You are on page 1of 144

APUNTES

DE LA ASIGNATURA
ELECTRNICA GENERAL

Juan Garca Ortega


Francisco Prez Ridao
Federico Barrero Garca
Sergio Toral Marn
Departamento de Ingeniera Electrnica

Seccin de Publicaciones
Escuela Tcnica Superior de Ingeniera
Universidad de Sevilla

Ttulo: Apuntes de la asignatura Electrnica General


Autores: Juan Garca Ortega, Francisco Prez Ridao, Federico Barrero Garca y Sergio Toral Marn
Edita: Seccin de Publicaciones
Escuela Tcnica Superior de Ingeniera
Universidad de Sevilla

El contenido de este documento es responsabilidad de los autores.


Prohibida la reproduccin total o parcial de este documento por cualquier medio sin la autorizacin
expresa de los autores

23/01/2014

Electrnica General
2 curso

Grado en Ingeniera en
Tecnologas Industriales
- Introduccin a la electrnica
- 1 parte: Dispositivos electrnicos
- 2 parte: Introduccin a la Electrnica Analgica
- 3 parte: Sistemas electrnicos digitales
- Prcticas
Juan Garca
Francisco Prez
Federico Barrero
Sergio Toral

www.dinel.us.es

Electrnica General 1 Parte

Introduccin
a la Electrnica
J. Garca Ortega

ndice

1.
Electrnica General 1 Parte

2.
3.
4.

Qu es la Electrnica?
mbitos de aplicacin y utilidad
Historia y evolucin de la Electrnica
reas de la Electrnica

Introduccin

Qu es la Electrnica?

Electrnica General 1 Parte

(OHFWUyQLFDHVODFLHQFLD\WHFQRORJtD
relativas al paso de partculas cargadas
elctricamente a travs de un gas, del vaco
RGHXQVHPLFRQGXFWRU

Electricidad

Electrnica

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Como afecta a los diversos campos de la ingeniera?


4

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Esquema bsico de un encendido electrnico

10

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Encendido electrnico con microprocesador


11

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Comparacin entre diversos tipos de encendido

12

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Sistema

N ss

Electrnica General 1 Parte

DTR

Distronic

ECT

Transmisin elctr.

RCU

Ctrl. techo solar

ABS

Antibloqueo frenos

ZV

Cierre centralizado

LWR

Ajuste dinam. faros

CDI

Ctrl. inyeccin

11

AAC

Climatizador

13

ABC

Ctrl. activo cuerpo

12

TPM

Press. neumaticos

11

ESP

Ctrl. estabilidad

14

PTS

Paridronic

12

Sistemas electrnicos en un automvil


13

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Sistema de gestin de flujo de energa en un vehculo hbrido


14

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

Sistema de control

Sistema microprocesador encargado de


gestionar el flujo de energa, activando
los distintos elementos del sistema.
La informacin la obtiene de una serie
de sensores electrnicos.

15

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Electrnica General 1 Parte

16

Inversor

Es el encargado de
convertir la corriente
continua de la batera en
corriente alterna, usada
para accionar los
motores elctricos.

Introduccin

mbitos de aplicacin y utilidad

Control de sistemas de
energa renovable,
conversin de energa.

Electrnica General 1 Parte

Sistemas avinicos,
sensores aviacin,
sistemas de guerra
electrnica

Electrnica de
consumo.
Computacin.

Etc
Sistemas de traccin,
control de flujo de
energa, conversin
de energa.

Gestin del trfico


terrestre, martimo y
areo.

Sensores
industriales y
control de procesos.

Comunicaciones y
redes de servicios.

17

Introduccin

Historia y evolucin de la Electrnica

1888 Generacin de radiacin electromagntica (Hertz)


1895 Transmisin de radio a 3 Km (Marconi)
Electrnica General 1 Parte

18

1897 Tubo de rayos catdicos (Braun)


1904 1 diodo o vlvula de vacio (Fleming)
1906 Triodo o dispositivo de 3 terminales (De Forest)
1920 1 emisora de radio (Westinghouse Electric Corp.)

Introduccin

Historia y evolucin de la Electrnica

1946 1 computadora (ENIAC)


Electrnica General 1 Parte

17468 vlvulas de vacio


32 toneladas
2,4 x 30 metros cuadrados
5000 sumas
300 multiplicaciones

por segundo

19

Introduccin

Historia y evolucin de la Electrnica

1948 Se inventa el 1 transistor (Bell Lab)


Electrnica General 1 Parte

20

Introduccin

Historia y evolucin de la Electrnica

1951 Transistores discretos


Electrnica General 1 Parte

1959 Jack Kilby inventa


el primer circuito integrado (premio Nobel en 2000)

1960 Integracin a pequea


escala (SSI, 100 cmp/chip)

21

Introduccin

Historia y evolucin de la Electrnica

Electrnica General 1 Parte

Desarrollo de la microelectrnica

22

Introduccin

Historia y evolucin de la Electrnica

10km

10mm

500m
Electrnica General 1 Parte

500 m

70mm

Escala de integracin?

23

Introduccin

Historia y evolucin de la Electrnica

Electrnica General 1 Parte

Coste de la electrnica?

24

Introduccin

reas de la Electrnica
Segn la tecnologa usada

Electrnica General 1 Parte

Medida analgica de temperatura

Medida digital de temperatura

25

Introduccin

reas de la Electrnica
Segn el rea de aplicacin

- Electrnica industrial
Electrnica General 1 Parte

26

Control de procesos
Automatizacin de

procesos

- Electrnica de potencia
Conversin de energa
Flujos de energa

Introduccin

reas de la Electrnica
Segn el rea de aplicacin

- Instrumentacin electrnica
Electrnica General 1 Parte

Sensores
Instrumentos de

medida
- Telecomunicacin
Procesamiento de informacin
- Microelectrnica
Circuitos integrados

27

Introduccin

reas de la Electrnica
Segn la complejidad

Electrnica General 1 Parte

Sistema
electrnico

Circuito
electrnico

Dispositivo
electrnico

Estructura de un sistema microelectrnico

28

Introduccin

reas de la Electrnica

Trayectoria
de estudio de la
asignatura
Electrnica General 1 Parte

29

- Complejidad ascendente

Dispositivos
Electrnicos
Bsicos

- De Analgica a Digital
- rea genrica

Electrnica
Analgica

Electrnica
Digital

Introduccin

Electrnica General 1 Parte

Parte 1.
Dispositivos electrnicos
J. Garca Ortega

ndice

1.
Electrnica General 1 Parte

2.
3.
4.
5.

Dispositivos elementales (R, L, C)


La unin PN
El diodo
El transistor bipolar de unin BJT
El transistor de efecto de campo MOSFET

Dispositivos electrnicos

Dispositivos elementales

- Dispositivos elementales
Resistencia

LDR

Electrnica General 1 Parte

VD
V=RI

ID

Potenciometro

Condensador
VC

I=CdV/dt

IC

Inductancia

dV/dt

C
V

VL

V=Ldi/dt
di/dt

IL
L

Dispositivos electrnicos

La unin PN

- Materiales semiconductores
Electrnica General 1 Parte

Si, Ge
AsGa, SCd
AlGaAs
InGaAsP

- Portadores de carga
(electrones y huecos)

Dispositivos electrnicos

La unin PN

- Materiales semiconductores
Electrnica General 1 Parte

- Semiconductor intrnseco (p = n)
- Semiconductor tipo N; dopaje tipo N (p < n)
- Semiconductor tipo P; dopaje tipo P (p > n)

Dispositivos electrnicos

La unin PN

- Unin PN en equilibrio trmico


ID

Electrnica General 1 Parte

VD

VD

ID

VD ,D = 0

Dispositivos electrnicos

La unin PN

- Unin PN polarizada directamente


ID

VD
Electrnica General 1 Parte

nodo

Ctodo
Regin de
polarizacin
directa

ID

VD

VD !,D > 0

Dispositivos electrnicos

La unin PN

- Unin PN polarizada inversamente


ID

VD
Electrnica General 1 Parte

nodo

Ctodo
Regin de
polarizacin
directa

ID

VD
Regin de
polarizacin
inversa

VD ,D ~< 0

ID = I0 [exp(VD / VT)-@PRGHORGHJUDQVHxDO
con I0 = I0 7 FRUULHQWHLQYHUVDGHVDWXUDFLyQ

Dispositivos electrnicos

La unin PN

- Unin PN en zona de ruptura


ID

VD
Electrnica General 1 Parte

nodo

Ctodo
Regin de
polarizacin
directa

ID

VD
Regin de
polarizacin
inversa

Regin de
ruptura

Efecto tnel y avalancha


CD y CT capacidades parsitas de difusin y transicin -> comportamiento dinmico

Dispositivos electrnicos

El diodo

- Caracterstica esttica.

ID

VD

(mA) 18

Electrnica General 1 Parte

nodo

IF

ctodo

10

Parmetros bsicos

P=VFIF

Tensin umbral VT

Tensin en directa VF
Corriente en directa IF

(V)
80

Potencia mxima Pmax

Corriente inversa sat. IS IR


Tensin de ruptura VBR

10

Regin de
polarizacin
directa

16

ID

70

VBR

2
50

40

30

20

10

Regin de
polarizacin
inversa

0,5

IR

1,0

VT VF

(V)
1,5

VD

1
2
3 (A)

Regin de
ruptura

Dispositivos electrnicos

El diodo

- El diodo rectificador. Modelo aproximado.


VD

Regin de
polarizacin
directa
VD = VF
ID > 0

ID

ID

Electrnica General 1 Parte

nodo

ctodo

-Vz < VD < VF


ID = 0

Parmetros bsicos

VF

-Vz

VF ~ 0,7 V (Si), 0,3 V (Ge)


VBR ~ 1000 V (Si), 400 V (Ge)
Pmax ~ mW W

VF

Regin de
polarizacin
inversa

Regin de
ruptura

11

VD

Dispositivos electrnicos

El diodo

- El diodo Zener. Modelo aproximado.


VD

Regin de
polarizacin
directa
VD = VF
ID > 0

ID

ID

Electrnica General 1 Parte

12

nodo

-Vz < VD < VF


ID = 0

ctodo

Parmetros bsicos
VF ~ 0,7 V
VBR ~ 1,5 - 300 V

Pmax ~ W

VF

-Vz
Regin de
ruptura
VD = -VZ
ID < 0

Regin de
polarizacin
inversa

VD

VF

-VZ

Dispositivos electrnicos

El diodo

- El diodo emisor de luz (LED). El fotodiodo PIN.


ID

Electrnica General 1 Parte

Regin de
polarizacin
inversa
VD < VF
ID 0
Popt

Regin de
polarizacin
directa
VD = VF
ID > 0

ID (Popt)

Popt = 0

VF

VD

VF

Popt = 1
Popt = 2
Popt = 3
Popt = 4
ID

13

Dispositivos electrnicos

El diodo

- Otros diodos (Schottky, Varicap, Tunel, Gunn, lser, etc


Electrnica General 1 Parte

14

ID

ID

-Vz

VD

-Vz

VJ

VD
VJ

etc

Caracterstica esttica 0RGHORVLPSOLILFDGR


Parmetros caractersticos (hoja de caractersticas o datasheet)

Dispositivos electrnicos

El diodo

- Ejemplos de uso (soluciones grficas y analticas)


VD
ID

Caso 1: Vcc = 12 V, R = 1K , VF = 0,7 V

Electrnica General 1 Parte

Caso 2: Vcc = -10 V, R = 1K , VF = 0,7 V


VCC

VR

rectificador
Caso 3: R = 1K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V

VR

VS

ID

10 V

R
Vs

VD
-1

2
t

limitador
-10 V

15

Dispositivos electrnicos

El diodo

- Ejemplos de uso
VR2

VR1

Electrnica General 1 Parte

ID

R
VCC

VD
VD

VCC

ID

VR
VCC

Detector de paso

VR1
VR2
t

16

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Estructura y smbolos
C

Electrnica General 1 Parte

C
B

E
PNP

NPN

Emisor

Colector
N

Emisor
N

Colector
P

Base

Base

El transistor bipolar BJT se comporta como una fuente de


corriente controlada por otra corriente (Efecto Transistor)
17

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Efecto transistor

UE
pol. dir.

UC
pol. inv.

Electrnica General 1 Parte

B
Emisor

Colector

E
PNP

Emisor
N

VEB > 0

Colector
P

Base

VCB < 0

Emisor

Colector

Base
Base

Sin Efecto Transistor: comportamiento como dos diodos enfrentados


18

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Efecto transistor

UE
pol. dir.

UC
pol. inv.

Electrnica General 1 Parte

B
Emisor

Colector

E
PNP

Emisor
N

VEB > 0

Colector
P

Base

VCB < 0

Emisor

Colector

Base
Base

Con Efecto Transistor: comportamiento como fuente de corriente


19

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Referencias de tensiones y corrientes. Parmetros bsicos.


IC

IC

Electrnica General 1 Parte

VCE

IB
VBE

B
VEB

E
PNP

Emisor

Colector
P

VEC

IB

NPN
N

Base

Emisor
N

Colector
P

Base

Parmetros bsicos: Ganancia , Potencia mxima Pmax


Tensiones tpicas (VBE, VCE), Frecuencia de corte fc
20

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Caracterstica esttica.
IC
C

Electrnica General 1 Parte

IC = 4 mA

IB = 0,04 mA

IC = 3 mA

IB = 0,03 mA

IC = 2 mA

IB = 0,02 mA

IC = EIC = 1 mA

IB = 0,01 mA

E
NPN

VCE
IB

IC
B

VBE

VCE

NPN
E

IB = 0 mA

E = 100

C
E

Modelo aproximado del BJT

21

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Caracterstica esttica. Modelos aproximados.


IC
C

Electrnica General 1 Parte

E
NPN

Zona activa

IC = 4 mA

IB = 0,04 mA

IC = 3 mA

IB = 0,03 mA

IC = 2 mA

IB = 0,02 mA

IC = 1 mA

IB = 0,01 mA
VCE

IB

VCE = 0,2 V

IC
B

IC = EIB

E = 100

VBE

VCE
E

0,7 V

VBE = 0,7 V
BJT en ACTIVA
UE PD, UC PI

22

VCE > 0,2 V


IC =

IB

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Caracterstica esttica. Modelos aproximados.


Zona de
Saturacin

IC
C

Electrnica General 1 Parte

E
NPN

IC = 4 mA

IB = 0,04 mA

IC = 3 mA

IB = 0,03 mA

IC = 2 mA

IB = 0,02 mA

IC = 1 mA

IB = 0,01 mA
VCE

IB

VCE = 0,2 V

IC
0,2 V

E = 100

VBE

VCE
0,7 V

VBE = 0,7 V
BJT en SATURACIN
UE PD, UC PD

23

VCE = 0,2 V
IC <

IB

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Caracterstica esttica. Modelos aproximados.


Zona de
Corte

IC
C

Electrnica General 1 Parte

E
NPN

IB = 0,04 mA

IC = 3 mA

IB = 0,03 mA

IC = 2 mA

IB = 0,02 mA

IC = 1 mA

IB = 0,01 mA
VCE

IB

02V
VCEE = 0,2

IC
B

E = 100

C
IB = 

VBE
E

24

IC = 4 mA

IC = 

VCE
E

VBE < 0,7 V


BJT en CORTE

IB = 0

UE PI, UC PI

IC = 0

Dispositivos electrnicos

El transistor bipolar de unin BJT

- Ejemplos de uso (soluciones grficas y analticas)


Caso 1: Vs = 0 V (corte)
Electrnica General 1 Parte

10 V
1K:
:
IC

IB
10K:
:
Vs

Caso 2: Vs = 1,2 V (activa)

Caso 3: Vs = 2,4 V (saturacin)


E=100
VJJ=0

Caso 4: Vs = 1,2 + 0,1 sen(wt)

Caso 5: Vs = 1,2
25

1,2 V
Dispositivos electrnicos

El transistor de efecto de campo MOSFET

- Estructura y smbolos. Referencias de tensiones y corrientes.


ID

ID

Electrnica General 1 Parte

D
IG=0

VGS

VDS

IG=0

VDS

VGS

IS

Canal n

S
IS

Canal P

El transistor MOSFET se comporta como una fuente de corriente


controlada por una tensin
26

Dispositivos electrnicos

El transistor de efecto de campo MOSFET

- Smbolos y parmetros bsicos.


Enriquecimiento

Electrnica General 1 Parte

canal P

canal N

Empobrecimiento

Existen 8 smbolos diferentes para 4 transistores MOSFET posibles.


Parmetros bsicos: Tensin umbral VT , Kn ( CoxW/L), Potencia mxima Pmax ,

Frecuencia de corte fc
27

Dispositivos electrnicos

El transistor de efecto de campo MOSFET

- El transistor de efecto de campo (MOSFET)


ID

Electrnica General 1 Parte

VGS = 6 V

VGS = 4 V

VGS = 3 V
VDS

IG=0

ID
VGS VT

G
VGS

D
VDS

nMOS
S

28

VGS = 5 V

Modelo aproximado del MOSFET

Dispositivos electrnicos

El transistor de efecto de campo MOSFET

- El transistor de efecto de campo (MOSFET)


ID

Zona de corte

Electrnica General 1 Parte

VGS = 6 V

VGS = 5 V

VGS = 4 V

VGS = 3 V
VDS

IG=0

ID

G
IG = 

VGS

VGS VT

D
ID = 

MOSFET en CORTE

VGS VT

VDS

IG = 0
ID = 0

29

Dispositivos electrnicos

El transistor de efecto de campo MOSFET

- El transistor de efecto de campo (MOSFET)


ID

Zona de
conduccin

Electrnica General 1 Parte

VGS = 6 V

VGS = 5 V

VGS = 4 V

VGS = 3 V
VDS

IG=0

ID = f(VGS, VDS)

ID

IG = 

VGS
S

VGS VT

VGS > VT

VDS
S

MOSFET en

CONDUCCIN
30

IG = 0
ID = f (VGS, VDS)

Dispositivos electrnicos

Boletn de problemas de DIODOS


Nota: Todos los circuitos siguientes han sido simulados en el entorno Micro-cap 10.0.9.1 Evaluation Version.
1.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo rectificador (Id, Vd), la tensin de la resistencia (Vr) y las
potencias disipadas por ambos dispositivos (Pd, Pr) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 12 V, R = 1 K , VF = 0,7 V
b) Vcc = -10 V, R = 1 K , VF = 0,7 V
c) Vcc = 120 V, R = 3 K , VF = 0,7 V

d) Vcc = 120 V, R = 3 K , VF = 0 V
e) Vcc = 1 V, R = 4,7 K , VF = 0,7 V
f) Vcc = 1 V, R = 4,7 K , VF = 0 V

Id =

a)11,3 mA b)0 mA c)39,76 mA d)40 mA e)63,83 A f)0,21 mA

Vd =

a)0,7 V b)-10 V c)0,7 V d)0 mA e)0,7 V f)0V

Vr =

a)11,3 V b)0 V c)119,3 V d)120 V e)0,3 V f)1V

Pd =

a)7,91 mW b)0 mW c)27,83 mW d)0 W e)44,68 W f)0W

Pr =

a) 127,69 mW b)0 mW c)4,74 W d)4,8 W e)19,15 W f)0,21 mW

2.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo Zener (Id, Vd), la tensin de la resistencia (Vr) y las potencias
disipadas por ambos dispositivos (Pd, Pr) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 7 V, R = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
b) Vcc = -10 V, R = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V

c) Vcc = -3 V, R = 3 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
d) Vcc = 7 V, R = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 10 V

Id =

a)6,3 mA b)-5 mA c)0 mA d)6,3 mA

Vd =

a)0,7 V b)-5 V c)-3 V d)0,7 V

Vr =

a)6,3 V b)-5 V c)0 V d)6,3 V

Pd =

a)4,41 mW b)25 mW c)0 mW d)4,41 mW

Pr =

a)39,69 mW b)25 mW c)0 W d)39,69 mW

3.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo rectificador (Id, Vd), las tensiones de las resistencia (Vr1, Vr2,
Vr3) y las potencias disipadas por los cuatro dispositivos (Pd, Pr1, Pr2, Pr3) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 0 K , VF = 0,7 V
b) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V
c) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V
Id =

a)18,6 mA b)4,65 mA c)6,2 mA

Vd =

a)0,7 V b)0,7 V c)0,7 V

Vr1,2,3 =
Pd =
Pr1,2,3 =

a)9,3/9,3/0 V b)4,65/4,65/4,65 V c)3,1/3,1/6,2 V


a)13,02 mW b)3,25 mW c)4,34 mW
a)86,49/86,49/0 mW b)21,62/0/21,62mW c) 9,6/9,6/38,4 mW

4.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo Zener (Id, Vd), el estado del diodo y la tensin Vout:
a) Vcc = 8 V, V1 = 3 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
b) Vcc = -2 V, V1 = 3 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
c) Vcc = 3 V, V1 = 3 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
Id =

a)2,15 mA b)-1 mA c)0 mA

Vd =

a)0,7 V b)-3 V c)0 V

Vout =

a)5,85 V b)-1 V c)3 V

Estado

a)conduccin b)Ruptura c)Corte

5.- Calcular las corriente y tensiones de las resistencias (Ir, Vr) y los diodos (Id, Vd) para los siguientes circuitos:
a) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , VF1 = 0,7 V, VF2 = 0,3 V
b) Vcc = 10 V, R1 = 2 K , VF1 = 0,7 V, VF2 = 0,3 V
c) Vcc = 10 V, R1 = R2 = 1 K , VF = 0,7 V
d) Vcc = 10 V, R1 = 2 K , VF1 = VF2 =0,7 V, VF3 = 0,3 V
e) Vcc = 10 V, R2 = 1 K , R1 = R3 = 2 K , VF1 = 0,7 V

a)

c)

e)

f) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 2 K , VF = 0,7 V
g) Vcc = 10 V, V1 = 2 V, R1 = R2 =1 K , VF = 0,7 V
h) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , VF = 0,7 V
i) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 2 K , VF1 = 0,7 V, Vz2 = 5 V
j) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 2 K , VF1 = 0,7 V, Vz2 = 5 V

Ir 1/2/3=

a)9,7 mA
b)4,5 mA
c)8,6/0,7 mA
d)4,5 mA
e)3,5/2,34/1,16 mA

f)8,6/4,3 mA
g)7,3/2 mA
h)8,6 mA
i)4,3/2,5 mA
j)4,3/0,34 mA

Vr 1/2/3=

a)9,7 V
b)9 V
c)8,6/0,7 V
d)9 V
e)7/2,3/2,3 V

f)8,6/8,6 V
g)7,3/2 V
h)8,6 V
i)4,3/5 V
j)4,3/0,7 V

Id 1/2/3=

a)0/9,7 mA
b)4,5 mA
c)8,6/7,9 mA
d)4,5/0/4,5 mA
e)3,5 mA

f)13 mA
g)7,3 mA
h)8,6/0/8,6 mA
i) 3,96/-4,3 mA

Vd 1/2/3=

a)0,3/0,3 V
b)0,7/0,3 V
c)0,7/0,7 V
d)0,7/0,3/0,3 V
e)0,7 V

f)0,7/0,7 V
g)0,7 V
h)0,7/-0,7/0,7 V
i)0,7/-5 V
j)0,7/-5 V

b)

d)

f)

g)

h)

i)

j)

6.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo Zener (Id, Vd), la potencia disipada por el diodo y la batera
(Pd, Pbat) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 8 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
b) Vcc = 8 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
c) Vcc = -10 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
Id=

a)0 mA b)-0,66 mA c)2,86 mA

Vd=

a)-4 V b)-3 V c)0,7 V

Pd =

a)0 mW b)1,98 mW c)2 mW

Pbat=

a)32 mW b)34,664 mW c)64,33 mW

7.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo Zener (Id, Vd), la potencia disipada por el diodo y la batera
Vcc (Pd, Pbat) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 8 V, V1 = 2 V,R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
b) Vcc = 4 V, V1 = 2 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
c) Vcc = -10 V, V1 = 2 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
Id=

a)-4 mA b)0 mA c)2,86 mA

Vd=

a)-3 V b)-3 V c)0,7 V

Pd =

a)12 mW b)0 mW c)4,62 mW

Pbat=

a)40 mW b)4 mW c)93 mW

8.- El LED de la figura funciona con una corriente nominal de 10 mA. Calcular el valor terico de la resistencia R que
habra que poner si queremos que el LED ilumine con su potencia nominal, en los siguientes casos:
a) Vcc = 10 V, VF (D1)= 0,7 V, VF (LED)= 1,7 V
b) Vcc = 20 V, VF (D1)= 0,7 V, VF (LED)= 1,7 V
c) Idem que a) para que el LED ilumine el doble
Hallar la potencia consumida por el LED y la suministrada por la batera en cada caso.
R=

a)0,76 K

b)1,76 K

c)0,38 K

PLED =

a)17 mW b)17 mW c)34 mW

PBat =

a)100 mW b)200 mW c)200 mW

9.- El circuito de la figura representa una matriz de 9 LEDs, que es alimentada por una fuente comn Vcc y activada
por un nico interruptor (Switch1). El objetivo del circuito es encender la matriz de 3x3 LEDs rojos al cerrar el
interruptor para producir un determinado aviso luminoso. Se considera que los LEDs estn correctamente
iluminados si por ellos pasan 15 mA. Sabiendo que la tensin en conduccin de un LED rojo es VF = 1,7 V se pide:
a) Valor de las resistencias R1, R2 y R3 para que el circuito funcione correctamente si Vcc = 12 V
b) Potencia suministrada por la fuente Vcc, consumida por las resistencias y por los diodos
c) Corriente que soportan las resistencias, la fuente Vcc y el interruptor.

R1, R2, R3 =

mximo 0,46 K

IR =

15 mA

IVcc = Iswitch =

45 mA

PR =

103,5 mW cada una (310,5 mW en total)

PLED =

25,5 mW cada uno (229,5 mW en total)

PBat =

540 mW

10.- El circuito de la figura representa una matriz de 9 LEDs, que es alimentada por una fuente comn Vcc y activada
por un nico interruptor (Switch1). El objetivo del circuito es encender la matriz de 3x3 LEDs rojos al cerrar el
interruptor para producir un determinado aviso luminoso. Se considera que los LEDs estn correctamente
iluminados si por ellos pasan 15 mA. Sabiendo que la tensin en conduccin de un LED rojo es VF = 1,7 V se pide:
a) Valor de la resistencia R1 para que el circuito funcione correctamente si Vcc = 12 V
b) Potencia suministrada por la fuente Vcc, consumida por la resistencia y por los diodos
c) Corriente que soportan la resistencia, la fuente Vcc y el interruptor.

R1 =
IVcc = Iswitch =
PBat =

mximo 0,154 K

IR =

45 mA

45 mA

PR =

310,5 mW

540 mW

PLED =

25,5 mW cada uno (229,5 mW en total)

Boletn de problemas de BJTs


Nota: Todos los circuitos siguientes han sido simulados en el entorno Micro-cap 10.0.9.1 Evaluation Version.
1.- Hallar las tensiones (VBE, VCE) , corrientes (IB, IC) y estado de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a) V1 = 5 V, Rb = 43 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K
b) V1 = 5 V, Rb = 4.3 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K
c) V1 = 5 V, Rb = 43 K, Vcc = 10 V, Rc = 1 K
d) V1 = 0.5 V, Rb = 43 K, Vcc = 20 V, Rc = 1 K
e)V1 = 3 V, Rb = 10 K, Vcc = 50 V, Rc = 1 K
f) V1 = 3 V, Rb = 10 K, Vcc = 50 V, Rc = 3 K
VBE =

a) 0,7 V b)0,7 V c)0,7 V d)0,5 V e) 0,7 V f)0,7 V

VCE =

a) 10 V b)0,2 V c)0,2 V d)20 V e) 27 V f)0,2 V

IB =

a) 0,1 mA b)1 mA c)0,1 mA d)0 mA e) 0,23 mA f)0,23 mA

IC =

a) 10 mA b)19,8 mA c)9,8 mA d)0 mA e) 23 mA f)16,6 mA

Estado

a)Act b)Sat c) Sat d)Corte e)Act f)Sat

2.- Para el circuito de la figura anterior, determine el intervalo de valores de V1 para que el transistor se encuentre
en activa.
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 150)
Rb = 5 K, Vcc = 12 V, Rc = 1 K
0,7 V < V1 < 1,093 V

3.- Hallar las tensiones (VBE, VCE) y corrientes (IB, IC) del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 0,7 K , Rb = 75 K , V1 = 10 V, = 150
b) Rc = 0,2 K , Rb = 75 K , V1 = 10 V, = 150
a) Rc = 0,7 K , Rb = 75 K , V1 = 10 V, = 120
b) Rc = 0,2 K , Rb = 75 K , V1 = 10 V, = 120

VBE =

a) 0,7 V b) 0,7 V c) 0,7 V d) 0,7 V

VCE =

a)0,2 V b)6,28 V c) 0,2 V d) 2,97 V

IB =

a)0,124 mA b) 0,124 mA c)0,124 mA d) 0,124 mA

IC =

a)14 mA b)18,6 mA c)14 mA d)14,88 mA

4.- Hallar las tensiones (VB, VC, VE), corrientes (IB, IC, IE) y estado de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a) = 120, R1 = 10 K, R2 = 7 K, Rc = 1 K, Vcc=12 V
b) = 120, R1 = 75 K, R2 = 7 K, Rc = 1 K, Vcc=12 V
c) = 100, R1 = 87 K, R2 = 10 K, Rc = 1 K, Vcc=12 V
d) = 100, R1 = 87 K, R2 = 3 K, Rc = 1 K, Vcc= 9V
Vb =

a) 0,7 V b)0,7 V c)0,7 V d)0,3 V

Vc =

a)0,2 V b)6 V c)6 V d)9 V

Ve =

a) 0 V b)0 V c)0 V d)0 V

Ib =

a) 1,03 mA b) 0,05 mA c) 0,06 mA d)0 mA

Ic =

a)11,08 mA b)6 mA c)6 mA d)0 mA

Ie =

a)12,83 mA b)6,05 mA c)6,06 mA d)0 mA

Estado

a)Sat b)Act c)Act d)Corte

5.- Calcular el valor de las resistencias Re y Rb, y de las corrientes Ic e Ib, sabiendo que la tensin Vc = 5 V y que:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a) Rc = 5 K , Ve = 4,5 V
b) Rc = 1 K , Ve = 4,5 V

c) Rc = 5 K , Ve = 3 V
d) Rc = 1 K , Ve = 3 V
Re =

a) 4,5 K

b)0,9 K

c)3,0 K

d)0,6 K

Rb =

a)480 K

b)96 K

c)630 K

d)126 K

Ic =

a)1 mA b)5 mA c)1 mA d)5 mA

Ib =

a)0,01 mA b)0,05 mA c)0,01 mA d)0,05 mA

6.- En el siguiente montaje, A representa una bombilla que disipa 100 W a 220 V. Si se tienen los siguientes valores de
tensin y resistencia, Vs = 5 V, RB = 20 K , RC = 0,5 K , Vcc = 20 V, hallar
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 120)
Resistencia
bombilla

RBombilla =

0,484 K

Corriente por
la bombilla

IBombilla =

20,12 mA

Potencia de la
bombilla

PBombilla =

195,93 mW

Potencia del
transistor

PTransistor =

4,17 mW

7.- Se pretende encender un LED actuando sobre el potencimetro Pot1, conectado a la base de un transistor BJT a
travs de una resistencia fija Rb. Se considera que el LED (de color amarillo) funciona con una corriente mnima de IF MIN
(LED)= 15 mA, siendo la tensin en conduccin VF (LED)= 2 V. La mxima potencia que puede disipar el LED es de 0,1 W.
Se pide:
a) Dimensionar el valor de Rb para que el LED no se destruya en el caso de que el potencimetro est en su
valor mnimo (Rpot = 0 K ). Calcular la tensin Vce en ese instante.
b) Dimensionar el valor mximo del potencimetro para que siempre se encuentre encendido. Calcular Vce.
Datos: V1 = 10 V, RC = 0,1 K , Vcc = 10 V, Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)

RB =

18,6 K

VCE =

3V

RPot =

43,4 K

VCE =

6,4 V

a)

b)

8.- El conmutador de la figura sirve para encender o apagar el LED. Se considera que el LED (de color amarillo) funciona
con una corriente mnima de IF MIN (LED)= 15 mA, siendo la tensin en conduccin VF (LED)= 2 V.
a) Calcular el valor de Rc para que pase por el LED una corriente de 30 mA cuando el switch est a GND.
b) Calcular el valor de mnimo Rb para que pase por el LED una corriente menor de 15 mA cuando el switch
est a V1.
Datos: V1 = 5 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)

a)

RC =

0,1 K

b)

RB MIN =

28,6 K

9.- El conmutador de la figura sirve para poner en marcha el motor de continua, a travs de un rel. La bobina del rel
se activa cuando pasa como mnimo 10 mA por ella, cerrando el interruptor (Relay1) en ese caso.
a) Calcular el valor mximo de Rb para que funcione el sistema.
b) Tensin Vce en ese instante.
c) Si Rb fuese un potencimetro, Cul sera la mxima corriente que podramos hacer pasar por la bobina?.
d) Calcular la potencia que estara disipando la bobina en ese instante.
Datos: R interna de la bobina = 0,1 K , V1 = 5 V, V2 = 2 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a)

RB MAX =

b)

VCE =

4V

c)

IBB MAX =

48 mA

d)

PBB MAX =

230,4 mW

43 K

10.- Los conmutadores S1 y S2 sirven para seleccionar cual de los cuatro LEDs es encendido.
a) Calcular los valores de las Rbi para que los LEDs se iluminen con la corriente mnima al ser seleccionados.
b) Calcular el valor de las RLi para las tensiones |Vce| de ambos transistores sean de 2,5 V.
c) Rellenar la tabla de correspondencias entre S1, S2 y los 4 LEDs que son encendidos.
Datos: VF (LED)= 2 V, IF MIN (LED)= 15 mA, V1 = V2 = 10 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a)

RB =

62 K

b)

RL =

0,2 K

S2

UP

DOWN

UP

LED1

LED3

DOWN

LED2

LED4

S1
c)

11.- En una situacin A, el corte de la recta de carga con la caracterstica esttica del transistor BJT proporciona el
punto de polarizacin. Si se divide por 2 la tensin Vcc, represente en dicha caracterstica la nueva situacin, indicando
el estado del transistor en ambos casos.

iC

iC

vCC
Rc

vCC
Rc

iB

iB

vCC
2Rc

vCE

vCE

Estado:

vCC

vCC
2

vCC

ACTIVA

Estado:

SATURACIN

12.- Hallar las tensiones y corrientes de polarizacin del BJT, donde R1 = 20 K , R2 = 10 K , R3 = 4 K y Vcc = 10V
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
Representar sobre la caracterstica esttica de salida el punto de polarizacin del transistor, indicando los valores
representativos de la recta de carga (puntos de corte con los ejes), las corrientes de base (IB) y colector (IC) y la
tensin colector emisor (VCE).
VBE =

0,7 V

VCE =

0,2 V

Ib =

0,395 mA

IC =

2,45 mA

iC
Ib=39,5 mA

iC

Vcc/Rc=2,50 mA
Ic=2,45 mA

IB

Ib=0,395 mA

vCE

vCE
Vce=0,2V

Vcc=10V

13.- Hallar las tensiones (VBE, VCE) y corrientes (IB, IC) de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 0,5 K , Rb = 100 K , RL = 1K , V1 = 10 V, = 120
b) Rc = 0,25 K , Rb = 75 K , RL = 1K , V1 = 10 V, = 140
VBE =

a) 0,7 V b) 0,7 V

VCE =

a)4,4 V b)5,66 V

IB =

a)0,093 mA b) 0,124 mA

IC =

a)11,16 mA b)17,36 mA

14.- Hallar las tensiones de base, emisor y colector (VB, VC,VE) y corrientes (IB, IC) de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 1 K , Rb = 126 K , Re = 0,6 K , RL = 1K , V1 = 10 V, = 100
b) Rc = 1 K , Rb = 96 K , Re = 0,9 K , RL = 1K , V1 = 10 V, = 100
VB =

a) 3,7 V b) 5,2 V

VC =

a)5 V b)5 V

VE =

a)3 V b)4,5 V

IB =

a)0,05 mA b) 0,05 mA

IC =

a)5 mA b)5 mA

15.- Hallar las tensiones de base, emisor y colector (VB, VC,VE) y corrientes (IB, IC) de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 1 K , Rb1 = 75 K , Rb2 = 7 K , RL = 1K , V1 = 12 V, = 120
b) Rc = 1 K , Rb1 = 87 K , Rb2 = 10 K , RL = 1K , V1 = 12 V, = 100
VB =

a) 0,7 V b) 0,7 V

VC =

a)6 V b)6 V

VE =

a)0 V b)0 V

IB =

a)0,05 mA b) 0,06 mA

IC =

a)6 mA b)6 mA

16.- Se tiene un transistor BJT npn. Indicar, para las tensiones de terminales dadas, la regin de funcionamiento
donde se encuentra el transistor (corte, activa o saturacin), as como el estado de polarizacin de cada una de las
dos uniones (polarizacin inversa o directa).
(Datos NPN: tensin umbral unin BE VBE = 0,6 V, tensin umbral unin BC VBC = 0,5 V)
(Datos PNP: tensin umbral unin BE VEB = 0,6 V, tensin umbral unin BC VCB = 0,5 V)
Tensiones
TIPO TRANSISTOR
UNIONES
VC
VB

VC = 7 V
VB = 4 V
VE = 3,3 V

ACTIVA

VC = 4,9 V
VB = 4,3 V
VE = 5 V

SATURACIN

Unin base emisor en directa


Unin base colector en inversa

VE

VC
VB

Unin base emisor en directa


Unin base colector en directa

VE

REGIN

UNIONES

VC=8V
VB=5,3V

ACTIVA
VE=4,6V

Unin base emisor en directa


Unin base colector en inversa

Electrnica General 2 Parte

Parte 2: Introduccin a la
Electrnica Analgica
F. P. Ridao

Objetivos
(a) Objetivos generales de la parte 2

Electrnica General 2 Parte

La electrnica analgica estudia los circuitos


electrnicos cuyas seales (V, I,...) varan de
forma continua en el tiempo y pueden adquirir
infinidad de valores posibles.
Hay infinidad de posibles circuitos analgicos
diferentes. Slo disponemos de tres clases.
Intentaremos mostrar algunos de ellos, los
que consideramos circuitos bsicos.

Ejemplos de seales analgicas

Objetivos

Electrnica General 2 Parte

Presentaremos la Electrnica Analgica en tres clases:

Clase 1: Rectificadores y Reguladores.


Clase 2: Circuitos amplificadores.
Clase 3: Circuitos electrnicos no lineales.

Electrnica General 2 Parte

Clase 1:
Rectificadores y Reguladores
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5

Circuitos rectificadores.
Rectificador con filtrado.
Regulador zener.
Regulador serie lineal.
Regulador serie conmutado.

1.1 Circuitos rectificadores.


(a) Rectificadores

Electrnica General 2 Parte

Rectificar: obtener corriente (tensin) continua a


partir de corriente (tensin) alterna.
Tipos de rectificadores:
z

Baja f : red (50 Hz), audio, etc.

Alta f : fuentes conmutadas, circuitos RF, etc.

Media Onda: rectifica semionda positiva o


semionda negativa.

z
z

Onda Completa: rectifica todo.

1.1 Circuitos rectificadores.

(b) Rectificador de media onda

Electrnica General 2 Parte

Requiere un solo diodo.


El transformador es opcional

R1 representa la carga.

1.1 Circuitos rectificadores.

(c) Rectificador de media onda

Electrnica General 2 Parte

Rectificador de media onda con diodos


idealizados como interruptores.

Simulacin de rectificador diodos reales

1.1 Circuitos rectificadores.

(d) Rectificador de media onda con A.O.

Electrnica General 2 Parte

Caractersticas:

Rectificador activo (requiere A.O. y


fuente simtrica +/-Vcc).

Infrecuente frente al rectificador pasivo.

Compensa Vf de diodos: rectificador sin


prdidas.

Inconvenientes:

Rectifica seal (poca potencia).

Funciona mal en alta f (A.O...).

1.1 Circuitos rectificadores.

(e) Rectificador de onda completa


Caractersticas:
Mejora el rendimiento de rectificacin.
Electrnica General 2 Parte

Eleva tensin (corriente) media y eficaz de salida.


Con o sin aislamiento galvnico de red.
Requiere 2 4 diodos y/o transformador especial.

Puente rectificador comercial.

1.1 Circuitos rectificadores.

(f) Rectificador de onda completa

Electrnica General 2 Parte

Rectificador de onda completa con diodos


idealizados como interruptores.
Simulacin de puente rectificador
de onda completa.

10

1.1 Circuitos rectificadores.

(g) Comparacin de rectificadores

Electrnica General 2 Parte

Comparacin de simulacin de rectificadores


de media onda y de onda completa.

11

1.2 Rectificador con filtrado.

(a) Filtrado
Filtrar: eliminar componentes indeseadas de tensin o corriente.
Electrnica General 2 Parte

12

Filtrado en frecuencia: eliminar frecuencias indeseadas: continua, baja f, alta f, etc.


Filtrado de rectificador: suprimir toda variacin de tensin en la salida (AC), dejando
slo tensin continua (DC). Puede ser positiva o negativa.
Tipos: Pasivos (R, L, C) y Activos (con A.O. o transistores).

Condensadores e inductancias de filtrado pasivo.

1.2 Rectificador con filtrado.

(b) Filtros pasivos

Electrnica General 2 Parte

Basados en el uso de condensadores e inductancias como almacn


de energa. Pocas resistencias.

C paralelo reduce dV/dt ...

C infinito V=cte

(no real)

L serie reduce di/dt

L infinito I=cte.

(no real).

Problema: C y L voluminosos, pesados y caros en baja f.

Diferentes topologas posibles de filtrado paso bajo.

...

Qu hay que saber


siempre de L y C?
Idealmente:
i= CdV/dt
e=Ldi/dt
Pero los componentes
ideales (pasivos o
activos) NO EXISTEN .

13

Filtros pasivos paso bajo sin resistencias.

1.2 Rectificador con filtrado.

(c) Filtrado simple capacitivo.

Electrnica General 2 Parte

14

Puente rectificador discreto con


filtrado capacitivo.

Montaje de puente rectificador


discreto con filtrado capacitivo.

En el circuito rectificador con filtrado simple


capacitivo, la R de carga es pequea (parsita de D,
trafo, etc.) y la C muy alta (C electrolticos) para
reducir el rizado de tensin (Vo).

1.2 Rectificador con filtrado.

(d) Comparacin de rectificadores filtrados.

Electrnica General 2 Parte

Simulacin de rectificadores con


igual filtrado capacitivo.
Diferentes circuitos rectificadores
con idntico filtrado capacitivo.
El circuito rectificador de onda completa con filtrado
simple capacitivo reduce el rizado de tensin (con doble
frecuencia) respecto al rectificador de media onda.

15

1.3 Regulador zener.

(a) Diodo zener.

Electrnica General 2 Parte

K
A

K
A

Diodos zener de seal (1W)


y de potencia (20W)

Diodo Zener: diodo de unin especialmente diseado para


trabajar en ruptura no destructiva en P.I. (ruptura zener).
Ruptura zener: si Vz vara poco regula tensin.

16

Especificar: Vz, Pmax.

1.3 Regulador zener.

(b) Regulador zener bsico

Electrnica General 2 Parte

Regular: controlar manteniendo constante la


tensin de salida (variando Vi, Io, T, etc.)
Regulador zener: red Rs - Z Ro.
- Rs resistencia limitadora (Iz max).
- Ro representa la carga
- Zener P.I. en ruptura: Vo = Vz.
Limites:
- Reducida potencia de salida
Po = Vo Io = Vz Io
- Mal rendimiento:
Pz = Vz Iz ,, PRS = (Vi-Vz) Is
- Vz vara con Iz Vo vara con Io

17

1.3 Regulador zener.

(c) Regulador zener completo

Electrnica General 2 Parte

18

Fuente con Regulador zener: red Rs-DZ (regulador zener bsico)


aadido a rectificador con filtrado. El transformador no es obligatorio...
Aplicacin: regulador de tensin en circuitos de poca potencia.
Diseo: Vz debe ser menor que el mnimo de tensin filtrada.

1.4 Regulador serie lineal.

(a) Regulador serie bsico

Electrnica General 2 Parte

Q1 en serie:
Regula la corriente y permite aumentar la potencia de salida.
Q1 activa, Vbe ~ 0.7V, Vb = Vz = cte , Vo = 0.7 - Vz
Lmites:
Vz y Vbe no son constantes Vo no es muy constante.
Prdidas en Q1: puede requerir un disipador metlico.

19

1.4 Regulador serie lineal.


(b) Regulador serie mejorado

Electrnica General 2 Parte

20

Amplificador de error:
Requiere uso de A.O. (IC1, debe ser alimentado...en poca potencia).
IC1 amplifica linealmente error:
Vo = Vz (R2+R3)/R3.
VD1= VR3
Con R3 variable podemos ajustar Vo.
Mejora regulacin de carga y lnea (Vo muy constante).

1.4 Regulador serie lineal.


(c) Comparacin de reguladores

Electrnica General 2 Parte

Comparacin de regulacin de lnea entre


reguladores serie bsico y mejorado.

21

1.4 Regulador serie lineal.


(d) Reguladores integrados
Reguladores integrados 78XX y 79XX:
Electrnica General 2 Parte

Integran (C.I.) funciones de regulacin y proteccin (sobrecarga, trmica, etc.)


Reguladores especficos positivos y negativos: +5, +9, +12, -5, -9, -12... etc.
Requieren condensadores y radiador trmico externos.

Regulador de tensin simtrico (+/- 12V)


utilizando reguladores serie integrados.

22

1.5 Regulador serie conmutado


(a) Interruptores Ideales y reales

Electrnica General 2 Parte

Caracterstica

INTERRUPTOR IDEAL

INTERRUPTOR REAL

Int. Abierto (OFF)

I=0

I << 1mA

V de circuito

(V < Vmax)

V=0

V > 1 uV

I de circuito

(I < Imax)

Potencia

No limitada

P < Pmax

Tecnologa

No real

Elctrico /

__/ __
Int. Cerrado (ON)
__---__

Electrnico

23

1.5 Regulador serie conmutado

(b) Interruptor MOSFET

Caracterstica

INTERRUPTOR CON
MOSFET

Int. Abierto (OFF)

CORTE

Electrnica General 2 Parte

__/ __

V < Vdsmax
Int. Cerrado (ON)
__---__

LINEAL
Vgs > V
Vds < Vgs-V
Vds > 0V
I < Idmax

Potencia

P = Vds Id
P < Pmax

Tecnologa
MOSFET comerciales y representacin
simblica.

24

Vgs < V

Electrnico
(MOSFET de
conmutacin)

Los transistores MOSFET son ventajosos en


circuitos de conmutacin (frente a BJT).

1.5 Regulador serie conmutado


(c) Convertidor reductor (Buck)

Electrnica General 2 Parte

Regulador (DC/DC) serie conmutado bsico.


Vd circuito de control (CI, controlador integrado).
Vo = (Ton / T) V1 = D V1 ,, T = Ton + Toff (T << 1s) ,, Vo < Vi
Ventajas: - Rendimiento muy alto (~95%).

25

- Reducido tamao de L1 y C1 en frecuencias altas.

1.5 Reguladores serie conmutado


(d) Ejemplo de convertidor reductor (BUCK)
CIRCUIT1.CIR

12.000

Electrnica General 2 Parte

8.000

4.000

0.000

-1.000

0.000m
v(1)
v(2)

0.200m

0.400m

0.600m
T

Ejemplo de respuesta dinmica inicial de un


convertidor reductor:
V1 = 10 V ,, Ton = 0.5 T Vo = 5V
f = 10 kHz (T = 100s)

26

Una vez alcanzado el rgimen permanente,


la tensin Vo es constante (salvo el rizado )

0.800m

1.000m

Electrnica General 2 Parte

Clase 2:
Circuitos Amplificadores
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5

Amplificadores.
Amplificador operacional real.
Amplificadores bsicos con A.O.
Amplificadores con BJT.
Amplificadores de audio.

27

2.1 Amplificadores
(a) Sistema Electrnicos Lineales

Funcin lineal :
Electrnica General 2 Parte

28

f(x+y) = f(x) + f(y)


f(ax) = af(x)

(propiedad de superposicin)
(propiedad homognea)

Es lineal?f(ax+by)=af(x)+bf(y) ?
Circuito electrnico lineal :
Circuito cuya salida (Vo, Io) es funcin lineal de la
entrada (Vi, Ii).
Ejemplo: un amplificador inversor con A.O.
Sistema electrnico lineal:
Sistema complejo (varios circuitos electrnicos) que
realiza una funcin lineal.
Ejemplo: Un amplificador de audio real.

Ejemplo de un sistema
lineal: preamplificador
mezclador

2.1 Amplificadores

(b) Tipos de amplificadores

Electrnica General 2 Parte

Caracterstica

Tipos de Amplificadores

Amplificacin

Tensin Vo = kVi

bsica

Corriente Io = kIi
Otros (Vo = kIi ; Io = kVi)

Potencia

Seal (mW) / Potencia (W)

Tecnologa

Transistores / vlvulas / C.I.

Transistor

BJT, MOSFET, JFET...

Saturacin

Lineales / Conmutados

Frecuencia

Baja f (audio), Alta f (RF)

Aplicaciones

Audio, Video, Instrum., etc.

Representacin simblica
de un amplificador.

29

2.1 Amplificadores

(c) Tipos de amplificadores

Electrnica General 2 Parte

Amplificador integrado de transistores

Amplificador discreto de transistores

30

Amplificador de vlvulas

2.2 Amplificador operacional real.


(a) A.O. Ideal

Electrnica General 2 Parte

El A.O. Ideal es un concepto, un


circuito idealizado. NO es un circuito
real, no requiere alimentarse.
Componentes elctricos ideales (R,
L, C, etc.) tambin son conceptos: los
componentes reales son complejos.
Qu se pretende?: facilitar el diseo
de ciertos circuitos electrnicos.
Smbolo del A.O.

31

2.2 Amplificador operacional real.


(b) A.O. Real

Electrnica General 2 Parte

32

El A.O. real es un circuito integrado


(CI) comercial complejo.
Miles de A.O. (circuitos) diferentes:
RC741, OP27, RC5534...
Ninguno es perfecto.
Consultar hojas caractersticas de
fabricante para seleccionar el ms
adecuado en cada caso.
No es necesario conocer circuito
interno para disear aplicaciones

RC741: Circuito interno equivalente.

2.2 Amplificador operacional real.


(c) Comparacin del A.O. ideal y real

Electrnica General 2 Parte

Caracterstica

A.O. Ideal

A.O. Real

Av (Ganancia en
tensin)

Infinita (Avd)

Limitado (<100.000)

BW (Ancho de
Banda)

Infinito (DC )

Limitado a pocos MHz

Zi (Impedancia de
entrada)

Infinita

<100.000

Zo (Impedancia de
salida)

>100

Saturacin

Imposible

Satura en +Vcc o en -Vcc

Vo

Avd (V(+)-V(-))

Avd (V(+)-V(-)) + Avc


0,5(V(+)+V(-))

Potencia

No limitada

Reducida (mW, W)

(decrece mucho con f)

33

2.2 Amplificador operacional real.


(d) Comparacin de A.O. ideal y real

Electrnica General 2 Parte

Comportamiento en frecuencia de un A.O. real


(LM741) en bucle abierto y realimentado.

34

2.3 Amplificadores bsicos con A.O.


(a) Amplificador inversor

Electrnica General 2 Parte

(A) Amplificador inversor:

Vo = - (R2/R1) Vi

(B) Sumador tensin:

Vo = - (R3/R1) Vi1 - (R3/R2) Vi2

Si Vi > 0 Vo < 0 (Inversor, inversor de fase)


Supuesto bsico: A.O. Ideal V(+) = V(-) V(-) = 0V (tierra virtual)
A.O. Ideal I(+) = I(-) = 0

35

2.3 Amplificadores bsicos con A.O.


(b) Amplificador no inversor

Electrnica General 2 Parte

(C) Amplificador NO inversor:

Vo = (1+R2/R1) Vi

(Vo > Vi)

(D) Seguidor Tensin:

Vo = Vi

(Io >> Ii)

Supuesto bsico: A.O. Ideal V (+) = V(-) = Vi (corto virtual)


A.O. Ideal I(+) = I(-) = 0

36

2.3 Amplificadores bsicos con A.O.

(c) Amplificador diferencial

Electrnica General 2 Parte

Vo = (R2/R1) Vi = (R2/R1) (Vi+ - Vi-)


Vi: Entrada flotante respecto a tierra (0V).
Si Vi+ = 0 Amp. Inversor ,,

Vi- = 0 Amp. No inversor

37

2.3 Amplificadores bsicos con A.O.

(d) Amplificador de instrumentacin con A.O.

Electrnica General 2 Parte

Vo = (R4 / R3) (1+ 2R2 / R1) Vi ,, R1 variable ajusta ganancia.


Vi: Entrada flotante o balanceada.
Ahora, Zi+ = Zi- = No carga etapa anterior
Si R1 = y R2 = 0 Vo = (R4 / R3) Vi (Amplificador diferencial)

38

2.4 Amplificadores con BJT.

(a) Amplificador bsico con triodo.

Electrnica General 2 Parte

Caracterstica de salida (de


nodo) de triodo ECC83.

39

Amplificador bsico con triodo


(circuito autopolarizado)

Durante ms de 50 aos los amplificadores slo se


han realizado con vlvulas de vaco. Actualmente,
apenas se utilizan, salvo aplicaciones de audio.

2.4 Amplificadores con BJT


(b) Circuitos amplificadores bsicos: EC y CC

Electrnica General 2 Parte

Vi: fuente de seal (ej.: audio) ,,

R6, R11: carga ideal

Primer requisito: polarizar adecuadamente (BJT en activa).


Despus, disear amplificador (simulacin).
El montaje en base comn es menos utilizado como amplificador.

40

No se utilizan en potencia.

2.4 Amplificadores con BJT


(c) Emisor Comn

Electrnica General 2 Parte

Amplifica tensin e intensidad en


alterna. En contnua C1 y C2 aislan.
Inversor de fase.
Zi alta y Zo baja.

41

2.4 Amplificadores con BJT


(d) Colector Comn

Electrnica General 2 Parte

Slo amplifica intensidad.


Seguidor de tensin (Av.~1).
Zi alta y Zo baja.

42

2.5 Amplificador de Audio


(a) Caractersticas genricas.
Frecuencias

Audiofrecuencias

(fmin, fmax)

Bsico: 20 Hz 20 kHz

Electrnica General 2 Parte

Mejor: DC 100 kHz


Tipo de Amplificador

Tensin (Vi) / Tensin (Vo)

Preamplificadores

Tensin(Vi) / Corriente(Io)

Etapas potencia

Impedancia de entrada (Zi)

Alta

1K - 100K

Impedancia de Salida (Zo)

Baja (previos)

100 - 1k

Muy Baja (etapas potencia)

0.05 - 1

(THD)

Muy reducida

<< 1%

(P)

Baja (previos)

<10 W

Alta (etapas potencia)

10 - 1000W

Distorsin
Potencia

43

2.5 Amplificador de Audio


(b) Amplificador integrado

Electrnica General 2 Parte

Amplificador estreo con TDA 2030


Esquema simplificado de un amplificador
de audio integrado con TDA2030

CI (TDA2030) simplifica mucho el diseo.


Muy pocos componentes externos.
Potencia limitada por CI y el disipador.

44

Ejemplo: TDA2030 (14W sobre 4).

2.5 Amplificador de audio

(c) Amplificadores con integrados

Electrnica General 2 Parte

LM1875
A.O. de
Potencia

NE5532
A.O. de seal

45

2.5 Amplificador de audio.


(d) Modelo de altavoz.

Electrnica General 2 Parte

Modelo elctrico bsico de


un altavoz electrodinmico
Los amplificadores de audio reales
deben considerar la carga real conectada.
Los amplificadores de potencia deben
dar elevada corriente en su salida.

46

Amplificador de audio realizado con


NE5532 y LM1875

2.5 Amplificador de audio

(e) Etapa de salida bipolar.

Electrnica General 2 Parte

Bloque de salida simplificado de un


amplificador de audio con BJT
Bloque de salida:
Transistores de potencia para audio

Alimentacin simtrica: +Ve, -Ve.


Par complementario de salida: NPN+PNP.
Funcionamiento: clase A, AB o B.
Desplazador de nivel.

47

Amplificador bsico en clase A.

2.5 Amplificador de Audio

(f) Sistemas amplificadores reales

Electrnica General 2 Parte

Circuitos muy complejos.


Multietapa y Multitransistor.
Electrnica de potencia
analgica en la salida.
Requieren una fuente de
alimentacin de potencia.

Amplificador de potencia CYRUS I

48

El diseo de un amplificador de
potencia de audio es complejo y no
est al alcance de principiantes.

Electrnica General 2 Parte

Clase 3:
Circuitos electrnicos no lineales.
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5

Introduccin.
Filtros activos.
Circuitos electrnicos no lineales.
Circuitos controladores.
Electrnica de Potencia.

49

3.1 Introduccin.
(a) Sistema Electrnico no lineal

Funcin no lineal:
Electrnica General 2 Parte

f(ax+by) af(x)+bf(y) f es no lineal.


Circuito electrnico no lineal :
Circuito simple cuya salida (Vo, Io) es funcin no
lineal de la entrada (Vi, Ii).
Ejemplo: un comparador de tensin.
Sistema electrnico no lineal:
Sistema electrnico complejo (varios circuitos)
cuya salida (Vo, Io) es funcin no lineal de la
entrada (Vi, Ii).
Ejemplo: Reproductor de CD.

50

Ejemplo de sistema electrnico


no lineal: reproductor de CD.

3.1 Introduccin.
(b) Sistema Electrnicos no lineales

Circuitos no lineales a estudiar:


Electrnica General 2 Parte

Filtros activos (no lineal en el tiempo...).


Comparadores de tensin.
Generadores de seal (osciladores).
Controladores de motores.
etc.
Circuitos no lineales estudiados:
Rectificadores.
Reguladores serie lineales.
Ejemplo de circuito electrnico no
lineal: comparador de tensin.

Reguladores serie conmutados.


Circuitos de conmutacin.

51

3.2 Filtros activos.

(a) Comportamiento en frecuencia


Diagrama de Bode
Electrnica General 2 Parte

52

Comportamiento en frecuencia de
filtro pasivo paso banda.

3.2 Filtros activos.

(b) Filtros pasivos bsicos con carga

Electrnica General 2 Parte

Efecto de la variacin de carga (resistiva)


sobre filtros pasivos P/B y P/A.
Los filtros pasivos no
admiten variacin de carga.

53

3.2 Filtros activos.

(c) Filtros activos

Electrnica General 2 Parte

Filtros activos: filtrado basado en el uso de


circuitos electrnicos (transistores o
amplificadores operacionales).
F.A. con A.O. : filtros basados en el uso de A.O.,
Incluyen resistencias y condensadores, pero
tratan de evitar las inductancias. Son ms
fciles de disear, pero estn limitados por el
propio A.O. (poca potencia, baja f, saturables,
+/-Vcc, etc.)
Ventajas: Soportan variacin de carga. Diseo
fcil (programas en red).
Clasificacin:
Filtros Ideales (no existen) / reales.
Filtros P/B, P/A, PasoBanda...
Filtros 1 orden, 2 orden...
Efecto del orden del filtro sobre
un filtro paso bajo.

54

3.2 Filtros activos.

(d) Filtrado con transistores

Electrnica General 2 Parte

55

No todos los filtrados requieren


la complejidad (interna) del A.O.
La sencillez del circuito puede
ser ventajosa en ciertos
circuitos de audio. Por ejemplo,
el comportamiento para f altas.

Ejemplo de filtro activo con transistor BJT:


circuito de control de tonos para audio.

El diseo terico no es fcil.


Preferible utilizar simuladores.

Comportamiento en frecuencia del circuito de control de tonos.

3.2 Filtros activos.

(e) Filtros de 1 orden con A.O. (P/B y P/A)

Electrnica General 2 Parte

Filtrado pasivo (R1-C1) + amplificador


(A.O. en modo seguidor): Vo = V+.
Frecuencias de corte (-3dB):
fc1=1/(2R1C1) , fc2=1/(2R2C2)
Pendiente 20 dB/dec = 6 dB/oct
R3 y R4 apenas afectan (si > Rmin...).

56

fc2 = 1591 Hz

3.2 Filtros activos.

(c) Filtros de 1 orden con A.O. (Pasobanda)

Electrnica General 2 Parte

Filtro P/B seguido de filtro P/A.

fc1 = 15.9 Hz

fc2 = 1591 Hz

Ubicar adecuadamente fc1 y fc2.


En audio corresponde a sonidos
medios (elimina BF y AF).
R8 representa la carga.

57

3.2 Filtros activos.

(d) Filtros de 2 orden con A.O. (P/B y P/A)


Topologa: Sallen-Key (realiment. + y -).
Electrnica General 2 Parte

58

fc=1/2RC (R=R1=R2 , C=C1=C2)


Pendiente: 40 dB/dec=12 dB/oct

fc = 159 Hz

efecto del
A.O. real

Filtros simulados con A.O. comercial RC5532

3.2 Filtros activos.

(e) Aplicaciones para Diseo de Filtros

Electrnica General 2 Parte

Programas de diseo de filtros disponibles en red,


Ej.: FilterPro (www.ti.com), FilterLab, etc.
Diseo muy fcil de numerosos filtros diferentes.
Los diseos deben comprobarse en el laboratorio.

59

3.2 Filtros activos.

(f) Filtros pasivos comerciales

Electrnica General 2 Parte

Ejemplo de aplicacin:
Filtro divisor de frecuencias (bafles).
filtro pasivo de 3 vas.
P/B f bajas graves
P/banda f medias medios
P/A f altas agudos
Inductores y condensadores especiales:
Alta potencia
Bajas prdidas
Voluminosos (caros)
Filtro pasivo para audio de 3 vas

60

3.2 Filtros activos.

(g) Filtros activos comerciales

Electrnica General 2 Parte

Ejemplo de aplicacin:
Crossover RANE AC23.
filtro activo de 3 vas estreo:
P/B activo graves.
P/banda activo medios
P/A activo agudos
Mltiples opciones para ajuste de
frecuencias de corte (11 para fc1
y 12 para fc2).

Vista frontal e interior del filtro activo RANE AC23

61

3.3 Circuitos electrnicos no lineales

(a) Circuitos diferenciador e integrador

Electrnica General 2 Parte

La salida NO es amplificacin lineal de la entrada: Vo(t) k Vi(t)


Circuito Diferenciador (derivador): Vo = - RC dVi/dt (OJO con RF)
Circuito Integrador:

Vo =Voi - (1/RC) Vi dt

Aplicacin: circuitos de control, osciladores, etc.

62

(OJO con DC)

3.3 Circuitos electrnicos no lineales


(b) Comparador simple

Electrnica General 2 Parte

Funcionamiento del circuito


comparador simple

Trabaja en saturacin. Dos nicas tensiones de salida.


Si V+ > V- Vo = +Vcc
Si V+ < V- Vo = -Vcc (...OJO V(+) V(-) )

63

Smbolo similar al A.O. pero diferente circuito

3.3 Circuitos electrnicos no lineales


(c) Comparador con histresis

Electrnica General 2 Parte

64

Funcionamiento del circuito


comparador con histresis
Utiliza comparador.
Si V+ > V- Vo = +Vcc
Si V+ < V- Vo = -Vcc
Umbrales de cambio: ViL, ViH

Curva de histresis

3.3 Circuitos electrnicos no lineales


(d) Oscilador bsico de onda cuadrada

Electrnica General 2 Parte

Osciladores (Generadores de seal): generan


seales peridicas.
Pueden ajustar amplitud, f, forma onda...
No hay entradas, ! slo salidas !.
Ejemplo: Generador de onda cuadrada (Vo).
IC1: Comparador con histresis realimentado RC.

Circuito y funcionamiento del


oscilador de onda cuadrada

65

3.3 Circuitos electrnicos no lineales


(e) Oscilador de onda cuadrada y triangular

Electrnica General 2 Parte

66

Pueden ajustar amplitud, f, forma onda...


Ejemplo de oscilador: Generador de onda
triangular (Vt) y cuadrada (Vc).
IC1: Integrador de tensin; IC2: Comparador
con histresis ; R4-DZ: recortador de tensin;
IC3: Seguidor de tensin.
Cambio de f: variando R1 y/o C1

Circuito y funcionamiento del


oscilador de onda triangular.

3.4 Circuitos controladores

(a) Driver
- Driver (excitador): circuito electrnico capaz de controlar adecuadamente una carga,
dando la tensin y corriente requeridas.
Electrnica General 2 Parte

- Carga: circuito pasivo o activo conectado a la salida del driver.


- Ejemplos de cargas: resistencias, rels, luces, motores (AC o DC), alarmas, etc.
- Diseo: cada circuito excitador (driver) se disea para la carga conectada. Un cambio
de carga requiere cambio del circuito driver.

67

Driver para reles

3.4 Circuitos controladores

(b) Driver para leds

Electrnica General 2 Parte

68

- LED: Diodo Emisor de Luz


(emite luz en P.D.)
- Valores tpicos: Vf = 2 V ,
Id = 10 mA , P = 20 mW
- Alto rendimiento lumnico.
- Aplicacin: iluminacin,
pantallas TV, alarmas, etc.
- Regular la corriente en led
evitando superar Imax.

Driver para motores

3.4 Circuitos controladores

(c) Excitador de rel con BJT.

Electrnica General 2 Parte

Circuitos simples de conmutacin con BJT (NPN).


Esquema y smbolo de un
rel electromecnico

La bobina de rel viene modelada por L1.


La resistencia parsita de L1 no se muestra.

69

3.4 Circuitos controladores

(d) Excitador de rel con MOSFET

Electrnica General 2 Parte

Circuitos simples de conmutacin con MOSFET (canal N).

MOSFET es ms fcil de atacar que BJT (Ig = 0).


MOSFET permite mayores frecuencias de conmutacin.

70

3.4 Circuitos controladores


(e) Driver de motor DC
- Motor DC: carga elctrica
compleja.
Electrnica General 2 Parte

- Regular manteniendo la velocidad


y sentido de giro deseados. Evitar
Vmax, Imax.
- M1 a M4 son conmutadores.
- El circuito de control es complejo y
vara para motores AC.

71

3.4 Circuitos controladores


(b) Drivers comerciales

Electrnica General 2 Parte

Circuito de aplicacin del LM3915


( driver para 10 leds)

LMD18245 (driver para


motor de 3A y 55V)
Aplicacin de driver de motor

72

3.5 Electrnica de Potencia

(a) Electrnica de Potencia

Electrnica General 2 Parte

Campo de trabajo especfico del Ingeniero Industrial.


Caracteristicas:
BJT, MOSFET, IGBT, etc. en conmutacin.
Manejo de elevadas potencias (100 W 100 kW)

Puente rectificador
trifsico de potencia.

Alto rendimiento (... 95%).


Conmutan en frecuencias altas (10 kHz 1 MHz).
Tipos de Convertidores de Potencia:
AC/DC , DC/DC , DC/AC y AC/AC.

transistor de potencia
(doble IGBT 50A 1200V)

73

3.5 Electrnica de Potencia

(b) Fuentes Conmutadas

Electrnica General 2 Parte

74

Caractersticas:
Alternativa a los reguladores serie lineales.

Incluyen convertidores AC/DC y DC/DC


conmutando en alta frecuencia (hasta 1 MHz).
Uso extenso en alimentacin de circuitos
electrnicos: ordenadores, TV, audio, etc.

Fuente conmutada comercial

Diversos circuitos caractersticos (topologas).


Ventajas: alto rendimiento y reducido tamao.
Inconvenientes: Diseo complejo, tensiones
peligrosas, alto EMI (interferencias).

Regulador conmutado BUCK

Electrnica General 3 Parte

Parte 3.
Sistemas electrnicos
digitales
S. Toral y F. Barrero

Introduccin

Electrnica analgica y digital: Qu es un SED?


Electrnica General 3 Parte

ANALGICO

DIGITAL

ANALGICO

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

Sistemas que procesan una seal codificada en binario


Electrnica General 3 Parte

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

3HURWDPELpQ
Electrnica General 3 Parte

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

Electrnica General 3 Parte

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

Electrnica General 3 Parte

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

Electrnica General 3 Parte

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

PC-104
Electrnica General 3 Parte

Estndar de ordenador empotrado para aplicaciones industriales


Define las dimensiones y el factor de forma de la placa base y el bus del
sistema (ISA o PCI segn la especificacin)

Es un estndar para mdulos


compatibles con los PCs que pueden
ser apilados uno sobre otro para
crear un sistema de cmputo
empotrado

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

Electrnica General 3 Parte


@rtAC

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

Por qu la Electrnica Digital?


Lo mismo que ahora se hace con electrnica digital, hace unos pocos aos
Electrnica General 3 Parte

10

se haca con elementos analgicos pero:


Poco flexible, nada portable, fiabilidad baja, elevado coste de
mantenimiento

Y dnde queda la Electrnica Analgica? SENSORES

Sistemas electrnicos digitales

Introduccin

Wikipedia
Electrnica General 3 Parte

ENIAC vs Z3
Transistor: Laboratorios BELL (J. Bardeen, W. Houser y W. Bradford)
Jack S. Kilby (Texas Instruments): circuito integrado
Intel 4004: Primer microprocesador

11

Sistemas electrnicos digitales

ndice

Electrnica General 3 Parte

12

1. Estructura general de un Sistema Electrnico Digital


2. Elementos de control de proceso
3. Perifricos
4. Otros elementos y componentes ms bsicos
5. Algn SED de aplicacin industrial

Sistemas electrnicos digitales

Estructura general de un SED

SED
Sistema abierto basado en componentes electrnicos con capacidad de
Electrnica General 3 Parte

procesar datos digitalizados

Componentes de un SED
Componente (o componentes) de control: P, C, DSP, DSC, FPGA, PSoC
Elementos auxiliares o Perifricos
Almacenamiento de informacin
Comunicaciones
Integracin con sensores (CAD/CDA)
2WURVHOHPHQWRVPiVVLPSOHVSXHUWDVOyJLFDV

13

Sistemas electrnicos digitales

Estructura general de un SED

BUSES
Electrnica General 3 Parte

14

MASTER

SLAVES

Sistemas electrnicos digitales

Estructura general de un SED

Electrnica General 3 Parte

Bus de Direcciones: selecciona origen o destino (unidireccional):


M lneas: capacidad de direccionar 2M posiciones/direcciones
Bus de Datos: transferencia de datos (bidireccional)
N lneas: bits transmitidos en paralelo (tamao de los datos)
Bus de Control: heterogneo, depende del microprocesador

15

Sistemas electrnicos digitales

Estructura general de un SED

Caractersticas principales del SED


Electrnica General 3 Parte

1 slo componente de control: MASTER


Muchos perifricos accedidos por lneas elctricas (BUSES): SLAVES
MASTER gestiona los BUSES
Mapa de memoria
Temporizacin del acceso
Elementos simples para garantizar el acceso coherente del MASTER a los
SLAVES: puertas lgicas, multiplexores (mapa de memoria), contadores
(tiempo de acceso)

16

Sistemas electrnicos digitales

Elementos de control de proceso

Electrnica General 3 Parte

Microprocesador
Microcontrolador
DSP Digital Signal Processor
DSC Digital Signal Controller
FPGA (CPLD)
PSoC Programable System on Chip

17

Sistemas electrnicos digitales

Elementos de control de proceso

Ps
Electrnica General 3 Parte

18

DSP: TMS320DM643

PSoC

FPGA

Sistemas electrnicos digitales

Elementos de control de proceso

Caractersticas principales del MAESTRO - I


Intrprete de comandos, con capacidad de ejecutar instrucciones y programas
Electrnica General 3 Parte

creados por los usuarios (acceso a MEMORIA DE PROGRAMA) y de operar


internamente con datos (acceso a MEMORIA DE DATOS).
Sistema sncrono en la ejecucin (CICLO DE EJECUCIN): necesita un

RELOJ.
set instruction address to the address of
the first instruction
while program not finished {
fetch instruction from current instruction address
update current instruction address
execute the fetched instruction
}

http://www.eastaughs.fsnet.co.uk/cpu/execution-fetch.htm

19

Sistemas electrnicos digitales

Elementos de control de proceso

Caractersticas principales del MAESTRO - II


Electrnica General 3 Parte

20

Sistema asncrono o sncrono en el acceso a la informacin (datos o


instrucciones): CICLO DE ACCESO. En todo caso, necesita del RELOJ
Controlador interno para la gestin del acceso
Diagramas de tiempos

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Electrnica General 3 Parte

Almacenamiento: Memorias
Convertidores
Comunicaciones
Otros

INFO

PERIFRICOS
Dispositivos electrnicos ms o menos complejos que
ayudan al P en el procesamiento que realiza y que es
accedido en lectura/escritura

21

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Principales tipos de Perifricos


Electrnica General 3 Parte

22

ALMACENAMIENTO DE INFORMACIN (PROGRAMAS Y DATOS)


La informacin manejada por el SED debe conservarse
ADAPTACIN DIGITAL-ANALGICA: CONVERSIN
El SED procesa datos digitales generados a partir de sensores (CAD) y genera
actuacin mediante actuadores que se controlan de forma analgica (CDA)
TRANSFERENCIA DE INFORMACIN: COMUNICACIN
El SED necesita habitualmente transferir informacin a otros SEDs

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Almacenamiento: Memorias
Electrnica General 3 Parte

Qu es una memoria?
Es un dispositivo que es capaz de proporcionar un medio fsico
para almacenar la informacin procesada por un sistema digital
SED: memorias de semiconductoras

Para qu se emplean?
Para almacenar programas y datos en Sistemas Microprocesadores
Qu es una palabra?
Es un grupo de bits a los que se puede acceder de manera simultnea
Memorias x8, x16, x32
Qu es una direccin?
Es la posicin de identificacin de una palabra en memoria

23

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Electrnica General 3 Parte

(Ai) Lneas de
Direcciones

CE

Decodificador
de direcciones

Almacenamiento: Memorias

Matriz de Celdas
de
Memoria

Control

Circuito de E/S

OE

(Di) Lneas de Datos


24

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Almacenamiento: Memorias
Clasificacin
Electrnica General 3 Parte

Tecnologa de
almacenamiento
No voltil
Voltil
ROM
Esttica - Dinmica
PROM
SRAM
DRAM
EPROM
FIFO
EEPROM
FLASH

Tipo de acceso
Asncrono - Sncrono
ROMs
ASRAM

25

SDRAM
SBSRAM

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Almacenamiento: Memorias
ROM, PROM, EPROM
Electrnica General 3 Parte

Electrnica Digital?

26

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Almacenamiento: Memorias
EEPROM y FLASH
Electrnica General 3 Parte

Electrnica Digital?

27

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Almacenamiento: Memorias
Electrnica General 3 Parte

DRAM

ASRAM

Biestables

1 transistor
(C parsita)

Electrnica Digital?

28

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Almacenamiento: Memorias
Dispositivos especiales
Electrnica General 3 Parte

FIFO

DPRAM

29

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Convertidores
ADC Analog to Digital Converter, Circuito encargado de convertir una seal
analgica en digital
Electrnica General 3 Parte

30

DAC Digital to Analog Converter, Circuito encargado de convertir una seal digital
en analgica
Sample & hold Obtencin de muestras peridicas de la amplitud de la seal
analgica
Frecuencia de muestreo Nmero de muestras por segundo
Codificacin Traduce los valores obtenidos durante la cuantizacin a valores
binarios segn la resolucin (no. de bits) del convertidor

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Convertidores

Electrnica General 3 Parte

Sample & Hold

31

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Convertidores
Resolucin
Electrnica General 3 Parte

Seal Analgica

Seal Digital
32

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Convertidores
Clasificacin
Electrnica General 3 Parte

CDA

DACOUT

33

VOUT

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Convertidores
CDA
Electrnica General 3 Parte

Red de resistencias ponderadas

Red de resistencias R-2R

Electrnica Digital?

34

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Electrnica General 3 Parte

Convertidores
CAD
Bucle Abierto

Bucle Cerrado

Flash
Rampa
V/f

Aproximaciones
Sucesivas

35

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Convertidores
CAD
Electrnica General 3 Parte

36

Flash
R
2

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Convertidores
CAD
Aproximaciones sucesivas

VIN

Electrnica General 3 Parte

VDAC

37

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Comunicacin serie
Electrnica General 3 Parte

Sncrona

clk
data
B0

38

B1

B2

B3

B4

B5

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Comunicacin serie
Electrnica General 3 Parte

Asncrona

Start
B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6
Stop bits
bit
Parity
39

Sistemas electrnicos digitales

Perifricos

Ejemplos de comunicacin SERIE


Electrnica General 3 Parte

Baudios: Bits transmitidos/segundo


40

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Puertas lgicas
Para qu sirven? base de la electrnica digital
Electrnica General 3 Parte

lgebra de BOOLE

41

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Puertas lgicas
Definicin y familias lgicas
Electrnica General 3 Parte

Base de la lgica combinacional: la salida depende slo de la entrada


Puerta lgica ideal:

Familia lgica: misma tecnologa de fabricacin


(presentan caractersticas similares en sus
entradas, salidas y circuitos internos).
2000

42

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Puertas lgicas
Caractersticas de la puerta real
Electrnica General 3 Parte

Tiempos
IOH
IOL

IIL

Niveles de tensin
VOH, VIH, VOL, VIL

IIH

Mrgenes de ruido
Niveles de corriente
IOH, IOL, IIH, IIL

HAY FAMILIAS QUE NO SON


COMPATIBLES ENTRE S

FAN-OUT
Puertas posibles a la salida de
la considerada

43

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Puertas lgicas
(MHPSOR,QWHULRUGHODSXHUWDOyJLFDGHWHFQRORJtD77/WLSR127
Electrnica General 3 Parte

44

275$67(&12/2*$6),-$1(/<(/
 6$/,'$727(0-POLE) O GENERAN
6$/,'$75,(67$'2 =

Fija un estado de salida: 


Rpull-up SDUDILMDUHO

Puerta lgica
de tecnologa
CMOS tipo
NOT

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Puertas lgicas
Algn dispositivo comercial
Electrnica General 3 Parte

45

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Biestables
Base de la lgica secuencial: ALMACENAMIENTO. Tienen realimentacin y la
salida depende no slo de la entrada sino tambin de la salida/estado anterior
Electrnica General 3 Parte

Biestable RS

Biestable JK
J

Asncrono

0
0
1
1

Sncrono
(nivel/flanco)

0
1
0
1

Qk
0
1
NOT(Qk)

Biestable T
T
0
1

46

Qk+1

Qk+1

Qk
NOT(Qk)

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Biestables
Biestable D (REGISTRO: Almecenamiento de BIT)
Electrnica General 3 Parte

D
0
1

Qk+1

LATCH vs FLIP-FLOP

0
1

Dispositivos comerciales con seales externas de


inicializacin asncrona CLEAR/PRESET
47

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Biestables
Ejemplo de registro de desplazamiento con biestables D
Electrnica General 3 Parte

48

74HC595 8 bits

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Codificadores, decodificadores
Electrnica General 3 Parte

49

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Multiplexores y demultiplexores
Electrnica General 3 Parte

50

X0 X1 X2 X3

A
B

74LS151

Sistemas electrnicos digitales

Otros elementos y componentes ms bsicos

Contadores
Electrnica General 3 Parte

51

Sistemas electrnicos digitales

Ejemplos

Ejemplo de diseo de SED


Electrnica General 3 Parte

PLANTEAMIENTO

Sistemas electrnicos digitales

Ejemplos

Ejemplo de diseo de SED


SOLUCIN
Electrnica General 3 Parte
Sistemas electrnicos digitales

Problema 1: Realizar las funciones lgicas AND, OR, NAND, NOR, XOR y XNOR de la dos
seales A y B que se muestran:

Problema 2: Dada la funcin lgica que figura a continuacin, escribir su tabla de verdad:

Problema 3: Dada la tabla de verdad que figura a continuacin, determinar la funcin lgica
simplificada utilizando los mapas de Karnaugh:

Problema 4: Dada la tabla de verdad que figura a continuacin, determinar la funcin lgica
simplificada utilizando los mapas de Karnaugh:

Problema 5: Resolver el siguiente comparador de palabras de dos bits:

Problema 6: Resolver la siguiente funcin lgica mediante el uso de multiplexores:


A
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1

B
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1

C
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1

D
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1

f
0
1
0
1
1
1
1
1
0
1
0
0
1
0
1
0

Problema 7: Considrese el depsito de la figura que consta de 2 sensores de nivel A y B y un


actuador X que permita el llenado del depsito. El objetivo es mantener el nivel del depsito
entre los sensores A y B, utilizando para ello la actuacin X.

La tabla siguiente muestra la secuencia de operaciones que tendra lugar en el depsito para
distintos valores de los sensores. Inicialmente el depsito est vaco y los sensores A y B a cero.
POr tanto, la actuacin deber ser un 1 para que comience a llenarse. A continuacin, se
activara el sensor B, pero el depsito seguira llenando hasta superar el umbral A. Cuando se
supera este umbral, el depsito debe vaciarse (X=0) hasta que el nivel vuelva a quedar por
debajo del nivel B, situacin en la que volvera de nuevo a llenarse.

Puede observarse que ante dos entras iguales A=0 y B=1, la respuesta es distinta dependiendo
del estado en el que se encuentra el depsito, que puede ser llenndose o vacindose.
Para poder resolver el circuito, es necesario guardar memoria del estado del depsito
mediante un biestable, que almacene el estado actual del depsito (llenando o vaciando).

Biestable tipo D
D

1 Llenando
0 Vaciando

CLK

La salida Q del biestable representa el estado actual, vaciando o llenando, en tanto que su
entrada D ser el estado siguiente al que debe cambiar el biestable. Para resolver el circuito,
consideraremos A, B y Q (estado) como entradas y X y D como salidas. La salida X depender
no slo de las entradas A y B, sino tambin del estado del depsito.

La tabla siguiente se interpreta de la siguiente forma: cuando las entradas A y B son cero, la
salida debe ser llenar el depsito (X=1) y el estado siguiente llenndose (D=1),
independientemente del estado actual del depsito.
Cuando las entradas A y B son, respectivamente, 0 y 1, la salida depende del estado. Si el
estado es llenndose (Q=1), la salida X debe ser 1, seguir llenando, y el estado siguiente debe
permanecer en llenndose (D=1). Pero si el estado es vacindose, entonces tanto la salida X
como el estado siguiente deben de ser cero, para que el depsito siga vacindose y contine
en ese estado.
Cuando las entradas A y B son ambas 1, el depsito supera su umbral mximo y por tanto debe
empezar a vaciarse y conmutar su estado a vacindose, independientemente del estado en
que estuviese.
Finalmente, la entrada A=1 y B=0 es un caso imposible, ya que si el depsito supera el umbral
A tambin tiene que superar el nivel B.
La solucin de la tabla anterior se puede obtener simplificando la tabla de verdad:

AB
0

00 01 11 10
1 0 0 X

X=QA+B
D=X
Y el circuito final quedara:

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Electrnica General 2 Grado


Ingeniera en Tecnologas Industriales
Departamento de Ingeniera Electrnica
Escuela Superior de Ingeniera
Universidad de Sevilla

Prctica 1
Introduccin al laboratorio de electrnica
Profesores de la prctica: Federico Barrero (fbarrero@esi.us.es),
(toral@esi.us.es), Bernardo Palomo (bpv@gte.esi.us.es)

Sergio

Toral

Responsable asignatura: Federico Barrero


Responsable prcticas: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es)
Autor de la prctica: Francisco Perdigones

1.- Introduccin y objetivos


En esta prctica se presenta el laboratorio de electrnica. Por un lado, se analizarn los
dispositivos electrnicos bsicos sin entrar en detalle en su funcionamiento. Dicho
funcionamiento ser desarrollado en la parte terica de la asignatura (parte 1). Por otro lado, se
presentar y explicar el funcionamiento del instrumental de laboratorio usado y se detallar el
material auxiliar utilizado en el laboratorio, como son cables banana-cocodrilo, placas de
pruebas, etc.

Objetivos perseguidos:
1) Familiarizarse con los instrumentos y materiales de un laboratorio de electrnica y saber
manejarlos a nivel bsico.
2) Distinguir los diferentes componentes electrnicos.

-1-

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

I) Dispositivos electrnicos
Los dispositivos electrnicos se podrn ver en el muestrario entregado por el profesor
durante el desarrollo de la prctica.

a) Resistencia
La resistencia es el componente electrnico ms bsico. Limita el paso de corriente en
la conexin elctrica en la que se ubica, generando una diferencia de tensin en sus bornas
o terminales directamente proporcional al valor de la resistencia y a la corriente que circula.
En el muestrario se vern distintos tipos de resistencias que se pueden localizar en el
mercado: de potencia, SMD y de seal (las resistencias de seal sern las que se usen
durante el desarrollo de las prcticas). El smbolo de este componente es:

Fig.1. Smbolo de una resistencia.

El valor de la resistencia se puede calcular empleando el cdigo de colores descrito en


la Fig. 2, gracias a que las resistencias de seal incorporan en su carcasa este cdigo de
colores por norma.

Fig.2. Cdigo de colores para resistencias de seal de 4 y 5 bandas.


-2-

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

b) Resistencias variables (potencimetros)


Los potencimetros son resistencias variables cuyo valor se puede controlar
externamente. Estos componentes constan de tres terminales, como se ve en la Fig.3. Entre
dos terminales (terminales 1 y 2 en la Fig. 3) aparece siempre un valor de resistencia fijo. El
tercer terminal se denomina terminal variable porque el valor de resistencia entre l y el
resto de terminales, vara. El valor que define al potencimetro es la resistencia que aparece
entre los terminales 1 y 2 (mximo valor de resistencia que se puede alcanzar entre el
terminal variable y el resto). Hay potencimetro de 1k, 10k, 100k, , y en general, de casi
cualquier valor.

Fig.3. Estructura de un potencimetro.

c) Condensadores
El condensador es otro componente electrnico muy comn. Su smbolo es el siguiente:

Fig.4. Smbolo del condensador. El signo positivo determina la polaridad del componente. El terminal del
condensador marcado con el + debe tener siempre un nivel de tensin superior al otro terminal.

Existen distintos tipos de condensadores, como puede observarse en el muestrario de la


prctica. Se vern el condensador electroltico, el de polister y el condensador cermico,
donde el primero presenta polaridad y los restantes no.
En cuanto a la lectura de su valor, el condensador electroltico tiene claramente escrito
su valor en la propia carcasa, as como la tensin mxima de trabajo y el terminal negativo,
que ser el correspondiente a la banda lateral de la carcasa.
Cuando el tamao del condensador no permite presentar claramente su valor, cermicos
normalmente, se recurre a la notacin de tres dgitos, con dos cifras significativas y el
multiplicador o exponente. En este caso las unidades sern picofaradios (pF, 110-12 F).
Existen otros modos de representacin del valor de estos condensadores, como se vern
en la Tabla 1.

-3-

Prctica 1. Electrnica General


Casos
1
2
3
4

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Tabla 1
Texto de carcasa
Valor del capacidad
0.047 (.047)
0.047 F = 47 nF
564
560000 pF = 560 nF
4p7
4.7 pF
47
47 pF

Caso 1: la capacidad en decimales tiene como unidades F. En algunos casos debido a


razones de espacio no se representa el primer cero.
Caso 2: notacin de tres dgitos. En este caso los dos primeros dgitos son las cifras
significativas, mientras que el tercero indica el nmero de ceros tras la segunda cifra.
Las unidades en pF.
Caso 3: las unidades son pF. El nmero a la derecha de la p es el decimal.
Caso 4: El nmero representa el valor de la capacidad en pF.
Otros casos: representacin mediante cdigo de colores. Este tipo de cdigo est
prcticamente en desuso.
Las letras maysculas que aparecen en la carcasa a la derecha de los nmeros determina
la tolerancia del componente.

d) Diodos
Los diodos son componentes semiconductores formados por uniones pn, como se ver
en teora a lo largo del curso. Los diodos bsicos son, rectificador y el zener. Sus smbolos,
son los siguientes:

Fig.5. Smbolos del diodo rectificador y del zener.

Los diodos son componentes de dos terminales, nodo (A) y ctodo (K). Para distinguir
entre los terminales, basta con saber que el ctodo es el terminal que se corresponde con la
banda presente en la carcasa del componente.
Los diodos no tienen valores impresos en la carcasa. En su lugar, se encuentra el
nombre que le proporcion el fabricante. Por tanto, para saber sus caractersticas es
necesario acudir a la hoja de caractersticas del modelo correspondiente, tambin conocida
como datasheet. En el caso de los zener, su valor nominal viene impreso en el
componente.

e) Transistores
Los transistores son componentes semiconductores de tres terminales que tambin sern
vistos en teora a lo largo del curso. Bsicamente hay dos tipos, bipolares (Bipolar Junction
-4-

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Transistor, BJT) y MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Su


smbolo, entre otros, es el siguiente:

Fig.6. Smbolo del transistor. Entre parntesis, notacin para el BJT.

Al igual que los diodos, los transistores tienen en su carcasa la referencia, y todas sus
caractersticas fsicas y elctricas pueden encontrarse en los datasheets.

f) Circuitos integrados
Los circuitos integrados o chips, Fig.7, constan de componentes electrnicos para hacer
una determinada funcin. Estos componentes se encuentran integrados en una misma rea
de material semiconductor. Los chips estn protegidos por un encapsulado que tambin
permite la conexin estndar en un sistema ms complejo.
Las caractersticas, dimensiones y limitaciones de los circuitos integrados vienen
recogidas en datasheets. De igual manera que en los casos anteriores, la referencia del
componente viene grabada en el modelo.

Fig.7. a) Circuito integrado y b) circuito encapsulado.

II) Instrumentos de laboratorio


Los Laboratorios de Electrnica de la Escuela disponen de diferente equipamiento. Los
puestos de prctica del mismo laboratorio pueden diferenciarse entre s (modelos y equipos
diferentes del mismo instrumento). Por ello, el alumno que est asignado a un
laboratorio y a un puesto deber asistir siempre a los mismos porque el examen
deber realizarlo en el laboratorio y puesto que tenga asignados. Obsrvese que aunque
se aprenda a manejar un instrumento particular, los conocimientos adquiridos en este
manejo podrn extrapolarse a otros instrumentos que tengan la misma funcin. Se exponen
a continuacin distintos tipos de instrumentos de laboratorio disponibles en la Escuela de
Ingenieros.

a) Fuente de alimentacin
La fuente de alimentacin es un dispositivo que se usa para proporcionar tensin
continua a un circuito electrnico. Se dispone de varios tipos, dependiendo del laboratorio y
puesto, siendo los dos principales los que se presentan en las siguientes figuras, cuyos
principales elementos se comentan a continuacin.

-5-

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Tipo 1

Fig.8. Fuente de alimentacin HAMEG.

1.- Botn que activa y desactiva las salidas de tensin de la fuente. Durante la conexin/
desconexin de cables al circuito, este botn debe estar en modo (OFF). Slo estar (ON)
durante la toma de medidas.
2.- Botn que indica el tipo de medida que aparece en el display: tensin (V) o corriente
(mA). Este botn durante todas las prcticas, salvo que se diga lo contrario, deber estar en
la posicin V: haca fuera.
3.- Ruedas de ajuste Fino (FINE) y grueso (COARSE), para ajustar el nivel de tensin
deseado a la salida de las dos fuentes programables entre 0 y 20 V que aparecen debajo
(bornas azul y rojo).
4.- Terminar positivo de la fuente de tensin fija de 5V.
5.- Terminar de tierra de la fuente de tensin fija de 5V.
6.- Fuentes de tensin variable de 0 a 20 V. La conexin roja (borna roja) es la positiva y la
azul, la negativa o referencia.

b) Multmetro
El multmetro es un dispositivo que se usa para medir tensin, valores de resistencia y
para comprobar la continuidad en terminales elctricos (como en cables). Disponemos de
dos tipos de multmetros:

Tipo 1

Fig.10. Multmetro HAMEG.

1.- Botn para indicar que se desea realizar una medida del valor de una resistencia.
2.- Botn para indicar que se desea medir tensin.
-6-

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

3.- Terminal negativo o referencia para la medida.


4.- Terminal positivo para la medida de tensin y resistencia. Los terminales 10A y mA no
se usarn.
5.- Rueda para ajustar el rango de escala de las medidas a tomar.

c) Generador de seales
El generador de seales es un instrumento que permite tensiones variables, con distintos
tipos de forma de onda (recurdese que la fuente de alimentacin tambin permita generar
tensiones, pero constantes). Por tanto, permite configurar la frecuencia y la amplitud de las
ondas de tensin a generar. Los dos principales generadores disponibles en el laboratorio
son (el funcionamiento del resto de tipos es muy similar a los presentados y las dudas sobre
su funcionamiento se resolvern durante la prctica):

Tipo 1

Fig.13. Generador de funciones HAMEG.

1.- Rueda de ajuste del offset de la tensin de salida.


2.- Este botn activa y desactiva el offset de la tensin de salida.
3.- Rueda de ajuste del valor de la amplitud de la tensin de salida.
4.- Salida (conexin BNC).
5.- Seleccin del tipo de onda de tensin de salida.
6.- Rueda de ajuste del valor de la frecuencia de la tensin de salida.

d) Osciloscopio
El osciloscopio es el instrumento que se usa para visualizar las formas de onda en
cualquier punto accesible del circuito. No olvidar que el nico componente auxiliar que se
puede conectar al osciloscopio es la sonda (que se mostrar ms adelante). Disponemos,
entre otros, de los dos tipos de osciloscopios que se muestran a continuacin:

-7-

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Tipo 1

Fig.14. Osciloscopio TEKTRONIX.

1.- Conector BNC para la sonda. Se disponen en este caso de dos canales (CH1 y CH2)
de entrada, en los que se pueden conectar dos seales que se desean visualizar. El
conector BNC etiquetado como EXT TRIG no se emplear en este curso (est
relacionado con la posibilidad de configurar una seal externa para realizar el trigger o
disparo que permitir visualizar las seales de los dos canales de entrada en la pantalla
del osciloscopio).
2.- Rueda de control de la escala vertical del canal 1 (V/divisin). Existe otro similar
para el canal 2.
3.- Botn de men del canal 1. Existe otro similar para el canal 2.
4.- Ruedas de control de la escala horizontal (tiempo/divisin).
5.- Rueda de configuracin del disparo (trigger). El disparo o trigger (la tensin de las
seales visualizadas en los canales alcanza un nivel de tensin determinado, tiene un
cambio brusco o genera una combinacin de eventos programados) permite definir el
instante a partir del cual el osciloscopio captura datos para mostrarlos por pantalla.
6.- Botn de cursores (los cursores permiten al usuario establecer dos puntos en la
escala horizontal o vertical entre los que medir la diferencia).
7.-Botn de medidas. Permite obtener de forma automtica ciertas medidas de la forma
de onda visualizada.
8.- Rueda para posicionar la referencia de tierra de un canal.
9.- Rueda de posicionamiento de los cursores.
10.- Botones de seleccin de medidas y caractersticas.

III) Material auxiliar de laboratorio


a) Placas de pruebas
Las placas de pruebas, Fig.16, sirven para montar un circuito y probar su
funcionamiento antes de ser fabricado, y despus de ser simulado. Constan de una serie de
perforaciones (algunas de ellas conectadas entre s) que hacen las funciones de nodos del
circuito donde se insertarn los componentes.

-8-

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Fig.16. Placa de pruebas.

b) Cables: banana-banana y banana-cocodrilo


Estos cables, Fig.17, se usarn para realizar las conexiones con la fuente de alimentacin y
el multmetro. El trmino banana se refiere a que en un extremo de cable se tiene un conector
en forma de picho, mientras que el trmino cocodrilo se refiere a un conector en forma de
pinza.

Fig.17. Cable banana-cocodrilo.

c) Cable BNC-cocodrilo
Este tipo de cable se presenta en la Fig. 18. Se usar nicamente para el generador de
seales. En su extremo tiene un conector BNC y en el otro dos conectores tipo cocodrilo.
NUNCA PARA EL OSCILOSCOPIO.

Fig.18. Cable BNC-cocodrilo.

-9-

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

d) Sonda
La sonda es un componente auxiliar del osciloscopio, Fig.19. En un extremo tiene un
conector BNC, que ser el que se conecte al canal del osciloscopio, y en el otro un conector
que se usar para tomar las seales que se quiera representar en la pantalla (este extremo se
conectar por tanto en el punto del circuito cuya tensin elctrica deseemos medir y
visualizar en el osciloscopio). SLO PARA OSCILOSCOPIO.

Fig.19. Sonda de osciloscopio.

2.- Desarrollo de la prctica


En esta seccin se explica paso a paso las tareas a realizar durante la prctica. Con esta
prctica se pretende que el alumno consiga cierto manejo de los equipos de un laboratorio de
electrnica.

a) Determinacin de valores de las resistencias


-

Usar las resistencias del muestrario.


Determinar su valor con el cdigo de colores, siempre que sea posible.
Obtener/comprobar dichos valores con el multmetro.

Para ello:
1234-

Usar dos cables banana-cocodrilo. Uno rojo y otro negro.


Conectar al multmetro configurado para medir las resistencias.
Conectar los cocodrilos a los extremos de las resistencias.
Rellenar la tabla con las medidas realizadas.
Caso
1
2
3
4
5

Cdigo colores (k)

- 10 -

Multmetro (k)

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

b) Medida de la tensin y la corriente en un circuito simple


1- Generar con la fuente de alimentacin una tensin de 6.0 V.
2- Medir con el multmetro dicha tensin antes de conectarla al circuito, para ello usar los
cables banana-cocodrilo.
3- Seleccionar la tensin en la fuente, a la que se conectan la parte banana de los cables.
El rojo a la tensin positiva y el negro a la tierra.
4- Conectar los otros extremos al multmetro y realizar la medida de la tensin continua.
5- Desconectar los cocodrilos del multmetro y conectarlos al circuito de la placa de
pruebas. El cocodrilo rojo se conecta a la pata libre de una de las resistencias R1
mientras que el negro se conectar a la para libre de la otra resistencia R2.
6- Medir la tensin entre las patas de la resistencia de R1 usando el multmetro. Para ello
sern necesarios otra pareja de cables banana-cocodrilo. Medir tambin la tensin entre
las patas de R2. Rellenar la tabla con las medidas realizadas.
7- Calcular tericamente la corriente por el circuito usando la Ley de Ohm y los
valores medidos, tanto de tensin como de resistencia. I=V/R. Completar la tabla con
ese clculo.

V(fuente)
(V)

R1
(k)

R2
(k)

V(R1)
(V)

V(R2)
(V)

I(R1)=I(R2)
(mA)

V(R1)+ V(R2)
(V)

c) Generacin de ondas con los parmetros dados


1234567-

Usar el generador de seal, el cable BNC-cocodrilo y el osciloscopio con una sonda.


Conectar el cable al generador de seal.
Configurar la onda que se pedir en la prctica, (tipo, amplitud y frecuencia).
Conectar la sonda al osciloscopio.
Conectar el cocodrilo rojo del cable con la punta de la sonda.
Conectar el cocodrilo negro del cable con el cocodrilo negro de la sonda.
Configurar la pantalla del osciloscopio en voltios por divisin y tiempo por divisin
como se indique en la prctica.
8- Dibujar la onda visualizada en el osciloscopio, indicando frecuencia, periodo, valor
mximo y mnimo de tensin.

- 11 -

Prctica 1. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Pantalla de osciloscopio

Frecuencia (Hz)

Periodo (s)

Valor mximo de tensin


(V)

- 12 -

Valor mnimo de tensin


(V)

Prctica 2. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Electrnica General 2 Grado


Ingeniera en Tecnologas Industriales
Departamento de Ingeniera Electrnica
Escuela Superior de Ingeniera
Universidad de Sevilla

Prctica 2
Preamplificador de audio con etapa de
potencia
Profesores de
(toral@esi.us.es)

prcticas:

Francisco

Perdigones

(perdi@zipi.us.es),

Sergio

Toral

Responsable asignatura: Federico Barrero


Responsable prcticas: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es)
Autores de la prctica: Agustn Garca, Francisco Perdigones

1.- Introduccin y objetivos


En esta prctica se va a trabajar con varias topologas del transistor bipolar en modo
lineal, as como con un circuito pasivo de correccin de tono. Para ello se dispone de un
circuito que integra:
1. Preamplificador de audio con ajuste de volumen y ecualizador de dos bandas
(graves y agudos).
2. Etapa de potencia de 2W en clase AB.

2.- Descripcin del circuito


El diagrama de bloques del circuito completo es el siguiente:

-1-

Prctica 2. Electrnica General


Alimentacin

Entrada
de seal

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Filtro de entrada/
Proteccin contra
inversin de
polaridad

Etapa de
ganancia en
tensin

Control de
volumen

Ecualizador 2
bandas tipo
Baxandall

Buffer de
salida

Etapa de
potencia
clase AB

Salida
de seal

Fig.1. Diagrama de bloques del circuito.


a) Control de volumen:
Esta etapa controla la amplitud de la seal que es introducida en el circuito. Est formada
por el potencimetro POT2, que trabaja como un divisor de tensin resistivo.
b) Etapa de ganancia en tensin:
Esta etapa realiza la amplificacin necesaria para compensar la atenuacin que sufre la
seal en el bloque de ecualizacin. Este bloque est constituido por el transistor Q2, que trabaja
en emisor comn, junto con sus respectivas resistencias de polarizacin.
La configuracin en emisor comn presenta las siguientes caractersticas:
1. Alta impedancia de salida.
2. Alta ganancia.
Este tipo de configuracin trabaja en clase A, lo cual quiere decir que por el transistor est
conduciendo corriente permanentemente. De esta manera el rendimiento energtico de esta
configuracin ser siempre menor del 50%.
c) Ecualizador de dos bandas tipo Baxandall:
Este bloque realiza la correccin de graves y agudos de la seal, empleando para ello un
circuito pasivo formado por resistencias y condensadores denominado ecualizador tipo
Baxandall.
d) Buffer de salida:
Esta etapa est constituida por el transistor Q1, que trabaja en colector comn, junto con
sus resistencias de polarizacin. Al igual que la etapa de ganancia en tensin, trabaja en clase
A. La configuracin en colector comn presenta las siguientes caractersticas:
1. Alta impedancia de entrada.
2. Baja impedancia de salida.
3. Ganancia unidad.
De esta manera, el objetivo de este bloque es adaptar la impedancia entre el bloque
ecualizador y la etapa de potencia.
e) Etapa de potencia clase AB:
Este bloque realiza la amplificacin final en tensin y en corriente de la seal a fin de
poder conectar un altavoz a la salida. Esta etapa se encuentra formada por Q5, que realiza la
amplificacin en tensin, seguido de los transistores Q3 y Q4, los cuales trabajan en clase AB y
son los encargados de proporcionar la corriente necesaria para manejar el altavoz.
-2-

Prctica 2. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

f) Filtro de entrada/Proteccin contra inversin de polaridad:


Este bloque tiene varios objetivos:
Filtrado de la tensin de alimentacin mediante los condensadores C11 y C12.
Proteccin contra inversiones de polaridad mediante el diodo D3.
Indicacin de la correcta alimentacin del circuito mediante los LEDs D5 y D6.

3.- Material necesario.

Circuito proporcionado en la prctica.


Fuente de alimentacin.
Generador de funciones.
Osciloscopio.
Cables de conexin y medida.

Fig.2. Seccin del preamplificador.

-3-

Prctica 2. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Fig.3. Etapa de potencia y bloque de alimentacin.

Fig.4. Ubicacin en el PCB de los elementos necesarios para la realizacin de la prctica.

4.-Desarrollo de la prctica.
4.1. Caracterizacin del control de volumen y de la etapa preamplificadora.
1. Alimentar la placa con 9V entre el pin Vcc y uno de los pines GND.
2. Programar el generador de funciones para obtener una seal senoidal de 1 kHz de
150mVP y aplicarla a la entrada del circuito (terminal P1).
3. Girar el potencimetro de volumen a tope en sentido horario.
4. Monitorizar el punto de pruebas P3 con el osciloscopio y comprobar cmo, al variar el
potencimetro de volumen, vara la amplitud de la seal entre 0VP y unos 1.4VP.
-4-

Prctica 2. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

5. Con el potencimetro de volumen girado a tope en sentido horario, calcular la ganancia


de la etapa preamplificadora empleando la siguiente frmula:

6. Comprobar el efecto del condensador de desacoplo C2 visualizando con el osciloscopio


la seal en P2 y en P3. Qu diferencia hay entre ambos puntos?
4.2. Caracterizacin de la etapa de ecualizacin y del buffer de salida.
1. Girar el potencimetro de volumen a tope en sentido horario.
2. Colocar los potencimetros de Graves y Agudos en su posicin media.
3. Programar el generador de funciones para obtener una seal senoidal de 1 kHz de
150mVP y aplicarla a la entrada del circuito (terminal P1).
4. Anotar el nivel de seal en el punto P5, el cual denominaremos VREF:

VREF =

mVP


 


5. Colocar el potencimetro de graves al mximo. Mantener la amplitud de la seal de


salida del generador de funciones y medir en P5 con la ayuda del osciloscopio la
amplitud de la seal en mVP para cada frecuencia marcada en la grfica. Calcular la
ganancia en cada punto con la siguiente expresin:

Fig.5. Diagrama de respuesta en frecuencia (Bode).

-5-

Prctica 3. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Electrnica General 2 Grado


Ingeniera en Tecnologas Industriales
Departamento de Ingeniera Electrnica
Escuela Superior de Ingeniera
Universidad de Sevilla

Prctica 3
Puente H
Profesores de la prctica: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es), Sergio Toral
(toral@esi.us.es)
Responsable asignatura: Federico Barrero (fbarrero@esi.us.es)
Responsable prcticas: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es)
Autores de la prctica: Francisco Perdigones, Antonio L. Rodrguez

1.- Introduccin y objetivos


El puente H es un circuito cuya funcin es controlar el sentido y velocidad de giro de un
motor de corriente continua. Permite elegir entre avance o retroceso, siendo el primero el giro
en sentido horario y el segundo en sentido contrario. Este tipo de circuito es muy usado en
robtica para conseguir movimientos giratorios. En cuanto a su configuracin, existen circuitos
integrados que realizan la funcin del puente en H, pero tambin puede realizarse con
componentes que se vieron en la prctica 1. En nuestro caso, no usaremos circuitos integrados.
El Puente H es un circuito que contiene en su forma ms simple 4 transistores Q1 Q4. Recibe
su nombre por la forma en H con la que normalmente se representa el circuito, Fig. 1.

Fig. 1. Esquema bsico de un Puente H (actuador de motor).


-1-

Prctica 3. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

La parte superior del puente se conecta a la tensin de alimentacin mientras que la parte
inferior se conecta a tierra. La carga (motor, bombilla y otros dispositivos) se conecta en la
parte central. Los transistores, sean BJT o MOSFET, se operan siempre en los estados de corte
o saturacin lo que simplifica su anlisis: los transistores pueden verse como interruptores que
pueden estar abiertos o cerrados (Fig. 2).

Fig. 2. Circuito equivalente de un puente H con interruptores.

En general, se podra abrir o cerrar cada transistor de manera independiente, pero hay una
restriccin obvia: Los dos transistores de una misma rama no pueden conducir al mismo
tiempo o se producira un cortocircuito que quemara los transistores (Fig. 3).

Fig. 3. Cortocircuito en una rama del puente en H.

Los objetivos de esta prctica son:


1. Entender el funcionamiento de un circuito puente en H fabricado con transistores.
2. Comprobar cuales son las limitaciones (funcionamiento en conmutacin).

2.- Descripcin del circuito empleado en la prctica


El circuito se compone esencialmente de las siguientes partes:
1. El Puente en H (Fig. 4). Est compuesto de 2 MOSFET tipo P en la parte superior (Q1,
Q3) y dos MOSFET tipo N en la parte inferior (Q2, Q4).
VCC
Q1
IRF9Z24N

Q3
IRF9Z24N
S

S
G

gatA

D
VoA

VoB

Q2
IRLZ24

Q4
IRLZ24
D

gatA

gatB

S
GND

-2-

gatB

Prctica 3. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Fig. 4. Puente en H de la prctica.

2. Drivers de los MOSFET. Los drivers de los MOSFET utilizan 2 BJTs, uno para cada
rama del circuito. Es un circuito auxiliar que asegura que los MOSFET de una misma
rama no entran en estado activo a la vez, o lo que es lo mismo, que no se produce la
situacin de cortocircuito reflejada en la Fig. 3. Este circuito se muestra en la Fig. 5.
VCC

VCC

R1
100K

R3
100K

TP

1
Q5
NPN

InA

Q6
NPN

InB
TP

TestPoint TH

TestPoint TH
3

3
gatA

gatB

R2
100K

R4
100K

GND

GND

Fig. 5. Drivers de los MOSFET.

3. LEDs indicadores de direccin de la corriente (Fig. 6).


DL1

rojo
J1
DL2
VoA

R6

VoB
470

JUMPER
verde

Fig. 6. LEDs indicadores de la direccin de la corriente.

4. Conexin a un motor de corriente continua (CC), Fig. 7.


R5
1

VoA
VoB

30

1
2
CON1

Fig. 7. Conexin al motor de CC.

3.- Material necesario


1.
2.
3.
4.
5.

Circuito proporcionado en la prctica.


Fuente de alimentacin.
Generador de funciones.
Osciloscopio.
Cables de conexin y medida.

-3-

Prctica 3. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

4.- Desarrollo de la prctica


En la Fig. 8 se muestra de forma esquemtica la disposicin de los principales elementos del
circuito, as como los pines de entrada, salida y alimentacin.

Fig. 8. Esquema de la placa empleada en la prctica.

1) Funcionamiento esttico
Cada transistor puede ser de tipo N-MOS o P-MOS. Una de las diferencias entre ambos es el
voltaje que hay que aplicar a la puerta de transistor para que el interruptor est abierto o
cerrado. Recordemos:
Tabla I. Estados del transistor como interruptor.
Estado Interruptor N MOS (Vth ~ 2V) P MOS (Vth ~ - 4V)
Abierto
Vgs<Vth
Vgs>Vth
Cerrado
Vgs>Vth
Vgs<Vth
1. Configurar las fuentes de tensin para una salida de 8 V, limitando la corriente de salida a
300 mA en aquellas fuentes en las que sea posible.
2. Conectar un cable de masa a InA o InB en cada 0 de la tabla, o dejar sin conectar InA o InB
cuando se indique abierto.
3. Medir la tensin en GateA, VoA, GateB y VoB, para deducir el estado de cada transistor.

InA
InB
(VgQ1,Q2) (VgQ3,Q4)
0
0
0
Abierto
Abierto
0
Abierto
Abierto

Tabla II. Tabla para completar.


Q1
Q2
Q3
(P-MOS)
(N-MOS) (P-MOS)

Q4
(N-MOS)

Motor

Conectar el motor y comprobar que efectivamente el motor puede girar hacia un lado, hacia
otro o estar parado en funcin de las entradas InA o InB.
-4-

Prctica 3. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

2) Funcionamiento dinmico
Para comprobar el funcionamiento del circuito en conmutacin se va a generar, utilizando el
generador de funciones, una seal modulada por ancho de pulso o PWM (del ingls, Pulse
Width Modulation). Una seal PWM es una seal cuadrada de una cierta frecuencia (f) donde
el tiempo a nivel alto y el tiempo a nivel bajo se relacionan segn el ciclo de trabajo o Duty
Cycle.

Duty _ cycle(%) =

tnivel _ alto
T

100

Donde tnivel alto, es el tiempo que est la seal a nivel alto y T es el periodo completo de la
onda. Por ejemplo, en la Fig. 9 se muestra una seal de duty cycle al 50% y otra al 20%.

Fig. 9. Seal PWM con distintos duty cycle.

A continuacin, generar una seal PWM de entrada al circuito y dibujar la salida entre VoA
y VoB cuando se conecta una carga resistiva y una inductiva (motor):
1. Conectar el generador de onda al canal 1 del osciloscopio.
2. Generar una onda cuadrada de frecuencia 100 Hz, nivel bajo 0 V y nivel alto 8 V
(comprobarlo en la pantalla del osciloscopio).
3. Conectar la salida del generador de onda a VinA y el canal 2 del osciloscopio entre VoB
y VoA. El canal 1 del osciloscopio debe seguir conectado al generador de onda.
4. Cambiar el duty cycle a 30%, 50% y 80% y dibujar las formas de onda detallando
voltajes, tiempos de subida y tiempos de bajada.

-5-

Prctica 3. Electrnica General

Duty Cycle (%)

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Grafica (V Resistencia)

30

50

80

-6-

Prctica 3. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

5. Conectar el motor y repetir las medidas.


Duty Cycle (%)

Grafica (V Resistencia)

30

50

80

-7-

Prctica 4. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Electrnica General 2 Grado


Ingeniera en Tecnologas Industriales
Departamento de Ingeniera Electrnica
Escuela Superior de Ingeniera
Universidad de Sevilla

Prctica 4
Dado electrnico
Profesores de la prctica: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es), Sergio Toral
(toral@esi.us.es)
Responsable asignatura: Federico Barrero
Responsable prcticas: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es)
Autores de la prctica: Francisco Perdigones, Francisco Delgado

1.- Introduccin y objetivos


En esta prctica se pretende ensear al alumno el anlisis y sntesis de circuitos
combinacionales bsicos. El proceso completo consta del planteamiento del problema,
determinacin de las seales digitales de salida en funcin de las entradas al sistema y la
sntesis del circuito usando puertas lgicas. El alumno debe tener nociones sobre lgebra de
Boole y minimizacin de funciones por mapas de Karnaugh, y conocer los circuitos
combinacionales bsicos. No obstante, se comentarn brevemente las nociones bsicas para
realizar la prctica.

2.- Descripcin del circuito


El circuito se compone de tres partes bien diferenciadas: la generacin de la seal de reloj
(CLK), el contador binario de 4 bits y la lgica combinacional de salida. Es en este ltimo
subcircuito en el que se har mayor hincapi.
a. Generacin de la seal de reloj (CLK)
Para generar la seal de reloj, se usar un circuito oscilador NE555 en configuracin de
multivibrador astable (Fig. 1). En este caso, el circuito no genera ningn estado estable, sino
dos estados "cuasi-estables" entre los que conmuta, permaneciendo en cada uno de ellos un
tiempo determinado.

-1-

Prctica 4. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Fig. 1. Configuracin de multivibrador astable.

La seal de salida tiene un nivel alto por un tiempo t1 y un nivel bajo por un tiempo t2. La
duracin en segundos de estos tiempos depende de los valores de R1, R2 y C, segn las
frmulas siguientes:

t1 = ln(2)( R1 + R 2)C
t2 = ln(2)R 2C
Por tanto, la frecuencia (en hertzios) con la que la seal oscila vendr determinada por la
frmula:

f 

1
ln(2)C ( R1 + 2 R 2)

Donde ln(2) es el logaritmo neperiano de 2, que es aproximadamente igual a 0.693. Siendo


conocidos los valores de resistencias y condensadores usados en este circuito, se pide hallar el
valor terico de la frecuencia de oscilacin de la seal CLK. Comprobar este valor midiendo la
seal en el osciloscopio (Punto de test CLK1).
b. Contador de 4 bits
El contador usado en este circuito es el integrado 74HC393. Para conocer el
comportamiento de este componente, se aconseja al alumno que descargue el datasheet del
mismo de Internet. Se trata de un contador de 4 bits (Q3-Q0), es decir, de 16 estados (0-15) con
reset asncrono. Como en esta prctica slo se necesitan 6 estados, se usarn los 3 bits menos
significativos del contador (Q2-Q0) como entradas para la parte combinacional. Dado que con
3 bits tenemos 8 estados, habr que generar la seal de reset cuando el contador alcance el 7
estado, para que slo cuente hasta 6.
c. Lgica combinacional de salida
La salida de nuestro circuito (el dado propiamente dicho) est compuesta de 7 LEDs
distribuidos segn la Fig. 2. La disposicin de LEDs encendidos para cada una de las 6 caras se
muestra en la Fig. 3.

-2-

Prctica 4. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Fig. 2. Distribucin de LEDs.

Fig. 3. Disposicin segn el nmero que se trate.


Aunque el dado est compuesto por 7 LEDs, se observa que se pueden agrupar, ya que
algunos de ellos se iluminan o se apagan siempre al mismo tiempo. De tal manera, finalmente
tendremos slo 4 seales diferentes de salida: AF, BE, CD y G. Por tanto, el circuito
combinacional que hay que disear tendr 3 seales de entrada (los tres bits menos
significativos del contador Q2-Q0) y 4 seales de salida (Fig. 4).

Fig. 4. Entradas y salidas del circuito combinacional.

Para obtener la relacin entre las entradas y las salidas, hay que hallar la tabla de verdad que
relaciona estas seales y obtener las cuatro funciones minimizadas (una por salida) usando
mapas de Karnaugh. Una vez obtenidas las funciones, se implementar el circuito usando
puertas lgicas bsicas.
Uniendo los tres subcircuitos, se obtiene el dado electrnico. El funcionamiento es el
siguiente: el contador cuenta constantemente entre 0 y 5, y se detiene en un valor cuando se
activa el pulsador Tirar. Realmente este dado no es aleatorio, ya que cuenta secuencialmente
desde 0 hasta 5 de manera continua. No obstante, la frecuencia de trabajo es lo suficientemente
alta para que sea imposible acertar en un valor concreto. Para comprobar el funcionamiento a
baja frecuencia, desconectar el jumper que conecta la seal CLK con el resto del circuito e
introducir con el generador de funciones una seal cuadrada de 1 Hz (5V de amplitud, 2.5V de
offset) en el pin identificado como CLK2.

3.- Material necesario


1.
2.
3.
4.
5.

Circuito proporcionado en la prctica.


Fuente de alimentacin.
Generador de funciones.
Osciloscopio.
Cables de conexin y medida.
-3-

Prctica 4. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

4.- Desarrollo de la prctica


Se realizar el anlisis de un circuito que simula el comportamiento de un dado de 6 caras.
1. Hallar el valor terico de la frecuencia de oscilacin de la seal CLK. Comprobar este
valor midiendo el valor real en el osciloscopio.
Valor terico =

Valor real =

2. Completar la tabla de verdad del circuito combinacional.


Cara del
dado

Q2

Entradas
Q1

Q0

Salidas
BE
CD

AF

3. Para cada una de las 4 seales de salida, hallar la funcin minimizada usando mapas de
Karnaugh.
AF
Q1Q0
Q2

00

01

11

10

0
1
AF =

-4-

Prctica 4. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales


BE

Q1Q0
Q2

00

01

11

10

11

10

11

10

0
1
BE =
CD
Q1Q0
Q2

00

01

0
1
CD =
G
Q1Q0
Q2

00

01

0
1
G=
4. Dibujar el circuito combinacional para cada una de las seales de salida usando puertas
lgicas de dos entradas.

Q0 -Q1 --

-- AF

Q2

-5-

Prctica 4. Electrnica General

2 Grado Ing. Tec. Industriales

Q0 -Q1 --

-- BE

Q2

Q0 -Q1 --

-- CD

Q2 --

Q0 -Q1 --

-- G

Q2 --

-6-