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El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de

salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción
eninglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras,lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
Índice
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1Historia

2Funcionamiento

3Tipos de transistor
o

3.1Transistor de contacto puntual

o

3.2Transistor de unión bipolar

o

3.3Transistor de efecto de campo

o

3.4Fototransistor

4Transistores y electrónica de potencia

5Construcción
o

5.1Material semiconductor
6El transistor bipolar como amplificador

o

6.1Emisor común

o

6.2Base común

o

6.3Colector común

7El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica

8Véase también

9Referencias

los también alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen. en lugar de tubos de vacío. los físicos estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell 8 llevaron a . con los cuales lograron la amplificación de señales de 1 Hz. 10Enlaces externos Historia[editar] Artículo principal: Historia del transistor Réplica del primer transistor en actividad. que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies. 7 Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947. el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un dispositivo similar. llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores. Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo. aunque un dispositivo de este tipo ya se había construido. la experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott. 7 Mientras tanto. ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta calidad aún no estaba disponible por entonces. 3 4 Sin embargo. las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930. Cuatro años después. usando tres electrodos. con cristales de bromuro de potasio. pero sus investigaciones no condujeron a usos prácticos.5 En 1934. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 19262 y 1928.

lo que Bardeen. se produjo una señal con una potencia de salida mayor que la de entrada. trabajó para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores.9 El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley vio el potencial de este hecho y. Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás. Brattain y Shockley inventaron en 1947 fue el primer transistor de contacto de punto. 12 13 14 11 a la cual siguieron otras patentes acerca de En reconocimiento a este logro. los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar. El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R. aplicaciones de este dispositivo. Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor". como el termistor y el varistor y basándose en la propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo. cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados. en los siguientes meses. Pierce. basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces. 10 Según una biografía de John Bardeen. el día 17 de junio de 1948.cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran aplicados a un cristal de germanio. . Shockley.