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前 言

奈米材料和奈米技術是 20 世紀 80 年代末迅速崛起的一門新學科(奈

米學)。它是研究尺度在 1~100nm 範圍物質的特性、製造方法和應用。

這個研究領域是人類過去很少涉及的非巨觀非微觀的中間領域,對這個領

域的研究和開發,將會促使人類在科學技術領域邁入一個嶄新的時代──

奈米科技時代。科學家們預言奈米技術將在 21 世紀發揮巨大的作用。

在奈米科技中,奈米材料和奈米電子元件是最重要的研究內容,其中

奈米電子學尤為重要,因為它是微電子學發展的下一代。奈米電子學研究

的對象不僅尺寸是奈米的,而且訊號處理時間是奈秒的,訊號功率也是奈

焦的。在奈米電子元件中的電子不僅表現出粒子性,而且更多地表現出波

動性。

奈米材料大致可分為零維奈米微粒(奈米粉、奈米顆粒、量子點和原

子團簇)、一維奈米纖維(管、線、棒)、二維奈米膜、三維奈米塊體

等。目前已出版了許多有關奈米材料和奈米技術方面的著作,但很少看到

有關奈米薄膜方面的論著。

奈米薄膜是指由尺寸在奈米量級的晶粒構成的薄膜,或將奈米晶粒鑲

嵌於某種薄膜中構成的複合膜,以及每層厚度在奈米量級的單層或多層

膜。這類材料具有很特殊的物理特性和化學特性,並在奈米電子學中有重

要的作用。

本書所編著的內容,主要介紹當前有關奈米薄膜材料製造、元件和應

用的前瞻資料,其中也包括中國學者和我們自己的研究工作。在編寫過程

中我們力圖做到:基本概念清楚且易於理解,儘可能反映當前的學科先進

水準,簡明、系統地介紹奈米薄膜的製造方法、各種特性和應用情況。

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2 前 言

本書共分九章,主要內容如下:

奈米學的基本概念和內涵、奈米微粒和奈米薄膜。

奈米薄膜材料的各種製造方法及物理、化學性能。

半導體奈米量子點,包括 CdS 膠體量子點、CdS/CuS/CdS、InGaAs/

GaAs、ZnO 等量子點、GdSe/Au、Cd(Se,Te)/Au 量子點。

矽基奈米薄膜材料與元件,包括矽、鍺、SiC、多孔矽等奈米發光

材料。

奈米半導體薄膜的電子轉移。

奈米粒子的單電子電導。

本書可作為相關專業高年級本科及研究生的教學參考書,對從事奈米

材料和奈米電子元件研製、生產和使用的專業人員有一定的參考價值。

本書第 1、2、3、4、8、9 章由陳光華編寫;第 5、6、7 章由鄧金祥編

寫。

由於能力水準有限,本書中的錯誤和缺點在所難免,我們衷心希望得

到讀者的指正。

陳光華

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出版者的話

奈米科技(Nanotechnology)是 20 世紀 80 年代末、90 年代初逐漸發

展起來的新興學科領域。它的快速發展將在 21 世紀使幾乎所有的工業領域

產生變化。科技工作者在奈米科技研究方面已經取得了重要的進展。

在知識創新的環境下,為滿足讀者對新知識、新技術的需要,我們規

劃了一套《奈米研究與應用系列》叢書。目前該系列叢書包括如下:

奈米時代(Nano Times)

奈米材料(Nano Materials)

聚合物/層狀矽酸鹽奈米複合材料(PLS Nano Composite Materials)

奈米建材(Nano Building Material)

奈米陶瓷(Nano Ceramics)

奈米粉體合成技術與應用(Nano Powder Synthesis Technology and

Application)

奈米纖維(Nano Fiber)

奈米金屬(Nano Metal)

奈米複合材料(Nano Composite Material)

奈米催化技術(Nano Catalysis Technology)

奈米製造技術(Nano Fabrication Technology)

奈米碳管(Carbon Nanotubes)

聚合物─無機奈米複合材料(Polymer-nano Inorganic Composite Material)

奈米材料化學(Nano Material Chemistry)

奈米材料技術(Nano Material Technology)

奈米光觸媒(Nano Photocatalyst)

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2 出版者的話

微米/奈米尺度傳熱學(Micro/Nano Scale Heat Transfer)

奈米生物科技(Nano Biotechnology)

奈米薄膜技術與應用(Nano Thin Film Technique and Application)

對此系列叢書,我們秉持著出版人的堅持,會持續不斷的更新和增加

新的書種。

希望本系列叢書對於從事新技術研發和奈米材料研究的科技人員有所

幫助。

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目 錄

第 1章 導 論 1

1.1 奈米學的基本概念和內涵 2
1.1.1 奈米學的基本概念 2

1.1.2 奈米材料研究範圍和內容 3

1.1.3 奈米材料的電子結構 4

1.1.4 奈米材料研究中的物理問題 6

1.1.5 奈米材料的化學性能 10

1.2 奈米微粒 14
1.3 奈米薄膜 16
1.4 奈米材料和技術發展現狀 25
1.4.1 奈米材料和技術發展簡史 25

1.4.2 奈米技術在迅速發展 27

1.5 奈米薄膜材料和元件在高科技中的地位 34
1.5.1 奈電子元件基本概念 34

1.5.2 奈米電子元件特性 36

第 2章 奈米薄膜材料的製造方法和性能 41

2.1 奈米薄膜的製造方法 43

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2 目 錄

2.1.1 蒸發冷凝法 43

2.1.2 濺射法 46

2.1.3 微波法 50

2.1.4 分子束磊晶 52

2.1.5 金屬有機化學氣相沉積 56

2.1.6 溶膠 凝膠法 61

2.1.7 化學氣相沉積法 65

2.1.8 電化學法(電沉積) 68

2.1.9 分子自組裝技術 70

2.1.10 模板合成法 74

2.2 奈米薄膜的性能 76
2.2.1 力學性能 76

2.2.2 光學性能 80

2.2.3 電磁學特性 81

2.2.4 氣敏特性 83

2.3 性能檢測 84

第 3章 半導體奈米量子點 87

3.1 半導體量子點的研究概況 88
3.2 硫化鎘(CdS)膠體量子點的製造和量子尺寸效應 93
3.2.1 CdS 量子點的製造和結構 93

3.2.2 量子尺寸效應 96

3.2.3 CdS 量子點的光致發光特性 99

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3

3.3 CdS/CuS/CdS 量子點及量子井 101


3.3.1 CdS/CuS/CdS 量子點量子井結構的製造 102

3.3.2 CdS/CuS/CdS 三層結構的驗證 104

3.3.3 CdS/CuS/CdS 體系的光學特性 107

3.4 InAs/GaAs 和 InGaAs/GaAs 量子點製造、特性和應用 108


3.4.1 InAs/GaAs 量子點 108

3.4.2 InGaAs/GaAs 量子點 114

3.5 氧化鋅(ZnO)量子點──半導體雷射新材料 120


3.5.1 ZnSe 基雷射存在的問題 120

3.5.2 ZnO 材料的基本特性 121

3.5.3 ZnO 的磊晶生長 123

3.5.4 ZnO 量子點的光學特性 125

3.6 電沉積量子點 [CdSe/Au, Cd(Se, Te)/Au, (Cd, Zn)Se/Au]127


3.6.1 CdSe/Au 系統 128

3.6.2 Cd(Se,Te)/Au 系統 129

3.6.3 (Cd,Zn)Se/Au 系統 130

第 4章 矽基奈米薄膜材料與元件 133

4.1 矽發光面臨的問題 136


4.1.1 Si 和 Ge 是間接能帶結構 136

4.1.2 Si 奈米晶雷射初現端倪 138

4.1.3 奈米矽薄膜的製造方法 140

4.2 鍺奈米晶發光膜(Ge/SiO2) 144

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4 目 錄

4.2.1 Ge 奈米發光膜的製造 145

4.2.2 鍺奈米晶的發光特性 147

4.2.3 Ge 奈米晶發光機制 150

4.3 奈米碳化矽(SiC)發光薄膜 151


4.3.1 HF CVD 法製造奈米 SiC 薄膜 152

4.3.2 ECR CVD 法製造奈米 SiC 薄膜 153

4.4 奈米多孔矽膜發光 159


4.4.1 多孔 Si 的結構 160

4.4.2 多孔 Si 的光學性質 162

4.4.3 多孔 Si 的形成 165

4.4.4 多孔 Si 的製作及其鈍化 166

4.5 奈米矽薄膜元件 168


4.5.1 奈米 Si 薄膜摻雜的可控性 169

4.5.2 摻雜奈米 Si 薄膜的熱穩定性 170

4.5.3 奈米 Si 異質接面二極體的獨特性能 171

第 5章 奈米材料的模板合成法 175

5.1 厚膜模板法合成奈米陣列 177


5.1.1 模板的製造和分類 178

5.1.2 奈米結構的厚膜模板合成方法和技術要點 181

5.2 模板法製造奈米線 186


5.2.1 碳奈米管模板法 186

5.2.2 氧化鋁模板法 190

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5

5.2.3 聚合物膜模板法 192

5.3 模板法合成高度取向碳奈米管有序陣列膜 197


5.3.1 碳奈米管有序陣列膜的製造過程 197

5.3.2 碳奈米管陣列膜場發射特性 201

5.4 模板法製造二氧化鈦(TiO2 )奈米管 203


5.4.1 多孔陽極氧化鋁(PAA)模板的製造 204

5.4.2 TiO2 奈米管的製造 205

5.4.3 TiO2 奈米管的形貌和結構分析 206

第 6章 奈米半導體薄膜的電子轉移和
奈米粒子的單電子電導 211

6.1 奈米半導體薄膜的光學性質 214


6.1.1 電子儲存和光致變色效應 214

6.1.2 光電流的產生 216

6.1.3 寬帶隙半導體敏化 220

6.1.4 光催化 222

6.2 奈米半導體膜的電子轉移原理 225


6.2.1 電荷從激活的染料植入到半導體奈米團簇 225

6.2.2 電荷植入過程動力學 226

6.2.3 半導體染料界面處電子轉移調變 231

6.2.4 反向電子轉移 235

6.2.5 半導體薄膜中的電子遷移 237

6.3 奈米粒子的單電子電導 239


6.3.1 單電子電導的發展歷史 240

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6 目 錄

6.3.2 單電子電導的定義及靜電特性 248

6.3.3 奈米粒子的單電子電導 257

第 7章 奈米晶金屬氧化物半導體與溶液
界面處的電荷轉移 269

7.1 電致變色 273


7.1.1 氧化釩(V2O5 ) 274

7.1.2 氧化鉬(MoO3 ) 275

7.1.3 氧化鎢(WO3) 276

7.2 光生伏特 278


7.2.1 二氧化鈦(TiO2) 280

7.2.2 二氧化錫(SnO2) 284

7.2.3 氧化鋅(ZnO) 285

7.3 能量考慮 286


7.3.1 電位能 286

7.3.2 其他問題 289

7.4 染料敏化奈米二氧化鈦(TiO2)薄膜太陽電池 289


7.4.1 染料敏化奈米 TiO2 薄膜太陽電池的結構和基本
原理 290

7.4.2 用於染料敏化太陽電池的奈米 TiO2 膜研究進展 295

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7

第 8章 其他奈米薄膜材料製造、特性及
應用 303

8.1 奈米氮化鋁(AlN)薄膜的導電性 305


8.1.1 奈米 AlN 薄膜的製造 306

8.1.2 奈米 AlN 薄膜的導電特性 307

8.2 奈米鑽石膜製造及場發射 309


8.2.1 熱絲 CVD 法製造 310

8.2.2 微波法製造奈米鑽石膜及其場發射 314

8.2.3 奈米鑽石顆粒塗層法和場電子發射 315

8.3 奈米磁性薄膜材料及巨磁電阻效應 317


8.3.1 概 述 317

8.3.2 奈米磁性材料的基本特性 318

8.3.3 奈米顆粒型磁性材料 320

8.3.4 奈米微晶磁性材料 322

8.3.5 奈米薄膜結構型磁性材料及巨磁電阻效應 326

8.3.6 Fe 基、Co 基軟磁奈米薄膜的製造技術和特性 329

8.4 氧化銦(In2O3)奈米晶及氣敏特性 334


8.4.1 奈米 In2O3 材料和氣敏元件的製造 334

8.4.2 氣敏元件特性 336

8.5 氧化釩(V2O5 )奈米膜的製造及電致變色 339


8.5.1 PEO/V2O5 奈米複合膜的製造 340

8.5.2 PEO/V2O5 乾凝膠薄膜的性能測試及電致變色 341

8.6 氧化鎢(釩)WO3(V)奈米膜的製造、電致變色和

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8 目 錄

氣敏特性 344
8.6.1 WO3 薄膜的雷射沉積 345

8.6.2 薄膜的結構分析 346

8.6.3 WO3(V)薄膜的電學性能 348

8.6.4 WO3(V)薄膜的氣敏特性 349

8.7 奈米二氧化鈦(TiO2)薄膜的導電性和光吸收量子尺寸
效應 351
8.7.1 磁控法製造的奈米 TiO2 薄膜的導電性與
帶隙寬度 351

8.7.2 奈米 TiO2 的光吸收量子尺寸效應 355

8.8 奈米晶鈦酸鉛鋯/鈦酸鉛(PZT/PT)鐵電薄膜的尺寸
效應 359
8.8.1 奈米薄膜樣品製造 360

8.8.2 X 射線繞射分析 361

8.8.3 電滯回路測試 362

8.9 銀/鎳(Ag/Ni)奈米多層膜的點陣列應變現象 364


8.9.1 奈米多層膜 364

8.9.2 Ag/Ni 奈米多層膜間界面處晶格應變及弛豫現象 365


8.10 鈦 矽 氮(Ti Si N)奈米薄膜的超硬性 367
8.10.1 超硬 TiN 膜存在的問題 367

8.10.2 Ti Si N 奈米薄膜的製造 368

8.10.3 Ti Si N 奈米膜的性能分析 369

8.11 硫化鋅/銀/硫化鋅(ZnS/Ag/ZnS)奈米多層薄膜及
平面顯示器透明電極 372

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9

8.11.1 ZnS/Ag/ZnS 奈米多層膜替代 ITO 膜 372

8.11.2 真空蒸鍍法製造奈米多層膜 374

8.11.3 奈米多層膜的光學性能 374

8.11.4 奈米多層膜導電性能 379

8.11.5 透明導電多層膜的性能評價 380

8.12 奈米鋁膜介電函數的尺寸、頻率效應 382


8.13 奈米氮化硼薄膜的場發射 383
8.13.1 奈米氮化硼薄膜的製造 384

8.13.2 奈米氮化硼薄膜的場發射性能 385

第 9章 奈米材料及奈米元件研究和發展的
前景 391

9.1 國際方面的最新研究進展 392


9.1.1 關於碳奈米管的研究進展 392

9.1.2 奈米線及相關的奈米元件 395

9.1.3 特種結構、異質奈米複合結構 397

9.1.4 有關異質結構的新的製造方法 398

9.2 中國近期在準一維奈米材料方面的最新研究情況 399


9.2.1 技術創新的幾個方面 399

9.2.2 已取得的重要成果 402

9.3 奈米相複合材料和奈米結構 微米結構複合材料 403


9.4 奈米材料的應用前景 404

索 引 407

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奈米學的基本概念和內涵
奈米微粒
奈米薄膜
奈米材料和技術發展現狀
奈米薄膜材料和元件在高科技中的地位

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2 奈米薄膜技術與應用

1.1 奈米學的基本概念和內涵

1.1.1 奈米學的基本概念

奈米(nm)是一個長度單位,1nm 等於十億分之一(10 9)米,


即等於 10Å(埃)。1nm 的長度約相當於 3~5 個原子緊密地排列在一
起所具有的長度。
奈米材料(nano material)是指由極細晶粒組成、特徵維度尺寸在
奈米量級(1~100nm)的固態材料。由於這種材料的尺度處於原子簇
(atom cluster)和巨觀(macroscopic)物體的交接區域,故而具有表
面效應(surface effect)、小尺寸效應(small size effect)、量子尺寸
效應(quantum size effect)和巨觀量子隧道效應(macroscopic quan-
tum tunneling effect),並產生奇異的力學、電學、磁學、光學、熱學
和化學等特性,從而使其在國防、電子、化工、冶金、航空、輕工
業、醫藥、核技術等領域中具有重要的應用價值。
奈米材料根據三維空間中未被奈米尺度約束的自由度(degree of
freedom)計,大致可劃分為零維的奈米微粒(顆粒量子點(quantum
dot)和原子團簇)、一維的奈米纖維(管)、二維的奈米膜、三維的
奈米塊體等。
奈米科技(nano technology)是指以 1~100nm 尺度的物質或結構
為研究對象的學科,就是指藉由一定的微細加工方式,直接操縱原
子、分子或原子團、分子團,使其重新排列組合,形成新的具有奈米

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CHAPTER 1 3

尺度的物質或結構,研究其特性,並由此製造具有新功能的元件
(functional device)、機器以及其他各個方面應用的科學與技術。
可見,奈米科技的首要任務就是要藉由各種手段,如微細加工技
術和掃描探針技術(scanning probe technique)等來製造奈米材料或具
有奈米尺度的結構;其次藉助許多先進的觀察測量技術與儀器來研究
所製造奈米材料或奈米尺度結構的各種特性;最後根據其特殊的性質
來進行有關的應用。所以,從一定程度上講,奈米材料、奈米加工製
造技術以及奈米測量表徵(characterization)技術構成為奈米科技發展
的三個非常重要的支撐技術。
奈米科技的核心思想是製造奈米尺度的材料或結構,發掘其不同
凡響的特性並對此予以研究,以致最終能很好地為人們所應用。將這
種思想和相關的方法引入到各個領域,便形成形形色色的各類奈米科
技研發領域,主要包括:奈米體系物理學、奈米體系化學、奈米材料
學、奈米生物學、奈米電子學、奈米光子學、奈米機械學、奈米加工
製造學、奈米表徵測量學及奈米醫學等等。

1
1.1.2 奈米材料研究範圍和內容

隨著奈米材料研究的不斷深入,研究範圍不斷擴大,第一階段主
要集中在奈米顆粒本身;第二階段主要研究奈米顆粒組成的薄膜與塊
體;第三階段研究對象又涉及自組裝(self assembly)奈米材料,如近
年來的奈米線、奈米管直至微孔(micro pore)、介孔材料(meso
pore)。介孔材料的孔徑大小為奈米級,這種奈米結構為鑲嵌(embe-

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4 奈米薄膜技術與應用

dded)組裝奈米微粒提供了理想的基體。奈米線、奈米管的出現豐富
了奈米材料的研究內容,為合成組裝奈米材料提供了新的機遇。
奈米材料研究的主要內容,包括奈米材料製造中的科學技術問題,
奈米材料結構表徵與評估方法,奈米材料物理化學性質的測試方法,
特別是奈米微區分析技術,奈米材料物理化學性質的特殊變化規律和
產生機制,奈米材料的應用與使用過程中的老化(aging)失效問題等。
奈米材料的研究與應用與它們的製造技術密切相關。已發展的奈
米結構材料製造技術中的物理方法包括:電漿(plasma)電弧合成技
術、電火花製造技術、雷射(laser)閃蒸合成(flash evaporation syn-
thesis)技術、磁控濺射(magnetron sputtering)技術和噴霧合成技
術。不同的方法適用於不同材料的製造。奈米材料的結構表徵、性能
測試與評價是發展奈米材料的關鍵,這一方向已成為人們關心的主要
問題。奈米材料的物理化學性質研究的著眼點,在於奈米尺寸或表面
效應、界面效應(interface effect)對材料性能的影響和產生的奇異性
能。結合掃描探針技術和近場光學(near field optics)技術得到奈米微
區物理化學資訊。

1.1.3 奈米材料的電子結構

如果把奈米尺度材料定義為在某一個或幾個維度(dimension)
上,它的尺度被限制在 100nm 以內,那麼尺寸上的限制將會產生新的
物理現象。尺寸在 1nm 以下的體系實質上是一個原子,而組成原子的
電子受到核力的作用,被侷限在這一尺寸的球形或橢球形的範圍內,

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CHAPTER 1 5

只能佔據殼層模型的離散(discrete)能階(energy level)。電子的運
動狀態由能階的主量子數(principal quantum number)、軌道角動量
量子數(orbital angular momentum quantum number)和自旋量子數
(spin quantum number)來描述。如果這一原子包含有多個電子,多
個電子佔據能階的情況由泡利互斥原理(Pauli exclusion principle)和
洪德定則(Hund s rule)來決定。它實際上是考慮了電子間的相互排
斥力和電子的自旋(spin)。而大塊材料是由無數個原子或離子在三
維方向週期排列而成。原來屬於單個原子的電子在組成固態的過程中
或者藉由外層電子公有化而成為金屬鍵合,或者藉由軌道混成(hy-
brid)而成為共價鍵合(covalent bond),這時電子的能量狀態由固態
能帶來描述。無論從幾何尺寸上,還是從包含原子或電子數目來看,
奈米材料正好處於從單個原子到塊體材料的過渡區。當奈米材料接近
10nm 或更小時,其形狀多為球形、橢球形或多面體形狀,從而具有
不同的高對稱性,通常被稱為奈米顆粒(nano particle);而奈米材料
的尺寸在一個或兩個方向逐漸增大時,它可能變為一維的棒或線,或
者是二維的圓盤或平面,只具有低對稱性,它們分別被稱為奈米線
(nano wire)、奈米管(nano tube)或奈米薄膜(nano film)。藉由
分析尺寸分別接近原子和塊體材料的特殊情況可以揭示在這一過渡區
內電子結構的變化。
奈米顆粒是尺寸接近原子尺度的具有高對稱性的材料。由於體系
內只含有很少數目的電子,這時體系的電子結構與單個原子殼層結構
十分類似,可以借用處理原子的電子結構模型來粗略地求出。如果將
這一體系看成是一個位能井(potential well),則電子被限制在此位能
井內。顯然,電子可佔據的能階與位能井的深度和寬度有關。在強限
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6 奈米薄膜技術與應用

制的情況下,即位能井很深時,奈米材料具有類原子(atom like)的
特性,可稱為類原子材料。但與真實原子相比又表現出自己的特點。
第一,類原子材料的基態(ground state)與所包含的電子數目的奇偶
性有關,從而影響到它的物理性質。第二,類原子材料內所包含的電
子數目容易變化,電子數目的漲落會強烈地影響到類原子的能階結構
和性質。在一維或二維空間接近塊體材料的情況下,這時材料只在一
個或兩個方向上對電子的運動加以限制,如量子線(quantum wire)。
這時材料只具有較低的對稱性,但包含較多的電子。在這種情況下,
電子的運動狀態不能再用類原子的殼層模型來描述,區分電子狀態的
量子數(quantum number)也不再是描述類原子材料的電子狀態的量
子數。電子的能階所處的基態和激發態(excited state)的性質都與奈
米尺度材料的具體性質、尺寸、形狀有關。因為這種材料所包含的電
子數目很多,不能簡單地採用第一作用原理(first action principle)的
方法做精確計算。又因為它在某些方向上失去平移對稱性,也不能簡
單地運用固態(solid state)能帶理論(energy band theory)的方法來
處理這一體系中的物理過程。由於在這一體系中電子之間有強的關聯
作用,可能導致體系的能量和電子的能階分佈發生很大的變化。

1.1.4 奈米材料研究中的物理問題

奈米材料中的電子強關聯或相關性

當材料的尺寸逐漸減小到奈米尺度(nano scale)時,電子之間

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CHAPTER 1 7

的相互作用會得到加強。因為電子被嚴格地限制在一個很小的區域
內,電子波函數(wave function)受材料的內表面的散射(scatter-
ing),而散射波和入射波的相互疊加(superposition),使得所有
的電子波函數都相互關聯在一起,成為強關聯(strong related)的電
子系統,而不能再把它們看成是彼此無關的自由電子(free elec-
tron),從而改變了這些奈米尺度材料的物性。

奈米材料中能階分裂和電子群數的變化

當材料的尺寸減小到奈米尺度時,原來的電子能階會發生進一
步的分裂,使得體系所處的基態的性質也會相對發生變化。電子能
階的分裂使得電子佔據各能階的群數(population)發生變化。當電
子被激發到高能階時,藉由光輻射(radiation)途徑返回低能階的
機率也會發生相對的變化。這一變化可能使得量子輻射的強度發生
變化,或者說,使某些譜線的強度得到加強。由於電子能階的分
裂,相對的光譜線也會發生移動。

奈米材料中的激發態和激子過程

當電子被激發時,在原來的能階處會留下一個電洞(hole)。
電子 電洞之間的相互作用使得電子與電洞在一定的時間內重新復
合(recombination)。在此同時,電子或電洞也會在材料內部擴散。
如果電子和電洞擴散到材料表面被表面態所捕獲的時間小於電子
電洞對(electron-hole pair)的壽命(lifetime)時,那麼不管是電子
或電洞將首先被表面捕獲,而留下激發態的電子或電洞保持相當高
的濃度。由此可以看到奈米尺度材料的激發態可能是長壽命和高濃
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8 奈米薄膜技術與應用

度的,這就為研究激發態或激子(exciton)過程提供了新的機會。

表面結構與表面態

奈米材料中的表面佔有相當大的比例,當材料尺寸減小到 10nm
左右時,表面層原子數目和體內原子數目幾乎達到相等。表面層原
子所處的化學環境不同於體內原子,從而它們可能形成一種表面相
(surface phase)。在塊體材料的研究中,人們早已認識到表面相對
許多物理過程有重要的影響。但由於表面相所佔的比例甚少,表面
相的研究受到極大的限制。而對奈米材料來說,其表面相已經達到
與體相比例相近,易於研究它的性質。在許多物理化學過程中表面
相的作用十分顯著,如在催化過程(catalytic process)中表面結構
的變化和作用,在發光和輸運過程中表面態的作用以及表面吸附
(adsorption)和表面擴散(diffusion)等。當材料已處於奈米尺度
時,材料表面形狀與結構的變化都會影響到材料的性質。

局域化和量子輸運

當奈米材料中只是某一方向上的尺度很小時,如奈米線、奈米
管,電子運動在這一方向受到的限制,使電子波函數在這一方向上
是局域化的(localized),而在另外的方向上是擴散的。這時電子
波函數的特點導致材料的物理性質發生變化。如庫侖阻塞效應
(Coulomb blockade effect)與 阿 哈 洛 夫 伯 姆 效 應(Aharonov-
Bohm effect)。一維奈米尺度的體系尺寸與電子波函數的相位相干
長度(coherent length) 相接近時,電子的輸運可以是彈道式的
(ballastic)、無電阻的。量子點接觸的電導隨柵壓變化而產生階躍
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CHAPTER 1 9

式變化,也是量子輸運(quantum transport)的表現。由於奈米材料
的體系中電子輸運是相位相干的,古典的歐姆定律(Ohm s law)不
再成立,電流電壓的關係是非線性的。體系的電導不僅與兩測量端
之間的線路有關,而且與整個線路即測量點外的部分有關。這種非
局域化的電導現象,是電子波動性(wave)的充分表現。人們希
望,在極低的溫度下對奈米尺度一維材料內電子態密度(electron
state density)直接測量,可能會直接揭示出電子波函數的可疊加性
(superposition)和相干性(coherence)這一物理現象的本質。

量子隧穿與奈米尺度的耦合

儘管電子被限制在奈米材料的內部,但是電子仍然可以藉由量
子隧穿效應(quantum tunneling effect)從材料內部逃逸出去。量子
隧穿(quantum tunneling)的機率(probability)與位能井的深度、
壁厚和形狀有關。因此,對奈米尺度材料的表面進行修飾,從而改
變位能井的深度、壁厚、形狀來改變其對電子的約束。量子隧穿及
其可控制的事實帶來兩種截然不同的效果。第一,如果奈米材料內
電子的量子態作為資訊紀錄的媒體,那麼這一資訊很有可能由於量
子隧穿而丟失或導致元件誤動作,這是要避免的。第二,量子隧穿
又可以將臨近的奈米尺度材料直接耦合(coupling)在一起,形成無
導線的連接。適當地改變材料的尺寸、界面間距以及外界的電場,
可以直接調變(modulate)材料之間的耦合。更重要的是藉由上述
條件的改變,安排巧妙的實驗或許能使人們更加深入地理解,兩個
強相關的電子體系是如何藉由弱的耦合條件來實現相位相干這一物
理現象的。
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10 奈米薄膜技術與應用

2, 3
1.1.5 奈米材料的化學性能

化學反應活性

奈米粒子的比表面積(specific surface area)大,表面原子數很多,


使得奈米材料具有較高的化學活性。許多奈米金屬微粒室溫下在空
氣中就會被強烈氧化而燃燒;將奈米鉺(Er)和奈米銅(Cu)粒子
在室溫下進行壓結就能夠反應形成金屬間化合物(intermetallic com-
pound);無機材料的奈米粒子暴露在大氣中會吸附氣體,形成吸附
層,因而可利用奈米粒子的氣體吸附性做成氣敏元件,對不同氣體
進行檢測。奈米材料的大比表面積無疑將增進氣敏元件的靈敏度
(sensitivity),改善響應速率,增強氣敏選擇性。例如鈀(Pd)是
一種很好的氣敏材料,當它吸附氫氣(H2)後,導致電阻率(resis-
tivity)增加,在室溫條件下可以去氫可逆恢復,若採用蒸發冷凝法
製造 10~15nm 的奈米鈀顆粒,然後壓製成薄片,這樣,其緻密度
不可能很高,有很多的孔洞,易於實現氣 固反應,可提高靈敏度。
奈米粒子具有很高的催化活性,作為新一代催化劑(catalyst)
倍受國內外重視。作為催化劑,顆粒越細或載體(carrier)比表面
越大,催化效果越好。奈米粒子具有無細孔、無其他成分、能自由
選擇組分、使用條件溫和、使用方便等優點。對某些有機化合物
(organic compound)的氫化反應,奈米級的鎳(Ni)、Cu 或鋅
(Zn)粉是極好的催化劑,可用來代替昂貴的鉑(Pt)或 Pd。一般
粒徑為 30nm 的 Ni 可使加氫或脫氫反應速度提高 15 倍。日本(Ja-
pan)的恩樂(Ueno)等人用溶膠法(sol)將平均粒度為 3~13nm

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CHAPTER 1 11

的 Ni 超細粉末均勻分散到 SiO2 多孔基體中,所得催化劑對一些有


機物的氫化反應或分解反應具有催化作用(catalysis),其催化效率
與 Ni 的顆粒度有關。奈米級 Pt 粉催化劑可使乙烯(ethylene, )
氧化反應溫度從 600℃降至室溫。奈米 Ni 粉用於火箭(rocket)固
態燃料反應觸媒,可使燃燒效果提高 100 倍。近年來,催化發展的
方 向 是 奈 米 複 合 化,例 如 沸 石(zeolite)結 構 的 奈 米 二 氧 化 鈰
( )與 Cu 組成奈米複合材料,可用於汽車尾氣中排放出來的
SO2 、CO 的消除。這是因為,由於 Cu 和 CeO2 之間電子的相互作
用,使生成電洞的焓(enthalpy)產生了變化,增加了活性中心(ac-
tive center),促進了催化反應的活性,促使催化反應的溫度下降,
從而可提高效率並減少能耗。奈米 Fe、Ni 和 Fe2O3燒結體(sin-
ter)可替代貴金屬(noble metal)作汽車尾氣(exhaust vent)淨化
的催化劑。
光催化(photo catalysis)活性是半導體奈米粒子非常獨特的性
能,引起科技界與產業界的高度重視。半導體奈米粒子在紫外光
(ultraviolet)照射下,可有效地將有機污染物完全催化氧化成二氧
化碳、水、氯離子等無機物。隨著全球環保(environmental protec-
tion)意識的深化,用光催化技術消除有機物污染已經引起科技界
的廣泛興趣。二氧化鈦(TiO2 )作為光催化劑,具有活性高、安
全、無污染等優點,是最有開發前景的綠色環保催化劑之一,並正
在有機廢水處理、空氣淨化、殺菌(sterilize)除臭中扮演越來越重
要的角色,其應用也越來越廣泛。

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12 奈米薄膜技術與應用

光吸收

奈米材料光吸收表現出藍移(blue shift),這主要與量子尺寸
效應相關。奈米氧化亞錳(MnO)吸收光譜表現出藍移特徵。染料
(dye)亞基甲藍(methylene blue)對奈米有機溶膠體系光譜性質
的影響研究顯示,當亞甲基藍分子濃度較低時,亞甲基藍吸附在奈
米硫化鎘(CdS)表面,其帶正電荷的極性頭部分與陰離子(ani-
on)表面活性劑(surfactant)發生某些相互作用,無游離的亞甲基
藍,原來與表面活性劑作用的部分 Cd 2+ 空餘出來,使奈米 CdS 微
粒增大,因而微粒吸收有所增加,吸收帶邊紅移(red shift)。當亞
甲基藍分子濃度增大到一定程度後,吸附達到飽和,奈米 CdS 的吸
收不再發生變化,游離的亞甲基藍吸收開始出現。亞甲基藍分子吸
附在微粒表面不僅降低了表面缺陷態密度,更主要的是它與光生電
子(photo induced electron)和表面受陷電子之間存在某些相互作
用。奈米 CdS /亞甲基藍分子複合體系(composite system)存在較
高的光致電荷轉移效率,這非常有利於光催化(photo catalysis)、
光資訊記憶及太陽能(solar energy)轉化,這類體系具有潛在的應
用價值。

螢光光譜

奈米材料的螢光(fluorescence)光譜呈現藍移現象。某些試劑
如甲基紫精(methyl violet)對 ZnS、Cd3 P2 及 Zn3 P2 膠體(colloid)
奈米微粒具有淬滅螢光作用。藉由和周圍環境的分子化學作用,能
夠修飾小半導體粒子的光化學性質,作為強化學作用或半導體合成

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CHAPTER 1 13

期間副產品(by product)可能產生預期不到的化學物質,如被 O 2、
NO 2 、ClO 4 氧化。I 、硒化氫(H 2 Se)、氫化砷(AsH 3)、膦
(PH 3)產生的 I 3 、Se、As 和 P 能強烈干擾半導體的光化學性質。

發光現象

光增敏劑(photo sensitizer)對奈米微粒發光影響顯著,加入砷
化鎘(CdAs2)的奈米膠體體系顯著發光,而將 AgClO4 或 Ag2 S 加
入含聚磷酸鈉(poly sodium phosphate)為穩定劑(stabilizer)的
CdS 膠體溶液中,CdS 膠體發光,活化度極強地依賴於 CdS 及 Ag2S
的彼此連接。當在缺陷處發生無輻射復合(radiative recombination)
時,使發光強度大大降低。表面活性劑對奈米尺寸材料發光也影響
很大,在奈米尺寸 ZnS:Mn 粒子的合成時加入適當的表面活性劑
分子,可有效地減少 ZnS 微粒表面態,從而提高 Mn2+ 發光強度。
此外,反應物不同,陰陽離子配比對發光影響非常顯著,但不同的
表面包覆影響則相對較小。

光電化學特性

從循環伏安(IV)和光電流(photocurrent) 電位能(electric
potential)曲線的研究結果顯示:介電限域效應(dielectric confined
effect)對奈米微粒電化學及光電化學性質有一定的影響,表面修飾
硬脂酸(stearic acid)的 Fe2O3 超微粒具有更高的電化學可逆性
(reversible)。有關奈米材料光化學性質及光電化學性質的研究,
尤其是有關基礎的理論研究是開發新型材料的必要基礎,如某些奈
米材料在較寬的光譜範圍內呈現出對光的均勻吸收,具有優異的光
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14 奈米薄膜技術與應用

學性能,因而這類材料具有作為光學材料的潛力。要儘快地開發出
具有特殊光學性能(如非線性光學材料及發光材料等)、磁學性能
〔如超順磁(super paramagnetic)材料〕或具有優異性能的電子材
料,這些工作對於材料化學無疑具有非常重要的價值。為此,人們
需要做出不斷地努力研究與探討,以期能夠達到開發出新型材料的
目的。

1.2 奈米微粒

前面已說過,奈米微粒(nano particle)就是指尺寸在 1~100nm


的超微細粒子,也就是人們所說的奈米材料。由於奈米材料和奈米技
術涉及各種領域,在目前的研究中(包括書籍和論文中)有多種名
稱,例如,材料科學家稱之為超細顆粒,晶體學家稱之為奈米晶粒,
原子分子物理學家稱之為團簇(cluster),化學家稱之為膠體顆粒或
大分子,固態(solid state)理論物理學家稱之為量子點(quantum
dot)。在研究其能量量子化(quantization)和電荷量子化時,又有人
把它類比為人工原子(artificial atom),進而引出人工分子、人工晶
體(artificial crystal)的概念。這麼多不同學科在奈米研究領域的交
匯,說明奈米科學與技術在現代科學和高科技領域中的重要價值,尤
其是對未來高科技的發展有重大的帶動作用和廣闊的應用前景。
對於奈米微粒電子結構以及它的物理和化學性質,已在前面做了
較為詳細的論述,在此不再多說。下面僅就半導體量子點(semicon-
ductor quantum dot)的情況稍加說明,這是目前微電子學(microelec-
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CHAPTER 1 15

tronics)和光電子學(photoelectronics)領域中研究的熱點。
半導體量子點,也稱為半導體奈米晶粒,其尺度介於巨觀固態與
微觀原子、分子之間。在理論計算時可以當作大分子處理,量子點的
典型尺寸為 1~10nm,包含幾個到幾十個原子。由於荷電載子的運動
在量子點中受到三維的限制,半導體量子點已經失去了體材料的特
性,能量發生量子化,其電子結構由連續能帶變為分立能階(discrete
energy level)(見圖 1 1) 4 ,更接近於類原子的特徵。半導體量子
點一個最突出的特性是電子能譜的量子尺寸效應,即半導體量子點的

塊體 CdSe 能帶 量子點能階
E

1D

導電帶 1P
(conduction band) 1S
光學躍遷
(optical transition)

K
1S 1S
A 1P
J = 3/2 1P
B
1S
J = 1/2 1P
C
價電帶(valence band)

圖1 1 實際的Ⅱ Ⅵ族半導體(如 CdSe)的連續能帶


4
轉變為量子點分立能階的示意圖

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16 奈米薄膜技術與應用

帶隙相對於體材料有較大的藍移,量子點表現很強的光學非線性。在
電學性質方面,存在庫侖阻塞效應(Coulomb blockade effect)。另一
個重要特性是表面效應,隨著半導體奈米晶粒尺寸的減小,比表面積
(specific surface area)(表面原子數與量子點總原子數之比)越來越
大,表面原子數越來越多,因而表面的作用越來越強。由於表面原子
的配位不足,表面活性增強。表面原子的輸運和再構,引起其力學性
質、熱學性質、化學性質等多種性質的變化。這種低維結構和物理的
發展正以全新的概念改變著電子元件的設計思想,使半導體元件的設
計和製造由原先的所謂「雜質工程(impurity engineering)」發展到
「能帶工程(energy band engineering)」和「電子特性與光學特性的
剪裁」等新的範疇,它將使半導體元件向更新的方向邁進。

1.3 奈米薄膜

奈米薄膜(nano film)是指由尺寸在奈米量級的晶粒(或顆粒)
構成的薄膜,或將奈米晶粒鑲嵌(embedded)於某種薄膜中構成的複
合膜(如 Ge/SiO2,將 Ge 鑲嵌於 SiO2 薄膜中),以及每層厚度在奈
米量級的單層或多層膜,有時也稱為奈米晶粒薄膜和奈米多層膜。其
性能強烈依賴於晶粒(顆粒)尺寸、膜的厚度、表面粗糙度及多層膜
的結構,這也就是目前奈米薄膜研究的主要內容。與普通薄膜相比,
奈米薄膜具有許多獨特的性能,如具有巨電導、巨磁電阻效應(gaint
magneto-resistive effect)、巨霍爾效應(gaint Hall effect)、可見光發
射等。例如,美國約翰霍普金斯大學(John-Hopkins University)的科
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CHAPTER 1 17

學家在 SiO2 Au 的顆粒膜上觀察到極強的高電導現象,當金顆粒的體


積百分比達到某臨界值(critical value)時,電導增加了 14 個數量級;
奈米氧化鎂銦(MgInO)薄膜經氫離子植入(ion implantation)後,
電導增加 8 個數量級。此外奈米薄膜還可作為氣體催化(如汽車尾氣
處理)材料、過濾器材料、高密度磁記錄材料、光敏材料、平面顯示
材料及超導(superconduction)材料等,因而越來越受到人們的重視。
目前,奈米薄膜的結構、特性、應用研究還處於起步階段,隨著研究
工作的發展,更多的結構新穎、性能獨特的奈米薄膜必將出現,應用
範圍也將日益廣闊。
按奈米薄膜的應用性能,奈米薄膜大致可分為以下幾種:奈米磁
性薄膜、奈米光學薄膜、奈米氣敏膜、奈濾膜、奈米潤滑膜及奈米多
孔膜。還有藍穆爾 布洛吉膜(Langmuir-Blodgett film)和(分子自組
裝(self assembly)膜)等有序組裝膜,下面對幾種功能薄膜作一些簡
3
單的介紹 。

奈米磁性薄膜(nano magnetic film)

自從 1988 年有人在 Fe/Cr 奈米量級的多層膜中發現巨磁電阻效


應以來,奈米磁性薄膜引起了人們強烈的研究興趣。由於晶體結構
的有序和磁性體的形狀效應(shape effect),磁性材料的內能一般
與其內部的磁化方向有關,即會造成磁各向異性(anisotropy)。與
三維體材不同,薄膜材料存在單軸磁各向異性,只有薄膜內的某個
特定方向易於磁化,因此被成功地應用於磁記錄介質(magnetic re-
cording medium)。一般薄膜材料是平面磁化的,而奈米磁性薄膜
由於厚度很薄,只有薄膜的法線(normal)方向易於磁化,即具有
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18 奈米薄膜技術與應用

垂直磁化性質。因此奈米磁性薄膜可以削弱傳統磁記錄介質中資訊
儲存密度受到其自退磁效應(self demagnetizing effect)的限制,加
上其具有巨磁電阻效應,在資訊儲存領域有巨大的應用前景。
奈米磁性薄膜都採用多層結構以獲得一定的厚度。每兩層為
一個週期,其中一層為鐵磁性(ferromagnetic)材料,另一層為非
鐵磁性材料,如 Fe/Cu、Fe/Au、Co/Pt、Pt/Co、Au/Co 及坡莫合金
(permalloy)/鉭等。薄膜的易磁化方向明顯依賴於鐵磁性材料的
厚度。有研究結果顯示,對於每層 Pd 厚度為 8~30nm 的 Pd/Co 奈
米薄膜,當每層鈷(Co)的厚度減小到 0.8nm 時,其易磁化方向便
由平面方向轉到法線方向。同樣,對於 Fe/Au 多層膜,隨著 Fe 層厚
度的減小,奈米薄膜更易磁化,垂直磁化的趨勢增強。且由於 Fe/Au
界面的活性過渡層(transition layer)的存在,Fe 原子的原子磁矩
(magnetic moment)也隨 Fe 層膜厚的減小而顯著增加。可見,在
奈米多層膜中,界面隨鐵磁性材料膜厚的減小對性能會產生顯著的
影響。
1992 年,奈米顆粒膜巨磁電阻被發現。最近美國布朗大學
(Brown University)的科學家在 4K 的溫度和幾個特斯拉(Tesla)
的磁場下,磁電阻變化率 R/ R0 上升到 50%,目前這一領域研究追
求的目標是提高工作溫度,降低磁場。如果在室溫和零點幾特斯拉
磁場下,顆粒膜巨磁阻能達到 10%,那麼就將接近使用目標。1997
年以巨磁電阻為原理的奈米結構元件已在美國問世,在磁儲存、磁
記憶和計算機讀寫磁頭將有重要的應用前景。奈米磁性顆粒膜還存
在巨霍爾效應(Hall effect)。派克霍姆夫(A. B. Pakhomov)等人在
Ni SiO2 顆粒膜中發現高達 200 ‧ cm 的飽和霍爾電阻率(Hall
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CHAPTER 1 19

resistivity),比普通非磁金屬的正常霍爾效應高 106 倍,比磁性金


屬中的反常 Hall 效應大 4 個數量級以上。
奈米磁性顆粒膜是由強磁性的奈米顆粒嵌埋於與之不相固溶
(solid solution)的另一相基質之中生成的複合材料體系,兼具超細
顆粒和多層膜的雙重特性。通常採用共蒸發(co-evaporation)和共
濺射(co-sputtering)等技術製造薄膜。磁性顆粒通常是鐵磁元素及
合金,基質可為金屬或絕緣體。根據基質的不同,一般可分為磁性
金屬 非磁性金屬合金型(M M)和磁性金屬 非磁絕緣體型
( )兩大類。由於磁性顆粒膜獨特的微結構(micro structure),
磁性顆粒的尺寸、形狀和含量以及顆粒與基質之間存在的豐富界
面,導致其磁性性質和電子輸運性質等與大塊磁性材料有本質的區
別,形成豐富的研究內涵。磁性顆粒在奈米膜中以分散的奈米顆粒
形式存在時,其磁性會發生變化;當其體積百分數超過一定值時,
磁性顆粒會連接成網,便具有與連續膜相似的特性。都有為小組製
造 了 多 種 奈 米 磁 性 顆 粒 膜,如 Co35(SiO2)65、Fe45.51(Al2O3)54.49、
( Fe 0.65 ) 0.45 (Al 2 O 3 ) 0.57 、(Co 0.34 Fe 0.66 ) 0.42 (Al 2 O 3 ) 0.58 、Ag 1 x

x、(SiO2) 1 x(Ni0.8Co0.2) x 等,深入研究了其磁結構、微觀結


構、磁學性質、巨磁電阻效應和巨霍爾效應。在對 Fex(SiO2)1 x

磁性顆粒膜研究中發現,改變 Fe 與 SiO2 二者的原始比例和技術參


數(parameter),可以方便地控制鐵顆粒的大小,從而控制膜的磁
性。當鐵的體積百分數在 29~60%之間時,顆粒膜的矯頑力反常增
長;而當鐵的體積佔 60~100%時,鐵的顆粒連接成網,膜的矯頑
力(coercive force)與鐵的濺射膜值相近。

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20 奈米薄膜技術與應用

奈米光學薄膜(nano optics film)

隨著構成光學膜的晶粒尺寸的減小,晶界(grain boundary)密
度將增加,膜表面的粗糙度(roughness)也將發生變化,表面光散
射及光吸收必然不同。因此,當尺寸減小到奈米量級時,薄膜的光
學性能也必將發生變化。
奈米晶 Si 膜是廣泛研究的一種奈米光學薄膜,表面原子數幾乎
和 體 內 原 子 數 相 等,因 而 顯 示 出 與 晶 態(crystalline)、非 晶 態
(amorphous)物質均不同的嶄新性質。奈米晶 Si 膜具有熱穩定性
好、光吸收能力強、摻雜效應高、室溫電導率可在大範圍內變化等
優點。對沉積溫度、薄膜厚度、內部結構、晶粒尺寸等與薄膜的標
準化積分散射強度、光吸收係數及光發射強度之間的關係進行了詳
細的研究。結果顯示,Si 晶粒的平均直徑小於 3.5nm 時,紫外光致
發光強度迅速增加;平均粒徑為 1.5~2nm 的奈米 Si 膜則可獲得更
好的發光效果。藉由調節基片的溫度或膜的厚度,可改變膜的表面
狀態,進而調節其吸收特性。表面微觀粗糙度越大,表面散射越
強,導致光吸收性能顯著提高。薄膜內部結構對膜的吸光特性也有
影響,這與晶界處的缺陷狀態(defect state)有關。奈米晶體矽膜
的光吸收係數比單晶(single crystalline)和多晶矽(poly crystalline
silicon)都要高。還有研究顯示,奈米 Si 粒子之間的界面區域中載
子的躍遷(transition)及傳輸(transport)過程對整個範圍的吸收光
譜起主導作用。
超薄的量子井(quantum well)厚度小於傳導電子德佈羅意波長
(de Broglie wavelength),會產生空間量子化的效應,有利於光的

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407

索 引
A/D converter 類比/數位轉換器
A
247
abrupt 突變 56 additive 添加劑 293, 360
absorbent 吸收劑 224 adhesion 附著力 62
absorption coefficient 吸收係數 adhesive 黏合劑 335
97 adsorption 吸附 8, 21, 55, 105,
absorption peak 吸收峰 80, 155, 275
354 adsorption rate 吸附率 297
acceptor 受子,受體 213, 223 Adv. Mater. 尖端材料(期刊名)
accumulation lager 積聚層 299 402
acetic acid 冰醋酸 205 Afghan 阿富汗 31
acetoacetic, acid, AcAc 乙醯乙酸 aging 老化 4, 324
360 Aharonov-Bohm effect (A-B effect)
acetone, CH3COCH3 丙 酮 123, 阿哈洛夫 伯姆效應 8, 35
153, 181, 204, 310 Ahmed (H.) 阿姆德(人名) 396
acetylene, C2H2 乙炔 199, 398 air mass 氣團 290
acoustic chemistry effect 聲化學效 alcohol 醇,乙醇 61, 123, 153
應 214 alcoholate 醇鹽 61, 63, 360
acoustic decomposition 聲分解 Aldrich 一化學公司 340
214 alkaline metal 鹼金屬 279
acoustic surface wave device 聲表面 alkaline metal ion 鹼金屬離子 339
波元件 359 alkyl 烷基 57
acrylonitrile 丙丙 183 all metal spin transistor 全金屬自旋
activation 激活 212, 346 電晶體 328
activation energy 激活能 143, 170 Allied Signal 聯合信號(公司)
active center 活性中心 11, 83 392
active coal 活性炭 59 alloy 合金 365
active region 活性區 115 aluminum foil 鋁箔 197
actuator 致動器 392 ambient 氣氛 44

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408 奈米薄膜技術與應用

America 美國 321 anodization 陽極處理,陽極氧化


amino 胺基 182 134, 159, 206
amino acid 氨基酸 22 anodized aluminum oxide, AAO 陽
ammonia solution, NH4OH 氨水 極氧化鋁 191, 197
334 anthrax 炭疽 31
ammonium peroxdisulfate (NH4)2S2O8 anti impact 抗衝擊 403
過二硫酸銨 183 anti radiation 抗輻射 309
amorphous 非 晶(態) 20, 44, anti-ferromagnetic 反鐵磁 83
93, 323 anti-ferro magnetic state 反鐵磁態
amplified spontaneous emission, ASE 401
放大自發發射 116 Anveva 安偉伐(公司名) 368
anaerobic 厭氧的 224 apparent 表觀 194
anatase 銳鈦礦 207, 222, 280, apparent resistance 表觀電阻 307
295, 355 apparent resistivety 表觀電阻率
10
angstrom, Å, 10 m 埃 240 307
anion 陰離子 12, 69, 122 Appl Phys. Lett. 應用物理通訊(期
anisotropic constant 各向異性常數 刊名) 402
321 aqueous 水溶液 68, 93
anisotropic energy 各向異性能 arbitrary unit, a.u. 任意單位 97
320 aromatic hydroxyl 芳烴基 57
anisotropic magnetoresistance effect Arthur 亞瑟(人名) 52
各向異性磁電阻效應 326 artificial atom 人工原子 14, 88,
anisotropy 各向異性 17, 74, 319 176
anneal 退火 82, 128, 179, 215, artificial crystal 人工晶體 14
325 artificial muscle 人工肌肉 393
annihilation 湮沒,湮滅 85, 227, artificial photosynthesis 人工光合作
243 用 263
annihilation operator 湮滅算符 artificial synthesis 人工合成 315
243 asbestos acid washed 酸洗石綿
anode deposition 陽極沉積 69 335
anode electrochromic 陽極電致變色 aspect ratio 縱橫比 178
344 assembly 封裝 91, 306

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409

association effect 締合作用 338 battery 電池 249, 270


associative substance 締合物 339 Baughman (R. H.) 鮑哥漢(人名)
atmospheric 常壓的 57 392
atom cluster 原子簇 2 bearing 軸承 24
atom like 類原子 6, 88 Becquerel 比丘利耳(人名) 278
atomic beam 原子束 73 Bell Laboratory 貝爾實驗室 52
atomic force 原子力 258 Bender (M.) 班得(人名) 373
atomic force microscope, AFM 原 benzene, C6H6 苯 399
子力顯微鏡 23, 28, 84, 110, benzol peroxide 過氧化苯甲醯
124, 128, 143 180
atomic layer epitaxy, APL 原子層磊 Berkowitz 貝考維次(人名) 82
晶 73 Bignozzi 賓諾尼(人名) 220
atomic level 原子級 60 binding energy 束縛能 121, 358
18
atto Faraday, 10 F 阿法 260 biochemical 生化 22
Auger energy spectrometer, AES 歐 biology 生物學 32
傑能譜儀 54 bipyridine ruthenium 聯聯聯
Australia 澳大利亞 30 290
auto doping 自動摻雜 60 bleaching 漂白 80
Averim 艾 佛 林(人 名) 243, Bloch domain wall 佈洛赫疇壁
244, 247 319
azo dye 偶氮基染料 223 blood cell 血球 28
blue shift 藍移 12, 80, 91, 134,
B
145, 163, 271
back electron 背電子 225 boat 舟 374
background 基礎,背景 97, 368 Boeing 波音(公司名) 33
bake 焙燒 356 Boeing 747 波音 747 28
ballastic 彈道式的 8, 38 Bohr radius 玻爾半徑 80, 99, 135
Baltimore 巴爾的摩(地名) 25 Boltzmann constant 玻爾茲曼常數
bandgap 帶隙 212 126, 319
Barkhausen noise 巴克豪森噪音 Boltzmann statistics 玻爾茲曼統計
327 251
base solution 基液 321 bond magnet 黏結磁體 322

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410 奈米薄膜技術與應用

Borgarello 伯 加 利 歐(人 名) carbide 碳化物 65


282 carbolic acid 石碳酸 222
bottom up 自下而上 37, 176 carbon nano tube, CNT 碳奈米管
bright field 明場 206 30, 186, 198, 199
bright field image 明場像 365 carbon nano tube template 碳奈米管
British Broadcast, BBC 英國廣播公 模板 186
司 402 carbonyl 羰基 182
brookite 板鈦礦 295 carboxyl 羧基 227
Brown University 布朗大學 18, carboxylic acid 羧酸 290
120, 393 carrier 載子 10, 89
Brus formula 布魯斯公式 357, catalysis 催化 11
358 catalyst 催化劑 10, 167, 180, 338
Buehler 標樂(公司名) 369 catalytic process 催化過程 8
buffer layer 緩衝層 110 cathode deposition 陰極沉積 68
Burgers vector 伯格斯向量 113 cathode electrochromic 陰極電致變
by product 副產品 13 色 344
cathode ray tube, CRT 陰極射線管
C
52
cable 電纜 29 cathode sputtering 陰極濺射 364
Canada 加拿大 31 cation 陽離子 69
cancer 癌(症) 29 cell 電池 220
Canham 坎漢(人名) 134, 159, cell membrane 細胞膜 71
160 cell separation 細胞分離 321
Cannizzaro reaction 歧化反應,坎 cellulose acetate, CA, 醋酸纖維素
尼乍若反應 285 22
capacitance coupling 電容耦合 47 centrifugal 離心 315
capacitive 容性 280 ceramic material 陶瓷材料 403
capillarity 毛細現象 75 chair 椅 395
capture 俘獲 99, 215 Chang (R. P. H.) 張(人名) 393
capture point 俘獲點 237 channel 通道 21
capture rate 截留率 22 characteristic peak 特徵峰 117,
capture state 俘獲態 279, 284 312

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411

characteristic temperature 特徵溫度 cluster 團簇 14


114 CO2 laser 二氧化碳雷射 66
characterization 表徵 3, 84, 274 coal 炭 95
charge compensation 電荷補償 coaxial nano cable 同軸奈米電纜
270 403
charge transfer 電荷轉移 273 coaxial nano tube 共軸奈米管 397
charge transport impact theory 電荷 coding system 編碼系統 239
傳輸衝擊理論 244 coercive electric field 矯頑電場
chemical population 化學污染 263 363
chemical reagent 化學試劑 340 coercive force 矯頑力 19, 75, 320
chemical sensor 化學感測器 393 co-evaporation 共蒸發(鍍) 19
chemical vapor deposition, CVD 化 coherence 相干性 9, 37
學氣相沉積 27, 65, 141, 178, coherent 相干 8, 140
185, 315, 344 co-lattice 共格的 109, 113
Chen J. S. 陳(人名) 394 cold cathode 冷陰極 51, 201, 315,
Chien 錢(人名) 82 383
China 中國 30 colloid 膠體 12, 88, 214, 282
chip 晶片 136, 239 colloid chemistry 膠體化學 91
chloroform, CHCl3 氯 仿,哥 羅 仿 colloid quantum dot 膠體量子點
193 93
chloro-phenol, CP 氯酚 223 color disc 比色皿 97
chlorophyl 葉綠素 220, 238 colossal magnetoresistance effect,
Choi (K.H.) 蔡(人名) 373 CMR effect 龐磁電阻效應
Christine 克利斯丁(人名) 195 328
chromosome 染色體 71 compatibility 相容性 339
circulator 順通器 50 complex 絡 合 物,錯 合 物 220,
citric acid 檸檬酸 193, 334 230, 340
City University of Hong Kong 香港 complex refractive index 複數折射
城市大學 393 指數 383
cleavage 解理面 369 composite 複合 42, 101
Clinton 柯林頓(人名) 326 composite film 複合膜 340
closely packed 密堆 93 composite material 複合材料 339

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412 奈米薄膜技術與應用

composite system 複合體系 12 Coulomb blockade effect 庫侖阻塞


compressive stress 壓縮應力 128 效應 8, 16, 35, 89, 401
computer 電腦 33 Coulomb exclusion 庫侖排斥 242
computer aided design, CAD 計算 Coulomb gap 庫侖間隙 241
機輔助設計 33 Coulomb staircase 庫侖臺階 72,
computer simulation 計算機模擬 242
377 coumarin 香豆素,薰草素 230
condensation 冷凝法 43, 62 Council of Scientific and Industrial
condensed state 凝聚態 85 Research, CSIR 科學工業研究
condensed state physics 凝聚態物理 評議會 393
26, 88 counter electrode 反電極 217, 270
conduction band 導電帶 15, 35, coupler 耦合器 50
100 coupling 耦合 9, 250
conductive polymer 導電高分子 coupling efficiency 耦合效率 332
178 covalent bond 共價鍵(合) 5
conductivity 電導率 170, 196, 271 crevice 裂紋 78, 404
confinement 約束 252 critical dimension 臨界尺寸 82,
conversion efficiency 轉化效率 109
290 critical plasma spray parameter, CPSP
Cooper pair 庫柏對 245 臨界電漿噴塗參數 403
coordinate 配位 91, 135 critical radius 臨界半徑 319
coordination effect 配位作用 342 critical value 臨界值 17
core 核,芯 102, 403 crucible 坩堝 45, 189, 340
core-shell 核殼 92 crystal triode 晶體三極管 239
Cornell University 康奈爾大學 31 crystal whisker 晶鬚 186
corona 暈環 370 crystalline 晶態 20, 44, 323
correction factor 修正因子 307 crystallinity 結晶度 341
corundum 剛玉 189 cubic phase 立方相 129
co-sputtering 共濺射(鍍) 19 Cullis 古利斯(人名) 161
Coulumb action energy 庫侖作用能 Curie temperature 居里溫度 320,
358 324
Coulomb blockade 庫侖阻塞 241 Curie point 居里點 400

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413

cutoff frequency 截止頻率 332 decoupling 解耦合,去耦合 287,


cutoff wavelength 截止波長 219 289
cyanine dye 花青染料 234 deep energy level 深能階 99
cyanogen silane 氰矽烷 182 de-excitation 退激 149
cyclic I-V characteristics 循環伏安 defect resonance electron scattering
特性 277 缺陷共振電子散射 395
cyclic I-V curve 循環伏安曲線 defect state 缺陷狀態 20, 312
341 degenerate 簡並 170
cyclo hexa nitrile 環環 184 degradation 降解,降解率,退化
cyclotrimethylene trinitramine 環三 164, 223
次甲基三硝基胺 315 degradation rate 降解率 224
degree of freedom 自由度 2, 42
D
Dekker (C.) 狄克(人名) 300
D. I. water 去離子水 94, 167, Delft University of Technology 德
193, 310 芙工業大學 395
Dai (H.) 戴(人名) 187, 393 delocalized 去局域化的 285
damping device 阻尼元件 321 dense 致密 23
dangling bond 懸掛鍵 74, 135 densification 致密性 167
dark conduction 暗電導 270 deoxyribo nucleic acid, DNA 去氧
dark field 暗場 206 核糖核酸 28, 71
dark region 暗區域 48 depletion region 空乏區 240
data processing 數據處理 239 deposition rate 沉積速率 352
DC sputtering 直流濺射 46 derivative 衍生物 57
de Broglie wavelength 德佈羅意波 desorption 脫附 55, 274
長 20, 35, 89, 114 desorption effect 脫附效應 288
de Heer (W. A) 迪西爾(人名) detergent 清潔劑 216
392 deuterium 重氫 280
deactivation 失活 227 diamond 鑽石 29, 51, 305, 309,
Debye length 德拜長度 42 383
decapture point 脫俘點 237 diamond like 類鑽石 383
decibel, dB 分貝 325 dichloro methane, CH2Cl2 二氯甲烷
decomposition 分解 95 193

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414 奈米薄膜技術與應用

dielectric 介電 306, 373 display device 顯示元件 212


dielectric confined effect 介電限域 dissociation 解離 55
效應 13 dissociation constant, pKa 解離常數
dielectric constant 介電常數 135, 287
351 distillation water 蒸餾水 355
dielectric dissipation 介電損耗 distortion 畸變 79
382 donor 施子 213
dielectric function 介電函數 382 dopant 摻質 334
diester 二酯 321 dopant distribution 摻雜分佈 56
diffraction 繞射 38 dose 劑量 142
diffraction peak 繞射峰 146, 207 dot array 點陣列 79, 365
diffraction ring 繞射環 96, 154, double electric layer 雙電層 279
206 double exponential 雙指數 227
diffraction spot 繞射斑 154, 365 double hydrophilic 兩親的 177
diffusion 擴散 8, 100 double junctions system 雙接面系統
digital electronics 數位電子學 239 244
digital memory 數位記憶體 247 double layer charge 雙層電荷 271
dimension 維度 4 double magnetron target 雙磁控靶
dimethyl formanide, DMF 二甲基 329
醯胺 94, 95, 195 double mode distribution 雙模分佈
dimethyl silanediol, DMSD 二甲基 109
矽烷醇 128 double optical beam spectrometer 雙
dinaphthalene embedded benzene 二 光束分光光度計 374
嵌苯 230 Dresselhaus (M. S.) 居斯豪斯(人
diode 二極 315 名) 396
dipole moment 偶極矩 82 dry gel 乾凝膠 339, 341
direct band gap 直接帶隙 96, 135 Duke University 杜克大學 31
discrete 離散的,分立的 5, 89, 96 Dupont 杜邦(公司名) 32
discrete energy level 分立能階 15 dye 染料 220, 270
dislocation 位 錯,差 排 78, 109, dye sensitization 染料敏化 289
113, 365 dynamic 動力學的 289
dispersion 分散 95 dynamic random access memory,

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415

DRAM 動態隨機存取記憶體 electric hysteresis loop 電滯回線


326, 359 361
dynamics 動力學 227, 404 electric index 電氣指標 381
dynamics process 動力學過程 56 electric potential 電位能 13
dynamics simulation 動力學模擬 electric pulse pump 電脈衝泵 116
24 electrical potential 電位能 196
electro polishing 電解拋光 364
E
electro-chemical assisted photo cataly-
Eastman-Kodak 伊士曼 柯達(公 sis, ECAP 電化學助光催化過
司) 32 程 223
Ecole Polytechnique 洛桑高等工業 electro-chemical deposition 電化學
學院 279 沉積 181
effective band gap 有效能隙 151 electrochemical quartz crystal micro-
effective Bohr radius 有效玻爾半徑 balance, EQCM 電化學石英晶
135 體微理天平 273, 280, 282
effective mass 有效質量 35, 136, electrochemical 電化學法 43
358 electrochromic 電致變色 68, 270
effective Ryberg energy 有效里德堡 electrochromic effect 電致變色效應
能量 358 212, 273
effusion furnace 噴射爐 56 electrode 電極 69, 180
effusion source 噴射源 54 electrodeposition 電沉積 68, 127
elastic modulus 彈性模量 397, electroless 無電鍍 181
402 electroless solution 無電鍍液 181
elastic scattering 彈性散射 37 electroless synthesis 無電鍍合成
Eldritch (Jack) 厄 爾 德 里 奇(傑 181
克)(人名) 27 electroless template 無電鍍模板
electric bridge 電橋 361 185
electric dipole 電偶極 284 electroluminescence 電 致 發 電
electric displacement 電位移 382 134, 149
electric evaluation index 電氣評價 electroluminescent display panel 電
指標 380 致發光顯示板 60
electric excitation 電源激勵 140 electrolysis 電解 179

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416 奈米薄膜技術與應用

electrolyte 電解質 274 electron quench 電子淬滅 285


electrolytic 電解(的) 68 electron resonant tunneling device
electrolytic bath 電解槽 193 電子共振隧穿元件 38
electrolytic solution 電解液 179 electron spin resonance, ESR 電子
electromagnetic compatible, EMC 自旋共振 85
電磁相容 324 electron state density 電子態密度
electromagnetic induction 電磁感應 9, 114
329 electron tunneling probability 電子
electromagnetic resonance 電磁共 隧道機率 314
振 392 electron-hole pair 電子 電洞對
electron acceptor 電子受體 339 7, 217
electron affinity 電子親和力 122, electronic balance 電子天平 329
309 electrophoresis 電泳 72
electron beam 電子束 45 electroplating 電鍍 69, 130
electron beam etching 電子束蝕刻 electroplating solution 電鍍液 130
396 electrostatic force 靜電力 342
electron beam evaporation 電子束蒸 ellipsometer 橢圓儀 345
鍍 45, 192 elongation 延伸量 402
electron coherence 電子相干性 35 embedded 鑲嵌 3, 16
electron cyclotron resonance, ECR emissivity 發射率 373
電子迴旋共振 152 energy band engineering 能帶工程
electron cyclotron resonance, ECR- 16, 90
CVD 電子迴旋共振 化學氣 energy band theory 能帶理論 6
相沉積 152, 153, 314 energy gap 能隙 88
electron diffraction 電子繞射 95 energy level 能階 5
electron diffraction pattern 電 子 繞 energy spectrometer 能譜儀 368
射圖 206 energy transport 能量傳輸 149
electron donor 電子施子 292 England 英國 30, 321
electron emitter 電子發射體 201 enhancement factor 增 強 因 子
electron microscope 電子顯微鏡 203, 387
52 enthalpy 焓 11
electron mobility 電子遷移率 289 entropy ,, 328, 401

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417

environmental protection 環保 11 輻射微觀 229


epitaxy 磊晶 52 far infrared 遠紅外 85
epoxy 環氧樹脂 329 Faraday constant 法拉第常數 195
Erato 艾芮朵(公司名) 397 Faraday current 法拉第電流 280
Esaki 江崎(人名) 88 Fauchet 法奇特(人名) 82
15
ester 酯 227 femto, 10 飛 392
etching 蝕刻 91 femto second 飛秒 101, 230
ethanol, C2H5OH 乙醇 83, 310, Fermi Dirac statistics 曼米 德瑞克
334 統計 250
ether 醚 61, 296 Fermi energy level 費米能階 116,
ethylene, C2H4 乙丙 11, 185 169, 293, 313
ethylene glycol, HOCH2CH2OH 乙 Fermi surface 費米面 25
二醇 83 ferrite 鐵氧磁體 321
evaporation 蒸發法 43, 332 ferroelectric memory 鐵電記憶體
excimer laser 準分子雷射 66 327
excitation 激發 149 ferromagnetic 鐵磁性 18
excited state 激發態 6, 117, 291 ferromagnetic state 鐵磁帶 401
exciton 激子 8, 80, 96, 135, 358 Fert 飛特(人名) 82
exclsive or, EX-OR 互斥或 247 Feynman 費曼(人名) 25
exhaust vent 尾氣 11 fiber 纖維 29
explosion synthesis 爆炸合成 315 field effect transistor, FET 場效應
extended x-ray absorption fine struc- 電晶體 38
ture, EXAFS 擴充 X 射線吸收 field emission 場發射 52, 309
精細結構 84 field emission device 場發射元件
extinction coefficient 消光係數 393
215, 383 field emission effect 場發射效應
extinction effect 消光效應 376 393
field emission flat panel display 場
F
發射平板顯示器 383
face center cubic, FCC 面心立方 field emitter 場發射器 309
364 field enhancement factor 場增強因
far field radiation microscopy 遠場 子 312

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418 奈米薄膜技術與應用

fill factor 注入因子,填滿因子 傅里葉轉換紅外光譜 143


297 Fourier transform infrared trans-
filtration membrane 過濾膜 192 mission spectrum 傅里葉紅外
Finemet 一奈米微晶軟磁材料 透射譜 155
324, 325 Fowler-Nordheim 福樂 諾漢(人
finite element 有限元素法 81 名) 201, 202, 316, 387
first action principle 第一作用原理 fragile 脆性 78, 367
6 France 法國 82
fitting 擬合 157, 227, 308 free electron 自由電子 7
fitting curve 擬合曲線 201, 308 free exciton 自由激子 125
Fitzmaurice 飛 之 馬 瑞 斯(人 名) friction coefficient 摩擦係數 367
288 frictional force microscope, FFM 摩
flange 凸緣 54 擦力顯微鏡 23
flash 快閃記憶體 327 FT-far-IR 傅里葉轉換遠紅外光譜
flash evaporation synthesis 閃蒸合 85
成 4 Fujishima 藤島(人名) 223, 279
flat band energy 平帶能量 215, Fujita 富士達(人名) 344
219 full wavelength half maximum,
flat panel display 平板顯示 203, FWHM 半 高 寬 111, 146,
309, 373 147, 362, 377
fluctuation 漲落 240 functional device 功能元件 3
fluid 流體 22 functional thin film 功能薄膜 42
Fluka 福祿卡(一公司名) 297 Futurist 未來學家(期刊名) 27
fluorescence 螢光 12, 52
G
fluorescent screen 螢光屏 52
flux 通量 23 gain 增益 21, 139
forbidden band 禁帶 98, 144 gaint Hall effect 巨霍爾效應 16,
Fortune 財富(雜誌名) 33 326, 401
four point probe 四點探針 307, gaint magneto restrictive effect 巨磁
352, 374 致伸縮效應 328
Fourier transform 傅里葉轉換 85 gaint magneto-resistive (resistance)
Fourier Transform Infrared, FTIR GMR effect 巨磁阻效應 16,

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419

82, 318, 325, 327, 401


H
gas sensitive device 氣敏元件 335
gas sensitive sensor 氣敏感測器 halide 鹵化物 187
122, 344 Hall effect 霍爾效應 18
gate 閘 252 Hall-Petch relation 霍爾 匹區關係
Gaussian distribution function 高斯 式 77
分佈函數 154 Hall resistivity 霍爾電阻率 18
Gbit 十億位元 400 halogen 鹵素 292
gel 凝膠 61, 299, 355 halogenated biphenyl 鹵化聯苯
gelatin 明膠 94, 98 222
generation operator 產生算符 243 Hamiltonian 哈密頓量 243
Georgia Institute of Technology, GIT hard magnetic phase 硬磁相 81
喬治亞理工學院 31, 392 hard punch through 硬擊穿 171
German 德國 25 hard template 硬模板 176
Giordano 佐丹諾(人名) 186 Harvard University 哈佛大學 31,
glacial acetic acid 冰醋酸 334 72, 187, 393
Gleiter 格萊特(人名) 25 Hashimoto 橋 本(人 名) 226,
glow 餘輝 345 227, 265
glow discharge 輝光放電 47, 141 He (M.) 希(人名) 397
glycol methyl ether 乙二醇甲醚 heat sink 散熱器 306
360 Heath (J. R.) 希斯(人名) 396
Gómez 哥梅茲(人名) 296 heavily doping 重摻雜 306
gradient 梯度 58 Heisenberg uncertainty effect 海森
grain boundary 晶界 20, 84, 238 堡不確定效應 35
graphite 石墨 44, 155, 184, 310 Heisenberg uncertainty principle 海
Grätzel (M.) 格 雷 次(人 名) 森堡不確性原理 264
279, 282, 289 hetero junction 異質接(界)面
Grätzel cell 格雷次電池 290-291 52, 88, 396
ground state 基態 6, 117 hetero junction diode 異質接面二極
group 基團 64 體 169, 171
guest 客體 339 hetero structure 異質結構 101
Guo 郭(人名) 295 Hewlett Packard, HP 惠 普(公 司

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420 奈米薄膜技術與應用

名) 330 397
hexagonal phase 六角相 129 Huisken (F.) 胡斯金(人名) 67
HF-CVD 熱絲輔助 CVD 152 Hund’s rule 洪德定則 5
high definition digital recorder, hybrid 混成 5
HDDR 高清晰度數位錄影機 hydrogen bond 氫鍵 71, 339
323 hydrogenated amorphous 氫化非晶
high index surface 高指數面 74 134
high resolution 高解析度 150 hydrolysis 水解 61, 62, 297
high resolution TEM, HRTEM 高解 hydrophilic 親水 181
析透射電子顯微鏡 128, 141, hydrophobic 疏水 181
152, 154, 161 hydroxide 氫氧化物 286
high speed steel 高速鋼 368
I
high temperature high pressure,
HTHP 高溫高壓 315 ice water bath 冰水浴 205
high temperature
superconductor, Iijima (S.) 飯島(人名) 394
HTSC 高溫超導 68, 328 impulse current 脈衝電流 330
highest occupied molecular orbital, impurity engineering 雜 質 工 程
HOMO 最高佔據分子軌道 16, 90
96, 294 imref 準費米能階 217, 233, 238
HITPERM 一商品名 325 incident photon conversion efficiency,
hole 電洞(空穴) 7 IPCE 入射光子轉化效應
Holland 荷蘭 120, 395 218, 235
hollow tube 中空管 206 indentation depth 壓痕深度 369
hollow coil 空心線圈 332 India 印度 393
Honda 本田(人名) 223, 279 indirect band gap 間接帶隙 134
Hong Kong Polytechnic University indium tin oxide, ITO 氧化銦錫
香港理工大學 394 296, 310, 372
host 主體 75, 339 inductance 電感 331
hot electron 熱電子 231 inductively coupled plasma, ICP 感
hot filament 熱絲 152, 310 應(電感)耦合電漿 105
hot mirror 熱鏡 373 inductively coupling 電感耦合
Howard University 霍華德大學 105

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421

inert gas 惰性氣體 43 ion exchange 離子交換 74, 76


infiltration layer 浸潤層 117 ion exchange resin 離子交換樹脂
information science 資訊科學 32 74
infrared 紅外光 68, 134 ion implantation 離子植入 17,
infrared sensor 紅外感測器 359 139, 142
infrared spectrum 紅外譜 335 ion sputtering 離子濺射 46, 81
initiator 引發劑 183 ionization gauge 游離計 54
inorganic solvent 無機溶劑 69 ionization rate 離化率 48
in-situ 原位 44, 395 irreversible 不可逆的 274
integrated circuits 積體電路 42, isothermal 恆溫 146
134, 239 isotope 同位素 280, 285
integration 整合 37, 140 isotropic 各向同性的 323
intercalating agent 嵌入劑 270 Israel 以色列 30
intercalation 嵌入 270 Italy 義大利 138
interface effect 界面效應 4 iteration 迭代 382
interface state 界面態 139 I-V characteristics 伏安特性曲線
interference 干涉 38 310
interference microscope 干涉顯微
J
鏡 307, 352
intermetallic compound 金屬間化合 Japan 日本 10, 25, 321
物 10, 66 Japan Electric Optical Laboratory,
International Business Machine, IBM JEOL 日本電光實驗室 364
國際事務機器(公司名) 28, Jarrel-Ash 佳爾-阿許(公司名)
327 105
interstitial 間隙 84 John-Hopkins University 約翰霍普
intraband transition 帶間躍遷 219 金斯大學 16
intrinsic 本質的 78, 170 Joint Committee on Powder Diffrac-
ion 離子 21 tion International Center for Dif-
ion beam bombard 離子束轟擊 fraction Data, JCPDS 粉末繞
374 射數據聯合委員會 346
ion bombardment 離子轟擊 258 Josephson junction 約瑟夫遜接面
ion channel 離子通道 274 243

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422 奈米薄膜技術與應用

Josephson tunneling effect 約瑟夫遜 lattice intercalation 晶格嵌入 284


隧穿效應 243 lattice match 晶格匹格 219
journal 期刊 244 lattice mismatch 晶格失配 56, 73,
junction capacitance 接面電容 260 365
lattice strain 晶格應變 364
K
lead acetate 醋酸鉛 360
kink 扭結 155 lead lanthanum zirconate titantate 鈦
Kloppel (A.) 克羅波(人名) 373 鋯酸鉛鑭 359
Knoop 努普(人名) 369 lead titanate, PT 鈦酸鉛 359
Knudsen 克努曾(人名) 54 lead zirconate titanate, PZT 鈦鋯酸
Koehler 克赫勒(人名) 76 鉛 359
Kondo (Y.) 太古(人名) 397 leak valve 漏閥 124
Kondo effect 太古效應 401 leakage current 漏電流 373
Korea 韓國 30, 393 Lee (C.) 李(人名) 359
Kubo 久保(人名) 25 Lee (K. H.) 李(人名) 393
Lee (S. T.) 李(人名) 393, 394
L
leukemia 白血病 28
Lambda 倫巴達(一型號名) 374 Lieber (C. M.) 里埃伯(人名)
Langmuir-Blodgett film 藍穆爾布洛 393, 395, 396, 398
吉膜 17, 64, 177 life material 生命材料 37
laser 雷射 4, 45, 134, 139 life molecule 生命分子 186
laser ablation 雷射燒蝕 124, 141 lifetime 壽命 7
laser beam 雷射束 142 light emitting diode, LED 發光二極
laser diode 雷射二極體 21, 120 體 93, 120, 134, 160, 394
laser flash decomposition 雷射閃照 light pump 光泵 121, 125, 139
分解 231 lightly doping 輕摻雜 306
laser induced CVD 雷射誘導化學氣 Liharev 李哈瑞(人名) 245
相沉積 65 liquid crystal 液晶 177, 245
lattice 晶格 54 liquid nitrogen 液氮 43
lattice constant 晶格常數 42, 92, liquid phase epitaxy, LPE 液相磊晶
113, 346 53, 56
lattice distortion 晶格畸變 283 liquid-solid, L-S L S 液固 22

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423

lithium cell 鋰電池 298 321


lithium perchlorate, LiClO4 過氯酸 magnetic energy product 磁能積
鋰 275 322
load 負載 51 magnetic field strength 磁場強度
localized 局域化的 8 323
localized electron state 局域電子態 magnetic flux 磁通 49
279 magnetic flux density 磁 通 密 度
localized state 局域態 284 324
loud speaker 揚聲器 321 magnetic head 磁頭 325
low dimension structure, LDS 低維 magnetic hysteresis loop 磁滯回線
結構 89 400
low index surface 低指數面 74 magnetic induction 磁感應 323
low pressure 低壓 57 magnetic liquid 磁性液體 318,
low pressure CVD, LPCVD 低壓化 321
學氣相沉積 73, 141, 143 magnetic moment 磁矩 18, 320
low pressure pressure-sensitive device magnetic permeability 磁 導 率
低壓壓敏器 344 320, 330
lowest unoccupied molecular orbital, magnetic random access memory,
LUMO 最低未佔據分子軌道 MRAM 磁隨機存取記憶體
96 318, 326, 327
Lucent 朗訊(公司名) 32 magnetic recording 磁記錄 320
magnetic recording medium 磁記錄
M
介質 17, 318
macroscopic 巨觀的 2 magnetic restrictive coefficient 磁致
macroscopic quantum tunneling effect 伸縮係數 324
巨觀量子隧道效應 2 magnetite 磁鐵礦 319
magic number 幻數 397 magnetization vector 磁化矢量
magnetic 磁性 317 323
magnetic anisotropy 磁各向異性 magneto crystalline 磁晶 321
75 magneto static 靜磁 320
magnetic core 磁芯 331 magnetron contrast agent 磁控造影
magnetic disk driver 磁碟驅動器 劑 321

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424 奈米薄膜技術與應用

magnetron sputtering 磁 控 濺 射 methanol, CH3OH 甲醇 83


(鍍) 4, 46, 48, 306, 329 methyl cyanide 氰甲烷 282, 288
Malpigian body 馬氏體 370 methyl metacry late, MMA 甲基丙
Marcus 馬古斯(人名) 235 丙酸甲酯 180
Martin 馬丁(人名) 185 methyl violet 甲基紫精 12
mask 罩幕 68 methylene blue 亞(次)甲基藍
mass flow controller, MFC 質量流 12
量計 58 Meyer 梅爾(人名) 279
mass fraction 質量分數 335 mica 雲母 128, 186
Massachusetts Institute of Technol- Michigan University 密歇根大學
ogy, MIT 麻省理工學院 31, 31
396 micro ammeter 微安表 202
matching 匹配 51 micro array 微陣列 392
matching system 匹配系統 47 micro capacitor 微電容器 216
mean free path 平 均 自 由 程(路 micro crystal 微晶 284
徑) 37, 318 micro electrode array 微電極陣列
mechanical pump 機械泵 190 216
medium 介質 181, 258 micro hardness tester 顯微硬度計
mercapto acetic acid 巰基乙酸 94 369
mesopore 介孔 3, 26 micro machine 微機械 23
mesopore zeolite 介孔沸石 178 micro mirror 微型鏡面 139
metal alcoholate 金屬醇鹽 61 micro pore 微孔 3
metal organic CVD, MOCVD 金屬 micro structure 微結構 19
有機化學氣相沉積 56, 89, 91 microelectronic device 微電子元件
metal organic deposition, MOD 金 183
屬有機物沉積 359 microelectronics 微電子學 14
metal organic vapor phase epitaxy, Microelectronics Research Center
MOVPE 金屬有機氣相磊晶 微電子研究中心 396
56 microwave 微波 43, 50, 124, 154
metal oxide semiconductor, MOS 金 microwave plasma CVD, MW-CVD
屬氧化物半導體 270 微波電漿化學氣相沉積 50,
methane, CH4 甲烷 51 314

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425

microwave device 微波元件 306 molecular self-assembly 分子自組


microwave diode 微波二極體 172 裝 70
microwave switching diode 微波開 molecular self-organization 分子自
關二極體 170 組織 70
migration 遷移 346 molecular sieve 分子篩 76, 177
mimetics 仿真 399 molecular switch 分子開關 72
mineral, mineralization 礦化 177, molecule like 類分子的 88
222 molten 熔融 374
Minnesota 明尼蘇達州 27 molten salt 熔鹽 68
mis-match 失配 109 MO-MBE 金屬有機化學分子束磊
Moai stripe 莫埃條紋 365 晶 92
mobility 遷移率 47, 122, 217 mono dispersion 單分散 92
modulate, modulation 調 製,調 變 monoclinic 單斜 346
9, 111 monomer 單體 195
modulated doping effect 調製摻雜 Moore s law 摩爾定律 239
效應 42 morphology 形貌 66, 204
modulation 調變,調製 242, 359 Mössbauer spectroscopy 穆斯堡譜
modulator 調製器 122 學 85
modulus 模量 392 multi band gaps 多帶隙 92
mold 模具 367 multi domain 多疇 320
mole ratio 摩爾比 190, 340 multi phase junctions 多相接面
mole volume 摩爾體積 195 293
molecular anchor 分子錨 182 multi wall carbon nano tube,
molecular beam epitaxy, MBE 分子 MWCNT 多壁碳奈米管 395
束磊晶 52, 55, 73, 89, 110, multiple quantum well, MQW 多重
123, 400 量子井 219
molecular beam orientation growth multi-sections 多截面 115
分子束取向生長 29
N
molecular electronic switch 分子電
子開關 72 nano array 奈米陣列 26
molecular electronics 分子電子學 nano balance 奈米秤 392
36 nano cable 奈米電纜 392, 403

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426 奈米薄膜技術與應用

nano channel 奈米通道 403 nano second 奈秒 237


nano crystal 奈 米 晶(粒) 26, nano sensor 奈米感測器 31
88, 138, 217, 284 nano technology 奈米科技 2, 25
nano crystal filament 奈米晶絲 nano tribology 奈米摩擦學 23
159 nano tube 奈米管 5
nano crystal structure 奈米晶結構 nano tweezers 奈米鑷子 28, 393
270 nano wire 奈米線 5
nano device 奈米元件 34 Nanoperm 一商品名 325
nano electronic device 奈米電子元 National Nanotechnology Initiative,
件 36 NNI 國家奈米技術技畫 30
nano electronics 奈米電子學 34 Nature 自然(期刊名) 402
nano etching 奈米蝕刻 73 near field optics 近場光學 4
nano filament 奈米絲 178 near infrared 近紅外 271
nano film 奈米薄膜 5, 16 near ultraviolet 近紫外 343
nano filtration film 奈米濾膜 21
NEC 恩益禧(公司名) 394
nano functional device 奈米功能元 needle valve 針閥 58
件 35 negative bias 負偏壓 299
nano gas sensor film 奈米氣敏膜 negative differential resistance, NDR
21 負微分電阻 242, 244, 246
nano magnetic film 奈米磁性膜 Nernst 能斯特(人名) 287
17 Nernst characteristics 能斯特特性
nano magnetic material 奈米磁性材 286
料 317 Nernst potential 能斯特電位 293
nano manipulator 奈米操縱器 28 Nernst thermodynamics 能斯特熱力
nano material 奈米材料 2 學 286
nano net 奈米網 71 network 網路 32, 141
nano optics film 奈米光學膜 20 New York University 紐約大學
nano particle 奈米顆粒(微粒) 31
5, 14 News Online 線上新聞 402
nano phase 奈米相 26, 141 nitride 氮化物 188, 322
nano ribbon 奈米帶 397 Nobel Prize in chemistry 諾貝爾化
nano scale 奈米尺度 6 學獎 30

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427

noble metal 貴金屬 11 nucleus 核,晶核 190, 330


nominal diameter 標稱直徑 194 numerical simulation 數值模擬 23
nominal pore diameter 標稱孔徑
O
194
non covalent bond 非共價鍵 71 Oak Ridge National Laboratory,
non hydroxy 非羥基 288 ORNL 橡樹嶺國家實驗室
non inversion 不反轉 326 394
non linear effect 非線性效應 257 octahedral 八面體 76
non linear I-V characteristics 非線 office automation appliance 自動化
性伏安特徵 123 辦公室用品 322
non Nernst effect 非能斯特效應 ohmic contact 歐姆接觸 115, 166,
288 249, 310
non stoichemistric ratio 非化學計量 Ohm s law 歐姆定律 9, 37
比 367 open circuit voltage 開路電壓 293
non-colattice 非共格的 109, 113 optical absorption 光吸收 355
non-elastic scattering 非彈性散射 optical communication 光 通 訊
37 145
non-elastic 非彈性的 243 optical gain 光增益 115
non-radiative 非輻射的 107, 135 optical resonant cavity 光學諧振腔
non-volatile 非揮發性 393 139
normal 法線 17 optical switching 光開關 145
normal distribution 常態分佈 83 optical transition 光學躍遷 15
normal propyl alcohol 正丙醇 83 optical tweezers 光學鑷子 28
North Carolina University 北卡羅來 optical waveguide 光波導 64
納大學 28 optically transparent electrode, OTE
Northwest University 西北大學 透電電極 214, 217
31, 393 optimization 優化 33, 220, 375
Not logic circuit 反邏輯電路 247 orbital angular momentum quantum
nuclear fussion 核分裂 179 number 軌道角動量量子數 5
nucleation 成核 45, 67, 95, 113, organic compound 有機化合物 10
154, 190, 346, 404 organic dye 有機染料 230
nucleic acid 核酸 72 organic hole transport material 有機

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428 奈米薄膜技術與應用

電洞傳輸材料 290 passivation 鈍化 24, 92, 106, 135


organic metal vapor orientation gro- Pauli 泡利(人名) 250
wth 有機金屬蒸汽取向生長 Pauli exclusion principle 泡利互斥
29 原理 5
organic polymer 有機高分子 43 Pavesi 帕維西(人名) 138
organic radical 有機基團 63 Peking University 北京大學 295
organic solvent 有機溶劑 63, 93 perchlorate 高氯酸鹽 288
orientated film 取向膜 344 perchloric acid 高氯酸,過氯酸
orientation 取向晶向,取向度 24, 195, 280
64, 128, 165, 323, 326 Perkin-Elmer 珀 金 埃 爾 默(公 司
orthogonal 正交 48 名) 374
orthorhombic 正交 346 permalloy 坡莫合金 18
oscillation 振盪 242 permanent magnet 永磁體 81
osmotic pressure 滲透壓 22 permanent magnetic material 永磁
osmotic process 滲透過程 21 材料 322
Ouyang 歐陽 196 perturbation 微擾 243
over current protection 過電流保護 pervoskite 鈣鈦礦 295, 318, 328,
123 360
oxalic acid 草酸 179, 197, 204, petrochemical 石化 22
216 petroleum ether 石油醚 296
oxidation reduction pair 氧化還原對 pH value 酸鹼度 69
235 pH value, potential of hydrogen ion
oxide 氧化物 187 pH 值,氫離子電池(濃度)
oxygen pressure 氧壓 345 286
phase coherence 相位相干性 37
P
phase diagram 相圖 365
package 封裝 306 phase transformation 相轉化法,相
Pakhomov (A.B.) 派克霍姆夫 18 變 22, 357
paramagnetic 順磁 320 phenol 苯酚 222-223
parameter 參數 19 Philips 飛 利 浦(公 司 名) 120,
Paris University 巴黎大學 82 368
Pascal 帕(壓力單位) 44, 145 phonon confinement effect 聲子約

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429

束效應 89 214
phonon 聲子 134, 136, 156 photocurrent 光電流 13
phosphoric acid 磷酸 198 photo-electric conversion 光電轉換
photo activated dye 光激活染料 203
271 photoelectronic device 光電元件
photo catalysis 光催化(的) 11, 102
12 photoelectronic storage 光電儲存
photo catalytic 光催化的 270 135
photo catalytic degradation 光催化 photoelectronics 光電子學 15
降解 203 photofluorecene 光螢光 158
photo catalytic effect 光催化效應 photo-induced bleaching 光漂白
212 80
photo cell 光電池 279 photolithography 微 影 照 像 34,
photochemical quartz crystal micro 91, 204
balance, PQCM 光化學石英晶 photoluminescence 光致發光 91,
體微量天平 273 100, 134, 144, 147, 152, 167
photo confinement factor 光限制因 photon 光子 97, 126, 156, 216
子 119 photo-synthesis 光合作用 220
photo decomposition 光解 223 physical adsorption 物理吸附 59
photo induced electron 光生電子 physical vapor deposition, PVD 物
12 理氣相沉積 46, 91, 144
photo sensitive electrode 光敏電極 physical vapor evaporation 物理氣
217 相蒸發 140
photo sensitization 光敏化 220 physical vapor synthesis, PVS 物理
photo sensitizer 光增敏劑 13, 66 蒸汽合成 29
photo voltaic 光伏(的) 270 Pickering 皮克林(人名) 159
photo voltaic cell 光伏電池 220, pico second 皮秒 216, 230
271 piezoelectric 壓電 122, 306
photo voltaic effect 光伏特效應 piezoelectric coupling coefficient 壓
212, 278 電耦合係數 306
photochromic 光致變色 203, 212 piezoelectric device 壓電裝置 246
photo-chromic effect 光致變色效應 pit 坑 73

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430 奈米薄膜技術與應用

plasma 電漿 4, 44, 141, 329 poly sodium phosphate 聚磷酸鈉


plasma enhanced CVD, PECVD 電 13
漿增強化學氣相沉積 65, 67, poly tetra fluoro ethylene, PTFE 聚
141, 151, 168 四氟乙丙 77, 165
plastic 塑性 78 poly tri methyl thiophene 聚三甲基
plastics 塑料 49 吩 182
pM poly vinyl alcohol, PVA
pM value, potential of metal ion 聚乙丙醇
值,金屬離子電位(濃度) 22
286 poly vinyl pyrrolidone, PVP 聚乙丙
PMMA poly methyl metacrylate 聚 聚烷酮 94, 97, 102, 192
甲基丙丙酸甲酯 181 polyamide 聚醯胺 22
PN junction pn 接面 178, 278 polymer 高聚物,聚合物,高分子
Pohang University of Science and 22, 339
Technology 埔項理工大學 polymerization 聚合 61
393 population 群 7, 263
polarization 偏振光 345, 382 population inversion 群反轉 139
poly aniline 聚苯胺 182 pore 孔道 21
poly anodized aluminum oxide, PAA pore diameter 孔徑 27, 194
聚陽極氧化鋰 205, 206 porosity 孔隙率 69, 160, 270, 297
poly carbonate 聚 碳 酸 酯 179, porous 多孔 137, 204
192, 397 porous anodized aluminum oxide 多
poly crystal 多晶 206 孔陽極氧化鋁 204
poly crystalline silicon 多晶矽 20 porous silicon 多孔矽 159, 160,
poly dimethyl siloxane, PDMS 聚二 161
甲基矽烷 396 positive ion 正離子 270
poly electrolyte 聚電解質 22 positron annihilation spectroscopy,
poly ester 聚酯 179 PAS 正電子煙沒光譜儀 85
poly ester acrylate, PEA 聚丙丙酸 Possin 包辛(人名) 186
乙酯 195, 196 potential barrier 電位障,位能障
poly ethylene oxide, PEO 聚環氧乙 88, 238, 313
丙 339 potential well 位能井 5
poly pyrrole 聚聚 196 potentiometer 電位儀 341

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431

Poznyak 波亞克(人名) 295 purification 純化,提純 22, 60


precipitation 沉澱 105 pyramid 金字塔(形) 92
precursor 前驅物 45, 66 pyrochlore 焦綠石 362
precursor solution 前驅溶液 181 pyrolysis 熱 分 解 56, 65, 143,
preferred orientation 擇優取向 64 185, 398
Prentiss (Mara) 普林提斯(馬拉) pyrrole 聚 195
(人名) 73
Q
President Bush 布希總統 30
President Clinton 柯林頓總統 30 quantization 量子化 14, 240
pressure sensitive 壓敏 123 quantum coherent effect 量子相干
primary 初級 332 效應 35
principal quantum number 主量子數 quantum confinement effect 量子限
5 制效應 89
probability 機率 9, 99 quantum conversion efficiency 量子
probe 探極、探針 47, 259, 307 轉換效率 358
probe tip 探測針尖 246 quantum dot 量子點 2, 14, 73, 88,
propylene, C3H8 丙丙 185 134, 150, 241, 392
propylene carbonate 丙丙碳酸鹽 quantum dot contact 量子點接觸
275, 282 38
prorylene glycol carbonate, PC 丙二 quantum dot laser 量子點雷射 74
醇碳酸酯 341 quantum dot quantum well, QDQW
protein 蛋白質 22 量子點量子井 102
proton 質子 279 quantum effect 量子效應 240
pseudo band gap 偽帶隙 395 quantum efficiency 量子效率 135
pull 提拉 63 quantum fluctuation 量子漲落 134
pulse excimer laser deposition, PLD quantum Hall effect 量子霍爾效應
脈衝準分子雷射沉積 344, 348 35
punch through 擊穿 123 quantum interference effect 量子干
punch through voltage 擊穿電壓 涉效應 401
171 quantum magnetic disk 量子磁碟
Purdue University 普度大學 72, 321
120 quantum mechanics 量子力學 247

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432 奈米薄膜技術與應用

quantum number 量子數 6 88


quantum oscillation 量子振蕩 qudrupole mass spectrometer, QMS
168, 243 四極質譜儀 54
quantum size effect 量子尺寸效應 quench 淬火,淬滅 82, 121, 164,
2, 90, 134, 351, 355 228, 322
quantum state 量子態 219
R
quantum transport 量子輪運 9
quantum tunneling 量子隧穿 9 radial compressive 徑向壓縮 402
quantum tunneling effect 量子隧穿 radial strength 徑向強度 402
效應 9 radiation 輻射 7, 57
quantum wavelength 量子波長 73 radiative recombination 輻射復合
quantum well 量子井 20, 52, 88, 13, 100, 157
150 radical 基團 63
quantum wire 量子線 6, 38, 89, radical group 活性基團 188
150 radio frequency, RF 射頻 46, 145
quantum yield 量子產率 351 Raman scattering 拉曼散射 144
quartz 石英 305, 374 Raman scattering spectrum 拉曼散
quartz crystal 石英晶體 374 射譜 156
quartz crystal oscillator 石英晶體振 Raman spectrometer 拉曼譜儀
蕩器 281 310
quartz glass 石英玻璃 58 Raman spectrum 拉曼光譜 84,
quartz oscillation 石英振蕩 374 277
quartz tube 石英管 51 random processor 隨機處理器
quasi anisotropic 準各向異性的 393
21 Rao (C. N. R) 姚(人名) 394
quasi Ferml level, imref 準費米能 rapid thermal anneal, RTA 快速熱
階 217, 234, 238 退火 345, 360
quasi one dimension 準一維 177, rare earth 稀土 322, 328
392 Rave 瑞夫(人名) 81
quasi one dimensional structure 準 RDX, Rexogen, cyclotrimethylene
一維結構 398 trinitramine 環 三 次 甲 基 三 硝
quasi split energy level 準分裂能階 基胺 315

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433

reaction pile 反應堆 222 remanence ratio 剩磁比 325


reactive sputtering 反應濺射 368 remanent magnet 剩磁 323
recombination 復合 182 remanent polarization 剩餘極化
recombination center 復合中心 7, 363
107 Rensselaer Polytechnic Institute 任
recrystallization 再結晶 95, 141 色列理工學院 31
rectification effect 整流效應 396 resilence 彈性 368
rectification ratio 整流比 171 resistivity 電阻率 10, 307, 373
red shift 紅移 12, 100, 107, 355, resolution 解析度 73
356 resonant Raman spectrum 共振拉曼
Redmond 雷得蒙(人名) 288 譜 231
reduced constant 約化常數 136 resonant tunneling device 共振隧穿
reduced mass 折合質量 136, 151, 元件 89
358 resonant tunneling effect 共振隧穿
reducing agent 還原劑 182 (隧道)效應 88, 242
reducing gas 還原氣體 350 revense bias 反偏壓 166
reduction 還原 65 reverse leakage current 反向漏電流
reference electrode 參考電極 193, 170
341 reverse osmotic film 逆滲透膜 21
reflection high electron energy dif- reversible 可逆的 13, 273
fraction, RHEED 反射高電子 RF induction 高(射)頻感應 45,
能量繞射 54 57
reflection mirror 反射鏡 374 RF magnetron sputtering 射頻磁控
reflectivity 反射率 374 濺射 122, 141, 144
refraction 折射 297 RF power 射頻電源 46
refractive index 折射率 351 RF sputtering 射頻濺鍍 46
refractory material 耐火材料 306 rhelogy 流變 23, 79
Reifenberger 瑞芬柏格(人名) Rigaku 理學(公司名) 368
72 rocket 火箭 11
relative dielectric constant 相對介電 roughness 粗糙度 20
常數 259 Russia 俄羅斯 31, 321
relaxation 弛豫 101 rutile 金紅石 284, 295, 355

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434 奈米薄膜技術與應用

screen 屏幕 159
S
seal 密封 321
sandwiched 三明治型 332 secondary electron 二次電子 48
sapphire 藍寶石 124 secondary 次級 332
saturated calomel electrode, SCE 飽 seed layer 種子層 109
和甘汞電極 193, 341 Seelig 希利格(人名) 373
saturation magnetization strength 飽 selected area electron diffraction,
和磁化強度 42, 320 SAFD 選擇面電子繞射 128,
sawtooth 鋸齒 395 154, 206, 365
scanning electron microscope, SEM selectivity 選擇性 334
掃瞄電子顯微鏡 193, 200, selenide 硒化物 295
204, 206, 310, 368 self assembly 自組裝 3, 17, 43,
scanning probe microscope, SPM 掃 92, 396
描探針顯微鏡 23, 28, 402 self consistent 自洽 240
scanning probe technique 掃描探針 self demagnetizing effect 自退磁效
技術 3 應 18
scanning transmission microscope, self organization 自組識 143
STM, STEM 掃描穿透電子顯 semi classical 半古典 248
微鏡 84, 244, 245, 258, 395 semi classical model 半古典模型
scattering 散射 7 262
scattering peak 散射峰 156, 347 semi colattice 半共格 402
Scherrer formula 謝樂公式 146, semiconductor laser 半導體雷射
362 138
Schonenberger 史耐伯格(人名) semiconductor memory 半導體記憶
192, 193 體 327
Schottky barrier 肖特基電位障 semiconductor nano quantum dot 半
238 導體(奈米)量子點 88, 392
Schottky contact 肖特基接觸 166 semiconductor quantum dot 半導體
Schottky diode 肖特基二極體 398 量子點 14, 88
Schwarzacher (W.) 許 瓦 沙 其(人 semiconductor quantum well laser
名) 397 半導體量子井雷射 89
Science 科學(期刊名) 402 sensing device 感測元件 212, 318

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435

sensitivity 靈敏度 10, 247, 334 single crystalline 單晶的 20


sensitized cell 敏化電池 222 single crystalline silicon 單晶矽
sensitizer 敏化劑 182, 225 152
sensor 感測器 83 single domain 單疇 318
separation rate 分離率 219 single electron amplifier 單電子放
S-gun S槍 50 大器 35
shape effect 形狀效應 17 single electron conduction 單電子電
shear modulus 切變模量 122 導 240, 242
shear strength 剪切強度 24 single electron transistor, SET 單電
sheet resistance 片電阻 349, 374 子電晶體 93, 264
shell 殼,外層 102, 403 single electron transport 單電子輸
Sheng (P.) 沈(人名) 394 運 72
Shimizu 清水(人名) 344, 360 single electron tunneling effect 單電
Shindo 新堂(人名) 81 子隧道效應 247
short circuit current 短路電流 290 single phase 單相 26
shutter 擋板 54 single wall carbon nano tube, SWCNT
Siegel 席格爾(人名) 25 單壁碳奈米管 393
signal processing 訊號處理 34 sinter 燒 結(體) 11, 283, 322,
signal ratio, S/N ratio 信噪比 327 335, 358
signal tracer 訊號追蹤器 361 slip 滑移 79
silicon diode 矽二極體 169 small angle X-ray diffraction, SAX-
silicon on insulator, SOI 矽在絕緣 RD 小角 X 射線繞射 258
物上 159 small size effect 小尺寸效應 2
silicone oil 矽油 321 Smalley (Richard) 斯莫利(理查)
silver halide 鹵化銀 226, 278 (人名) 30
銀/ smart window 靈巧窗 344
silver/silver chloride electrode
銀氯化物電極 280, 283 soft magnetic material 軟磁材料
SIMS, Secondary Ion Mass spectro- 318, 323
meter 二 次 離 子 譜(儀) soft magnetic phase 軟磁相 81
169 soft template 軟模板 176
simulation 模擬 246 software 軟體 33
simulator 模擬器 247 sol 溶膠 61, 103, 185, 340

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436 奈米薄膜技術與應用

solar cell 太陽電池 60, 92, 212, stabilizer 穩定劑 13, 94


237, 271 stainless steel 不銹鋼 153
solar energy 太陽能 12, 45, 203, staircase behavior 階梯現象 242
263, 278 Standford University 斯坦福大學
solenoid 螺線管 330 393
sol-gel 溶膠 凝膠 61, 178, 181, state density 態密度 89
204, 274, 344 static random access memory, SRAM
solid solution 固溶 19, 129, 365 靜態隨機存取記憶體 326
solid state 固態 6, 14 stationary state 定態 254
solubility 溶解度 94 stearic acid 硬脂酸 13, 80
Sony 新力(公司名) 120 step tester 臺階儀 345
space industry 太空工業 321 sterilize 殺菌 11
space shuttle 太空梭 32, 344 stimulated emission 受激發射
specific surface area 比表面積 10, 125, 139
16, 83, 91, 99, 203, 279 stirrer 攪拌器 94, 340
spectrometer 分光光度計 341, stoichemistric 化學配比的 55, 283
352 stoichemistric ratio 化學計量比
spin 自旋 5, 326 55
spin electronics 自旋電子學 318, stoichemistry 化學配比 286
328 storage battery 蓄電池 276
spin quantum number 自旋量子數 strain 應變 113, 365
5 strain energy 應變能 73
spin valve 自旋閥 82, 327 stress 應力 92, 200
spinel 尖晶石 401 strong related 強關聯 7
Spitler 史畢特(人名) 226, 265 strontium bismuth tantalate, SBT 鉭
spontaneous emission 自發發射 酸鍶鉍 359
115, 139 structural thin film 結構薄膜 42
spontaneous polarization 自發極化 subband 次帶 220
359 sublimation 昇華 43, 53
spontaneous radiation 自發輻射 submicron 次微米 159
126 sub milli microsec 次毫微秒 216
sputtering 濺射(鍍) 43, 46, 124 sub stoichemistric 次化學計量的
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437

141 superposition 疊加 7, 9
substrate 基板 54, 110, 141 supersonic 超音波 67, 166, 193
sulfide 硫化物 191, 295 surface defect state 表面缺陷態
sulfonate poly ether sulfone, SPES 135
磺化聚醚 22 surface effect 表面效應 2, 91
sulfonate poly sulfone, SPS 磺化聚 surface force apparatus, SFA 表面
 22 力器具 23
sulfourea 硫 94 surface modification 表面修飾 43
sulfuric acid, H2SO4 硫酸 179 surface morphology 表面形貌 199
super atom 超原子 42 surface phase 表面相 8
super conduction 超導 394 surface roughness 表面粗糙度
super double hydrophilic 超雙親 379
399 surface state 表面態 101
super double hydrophobic 超雙疏 surface tension 表面張力 75
399 surface wave device 表面波元件
super filtration film 超濾膜 21 306
super hard 超硬性 367 surfactant 界面活性劑 12, 95, 321
super hardness 超硬度 76 suspension 懸浮體 223
super lattice 超晶格 43, 88, 134, suspension liquid 懸浮液 222
219 swing chair battery 擺椅電池 284
super lattice microstrip effect 超晶 Swiss 瑞士 279
格微帶效應 89 synergistic effect 協同作用 71
super modulus 超模量 76 synthesis 合成 26, 91
super molecule 超分子 70, 220
T
super molecular chemistry 超分子化
學 29 Tani 谷(人名) 226, 234
super paramagnetic 超 順 磁 14, target 靶 46, 124, 329
318, 320, 321 temperature resistance 溫阻 349
super tip 超級尖端 28 template 模板 74, 178, 186
superconduction 超導 17 template synthesis 模板合成 74
superconductor 超導體 243 Tennakone 天納孔(人名) 296
superplastic 超塑 402 tera 兆,10 11
44

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438 奈米薄膜技術與應用

terrorism 恐怖主義 31 thioacetamide 硫代乙醯胺 191


terrorist 恐怖分子 31 thioglycolic acid 巰基乙酸 94
Tesla 特斯拉(人名,磁場單位) thiol 硫醇 72
18 thiourea 硫 94, 95
tetra alkyl ammonium 四烷基銨 threshold 臨限 114, 226, 310
283 threshold electric field 臨限電場
tetra butyl ammonium 四丁基銨 314
288 threshold voltage 臨限電壓 51,
tetra butyl titanate Ti (OC4H9)4 鈦酸 123, 310, 383, 384
四丁酯 205, 360 Tinkham (M.) 提克漢姆(人名)
tetra chloro phenol 四氯酚 223 396
tetra n-butyl titanate 鈦酸正丁酯 titration 滴定 334
296 toluidene purple 甲苯基紫 236
tetraethyl ammonium
perchlorate, Tong (J.F.) 董(人名) 68
TEAP 四乙銨高氯酸鹽 195 top down 由上而下 37
tetragonal 四方相 346 topography 拓撲 339
textile dye 紡織染料 222 toughness 韌性 77, 367
thermal aging 熱老化 170 touidine blue 甲苯基藍 230
thermal anneal 熱退火 141 Tours 土爾斯(人名) 72
thermal conductivity 熱導率 309 transformer 變壓器 324
thermal fluctation 熱擾動 320 transient 瞬間 164
thermal gravity 熱重 355 transition 過渡,躍遷 20, 44, 96,
thermal stability 熱穩定性 364 110, 291
thermal stress 熱應力 69 transition element 過渡元素 328
thermo decomposition 熱分解 143 transition layer 過渡層 18, 24,
thermo gravity analysis 熱重分析 359
85 transition metal 過渡金屬 279
thermocouples 熱電偶 189 transition peak 躍遷峰 99
thermodynamics driving force 熱力 transmission electron microscope,
學驅動力 235 TEM 透射電子顯微鏡 84,
thin film transformer 薄膜變壓器 95, 110, 128, 130, 161, 192,
332 206, 355, 364, 369

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439

transmission rate 透過率 81 turn-on voltage 開啟電壓 316


transmittivity 透射率 343, 374 twin 雙晶 162
transparent electrode 透明電極 two dimensional electron gas, 2DEG
159, 291, 373 二維電子氣 38, 89
transport 傳輸 20 two photons 雙光子 216
trap state 陷阱態 99
U
tri nitro toluene, TNT 黃色炸藥,
三硝基甲苯 315 Ueno 恩樂(人名) 10
tri pheny carbonyl 三苯羰化物 ultra high vacuum 超高真空 53
230 ultrasonic cleaning 超音波清洗
tribology 摩擦學 23 368
Tributsch 差佈區(人名) 278 ultrasonic 超音波 310
triclinic 三斜 346 ultraviolet 紫外光 11
triple excited state 三重激發態 universal conductance fluctation 普
230 適電導漲落 35
Tsing Hua University 清華大學 University of Arizonia 亞利桑那大
187 學 186
tuner 調節器 50 University of California in Los Ang-
tungsten bronzes 鎢青銅 286 eles, UCLA 加州大學洛磯機
tunnel junction 隧道接面 168 分校 31, 396
tunnel magneto resistance effect, University of South California 南加
TMR 326, 327 州大學 72
tunneling capacitor 隧道電容器 University of Texas, Arlington 德克
250 薩斯大學阿靈頓分校 31
tunneling coefficient 隧穿係數 University of Washington 華盛頓大
313 學 31
tunneling effect 隧道效應 243 Unlir 烏利 159
tunneling junction 隧道接面 241, UV-Vis spectroscopy 紫外可見光光
318 度計 97
tunneling model 隧穿模型 312 UV-Vis 紫外可見光譜 84, 356
turn 匝數 332
Turner 杜那(人名) 159

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440 奈米薄膜技術與應用

34
V
wave 波,波動性 9
vacancy 空位 84, 100, 147 wave function 波函數 7, 254
vacancy trap state 空位陷阱態 100 wave guide 波導 51, 115
vacuum chamber 真空室 307 wave number 波數 155, 335
vacuum evaporation 真 空 蒸 發 waveguide layer 波導層 119
(鍍) 43, 373 weak interaction force 弱相互作用
vacuum pump 真空泵 51 力 71
valence band 價電帶 15, 100 Wei (Y. Y.) 魏(人名) 394
valence bond 價鍵 141 well 井 102
valence electron 價電子 367 Weller (H.) 偉 勒(人 名) 101,
valve 氣閥 58 285
van der Waals force 范德華力 71 wetting 潤濕 192, 193
vapor phase epitaxy, VPE 氣相磊晶 wetting agent 潤濕劑 192
53, 56 Whitesides (George) 懷特塞斯(喬
Vegard 偉格(人名) 129 治)(人名) 72
Vegard principle 偉格定律 130 Williams 威廉斯(人名) 186
very large scale integrated circuits, Willig 偉利(人名) 237
VLSI 超大型積體電路 53, winding 繞組 332
239 wireless communication 無線通訊
Vest (R.W.) 威斯特(人名) 359 239
virus 病毒 392 work chamber 工作室 53
viscous effect 黏滯效應 287 work function 功函數 51, 203,
volume fraction 體積分數 296, 309, 354, 395
315 wurtzite 纖鋅(礦) 96, 122
Von Neuman 文 諾 曼(人 名)
X
243
x-ray diffraction, XRD X 射線繞射
W
96, 128, 146, 152, 207, 310,
Wang (Z. L.) 王(人名) 395, 336, 346, 355, 360, 370
397 XRD Spectrum X- 射 線 繞 射 譜
Watt 瓦特(人名,功率單位) 361

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441

x-ray photoelectron spectrum, XPS 零調整 341


X-射線光電子譜 131, 154, 160 zeolite 沸石 11, 76
x-ray powder diffraction X 射線粉 zeolite molecular sieve 沸石分子節
末繞射 85 74
x-ray X 射線 52 zeta potential 剪面電位 287
Xu (J.) 蘇(人名) 393 Zhang (Y.) 張(人名) 395
Zhou 周(人名) 186
Y
yttrium aluminum garnet, YAG 釔
鋁石榴石(雷射) 66 -ray 珈瑪射線 85

Z
ZF-3, fine zero adjustment, ZF 仔細 function 函數 114

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奈米薄膜技術與應用/陳光華, 鄧金祥編著.
--初版.--臺北市:五南, 2005[民94]
 面; 公分.
含索引
ISBN 978-957-11-3923-8 (平裝)
1.奈米技術 2.薄膜
440.7 94003762

5E33

奈米薄膜技術與應用
Nano Thin Film Technique and Application

編  著 ─ 陳光華 鄧金祥

校  訂 ─ 張勁燕

發 行 人 ─ 楊榮川

總 編 輯 ─ 龐君豪

主  編 ─ 穆文娟

責任編輯 ─ 蔣和平

出 版 者 ─ 五南圖書出版股份有限公司

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版權聲明 出版日期 2 0 0 5 年 4 月 初 版 一 刷
作品版權(2004.1)歸化學工業出版社所有,
特此聲明,保留一切權利。繁體中文版的版權 定  價 新 臺 幣 5 8 0 元
(2005.4)歸五南圖書股份有限公司所有,保留一
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