en Gate Comn con y sin condensador de

Gate y una ganancia de 3.

I. INTRODUCCION
Trabajando con la implementacin de los FET se pudo
disear amplificadores de pequeas seales que oscilan entre los
mili voltios que se las origino gracias al generador de funciones,
la configuracin que se utilizo para polarizar los transistores fue
por medio de divisor de voltaje ya que esta configuracin
presenta mayor estabilidad lo que nos garantiza que los
transistores trabajen en la mitad de recta de carga. Una vez
polarizado el transistor se realizo el calculo de impedancias de
cada circuito, con los valores de las impedancias se calculo se
obtuvo los los circuitos equivalentes en ca y los componentes
(capacitores) que sirven como acoplamientos en cada entrada y
salida de los circuitos. Para la configuracin de Source Comn
nos requiri tener una ganancia de 6, para lo cual voltaje que
ingresa a la salida debe ser 6 veces mayor. Para la configuracin
de Gate Comn nos requiri tener una ganancia de 3 es decir que
el voltaje al medirlo en la salida debe ser igual a 3 veces el
voltaje de entrada. Para la configuracin de Drain Comn se nos
requiri tener una ganancia de 1 es decir que el voltaje de entrada
prcticamente es el mismo que el de salida. Se realizo todos
estos clculos para una frecuencia de corte de 1Khz en esta
frecuencia se tendr un 77% de ganancia lo que quiere decir que
en 10 veces la frecuencia es decir 10Khz todas las

II-A. Amplificadores con FET.

El JFET (transistor de efecto de campo de unin) es un tipo de
FET que opera con una unin pn polarizada en inversa para
controlar corriente en un canal. Segn su estructura, los JFET
caen dentro de cualquiera de dos categoras, de canal n o de
canal p.
La ecuacin que rige a los FET en DCID mediante la ecuacin
de Shockley:
= $%% 1

()* ,
(+

(1)

El factor de transconductancia gm, es la taza de cambio entra la

corriente de drenador y el voltaje gate-source
=

(2)
Vgs

Procediendo a la derivacin de la ecuacin de Shockley

obtenemos la ganancia en funcin del voltaje gate-source
=

2$%%
9%
1
(3)
8
8

El valor mximo de gm como podemos observar se lo conoce

como gmo y es cuando Vgs vale cero.
=

2$%%
(4)
8

= 1

9%
(5)
8

II-A.1 Anlisis de un circuito amplificador con parmetros

hbridos.
Se tiene el circuito Equivalente del JFet visto como un
Cuadripolo y referenciados todos su paramentos internos, como
se haba dicho en la prctica con BJT se usarn los parmetros
hbridos de estos
transistores, en este caso ser la
transconductancia.

Figura 1. Circuito equivalente de ca del JFET.

El amplificador en source comn ofrece una importante ventaja

en comparacin con otros amplificadores por su impedancia de
entra altsimo, que podemos considerar un circuito abierto. El
amplificador Source comn es anlogo al Emisor Comn en
BJT.
Se aplica una seal de entrada al Gate y la seal de salida se
toma de Drain, la resistencia en el source la tenemos corto
circuitada por un capacitor de desacoplo por lo que la que
source pasa directamente a tierra y funciona como comn entre
gate y drain. La polarizacin utilizada como se dijo
anteriormente es auto polarizacin. El ingreso esta acoplado
capacitivamente al Gate. El resistor RG sirve para asegurarnos
de que la compuerta no tenga ninguna corriente, por lo tanto
podemos imponernos una resistencia muy elevada. [3]

La impedancia de salida se representa por el resistor rd, en

ocasiones se ignora la impedancia de salida por supuesta
suficientemente grande relacin con otros elementos del
circuito por lo que puede ser representada como un circuito
abierto. En si el circuito equivalente es una fuente de corriente
cuya magnitud controla VGS y gm.

El condensador Ce es un condensador de desacoplo, su misin

es la de proporcionar un camino a tierra a la componente
alterna. En el captulo anterior se analiz el efecto de la
resistencia RE desde el punto de vista de su efecto en la
estabilizacin del punto de polarizacin. Sin embargo, en este
captulo veremos cmo desde el punto de vista de la
amplificacin, esta resistencia hace disminuir la ganancia del
amplificador. Al aadir el condensador de desacoplo
conseguimos que la continua pase por RE mientras que la
alterna pasara por el condensador Ce consiguiendo que no
afecte a la amplificacin. [2]

Tenemos entonces que sus impedancias son:

II-B.2. Configuracin Drain comn.

La impedancia de entrada se representa por el circuito abierto

en las terminales de entrada, entre el gate y el source, por lo que
se dice su impedancia es infinita.

-Impedancia de entrada Zi
En todos los JFET comerciales la impedancia de entrada es muy
grande debido a que en el gate no existe flujo de corriente por
lo que podemos aproximar a un circuito abierto.
-Impedancia de salida Zo
Se define como la pendiente de la curva caracterstica
horizontal en el punto de operacin. [2] La impedancia de
salida en los JFET en hojas de especificaciones est dada como
yos en uS.
II-C.1. Configuracin Source comn.

Figura 3. Configuracin en Drain comn del JFET.

El amplificador en drenaje comn es similar al amplificador

con BJT colector comn. Al amplificador en Drain Comn se
lo llama tambin seguidor de fuente, debido a que la seal
tiende a la salida que se encuentra en dicha resistencia [3].
La configuracin de drain comn tiene la misma ganancia de
voltaje que colector comn por lo que su funcionamiento
normalmente es para acoplador de impedancias. [3]

Figura 2. Amplificador Source comn

Equipos:

Pinzas
Pela Cable
Protoboard
Multmetro
Osciloscopio
Software de simulacin (Multisim)
Fuente tensin continua
Generador de funciones

Figura 4. Sustitucin del modelo equivalente de ca del JFET.

III. DESARROLLO
III-A. Configuracin de Source Comn con condensador al
emisor.

II-B.3. Configuracin Gate comn.

Datos proporcionados o datos impuestos para comenzar los

clculos de la primera configuracin.
TABLA I I.

DATOS PROPORCIONADOS
DATOS

Figura 4. Configuracin en compuerta comn del JFET.

La configuracin de gate comn presenta una impedancia de

entrada alta, pero no comparada con las anteriores que se pudo
suponer era infinita, esta configuracin es similar a base comn
en BJT. [3]

PARAMETROS

VALORES

12,3 mA

-4,95

1KHz

15

6 mA

Figura 5. Sustitucin del modelo equivalente de ca del JFET.

Materiales:
TABLA I.

MATERIALES

Cantidad

Elemento

Precio c/u

Transistor FET (mpf 102)

$ 0.60

20

Resistencias

$ 0.06

0.5 metros

Cable Multipar

$ 1.00

Total

$ 4.60

Figura 6. Configuracin Source comn

III-A.1. Calculo de las resistencias.

= 1

= 4,95 1

(1)

12

6
Figura 7. Equivalente Hibrido Source comn

= 2,05
=

1
(2)

2 (6 )
2,05
=
1

4.95
4.95
= 2,57
= + (3)
= 2,05 + 2,2 6
= 7,07
= (4)
6 = 2,57
=

+ = 0 (5)
15 + 6 2,2 7.5 6 = 0
= ,

2
(6)
2 + 1

7,07 =

15,45
45 + 1

= ,

2 = 10 (7)
= ,

III-A.2. Equivalente Hibrido.

e = f (8)
h =

1
(9)

h =

1
25

h = 40
e = m (10)
1 = m 40

III-A.3. Mxima dinmica.

$%8 = $ f = 6 2,2 20 (11)
= ,

r%8 = 2 $%8 (12)

r%8 = 2 3,75
r%8 = 7,5

$%8

stu

= r%8 + $%8 (13)

$%8

stu

= 7,5 + 3,75

$%8

stu

= 11,25

$%8

stu

= r%8 $%8 (14)

$%8

stu

= 7,5 3,75

$%8

stu

= 3,75

wxx =

r%8
(15)

wxx =

7,5
6

wxx = 1,5

III-A.4. Calculo de la polarizacin.

III-A.5. Calculo de capacitores.

III-A.4.1. Recta de Carga de Salida.

III-A.5.1 Capacitor de salida

$ = 0

1
(19)
2 ( + )

1
2 (1000)(2,2 + 20)

= = (16)
$% = 0
$stu =

(17)
$ +

$stu =

15
2,2 + 753

= 180

III-A.5.2 Capacitor de ingreso

=

1
(20)
2 ( + )

1
2 (1000)(1 + 2)

= ,

= 21

III-A.5.3 Capacitor del source

Figura 8. Recta de carga

III-A.4.2. Curva de Shockley.

$ = 0

1
(21)
2 ()

1
2 (1000)(1757)

= 1,12

III-A.6. Tablas de datos medidos y calculados.

= = . (18)

TABLA III.

$% = 0
= = . (19)

Figura 9. Curva Shoctkley

DATOS OBTENIDOS

DATOS OBTENIDOS

Vo
=

t
deface

1120

320

0,286

-10,88

0,25 m

-27,36

200

1100

520

0,473

-6,51

0,27 m

-46,8

300

1120

920

0,821

-1,71

0,21 m

-48,6

400

1100

1270

1,155

1,25

2,2m

-66,24

500

1100

1670

1,518

3,63

670u

-73,8

600

1120

2160

1,929

5,70

720u

-79,92

700

1110

2550

2,297

7,22

189u

-88,2

800

1100

2960

2,691

8,60

180u

-95,04

900

1080

3240

3,000

9,54

100u

-103,6

1000

1080

3590

3,324

10,43

88u

-111,6

2000

1100

5320

4,836

13,69

78u

-136,8

3000

1080

5920

5,481

14,78

72u

-151,2

4000

1080

6110

5,657

15,05

68u

-158,4

5000

1080

6280

5,815

15,29

67u

-162

f
(Hz)

Vi

100

DATOS OBTENIDOS

Vo
=

t
deface

15,59

57u

-164,1

6,095

15,70

53u

-168,8

6400

5,926

15,46

8u

-169,9

1080

6400

5,926

15,46

6u

-171,7

10000

1050

6440

6,133

15,75

2u

-183,6

100

1120

320

0,286

-10,88

0,25 m

-27,36

f
(Hz)

Vi

6000

1050

6320

6,019

7000

1050

6400

8000

1080

9000

Figura 13. Grafica de la frecuencia frente al ngulo de fase en

comparacin calculado-simulado

III-A.7. Graficas de Datos Obtenidos.

III-A.8. Simulaciones.

Figura 10. Grafica de la frecuencia frente a la ganancia en dB

Figura 14. Ganancia mxima del transistor

Figura 11. Grafica de la frecuencia frente a la fase

Figura 15. Diagramas de Bode

III-A.7.1 Comparacin entre los datos.

Figura 16. Simulacin para 1 KHz

Figura 12. Grafica de la frecuencia frente a la ganancia en dB en

comparacin medido-simulado

TABLA VI.

DATOS OBTENIDOS

DATOS OBTENIDOS

t
deface

0,286

-10,88

2,5

-27,36

520

0,473

-6,508

750

-46,8

1120

920

0,821

-1,709

375

-48,6

400

1100

1270

1,155

1,248

250

-66,24

500

1100

1670

1,518

3,626

140

-73,8

600

1120

2160

1,929

5,705

100

-79,92

700

1110

2550

2,297

7,224

80

-88,2

800

1100

2960

2,691

8,598

60

-95,04

900

1080

3240

3,000

9,542

50

-103,6

1000

1080

3590

3,324

10,433

30

-111,6

2000

1100

5320

4,836

13,690

10

-136,8

3000

1080

5920

5,481

14,778

-151,2

4000

1080

6110

5,657

15,052

-158,4

5000

1080

6280

5,815

15,291

-162

Figura 18. Configuracin de source comn sin condensador

6000

1050

6320

6,019

15,591

-164,1

Simulaciones

7000

1050

6400

6,095

15,700

-168,8

8000

1080

6400

5,926

15,455

-169,9

9000

1080

6400

5,926

15,455

-171,7

10000

1050

6440

6,133

15,754

-183,6

100

1120

320

0,286

-10,88

2,5

-27,36

F (Hz)

Figura 17. Simulacin para 10 KHz

III-B. Configuracin de Source comn sin condensador al

emisor.

Vi

Vo

100

1120

320

200

1100

300

Figura 19. Ganancia mxima

Figura 21. Grafica de la frecuencia frente a la ganancia en dB

Figura 20. Diagramas de Bode

III-C. Configuracin de Drain comn con condensador al

emisor.
TABLA V.

DATOS PROPORCIONADOS

1=

2,5

1 + 2,5

DATOS
PARAMETROS

VALORES

12,3

2mA

1KHz

15

+ = 0 (26)
15 + 6 7.5 6 4,5 = 0
= ,

2
(27)
2 + 1

6,07 =

15,45
45 + 1

= ,

2 = 10 (28)
=

III-C.2. Equivalente Hibrido.

Figura 22. Configuracin en Drain comn

III-C.1 Calculo de la Polarizacin.

= 1

= 4,95 1

(22)

12

6

Figura 23. Equivalente Hibrido Source comn

Tomando en cuenta este circuito equivalente podemos calcular

las impedancias y ganancias como lo mostramos a
continuacin.
III-C.2.1 Impedancias del transistor.

= 2,05
=

1
(23)

2 (6 )
2,05
1

4.95
4.95

h = (29)
h = (30)
h =

III-C.2.2 Impedancias totales del amplificador.

= 2,57

= (31)

= + . (24)

= .

= 2,05 + 2,2 6

= $ (32)

= 6,07

=
(25)
1 +

= 40 295.14382

= .

III-C.2.3 Clculo de ganancias.

III-C.4.2. Curva de Shockley.

En esta seccin del clculo como ya tenemos como dato cual va

a ser la ganancia del amplificador procederemos a realizar el
clculo de la resistencia de carga.

$ = 0

(w f )
(33)
1 + (w f )

w f =

= = . (39)
$% = 0
= = . (40)

w f
(34)
w + f

= .

III-C.2.4 Clculo de la Transconductancia.

=

2 $%%
9%
1
(35)

2 (7.4)
1.5
1
3.1
3.1

= .

(w f )
(36)
1 + (w f )

2.464099(1218.70542)
1 + 2.464099(1218.70542)

= 0.749875

Figura 25. Curva Shoctkley

III-C.5. Calculo de capacitores.

III-C.5.1 Capacitor de salida

III-C.3. Calculo de la polarizacin.

III-C.3.1. Recta de Carga de Salida.
$ = 0
= = (37)
$% = 0
$stu =

(38)
$ +

$stu =

15
2,2 + 753

= ,

1
(41)
2 ( )

1
2 (1000)(50 4,5)

= 25

III-C.5.2 Capacitor de ingreso

=

1
(42)
2 ( 2)

1
2 (1000)(50 45)

= 21

III-C.5.3 Capacitor del source

Figura 24. Recta de carga

1
(43)
2 ()

1
2 (1000)(3,78)

= 142

III-C.6. Mxima Dinamica

$%s = 10% (44)
$%s = 10%(15)
$%s = 1.2
$%x = $% $%s (45)
$%x = 6 1.2
Figura 28. Simulacin para 1 KHz

= .
$%xx = 2 $%x (46)
$%xx = 2(4.8)
= .

Ahora podemos calcular el valor de nuestra fuente de entrada

siendo esta la siguiente.
%xx =
%xx =

(*

(47)

9.6
1

Figura 29. Simulacin para 10 KHz

= .

TABLA V I.

III-C.7. Simulaciones.

DATOS OBTENIDOS
F

Figura 27. Grafica de Bodes.

t
deface

0,123

-18,170

2,5

90

128

0,203

-13,870

750

79,2

632

200

0,321

-9,883

375

70,2

400

632

240

0,380

-8,410

250

64,8

500

624

280

0,449

-6,961

140

57,6

600

624

320

0,506

-5,911

100

51,84

700

632

352

0,564

-4,973

80

47,88

800

624

384

0,608

-4,328

60

46,08

900

640

408

0,646

-3,801

50

42,12

1000

632

424

0,671

-3,467

30

39,6

2000

624

520

0,823

-1,694

10

21,6

3000

624

552

0,873

-1,176

14,04

4000

624

568

0,899

-0,927

11,52

5000

624

560

0,897

-0,940

6000

624

560

0,897

-0,940

8,64

Vi

Vo

100

648

80

200

624

300

(Hz)

Figura 26. Ganancia mxima del transistor.

DATOS OBTENIDOS

DATOS OBTENIDOS
F

t
deface

0,897

-0,940

7,56

560

0,897

-0,940

5,76

624

576

0,923

-0,695

3,888

640

560

0,875

-0,590

3,6

(Hz)

Vi

Vo

7000

624

560

8000

624

9000
10000

Figura 33. Grafica comparativa de la frecuencia con la fase

III-D. Configuracin de Drain comn sin condensador al

emisor.

Figura 30. Grafica de la frecuencia con la ganancia de voltaje

Figura 34. Configuracin de colector comn sin condensador de

emisor

Figura 31. Grafica de la frecuencia con la ganancia en Db

III-C.9. Graficas de comparacin.

Figura 32. Grafica comparativa de la frecuencia con la ganancia en

dB

Figura 35. Ganancia mxima

Figura 36. Diagramas de Bode

TABLA VI I.

DATOS OBTENIDOS

DATOS OBTENIDOS

t
defac
e

0,123

-18,170

2,5

90

128

0,203

-13,870

750

79,2

624

200

0,321

-9,883

375

70,2

400

632

240

0,380

-8,410

250

64,8

500

624

280

0,449

-6,961

140

57,6

600

632

320

0,506

-5,911

100

51,84

700

624

352

0,564

-4,973

80

47,88

800

632

384

0,608

-4,328

60

46,08

900

632

408

0,646

-3,801

50

42,12

1000

632

424

0,671

-3,467

30

39,6

2000

632

520

0,823

-1,694

10

21,6

f
(Hz)

Vi

Vo

100

648

80

200

632

300

Figura 38. Grafica de la frecuencia con la ganancia en Db

III-E. Configuracin de Gate comn con condensador al

emisor.
Datos proporcionados o datos impuestos para comenzar los
clculos de la primera configuracin.
TABLA V I I I.

DATOS PROPORCIONADOS
DATOS

PARAMETROS

VALORES

3000

632

552

0,873

-1,176

14,04

4000

632

568

0,899

-0,927

11,52

6mA

5000

624

560

0,897

-0,940

12,5 mA

6000

624

560

0,897

-0,940

8,64

1KHz

7000

624

560

0,897

-0,940

7,56

15

8000

624

560

0,897

-0,940

5,76

9000

624

576

0,923

-0,695

3,888

10000

640

560

0,875

-0,590

3,6

100

648

80

0,123

-18,170

2,5

90

Figura 39. Configuracin gate comn.

III-E.1 Calculo de la Polarizacin.

= 1

(48)

Figura 37. Grafica de la frecuencia con la ganancia de voltaje

= 4,95 1

12

6

 = 2,05
2

=
1
(49)

2 (6 )
2,05
1

4.95
4.95

= 2,57

h = (56)
h =

III-E.2.2 Impedancias totales del amplificador.

= w 1/ (57)

= + . (50)
= 2,05 + 2,2 6
= 6,07

Calculamos la transconductancia.
=

2 $%%
9%
1
(58)

2 (7.4)
1.7043
1
3.1
3.1

= (51)
3 = 2,5
=

+ = 0 (52)
15 + 6 1,2 7.5 6 = 0
=

2
(53)
2 + 1

15,45
6,07 =
2,5 + 1

= .
= .
= $ (59)
= .

III-E.2.3 Clculo de ganancias.

En esta seccin del clculo como ya tenemos como dato cual va
a ser la ganancia del amplificador procederemos a realizar el
clculo de la resistencia de carga.

=
=
2 = 10 (54)
= ,

III-E.2. Equivalente Hibrido.

(w f )
(60)
1 + (w f )

w f =

w f
(61)
w + f

= .

III-E.2.4 Clculo de la Transconductancia.

=

2 $%%
9%
1
(62)

2 (7.4)
1.5
1
3.1
3.1

= .

Figura 40. Equivalente Hibrido gate comn

III-E.2.1 Impedancias del transistor.

h

= (55)

(w f )
(63)
1 + (w f )

2.464099(1218.70542)
1 + 2.464099(1218.70542)

= 2.949875

III-E.3. Calculo de la polarizacin.

III-E.4. Calculo de capacitores.

III-E.3.1. Recta de Carga de Salida.

III-E.4.1 Capacitor de salida

$ = 0

1
(68)
2 ( )

1
2 (1000)(50 4,5)

= = (64)
$% = 0
$stu =

(65)
$ +

$stu =

15
2,2 + 753

= 25

III-E.4.2 Capacitor de ingreso

=

1
(69)
2 ( 2)

1
2 (1000)(50 45)

= ,

= 21

III-E.4.3 Capacitor del gate

Figura 41. Recta de carga

1
(70)
2 ()

1
2 (1000)(3,78)

= 142

III-E.3.2. Curva de Shockley.

$ = 0

III-E.5. Mxima Dinamica

= = . (66)

$%s = 10% (71)

$% = 0

$%s = 10%(15)

= = . (67)

$%s = 1.5
$%x = $% $%s (72)
$%x = 7.5 1.5
=
$%xx = 2 $%x (73)
$%xx = 2(6 )
=

Ahora podemos calcular el valor de nuestra fuente de entrada

siendo esta la siguiente.
%xx =
%xx =
Figura 42. Curva Shoctkley

(*

12
3

(74)

TABLA IX.

III-E.6. Simulaciones.

DATOS OBTENIDOS

DATOS OBTENIDOS

t
defac
e

0,26

-11,85

2,5 m

133,2

376

0,55

-5,25

2,7 m

108

672

560

0,83

-1,58

2,1 m

96,12

400

656

704

1,07

0,61

2,2m

90,72

500

645

834

1,29

2,23

670u

82,8

600

632

936

1,48

3,41

720u

73,44

700

626

1200

1,92

5,65

189u

70,56

800

608

1100

1,81

5,15

180u

63,36

900

600

1150

1,92

5,65

100u

58,32

1000

592

1210

2,04

6,21

88u

57,6

2000

536

1450

2,71

8,64

78u

30,96

3000

540

1550

2,87

9,16

72u

25,92

4000

540

1600

2,96

9,43

68u

21,6

5000

540

1600

2,96

9,43

67u

16,2

6000

540

1618

3,00

9,53

57u

12,96

7000

540

1630

3,02

9,60

53u

11,34

8000

540

1630

3,02

9,60

8u

9,216

9000

540

1630

3,02

9,60

6u

8,424

10000

540

1630

3,02

9,60

2u

8,28

f
(Hz)

Figura 43. Simulacin de la ganancia completa mxima

Figura 44. Simulacin de los diagramas de Bode

Vi

Vo

100

720

184

200

688

300

Figura 45. Simulacin para 1 KHz

Figura 46. Simulacin para 10 KHz

Figura 47. Grafica de la frecuencia con la ganancia de voltaje en
dB

III-F.1. Simulaciones

Figura 48. Grafica de la frecuencia frente a la fase

Figura 52. Grafica de la ganancia mxima

Figura 49. Comparacin entre lo simulado y medido

Figura 53. Grafica de los Bodes

TABLA X.

DATOS OBTENIDOS

DATOS OBTENIDOS

Figura 50. Grafica de la Comparacin de frecuencia frente a la

fase

III-F. Configuracin de base comn sin condensador .

Figura 51. Configuracin de base comn sin condensador al emisor

t deface

220

0,32

-9,80

2,5 m

133,2

660

380

0,58

-4,80

2,7 m

108

300

660

560

0,85

-1,43

2,1 m

96,12

400

640

660

1,03

0,27

2,2m

90,72

500

620

780

1,26

1,99

670u

82,8

600

600

880

1,47

3,33

720u

73,44

700

580

980

1,69

4,56

189u

70,56

800

580

1010

1,74

4,82

180u

63,36

900

600

1150

1,92

5,65

100u

58,32

1000

560

1130

2,02

6,10

88u

57,6

2000

500

1360

2,72

8,69

78u

30,96

3000

500

1410

2,82

9,00

72u

25,92

4000

490

1440

2,94

9,36

68u

21,6

f
(Hz)
100

Vi

Vo

680

200

Gate Comn

DATOS OBTENIDOS

t deface

1600

2,96

9,43

67u

16,2

500

1480

2,96

9,43

57u

12,96

7000

500

1480

2,96

9,43

53u

11,34

8000

480

1480

3,08

9,78

8u

9,216

9000

460

1456

3,17

10,01

6u

8,424

10000

480

1480

3,08

9,78

2u

8,28

f
(Hz)
5000

Vi

Vo

540

6000

Como podemos ver nuestro amplificador est funcionando y es

de mucha importancia los valores calculados de las resistencias
y capacitores los cuales influyen mucho en el valor de la
ganancia.
Drain Comn
Como podemos visualizar en el amplificador configuracin
Drain comn tenemos una ganancia de 1, y un ngulo de
desfase de cero grados sea no tenemos desfases para lograr
aquello depende mucho del diseo por lo que se requiere tener
un clculo bueno de resistencias y capacitores en especial.

V. CONCLUSIONES
Para los diseos de cada uno de los amplificadores, se debe
tomar decisiones muy importantes al momento de imponerse
datos, especialmente con mucho criterio en el funcionamiento
de cada uno de los amplificadores, ya que si tomamos una mala
decisin, el funcionamiento de nuestro amplificador no ser el
correcto.

Figura 54. Grafica de la frecuencia con la ganancia en dB

Figura 55. Grafica de la frecuencia con la ganancia en dB

IV. ANALISIS

Source Comn
Como podemos ver el objetivo se ha cumplido con un poco de
margen de error pero dentro de los rangos de tolerancia
normales, y pues nuestro circuito est amplificando lo que nos
planteamos, y podemos decir que la mayora de parmetros para
que funcione de mejor manera se debe al clculo de las
resistencia y capacitores quienes influyen mucho en las
ganancias.

Debemos tomar muy en cuenta que los valores que nosotros

calculamos en el proceso de diseo de cada amplificador, no
son comerciales en nuestro medio, por lo que se debe comprara
elementos muy parecidos a los calculados, especialmente de los
condensadores ya que estos influyen mucho al ver la ganancia
de cada amplificador.
En el caso de los transistores JFET que nosotros usamos, no van
a tener las mismas caractersticas de los catlogos, por lo que es
mejor sacar nuestros propios parmetros de funcionamiento del
transistor a usar, esto se lo puede hacer de manera muy fcil en
el laboratorio, polarizando al transistor y analizando su curva
de Shockley la cual nos da valores reales de y de $%% , los
cuales son valores fundamentales para nuestros diseos y por
ende para el funcionamiento.
VI. CONCLUSIONS
For the designs of each of the amplifiers, take very important
decisions when imposed data, especially with much discretion
in the operation of each of the amplifiers, because if we make a
bad decision, the functioning of our amplifier will not will be
correct.
We must take note that the values that we calculated in the
design process of each amplifier, are not commercial in our
area, so you should buy very similar elements to those
calculated, especially capacitors as these strongly influence the
see the gain of each amplifier.

In the case of the JFET transistors that we use, they will not
have the same characteristics of the catalogs, so you better
make our own operating parameters of the transistor to be used,
this can do it very easily in the laboratory , polarizing the
transistor and analyzing their Shockley curve which gives us
real values and which are fundamental values for our designs
and thus for operation.
VII. BIBLIOGRAFIAS
[1] Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos
Dcima Edicin. Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky. Pearson
Education.
[2] IRWIN, Anlisis de Circuitos en Ingeniera. Editorial CEAC.
Barcelona-Espaa 1984
[3] Principios de Electrnica. Sexta Edicin. Albert Paul Malvino.
West Balley College.
[4] http://www.elo.jmc.utfsm.cl/sriquelme/apuntes/fuentes%20de%
20corriente/fuentes%20de%20corriente.pdf

VIII. ANEXOS