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Sistemas Electrnicos

Enero 2011

1) Indique de forma razonada (principios o


leyes) el sentido de la corriente en los
resistores y la tensin que soportan en el
circuito de la figura 1, sabiendo que N1 =
0,25 N2 = 3 N3.
2) Explique qu diferencias de velocidad de
conmutacin y capacidad de transmisin de
potencia existen entre los diodos de
rectificacin (normales), rectificacin PIN,
ultrarrpidos y Schottky.
3) Explique de qu forma se produce el
apagado de un tiristor que est conectado
en serie con una carga ligeramente inductiva
en un circuito alimentado desde corriente
alterna.
4) Indique razonadamente que dispositivo
semiconductor es ms apropiado para: a)
trabajar como interruptor en aplicaciones de
baja potencia y alta frecuencia como por
ejemplo,
fuentes
de
alimentacin
conmutadas, b) trabajar como interruptor en
aplicaciones de media potencia.
5) Para el circuito de la figura 2, y teniendo en
cuenta el carcter inductivo de la carga
(motor), indique cul es la misin de los
diodos D1, D2, D3 y D4.
6) En el circuito de la Figura 3 indque
razonadamente como afecta el valor de la
resistencia R3 a la frecuencia de
conmutacin mxima del circuito.
7) Las caractersticas tcnicas de un regulador
de tensin 7805 son: TJmx. = 150[C], cada
de tensin (VIN VOUT) = 2[V] y resistencia
trmica unin-ambiente (RthJ-A) = 25 [C/W].
Si se le conecta una carga de 2[],
determinar la mxima temperatura ambiente
a la que puede funcionar sin radiador.
8) Represente el esquema elctrico de un
sensor de tres hilos con salida de tipo
transistor PNP e indique entre que
terminales se conecta la carga.
9) Explique brevemente en qu consiste el
efecto piezoelctrico. Nombre un sensor que
utilice este principio e indique una
aplicacin.
10) La figura 4 representa la medida
experimental de fase de una bobina. Indique
razonadamente los rangos de frecuencias
que presentan un comportamiento inductivo,
resistivo y capacitivo.
11) En el circuito de la figura 5, Que tensin
hay en la salida de la fuente regulada si J7 y
J8 se unen con un cable?
12) En el circuito de la figura 6 indique cual es la
corriente
que
circula
en
rgimen
estacionario por la resistencia de carga (R13)
cuando el SCR Q9 conduce.

4 Curso ETSI Industrial


UNIVERSIDAD DE VIGO

Figura 1

Figura 2

Figura 3

Figura 4

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Figura 5

Figura 6
PROBLEMA
Un transistor MOSFET controla una carga, que
Caractersticas del transistor
suponemos altamente inductiva y que est
CGD1 = CGD2 = CGD =130[pF]
RDS = 0,05[]
alimentada por una fuente VD de 100[V]. El
V
=
3[V]
GM = 25[A/V]
T
transistor est controlado por una seal VG que
t
=
20[nseg]
t
d(ON)
ri = 50[nseg.]
proporciona impulsos de 10[V] y de 20[seg] de
t
=
60[nseg]
t
d(OFF)
fi = 30[nseg]
duracin. La seal VG es de una frecuencia de
20[KHz] y se conecta a la puerta del transistor a travs de una resistencia RG de 10[]. Si la corriente ID
es de 150[A] y las caractersticas del transistor son las que se indican en la tabla adjunta, se pide:
a) Representar el circuito con todos sus componentes, calcular el ciclo de trabajo y los valores de tfv
y trv.
b) Representar las grficas de IG y VGS, en la activacin y en la desactivacin, acotando los valores
ms significativos.
c) Representar las grficas de VDS y de ID, para un ciclo de trabajo, y acotar los valores ms
significativos.
d) Si suponemos que la carga es una bobina de 5H, formada por 5 espiras y que el ncleo es de
un material cuya mx es de 200mT, determinar la seccin que debe tener el ncleo e indique,
de forma razonada, como se podra disminuir la permeabilidad del ncleo de dicha bobina, en
caso necesario.
NOTA: SE DEBEN ENTREGAR 5 BLOQUES DE HOJAS INDEPENDIENTES
BLOQUE 1: RESOLUCIN DE LAS PREGUNTAS 1, 2, 3
BLOQUE 2: RESOLUCIN DE LAS PREGUNTAS 4, 5, 6
BLOQUE 3: RESOLUCIN DE LAS PREGUNTAS 7, 8, 9
BLOQUE 4: RESOLUCIN DE LAS PREGUNTAS 10, 11, 12
BLOQUE 5: RESOLUCIN DEL PROBLEMA
CADA UNA DE LAS 12 CUESTIONES TIENE UN VALOR MXIMO DE 0,5 PUNTOS
EL PROBLEMA TIENE UN VALOR MXIMO DE 4 PUNTOS.

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Un transistor MOSFET controla una carga, que suponemos altamente inductiva, que est alimentada por
una fuente VD de 100[V]. El transistor est controlado por una seal VG que proporciona impulsos de
10[V] y de 20[seg] de duracin. La seal VG es de una frecuencia de 20[KHz] y se conecta a la puerta
del transistor a travs de una resistencia RG de 10[]. Si la corriente ID es de 150[A] y las caractersticas
del transistor son las que se indican, se pide:
e) Representar el circuito con
Caractersticas del transistor
todos sus componentes, calcular CGD1 = CGD2 = CGD =130[pF]
el
RDS = 0,05[]
ciclo de trabajo y los valores de
VT = 3[V]
GM = 25[A/V] tfv y
tfv.
td(ON) = 20[nseg]
tri = 50[nseg.]
f) Representar las grficas de IG y
VGS,
td(OFF) = 60[nseg]
tfi = 30[nseg]
en la activacin y en la
desactivacin acotando los valores ms significativos.
g) Representar las grficas de VDS y de ID, para un ciclo de trabajo, y acotar los valores
ms significativos.
h) Si suponemos que la carga es una bobina de 5H, formada por 5 espiras y que el ncleo
es de un material cuya mx es de 200mT, determinar la seccin que debe tener el
ncleo e indique, de forma razonada, como se podra disminuir la permeabilidad del
ncleo de dicha bobina en caso necesario.

SOLUCIN
a)

CGD1 = CGD2 = CGD =130[pF]


RDS = 0,05[]
VT = 3[V]
GM = 25[A/V]
td(ON) = 20[nseg]
tri = 50[nseg.]
td(OFF) = 60[nseg]
tfi = 30[nseg]
ID = 150A
RG = 10
VD = 100V

VD

ID

RG
VG

VG
KT
10[V]

t
T

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1
1

50 10 6 s 50s
3
f 20 10

KT 20s K 40%

I D Gm VGS VT VGS
C DG C DG1

ID
VT ; VGS 9[V ]
Gm
C DG 2

dVDG dVDS

dt
dt
dV
dV
dV
I
I G CDG DG CDG DS DS G
dt
dt
dt
CDG
V V
VG Cte. RG I G VGS I G G GS Cte.
RG
dVDS VG VGS
VDS

Cte.
dt
RG C DG
t fv
VDS VDG VGS ;VGS Cte.

VDS CDG VDS RG CDG

IG
VG VGS
VD RDS I D ; VDS 92,5[V ]

t fv

VDS

t fv 120 109[S ] 120[nS ]

VGS
dV
C DG DG
RG
dt
dV
dV
VDG VGS ;VGS Cte. DG DS
dt
dt
I
VGS
VDS
G

Cte.
C DG C DG RG
t rv

VG 0 RG I G VGS I G
VDS

t rv

VDS C DG RG
t rv 13 10 9 [S ] 13[nS ]
;
VGS

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b)
VG
10V

IG
1A

0,1A
t
-0,9A

-1A

VGS

10V
9V
3V
t

td(ON)

tri

tfv

td(ON)

tfv

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c)

VG

KT

(1-K)T

10V
t

VDS
100V
7,5V
ID

150A
t
td(ON)

tfv
tri

td(OFF)
tn

tfi
trv

t0
tOFF

t n K T t d (ON ) t ri t fv K

1
t d (ON ) t ri t fv
f

tON 19810 109[S ] 19810[nS ]

d)