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Slidos

Los slidos pueden dividirse en dos categoras: Cristalinos y Amorfos. Un slido cristalino; es aquel
cuyos tomos, iones o molculas constituyentes estn ordenados en disposiciones bien definidas;
mientras que en los slidos amorfos, las partculas que las constituyen, no poseen un
ordenamiento definido.

Los Slidos Cristalinos.

La estructura interna de estos tipos de slidos se puede imaginar como una pared formada por
ladrillos, los cuales son exactamente iguales y poseen exactamente las mismas caractersticas de
la totalidad de la pared.

Esos ladrillos se denominan Celdas Unitarias. La celda unitaria es la unidad bsica repetitiva de la
disposicin de tomos o molculas de un slido cristalino. La estructura tridimensional de un slido
cristalino puede representarse como una matriz tridimensional de puntos de red. Tal matriz se
denomina Red Cristalina.
Las celdas unitarias pueden describirse en trminos de ngulos entre las aristas y longitudes de
las aristas. Cada slido se describe en trminos de uno de los siguientes tipos de celdas unitarias:
cbico simple, tetragonal, ortorrmbico, rombodrico, monoclnico, triclnico y hexagonal.
http://www.fq.uh.cu/dpto/qi/nestor/enlace_web/solidos_web/solidos_web/solidos_inorganicos.ht
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Tipos de Slidos Cristalinos

Las estructuras y propiedades de los cristales estn determinadas por la clase de fuerzas que
mantiene las partculas juntas. Se pueden clasificar cualquier cristal como uno de los cuatro tipos;
Inico, Covalente, Molecular y Metlico.

Slidos Inicos: consisten en iones que se mantienen unidos por enlaces inicos. La fuerza de un
enlace inico depende en gran medida de la carga de los iones. Ejemplo: el NaCl, que contiene
iones de carga +1 y -1, posee un punto de fusin de 801 C, mientras que el MgO en el que las
cargas con -2 y +2, se funden a 2852 C.

La estructura que un slido inico adopta, depende en gran parte de las cargas y los tamaos
relativos de los iones. En la estructura del CsCl, cada Ion Cs+ est rodeado por ocho iones de Cl-,
esto debido a que el Cs+ es un catin relativamente grande. En la estructura del ZnS los iones del
S2- adoptan un acomodo cbico centrado en la cara, con los iones Zn2+, que son mas pequeos,

dispuestos de modo que cada uno est rodeado por cuatro iones S2- que forman un tetraedro. El
CuCl tambin adopta esta estructura. En la estructura de CaF2, los iones Ca2+ aparecen en un
acomodo cbico centrado en la cara. Tal como lo exige la formula qumica de la sustancia, hay dos
veces mas iones F- en la celda unitaria que Ca2+. Los iones F- estn rodeados tetradricamente
por cuatro iones Ca2+. Los compuestos como el SrF2, BaF2, BaCl2 y PbF2 tambin tienen esta
estructura.

Slidos Covalentes: consisten en tomos unidos en grandes redes o cadenas mediante enlaces
covalentes. Puestos que los enlaces covalentes son muy fuertes, estos slidos son muy duros y
con altos puntos de fusin. Dos de los ejemplos ms comunes son el diamante y el grafito ambos
constituidos por enlaces sencillos entre carbono-carbono.

En el diamante cada tomo est unido a otros cuatros tomos de carbono. Esta matriz
tridimensional contribuye a la inusitada dureza de este slido y un punto de fusin de 3550 C.

En el grafito los tomos de carbono estn dispuestos en capas de anillos hexagonales


interconectados. Cada carbono est unido a otros tres de la capa. Las capas de anillos se
mantienen unidas por dbiles fuerzas de dispersin, lo que hace que se deslicen fcilmente una
sobre otras cuando se frotan, lo que da a la sustancia una sensacin grasosa.
Slidos Moleculares: consisten en tomos o molculas unidos por fuerzas intermoleculares
(Fuerzas Dipolo-dipolo, Fuerzas de Dispersin de Londn, etc.). Dado que estas fuerzas son muy
dbiles, los slidos moleculares son blandos. Suelen tener puntos de ebullicin bajos (por lo
regular menor a 200 C). Casi todas las sustancias que son gases o lquidos a temperatura
ambiente, forman slidos moleculares a temperaturas baja. Ejemplo: Ar, H2O y CO2.

Slidos Metlicos: consisten exclusivamente en tomos de metal. Los slidos metlicos suelen
tener estructuras de empaquetamiento compacto hexagonal o cbicos (cbica centrada en las
caras) o cbicas centradas en el cuerpo.

Los enlaces metlicos son muy fuertes debido a la deslocalizacin de los electrones de valencia a
lo lardo del slido.
Los metales varan considerablemente en cuanto a la fuerza que los une como se pone de
manifiesto su amplia gama de propiedades fsicas, como dureza y punto de fusin.
Los Slidos Amorfos

Se dice que los slidos que no son cristalinos es estructuras son amorfos. Entre los slidos

amorfos estn el hule y el vidrio.

El cuarzo, SiO2, es un slido cristalino con una estructura tridimensional muy ordenada. Cuando
se funde (a 1600C), se convierte en un liquido viscoso y pegajoso. Aunque la red de siliciooxigeno permanece casi intacta, se rompen muchos enlaces Si-O y se pierde el orden rgido del
cuarzo. Si el material fundido se enfra rpidamente, los tomos no alcanzan a recuperar su
acomodo ordenado, el resultado es un slido amorfo llamado Vidrio de Cuarzo. (figura)

Dado que las partculas de un slido amorfo carecen de un orden a lo largo del slido, la
intensidad de las fuerzas moleculares vare de un punto a otro en una muestra. Por ello, los
slidos amorfos no funden a una temperatura especfica ms bien, se reblandecen dentro de un
intervalo de temperatura a medida que se venden las fuerzas intermoleculares de diferentes
intensidades.

Semiconductores

Debido a la cercana de los orbtales de la capa mas externa de los tomos de un metal en un
slido, estos se trasladan formando nuevos orbtales llamados Orbtales Moleculares, pues como el
conjunto de orbtales moleculares se hace mayor que los que se necesitan para albergar a los
electrones, algunos quedan vacos. Pero en mayor presencia de un potencial elctrico, estos
electrones pueden pasar de los orbtales a los vacos conduciendo electricidad. Esta capa de
orbtales llenos se llama Banda de Valencia, mientras que la capa vaca se llama Banda de
Conductividad.
Estamos ahora en condiciones de definir los distintos tipos de materiales de acuerdo a sus
propiedades de trasporte de corriente elctrica:
Conductor es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se encuentra
inmediatamente adyacente a la energa del ltimo estado electrnico ocupado. En otros trminos,
un conductor es un material en el cual la ltima banda ocupada no est completamente llena.
Aislador es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se encuentra
separada, por una brecha finita, de la energa del ltimo estado electrnico ocupado.
Semiconductor es un material aislador en que el ancho de banda prohibida es menor que 1eV.

Un ejemplo de aislante es el diamante. Los orbtales 2s y 2p del carbono se combinan para formar
dos bandas de energa cada una para albergar cuatro electrones del carbono. Una de ellas est
totalmente vaca y la otra llena. Existe una diferencia grande de energa entre las dos bandas y
puesto que no hay orbtales libres, los electrones no pueden pasar de una banda a otra, por lo

cual, el diamante no conduce electricidad

La estructura electrnica del silicio y el germanio es similar a la del carbono, sin embargo la
diferencia de energa entre las bandas se hace menor del Si al Ge. Para estos, la diferencia de
energa es lo suficientemente pequea como para que a temperaturas ordinarias, unos cuantos
electrones tengan la energa necesaria para saltar de una banda llena a una vaca, en
consecuencia hay cierta conduccin de electricidad, y se denominan Semiconductores.

Semiconductores extrnsecos

Hasta ahora slo hemos hablado acerca de materiales semiconductores naturales, los que
definimos como aisladores de banda prohibida angosta; ellos reciben el nombre de
semiconductores intrnsecos. Sin embargo, existe la posibilidad de disear y fabricar materiales
con caractersticas elctricas especficas a la medida agregando, de manera controlada, impureza
a semiconductores. Este proceso de introduccin de impurezas extraas se denomina dopado.

Consideremos los efectos de estas impurezas en el silicio (Si), uno de los semiconductores de uso
ms frecuente. La configuracin electrnica del Si es [Ne ] 3s2 3p2 de modo que tiene cuatro
electrones de valencia. Si se remplaza algunos de los tomos de Si por tomos de fsforo (P) que
tienen cinco electrones de valencia y cuya configuracin electrnica es [Ne ] 3s2 3p3:

Por cada tomo de P que se agrega aparece un estado electrnico nuevo y adicional en la banda
prohibida. Este nivel se ubica justo por debajo de la banda de conduccin del Si.
Cada tomo de P utiliza cuatro de sus cinco electrones de valencia para formar enlaces con cuatro
tomos de Si vecinos, quedando un electrn extra que necesita liberar para alcanzar su
configuracin ms estable de ocho electrones. La energa trmica es suficiente para que el electrn
extra sea transferido a la banda de conduccin dejando atrs un in positivo + P inmvil.

Los tomos de P se llaman tomos dadores, y la conductividad elctrica en este tipo de


semiconductores implica fundamentalmente movimiento de electrones procedentes de los tomos
dadores a travs de la banda de conduccin. Este tipo de semiconductores se denomina de tipo-n,
donde n se refiera a negativo, el tipo de carga elctrica que transportan los electrones.

Reemplacemos ahora algunos tomos de Si por tomos de aluminio (Al) cuya configuracin
electrnica es [Ne] 3s2 3p1 de manera que tiene tres electrones de valencia.

Por cada tomo de Al que se agrega aparece un estado electrnico nuevo que se encuentra justo
por encima de la banda de valencia del Si.

Cada tomo de Al utiliza sus tres electrones de valencia para formar enlaces con tres tomos de
Si vecinos. La capa externa del Al tratar de capturar un electrn extra de la banda de valencia
para conformar una capa estable de ocho electrones.

Un electrn se trasfiere con facilidad desde la banda de valencia hasta el nivel aceptor formando
un in negativo inmvil. Cuando esto ocurre, se crea una vacante positiva en la banda de valencia.
Debido a que en este tipo de semiconductores la conductividad elctrica consiste
fundamentalmente en la transferencia de vacantes positivas, se les denomina semiconductores de
tipo-p.