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Tipos de transistores segun fabricacin

Existen millares de tipos de transistor, pertenecientes a numerosas familias de construccin y


uso. Las grandes clases de transistores, basadas en los procesos de fabricacin son:
1. Transistores de punta de contacto: El transistor original fue de esta clase y consista en
electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeo bloque de germanio llamado
base.El material de la base poda ser de tipo N y del tipo P y era un cuadrado de 0.05
pulgada de lado aproximadamente. A causa de la dificultad de controlar las caractersticas
de este frgil dispositivo, ahora se le considera obsoleto.
2. Transistor de unin por crecimiento: Los cristales de esta clase se obtienen por un
proceso de "crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos de manera que
presenten uniones muy poco separadas embebidas en la pastilla.El material de impureza se
cambia durante el crecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN, que luego son
cortados para obtener pastillas individuales. Los transistores de unin se pueden subdividir
en tipos de unin de crecimiento, unin de alineacin y de campo interno. El transistor del
ltimo tipo es un dispositivo de unin de alineacin en que la concentracin de impurezas
que est contenida dentro de una cierta regin de la base a fin de mejorar el
comportamiento en alta frecuencia del transistor.
3. Transistor de unin difusa: Esta clase de semiconductor se puede utilizar en un margen
ms amplio de frecuencias y el proceso de fabricacin ha facilitado el uso de silicio en vez
de germanio, lo cual favorece la capacidad de potencia de la unidad. Los transistores de
unin difusa se pueden subdividir en tipos de difusin nica (hometaxial), doble difusin,
doble difusin planar y triple difusin planar.
4. Transistores epitaxiales: Estos transistores de unin se obtienen por el proceso de
crecimiento en una pastilla de semiconductor y procesos fotolitogrficos que se utilizan
para definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento. Las unidades se
pueden subdividir en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y sobrecapa (overlay).
5. Transistores de efecto de campo: El transistor de efecto de campo de unin (JFET), o
transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se construy el primer
transistor prctico de efecto de campo. Se puede considerar a este dispositivo como si fuese
una barra, o canal, de material semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En
cada extremo de la barra se establece un contacto hmico, que representa un transistor de
efecto de campo tipo N en su forma ms sencilla. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N (desde los extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente
entre s, se produce una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el otro
drenador. Si se aplica una tensin positiva entre el drenador y el surtidor y se conecta la
puerta al surtidor, se establece una corriente. Esta corriente es la ms importante en un
dispositivo de efecto de campo y se le denomina corriente de drenador con polarizacin
cero (I ).Finalmente, con un potencial negativo de puerta denominado tensin de
estrangulamiento (pinch-off) cesa la conduccin en el canal.
DSS

Las tcnicas de fabricacin, las aplicaciones a que son destinados y las restricciones a que
estn sometidos dan por resultado una multitud de tipo de transistores, la mayora de los cuales
pertenecen a los grupos generales que acabamos de mencionar. Por otra parte, los transistores
pueden ser agrupados en familias dentro de las cuales cada uno de sus miembros es un tipo

nico, pero entre ellos se pueden establecer sutiles diferencias en cuanto a la aplicacin,
ganancia, capacidad, montaje, caja o cpsula envolvente, terminales, caractersticas de tensin
de ruptura, etc. Adems, el estado actual de la tcnica permite tener en cuenta los parmetros
del transistor en el diseo para que se adapten a los diversos equipos en condiciones de
economa, en vez de disear el equipo basndose en los tipos disponibles de transistor. Esto da
lugar a que gran nmero de equipos de transistores tengan caractersticas generales casi
idnticas.