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LABORATORIO DE INGENIERIA ELECTROMECANICA E INGENIERIA MECANICA

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL PERU

FACULTAD DE INGENIERIA INDUSTRIAL Y MECANICA

INGENIERIA ELECTROMECANICA
INGENIERIA MECANICA

UTP

LABORATORIO DE INGENIERIA ELECTROMECANICA E INGENIERIA MECANICA

MDULO DE LABORATORIO DE
ELECTRONICA ANALOGICA I

NOTA FINAL

LIMA PERU
2015 II
__________

CURSO

ELECTRONICA ANALOGICA I

ALUMNO (A)

OLORTEGUI ROJAS
JOSE HERMINIO

CODIGO

FACULTAD

1321417

ING. MECANICA

ESCUELA
PROFESIONAL

SEMANA: 10

UTP

DIA: 03/03/2016

HORA: 21:00

PROF. TEORIA

MONTEZA ZEVALLOS

PROF. PRACTICA

MONTEZA ZEVALLOS

UTP

LABORATORIO DE INGENIERIA ELECTROMECANICA E INGENIERIA MECANICA

UTP

LABORATORIO IV: EL TRANSISTOR: ANLISIS EN DC Y AC


OBJETIVOS

Determinar el punto de operacin del transistor (punto Q).

Determinar si el transistor se encuentra en el estado de corte, saturacin o lineal, para visualizar el estado
de amplificacin del transistor.

Estudiar el trazado de la Lnea de carga en C.C. de un amplificador Emisor comn y predecir las
condiciones de funcionamiento del amplificador

Medir la ganancia de tensin de un amplificador EC con un condensador de desacoplamiento de emisor.

FUNDAMENTO TERICO
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia
de transferencia").
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de
reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la
construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se
encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a
vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar,
y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.
Transistores Bipolares
El transistor es un dispositivo de tres terminales (como se muestra en la figura 4.1), a diferencia del diodo, que
tiene dos terminales (ste consiste en un material de tipo p y uno de tipo n), el transistor consiste en dos
materiales de tipo n separados por un material p (transistor NPN) o en dos materiales p separados por un
material n (transistor PNP).

Smbolo del transistor NPN y PNP.


Las tres capas o secciones diferentes se identifican como: emisor, base y colector. El emisor, capa de tamao
medio diseada para emitir o inyectar electrones, el cual se encuentra bastante contaminado. La base, con una
contaminacin media, es una capa delgada diseada para pasar electrones. El colector, capa grande diseada
para recolectar electrones, est poco contaminada.

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Smbolos y Convenio de Signos

Sentidos de tensiones y corrientes en el BJT.

Regiones de operacin de un transistor

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0,
(Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de
Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de colector = corriente de


emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima). En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que
Ic = * Ib)

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte


entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador,
es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

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Configuraciones bsicas
Son las siguientes:
Emisor comn: La entrada es por la base y la salida por el colector.
Base comn: Entrada por emisor y salida por colector.
Colector comn: Entrada por base y salida por emisor.

Corrientes en la zona activa


- Como acabamos de ver un transistor est trabajando en la zona activa cuando la unin de emisor se polariza
en directa y la unin de colector en inversa. En el caso de un transistor pnp, para polarizar la unin de emisor
en directa habr que aplicar una tensin positiva del lado emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo
mismo una tensin VBE positiva. De igual manera, para polarizar la unin de colector en inversa hay que
aplicar una tensin VCB negativa.
Vamos a comenzar el estudio suponiendo que la unin de emisor est polarizada en directa y que la unin
de colector est sin polarizar (figura 4.4a). En este caso estamos ante una unin pn (la formada por el emisor
y la base) idntica a la que analizamos en el captulo 2 al abordar la polarizacin de la unin pn. En este caso,
aparece un campo elctrico que tiende a arrastrar a los huecos del emisor hacia la base y a los electrones de la
base hacia el emisor. Lo que origina una corriente neta en el sentido de la zona p hacia la zona n, es decir,
de emisor hacia la base. Dado que el emisor es mucho ms ancho que la base y adems su nivel dopado es
muy superior, la cantidad de huecos en el emisor ser muy superior a la de los electrones en la base,
con lo que el
trmino de corriente predominante ser el debido a los huecos. Es decir, la corriente tendr dos trminos, uno
debido a los electrones y otro debido a los huecos, siendo predominante el segundo sobre el primero.

a)

Polarizacin de la unin de emisor

b)

Polarizacin de la unin de colector

CURVAS CARACTERSTICAS EN EMISOR COMN.

Curvas caractersticas de entrada.


En la figura aparecen representados los convenios de tensiones y corrientes positivas que se han tenido
en cuenta para representar las distintas curvas. Ntese que adiferencia del caso anterior ahora vamos a
trabajar con un transistor npn.

Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT
npn en emisor comn

En las curvas caractersticas de entrada en base comn se representa

IB f VBE ,VCE

Como se puede ver en la figura, no hay una nica curva que relacione IB con VBE, sino que hay una familia
de curvas en funcin de VCE. De nuevo, al igual que en el caso anterior, este desdoblamiento de curvas se
debe al efecto Early.

Curvas Caractersticas de Entrada en Emsior Comn para un BJT npn.

Efecto Early en la caracterstica de entrada en emisor comn


Si observamos las tensiones aplicadas en la figura 4.20, vemos como la tensin VBE es positiva, con lo que la
unin de emisor estar polarizada en directa. Por otra parte, la tensin VCE tambin es positiva. Si observamos
en el tringulo de tensiones en los terminales del transistor, podemos obtener la tensin entre colector y base,
que es precisamente la que nos dice el estado de polarizacin de la unin de colector.

VCB VCE VBE


Por tanto siempre que estemos aplicando tensiones VCE > VBE, tendremos que la tensin VCB ser positiva
y por tanto la unin de colector estar polarizada en inversa, es decir, estaremos en la zona activa.

Tringulo de tensiones en un BJT.

De la misma expresin se deduce que si mantenemos VBE constante, un aumento de VCE implica un aumento
de la tensin VCB, o lo que eso mismo, estamos aplicando una mayor polarizacin inversa a la unin de
colector, lo que lleva implcito (como ya se ha descrito anteriormente) una disminucin de la anchura efectiva
de la base. Es decir, el parmetro disminuye (habr menos portadores que se recombinan en la base).

Las componentes de las corrientes, en este caso sern:

IE InE I pE
IC InC ICO
IB I pE

InE InC

Si tenemos en cuenta que

ICO

InC InE , tendremos que IB I pE InE 1

ICO , de donde

deducimos que si aumenta, IB disminuye. De ah que no tengamos una nica curva de entrada,
sino que la relacin entre IB y VBE depende de la tensin VCE. Y cuando mayor sea VCE, menor
es la corriente IB.

Efecto Early en las caractersticas de entrada.

Curvas caractersticas de salida.

Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en emisor
comn en un BJT npn

En las caractersticas de salida en emisor comn se representa

IC f VCE , IB

Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los que aparecen representados en la figura

Curvas caractersticas de salida en Emisor Comn en un BJT npn

Al igual que en el caso anterior, vamos a intentar justificar el porqu de la forma de las curvas en cada
una de las zonas de inters:

Zona activa:
Se corresponde con la zona no sombreada de las curvas, por encima de la curva
IB = 0 y para tensiones VCE superiores a 0,2 V.
En la zona activa se sigue Cumpliendo

IC IE ICO
Si tenemos en cuenta que las corrientes que aparecen representadas en las curvasson IC e IB, eliminamos
la variable IE sabiendo que

IE IB IC , transformamos la expresin 4,1 en:

Si denominamos

la expresin anterior se transforma en

Si despreciamos el valor de ICO

Tenemos que IC no depende de la tensin VCE y depende nicamente del valor de IB. As, las curvas en la
zona activa deberan ser perfectamente horizontales. Esto sera cierto si fuera constante, pero como vimos
en el caso anterior, el parmetro depende de la tensin VCE debido al efecto Early.

Efecto Early en la caracterstica de salida en emisor comn.


Anteriormente se analiz que un aumento de la polarizacin inversa de la unin de colector (en este caso
mediante un aumento de la tensin VCE) trae consigo una disminucin de la anchura efectiva de la base,
lo que se traduce en un aumento del del transistor. En las curvas de salida en base comn las corrientes
implicadas eran IC e IE que estaban relacionadas precisamente mediante (IC = IE). Sin embargo,
debido a que mantiene sus valores muy prximos a la unidad, las variaciones del mismo no afectan
significativamente a las curvas de salida, por eso en la zona activa las curvas eran horizontales a todos
los efectos.
En el caso que nos ocupa, las corrientes estn relacionadas a travs de , n o de como en el caso anterior. As,
mientras los valores de estn comprendidos tpicamenteentre 0,9 y 0,998, los valores de

correspondientes

variarn entre 9 y 499. Lo cual nos viene a demostrar que pequeas variaciones de implican grandes
cambios de

. Por ello las curvas caractersticas de salida en emisor comn, en la zona activa, estn

sensiblemente ms inclinadas que las de base comn.

Efecto Early en las caractersticas de salida.

En el ejemplo de la figura, podemos observar como un incremento en el valor de del 0,1 % implica
un incremento en el valor de del 25 %

Es por ello que van a haber grandes diferencias para cada transistor individual dentro de las misma familia,
esto es, dos transistores idnticos (misma numeracin, del mismo fabricante, en principio, exactamente iguales)
pueden tener valores de completamente dispares.

Especificaciones de la ganancia de corriente ( hFE) de un BJT.

Especificaciones de la ganancia de corriente ( hFE) de un BJT.

Es interesante hacer notar que el dato que ofrece el fabricante de transistores es la ganancia de corriente
en continua (hFE).

Por otra parte, de la expresin (4,2) podemos obtener el valor de

IC ICO

IB ICO

Comparando las expresiones (4,3) y (4,4), podemos ver como hFE y no son exactamente lo mismo,
aunque a efectos prcticos sus valores son realmente similares (debido al pequeo valor de ICO).
Es por ello que en la prctica se habla indistintamente de hFE o sin hacer distinciones

Regin de Corte:
Queda delimitada por la curva IB = 0 que marca el lmite entre las zonas activa y de corte.

Corrientes en un BJT en Emisor Comn en la zona de corte.

Para IB = 0, segn la ecuacin

IC

Pero

1 ICO ICEO

, segn hemos visto anteriormente, puede valer hasta 499, lo cual nos indica que a pesar de tener la

entrada en circuito abierto, podemos tener una corriente entre el colector y el emisor de 500 ICO.Y si bien el
valor ICO, suele ser muy pequeo, en determinadas condiciones (altas temperaturas, transistores de germanio,

etc.) y al estar multiplicado por un factor de 500, la corriente ICEO puede tener una importancia relativa.Es por
esto que la curva de IB = 0 esta sensiblemente ms separada del eje horizontal que en el caso de las curvas
en base comn.

Regin de Saturacin:
Razonando de forma anloga a como lo hicimos en las caractersticas de salida en base comn. Vemos
como en apenas 0,2 V (para un transistor de silicio) la corriente de colector cae a 0 debido a que al estar
las dos uniones polarizadas en directa, las corrientes se anulan entre s.

Cada de las corrientes en la zona de saturacin.

Operacin del transistor


El transistor de unin bipolar presenta ganancia de tensin, ganancia de corriente, lo cual se puede utilizar para
amplificar seales. En la figura 4.3 se muestra el circuito equivalente simplificado de un transistor npn que es
utiliza en el anlisis en AC.
Ganancia de tensin del Amplificador en Emisor Comn.
Aplicando una tensin a la entrada del amplificador puede determinarse experimentalmente su ganancia de
tensin (mediante un osciloscopio o un voltmetro) siempre y cuando se trabaje en la regin lineal. La relacin
entre las tensiones de salida y de entrada es la ganancia de tensin. VCC

Curva caracterstica del transistor

iB

iC
iB

iB =corriente de base
iC =corriente de colector
iE =corriente de emisor

iE
Circuito hbrido.

De la grfica anterior queda claro que:

R =resistencia entre base y emisor

i E iC i B
iC i B
iC i E

Aplicaciones del BJT, usos y ventajas principales

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MATERIALES
Transistor BC548 (1)
Resistencia de 9.1k / 1/2W (1)
Resistencia de 100 / 1/2W (1)
Resistencia de 1k / 1/2W (2)
Condensador de 10F / 16V (2)
Condensador de 10F / 16V (1)
Condensador de 150pF (1)

APLICACIN
Aislador o Separador
(buffer)
Amplificador de RF

PRINCIPAL VENTAJA
Impedancia de entrada alta y
de salida baja
Bajo ruido

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Amplificador con CAG


Amplificador Cascodo

Facilidad para controlar


ganancia
Baja capacidad de entrada

Troceador

Ausencia de deriva

Resistor variable por


voltaje

Se controla por voltaje

Amplificador de baja
frecuencia
Oscilador

Capacidad pequea de
acoplamiento
Mnima variacin de
frecuencia
Pequeo tamao

Circuitos MOS Digital

USOS
Uso general, equipos de
medida receptores
Sintonizadores de FM,
equipo para comunicaciones
Receptores de FM, y TV ,
equipos para
comunicaciones
Receptores generadores de
seales
Instrumentos de medicin ,
equipos de prueba
Amplificadores de cc,
sistemas de control de
direccin
Amplificadores
operacionales, rganos
electrnicos, controlas de
tonos
Audfonos para sordera ,
transductores inductivos
Generadores de frecuencia
patrn, receptores
Integracin a gran escala,
computadoras, memorias.

ultmetro (1)
Protoboard (1)
Osciloscopio (1)
Una fuente de voltaje regulable 0-15Vcd (1)
Un generador de funciones (1)
Cables de Conexin

PROCEDIMIENTO
1.

Use el multimetro para configurar el transistor y adems obtener el o hFE. Apunte el resultado obtenido.

hFE
2.

I C 4.58

0.99 1
I B 4.59

Implementar el circuito de la figura 4.4:


Figura 4.4: Circuito para anlisis en DC.

9.1k
12V

ELECTRONICA ANALOGICA I

1k

BC548

1k

100

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3.

UTP

Utilizando el multmetro, realice las siguientes mediciones: VE, VC, VB, VCE, IE, IC, IB, y anote los valores obtenidos en la
tabla 4.1.

VE(V)

VC(V)

VB(V)

VCE(V)

IE(mA)

IC(mA)

IB(mA)

0.46

4.58

1.17

6.96

-4.59

-4.58

17.7x10^-3

Tabla 4.1: Datos del circuito de la figura 4.4.


4.

Al circuito de la figura 4.4 agregue los condensadores de acople a la entrada y a la salida de 10 F/16V y
otro de 150pF en paralelo con la resistencia de emisor (Ver figura 4.5).

9.1k

1k
10uF
+

Vi

12V

Vo

10uF
+

BC548

1k

Vi
1k

100

150pF

Figura 4.5: Circuito amplificador de voltaje.


5.

Coloque una seal senoidal de 100mV/1KHz a Vi. Coloque las puntas del osciloscopio en Vi y Vo y observe
que sucede con la salida respecto a la entrada. Realice las respectivas mediciones de las amplitudes de Vi y
Vo; con estos valores obtenga la ganancia del amplificador.

Vi 0.1V , Vo 0.5V , Ganancia

Vo 0.46

4.6
Vi
0.1

Ojo cada cuadrado equivale a 100mV = 0.1 V

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Figura 4.6: Seales de entrada y salida.

CUESTIONARIO

1. Cmo obtendra de manera prctica la configuracin de un transistor pnp?


-Los transistores PNP consisten en una
capa de material semiconductor dopado
en N entre dos capas de material dopado
P.
Los
transistores
PNP
son
comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentacin
atravez de una carga elctrica externa.
Una pequea corriente circulada desde
la base permite que una corriente mucho
mayor circule desde el emisor hacia el
colector.
2. Cul es la importancia de analizar el transistor en corriente continua?
-En corriente continua, el circuito de entrada ejerce un control sobre el circuito de salida.
La aplicacin por excelencia, posiblemente se encuentre en el concepto de amplificacin,

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bajo determinadas condiciones podemos conseguir que la corriente del colector sea
proporcional a la corriente de la base.

3. En qu regin es factible que el transistor opere?


-En la regin activa, en esta regin la corriente del colector Ic Depende principalmente de
la corriente de base Ib, de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de la
resistencias que se encuentran conectadas en el colector y emisor, Esta regin es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

4. Qu se entiende por ganancia de tensin de un amplificador?


-Ganancia, como su nombre indica, es el aumento de seal entre las seales de entrada y
salida del amplificador. Es un valor adimensional, es decir que no se especifica en voltios,
amperios watios, etc., sino que es un ratio, un nmero. En este caso, s la ganancia
mxima es 17, quiere decir que por cada milivotio o miliiamperio de seal de entrada,
obtienes en la salida la misma onda amplificada un mximo de 17 veces, o sea 17 mV o
17 mA. Otra historia es si viene expresada en decibelios.

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