NAIR STEM

CLULAS SOLARES DE SILCIO DE ALTO RENDIMENTO:

OTIMIZAES TERICAS E IMPLEMENTAES EXPERIMENTAIS
UTILIZANDO PROCESSOS DE BAIXO CUSTO

Tese de Doutorado apresentada

Escola Politcnica da Universidade de
So Paulo para obteno do ttulo de
Doutor em Engenharia.

So Paulo
2007

NAIR STEM

CLULAS SOLARES DE SILCIO DE ALTO RENDIMENTO:

OTIMIZAES TERICAS E IMPLEMENTAES EXPERIMENTAIS
UTILIZANDO PROCESSOS DE BAIXO CUSTO

Tese de Doutorado apresentada

Escola Politcnica da Universidade de
So Paulo para obteno do ttulo de
Doutor em Engenharia.
rea de Concentrao:
Microeletrnica
Orientador:
Dr. Manuel Cid Snchez

So Paulo
2007

Este exemplar foi revisado e alterado em relao verso original, sob

responsabilidade nica do autor e com a anuncia de seu orientador.
So Paulo, 23 de novembro de 2007.
Assinatura do autor
Assinatura do orientador

Stem, Nair
Clulas Solares de Silcio de Alto Rendimento: Otimizaes Tericas e
Implementaes Experimentais Utilizando Processos de Baixo Custo. So Paulo,
2007.
266 p.
Tese (Doutorado - Escola Politcnica da Universidade de So Paulo).
Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrnicos.
1. Clulas Solares I. Universidade de So Paulo. Escola Politcnica.
Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrnicos. I I. t

DEDICATRIA

Dedico a Antonio (em memria) e a Maria

AGRADECIMENTOS
Ao prof. Dr Manuel Cid Snchez pela orientao, pelas discusses e correes
realizadas durante a elaborao deste trabalho, e pelas caracterizaes das clulas
solares com o sistema IxV.
Ao amigo Carlos Alberto S. Ramos pelo auxlio na preparao de amostras, pelas
caracterizaes realizadas com a tcnica decaimento fotocondutivo (PCD), e pelas
deposies de alumnio realizadas para a utilizao da tcnica alneal.
equipe tcnica do Laboratrio de Microeletrnica (LME-EPUSP) pelo empenho e
auxlio durante as implementaes necessrias para o desenvolvimento deste
trabalho (Latife, Pedro, Joo, Rita, Mrio, Marco, Cristina, Mrcio e Tereza).
Ao prof. Dr. Sebastio Gomes dos Santos Filho do Laboratrio de Sistemas
Integrados (LSI-EPUSP) pelas discusses e sugestes a respeito das impurezas
incorporadas durante a limpeza qumica, e pelas caracterizaes de superfcies
realizadas por microscopia de fora atmica.
Ao Msc. Edson G. Moreira do Instituto de Pesquisas Energticas e Nucleares (IPEN
/ CNEN - SP) pelas caracterizaes das concentraes de impurezas atravs da
tcnica de ativao neutrnica (INAA).
Ao Dr. Mximo Bersani e Dr. Mario Barozzi do Centro per La Ricerca Scientifica e
Tecnologia (ICT-IRST) pelas caracterizaes realizadas com a tcnica SIMS.
Ao Dr. Daniel H. MacDonald da Australian National University (ANU) pelas
discusses sobre a tcnica PCD.
Ao Laboratrio de Sistemas Integrados (LSI-EPUSP) pelas caracterizaes das
texturizaes realizadas com o microscpio eletrnico de varredura.
Aos meus amigos, familiares e a Jos A. S. da Matta pelo apoio, carinho,
compreenso e incentivo durante a realizao deste trabalho. Em particular, ao
amigo R. K. Onmori pela presteza e colaborao durante a sua elaborao.
Ao CNPq pelo apoio financeiro atravs de uma bolsa de doutorado e uma taxa de
bancada atravs do processo no 141460/20008. Os desenvolvimentos experimentais
deste trabalho tambm contaram com o apoio financeiro da FINEP, projeto no
01.04.1001.00, coordenado pelo INPE.

RESUMO

O trabalho realizado nesta tese esteve apoiado em dois objetivos principais. O

primeiro centrado na otimizao das etapas e processos de fabricao de clulas
solares de silcio de alto rendimento envolvendo reduo de custos. O segundo
objetivo foi direcionado na implementao de clulas solares eficientes e no
dependentes do armadilhamento de impurezas atravs da difuso de alumnio.
Para levar a cabo estes objetivos de forma planejada, o trabalho dividiu-se em
otimizaes tericas e implementaes experimentais.
As otimizaes tericas foram realizadas utilizando dois programas: um
programa desenvolvido (simulacell.pas) e implementado no prprio LME (verso 2),
e o outro adquirido comercialmente, PC1D. De acordo com os resultados obtidos em
estruturas completas n+p e n++n+p foi possvel concluir que tanto as estruturas
formadas atravs de emissores homogneos como as obtidas utilizando emissores
duplamente difundidos permitem alcanar eficincias elevadas, 25,5% a 26,0%,
respectivamente, em um amplo intervalo de espessuras e concentraes superficiais
de dopantes.
No que tange aos desenvolvimentos experimentais, este trabalho se inicia
com o desenvolvimento de um processo simplificado de baixo custo, em clulas
solares de silcio Cz de baixa resistividade com estrutura n+pp+, tipo mesa. Este
processo simplificado tambm est baseado na difuso de fsforo e alumnio (P/Al),
utilizando gases industriais e reagentes qumicos de grau para anlise, como uma
transposio do processo de fabricao anteriormente desenvolvido no LME-EPUSP
em substratos de silcio FZ utilizando tecnologia planar. A clula solar mais
representativa do processo implementado, A-16-1, permitiu atingir eficincias no
entorno de 17%.
As implementaes experimentais visaram inicialmente o desenvolvimento de
um procedimento visando qualificao de materiais de partida (silcio), utilizando a
tcnica de decaimento fotocondutivo (PCD) atravs de dois procedimentos de
passivao de superfcies; oxidaes trmicas e difuses suaves de fsforo.
Posteriormente, utilizando o sistema PCD, novas otimizaes dos emissores
de tipo n+ homogneos e regies de tipo p foram realizadas, seguidos por oxidaes

trmicas passivadoras hidrogenadas, preservando-se o tempo de vida do volume em

valores elevados (aproximadamente 1ms, aps a realizao de todas as etapas
trmicas). Estes resultados qualificam o silcio e os materiais de consumo utilizados,
assim como, o novo processo de fabricao desenvolvido.
Esta tcnica tambm permitiu qualificar os emissores com perfil Gaussianos
processados, atingindo valores da ordem de 45fA/cm2 para densidades de
recombinao em estruturas n+pn+.
Desenvolveram-se tambm estruturas n+p em materiais Cz de baixa
resistividade 2-3.cm de dois diferentes fabricantes, e silcio FZ com 0,5.cm. Pde
ser comprovada a qualidade das etapas que compem o processo completo
otimizado tendo-se obtido tenses de circuito aberto-implcitas de 652,4mV (Si-Cz
fabricante 1) e 662,6mV (Si-Cz fabricante 2), e 670,8mV (FZ). De acordo com
simulaes realizadas utilizando parmetros habituais de dispositivos do prprio
LME, estas tenses, quando associadas a um conjunto ptico frontal tpico das
clulas solares de alto rendimento do LME (texturizao qumica aleatria e filme de
SiO2), permitiro atingir valores entre 19% - 20%. Entretanto, utilizando texturizao
e camada dupla torna-se plausvel atingir o marco de 21% de rendimento,
ultrapassando assim a barreira dos 17% (recorde nacional), e comprovando a
potencialidade da infra-estrutura deste laboratrio para o desenvolvimento de clulas
solares no dependentes do efeito do armadilhamento de impurezas atravs da
difuso de alumnio.

Palavras chave: Clulas solares. Processo de Fabricao Simplificado. Processo de

baixo custo. Reduo de Custos. Silcio Cz de baixa resistividade. Tcnica de
Caracterizao PCD. Qualificao de materiais. Preservao do tempo de vida de
portadores minoritrios no volume. Qualificao da passivao de superfcie.
Elevadas

tenses

de

circuito

aberto-implcitas.

desenvolvimento das estruturas RP-PERC.

Etapas

essenciais

ao

ABSTRACT

The work developed at this thesis has been based on two main objectives.
First, it was focused on the optimization of the steps and processes for the fabrication
of high efficiency solar cells, reducing production costs. The latter objective was
directed to develop solar cells that were efficient and non-dependent on impurities
gettering performed through the aluminum diffusion.
In order to attend the planned objectives the work was divided into the
theoretical objectives and experimental developments.
The theoretical optimizations were performed using two different program
codes: one was developed at LME (simulacell.pas), being upgraded afterwards
(version 2); and the other was acquired commercially, the PC1D. According to the
obtained results in complete structures n+p and n++n+p, it was possible to conclude
that the homogeneous and double diffused emitter structures can provide high
efficiencies, from 25,5% to 26,0%, respectively, for a wide range of thicknesses and
surface doping levels.
Concerning the experimental developments, this work starts with a low cost
simplified process, using Cz silicon solar cells with low base resistivity and the
structure n+pp+, mesa type. This simplified process was also based on the
phosphorus/ aluminum diffusion (P/Al), using industrial gases and for analysis grade
chemical reagents, as a fabrication process transposition of the process previously
developed at LME-EPUSP using silicon substrates with planar technology. The most
representative solar cells of the implemented process, A-16-1, provided about a 17%
efficiency.
The experimental implementations aimed the development of procedure for
starting material (silicon) qualification, by using the photoconductive decay technique
(PCD) with two surface passivation procedures: thermal oxidation and light
phosphorus diffusion.
Later, using PCD system, new optimizations of n+ homogeneous emitters and
p-type region were performed, followed by passivating thermal oxidations with
hydrogenation, maintaining the volume lifetime at high values (approximately 1ms,
after each thermal step). These results qualified the used silicon and the consumer
materials, as well the new fabrication process developed.

This technique has also allowed qualifying the processed Gaussian profile
emitters, providing values about 45fA/cm2 for the recombination current density in
n+pp+ structures.
N+p structures were also developed using Cz silicon with low resistivity 23.cm of two different manufacturers and FZ with 0.5.cm. It could be proved the
quality of the steps of a complete optimized process resulting implicit open circuit
voltages of 652.4mV (Cz silicon - manufacturer type 1), 662.6mV (Cz silicon
manufacturer type 2), and 670.8mV (FZ silicon). According to the theoretical
simulations performed using the usual parameters of devices processed at LME
(random chemical texturization and SiO2 film), efficiencies between 19%-20% can be
reached. However, using a random texturization and a double layer anti-reflection
system, a 21% efficiency becomes possible, surpassing the 17% barrier (national
record), and proving the potentiality of this laboratory facility for the development of
solar cells non-dependent on impurity gettering through the aluminum diffusion.

Keywords: Solar cells. Simplified fabrication process. Low cost process. Cost
reduction. Cz silicon of low resistivity. PCD characterization technique. Material
qualification. Bulk minority carrier lifetime preservation. Surface passivation
qualification. High implicit open circuit voltage. Development of the essential steps to
RP-PERC structures.

LISTA DE FIGURAS

Figura 1.1: Os painis mostram simulaes das mudanas de temperatura no

planeta as projees mdias do modelo geral de circulao atmosfrica
oceano para os cenrios B1 superior, A1B - meio e A2 inferior, ponderados
sobre a mdia nos anos 2020-2029 (esquerda) e 2090-2099 (direita) [1]. ..........39
Figura 1.2: Potncia total fotovoltaica instalada em funo dos anos, considerando
os sistemas isolados e os conectados rede[3]..................................................40
Figura 1.3: Produo de mdulos fotovoltaicos em funo do material utilizado e do
ano. ....................................................................................................................41

Figura 2.1: Comparao entre as solues encontradas atravs dos modelos

propostos por J. Del Alamo et. al. [34], J. Park et. al.[29] e pela soluo exata.[35] 51
Figura 2.2: Comparao entre as densidades de corrente de recombinao, Joe em
funo da espessura, W e na regio passivada de um emissor, considerando
quatro diferentes concentraes superficiais de dopantes (Ns=1x1018cm-3,
5x1018cm-3, 5x1019cm-3, 1x1020cm-3) quando calculadas utilizando aproximaes
de 5a ordem e 10a ordem. ..................................................................................55
Figura 2.3: Ampliao da figura 2.2 na regio em que a diferena entre as
densidades de corrente de recombinao na regio passivada, Joepass
considerando diferentes ordens (5a e 10a ), torna-se importante a partir de
W e5,0m...........................................................................................................56
Figura 2.4: Comparao entre o estreitamento de banda aparente, Egap calculado
utilizando ni=1x1010 cm-3 e ni=9,65x109 cm-3 em funo da concentrao
superficial de dopantes, Ns. O ajuste emprico realizado neste trabalho atravs
da expresso (2.14), representa-se em linha tracejada. ....................................61

Figura 2.5: Comparao entre as velocidades de recombinao superficial obtidas

com oxidao trmica em trs situaes diferentes: a) seguida por recozimento
em FG, obtidas com ni=1x1010 cm-3 e 9,65x109cm-3, b) seguida por alneal e com
9,65x109cm-3. As velocidades de recombinao obtidas com passivao atravs
da deposio de SiN estequiomtrico (tracejado em vermelho), tambm foi
obtida com o valor mais recente de ni=9,65x109cm-3. ........................................63
Figura 2.6: (a) Esquema de um contato frontal mostrando o coletor principal e os
dedos. Respeitando a simetria pode-se quebrar esta grade em 12 unidades de
clulas solares idnticas. (b) Dimenses importantes de uma clula solar tpica
unitria[46]............................................................................................................66
Figura 2.7: Comparao entre a mxima densidade de corrente de curto-cirtuito
obtida por P. Campbell et. al.[51] corrigida para o espectro AM1.5G ASTM
G173-03[52] representada pelos smbolos, e o ajuste realizado de acordo com a
expresso (2.30) pela linha contnua. ................................................................74

Figura 3.1: Eficincias das clulas solares n+pp+ com emissores homogneos e
resistividade de base de 1.cm. As flechas indicam as regies otimizadas para
as concentraes superficiais Ns=1x1019 cm-3 (correspondente a 90/ ) e Ns=
5x1018cm-3 (correspondente a 100/ ). ..............................................................80
Figura 3.2: Eficincias das clulas solares n++n+pp+ com emissores duplamente
difundidos e resistividade de base de 1.cm. ....................................................81
Figura 3.3: Resistncia de folha, R em funo da concentrao superficial de
dopantes, Ns e da espessura, W e.......................................................................83
Figura 3.4: Curvas de nvel dos fatores de sombreamento otimizados, Fs e os
respectivos espaamentos entre as linhas da grade metlica, S para emissores
homogneos em funo da concentrao superficial de dopantes, Ns, e da
espessura, W e, do emissor.................................................................................84

Figura 3.5: Curvas de nvel dos fatores de sombreamento otimizados, Fs, e os

respectivos espaamentos entre as linhas da grade metlica, S, para emissores
duplamente difundidos, DD como funo da concentrao superficial de
dopantes, Ns e da espessura, W e, do emissor na regio passivada. .................85
Figura 3.6: Curvas de nvel da eficincia de coleo, c em funo da concentrao
de dopantes do emissor, Ns e de espessura, W e em emissores passivados com
oxidao trmica seguida por recozimento em forming gas. Parmetros
internos calculados de acordo com as expresses apresentadas na tabela 2.2 e
ni=9,65x109 cm-3.................................................................................................87
Figura 3.7: Curvas de nvel da densidade de corrente de recombinao da regio
passivada, Joepass, em funo da concentrao de dopantes, Ns, e da espessura,
W e, sendo Sp=10-16xNs cm/s...............................................................................88
Figura 3.8: Curvas de nvel da densidade de corrente de recombinao da regio
metalizada, Joemet, em funo da concentrao de dopantes, Ns, e da espessura,
W e, para emissores homogneos, para Sp=3x106cm/s. .....................................89
Figura 3.9: Curvas de nvel da densidade de corrente de recombinao total no
emissor, Joe (equao 2.32) em funo da concentrao superficial de dopantes,
Ns e da espessura, W e considerando emissores homogneos. .........................90
Figura 3.10: Comparao entre as curvas de nvel das densidades de corrente de
recombinao total no emissor, Joe em funo da concentrao de dopantes, Ns
e da espessura na regio passivada, W e, considerando emissores homogneos
(- - - linhas tracejadas) e duplamente difundidos, DD ( ___ linhas contnuas).....92
Figura 3.11: Curvas de nvel da densidade de corrente de curto-circuito, Jsc, em
funo da concentrao de dopantes e da espessura, para emissores
homogneos em clulas solares com estrutura n+p e base de resistividade de
1.cm.................................................................................................................95
Figura 3.12: Curvas de nvel relacionadas tenso de circuito-aberto, Voc em funo
da concentrao superficial de dopantes, Ns e da espessura, W e do emissor
homogneo em clulas n+p e base 1.cm.........................................................95

Figura 3.13: Curvas de nvel de eficincia, , em funo da concentrao superficial

de dopantes do emissor homogneo em clulas solares n+p e base com
resistividade 1.cm. ...........................................................................................96
Figura 3.14: Curvas de nvel da densidade de corrente de curto-circuito, Jsc em
funo da concentrao superficial de dopantes, Ns, e da espessura da regio
passivada, W e, do emissor DD em clulas n++n+p e base de resistividade 1.cm.
...........................................................................................................................98
Figura 3.15: Curvas de nvel da tenso de circuito aberto, Voc, em funo da
concentrao superficial de dopantes, Ns, e da espessura da regio passivada,
W e, do emissor DD em clulas solares n++n+p e base de resistividade 1.cm. .99
Figura 3.16: Eficincias de estruturas completas n++n+p em funo da concentrao
superficial, Ns e da espessura da regio passivada, W e do emissor DD em
clulas solares n++n+p e base de resistividade 1.cm. ....................................100
Figura 3.17: Curvas de nvel das otimizaes encontradas por E. Demesmaeker[27].
As linhas contnuas representam as clulas solares com os emissores
homogneos e as linhas pontilhadas os emissores duplamente difundidos. ...102
Figura 3.18: Comparao entre as curvas de nvel representando as eficincias de
clulas solares com estrutura completa n+p em funo da concentrao
superficial de dopantes, Ns, e da espessura, W e, do emissor homogneo
calculadas utilizando ni=9,65x109 cm-3, antes (tabela 2.2) e aps a re-adequao
de parmetros (equao 2.14 e tabela 2.3)......................................................104

Figura 4.1: Estrutura utilizada na realizao de simulaes das estruturas n+pp+ com
o programa PC1D. Pode-se dividir a clula solar em trs distintas regies: a)
emissor n+, b) base tipo p e c) regio p+ com Al difundido onde o coeficiente de
recombinao banda a banda torna-se mais elevado (Bn=4x10-11 cm3/s)......109

Figura 4.2: Tenso de circuito aberto de clulas solares com estrutura n+pp+ com AlBSF em substratos com espessura de 300m (=1.cm) como funo da razo
entre o comprimento de difuso e a espessura (Lb/W) para a velocidade de
recombinao posterior efetiva de Sefpost=2050 cm/s[66] (rea til 4cm2). .........110
Figura 4.3: Eficincia de clulas solares com estrutura n+pp+ com Al-BSF em
substratos com espessura de 300m como funo da razo entre o comprimento
de difuso e a espessura (Lb/W) para a velocidade de recombinao posterior
efetiva de Sefpost=2050 cm/s[66] (rea til 4cm2). ...............................................111
Figura 4.4: Esquema simplificado da estrutura de fabricao das clulas solares com
emissores seletivos[23]. .....................................................................................112
Figura 4.5: Curva IxV sob iluminao padro (AM1,5G) da clula N-7-2 realizada
pelo National Renewable Laboratory (NREL)[23]...............................................113
Figura 4.6: Micrografia obtida utilizando o microscpio eletrnico de varredura (MEV)
de uma superfcie texturizada de Si com orientao <100> utilizando o processo
otimizado. .........................................................................................................117
Figura 4.7: Medida de refletividade hemisfrica como funo do comprimento de
onda em diversos tipos de superfcie (polida e texturizada com e sem SiO2). .118
Figura 4.8: Sala de limpezas qumicas do Laboratrio de Microeletrnica (LMEEPUSP). ...........................................................................................................123
Figura 4.9: Sala de deposies do LME: (a) evaporadora trmica, e-beam e
sputtering, (b) magnetron sputtering...........................................................125
Figura 4.10: Processo de formao da regio p+ na regio posterior da clula solar:
(a) Al depositado sobre toda a regio posterior; (b) incio da formao da regio
p+ (Al em sua forma lquida sendo difundindo); (c) incio do processo de
resfriamento (formao das camadas p+ difundida e epitaxial), e (d) processo de
refriamento quando o forno atinge temperaturas inferiores a 577oC (formao da
regio de Al-Si euttico)[66]. ..............................................................................126

Figura 4.11: Concentrao de Al em funo da profundidade em um substrato de Si

com resistividade 1-3.cm medida pela tcnica SIMS realizada no ITC-IRST.127
Figura 4.12: Fotografias: (a) do conjunto de fornos das salas limpas do LME; (b)
insero de lminas no forno e (c) realizao da nica etapa de alta temperatura
do processo desenvolvido. ...............................................................................129
Figura 4.13: Fotografia da clula solar A-16-1 aps espessamento da grade
metlica. Dimenses do dispositivo: 2,54cmx2,54cm e rea til de 4cm2........130
Figura 4.14: Esquema simplificado das clulas Cz processadas com estrutura antirefletora (texturizao + SiO2), emissor homogneo e regio posterior p+ sobre
toda a superfcie posterior e substrato de 2.cm.............................................132
Figura 4.15: a) texturizao qumica e limpeza RCA padro; (b) deposio de
2,0m de alumnio na superfcie posterior; (c) nica etapa trmica envolvendo:
pr-deposio de fsforo, oxidao trmica e formao das regies n+ e p+(BSF)
otimizadas, (d) clula solar completa (incluindo contatos). ...........................133
Figura 4.16: Perfil de concentrao de fsforo em uma estrutura n+pp+ em funo da
profundidade do emissor obtida pela tcnica SIMS no Laboratrio ITC-IRST
(Centro per La Ricerca Scientifica e Tecnologia). ............................................135
Figura 4.17: a) Curva IxV sob iluminao da clula, A-16-1, processada com o
processo simplificado realizado neste trabalho. Os parmetros eltricos de sada
so: Isc=145,6mA, Voc=604,0mV, FF=0,765 e =16,8% e b) sistema de medidas
de caracterstica IxV do LME-EPUSP projetado e construdo por C.A S. Ramos e
M. Cid. ..............................................................................................................136

Figura 5.1: Circuito representativo de uma clula solar n+p com passivao na
superfcie posterior. ..........................................................................................151

Figura 5.2: Eficincias de clulas solares com estrutura RP-PERC calculadas

utilizando o programa PC1D como funo da razo comprimento de
difuso/espessura, Lb/W; e da velocidade de recombinao superficial posterior,
considerando uma base com espessura de 100m e resistividade de 1.cm. 153
Figura 5.3: Tenses de circuito aberto de clulas solares com estrutura RP-PERC
calculadas utilizando o programa PC1D como funo da razo comprimento de
difuso/espessura, Lb/W; e da velocidade efetiva de recombinao posterior,
considerando uma base com espessura de 100m e resistividade de 1.cm. 154
Figura 5.4: Eficincia das clulas solares de estruturas RP-PERC, com espessura de
300m e resistidade de base de 1.cm, como funo do tempo de vida de
portadores minoritrios no volume, (comprimento de difuso) e da velocidade de
recombinao efetiva posterior. .......................................................................155
Figura 5.5: Eficincias das clulas solares com estrutura RP-PERC como funo da
razo do comprimento de difuso e espessura, Lb/W, e da velocidade de
recombinao superficial frontal, Sp, considerando espessura de base 100m e
resistividade 1.cm. .........................................................................................156
Figura

5.6:

Comparao

entre

as

eficincias

alcanadas

considerando

simultaneamente, as perdas pticas e a recombinao posterior (linha tracejada),

e apenas as perdas pticas (linha contnua). ...................................................156
Figura 5.7: (a) estrutura n+pp+-Al BSF; (b) Alumnio depositado por serigrafia, (c)
estrutura PERC ou LFC e (d) estrutura PERL..................................................158
Figura 5.8:

Eficincias para diversas estruturas como funo da espessura da

lmina...............................................................................................................159
Figura 5.9: Fotografia do sistema de medida baseado no decaimento fotocondutivo
(PCD). ..............................................................................................................162

Figura 5.10: Esquema simplificado do equipamento WCT-100 Lifetime Tester[82].

.........................................................................................................................163
Figura 5.11: Dispositivos com estruturas completas podem ter a sua tenso de
circuito aberto-implcita avaliada antes de que sejam realizadas as etapas de
metalizao: (a) estrutura tipo PERC e (b) estrutura tipo PERL.......................165
Figura 5.12: Esquema simplificado do procedimento adotado na caracterizao do
material inicial, processos de limpeza e efetividade da passivao superficial.167
Figura 5.13: Resumo dos parmetros que podem ser extrados a partir da medida de
tempo de vida efetivo, QSSPC/T-PCD, com as superfcies passivadas atravs de
oxidaes trmicas...........................................................................................170
Figura 5.14: Varredura na superfcie de uma amostra realizada por microscopia de
fora atmica, em uma lmina aps a limpeza inicial padro, utilizando reagentes
qumicos de grau de pureza C-MOS ou superior. Foto obtida no equipamento de
microscopia de fora atmica do LSI EPUSP. ..............................................173
Figura 5.15: Comparao entre os tempos de vida efetivos medidos antes e aps a
etapa de oxidao trmica, e aps a tcnica de hidrogenao alneal (amostra
E-10-2) .............................................................................................................174
Figura 5.16: Perfil de concentrao de As em funo da profundidade medida pela
tcnica SIMS. ...................................................................................................177
Figura 5.17: Perfil de concentrao de Na em funo da profundidade medida pela
tcnica SIMS. ...................................................................................................178
Figura 5.18: Perfil de concentrao de Cu em funo da profundidade medida pela
tcnica SIMS. ...................................................................................................178
Figura 5.19: Perfis de concentrao de Cr em funo da profundidade medida pela
tcnica SIMS. ...................................................................................................179

Figura 5.20: Medida do tempo de vida efetivo em funo da densidade de portadores

utilizando-se ambos os modos: transiente (T-PCD) e quase-esttico (QSSPC)
em amostras com as superfcies passivadas atravs de oxidao trmica
seguida por alneal (amostra E-6-5 com limpeza qumica utilizando reagentes de
grau de pureza C-MOS ou superior e amostra E-6-6 com limpeza qumica com
reagentes com grau P. A.)................................................................................183
Figura 5.21: Parmetros extrados atravs da medida do tempo de vida efetivo
utilizando estruturas passivadas e difuso suave de fsforo (estruturas n+pn+).
.........................................................................................................................186
Figura 5.22: Tempo de vida efetivo medido em funo da densidade de portadores
intrnseca da amostra E-17-6 aps a oxidao trmica seguida por alneal. A
curva lils representa o tempo de vida limite.....................................................196
Figura 5.23: Otimizaes tericas das tenses de circuito aberto (anloga figura
3.15), em funo da espessura e concentrao superficial do emissor em regies
passivadas. A linha tracejada representa a profundidade de juno de 2,0m.
................................................................................................................. .....199
Figura 5.24: Limite superior da velocidade de recombinao superficial (por lado)
aps as diferentes etapas do processo: a) aps oxidao inicial, b) aps
recozimento

em

ambiente

de

forming

gas

c)

aps

alneal..................................................201
Figura 5.25: Tempo de vida efetivo medido em funo da densidade de portadores
em excesso da amostra E-14-5 aps a realizao das etapas descritas na
tabela 5.19........................................................................................................203

Figura 6.1: Curvas de nvel relacionadas tenso de circuito-aberto, Voc, em funo

da concentrao superficial de dopantes, Ns, e da espessura, W e, do emissor
homogneo em clulas n+p , considerando uma base com espessura de 300m
e resistividade de cm........................................................................................209

Figura 6.2: Medidas de tempos de vida efetivos como funo do excesso de

portadores, n, em diferentes etapas de processamento da amostra A-22-2: a)
rosa: aps oxidao trmica inicial, b) lils: aps a abertura de janela e prdeposio de fsforo, c) laranja: aps a remoo do PSG e oxidao trmica, d)
verde-gua: aps recozimento em FG e e) verde: aps o procedimento de
alneal. ............................................................................................................213
Figura 6.3: Medidas de tempo de vida efetivo aps a realizao do alneal em
lminas com a estrutura n+p e bases de diferentes resistividades: a) rosa
amostra B-23-4, b) verde amostra A-22-2 e c) verde gua - amostra 5-2.As
linhas tracejadas correspondem ao tempo de vida a 1sol como funo do nvel
de excesso de portadores correspondente a cada base estudada. .................225

LISTA DE TABELAS

Tabela 1.1 - Caractersticas dos cenrios utilizados para a realizao das projees
apresentadas na figura 1. 1................................................................................38

Tabela 2.1 - Parmetros internos utilizados por R. R. King et. al.[28], por E.
Demismaeker[27] e S. G. Gonalves[42] na otimizao de emissores, considerando
ni =1,45x1010 cm-3...............................................................................................59
Tabela 2.2 - Parmetros internos utilizados por N. Stem[23] e A. Cuevas et. al.[43] na
otimizao de emissores de fsforo, considerando ni=1,0x1010 cm-3.................60
Tabela 2.3 - Expresses empricas de velocidade de recombinao superficial de
portadores minoritrios ajustadas para trs condies diferentes de passivao
de superfcie[33]: oxidao trmica seguida por recozimento em FG, oxidao
trmica seguida por alneal e deposio de SiN estequiomtrico. A velocidade
de recombinao na regio metalizada foi mantida em 1x107 cm/s.....................62
Tabela 2.4 - Parmetros de entrada do programa desenvolvido utilizado na
otimizao de grades de clulas de laboratrio com contatos metlicos de Ti-PdAg..........................................................................................................................72

Tabela 3.1 - Resumo da comparao do fator de metalizao, e densidades de

corrente de recombinao obtidos com os emissores homogneos, (n+), e com
os emissores DD (n++n+) para o caso de Ns=3x1018cm-3 e W e=1,4m. Os
resultados

representam

as

componentes

contabilizando

os

fatores

de

ponderao, (Fm).Joemet, e o (1-Fm).Joepass, a total, Joe, e as porcentagens relativas

de suas contribuies.........................................................................................93

Tabela 3.2 - Comparao entre os fatores de metalizao e as densidades de

recombinao em emissores homogneos e DD, para as estruturas completas
otimizadas das figuras 3.13 e 3.16, com as componentes multiplicadas pelo fator
de ponderao, (Fm).Joemet, e (1-Fm).Joepass, e as suas respectivas porcentagens
de contribuio recombinao total, Joe. ..........................................................94
Tabela 3.3 - Comparao entre os parmetros eltricos de sada otimizados
teoricamente e os obtidos na clula solar com eficincia recorde em silcio
monocristalino da UNSW[53]. ............................................................................100

Tabela 4.1 - Parmetros utilizados nas simulaes com o programa PC1D. O

dispositivo possui rea til de 4cm2...................................................................109
Tabela 4.2 - Densidade de corrente de curto-circuito integrada utilizando as
refletividades apresentadas na figura 4.7 de cada sistema ptico estudado:
superfcie polida, superfcie polida +1173 de SiO2, superfcie texturizada e
superfcie texturizada + 1173 de SiO2. Apresentam-se os ganhos dos trs
sistemas pticos, caracterizados nesta tese em relao superfcie polida.......
...................................................................................................................................120
Tabela 4.3 - Comparao entre as impurezas reamnescentes sobre a superfcie da
lmina utilizando dois diferentes procedimentos de limpeza: 1) Piranha + "dip" em
HF+RCA+enxague em gua DI e 2) Piranha + "dip" em HF + RCA + "dip" em HF
[70]

........................................................................................................................122

Tabela 4. 4 - Especificaes de anlise de concentrao de impurezas exigidas pela

American Scientific Society de trs dos reagentes qumicos com grau P.A[71, 72],
utilizados na limpeza qumica inicial RCA. .......................................................124
Tabela 4.5 - Etapa de processo de fabricao: pr-deposio. .............................128
Tabela 4.6 Resumo das etapas do processo de fabricao simplificado implantado
neste trabalho ..........................................................................................................133

Tabela 4.7 -

Comparao entre as clulas solares n+pp+ processadas no LME-

EPUSP com as clulas solares fabricadas no IES-UPM[62,63]. Cabe destacar que

a clula solar de tipo mesa a nica fabricada com processo simplificado.....138
Tabela 4.8 - Comparao entre as etapas bsicas necessrias para a fabricao de
clulas de tipo planar e mesa, ambas as clulas com eficincia da ordem de
17%. .................................................................................................................140
Tabela 4.9 - Comparao entre os parmetros eltricos de sada de clulas solares
com estruturas n+pp+ fabricadas utilizando substratos de Si-Cz e FZ entre os
centros brasileiros de pesquisa. As clulas solares com eficincias recordes tipo
PERL desenvolvida pela UNSW possuem substratos FZ. As tecnologias M e
P se referem a mesa e planar, respectivamente. ......................................142

Tabela 5.1 - Parmetros de entrada utilizados na simulao de clulas solares RPPERC com passivao na regio posterior. .....................................................152
Tabela 5.2 - Refletividade frontal interna, finterna, refletividade posterior interna, b, e
velocidade de recombinao efetiva posterior, Sefpost, das diversas estruturas
estudadas.........................................................................................................158
Tabela 5.3 - Processo de oxidao trmica com aditivos clorados ........................173
Tabela 5.4 - Contedo de impurezas e limites de deteco em duas amostras de SiFZ antes e aps a oxidao trmica obtidas pela tcnica INAA, em tomos/cm3.
.........................................................................................................................176
Tabela 5.5 - Concentraes superficiais e profundidades das impurezas na amostra
E-10-2 caracterizadas atravs da tcnica SIMS...............................................180
Tabela 5.6 - Anlise comparativa dos tempos de vida efetivos, e limites (velocidade
de recombinao superior efetiva mxima, tempo de vida de portadores
minoritrios no volume mnimo e velocidade de recombinao efetiva mnima),
obtidos utilizando limpeza qumica RCA padro, com produtos de elevado grau
de pureza (C-MOS ou superior), e produtos de baixo custo (P. A.). Considerouse a concentrao em excesso de portadores igual a n=5,4x1014 cm-3. ........182

Tabela 5.7-

Processo de oxidao trmica realizado aps a pr-deposio de

fsforo seguida pela remoo do PSG, (eventais limpezas foram realizadas com
gses industriais) .............................................................................................187
Tabela 5.8- Medidas de tempo de vida efetivo aps a realizao das diversas
etapas: oxidao, recozimento em Forming gas e alneal para n= 5,4x1014
cm-3. .................................................................................................................187
Tabela 5.9- Clculo de densidade de corrente de recombinao, Joe do emissor, e
comparao entre o tempo de vida limite (equao 5.16), e o mximo tempo de
vida medido aps a etapa de oxidao trmica/redistribuio dos tomos de
fsforo. .............................................................................................................189
Tabela 5.10 - Clculo de densidade de corrente de recombinao, Joe do emissor, e
comparao entre o tempo de vida limite (equao 5.16), e o mximo tempo de
vida medido aps a etapa de oxidao trmica/redistribuio dos tomos de
fsforo seguida pela hidrogenao realizada com FG e alneal. ....................189
Tabela 5.11 - Tempos de vida efetivos medidos aps cada etapa realizada na
amostra E-10-1 (pr-deposio de fsforo, oxidao/redistribuio e alneal),
considerando, n=5,4x1014 cm-3.......................................................................191
Tabela 5.12 - Componente de recombinao no emissor, tempo de vida limite
imposto pela recombinao no emissor e tempo de vida mximo efetivo medidos
na amostra E10-1 com W=272 (m) para a concentrao n=NA=5,4x1014cm-3.
.........................................................................................................................192
Tabela 5.13 - Processo de oxidao trmica (modificaes visando uma camada
passivadora otimizada).....................................................................................193
Tabela 5.14 - Medidas de tempo de vida efetivo aps a realizao das diversas
etapas: oxidao, recozimento em Forming gas e alneal............................194

Tabela 5.15 Caractersticas dos emissores com perfil Gaussiano: concentrao

superficial de dopantes, espessura, resistncia de folha e velocidades de
recombinao superficiais tericas de superfcies n+ oxidadas (aps FG e aps
alneal)...............................................................................................................195
Tabela 5.16 - Etapas do processo de obteno de estruturas n+p.........................198
Tabela 5.17 - Emissores dopados com fsforo: concentrao superficial de
dopantes, profundidade de juno, resistncia de folha e velocidades de
recombinao superficial, considerando passivao atravs de oxidao trmica
seguida por recozimento em FG e alneal. As velocidades de recombinao
superficiais foram calculadas de acordo com as expresses apresentadas na
tabela 2.3 do captulo 2. ...................................................................................199
Tabela 5.18 - Tempo de vida efetivo medido em n=NA nas etapas: oxidao
trmica, oxidao trmica seguida por FG e oxidao trmica seguida por alneal.
.........................................................................................................................200
Tabela 5.19 - Emissor resultante com 180/ , 2m de profundidade de juno,
Ns=1,4x1018 tomos/cm3, base 28.cm e espessura 270m...........................202
Tabela 5.20 - Caracterizao de estruturas n+p com rea forntal delimitada em
4,0cm2 da amostra E-14-5 com resistividade (=28,2 .cm) ...........................204

Tabela 6.1 - Resultados de resistividade e espessura de base, resistncia de folhae

profundidade de juno do emissor, de duas lminas representativas e
processadas com a estrutura n+p, com rea til de 4cm2..................................209
Tabela 6.2 - Tempos de vida efetivo medidos na amostra A-22-2, (=2,5.cm,
W=340m), e tenses de circuito aberto-implcitas obtidas para 1 Sol, com rea
til de 4,0cm2, considerando ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC............................211
Tabela 6.3 - Tempos de vida efetivos medidos na amostra 5-2, (=3,3.cm,
W=290m), e tenses de circuito aberto-implcitas obtidas para 1 Sol,
considerando ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC. ..................................................214

Tabela 6.4 - Comparao entre os tempos de vida efetivos medidos aps cada etapa
do processo de fabricao em lminas de materiais de fabricantes e qualidades
diferentes, e com resistividades de 2,5.cm (tipo 1) e 3,3.cm (tipo 2). .........215
Tabela 6.5 - Comparao entre as tenses de circuito aberto-implcitas processadas
no LME-EPUSP (ano 2007), suas respectivas simulaes tericas e os
parmetros eltricos de sada obtidos em dispositivos completos com estrutura
RP-PERC em outros centros............................................................................217
Tabela 6.6 - Caractersticas dos emissores de fsforo obtidos em duas amostras
com materiais iniciais diferentes: A-22-2 (Cz- =2,5.cm) e B-23-4 (FZ=0,51.cm).....................................................................................................219
Tabela 6.7 - Tempos de vida efetivos e tenses de circuito aberto-implcitas da
amostra B-23-4, material FZ de baixa resistividade, =0,51.cm, considerando
ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC. ........................................................................219
Tabela 6.8 - Comparao entre os tempos de vida efetivos medidos para o nvel de
injeo de um sol e tenses de circuito aberto-implcitas obtidas em clulas de
baixa resistividade e Si-FZ obtidas no LME-EPUSP e ANU, ambas com o
conjunto ptico: superfcies polidas e filme de SiO2. ........................................221
Tabela 6.9 Comparao entre a tenso de circuito aberto-implcita da amostra B23-4, as respectivas simulaes tericas e as clulas solares RP-PERC
processadas em outros centros. ......................................................................223
Tabela 6.10 - Comparao entre os emissores das estruturas n+p e dos tempos de
vida de portadores minoritrios efetivos em funo da resistividade de base e do
material de partida (Si-Cz e FZ), considerando ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC.
.........................................................................................................................224
Tabela 6.11- Tenses de circuito aberto-implcito em funo do material inicial e da
resistividade de base em estruturas n+p, com rea til de 4,0cm2, e passivadas
na regio posterior, considerando ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC. ..................226

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

EPUSP Escola Politcnica da Universidade de So Paulo
LME Laboratrio de Microeletrnica da USP
INPE Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais
Si-Cz Silcio Czochralski
Si-FZ Silcio Fuso Zonal
Si-mc Silcio multicristalino
Si-SoG Silicon solar grade
PC1D Program code one dimension
PUCRS Pontifcia Universidade Catlica do Rio Grande do Sul
UNICAMP Universidade de Campinas
PA para anlise
FG forming gas
FGA forming gas annealing
PCD photoconductive decay
QSSPCD quasi-steady PCD
T-PCD transient PCD
ANU Australian National University
UNSW University of New South Wales
AM1.5G Air Mass 1.5 global
ASTM American Society for Testing and Materials
DD duplamente difundido
NREL National Renewable Energy Laboratory
IPEN Instituto de Pesquisas em Energia Nuclear
ITC-IRST Istituto Trentino di Cultura - Centro pela Ricerca Cientifica &
Tecnologica
PERL Passivated Emitter Rear Locally Diffused
LBSF Local Back Surface Field
PERC - Passivated Emitter and Rear Contacts
RP-PERC Random Pyramids PERC
LFC Laser Fired Contact

IES-UPM - Instituto de Energia Solar da Universidade Politcnica de Madri

LSI Laboratrio de Sistemas Integrados
TCA tricloroetano

LISTA DE SMBOLOS

Ns................................................ .........concentrao superficial de dopantes (cm-3)

W e.................................................................................profundidade de juno (m)
NA.............................................................concentrao de dopantes na base (cm-3)
Dp........................coeficiente de difuso de portadores minoritrios na base (cm2.s)
Fm.........................................................................................fator de metalizao (%)
ni..........................................................concentrao intrnseca de portadores (cm-3)
Sp......................................................velocidade de recombinao superficial (cm/s)
p....................................................mobilidade de portadores minoritrios (cm2/V.s)
p.......................................................concentrao de portadores minoritrios (cm-3)
po.................................concentrao de portadores minoritrios no equilbrio (cm-3)
q..................................................................................................carga do eltron (C)
p ....................................................tempo de vida de portadores minoritrios no emissor n+ (s)
Nd..................................................concentrao de dopantes em funo da posio (x) (cm-3)
ni.......................................................................................concentrao de portadores intrnseca (cm-3)
G.................................................................taxa de gerao de portadores (cm-3.s-1)
E gap (x ) .........................................estreitamento aparente de banda proibida (meV)

Joe...............................densidade de corrente de recombinao no emissor (fA/cm2)

Joemet...........densidade de corrente de recombinao na regio metalizada (fA/cm2)
Joepass...........densidade de corrente de recombinao na regio passivada (fA/cm2)
Js..........densidade de corrente de recombinao na superfcie do emissor (fA/cm2)
Jvol.............densidade de corrente de recombinao no volume do emissor (A/cm2)
Jb............................densidade de corrente coletada na base normalizada (mA/cm2)
Jger.......................densidade de corrente gerada no emissor normalizada (mA/cm2)
Jil......................densidade de corrente coletada no emissor normalizada (mA/cm2)
c..........................................................eficincia de coleo interna do emissor (%)
Jper...........................................densidade de corrente perdida no emissor (mA/cm2)
A........................................................................comprimento da grade coletora (cm)
B.................................................................................largura da grade coletora (cm)
Jmp...........................densidade de corrente no ponto de mxima potncia (mA/cm2)
Vmp..........................................................tenso no ponto de mxima potncia (mV)

Pmax.................................................................................potncia mxima (mW/cm2)

DF........................................................................largura final da linha metlica (m)
D.................................................................................largura da linha metlica (m)
W B............................................................................largura do coletor principal (m)
S..........................................................espaamento entre as linhas metlicas (mm)
pe ....perdas resistivas normalizadas devido ao fluxo lateral de corrente no emissor
R .....................................................................resistncia de folha do emissor (/ )
pmF...perdas resistivas normalizadas devido a resistncia srie das linhas dos metais
Rmf..................................................resistncia de folha dos dedos metlicos (m/ )
pc.............................................perdas normalizadas devido resistncia de contato
c...............................................................................resistividade de contato (.cm)
psd......perdas normalizadas devido ao sombreamento produzido pelas linhas da
grade coletora
pmb.....perdas normalizadas devido resistncia srie das linhas metlicas do
coletor principal
psb.....................perdas normalizadas devido ao sombreamento do coletor principal
pTOT..........................potncia de perda eltrica total normalizada da grade coletora
psomb..........................................potncia de perdas totais devido ao sombreamento
Fs.....................................................................................fator de sombreamento (%)
Jsc-max...............................densidade de corrente de curto-circuito mxima (mA/cm2)
finterna................................................................................refletividade frontal interna
b..................................................................................refletividade interna posterior
vol.......................................tempo de vida de portadores minoritrios no volume (s)
....................................................................................resistividade de base (.cm)
W.......................................................................................espessura da lmina (m)
Job.......densidade de corrente de recombinao total na base normalizada (fA/cm2)
Jsc.........................densidade de corrente de curto-circuito da clula solar (mA/cm2)
FFo.......................................................................................fator de forma intrnseco
FF...................................................................................................fator de forma (%)
KT/q........................................................................................potencial trmico (mV)
Voc...............................................................................tenso de circuito aberto (mV)
Pin..................................................................................potncia incidente (mW/cm2)
....................................................................................eficincia da clula solar (%)

Lb.........................comprimento de difuso de portadores minoritrios na base (m)

......................................................................................comprimento de onda (nm)
F().....................................................fluxo de ftons normalizado para 100mW/cm2
R()....................................................................refletividade espectral da superfcie
m....................................................................................fator de idealidade do diodo
Qi...................................................................................................................................eficincia quntica interna
().............................................................................coeficiente de absoro (cm-1)
(dE/d.)..................................................................irradincia espectral (mW/cm2)
Isc........................................................................................................................corrente de curto-circuito (mA)
Bn.............................................coeficiente de recombinao banda a banda (cm3/s)
Sefpost........................velocidade de recombinao efetiva na regio posterior (cm/s)
..........................................................tempo de vida dos portadores minoritrios (s)
n.............................................................excesso de portadores minoritrios (cm-3)
U......................................taxa de recombinao de portadores minoritrios (cm-3/s)
..................................................................variao da fotocondutividade (.cm)-1
ef......................................................................................tempo de vida efetivo (ms)
fabs......................................................................................frao de absoro ptica
Voc-imp ...........................................................tenso de circuito aberto implcita (mV)
sup..............................tempo de vida dos portadores minoritrios na superfcie (ms)
vol..................................tempo de vida dos portadores minoritrios no volume (ms)
intrnseco............................tempo de vida dos portadores minoritrios intrnseco (ms)
SRH.................................tempo de vida de recombinao Shockley-Read-Hall (ms)
Auger......................................................tempo de vida de recombinao Auger (ms)
rad.....................................................tempo de vida de recombinao radiativa (ms)
Sef-max........................................velocidade de recombinao efetiva mxima (cm/s)
vol-min.....limite inferior do.tempo de vida de portadores minoritrios no volume (ms)
Sef-min.............limite inferior da velocidade de recombinao efetiva posterior (cm/s)
ef-limite....tempo de vida de portadores minoritrios limitado pela densidade de
recombinao (ms)
ef-mximo..valor mximo do tempo de vida de portadores minoritrios medido em
uma amostra (ms)
Ev..................................................................nvel inferior da banda de valncia (eV)

Ec...............................................................nvel inferior da banda de conduo (eV)

EF...................................................................................................................................................nvel de Fermi (eV)
Bv.................................................................................................. banda de valncia
Bc.................................................................................................banda de conduo
Er..................................nvel de energia associado ao centro de recombinao (eV)
Et...............................nvel de energia associado ao centro de armadilhamento (eV)
p.......................................................seo de choque de captura de lacunas (cm2)
n ......................................................seo de choque de captura de eltrons (cm2)
NT.........................................................................concentrao de impurezas (cm-3)
Vth..................................................................velocidade trmica dos eltrons (cm/s)
Cn....................................coeficiente de recombinao Auger para Si- tipo n (cm6/s)
Cp.....................................coeficiente de recombinao Auger para Si-tipo p (cm6/s)
Sr......................velocidade de recombinao superficial Shockley-Read-Hall (cm/s)
Nit..........................................densidade de cargas armadilhadas na interface (cm-2)
Dit...........................densidade de centros de recombinao na interface (cm-2.eV-1)
ns..................................................seo de choque de eltrons na superfcie (cm2)
ps..................................................seo de choque de lacunas na superfcie (cm2)

SUMRIO
1. INTRODUO...... 37
1.1 ESTRUTURA DE TESE DE DOUTORAMENTO...........43

2. MODELO TERICO....................................................................................48
2.1 INTRODUO............................................................................................48
2.2 MODELAGEM DE EMISSORES (MODELO UNIDIMENSIONAL).............50
2.3 EVOLUO DOS PARMETROS INTERNOS EMISSOR TIPO N+......56
2.3.1 CONJUNTOS DE PARMETROS INTERNOS UTILIZADOS EM
OTIMIZAES ANTERIORES......................................................58
2.3.2 ALTERAO NO CONJUNTO DE PARMETROS INTERNOS
IMPOSTA PELO NI=9,65X109 CM-3............................................. .60
2.4 MTODO DE OTIMIZAO DE GRADES.................................................64
2.4.1 PERDAS

RESISTIVAS

NORMALIZADAS

DE

SOMBREAMENTO NAS LINHAS METLICAS QUE COMPEM

AS LINHAS DE GRADE COLETORA........................................... 66
2.4.2 PERDAS RESISTIVIVAS E DE SOMBREAMENTO DEVIDO AO
COLETOR PRINCIPAL.....................................................................68
2.4.3 PERDAS RESISTIVAS E DE SOMBREAMENTO TOTAIS NO
DISPOSITIVO E CONDIO DE OTIMIZAO..............................69
2.4.4 PARMETROS UTILIZADOS NA OTIMIZAO DE GRADES EM
CLULAS SOLARES DE LABORATRIO.......................................71
2.5 PARMETROS ELTRICOS DO DISPOSITIVO COMPLETO (N+P OU
N++N+P)...................................................................................................73

2.5.1 DENSIDADE DE CORRENTE DE CURTO-CIRCUITO................73

2.5.2TENSO

DE

CIRUITO-ABERTO,

FATOR

DE

FORMA

EFICINCIA...................................................................................75

3. ESTUDO DE EMISSORES E ESTRUTURAS COMPLETAS N+P E

N++N+P OTIMIZADAS.................................................................................77
3.1 INTRODUO............................................................................................77
3.2 ESTADO DA ARTE: SIMULAES TERICAS REALIZADAS DURANTE
A DISSERTAO DE MESTRADO............................................................78
3.3 RESULTADOS DA OTIMIZAO DOS EMISSORES DE FSFORO
ATRAVS DE CURVAS DE NVEL (NI=9,65X10-3CM-3).............................81
3.3.1 OTIMIZAO DE GRADES EM EMISSORES HOMOGNEOS E
DUPLAMENTE

DIFUNDIDOS

CLULAS

SOLARES

DE

LABORATRIO.............................................................................83
3.3.2 CARACTERSTICAS DOS EMISSORES DE CLULAS SOLARES
DE LABORATRIO.................................................................... 86
3.3.2.1 Eficincia de coleo em emissores homogneos e
duplamente difundidos........................................................86
3.3.2.2

Recombinao nos emissores....................................87

3.3.2.2.1 Densidade de corrente de recombinao em

emissores homogneos.........................................................88
3.3.2.2.2 Densidade de corrente de recombinao em
emissores DD.........................................................................91
3.3.2.2.3 Emissores homogneos versus DD........................93
3.3.3 PARMETROS ELTRICOS DE SADA EM ESTRUTURAS
COMPLETAS DE CLULAS SOLARES DE LABORATRIO....94
3.3.3.1

Parmetros

eltricos

de

sada

utilizando

emissores

homogneos........................................................................94

3.3.3.2 Parmetros

eltricos

de

sada

utilizando

emissores

duplamente difundidos........................................................97
3.3.3.2.1 Comparao entre os resultados obtidos neste
trabalho

com

simulaes

tericas

apresentadas

anteriormente ...........................................................101
3.4

EMISSORES

HOMOGNEOS

APS

RE-ADEQUAO

DOS

PARMETROS INTERNOS PARA A CONCENTRAO INTRNSECA

DE PORTADORES NI=9,65X109 CM-3...................................................103
3.5 CLULAS SOLARES COM EMISSORES DUPLAMENTE DIFUNDIDOS
VERSUS HOMOGNEOS, E SUAS APLICABILIDADES PRTICAS...105
3.6 CONCLUSES.......................................................................................106

4. PROCESSO

SIMPLIFICADO

DE

CLULAS

SOLARES

EFICIENTES EM SUBSTRATO CZ DE BAIXA RESISTIVIDADE

........................................................................................................................107
4.1 INTRODUO........................................................................................107
4.2 ESTUDO PARAMTRICO DE ESTRUTURAS N+PP+ E LIMITAES
IMPOSTAS POR ESTA TECNOLOGIA..................................................108
4.3 ESTADO DA ARTE: CLULAS SOLARES DEPENDENTES DO EFEITO
DE ARMADILHAMENTO DE IMPUREZAS ATRAVS DA DIFUSO DE
Al ............................................................................................................111
4.4 DESENVOLVIMENTOS EXPERIMENTAIS............................................115

4.4.1

CONJUNTO

PTICO

(TEXTURIZAO

CAMADA

ANTI-REFLETORA....................................................................115
4.4.1.1 Texturizao qumica..........................................................116
4.4.1.2 Camada anti-refletora simples: dixido de silcio................118
4.4.2 LIMPEZA QUMICA....................................................................120
4.4.3 DEPOSIO DE ALUMNIO E OBTENO DA REGIO
POSTERIOR P+ (BSF).................................................................124
4.4.4 FORMAO DE EMISSORES OTIMIZADOS EM CLULAS
SOLARES (TECNOLOGIA PLANAR E MESA)..................... 127
4.4.5 CONJUNTO DE FOTOMSCARAS E REESPESSAMENTO DO
COLETOR PRINCIPAL.............................................................130
4.5 IMPLEMENTAO DO PROCESSO DE FABRICAO DE CLULAS
SOLARES EM SUBSTRATO Si-Cz COM INSUMOS DE BAIXO
CUSTO....................................................................................................131
4.5.1 CARACTERIZAO DO PERFIL DOS EMISSORES DOPADOS
COM FSFORO..........................................................................134
4.5.2 MEDIDA IXV SOB ILUMINAO................................................135
4.5.3

VANTAGENS

DO

PROCESSO

DE

FABRICAO

IMPLEMENTADO (Simplificado)...............................................137
4.6 AS CLULAS SOLARES COM EFICINCIA RECORDE NO LME X
OUTROS CENTROS DE PESQUISA BRASILEIROS............................139
4.7 CONCLUSES.......................................................................................143

5. CARACTERIZAO DE MATERIAIS E

PROCESSOS COM A

TCNICA PCD............................................................................................145
5.1 INTRODUO........................................................................................145

5.2 CLULAS

SOLARES

NO

DEPENDENTES

DO

EFEITO

DE

ARMADILHAMENTO DE IMPUREZAS ATRAVS DA DIFUSO DO

ALUMNIO...............................................................................................148
5.2.1 ESTADO DA ARTE.....................................................................148
5.2.2 ESTUDO PARAMTRICO DE UMA ESTRUTURA RP-PERC
(NO DEPENDENTE DO EFEITO DE ARMADILHAMENTO DE
IMPUREZAS ATRAVS DO ALUMNIO...................................151
5.3 COMPARAO ENTRE EFICINCIAS TERICAS OBTIDAS EM
ESTRUTURAS

COM

SEM

PASSIVAO

NA

REGIO

POSTERIOR...........................................................................................157
5.4

TCNICA

DE

DECAIMENTO

FOTOCONDUTIVO

(QSSPC

TRANSIENTE) .......................................................................................160
5.4.1 COMPONENTES DO TEMPO DE VIDA EFETIVO MEDIDO COM
A TCNICA PCD (DECAIMENTO FOTOCONDUTIVO) ..........165
5.4.2 CARACTERIZAO DE MATERIAIS ATRAVS DE OXIDAES
TRMICAS................................................................................168
5.4.2.1 Caracterizaes de filmes finos de SiO2 realizados com
limpeza qumica com reagentes C-MOS e oxidao trmica
com gases especiais.........................................................170
5.4.2.2 Estudo do efeito das limpezas qumicas (PAxMOS) sobre o
tempo de vida do material.................................................181
5.5 CARACTERIZAO DE MATERIAIS E SUPERFCIES PASSIVADAS
ATRAVS DA FORMAO DE ESTRTUTURAS N+PN+.......................184
5.5.1 CARACTERIZAO DE MATERIAIS (SUBSTRATOS) E DAS
DIFUSES DE FSFORO POUCO DOPADAS UTILIZANDO
GASES ESPECIAIS E SUBSTRATOS FZ................................186
5.5.2 CARACTERIZAO DAS DIFUSES SUAVES UTILIZANDO
PR-DEPOSIO COM GS INDUSTRIAL............................190

5.5.3

CARACTERIZAO
UTILIZANDO
VISANDO

DAS

GASES
A

DIFUSES

ESPECIAIS

OBTENO

DE

DE

FSFORO

SUBSTRATOS
EMISSORES

FZ
COM

100/ .......................................................................................192
5.6 ESTUDO DO TEMPO DE VIDA NO VOLUME DO SUBSTRATO
DURANTE

AS

OBTENO

DE

ETAPAS

TRMICAS

DISPOSITIVOS

NECESSRIAS

COMPLETOS

PARA

(ESTRUTURAS

N+P).........................................................................................................196
5.7 CONCLUSES........................................................................................204

6. IMPLEMENTAES DE ESTRUTURAS N+P EM SUBSTRATOS

COM

BAIXA

RESISTIVIDADE

(MATERIAIS

Cz

FZ)..................................................................................................................206
6.1 INTRODUO........................................................................................206
6.2 CARACTERIZAO DE ESTRUTURAS N+P EM AMOSTRAS DE
SILCIO Cz COM RESISTIVIDADE NO ENTORNO DE 3.cm.............208
6.2.1

CARACTERIZAO

DA

ESTRUTURA

N+P

UTILIZANDO

SUBSTRATO Cz COM RESISTIVIDADE 2,5.cm (FABRICANTE

TIPO 1) .......................................................................................210
6.2.2

CARACTERIZAO

DA

ESTRUTURA

N+P

UTILIZANDO

SUBSTRATO Cz COM RESISTIVIDADE 3,3.cm (FABRICANTE

TIPO 2) .....................................................................................214
6.3 OBTENO DE ESTRUTURAS N+P EM SUBSTRATOS FZ COM BAIXA
RESISTIVIDADE.....................................................................................218
6.4 COMPARAO ENTRE AS ESTRUTURAS N+P PROCESSADAS COM
DIFERENTES RESISTIVIDADES DE BASE..........................................223

6.5 CONCLUSES.......................................................................................227

7. CONCLUSES E PERSPECTIVAS FUTURAS................................228

REFERNCIAS................................................................................................232

APNDICE

FLUXOGRAMA

DE

FUNCIONAMENTO

DO

PROGRAMA DE SIMULAO DE REGIES n+, p+ ESTRUTURAS

COMPLETAS...................................................................................................245

APNDICE B ESPECTRO DE LUZ INCIDENTE AM1.5G (ASTM

G173-03)

COEFICIENTES

DE

ABSORO

DO

SILCIO

UTILIZADOS NAS SIMULAES TERICAS .....................................252

APNDICE C RECOMBINAO NO SEMICONDUTOR DE

SILCIO..............................................................................................................254

PRODUO TCNICO-CIENTFICA RELACIONADA COME ESTA

TESE DE DOUTORAMENTO......................................................................262

37

CAPTULO 1 - INTRODUO

O aumento da demanda energtica mundial, a instabilidade do preo do

petrleo devido a interesses econmicos e geopolticos e uma crescente
preocupao com a contaminao atmosfrica impuseram a necessidade de um
aumento na utilizao de fontes renovveis para a produo de energia, que vem
se tornando imprescindveis na composio do balano energtico.
De acordo com o mais recente relatrio do International Panel Climate
Change (IPCC) de 2007[1] a concentrao de dixido de carbono na atmosfera em
2005 excede significativamente a variao natural nos ltimos 650.000 anos (180 a
300 ppm) passando de uma mdia de 6,4Gt (23,5 GtCO2) por ano na dcada de 90
para 7,2Gt (26,4 GtCO2) por ano no perodo de 2000-2005, acarretando em
drsticas mudanas climticas no planeta.
Uma das principais conseqncias impostas por este crescimento : o
aumento da temperatura global, do ar e dos oceanos, provocando o derretimento
das geleiras e por sua vez o aumento do nvel do oceano. Em particular, as
espessuras das geleiras tm diminudo paulatinamente causando um aumento do
nvel dos oceanos de 1,8mm por ano no perodo de 1961 2003, subindo para
3,1mm durante o perodo de 1993-2003. Outras decorrncias do aquecimento global
so as numerosas e drsticas alteraes climticas que j esto sendo sentidas nas
diversas localidades do planeta, tais como as mudanas: de temperatura do rtico
com forte reduo de sua rea, na salinidade dos oceanos, nos ventos, e a presena
de extremos, tais como perodos de chuvas violentos alternados com longos
perodos de seca, ondas de calor e furaces. A regio Amaznica, por exemplo,
poder apresentar uma expressiva reduo das precipitaes e aumento na
temperatura, de cerca de quatro graus, no perodo de 2090-2099, causando fortes
estiagens.
Na figura 1.1 mostram-se as projees, na ordem crescente de gravidade das
conseqncias inerentes ao aquecimento global, obtidas atravs de simulaes
tericas realizadas levando em conta trs diferentes cenrios, B1, A1B e A2 durante
os perodos 2020-2029 e 2090-2099. As caractersticas dos cenrios utilizados
apresentam-se na tabela 1.1.

38

Tabela 1.1 - Caractersticas dos cenrios utilizados para a realizao das projees
apresentadas na figura 1.1.
_________________________________________________________________________________________________________________

A1B considera-se um mundo com um crescimento econmico rpido e uma

populao global que cresce at o meio do sculo e depois diminui, mas com a
introduo rpida de tecnologias novas e eficientes. A gerao de energia no
dependente de um nico tipo de energia, contando com o auxlio de energias
alternativas.

B1 considera um sistema similar ao A1, um mundo com a uma populao

global que tambm cresce at o meio do sculo e depois diminui, mas com uma
rpida mudana de estrutura econmica e social, com a introduo de mudana
de insumos, de tecnologias limpas e de recursos eficientes. Neste sistema
consideram-se ainda economias auto-sustentveis, incluindo a igualdade social.

A2 considera um crescimento populacional global no controlado, aumentando

continuamente, e uma economia primria com orientao regional. Neste sistema
o aumento da renda per capta e o desenvolvimento tecnolgico se tornam mais
lentos que nos sistemas anteriores.

Dentre as energias renovveis em destaque encontra-se a fotovoltaica,

apresentando como principais vantagens: a) possibilidade de fornecimento de
eletricidade em localidades isoladas, b) custos menos suscetveis s flutuaes
como o do petrleo, c) passvel de ser modulada e ter suas potencialidades
ampliadas de acordo com as necessidades e d) coincidncia da produo com os
picos de consumo de energia em locais com utilizao significativa de arcondicionado, entre outras.
No entanto, atualmente, a produo de energia fotovoltaica no se apresenta
competitiva com a energia eltrica convencional. Em parte, este panorama se deve
ao fato de que os prejuzos ambientais inerentes gerao de energia convencional
no so contabilizados no oramento das mesmas. Embora haja atualmente um
consenso mundial sobre a necessidade de quantificar estes impactos ambientais, a

39

dificuldade ainda grande, uma vez que esta avaliao confronta interesses
polticos e econmicos.

Figura 1.1: Os painis mostram simulaes das mudanas de temperatura no

planeta as projees mdias do modelo geral de circulao atmosfrica oceano
para os cenrios B1 superior, A1B - meio e A2 inferior, ponderados sobre a
mdia nos anos 2020-2029 (esquerda) e 2090-2099 (direita) [1].
Porm, esta perspectiva vem sendo alteranda significativamente devido s
polticas de incentivo por parte de alguns pases (Alemanha, Japo, EUA, Espanha e
outros), onde os sistemas conectados rede eltrica recebem subsdios
governamentais, tornando-se a poltica responsvel pelo crescimento exponencial
do nmero de instalaes fotovoltaicas (ver figura 1.2)[2,3]. Em particular, no ano

40

2005, a potncia instalada baseada na energia fotovoltaica apresentou um

crescimento de aproximadamente 34% (>1500 MW) em relao a 2004. O pas que
mais se destacou foi Alemanha, atingindo cerca de 57%[4] do total de instalaes

POTNCIA FOTOVOLTAICA INSTALADA (103MW)

fotovoltaicas mundiais, superando Japo (20%) e Estados Unidos (7%).

4,0
3,5

Sistemas Conectados rede

Sistemas Isolados

3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0

Figura 1.2: Potncia total fotovoltaica instalada em funo dos anos, considerando
os sistemas isolados e os conectados rede[3].

Considerando-se os sistemas fotovoltaicos instalados, apresentados na figura

[5,6]

1.3

, verifica-se que 90% das clulas solares utilizadas correspondem a substratos

de silcio cristalino, sendo multicristalino (53% Si-mc) ou monocristalino (37% Si-Cz).

Como decorrncia do aumento da demanda de sistemas fotovoltaicos, a
indstria passou a enfrentar problemas de escassez do silcio (material de partida)
utilizado na obteno dos tarugos na fabricao de lminas. Em 2005, a demanda
do silcio de partida utilizada pela indstria fotovoltaica atingiu os mesmos nveis que
os utilizados pela indstria de semicondutores, forando os fabricantes a
desenvolverem novas alternativas. Dentre as diversas alternativas podem-se citar a
utilizao de lminas menos espessas para a fabricao de clulas solares
(passando de 300m em 2002 para valores entre 250m e 200m em 2005[7]) e o

41

investimento em pesquisas visando utilizao de materiais de menor custo, como o

silcio grau solar. Contudo, a utilizao deste material para a fabricao dos
dispositivos impe a necessidade de novos desenvolvimentos tecnolgicos, tanto no
setor de produo de materiais, para adequao de sua qualidade para o uso
fotovoltaico, quanto no desenvolvimento de processos de fabricao de dispositivos,
uma vez que cada material requer uma adequao especfica do processo de
fabricao. Como exemplo podem-se citar os tratamentos de pr-armadilhamento de
impurezas (gettering) atravs da difuso saturada de fsforo[8], seguida pela
remoo da camada n formada, acarretando em um material de partida com maior
tempo de vida de portadores minoritrios no volume. A combinao de difuses de
fsforo e alumnio[9] permite a recuperao do tempo de vida no volume tambm.

110

70

37,0

36,2

32,2

36,4

37,4

40,8

80

estimativa
54,7

57,2

53,0

30

50,2

40

48,2

50

51,6

60

42,1

PRODUO (%)

90

34,6

100

20
10
0
1999

2000

2001

2002

2003

2004

2005

ANO
c-Si films
a-Si
mc-Si

CIS
CdTe
c-Si

Figura 1.3: Produo de mdulos fotovoltaicos em funo do material utilizado e do

ano.
Por outro lado, como conseqncia da expanso do mercado fotovoltaico vem
ocorrendo um avano espetacular no desenvolvimento das pesquisas e de novas
tecnologias produzindo uma considervel reduo no custo de produo. Assim, o

42

mdulo fotovoltaico que custava cerca de US$78/W em 1978 atingiu um patamar

entre US$2/W e US$4/W em 2005, com projees[7] de US$1,82 /W e US$1,44 /W
nos anos 2010 e 2015, respectivamente. Levando em conta os custos relativos a
todos os elementos que compem o sistema fotovoltaico conectado rede eltrica
(tais como os inversores, a instalao eltrica, a estrutura do suporte e a integrao
ao edifcio) estimam-se valores de custo atual entre US$3/W - US$8 /W [10].
Considerando-se o estado da arte na fabricao de clulas solares, verifica-se
que se dividem em dois grupos: clulas solares de silcio mono ou multicristalino e
clulas solares de filmes finos (silcio amorfo e clula de CdTe). Sendo que, as
eficincias de clulas solares de silcio pr-comerciais (em geral Cz ou
multicristalino) esto entre 22%-18,5%[11,12], respectivamente, dependendo da
qualidade do material de partida e da tecnologia utilizada. Por outro lado, as clulas
com tecnologia de filme fino apresentam eficincias entre 6-13,5%[13].
As pesquisas de clulas de laboratrio podem ser agrupadas em trs linhas
basicamente: a) melhoria de eficincias nas clulas solares de silcio mono e
multicristalino, b) tentativa de diminuio do custo no processo de crescimento do
cristal, em materiais Cz e FZ, baseados na utilizao um silcio de menor
custo[14,15,16], e c) obteno de materiais menos puros como o silcio grau solar[17,18].
No Brasil, devido sua vasta extenso territorial, a gerao de energia a
partir de mdulos fotovoltaicos est dedicada a atender localidades isoladas
(extremamente distantes do local de gerao da energia eltrica convencional) e
comunidades carentes, atingindo, em 2005, cerca de 3MWp de mdulos
fotovoltaicos instalados[19]. Como exemplo da baixa densidade demogrfica em
algumas regies do pas, podem ser citados os estados do AC, AM, MA, MT, PA,
RO, RR e TO, que ocupam 59% da extenso territorial e possuem apenas 12% da
populao do pas. Cerca de 30% desta populao, no ano 2000, no possua
nenhum tipo de eletrificao[20].
Assim, visando diminuir a excluso social e de eletrificao no pas, foram
implementados programas como Programa de Desenvolvimento Energtico de
Estados e Municpios (PRODEEM)

[21]

e o Programa Nacional de Universalizao

do Acesso e Uso da Energia Eltrica - Luz para Todos [22].

Considerando o estado da arte de fabricao de clulas solares no pas,
existem vrios centros envolvidos com o desenvolvimento em clulas solares de
silcio de alta eficincia. As clulas solares mais eficientes fabricadas em silcio

43

monocristalino esto entre 16% e 17%, dependendo do tipo de substrato (FZ ou Cz)
e da tecnologia utilizada, destacando-se os centros como a USP, INPE, a PUCRS e
a UNICAMP.
Em meados de 1995, utilizando-se tecnologia planar com emissores
profundos e moderadamente dopados (implementada em 1991 no LME-EPUSP), e
um processo dependente do armadilhamento de impurezas atravs da difuso de
alumnio, foi possvel alcanar a eficincia de aproximadamente 17%, utilizando
substratos FZ (0,5.cm) e tecnologia de baixo custo (produtos qumicos PA e gases
industriais), sem a utilizao de procedimentos de passivao em Forming Gas
(FG) e alneal (passivao com Al). A eficincia desta clula medida no
LME/EPUSP em 1995, =16,8%, foi corroborada por uma medida realizada pelo
National Renewable Laboratory (NREL) em 1997, =(16,9+0,3)%[23].
Em 1998, a UNICAMP, utilizando a tecnologia de fabricao que emprega
emissores estreitos e altamente dopados (perfil erfc) em substrato Cz, com processo
de fabricao no dependente da difuso do Al, alcanou uma eficincia de
aproximadamente 16% em medidas realizadas no prprio centro[24].
Posteriormente, nos anos 2001/2002, em um trabalho de colaborao entre a
UFGRS e a PUCRS[25], utilizando substratos tipo Cz de 30-40.cm, e tecnologia
similar a utilizada no LME/EPUSP, apresentando aproximadamente 17%, em uma
clula solar parcialmente processada e medida na Espanha (Universidade
Politcnica de Madri UPM). Cabe ressaltar que a este trabalho foi atribudo o XVIII
Prmio Jovem Cientista do CNPq por desenvolver dispositivos de elevada eficincia
e baixo custo no pas[26].

1.1 ESTRUTURA DA TESE DE DOUTORAMENTO

A estrutura desta tese se divide em: modelagem terica e implementaes
experimentais.
No que concerne modelagem terica realizou-se a implementao de um
programa inicialmente desenvolvido no trabalho de Mestrado[23] visando permitir o
estudo e a otimizao de emissores e estruturas completas n+p e n++pp+, contando
com o efeito do confinamento ptico e com grades metlicas otimizadas. Optou-se
pela utilizao de um modelo terico unidimensional com solues analticas na

44

realizao deste estudo, uma vez que o seu desenvolvimento permite estudar
separada

detalhadamente

efeito

dos

parmetros

internos

sobre

comportamento do emissor em suas diferentes regies: passivadas e metalizadas. A

implementao deste programa, na verso atual, tambm permitiu a obteno de
curvas de nvel, dos diversos parmetros estudados, como funo da concentrao
de dopantes e das espessuras dos emissores em um amplo intervalo de espessuras
(W e=0,1m a 10m) e de concentrao superficial de dopantes (Ns=1x1018cm-3 a
Ns=1x1020cm-3). Estudaram-se dispositivos tipicamente fabricados em laboratrio
com rea 4cm2 e com superfcies frontais passivadas com dixido de silcio seguidas
por recozimento em ambiente de Forming Gas (FGA), utilizando os parmetros mais
aceitos atualmente pela comunidade cientfica. Em particular, a modelagem terica
das clulas solares com emissores duplamente difundidos existentes na literatura[27],
embora inclusse os efeitos de confinamento de luz e a otimizao de grades de
contatos, utilizava parmetros internos atualmente considerados obsoletos[28],
impondo, portanto a necessidade de sua re-otimizao com parmetros mais
recentes, como desenvolvida nesta tese.
Por outro lado, baseados nos excelentes resultados experimentais obtidos no
trabalho realizado na Dissertao de Mestrado, (clula com =17%, substrato FZ,
resistividade de =0,5.cm, tecnologia planar, gases e produtos qumicos de baixo
custo), estabeleceu-se que o trabalho experimental deveria ter continuidade com o
desenvolvimento de um novo processo de fabricao que reduzisse ainda mais os
custos de fabricao, contudo, ainda baseado na utilizao de fsforo e alumnio
(P/Al) como elementos dopantes. Assim, na planificao dos trabalhos experimentais
desta tese, em meados de 2000, optou-se pela utilizao de um material de baixo
custo, lminas de Si-Cz de baixa resistividade (=2-3.cm), tipicamente utilizado na
indstria fotovoltaica. Visando manter ao mximo esta filosofia, os gases deveriam
continuar sendo industriais (sem controle de impurezas) e os reagentes qumicos
nacionais, com grau de pureza P.A.. Com o objetivo de reduzir custos e manter a
eficincia em valores elevados, optou-se por desenvolver um processo de fabricao
com uma estrutura bsica completa n+pp+, utilizando-se uma nica etapa trmica
(em fornos de elevada temperatura). Assim, as etapas de pr-deposio de fsforo,
passivao superficial, formao da camada anti-refletora e a redistribuio do P/Al,
seriam realizadas simultaneamente (em uma nica etapa trmica). Esta etapa do

45

trabalho da tese resultou na implementao de um processo simplificado de

fabricao, onde foram alcanadas eficincias da ordem de 17%, em substratos Cz
de baixa resistividade (=2-3.cm), conforme descrito no captulo 4.
Uma vez tendo sido demonstrada a obteno de clulas solares com altas
eficincias

com

um

processo simplificado em

estruturas

dependentes do

armadilhamento de impurezas atravs da difuso de Al, o objetivo voltou-se para o

desenvolvimento de estruturas no dependentes deste armadilhamento, tais como
as clulas solares tipo RP-PERC (Random Pyramid Passivated Emitter Rear
Contacts), que permitissem a elevao dos rendimentos alcanados at mesmo
utilizando insumos de baixo custo, tais como gases industriais e reagentes qumicos
de grau de pureza P. A..
Assim, as implementaes experimentais preliminares ao desenvolvimento de
estruturas no dependentes do efeito de armadilhamento de impurezas atravs do
Al, descritas no captulo 5 deste trabalho, so caracterizadas por duas disjuntivas:
possuem confinamento ptico da luz, e reduzida recombinao atravs da
passivao de sua superfcie posterior alcanando tambm elevadas tenses de
circuito-aberto.
A tecnologia de fabricao do LME-EPUSP, desde meados de 1991, permitia
a obteno de emissores com elevada qualidade, apresentando reduzidas
densidades de corrente de recombinao e elevadas eficincias qunticas internas
Qi()=97% para =400nm. Desta forma, o trabalho foi direcionado visando
implementao de novas tecnologias de fabricao que permitissem, manter
elevados os tempos de vida no volume do dispositivo (sem o armadilhamento de
impurezas atravs do alumnio), e ao mesmo tempo otimizar as passivaes das
superfcies frontais (n+) e posterior (p).
Para levar a cabo estes objetivos utiliza-se a tcnica de anlise do
decaimento fotocondutivo (PCD). A aquisio deste equipamento permitiu ao grupo
do LME a qualificao de materiais, de etapas e processos de fabricao sem a
necessidade de finalizao prvia do dispositivo, representando uma reduo de
tempo gasto e uma considervel reduo de custos.
Assim, os desenvolvimentos experimentais para implementao das novas
tecnologias de fabricao inicialmente visaram caracterizao de materiais
utilizando duas diferentes tcnicas de passivao, a oxidao trmica em silcio tipo
p e a difuso suave de fsforo, atravs de uma estrutura n+pn+. Atravs da utilizao

46

destas tcnicas de fabricao e de caracterizao (PCD), pde-se verificar a elevada

qualidade do material de partida atravs do tempo de vida efetivo, bem como a
eficcia dos processos de fabricao envolvidos (oxidaes trmicas com aditivos
clorados, pr-deposies de fsforo, deposies de alumnio e recozimentos em
ambiente de forming gas).
A implementao das estruturas n+p com regio posterior passivada
propriamente dita se iniciou com caracterizao de estruturas n+pn+ com emissores
otimizados (perfil Gaussiano e passivados), sendo seguida pela obteno de
estruturas n+p com rea frontal delimitada a 4cm2. Com o intuito de levar a cabo a
implementao desta tecnologia iniciaram-se os experimentos utilizando reagentes
qumicos com elevado grau de pureza, gases especiais, e rampas de elevao e
resfriamento de temperatura, maximizando portanto a tenso de circuito aberto
atravs da reduo das recombinaes no dispositivo.
A verificao da preservao do tempo de vida em substratos FZ e Cz de
baixa resistividade mesmo aps a realizao de trs etapas trmicas com
temperaturas elevadas comprovou a potencialidade da infra-estrutura deste
laboratrio para o desenvolvimento de clulas solares de elevado rendimento no
dependentes do efeito de armadilhamento de impurezas atravs da difuso do
alumnio.
Desta maneira, esta tese de doutoramento divide-se em sete captulos:
captulo

(INTRODUO),

captulo

(MODELO

TERICO),

captulo

(EMISSORES E ESTRUTURAS COMPLETAS n+p E n++n+p OTIMIZADAS), captulo

4 (PROCESSO DE FABRICAO SIMPLIFICADO DE CLULAS SOLARES
EFICIENTES EM SUBSTRATOS Cz DE BAIXA RESISTIVIDADE), captulo 5
(CARACTERIZAO DE MATERIAIS E PROCESSOS UTILIZANDO A TCNICA
PCD), captulo 6 (IMPLEMENTAES DE ESTRUTURAS n+p EM SUBSTRATOS
COM BAIXA RESISTIVIDADE (MATERIAIS Cz e FZ)) e captulo 7 (CONCLUSES
E PERSPECTIVAS FUTURAS).
Os captulos 2 e 3 versam sobre a modelagem terica em emissores
moderada/altamente dopados.
No captulo 2, apresentam-se os parmetros envolvidos com a otimizao
terica em emissores de tipo n e das grades metlicas para cada emissor estudado.
No captulo 3 apresentam-se os resultados das otimizaes tericas de
clulas solares de laboratrio (rea 4,0 cm2) considerando emissores homogneos e

47

duplamente difundidos, com passivaes de dixido de silcio seguidos por

recozimento em forming gas.
No captulo 4, descrevem-se as caractersticas do processo de fabricao
simplificado e de baixo custo utilizando material Cz de baixa resistividade (com
gases industriais, reagentes qumicos grau P.A. e reduzida carga trmica). As
caractersticas e os resultados desta clula comparam-se com outras clulas
desenvolvidas no pas, nas datas de publicao de suas caracterizaes.
No captulo 5, realiza-se uma breve explanao sobre a tcnica de
decaimento fotocondutivo (PCD), assim como os parmetros que podem ser
extrados quando utilizadas as tcnicas de passivao atravs de oxidao trmica e
difuso suave de fsforo (n+pn+). Discutem-se os desenvolvimentos experimentais
direcionados para a caracterizao de materiais, medida de tempo de vida no
volume e de passivao de superfcies, bem como a implementao de estruturas
n+p com superfcie posterior passivada.
Neste captulo, apresenta-se tambm a caracterizao de emissores de
fsforo com resistncia de folha de 100/ e a sua implementao em estruturas
n+p com passivao na regio posterior e rea frontal delimitada em 4cm2 em
substratos FZ com resistividade entre 20-30 .cm.
No captulo 6, apresenta-se a implementao do processo de fabricao em
estruturas n+p em substratos FZ de baixa resistividade e a sua transposio para
substratos de baixo custo, Cz com resistividades de 2-3.cm.
Este trabalho se encerra, no captulo 7, com as concluses e as perspectivas
futuras.

48

CAPTULO 2 MODELO TERICO

2.1 INTRODUO

A modelagem terica consiste em uma importantssima ferramenta de estudo

uma vez que permite a simulao do funcionamento de dispositivos eletrnicos,
assim como a realizao de otimizaes tericas, cujos resultados so utilizados
como guia no processo de fabricao de clulas solares, minimizando assim, a
implementao das etapas experimentais necessrias na obteno de dispositivos
de alta eficincia.
Embora j existam programas que permitam a realizao de simulaes
tericas de dispositivos com elevada confiabilidade, tais como o programa PC1D, os
programas baseados em solues analticas destacam-se pelo fato de permitirem
estudar separadamente os efeitos dos fenmenos fsicos ocorrentes nas diversas
regies que compem as clulas solares (emissor, base e regio posterior p+),
obtendo assim uma melhor compreenso de seu funcionamento.
Assim, em meados de 1994, N. Stem[23] desenvolveu um programa
(simulacell.pas), utilizando a linguagem Turbo Pascal, baseado nas solues
analticas de J. Park et. al.[29] e F. J. Bisschop et. al.[30] que permitiu a otimizao dos
emissores, divididos em regies metalizadas, passivadas e no passivadas, bem
como de estruturas completas, n+pp+ e n++n+pp+. O programa desenvolvido
considerava como parmetros de entrada: a concentrao superficial e a espessura
do emissor, as velocidades de recombinaes superficiais frontal e posterior,
parmetros da regio de base (resistividade, espessura e o comprimento de difuso
dos portadores minoritrios). A cada simulao realizada obtinham-se, para um
nico caso de emissor, com concentrao superficial de dopantes, Ns e espessura
do emissor, W e fixos, os seguintes parmetros de sada: a densidade de
recombinao (regies metalizada e passivada), a eficincia de coleo na rea til
do dispositivo, a densidade de corrente de curto-circuito, a tenso de circuito aberto,
o fator de forma e a eficincia de um determinado dispositivo. No entanto, nesta
verso inicial no se incluam o efeito de confinamento de luz e o fator de
metalizao, Fm mantinha-se constante e igual a Fm=3% (clulas solares de

49

laboratrio) e Fm=10% (clulas solares industriais). Um resumo dos principais

resultados obtidos com a citada verso do programa descreve-se na introduo do
captulo 3 desta tese.
A nova verso do programa implementada nesta tese de doutoramento
(simulacell.pas verso 2) teve como objetivo principal incluir os efeitos de
confinamento de luz para um dado conjunto ptico fixo (refletividades internas frontal
e posterior 98% e 99%, respectivamente), assim como permitir a otimizao das
grades metlicas para cada emissor estudado, simultaneamente com a otimizao
dos emissores e das estruturas completas. Um fluxograma detalhado do programa
aps a sua implementao, bem como uma lista dos parmetros de entrada e dos
arquivos de sada gerados apresenta-se no apndice A.
Atravs destas otimizaes tornou-se possvel identificar os intervalos timos
de espessuras e as concentraes superficiais a eles associadas, para os emissores
n+ e n++n+, bem como a obteno de parmetros relacionados com a otimizao da
grade metlica para cada emissor estudado (espaamento entre as linhas metlicas,
fator de sombreamento, fator de metalizao, entre outros). A nova reestruturao
do programa permitiu a maximizao do nmero de casos estudados a cada
execuo de programa (alcanando 150 casos de emissores), com o objetivo de
minimizar o tempo para a obteno de curvas de nvel parametrizadas.
Ao mesmo tempo, para levar a cabo estas otimizaes, alm do modelo terico
adotado, a escolha do conjunto de parmetros internos atualizados mostra-se de
extrema importncia. As alteraes dos conjuntos de parmetros internos como
funo das variaes do valor da concentrao intrnseca apresentam-se no item 2.3
deste captulo.
Assim, embora o valor ni=9,65x109 cm-3[31] j fosse conhecido desde meados
do ano 2000, as readequaes do conjunto interno de parmetros levando em conta
esta alterao somente foram propostas em meados de 2003[39]. Este fato fez com
que no presente trabalho, as otimizaes tericas realizadas fossem iniciadas com a
utilizao do valor de concentrao intrnseca de ni=9,65x109 cm-3[31] e do conjunto
de parmetros internos propostos em 1996[32]. Em seguida, aps a re-adequao
dos parmetros[33], realizou-se uma re-otimizao dos dispositivos completos com
emissores homogneos, visando comparar o efeito das alteraes do conjunto de
parmetros sobre as eficincias dos dispositivos estudados.

50

No item 2.2 descreve-se brevemente o modelo terico utilizado para a

realizao do estudo dos emissores tipo n.
Em seguida, no item 2.3, apresenta-se uma evoluo das mudanas dos
parmetros internos utilizados nas simulaes tericas, causada pela alterao do
valor da concentrao intrnseca de portadores, ni e pelas readequaes realizadas
nos conjuntos de parmetros internos (velocidade de recombinao na superfcie
frontal e modelo estreitamento de banda aparente).
Nos itens 2.4 e 2.5 descrevem-se os modelos utilizados para otimizar as
grades metlicas frontais e para a obteno dos parmetros eltricos de sada de
um dispositivo completo, respectivamente.

2.2 MODELAGEM DOS EMISSORES (MODELO UNIDIMENSIONAL)

A dificuldade de anlise de emissores moderada/altamente dopados reside no

fato de que a elevada dopagem destas regies ocasiona efeitos como o
estreitamento de banda e a degenerao do nvel de Fermi. Nestes emissores a
mobilidade e o tempo de vida dos portadores minoritrios se tornam dependentes do
nvel de dopagem, e este da profundidade no emissor. A anlise destes emissores
atravs de solues analticas para as equaes de transporte de portadores
minoritrios permite uma melhor compreenso destes fenmenos e suas
conseqncias.
Inicialmente na tentativa de descrever estes emissores desenvolveram-se as
aproximaes transparente e quase-transparente (modelo de J. Del Alamo et al.)[34].
A aproximao transparente relaciona-se com o caso de emissores cuja
recombinao ocorre predominantemente na superfcie; j, a quase-transparente
considera que parte da recombinao tambm pode ocorrer no volume. No entanto,
visando a obteno de resultados mais precisos J. Park et. al[29]. e F. J. Bisschop. et.
al[30] desenvolveram modelos unidimensionais que descreviam os emissores no
escuro e sob iluminao atravs de somatrias com sries infinitas para as
densidades de corrente de recombinao e coleo.
Em 1989, A. Cuevas et. al[35] realizou uma comparao entre as densidades
de corrente de recombinao do emissor, Joe calculadas com as aproximaes

51

anteriores (J. Del Alamo et. al.) e as obtidas utilizando o modelo de J. Park et. al.,
conforme mostrado na figura 2.1.
De acordo com estas anlises verificou-se que valores obtidos com o modelo
quase transparente de J. Del Alamo et. al.[34] so os limites superiores dos
encontrados utilizando a aproximao de 2a ordem do modelo de J. Park et. al.[29],
convergindo para o mesmo valor quando a velocidade de recombinao de
portadores minoritrios, Sp torna-se muito elevada.
Por outro lado, os resultados de Joe calculados com o modelo transparente
so limites inferiores dos valores obtidos com a aproximao de 1a ordem de J. Park
et. al., tornando-se iguais quando a velocidade de recombinao de portadores
minoritrios, Sp for nula. Cabe ainda ressaltar que as aproximaes de 1a e 2a ordem
de J. Park et. al. so reciprocamente os limites inferiores e superiores que mais se
aproximam da soluo exata, conforme mostrado na figura 2.1[35].

Sp BAIXO
QUASE- TRANSP.
J. Del ALAMO
Sp ALTO
2 a ORDEM
J. PARK

LIMITE SUPERIOR

VALOR EXATO
1a ORDEM
J. PARK
Sp ALTO
TRANSP.
J. Del ALAMO

LIMITE INFERIOR

CORRENTE DE RECOMBINAO DO EMISSOR, JOE

0a ORDEM
J. PARK

Figura 2.1: Comparao entre as solues encontradas atravs dos modelos

propostos por J. Del Alamo et. al. [34], J. Park et. al.[29] e pela soluo exata.[35]

52

As equaes de transporte para os portadores minoritrios em um emissor

tipo n em condies de equilbrio so [37]:

dp
J = qp pE p - q D p
p
dx

(2.1)

1 d Jp
1
=G(p - p o )
q dx

(2.2)

sendo, Jp a densidade de corrente de portadores minoritrios; mp, a mobilidade de

portadores minoritrios; p, a concentrao de portadores minoritrios; po, a
concentrao de portadores minoritrios no equilbrio; Ep, o campo eltrico; q, a
carga; Dp, o coeficiente de difuso; G, a taxa de gerao de portadores e p, o tempo
de vida de portadores minoritrios [30].
Obtm-se a soluo do par de equaes, (2.1) e (2.2), utilizando a estatstica
de Boltzman e duas condies de contorno: a primeira, na regio de depleo x = 0,
para a concentrao de portadores nesta regio, p(0), e a segunda na superfcie do
emissor x = W e, respectivamente [30].
qV
p (0) = p o (0) e xp

kT

(2.3)

J(W ) = qS p (p(W e ) - p o (W e ))
e

(2.4)

sendo Sp a velocidade de recombinao superficial de portadores minoritrios, e po,

a concentrao de portadores no equilbrio.
A densidade de corrente do emissor formada por duas componentes na
equao (2.5): a densidade de corrente de recombinao, Joe (o primeiro termo) e a
densidade de corrente coletada, Jil (o segundo termo). Quando a gerao (G(x)) se
torna nula, o emissor est no escuro e o coeficiente C(x) iguala-se a zero, assim a
densidade de corrente do emissor (J(0)) igual densidade de corrente de
recombinao (Joe).

53

p 0 ( x )

1
+
B
d
x
+
S
p
(
W
)
1
+
B
(
W
)
i = 1 2 i e
p
0
e
0 p ( x ) i = 1 2 i

J(0 ) =
W e

p 0 (x )
1+
A 2 i - 1 ( x ) d x + S p p 0 ( W e ) i = 1 A 2 i - 1 ( W e )
p ( x ) i= 1
0

W e

W E p
(x )
0 G ( x ) d x + S p p o ( W e ) i = 1 C 2 i ( W e ) + 0 Po ( x ) i = 1 C 2 i ( x ) d x
-q

W e p
( x )
o
1+
A 2 i-1 ( x ) d x + S p p o ( W e ) A 2 i-1 ( W e )

0
p ( x ) i= 1

i= 1

W e

(2.5)

onde,
x

A 2i-1(x) =
0

B2i (x) =

x
1
po (x 2 ) x 2i-3
p (x ) x 2i-2
dx1
dx 2i-1
... dx 2i-2 o 2i-2
dx 2
p (x 2 ) 0
p (x 2i-2 ) 0 Dp (x 2i-1 )po (x 2i-1 )
Dp (x1 )po (x1 ) 0

x
x
1
2i-1
po (x 2 ) x 2i-2
po (x 2i )
dx1
dx 2i-1
...
dx 2
dx 2i
Dp (x1 )po (x1 ) 0
p (x 2 ) 0 Dp (x 2i-1 )po (x 2i-1 ) 0
p (x 2i )

x1
x2i-1
dx1
po (x 2 ) x2i-2
dx 2i-1
...
dx 2
dx 2iG(x 2i )
0 D (x )p (x ) 0
p (x 2 ) 0 Dp (x 2i-1 )po (x 2i-1 ) 0
p
1
0
1

(2.6)

(2.7)

C2i (x) =

(2.8)

A densidade de corrente de recombinao no escuro, Joe, pode ser dividida

em duas componentes: densidade de recombinao no volume, Jvol e densidade de
corrente de recombinao na superfcie, Js conforme representado pelas expresses
(2.9) e (2.10), respectivamente.

Jvol = q

We

dx

p0 (x) J(0)

1 A 2i-1 + B2i (x)

p (x)
q i=1
i=1

J(0)

Js = qSpp0 (We ) 1 A 2i-1(We ) + B2i (We )

q i=1
i=1

(2.9)

(2.10)

54

A densidade de corrente perdida, Jper no emissor definida como a diferena

entre a densidade de corrente fotogerada, Jger e a densidade de corrente coletada, Jil.
(2.11).

Jper = Jger -J
il

(2.11)

A eficincia de coleo do emissor, E determina-se atravs da razo entre a

densidade de corrente de coleo do emissor, Jil e a densidade de corrente gerada

no mesmo, Jger, conforme equao (2.12).

J (0)
e = il
=
Jger

1+
=

We

p (x)
S p p o (W ) C 2i (W e ) + dx o
C 2i (x)
e i=0

p (x) i=0
0

dxG (x)

(2.12)

We

p (x)
1 + dx o
A 2i-1 (x) + S p p o (x) A 2i-1 (W )
e
i=0
p (x) i=0
0

Para levar a cabo as otimizaes, em trabalhos anteriores[23,36,37] os

parmetros dos emissores descritos foram calculados utilizando uma aproximao
de 5a ordem para uma espessura mxima de 5mm. No entanto, visando a obteno
de curvas de nvel, o intervalo de espessuras (W e) e de concentraes superficiais
de dopantes (Ns) estudados foram estendidos, de 0,1 at 10m e de 1x1018cm-3 at
1x1020cm-3, respectivamente.
Com o intuito de avaliar a ordem de aproximao mais adequada para
descrever o comportamento de emissores mais espessos (10m) e por sua vez,
completar adequadamente as curvas de nvel, realizou-se uma comparao entre os
resultados obtidos de densidade de recombinao do emissor na regio passivada
em funo da espessura para os nveis de concentraes superficiais 1x1018 cm-3,
5x1018cm-3, 5x1019cm-3 e 1x1020cm-3, atravs de uma varredura nas ordens
utilizadas e a comparao entre os resultados alcanados com os obtidos com o

55

programa PC1D. A menor ordem que permitiu a obteno de resultados iguais aos
alcanados com o programa PC1D foi a 10 ordem. Assim, a figura 2.2 mostra as
densidades de recombinao na regio passivada considerando as ordens de
aproximao 5a e 10a em funo do intervalo de espessuras 0,1 a 10m.

10

Regio Passivada
18

-3

ordem 5 - Ns=1x10 cm
18

-3

ordem 10 - Ns=1x10 cm
18

-3

18

-3

ordem 10 - Ns=5x10 cm

Joe (fA/cm )

ordem 5 - Ns=5x10 cm
19

-3

ordem 5 - Ns=5x10 cm

10

19

-3

ordem 10 - Ns=5x10 cm
20

-3

ordem 5 - Ns=1x10 cm
20

-3

ordem 10 - Ns=1x10 cm

10

0,1

10

W e (m)

Figura 2.2: Comparao entre as densidades de corrente de recombinao, Joe em

funo da espessura, W e na regio passivada de um emissor, considerando quatro
diferentes concentraes superficiais de dopantes (Ns=1x1018cm-3, 5x1018cm-3,
5x1019cm-3, 1x1020cm-3) quando calculadas utilizando aproximaes de 5a ordem e
10a ordem.

A figura 2.3 resulta de uma ampliao da figura 2.2, onde se pode observar
que as densidades de corrente de recombinao na regio passivada, calculadas
utilizando a 5a ordem, tornam-se mais discrepantes em relao 10a ordem quando
so considerados os emissores mais dopados e espessos.
Nesta figura verifica-se que h uma perda de preciso no clculo das
densidades de corrente dos emissores passivados com Ns=1x1020cm-3 e espessuras
W e5,0m quando utilizada a aproximao de 5a ordem. Ao mesmo tempo, verificouse que as densidades de recombinao quando calculadas utilizando a 10a ordem
de aproximao tornavam-se praticamente coincidentes com as obtidas utilizando

56

um programa disponvel comercialmente, PC1D. Assim, com o objetivo de manter a

mesma preciso em todos os intervalos de concentrao superficial de dopantes
(1x1018cm-3<Ns<1x1020cm-3) e espessuras (0,1m<W e<10m), optou-se por realizar
as otimizaes utilizando-se a 10a ordem de aproximao.

7x10

6x10

5x10

4x10

Regio Passivada

ordem 5 - N s=5x10
ordem 5 - N s=1x10

Joe (fA/cm )

19

ordem 10 - N s=5x10

3x10

2x10

10

cm

19

20

-3

cm

cm

20

ordem 10 - N s=1x10 cm

-3

-3
-3

10
W e ( m)

Figura 2.3: Ampliao da figura 2.2 na regio em que a diferena entre as

densidades de corrente de recombinao na regio passivada, Joepass considerando
diferentes ordens (5a e 10a ), torna-se importante a partir de W e5,0m.

2.3 EVOLUO DOS PARMETROS INTERNOS EMISSOR TIPO N+

A necessidade de adequao do conjunto de parmetros internos adotados em

otimizaes

tericas

de

emissores

moderada/altamente

dopados

torna-se

imprescindvel, uma vez que o mesmo sofre alteraes como funo do valor
utilizado para a concentrao intrnseca de portadores, ni.
Durante os anos 90 at meados do ano 2000, utilizaram-se basicamente dois
diferentes conjuntos de parmetros internos na realizao das otimizaes tericas,
correspondentes aos valores das concentraes intrnsecas de portadores,

57

ni=1,45x1010cm-3[28] e ni=1,0x1010cm-3[32]. Embora o valor para a concentrao

intrnseca de portadores tenha sido apresentado comunidade cientfica em 2000,
ni=9,65x109 cm-3[31], as readequaes do conjunto interno de parmetros levando em
considerao esta alterao foram propostas somente em meados de 2003[33],
conforme mencionado anteriormente.
Em particular, alguns dos parmetros internos utilizados nas simulaes
tericas podem ser extrados experimentalmente utilizando a tcnica de decaimento
fotocondutivo, PCD atravs da anlise do tempo de vida efetivo, ef como funo do
nvel de injeo do excesso de portadores, n.
Esta tcnica de caracterizao permite obter informaes a respeito da
recombinao que ocorre em emissores dopados, Joe atravs do grfico do inverso
do tempo de vida efetivo obtido como funo do excesso de portadores quando o
substrato se encontra sob a condio de alta injeo. No entanto, a inclinao da
reta obtida a partir deste grfico, relaciona-se com a razo entre a densidade de
recombinao total do emissor, Joe e a concentrao intrnseca, ni, no sendo
possvel, portanto, uma extrao direta do valor de Joe, para maiores detalhes ver o
captulo 5. Este fato faz com que um emissor, caracterizado pela tcnica PCD com
um determinado valor de Joe/ni2, possuir um menor valor atribudo recombinao
total no emissor, Joe se durante a anlise a concentrao intrnseca de portadores, ni
for superestimada.
Alm disto, a avaliao da recombinao do emissor torna-se ainda mais
complexa, se for levado em conta que a densidade de corrente de recombinao do
emissor, Joe est formada pelas componentes de recombinao de volume, Jvol e de
superfcie, Js conforme mostrado nas equaes 2.9 e 2.10, respectivamente. Deste
modo, a parcela relativa contribuio de cada uma destas componentes sobre a
recombinao total do emissor depender tambm do modelo adotado para a
velocidade de recombinao de superfcie, Sp e para o estreitamento de banda
utilizado, Egap (responsvel pela componente de recombinao no volume). Caso
as perdas no volume sejam superestimadas para um determinado valor Joe, as
velocidades de recombinao superficial podem estar subestimadas ou viceversa[33].
Neste momento cabe destacar que nesta tese visando a obteno de
rendimentos tericos mximos nas clulas solares optou-se pela utilizao de

58

parmetros internos obtidos em centros de alta tecnologia, com salas ultralimpas e

insumos de elevada qualidade, ao invs dos parmetros obtidos (tempo de vida no
volume e recombinao superficial) no prprio LME-EPUSP. Este fato torna os
resultados tericos obtidos neste captulo extremamente interessantes para a
comunidade fotovoltaica mundial, como mostram as publicaes realizadas, em
renomados congressos internacionais desta comunidade[36,38,39] e nas revistas
indexadas[37,40,41], desde a obteno dos primeiros resultados a partir do
desenvolvimento do programa[23].

2.3.1

CONJUNTOS

DE

PARMETROS

INTERNOS

UTILIZADOS

EM

OTIMIZAES ANTERIORES.

A seguir realiza-se um breve resumo dos parmetros adotados durante as trs

ltimas

alteraes

do

valor

de

concentrao

intrnseca

de

portadores,

ni=1,45x1010cm-3 [28], ni=1x1010cm-3 [32] e ni=9,65x109 cm-3 [31].

Na tabela 2.1 podem ser observados os parmetros internos (estreitamento de
banda, tempo de vida e mobilidade de portadores minoritrios) adotados por R. R.
King et al.[28], E. Demesmaeker[27] e S. G. Gonalves[42] na otimizao de emissores
de fsforo, desenvolvidos considerando ni=1x1010 cm-3.
No trabalho publicado por E. Demesmaeker otimizam-se os emissores de
tipos homogneos e duplamente difundidos atravs de curvas de nvel,
considerando a otimizao de grades de contato metlico e o efeito de
armadilhamento da luz, utilizando o modelo de J. Del Alamo et. al.[34] para emissores
como base da modelagem e os parmetros internos determinados por R. R. King et.
al.[28].
Por outro lado, S. G. Gonalves descreve os emissores homogneos j
utilizando os modelos mais completos de J. Park et. al.[29]. e F. Bisschop et. al[30].
Contudo, o estudo realizado limitou-se ao comportamento dos emissores para casos
os especficos de concentraes superficiais, Ns (3x1018cm-3, 1x1019cm-3, 3x1019cm-3
e 1x1020cm-3) sem a incluso das grades de metalizao e do efeito de
armadilhamento de luz, e com a variao das espessuras W e. entre 0 e 5m.

59

Tabela 2.1 - Parmetros internos utilizados por R. R. King et. al.[28], por E.
Demismaeker[27] e S. G. Gonalves[42] na otimizao de emissores, considerando ni
=1,45x1010 cm-3.
___________________________________________________________________
-1 = 7.810-13 N +1.810-31N2
p
D
D

p =

370
1,25
ND
1+
81017

+130

(s-1)
(cm2.V-1.s-1)

ap
g = 0

p/ ND<7x1017 (cm-3)

ND
ap
g =18,7x10-3 ln
71017

(eV)

p/ ND>7x1017 (cm-3)

___________________________________________________________________

Posteriormente a alterao do ni=1x1010 cm-3 e a readequao do conjunto de

parmetros internos[32], ver tabela 2.2, N. Stem[23] e A. Cuevas et. al.[43] realizaram
novas otimizaes tericas.
No trabalho de Mestrado de N. Stem[23] analisaram-se ambos tipos de
emissores, homogneos e duplamente difundidos, assim como as estruturas
completas de clulas solares, n+pp+ e n++n+pp+, considerando dois fatores de
recobrimento metlico, Fm=3% (tpico de clulas solares de laboratrio) e Fm=10%
(tpico de clulas solares comerciais).
Contudo, uma modelagem mais completa dos emissores homogneos e das
estruturas n+p foi realizada por A. Cuevas et. al.[43] utilizando o programa de
simulao PC1D. Neste trabalho de otimizao foram contabilizados, os efeitos de
armadilhamento de luz, assim como as perdas devido grade metlica.

60

Tabela 2.2 - Parmetros internos utilizados por N. Stem[23] e A. Cuevas et. al.[43] na
otimizao de emissores de fsforo, considerando ni=1,0x1010 cm-3.
___________________________________________________________________

-1 = 50 + 210-13 N + 2,210-31N2
p
D
D
p =

315
0.9
ND
1+
11017

(s-1)
(cm2.V-1.s-1)

+155

ap
g = 0

p/ ND<1,4x1017 (cm-3)

ap
D
g =14x10-3 ln

1,41017

(eV)

Sp = 3106

(cm/s) p/ regio metalizada

p/ ND>1,4x1017 (cm-3)

(sob a grade coletora)

Sp =10-16 Ns

(cm/s) p/ regio pass. (SiO2 seguida por FG)

2.3.2 ALTERAO NO CONJUNTO DE PARMETROS INTERNOS IMPOSTA

PELO nI=9,65X109cm-3

Aps a alterao do valor de ni (9,65x109cm-3) e ao aperfeioamento do

processo de oxidao trmica, produziu-se uma significativa reduo das
velocidades de recombinao das superfcies passivadas.
Na figura 2.4 observa-se uma comparao entre os dados experimentais
obtidas por M. Kerr[33] utilizando ni=9,65x109 cm-3, o ajuste dos pontos experimentais
para Ns1x1019 cm-3 realizado neste trabalho (expresso (2.14)) e o modelo adotado
por A. Cuevas et. al. [32] considerando ni=1x1010cm-3 (tabela 2.2).

ap
Eg = -5424,93 + 544,09log(N (x)) -13,44(log(N (x)))2 (eV)
d
d
,sendo 1x1019 cm-3 ND 1x1020 cm-3

(2.14)

61

120
10

-3

obtido com ni=1x10 (cm )

100

-3

obtido com ni=9,65x10 (cm )

Eg

ap

(meV)

ajuste realizado

80
60
40
20
0
17
10

18

10

19

10

-3

10

20

Ns (cm )
Figura 2.4: Comparao entre o estreitamento de banda aparente, Egap calculado
utilizando ni=1x1010 cm-3 e ni=9,65x109 cm-3 em funo da concentrao superficial
de dopantes, Ns. O ajuste emprico realizado neste trabalho atravs da expresso
(2.14), representa-se em linha tracejada.

A tabela 2.3 mostra um resumo das expresses empricas, ajustadas por M.

[33]

Kerr

para cada tipo de passivao considerando 4,9x1013cm-3<Ns<2x1020cm-3. As

velocidades de recombinao de superfcie so determinadas para trs tipos de

passivaes, oxidaes trmicas seguidas pela tcnica de hidrogenao recozimento em forming gas (durante 30 min temperatura de 400oC), ou por
alneal - ou por deposio de SiN estequiomtrico.
O alneal nos filmes de SiO2, tcnica amplamente conhecida[44], realiza-se
mediante a deposio de uma fina camada de alumnio com elevado grau de pureza
(99,999%) sob as superfcies frontal e posterior da amostra, seguidas por
recozimento em FG e remoo do Al com cido ortofosfrico ou clordrico a 90C.
Esta tcnica permite que ocorra uma maior disponibilidade do hidrognio atmico
durante o recozimento em ambiente de FG, acarretando uma melhor hidrogenao
da interface SiO2/Si, diminuindo por sua vez a densidade de estados de interface.
Cabe ainda ressaltar o fato de que a temperatura de sua realizao (T=450 C)

62

inferior ao ponto de fuso do Al (T=577 C), portanto este alumnio no se difunde

no volume do silcio.
Por outro lado, os filmes otimizados por M. Kerr[33] de SiN estequiomtrico
(mximos tempos de vida efetivos, ef) foram obtidos em um reator PECVD de
plasma direto de alta freqncia (13.56MHz), potncia de plasma de 100W e em
ambiente

de

amnia

(NH3)

4,5%

de

silana

diluda

em

nitrognio

(4,5%SiH4/95,5%N2) a uma temperatura de 400 C.

Tabela 2.3 - Expresses empricas de velocidade de recombinao superficial de
portadores minoritrios ajustadas para trs condies diferentes de passivao de
superfcie[33]: oxidao trmica seguida por recozimento em FG, oxidao trmica
seguida por alneal e deposio de SiN estequiomtrico. A velocidade de
recombinao na regio metalizada foi mantida em 1x107 cm/s.

Sp=aNsb+cNsd+eNsf
para 4,9x1013cm-3<Ns<2x1020cm-3
FGA SiO2

Al-SiO2

SiN

10-7,1

10-5,05

10-3,9

0,52

0,34

0,29

-36,2

-11,2

10

10

10-11

2,0

0,72

0,74

___

10-50,5

10-40,28

___

2,7

2,2

Na figura 2.5 podem ser observadas as velocidades de recombinao

superficiais obtidas atravs das medidas de Joe, utilizando a tcnica PCD (ver tabela
2.3), em funo do novo modelo de estreitamento de banda aparente e
considerando a velocidade de recombinao na superfcie metalizada, Sp=1x107
cm/s.

63

Nesta figura podem-se comparar as velocidades de recombinao obtidas

com o conjunto de parmetros apresentados na tabela 2.2 com os propostos na
tabela 2.3, representadas pelas linhas: contnua e tracejada, respectivamente.

10

10

Silcio tipo n
SiO2/FG - (tabela 2.2)
SiO2/FG - (tabela 2.3)
SiO2/"alneal"- (tabela 2.3)

Sp cm/s)

SiN estequiomtrico (tabela 2.3)

3

10

10

10

18

10

19

20

10

10
-3

Ns (cm )
Figura 2.5: Comparao entre as velocidades de recombinao superficial obtidas
com oxidao trmica em trs situaes diferentes: a) seguida por recozimento em
FG, obtidas com ni=1x1010 cm-3 e 9,65x109cm-3, b) seguida por alneal e com
ni=9,65x109cm-3. As velocidades de recombinao obtidas com passivao atravs
da deposio de SiN estequiomtrico (tracejado em vermelho), tambm foi obtida
com o valor mais recente de ni=9,65x109cm-3.
De acordo com a figura 2.5, pode-se observar que a tcnica de oxidao
trmica seguida do procedimento de alneal possibilita a obteno de superfcies
passivadas com as menores velocidades de recombinao.
Cabe ressaltar, que a curva que representa as velocidades em superfcies
passivadas por SiO2/recozimento em FG obtida por A. Cuevas et. al.[32] mostra um
comportamento linear com o aumento da concentrao de dopantes, diferentemente
da equao obtida aps a re-adequao dos parmetros[33], fato que certamente
produzir mudanas nos resultados encontrados para as novas simulaes tericas,
ver item 3.4.

64

Outro ponto importante a destacar, as superfcies passivadas atravs da

deposio de SiN estequiomtrico fornecem velocidades de recombinao
ligeiramente superiores s passivadas com oxidao trmica seguida por
recozimento em FG para 1x1019cm-3Ns1x1020cm-3. O maior mrito desta tcnica
reside no fato de que estas deposies se caracterizam por submeterem as lminas
a baixas temperaturas (da ordem de 400C) preservando o tempo de vida no volume
do material. Assim, o filme SiN estequiomtrico se caracteriza por utilizar uma
tecnologia de elevado interesse para as clulas industriais, principalmente em
lminas de silcio multicristalino, onde a passivao entre fronteiras de gros tornase item fundamental[45,8,33].
Assim, o conjunto mais recente de parmetros aps a readequao para o ni,
ni=9,65x109cm-3, se compe pelas tabelas 2.2 (o tempo de vida, p e mobilidade de
portadores minoritrios, mp), e 2.3 (velocidades de recombinao superficial para
regies passivadas obtidas por M. Kerr[33]), e pela expresso (2.14) para o
estreitamento de banda aparente. Na regio metalizada, M. Kerr[33] considerou uma
velocidade de recombinao superficial Sp=1x107cm/s para realizar a determinao
do estreitamento de banda aparente.

2.4 MTODO DE OTIMIZAO DE GRADES

Um emissor timo sob o ponto de vista de minimizao das perdas resistivas

impostas pela grade coletora deveria, ou ser altamente dopado (minimizando as
perdas devido resistncia de contato entre metal-semicondutor), ou possuir
pequenos espaamentos entre as linhas metlicas que compem a grade. Contudo,
uma grade metlica com tais caractersticas permitiria que uma pequena rea fosse
iluminada e conseqentemente produzindo uma reduzida corrente, alm de produzir
ao mesmo tempo, uma elevada densidade de corrente de recombinao, resultando
em um rendimento reduzido.
Visando maximizar os rendimentos dos dispositivos deve ser realizada uma
otimizao da configurao das grades metlicas levando-se em conta a
minimizao das perdas resistivas, ao mesmo tempo em que se maximiza a rea
iluminada (minimizao das perdas por sombreamento).

65

Embora as perdas resistivas ocorram nas trs regies componentes da clula

solar: no emissor (contato metlico frontal), na base e na regio posterior (contato
posterior), nas simulaes tericas realizadas neste trabalho utilizaram-se apenas as
perdas que ocorrem no emissor (perdas resistivas e de sombreamento),
evidenciando o seu efeito sobre a eficincia do dispositivo completo.
As perdas resistivas no emissor podem ser divididas em: potncia de perda
devido ao fluxo lateral de corrente no emissor, potncia de perda devido
resistncia do metal (linhas da grade coletora e coletor principal), e potncia de
perda devido ao contato metal-semicondutor. Por sua vez, as perdas por
sombreamento dividem-se em perdas por sombreamento nas linhas de grade
coletora e no coletor principal.
Considerando um dispositivo quadrado com dimenses: A (comprimento) x B
(largura), as perdas resistivas normalizadas com a mxima potncia de sada
(ABJmpVmp) foram calculadas utilizando-se um modelo unidimensional, como
mostram as equaes dos itens subseqentes. Neste modelo admite-se o fluxo de
portadores minoritrios gerados pela iluminao espacialmente constante no sentido
da base para o emissor, e a otimizao ocorre quando a potncia total de perdas
resistivas se iguala potncia de perda por sombreamento.
Um esquema simplificado de grades metlicas tipicamente utilizada em
clulas industriais apresenta-se na figura 2.6 (a)[46]. Esta grade pode ser dividida em
12 clulas unitrias similares s apresentadas na figura 2.6 (b), onde se representa o
comprimento do coletor principal, A; o comprimento das linhas metlicas, B, a
largura das linhas metlicas, DF; a largura do coletor principal, W B, e o espaamento
entre as linhas metlicas, S.

66

BB

DF

(a)

(b)

Figura 2.6: (a) Esquema de um contato frontal mostrando o coletor principal e os

dedos. Respeitando a simetria pode-se quebrar esta grade em 12 unidades de
clulas solares idnticas. (b) Dimenses importantes de uma clula solar tpica
unitria[46].

2.4.1 PERDAS RESISTIVAS NORMALIZADAS E DE SOMBREAMENTO DEVIDO

S LINHAS METLICAS QUE COMPEM A GRADE COLETORA

A potncia devido s perdas resistivas devido ao fluxo lateral de corrente no

emissor, pe, so dependentes: da resistncia de folha do emissor, Re, do
espaamento entre dedos metlicos, S, e dos valores das densidades de corrente,
JMP e tenso, VMP, no ponto de mxima potncia, conforme pode ser observado na
equao (2.16).

R
pe = e
12

Jmp 2
S
Vmp

(2.16)

67

Por outro lado, a resistncia srie das linhas metlicas, pmF, ver equao
(2.17), diretamente dependente da resistncia de folha dos dedos metlicos, Rmf, e
relacionada, portanto, com a altura dos dedos e do metal escolhido. Assim, quanto
menor a Rmf (e portanto maior a espessura das linhas metlicas da grade), tanto
menor ser a potncia de perda associada mesma.
Jmp S
1
p
= B2R
mF 3
mf V
mp DF

(2.17)

onde B, a largura do dispositivo; Rmf, a resistncia de folha dos dedos metlicos; S,

espaamento entre dedos; e DF, a largura das linhas da grade metlica aps o seu
espessamento.
As perdas devido resistncia de contato, pc entre as linhas e o semicondutor
para silcio dopado com fsforo (tipo n) e o metal obtm-se de acordo com (2.18).
Nesta expresso verifica-se que as perdas devido ao contato Si-metal so
linearmente dependentes da resistividade de contato, c, e esta por sua vez est
associada ao tipo de metal escolhido para a formao dos contatos e ao potencial de
barreira de superfcie imposto pelos mesmos[47].
Jmp S
pc = c
Vmp D

(2.18)

onde a resistividade de contato, c depende da concentrao superficial de

dopantes, S, o espaamento entre as linhas metlicas e D, a largura inicial das
linhas metlicas.
As perdas devidas ao sombreamento produzido pelas linhas metlicas da
grade coletora, psd podem ser calculadas atravs da razo entre a largura final das
linhas metlicas, DF e o espaamento entre os mesmos, S, conforme pode ser
observado em (2.19).

D
= F
sd S

(2.19)

68

2.4.2 PERDAS RESISTIVAS E DE SOMBREAMENTO DEVIDO AO COLETOR

PRINCIPAL

As perdas devidas resistncia srie das linhas metlicas do coletor principal,

pmb assumindo um coletor afilado e intercalado por linhas de xido, m=4 podem ser
calculadas pela expresso (2.20).

Jmp 1
1
p
= A 2BR
mb 4
mb V
mp WB

(2.20)

sendo que a largura do coletor principal, W B determinada atravs da expresso

(2.21).

W = AB
B

R
mb
4

Jmp
Vmp

(2.21)

onde, A, o comprimento do dispositivo; B, a largura do mesmo, e Rmb, a resistncia

de folha do metal.
As perdas devidas ao sombreamento devido ao coletor principal, psb,
dependem da largura, W B e do comprimento, B, como mostra a expresso (2.22).

sb

W
B
B

(2.22)

69

2.4.3 PERDAS RESISTIVAS E DE SOMBREAMENTO TOTAIS NO DISPOSITIVO E

CONDIO DE OTIMIZAO

Desta forma, a potncia de perda eltrica total normalizada da grade coletora,

pTOT, na equao (2.23), determina-se atravs das componentes de perdas
resistivas nos dedos (equaes 2.16 a 2.18) e no coletor principal (equao 2.21).

pTOT = p +p
+p +p
e mF c mb

(2.23)

As perdas totais devido s sombras, psomb, e o fator de sombreamento, Fs(%),

so obtidos atravs da soma entre as expresses (2.19) e (2.22), correspondendo s
expresses (2.24) e (2.25), respectivamente.

somb

=p

sd

+p

sb

F = 100p
s
somb

(2.24)

(2.25)

A minimizao destas perdas[43] ocorre atravs de um processo iterativo, onde

o espaamento final, S2 igual ao produto entre o espaamento anterior, S1 e um
fator de ponderao dependente das potncias de perdas resistivas e de
sombreamento, conforme pode ser observado na equao (2.26). O mtodo se
repete at que a diferena relativa entre S2 e S1 seja menor que 1x10-4. O valor
inicial de S1 vem atribudo pela expresso (2.27).
2(pe + ps )
S =S
2
1 p + 4p + p + p
m
e c
s

(2.26)

70

F
S = 6

1
J
R mp
e Vmp

(2.27)

Nestas otimizaes admitiu-se que a densidade de corrente e tenso no ponto

de mxima potncia, JMP e VMP sejam aproximadamente iguais[43] relao existente
entre a densidade de corrente de curto-circuito e a tenso circuito aberto, Jsc e Voc,
respectivamente. Assim, a razo JMP/VMP = Jsc/Voc foi calculada para cada emissor
estudado, levando em conta as suas diferentes concentraes superficiais e
espessuras.
Conforme mencionado anteriormente, a incluso da otimizao das grades
metlicas nesta nova verso do programa de simulao (simulacell.pas verso 2),
ver apndice A, trouxe como principal vantagem possibilidade de utilizao de
valores de densidade de corrente de curto-circuito e tenso de circuito aberto
otimizados especificamente, como mostram as equaes (2.16, 2.17, 2.18, 2.20 e
2.21), para cada emissor estudado.
Embora o grupo de clulas solares do LME j contasse com o auxlio de um
programa especfico para a otimizao de grades, algumas modificaes foram
necessrias visando a sua incluso no programa de otimizao de emissores e
dispositivos completos (simulacell.pas)[23]. Assim, para otimizar a grade metlica em
funo do emissor estudado tornou-se necessrio inserir a resistncia de contato
metal-semicondutor varivel com a concentrao superficial de dopantes, a sua
adequao nas equaes para simulao de emissores duplamente difundidos,
alm de implement-lo para que permitisse a obteno de curvas de nvel.

71

2.4.4 PARMETROS UTILIZADOS NA OTIMIZAO DE GRADES EM CLULAS

SOLARES DE LABORATRIO

A seguir, descrevem-se sucintamente os parmetros de entrada do programa

de simulao utilizado na otimizao de grades considerando-se as clulas solares
de laboratrio.
As clulas solares de laboratrio tipicamente possuem rea de 2cm x 2cm e
contatos metlicos de Ti-Pd-Ag evaporados por e-beam, comumente utilizados nas
clulas solares de alto rendimento. A regio contactada com o emissor espera-se a
menor possvel visando minimizar as perdas por recombinao.
Assim, optou-se por considerar as linhas de grade metlica das clulas
solares de laboratrio com largura D=6m na regio de contato com o emissor, e
fora desta regio, com largura Df=30m aps o espessamento de Ag por eletrlise.
A largura aps o espessamento, DF determina-se pelo binmio corrente
eltrica e tempo de imerso na soluo eletroltica. Em geral, realiza-se este
espessamento visando a obteno de uma altura final da ordem de 11m com o
intuito de minimizar a resistncia de folha de metal, resultando em valores de
aproximadamente Rmf=2m/[43], ver equao 2.17.
Ao mesmo tempo, em clulas de alta eficincia utiliza-se uma etapa de reespessamento do coletor principal visando minimizar as perdas no mesmo[48,49].
Assim, admitindo-se um coletor de Ag com uma espessura de aproximadamente o
dobro da espessura das linhas metlicas 20m, a resistncia de folha do metal do
coletor a metade da obtida para as linhas metlicas, e portanto Rmb=1m/, ver
equao 2.20.
Para o clculo da resistividade de contato entre o silcio tipo n e o titnio, Ti,
(metal tipicamente utilizado em clulas de laboratrio), utlizou-se a expresso
(2.28)[50]. Um resumo dos parmetros utilizados nas simulaes tericas apresentase na tabela 2.4.
2

N
ND

c = exp -1,96197 - 3,41859ln

+ 0,187692 ln D (/cm2) (2.28)
1018
1018

72

O fator de metalizao, Fm(%), tambm

est composto por duas

componentes: as perdas por sombreamento nos dedos, psd e no coletor principal,

psb.
Contudo, devido diferena considerada entre a largura dos dedos na regio
de contato Si metal (D=6m) e fora da mesma (DF=30m aps o espessamento
das linhas da grade coletora), as perdas por sombreamento nos dedos se reduzem a
apenas 20% da contribuio apresentada no Fs.
Por outro lado, uma vez que o coletor principal possui linhas afiladas e
intercaladas entre a grade metlica e o xido, estima-se que o fator de recobrimento
metlico na regio de contato pode representar cerca de 50% do fator de
sombreamento, vide expresso (2.29).
Tabela 2.4 - Parmetros de entrada do programa desenvolvido utilizado na
otimizao de grades de clulas de laboratrio com contatos metlicos de Ti-Pd-Ag.

rea

2cm x 2cm

Resistividade da Ag evaporada

1,59x10-6 .cm [50, 43]

Largura inicial linhas da grade metlica,

D (m)
Altura das linhas da grade metlica

11

(aps espessamento) (m)

Altura do coletor principal

20

(aps espessamento) (m)

Resistncia especfica de contato (/cm2)

Varivel com Ns
(expresso 2.28)

Camada passivadora SiO2 + FGA

Tabela 2.2

Fm = 100 p
+ 0.5p = 100 0,2ps + 0,5p
psd
sb
d
sb
30

(2.29)

73

2.5 PARMETROS ELTRICOS DO DISPOSITIVO COMPLETO (n+p ou n++n+p)

Uma vez otimizados os emissores, passou-se ao estudo de estruturas

completas n+p e n++n+p atravs da anlise dos parmetros eltricos de sada
(densidade de corrente de curto-circuito, Jsc; tenso de circuito aberto, Voc, fator de
forma, FF e eficincia, ) como funo da concentrao superficial de dopantes e da
espessura dos emissores. No caso particular dos emissores duplamente difundidos,
a concentrao superficial de dopantes e a espessura sob a regio metalizada foram
mantidos constantes, Ns=1x1020cm-3 e W e=2m.
Assim, uma ampla varredura de espessuras (0,1mW e10m) e de
concentraes de dopantes (1x1018cm-3Ns1x1020cm-3) foi realizada visando a
obteno de curvas de nvel.

2.5.1 DENSIDADE DE CORRENTE DE CURTO CIRCUITO

A densidade de corrente de curto-circuito das clulas solares depende da

tecnologia de fabricao utilizada, e est associada ao tipo de estrutura ptica
escolhida, superfcie plana ou texturizada, com camada anti-refletora simples ou
dupla incluindo ou no o efeito de confinamento da luz.
Para a implementao do efeito de armadilhamento no programa de
simulao, utilizaram-se os resultados encontrados por P. Campbell et. al.[51], que
por meio de um programa de traado de raios, (clculo do caminho ptico percorrido
pela luz considerando as sub-reflexes internas das superfcies, frontal e posterior),
obteve a densidade de corrente de curto-circuito mxima, Jsc em funo da
espessura da lmina, W para diversas estruturas de confinamento ptico.
No entanto, com o intuito de maximizar teoricamente a densidade de corrente
de curto-circuito consideraram-se as perdas reflexivas frontais externas nulas,
refletividades frontal interna de 98% e posterior interna de 99%, onde a intensidade
de luz uniforme em qualquer ponto do volume do substrato, portanto, apenas uma
pequena frao da luz que penetra no volume do substrato consegue escapar[51].

74

Dessa maneira, por meio de um ajuste aos valores apresentados e de

correes adequando os clculos ao espectro AM1.5G (ASTM G173-03)[52]
(conforme mostrado no apndice B), calculou-se a mxima corrente de curto-circuito
em funo da espessura da lmina atravs da equao (2.30), conforme mostra a
figura 2.7.
ln(W)
lnW
Jsc-max = 33,82 +
7,53 -1,1978
(mA/cm2)

2,302
2,302

(2.30)

sendo, W a espessura da lmina em m.

48
47
46

Jsc-max (mA/cm )

45
44
43
42
41
40
39
0

200

400

600

800

1000

W (m)
Figura 2.7: Comparao entre a mxima densidade de corrente de curto-circuito
obtida por P. Campbell et.al.[51] corrigida para o espectro AM1.5G ASTM G17303[52] representada pelos smbolos, e o ajuste realizado de acordo com a expresso
(2.30) pela linha contnua.

75

Por sua vez, a densidade de corrente de curto-circuito, Jsc calculou-se

descontando a densidade de corrente de perdas no emissor, (expresso 2.11), do
valor total da densidade mxima de corrente de curto-circuito do dispositivo, levando
em conta o fator de ponderao, correspondente porcentagem de rea exposta
luz (1-Fs), como mostra a expresso (2.31).
Jsc = (1- Fs )(Jsc-max - Jper )

(2.31)

Cabe ressaltar que uma vez introduzidas no programa simulacell.pas as

mudanas anteriormente relatadas, conjuntamente com a incluso do efeito de
confinamento ptico, o programa (simulacell.pas verso 2) tornou possvel simular
as clulas solares com a regio posterior passivada, tais como as estruturas PERL e
PERC.

2.5.2 TENSO DE CIRCUITO ABERTO, FATOR DE FORMA E EFICINCIA

Com o objetivo de otimizar os parmetros, tenso de circuito aberto, fator de

forma e eficincia foi considerada uma base com espessura de 300m e
resistividade 1.cm. Admitiu-se uma base com tempo de vida do volume preservado
durante a fabricao, resultando em vol=1,5ms, e possuindo uma densidade de
recombinao muito inferior s densidades de recombinaes dos emissores, Joe,
magnificando assim, o efeito da qualidade do emissor. A velocidade de
recombinao de superfcie efetiva na regio posterior foi suposta nula.
Ao mesmo tempo, a tenso de circuito aberto est associada diretamente s
recombinaes ocorrentes na superfcie e no volume do dispositivo. As
recombinaes de superfcie podem ser minimizadas atravs do tipo de passivao
de superfcie utilizada. Dentre as tcnicas de passivao de superfcie podem ser
citados: os filmes dixido de silcio, crescidos termicamente seguidos por processos
trmicos de hidrogenao (recozimento em FG ou alneal), e o nitreto de silcio
estequiomtrico depositados por PECVD. Neste trabalho, optou-se por utilizar as
passivaes realizadas por SiO2 seguidos por FG.

76

Por outro lado, a densidade de corrente de recombinao total no emissor, Joe

obtm-se atravs da multiplicao das componentes devida s regies passivada e
metalizada, pelos respectivos fatores de ponderao; (1-Fm) e (Fm), respectivamente,
segundo equao (2.32).
Considerando a densidade de corrente de curto-circuito (obtida incluindo o
efeito de confinamento de luz) e a densidade de corrente de recombinao total,
calculou-se a tenso de circuito aberto, Voc, utilizando a equao clssica (2.33).

Joe = (1- Fm ) Jopass + (Fm ) J

omet

kT Jsc
Voc =
ln
q Jo

(2.32)

(2.33)

sendo k, a constante de Boltzmann, T, a temperatura, q, a carga do eltron, Jsc, a

densidade de corrente de curto-circuito e Jo, a densidade de corrente de
recombinao total.
Por outro lado, o fator de forma depende da tenso de circuito aberto e das
perdas totais resistivas no emissor e na base. As perdas resistivas no emissor se
caracterizam se pela dependncia com a concentrao superficial de dopantes e
de sua espessura, da resistividade de contato metal-silcio e da resistncia do metal
utilizado. O fator de forma (expresso 2.34) depende do fator de forma intrnsico,
FFo[46] e da potncia de perdas resistivas total, ptot.
FF = FFo (1- p

tot

(2.34)

Finalmente, calcularam-se as eficincias das estruturas completas, que so

resultantes do balanceamento entre a densidade de corrente de curto-circuito, a
tenso de circuito aberto e o fator de forma como mostra a expresso (2.35).

( Jsc Voc FF)

P
in

(2.35)

77

CAPTULO 3 - ESTUDO DE EMISSORES E ESTRUTURAS

COMPLETAS N+P e N++N+P OTIMIZADAS

3.1 INTRODUO

Uma vez que neste trabalho pretendia-se estudar os emissores de clulas

solares de laboratrio em um maior intervalo de concentraes superficiais,
Ns=1x1018cm-3 a 1x1020cm-3 e de espessuras, W e=0,1m a 10m, assim como
apresentar os resultados atravs de curvas de nvel se fizeram necessrias
modificaes estruturais ao programa de simulao (simulacell.pas verso 2),
conforme discutido nos itens 2.2 2.3, e no apndice A.
Desta forma, utilizando a nova verso do programa de simulaes otimizamse as grades metlicas para cada tipo de emissor, considerando a dependncia da
resistividade do contato entre o metal e o silcio caracterizado por sua concentrao
superficial de dopantes, obtendo-se os fatores de sombreamento otimizados. Podese destacar, como implementaes realizadas, a introduo do efeito de
confinamento de luz (estrutura necessria em clulas de alto rendimento e presente
nas clulas solares com eficincia recorde)[53] e seus efeitos sobre os parmetros
eltricos de sada (Jsc, Voc, FF e ). Neste sentido foram utilizados, os coeficientes
de absoro do silcio[54] e o espectro solar AM1.5G atualizados[52]..
As otimizaes tericas realizadas com o programa de simulaes
desenvolvido se dividem basicamente em: a) otimizaes de emissores de fsforo
homogneos e duplamente difundidos; b) obteno dos parmetros eltricos de
sada de clulas solares com emissores homogneos, considerando a concentrao
intrnseca de portadores ni=9,65x109 cm-3 antes e aps a re-adequao do conjunto
de paramtricos; c) obteno dos parmetros eltricos de sada de clulas solares
com emissores duplamente difundidos com a concentrao intrnseca de portadores
ni=9,65x109 cm-3 antes da readequao do conjunto de paramtricos.
Assim, este captulo inicia com uma breve discusso dos resultados obtidos
anteriormente s implementaes realizadas durante esta tese. Em seguida,

78

discutem-se os resultados obtidos a partir das novas simulaes tericas

considerando as clulas solares de laboratrio com emissores homogneos e
duplamente difundidos, comparando-se as grades metlicas otimizadas (fator de
metalizao) e os parmetros eltricos de sada.

3.2 ESTADO DA ARTE: SIMULAES TERICAS REALIZADAS DURANTE A

DISSERTAO DE MESTRADO

A otimizao terica de emissores de fsforo homogneos e duplamente

difundidos, bem como de estruturas completas n+pp+ e n++n+pp+ foram alvo de
estudo na Dissertao de Mestrado[23]. Naquele trabalho, estudaram-se as
densidades de corrente de recombinao, densidade de corrente coletada, e a
eficincia de coleo dos emissores utilizando quatro diferentes concentraes
superficiais de dopantes Ns=5x1018cm-3, 1x1019cm-3, 5x1019cm-3 e 1x1020cm-3 em
funo do intervalo de espessuras, W e=0 a 5m utilizando o conjunto de parmetros
internos da tabela 2.2 e ni=1x1010cm-3.
Analisando a recombinao nas regies metalizadas, Joemet e passivadas,
Joepass verificou-se que estas apresentam comportamentos diferenciados como
funo da elevao da concentrao de dopantes. A recombinao na regio
passivada cresce medida que a concentrao superficial de dopantes se eleva
(valores mximos de aproximadamente 3,0x102fA/cm2 para Ns=1x1020cm-3). Na
regio metalizada, (Sp=3x106cm/s), para manter reduzidos os valores de densidades
de

recombinao,

cerca

de

3,5x103fA/cm2

tornam-se

imprescindveis

concentraes da ordem de Ns=1x1020cm-3 e espessuras da ordem de W e= 2,0m.

Atravs da diviso da densidade de corrente de recombinao na regio
metalizada em componentes de superfcie e de volume, Js e Jvol, respectivamente,
conclui-se que, Jvol domina em emissores altamente dopados, Ns=1x1020cm-3, exceto
em emissores muito estreitos (0,2m), por serem mais sensveis recombinao
de superfcie. Contudo, emissores moderadamente dopados, Ns=5x1018cm-3
apresentam maior recombinao na superfcie, Js para quaisquer espessuras
adotadas.

79

Em contraposio, na regio passivada os emissores moderadamente

dopados, Ns=5x1018cm-3 inicialmente tambm so dominados pela recombinao de
superfcie, porm, medida que as suas espessuras se elevam, a contribuio do
volume torna-se mais significativa.
De acordo com os resultados encontrados, as mximas densidades de
corrente de coleo, na regio passivada do emissor onde Sp=10-16xNs cm/s,
ocorrem para concentraes superficiais de Ns=1x1019cm-3 e 5x1018cm-3. Em
particular, no caso Ns=5x1018cm-3, a densidade de corrente coletada torna-se
praticamente igual densidade de corrente gerada durante todo o intervalo de
espessuras analisado (0 a 5m). Por exemplo, para um emissor com espessura
W e=2,0m obtm-se Jgen=Jil17,0mA/cm2).
Por outro lado, considerando uma superfcie sem passivao (Sp=2x105cm/s)
verifica-se que no h grande variao da densidade de corrente coletada em
funo da variao da concentrao de dopantes. Por exemplo, emissores com
concentraes superficiais de dopantes no intervalo, Ns de 5x1018cm-3 a 1x1020cm-3,
para W e=2,0m as densidades de correntes coletadas mantm-se no intervalo de
Jil=7,8 a 8,0mA/cm2, respectivamente.
Desta forma, atravs do auxlio produzido pelo programa terico desenvolvido
tornou-se possvel calcular a eficincia quntica interna dos emissores em funo do
comprimento de onda da luz incidente. De acordo com os resultados encontrados,
os emissores com perfis Gaussianos, desde que possuam as suas espessuras
otimizadas, e superfcie passivada,apresentam elevadas eficincias qunticas 98%
(para =400nm) independentemente da dopagem adotada, Ns=5x1018cm-3 com
W e=2,0m, Ns=1x1019cm-3 com W e=1,2m ou Ns=1x1020cm-3 com W e=0,2m.
Uma vez otimizados os emissores, estudaram-se os parmetros eltricos de
sada das estruturas completas n+pp+ e n++n+pp+, considerando uma base com
1.cm de resistividade, um comprimento de difuso de 1350m e espessura de
290m. A regio posterior p+ foi caracterizada por possuir perfil uniforme e
velocidade efetiva de recombinao posterior de 200cm/s. Na simulao, o Fm foi
suposto constante e igual 3% (tpico de clulas de laboratrio). Assim, h um
balanceamento entre o mximo de densidade de corrente de curto-circuito, que
ocorre em emissores moderadamente dopados e relativamente espessos, e o

80

mnimo de densidade de corrente de recombinao, associada tenso de circuito

aberto, que ocorre em emissores estreitos.
Assim, as clulas otimizadas n+pp+ possuam eficincias mximas, na faixa
de 21,6% a 21,7% para, Ns variando de 1x1019 a 5x1018 cm-3 com espessuras na
faixa de 1,2 - 2,0 m. Ao mesmo tempo as estruturas n++n+pp+ apresentaram, na
faixa de 21,8% - 21,9% para, Ns na faixa de 1x1019 5x1018 cm-3 no mesmo
intervalo de espessura, como pode ser visto nas figuras 3.1 e 3.2 respectivamente.

Figura 3.1: Eficincias das clulas solares n+pp+ com emissores homogneos e
resistividade de base de 1.cm. As flechas indicam as regies otimizadas para as
concentraes superficiais Ns=1x1019 cm-3 (correspondente a 90/) e Ns=
5x1018cm-3 (correspondente a 100/).

81

23,0
22,0

(%)

21,0
Fm = 3 %

20,0
19,0
18,0
17,0
0,0

1,0

2,0

N s = 5 x 10

18

N s = 1 x 10

19

(cm )

N s = 5 x 10

19

(cm )

N s = 1 x 10

20

(cm )

3,0

-3

(cm )
-3
-3
-3

4,0

5,0

Espessura do Emissor
Passivado, W E ( m)
W e (m)
Figura 3.2: Eficincias das clulas solares n++n+pp+ com emissores duplamente
difundidos e resistividade de base de 1.cm.

3.3 RESULTADOS DA OTIMIZAO DOS EMISSORES DE FSFORO ATRAVS

DE CURVAS DE NVEL (nI=9,65x109 cm-3)

Conforme apresentado no captulo 2, as sucessivas alteraes no valor da

concentrao

intrnseca

de

portadores,

ni,

impuseram

necessidade

de

readequao no conjunto de parmetros internos (velocidade de recombinao

superficial, estreitamento de banda aparente, tempo de vida e mobilidade dos
portadores minoritrios) que descrevem os emissores moderada/altamente dopados
(ver tabelas 2.1, 2.2 e 2.3 e expresso 2.14).
Deste modo, a partir da anlise da evoluo das otimizaes tericas dos
emissores como funo da alterao do conjunto dos parmetros internos verificouse que o estudo dos emissores duplamente difundidos desenvolvidos nos trabalhos
anteriores ou consideravam os parmetros no atualizados[42,

27]

ou por motivo de

simplificao no incluam o efeito de armadilhamento de luz e de grade otimizada

[23, 36]

82

Embora os emissores homogneos j tenham sido amplamente estudados no

trabalho de A. Cuevas et. al.[43] com parmetros internos similares aos utilizados
neste trabalho (tabela 2.2), a re-otimizao deste tipo de emissores foi realizada com
o intuito de permitir uma comparao mais direta com os emissores duplamente
difundidos.
Assim, o estudo do comportamento destas estruturas em um amplo intervalo
de espessuras (0,1m<W e<10m) e de concentraes superficiais de dopantes
(1x1018cm-3<Ns<1x1020cm-3) imps a necessidade de modificaes ao programa de
simulao desenvolvido; visando permitir a realizao do estudo paramtrico atravs
de curvas de nvel.
Alm disto, com a introduo do efeito produzido pelo confinamento da luz no
interior do semicondutor e da otimizao de grades, passou-se obteno das
densidades de correntes de curto-circuito maximizadas e fatores de forma
otimizados para cada tipo de emissor estudado (dependente das perdas resistivas
no emissor).
A seguir, apresentam-se os resultados obtidos, adotando inicialmente os
mesmos parmetros internos (tabela 2.2) e o mais recente ni=9,65x109 cm-3,
detalhadamente apresentados e comparados nos itens 3.3, 3.4 e 3.5.
No item 3.4, realiza-se uma previso das modificaes impostas pela
mudana de parmetros internos (estreitamento de banda aparente e velocidade de
recombinao de superfcie) sobre as eficincias apresentadas pelas clulas solares
com emissores homogneos (utilizando dados das tabelas 2.2 e 2.3, captulo 2).
Cabe ressaltar que embora as anlises descritas neste captulo sejam
realizadas em funo da espessura do emissor, os resultados podem ser facilmente
obtidos em funo da resistncia de folha do emissor, R, como mostrado na figura
3.3.
Os resultados tericos apresentados nesta figura tm como objetivo facilitar a
converso direta entre a resistividade e a espessura e tem grande praticidade sob o
ponto de vista de projeto de dispositivos, uma vez que a medida da resistncia
(medidor de quatro pontas) amplamente utilizada no mbito na fabricao de
dispositivos fotovoltaicos para a caracterizao do emissor.

83

10

20

R ( / )

20
50

-3

Ns (cm )

100

10

200

19

600 400
1x10

800

2x10

10

18
-1

10

10

10

W e (m)

Figura 3.3: Resistncia de folha, R em funo da concentrao superficial de

dopantes, Ns e da espessura, W e.

3.3.1

OTIMIZAO

DE

GRADES

EM

EMISSORES

HOMOGNEOS

DUPLAMENTE DIFUNDIDOS CLULAS SOLARES DE LABORATRIO

Neste trabalho, as grades metlicas foram otimizadas para clulas tpicas de

laboratrio com rea 2cmx2cm e contatos metlicos de Ti-Pd-Ag. Os espaamentos
timos, S e os fatores de sombreamento, Fs encontrados para ambos tipos de
emissores so apresentados nas figuras 3.4 e 3.5, para emissores homogneos e
duplamente difundidos, como funo da concentrao superficial de dopantes e da
espessura da regio passivada, respectivamente.
Observando-se as figuras 3.4 e 3.5 nota-se que quanto maior a concentrao
superficial de dopantes (>2x1019cm-3) dos emissores espessos (>3m), tanto maior o
espaamento entre dedos necessrios (>1,79mm), sendo necessrios valores
otimizados de Fs menos elevados (cerca de 2,4% - 2%) para ambos os tipos de
emissores.

84

Figura 3.4: Curvas de nvel dos fatores de sombreamento otimizados, Fs e os

respectivos espaamentos entre as linhas da grade metlica, S para emissores
homogneos em funo da concentrao superficial de dopantes, Ns, e da
espessura, W e, do emissor.

As curvas de contorno de Fs e S de emissores homogneos (figura 3.4) com

concentrao superficial <3x1018cm-3 apresentam valores praticamente constantes
apesar do incremento de espessura. Entretanto, no caso dos emissores duplamente
difundidos com concentraes superficiais <3x1018cm-3, (ver figura 3.5), decrescem
continuamente, diferentemente da curva dos emissores homogneos para o mesmo
intervalo de concentrao superficial. Este fato pode ser atribudo diminuio de
perdas devido ao contato metlico nos emissores DD, uma vez que estes ltimos
possuem valores Ns=1x1020 cm-3 e W e=2,0m fixos na regio metalizada.

85

Figura 3.5: Curvas de nvel dos fatores de sombreamento otimizados, Fs, e os

respectivos espaamentos entre as linhas da grade metlica, S, para emissores
duplamente difundidos, DD como funo da concentrao superficial de dopantes,
Ns e da espessura, W e, do emissor na regio passivada.

Por outro lado, considerando as estruturas homogneas otimizadas,

apresentadas no subitem 3.3.3.1 na figura 3.13, circunscritas pelo valor de curva de
nvel

=25,3%,
19

-3

que
18

correspondem

emissores

moderadamente

dopados

-3

(Ns=2x10 cm - 4x10 cm ) com as respectivas espessuras (W e=0,5m - 3m)

apresentam fatores de sombreamento, metalizao e espaamento entre as linhas
metlicas de Fs=3,50% (Fm=0,94%) com S=1,10mm e Fs=3,78% (Fm=0,99%) com
S1,00mm.
Analogamente, a partir da figura 3.5, podem ser extrados valores de Fs=3,4%
(Fm=0,91%) com S=1,15mm para um emissor, DD com Ns=9,5x1018 cm-3 e
W e=0,87m, sendo este, um caso pertencente ao limite superior da curva =25,7%
apresentada no subitem 3.3.3.2 e na figura 3.16 .

86

3.3.2 CARACTERSTICAS DOS EMISSORES DE CLULAS DE LABORATRIO

Neste item discutem-se as caractersticas dos emissores homogneos e

duplamente difundidos otimizados teoricamente quanto a sua eficincia de coleo e
sua densidade de corrente de recombinao. Analisam-se tambm o efeito das
grades metlicas otimizadas para cada emissor estudado atravs dos fatores de
metalizao e sombreamento obtidos no item anterior.

3.3.2.1 Eficincia de coleo em emissores homogneos e duplamente difundidos

Os emissores Gaussianos passivados podem fornecer elevados valores de

eficincia de coleo, conforme resultados apresentados na figura 3.6.
Na figura 3.6, escolhendo-se uma curva de nvel correspondente a um valor
constante de eficincia de coleo, nota-se que medida que a espessura do
emissor aumenta torna-se necessrio diminuir a concentrao de dopantes. Assim,
os emissores com Ns=4x1019cm-3, 2x1019cm-3, 1x1019cm-3, 4x1018cm-3 e 2x1018cm-3
necessitam espessuras cada vez maiores W e=0,50m, 0,94m, 1,73m, 3,68m e
6,17m, respectivamente para prover um valor de eficincia de coleo igual a
c=98%.

Por outro lado, verifica-se que a eficincia de coleo supera 98% at mesmo
utilizando emissores altamente dopados (Ns=1x1020cm-3) desde que sejam estreitos
(W e0,2m), atingindo c=81% para emissores relativamente mais espessos
(W e=1,0m). No entanto, espessuras maiores (>3m) no intervalo de concentrao
superficial de 2x1019cm-3 a 1x1020cm-3 permitem atingir eficincias de coleo da
ordem de 45% tornando-se claramente no recomendveis.

87

Figura 3.6: Curvas de nvel da eficincia de coleo, c em funo da concentrao

de dopantes do emissor, Ns e de espessura, W e em emissores passivados com
oxidao trmica seguida por recozimento em forming gas. Parmetros internos
calculados de acordo com as expresses apresentadas na tabela 2.2 e ni=9,65x109
cm-3.

3.3.2.2 Recombinao nos emissores

As componentes das densidades de corrente de recombinao das regies

passivadas e metalizadas, Joepass e Joemet e a densidade de recombinao total, Joe
so analisadas em funo da concentrao superficial de dopantes, Ns e da
espessura, W e, para ambos tipos de emissores, homogneos e duplamente
difundidos, como descrito a seguir.

88

3.3.2.2.1 Densidade de corrente de recombinao em emissores homogneos

As componentes de recombinao nas regies passivada e metalizada dos

emissores homogneos em funo da concentrao de dopantes e da espessura
podem ser observadas nas figuras 3.7 e 3.8, respectivamente.
Na figura 3.7, observa-se que valores tericos da ordem de 5fA/cm2 podem
ser alcanados por emissores suavemente dopados e passivados, com Ns de
aproximadamente 1x1018cm-3 e espessuras entre W e<0,7m (R>550/, conforme
pode ser observado na figura 3.3). Contudo, a medida que a concentrao de
dopantes, Ns, aumenta (3x1018cm-3<Ns<2x1019cm-3), as densidades de corrente de
recombinao, Joepass assumem valores entre 9fA/cm2 e 50fA/cm2, dependendo da
espessura do emissor considerada.

10

20

200
Joepass

100

(fA/cm )

-3

Ns (cm )

50
10

30

19

18
9

12

7
10

18

10

-1

10

10

W e (m)
Figura 3.7: Curvas de nvel da densidade de corrente de recombinao da regio
passivada, Joepass, em funo da concentrao de dopantes, Ns, e da espessura, W e,
sendo Sp=10-16xNs cm/s.

89

10

20

Joemet
2

(fA/cm )

1x10

5x10

2x10

-3

Ns (cm )

3x10
10

19

1x10

2x10
10

3,3x10

3,6x10

18

10

-1

10

10

W e (m)
Figura 3.8: Curvas de nvel da densidade de corrente de recombinao da regio
metalizada, Joemet, em funo da concentrao de dopantes, Ns, e da espessura, W e,
para emissores homogneos, para Sp=3x106cm/s.

Analisando a figura 3.8, verifica-se que para a regio metalizada, emissores

moderadamente dopados, 4x1018cm-3<Ns<2x1019cm-3 com espessuras no intervalo,
0,5m<W e<3m possuem Joemet entre cerca de 3,6x103fA/cm2 e cerca de
3,3x102fA/cm2. Em contraposio, no mesmo intervalo, na figura 3.7, os valores das
componentes da regio passivada apresentam-se significativamente inferiores, entre
cerca de 11fA/cm2 e 88fA/cm2.
Entretanto, apesar destas diferenas, algumas vezes, a contribuio da regio
passivada, Joepass densidade de corrente de recombinao total, Joe torna-se
dominante, uma vez que estas componentes devem ser ponderadas atravs dos
fatores de metalizao (Fm) e seu complementar (1-Fm), representando a regio
iluminada.
A densidade de recombinao total, Joe, calculada de acordo com (2.31),
apresenta-se na figura 3.9, em funo da concentrao superficial de dopantes e da
espessura

do

emissor.

Cabe

ressaltar

que

os

fatores

de

ponderao

correspondentes s regies passivadas (1-Fm) e metalizada (Fm), otimizam-se de

90

acordo com equao (2.27). Nesta figura, pode-se observar que as menores
densidades de corrente de recombinao (30fA/cm2) ocorrem para emissores em
um intervalo que poderiam ser determinados como suave ou moderadamente
dopados, 1x1018cm-3<Ns<6x1018cm-3, e espessos, 1m<W e<10m.

10

20

200
2

J (fA/cm )
oe

100

-3

Ns (cm )

50

10

19

100

30

50

30

10

18

10

-1

10

10

We (m)
Figura 3.9: Curvas de nvel da densidade de corrente de recombinao total no
emissor, Joe (equao 2.32) em funo da concentrao superficial de dopantes, Ns
e da espessura, W e considerando emissores homogneos.

Por outro lado,

concentraes

emissores

superficiais

moderada ou fortemente dopados, com

18

6x10 cm-3>Ns>1x1020cm-3

com

espessuras

1m<W e<10m apresentam as maiores densidades de corrente de recombinao,

Joe>100fA/cm2.
Visando a analisar a contribuio final de ambas regies (metalizada e
passivada) aps a multiplicao por seus respectivos fatores de ponderao,
escolheu-se um valor intermedirio de Ns a partir de estruturas homogneas
otimizadas (figura 3.13), Ns7,5x1018cm-3 com W e1,7m, obtendo-se como
densidade de corrente de recombinao total Joe31,9fA/cm2.
Deste modo, as componentes das regies metalizada e passivada foram
calculadas, resultando aproximadamente nos valores 836,3fA/cm2 para Joemet e

91

24,7fA/cm2 para Joepass; e 7,4fA/cm2 para (Fm).Joemet e 24,5fA/cm2 para (1-Fm).Joepass,

respectivamente, antes e depois da multiplicao pelos fatores de ponderao
(Fm0,88% correspondendo a Fs3,21%, ver figura 3.4). Verifica-se que a regio
passivada ,quando multiplicada pelo fator de ponderao torna-se a principal
componente da densidade de corrente de recombinao total.

3.3.2.2.2 Densidade de corrente de recombinao em emissores DD

As curvas de nvel da densidade de recombinao na regio passivada de

emissores duplamente difundidos apresentam um comportamento anlogo obtida
para o caso de emissores homogneos nesta regio, como pode ser observado na
figura 3.7.
Contudo, na regio metalizada, este tipo de emissor apresenta uma
densidade de corrente de recombinao constante Joemet315fA/cm2, uma vez que a
concentrao superficial de dopantes, assim como a espessura desta regio, foram
fixados em Ns=1x1020cm-3 e W e=2,0m respectivamente, para todos os casos
analisados neste trabalho.
A figura 3.10 realiza uma comparao entre as curvas de nvel de densidade
de recombinao total, Joe, para emissores homogneos e duplamente difundidos,
linhas tracejadas e contnuas, respectivamente.
Esta figura mostra que as densidades de corrente de recombinao total para
os emissores de tipo DD so menores que as obtidas para os emissores
homogneos, correspondendo aos intervalos de Joe de 12fA/cm2 a 200fA/cm2 e de
30fA/cm2 a 200fA/cm2, respectivamente. O resultado obtido deve-se menor
recombinao sob linhas da grade metlica da estrutura caracterstica dos
emissores DD, uma vez que as perdas resistivas so menores devido reduo da
resistividade de contato Ti-Si.

92

10

20

200
2

Joe(fA/cm )

-3

Ns (cm )

50

10

100

30

19

50

18

100

30
12

10

30

18

-1

10

10

10

W e (m)
Figura 3.10: Comparao entre as curvas de nvel das densidades de corrente de
recombinao total no emissor, Joe em funo da concentrao de dopantes, Ns e da
espessura na regio passivada, W e, considerando emissores homogneos (- - linhas tracejadas) e duplamente difundidos, DD (
linhas contnuas).

Considerando duas estruturas com emissores: homogneos e DD, com

Ns=3x1018cm-3 e W e=1,4m na regio passivada (ver figuras 3.7, 3.8 e 3.10) podese comparar as contribuies relacionadas com as regies metalizada e passivada
sobre a densidade de corrente de recombinao total no emissor (ver tabela 3.1).
De acordo com esta tabela, os emissores homogneos levemente dopados
(Ns=3x1018cm-3) apresentam comportamentos distintos. Enquanto a recombinao
nos emissores homogneos sob a regio metalizada torna-se a principal
componente (62,5%), a contribuio desta componente se reduz a 20,9% quando
considerado um emissor DD.

93

Tabela 3.1 - Resumo da comparao do fator de metalizao, e densidades de

corrente de recombinao obtidos com os emissores homogneos, (n+), e com os
emissores DD (n++n+) para o caso de Ns=3x1018cm-3 e W e=1,4m. Os resultados
representam as componentes contabilizando os fatores de ponderao, (Fm).Joemet, e
o (1-Fm).Joepass, a total, Joe, e as porcentagens relativas de suas contribuies.

tipo

Joe

Fm

(Fm).Joemet

[(Fm).Joemet/Joe]

(1-Fm)x

[(1-Fm)x

Joepass

Joepass/Joe] %

fA/cm2

fA/cm2

fA/cm2

n+

1,23

29,3

18,3

62,5

11,0

37,5

n++n+

0,93

13,9

2,9

20,9

11,0

79,1

3.3.2.2.3 Emissores homogneos versus DD

Considerando

os

dois

exemplos

tpicos

de

emissores

otimizados,

homogneos e DD, realiza-se a seguir uma comparao entre as componentes das

densidades de correntes (passivada e metalizada) j multiplicadas pelos fatores de
ponderao adequados e a densidade de corrente de recombinao total. O emissor
homogneo otimizado apresenta Ns igual a 7,5x1018cm-3 e W e igual a 1,7m,
enquanto o emissor DD possui Ns igual a 3x1018cm-3 com W e=1,4m.
Assim, de acordo com a tabela 3.2, a regio passivada de ambos os tipos de
emissores apresenta-se como a principal componente de recombinao. No entanto,
como esperado, os emissores homogneos apresentam uma maior componente
Joepass. Este fato se deve principalmente diferena entre as concentraes
superficiais de dopantes, Ns=7,5x1018cm-3 para o caso homogneo e Ns=3x1018cm-3,
e para o caso DD, uma vez que os seus fatores de metalizao otimizados, Fm,
encontram-se muito prximos, o primeiro, de cerca de 0,88% (Fs=3,21% na figura
3.4) e o ltimo, Fm cerca de 0,93% (Fs=3,49% na figura 3.5).

94

Tabela 3.2 - Comparao entre os fatores de metalizao e as densidades de

recombinao em emissores homogneos e DD, para as estruturas completas
otimizadas das figuras 3.13 e 3.16, com as componentes multiplicadas pelo fator de
ponderao, (Fm).Joemet, e (1-Fm).Joepass, e as suas respectivas porcentagens de
contribuio recombinao total, Joe.
tipo

Fm

(Fm).Joemet

fA/cm2

[(Fm).Joemet/Joe]

(1-Fm).Joepass

[(1-Fm)x

Joe

fA/cm2

Joepass/Joe]

fA/cm2

%
n+

0,88

7,4

23,2

24,5

76,8

31,9

n++n+

0,93

2,9

20,9

11,0

79,1

13,9

3.3.3 PARMETROS ELTRICOS DE SADA EM ESTRUTURAS COMPLETAS DE

CLULAS SOLARES DE LABORATRIO

Aps a caracterizao dos emissores (recombinao e coleo) em um amplo

intervalo de espessuras e concentraes superficiais de dopantes, calcularam-se os
parmetros eltricos de sada Jsc, Voc, FF e das estruturas completas n+p e n++n+p,
considerando em ambos os casos uma superfcie frontal passivada atravs de
oxidao trmica seguida por recozimento em ambiente de Forming Gas.

3.3.3.1 Parmetros eltricos de sada utilizando emissores homogneos

As figuras 3.11, 3.12 e 3.13 apresentam respectivamente as curvas de nvel

relativas densidade de corrente de curto-circuito, a tenso de circuito aberto e a
eficincia, obtidas em estruturas n+p em funo da concentrao superficial de
dopantes, Ns e da espessura do emissor, W e.
As densidades de corrente de curto-circuito so mximas, Jsc na faixa de
43,0mA/cm2 a 43,5mA/cm2 para os emissores com concentraes superficiais de
dopantes entre 4x1018cm-3 e 2x1019cm-3 e espessuras na faixa de 0,4m e 4,0m.

95

No entanto, pode-se observar que as correntes mantm-se elevadas para emissores

mais dopados (2x1019cm-3 a 1x1020cm-3), desde que as suas espessuras estejam
teoricamente no intervalo entre 0,4m e 0,6m.

20

10
42,0 40,0

35,0

27,0

-3

Ns (cm )

43,5

43,0

19

10
2

Jsc (mA/cm )

18

10

-1

10

10

10

W e (m)

Figura 3.11: Curvas de nvel da densidade de corrente de curto-circuito, Jsc, em

funo da concentrao de dopantes e da espessura, para emissores homogneos
em clulas solares com estrutura n+p e base de resistividade de 1.cm.

20

10
693,0

685,0

675,0

665,0

-3

Ns (cm )

700,0
705,0

10

19

709,0
685,0

Voc (mV)
715,0

675,0
665,0
650,0

18

10

-1

10

10

10

W e (m)

Figura 3.12: Curvas de nvel relacionadas tenso de circuito-aberto, Voc em funo

da concentrao superficial de dopantes, Ns e da espessura, W e do emissor
homogneo em clulas n+p e base 1.cm.

96

Ao mesmo tempo, a figura 3.12 mostra que os valores de tenses de circuito

aberto mximos, Voc variam entre 700mV e 715mV, obtidos em estruturas com
emissores com concentraes superficiais de dopantes menores que 2x1019cm-3 e
espessuras variando entre 0,4m e 10,0m, (ver o lado direito inferior da figura
3.12).
Embora ocorra uma queda de 30mV na tenso de circuito aberto para o caso
de um emissor com concentrao superficial de dopantes elevada (Ns=1x1020cm-3) e
estreito (W e=0,2m), como ser visto na figura 3.13, a regio superior esquerda
permite a obteno de eficincias elevadas, =24,3%.
Assim, conforme pode ser observado, para a manuteno de uma eficincia
elevada deve existir um balanceamento entre a maximizao da densidade de
corrente de curto-circuito e da tenso de circuito aberto (minimizao da
recombinao).

10

20

24,3%

(%)

23,3%

16,3%
20,3%

25,0%

-3

Ns (cm )

25,3%

10

19

25,5%
23,3%

20,3%

10

16,3%

18

-1

10

10

10

W e (m)
Figura 3.13: Curvas de nvel de eficincia, , em funo da concentrao superficial
de dopantes do emissor homogneo em clulas solares n+p e base com
resistividade 1.cm.

97

De acordo com a figura 3.13, as mximas eficincias, na faixa de 25,5% a

25,3%, so obtidas no intervalo da concentrao de dopantes Ns=2x1019cm-3 4x1018cm-3.
Nesta figura, verifica-se que o limite superior da curva com eficincia mxima
Ns2x1019cm-3 permite espessuras mais baixas (0,5m<W e<1m); enquanto que o
limite inferior (4x1018cm-3) requer espessuras no intervalo, de 1m a 3m. Assim,
os parmetros de uma clula solar com Ns intermedirio ao intervalo timo,
Ns=7,5x1018cm-3 e 1,7m (R87,5/), so Jsc=43,4mA/cm2, Voc=710,3mV,
FF=0,826 e =25,5%, com grade otimizada Fs=3,21%, Fm=0,88% e S1,24mm.
Contudo, um decrscimo significativo, =16,3% encontrado quando
emissores

altamente

dopados

(Ns>2x1019cm-3)

espessos

(W e>4m)

ou

suavemente dopados (Ns<2x1018cm-3) e estreitos (W e<0,4m) so analisados.

Comparando-se os resultados otimizados (figura 3.13) com os obtidos na
Dissertao de Mestrado, na faixa de 21,6% a 21,7%[23], verifica-se que as
concentraes superficiais de dopantes e espessuras otimizadas obtidas ento,
para Ns=(1x1019 5x1018)cm-3 com espessuras (1,2 - 2,0)m, encontram-se
englobadas pelos intervalos otimizados para a curva de contorno com eficincia
=25,3%.

Entretanto, a diferena encontrada entre os valores absolutos das eficincias

est diretamente relacionada com a introduo do efeito de confinamento de luz no
interior do semicondutor, gerando um importante incremento na densidade de
corrente de curto-circuito, passando de 38,6mA/cm2 para 43,5mA/cm2. As tenses
de circuito aberto que anteriormente atingiam cerca de 690mV para Ns=5x1018cm-3,
passaram a alcanar valores otimizados >700mV (vide figura 3.12). A principal razo
para as diferenas encontradas entre os mximos de Voc deve-se ao fato de que as
estruturas analisadas anteriormente[23] compunham-se por trs regies n+pp+, e, por
conseguinte, foram introduzidas as recombinaes na base p e na regio altamente
dopada posterior, p+.

98

3.3.3.2 Parmetros eltricos de sada utilizando emissores duplamente difundidos

A densidade de corrente de curto-circuito, a tenso de circuito aberto e a

eficincia das estruturas de clulas solares de tipo n++n+p obtidas como funo da
concentrao superficial de dopantes, Ns, e da espessura do emissor na regio
passivada,

W e,

podem

ser

observadas

nas

figuras

3.14,

3.15

3.16,

respectivamente.

20

10

-3

,6
42

,4
43

Ns (cm )

.4
29

,6
35
,0
40
,4
43

19

10

,0
43

,6
42

Jsc (mA/cm )

18

10

-1

10

10

10

W e (m)

Figura 3.14: Curvas de nvel da densidade de corrente de curto-circuito, Jsc em

funo da concentrao superficial de dopantes, Ns, e da espessura da regio
passivada, W e, do emissor DD em clulas n++n+p e base de resistividade 1.cm.

Analisando-se a figura 3.14 verifica-se que as mximas densidades de

corrente de curto-circuito, Jsc encontram-se delimitadas pela curva de 43,4mA/cm2.
Por outro lado, de acordo com a figura 3.15, verificam-se elevados valores de
tenses de circuito aberto Voc=725mV para os casos de emissores pouco dopados
com Ns<2x1018cm-3 em um amplo intervalo de espessuras, W e de 0,25m a 4,0m.
Comparando-se as figuras 3.12 e 3.15, pode-se concluir que maiores valores
de tenso de circuito aberto so alcanados com as clulas solares com os

99

emissores duplamente difundidos, como esperado, em concordncia com o

observado na figura 3.10.

10

20

660,6

Voc (mV)
680,0

671,0

-3

Ns (cm )

700,0

10

19

712,0
719,0
722,0
724,0

10

725,0

18

10

-1

10

10

W e (m)
Figura 3.15: Curvas de nvel da tenso de circuito aberto, Voc, em funo da
concentrao superficial de dopantes, Ns, e da espessura da regio passivada, W e,
do emissor DD em clulas solares n++n+p e base de resistividade 1.cm.

Na figura 3.16 podem ser observadas as eficincias na faixa de 26,0% a

25,7% para um amplo intervalo de

concentraes de dopantes na faixa de

1x1018cm-3 a 1x1019cm-3 com espessuras entre 0,5m e 10m corroborando os

resultados obtidos anteriormente [36, 37, 23].
A partir da simulao paramtrica realizada, pode-se considerar como um
caso otimizado o emissor com Ns=3,0x1018cm-3 e W e=1,4m (R=172,4/)
apresentando os seguintes parmetros de sada, Jsc=43,5mA/cm2, Voc=721,5mV,
FF=0,829 e =26,0%. A otimizao de grade metlica resulta em Fs=3,49%,
Fm=0,93% e S=1,11mm.
Por outro lado, de forma anloga ao caso de estruturas completas com
emissores homogneos, os emissores altamente dopados e duplamente difundidos
(n++n+p) tambm apresentam eficincias reduzidas (=16,3%) para o caso dos
emissores altamente dopados e espessos (o lado direito superior da figura 3.16).

100

20

10

(%)

16,3%

23,5%

20,3%

25,0%

-3

Ns (cm )

25,3%
19

25,5%

10

25,7%
25,8%
26,0%
18

10

-1

10

10

10

We (m)
Figura 3.16: Eficincias de estruturas completas n++n+p em funo da concentrao
superficial, Ns e da espessura da regio passivada, W e do emissor DD em clulas
solares n++n+p e base de resistividade 1.cm.
Cabe ressaltar que os valores encontrados como funo da concentrao
superficial de dopantes e da espessura so valores tericos mximos obtidos nas
condies de simulao, no levando em conta algumas das perdas que ocorrem no
dispositivo. A tabela 3.3 mostra uma comparao terico-experimental entre os
parmetros eltricos de sada obtidos com o programa desenvolvido (simulacell.pas
verso 2) e os encontrados na clula solar com eficincia recorde em silcio
monocristalino da UNSW (tipo PERL), =24,7%[53].
Tabela 3.3 - Comparao entre os parmetros eltricos de sada otimizados
teoricamente e os obtidos na clula solar com eficincia recorde em silcio
monocristalino da UNSW [53].
Jsc

Voc
2

Simulaes

FF

(mA/cm )

(mV)

43,5

721,5

0,829

26,0

42,2

706,0

0,828

24,7

(%)

tericas
Clula solar
(UNSW)

[53]

101

Pode-se observar nesta tabela que as densidades de corrente de curtocircuito e as tenses de circuito aberto experimentais obtidas na clula solar recorde
diferem significativamente dos mximos tericos obtidos cerca de aproximadamente
3% e 2%, respectivamente.
Esta diferena pode ser atribuda ao fato que o conjunto ptico frontal da
clula solar PERL da UNSW est composto por pirmides invertidas e camada antirefletora dupla, possuindo, portanto, uma perda por reflexo diferente de zero (valor
assumido teoricamente) e uma velocidade de recombinao frontal da ordem de
Sp=2000cm/s quando Ns=5x1018cm-(3)[48], sendo cerca de 4 vezes superior ao
assumido teoricamente.
Alm disto, a velocidade de recombinao posterior atingiu valores no
entorno de 50cm/s, ligeiramente superior ao utilizado teoricamente, Sefpost=0cm/s,
acarretando tambm no aumento das perdas por recombinao nesta regio. No
que concerne ao confinamento de luz, verifica-se que o conjunto ptico utilizado na
clula solar da UNSW permite atingir uma refletividade interna posterior da ordem de
98%, aproximadamente igual ao valor utilizado teoricamente, 99%[51].

3.3.3.2.1 Comparao entre os resultados obtidos neste trabalho com simulaes

tericas apresentadas anteriormente

Em 1993, E. Desmaeker[27] realizou a otimizao terica de clulas solares

com emissores duplamente difundidos utilizando curvas de nvel, incluindo a
otimizao de grades e o efeito de confinamento ptico. Contudo, conforme
discutido no captulo 2, as citadas otimizaes foram realizadas utilizando
parmetros internos atualmente considerados obsoletos na atualidade (2007), ver
tabela 2.1 e o modelo terico de Del Alamo[34].
Em seu trabalho[27] os emissores duplamente difundidos, DD caracterizavamse por possuir uma concentrao superficial de dopantes de 1021 cm-3 sob a regio
metalizada e velocidade de recombinao posterior efetiva igual a zero.

102

Ns (cm-3)

21%

0,01

0,1

We (m)

1,0

10

Figura 3.17: Curvas de nvel das otimizaes encontradas por E. Demesmaeker[27].

As linhas contnuas representam as clulas solares com os emissores homogneos
e as linhas pontilhadas os emissores duplamente difundidos.

A comparao entre a figura 3.17 e os resultados apresentados na figura 3.16

mostra que apesar de apresentar eficincias inferiores, =21%, as eficincias
mximas para as clulas solares com emissores duplamente difundidos encontrados
por E. Demesmaeker , ocorrem para os intervalos Ns=2x1018 cm-3- 2x1019 cm-3 e
espessuras na faixa de 0,2m a 10m similares aos apresentados neste trabalho.
Por outro lado, os resultados obtidos por A. Aberle et. al.[55] mostram um
mximo de eficincia, de aproximadamente 27% e foi obtido para emissores
moderadamente dopados, com Ns, na faixa de 5x1018 cm-3 a 1x1019 cm-3, entretanto,
para um menor intervalo de espessura, W e, entre 0,1m a 0,3m. A diferena de
regies otimizadas encontradas por A. Aberle et. al. quando comparadas s obtidas
nesta tese, se deve principalmente s diferenas entre os parmetros de entrada
utilizados. A .Arbele et. al. utiliza Sp=500cm/s, fixa, para os quatro casos de
concentrao superficial estudados (Ns=1x1018cm-3, 5x1018 cm-3, 1x1019 cm-3, 5x1019

103

cm-3). Ao mesmo tempo, a regio metalizada foi parametrizada com uma menor
velocidade de recombinao superficial Sp=1x106 cm/s, e uma menor concentrao
superficial de dopantes sob os contatos metlicos, Ns=5x1019 cm-3 e W e=2m de
profundidade. Alm disto, o fator de metalizao Fm foi subestimado para alguns
casos pelo fato de haver sido fixado em 3% para todas as concentraes superficiais
de dopantes.

3.4 EMISSORES HOMOGNEOS APS A READEQUAO DOS PARMETROS

INTERNOS PARA A CONCENTRAO INTRNSECA DE PORTADORES
nI=9,65x109 cm-3.

Visando comparar o efeito das mudanas de parmetros internos aps a

alterao do valor da concentrao intrnseca de portadores ni=9,65x109 cm-3,
propostos na tabela 2.3 (parmetros atualizados), os emissores homogneos
(estruturas n+p) foram re-otimizados, considerando-se a re-parametrizao da
velocidade de recombinao superficial, admitindo uma superfcie com oxidao
trmica seguida por recozimento em FG. Na figura 3.18 apresenta-se uma
comparao entre as eficincias obtidas com a utilizao dos parmetros readequados aps a alterao do ni e os descritos na figura 3.13 (ni=9,65x109 cm-3 e
os dados da tabela 2.2) .

104

20

10

24,3%

(%)

24,3%

23,3%

25,0%

16,3%
20,3%

-3

Ns (cm )

25,3%
19

10

25,5%
23,3%

20,3%
16,3%

18

10

10

-1

10

10

W e (m)

Figura 3.18: Comparao entre as curvas de nvel representando as eficincias de

clulas solares com estrutura completa n+p em funo da concentrao superficial
de dopantes, Ns, e da espessura, W e, do emissor homogneo calculadas utilizando
ni=9,65x109 cm-3, antes (tabela 2.2) e aps a re-adequao de parmetros (equao
2.14 e tabela 2.3).

De acordo com figura 3.18, quando se utilizam as expresses atualizadas

(tabelas 2.2 e 2.3 e expresso 2.14), em emissores estreitos, observa-se que a
medida em que a concentrao de dopantes aumenta, as curvas de nvel de mesma
eficincia passam a englobar intervalos mais amplos de concentrao de dopantes e
espessuras se comparados com os apresentados anteriormente na figura 3.13
(calculadas

utilizando

parmetros

internos

da

tabela

2.2),

ver

curva

correspondente eficincia de 25% no lado esquerdo superior da figura 3.18.

Por outro lado, a discrepncia no to pronunciada para emissores com
espessuras maiores que 4,0m, uma vez que as velocidades de recombinao de
superfcies convergem para valores muito prximos neste intervalo de espessuras
como mostra a figura 2.5.

105

3.5 CLULAS SOLARES COM EMISSORES DUPLAMENTE DIFUNDIDOS

VERSUS HOMOGNEOS, E SUAS APLICABILIDADES PRTICAS

De acordo com os resultados obtidos, as mximas eficincias encontradas

nas otimizaes realizadas para as clulas solares de laboratrio com os emissores
duplamente difundidos, situam-se, , entre 26,0% a 25,7% para um amplo intervalo
de concentraes de dopantes na faixa de 1x1018cm-3 a 1x1019cm-3 com espessuras
entre 0,5m a 10m. Enquanto que os dispositivos completos com emissores
homogneos (clulas solares de laboratrio) alcanam valores de eficincia da
ordem de 25,5%, inferiores em apenas 0,5% (valor absoluto).
Assim, a principal vantagem dos emissores homogneos em relao aos
duplamente difundidos consiste no fato de possurem uma tecnologia de fabricao
mais simplificada sem uma perda significativa em sua eficincia.
Devido a este fato, os emissores duplamente difundidos na maior parte das
vezes ainda so empregados em clulas solares de laboratrio e os emissores
homogneos ainda predominam no mbito de produo industrial.
Do ponto de vista industrial, uma vez que as clulas solares necessitam de
contatos metlicos de baixo custo, na maioria das vezes utiliza-se pasta de Ag
depositada atravs de serigrafia. Este fato faz com que a resistncia especfica de
contato seja mais elevada do que a apresentada nos contatos de Ti-Pd-Ag utilizados
em clulas solares de laboratrio, impondo a necessidade de emissores com uma
resistncia de folha inferior a otimizada de 100/. Por esta razo, em geral os
emissores das clulas industriais possuem uma resistncia de folha entre 40/ e
60/[56,57, 58].
Por outro lado, muitos esforos tm sido realizados com o intuito de
implementar clulas solares com emissores duplamente difundidos em processos de
fabricao necessariamente simplificados, atravs da utilizao de pastas de prata
contendo dopantes, sendo esta, a forma mais simples de obteno de uma maior
dopagem na regio sob os dedos, sendo realizada concomitantemente com a
formao do contato Si-Ag.

106

3.6 CONCLUSO
Os emissores otimizados com perfil Gaussiano e passivados possuem
elevada qualidade, apresentando eficincia de coleo superior a 98% e reduzidas
densidades de corrente de recombinao, corroborando trabalhos anteriores[23].
Foram obtidos valores de densidade de corrente de recombinao total (regies
passivada e metalizada) em clulas solares com emissores homogneos iguais a
30fA/cm2 e a 12fA/cm2 em emissores duplamente difundidos.
A otimizao de estruturas completas n+p e n++n+p considerando o
ni=9,65x109 cm-3 e o conjunto de parmetros internos antes da re-adequao[33]
permitiu concluir que as eficincias alcanadas em dispositivos com emissores
duplamente difundidos, =26%, no so significativamente superiores s obtidas
com emissores homogneos, =25,5%, corroborando os resultados encontrados em
trabalhos anteriores[23].
A re-otimizao de clulas solares com emissores homogneos considerando
ni=9,65x109cm-3 e a re-adequao de parmetros[33] permitiu concluir que as
alteraes paramtricas realizadas praticamente no afetam aos emissores
suavemente dopados (Ns=1x1018cm-3 a 4x1018cm-3) ou aos altamente dopados e
espessos, Ns>2x1019cm-3. No entanto, foram encontradas algumas alteraes nas
regies delimitadas pelas curvas de eficincias mximas, , entre 25% e 25,5%,
verificando-se uma ampliao do intervalo de espessuras dos emissores e de suas
concentraes superficiais de dopantes.

107

CAPTULO 4 - PROCESSO SIMPLIFICADO DE CLULAS SOLARES

EFICIENTES EM SUBSTRATO Cz DE BAIXA RESISTIVIDADE

4.1 INTRODUO

A pesquisa no desenvolvimento de clulas solares de silcio de alto

rendimento no LME/EPUSP teve seu incio com a implementao de tecnologias
dependentes do armadilhamento de impurezas atravs da utilizao de estruturas
n+pp+ formadas pela difuso conjunta de fsforo/alumnio, pelo fato de serem menos
dependentes do grau de pureza dos produtos utilizados em sua fabricao.
A tecnologia de fabricao baseada na difuso de fsforo/alumnio (P/Al)
permite a obteno de emissores tipo n moderadamente dopados e espessos
otimizados, com resistncia de folha no entorno de 100/ atravs da difuso de
fsforo e ao mesmo tempo em que se realiza o armadilhamento de impurezas
atravs da difuso de alumnio[61,62]. Este fato possui extrema importncia, uma vez
que torna esta tecnologia menos dependente de processos de fabricao
ultralimpos, bem como de instalaes sofisticadas, permitindo alcanar eficincias
da ordem de 19%[62,63].
Contudo, a difuso de Al sobre toda a superfcie posterior representa um fator
limitante devido recombinao adicional provocada pela regio p+ e um
confinamento ptico no otimizado devido reduzida refletividade posterior interna,
b no entorno de 56%[64].

Outro ponto de destaque desta tecnologia reside no fato de que utilizando

concentraes reduzidas de fsforo obtm-se emissores moderadamente dopados,
com resistncia de folha da ordem 100/, impossibilitando assim a realizao do
armadilhamento de impurezas atravs da difuso de fsforo[8].
Assim, este captulo se subdivide em: a) anlise terica da eficincia de uma
estrutura n+pp+ com Al-BSF (back surface field) como funo do tempo de vida,
comprimento de difuso e espessura do substrato (item 4.2); b) estado da arte do
desenvolvimento de clulas solares dependentes do efeito de armadilhamento de
impurezas atravs do Al (item 4.3); c) implementaes das etapas de fabricao de

108

um processo simplificado utilizando substratos de Si Cz de baixa resistividade

(item 4.4) e d) caracterizao das clulas solares (item 4.5).
No item 4.6 se realiza uma breve comparao entre os dispositivos
processados no LME-EPUSP e por outros centros de pesquisa do pas, mostrandose as eficincias alcanadas e as tecnologias envolvidas.

4.2

ESTUDO

PARAMTRICO

DE

ESTRUTURAS

N+PP+

LIMITAES

IMPOSTAS POR ESTA TECNOLOGIA

Neste item os parmetros eltricos de sada (tenso de circuito aberto e a

eficincia) das clulas solares com estrutura n+pp+ com Al difundido formando o BSF
(back surface field) so analisados como funo da espessura e como funo da
razo entre o comprimento de difuso, Lb/espessura, W, utilizando o programa de
simulao PC1D[65].
A figura 4.1 mostra o circuito utilizado para realizar estas simulaes. Esta
estrutura se caracteriza por apresentar o dispositivo n+pp+ conectado a uma
resistncia srie, proveniente da grade metlica e do emissor, e uma resistncia em
paralelo. Um diodo, tambm conectado em paralelo, traduz a recombinao que
ocorre na zona de carga.
As regies que compem o dispositivo propriamente dito so: emissor n+,
base e regio p+. O emissor n+ otimizado com resistncia de folha de 100/ e um
perfil Gaussiano (dopado com fsforo) foi considerado. Admitiu-se uma velocidade
de recombinao frontal de 3000cm/s caracterstica de superfcies texturizadas[31] e
as refletividades interna posterior, frontal interna e frontal externa iguais a 56%[64],
86%[64] e 3,5%, respectivamente.
A base foi suposta com uma resistividade de 1.cm com espessura de
300m e uma velocidade de recombinao efetiva posterior de 2050cm/s[66].
A regio p+ foi considerada contabilizando uma recombinao banda a banda
elevada Bn=4x10-11cm3/s em uma regio de 8,5m (espessura tipicamente
encontrada aps a difuso do Al)[66]. Embora este tipo de recombinao no silcio,
que um semicondutor caracterizado por transies indiretas, seja pouco provvel,

109

um coeficiente Bn, mais elevado, pode ser associado aos centros de recombinaes
produzidos pela presena de impurezas, uma vez que estas so armadilhadas
durante a difuso do Al.
Um resumo dos parmetros de entrada necessrios para levar a cabo as
simulaes tericas desejadas apresenta-se na tabela 4.1 seguindo a ordem em que
so solicitados pelo programa.

Figura 4.1: Estrutura utilizada na realizao de simulaes das estruturas n+pp+ com
o programa PC1D. Pode-se dividir a clula solar em trs distintas regies: a) emissor
n+, b) base tipo p e c) regio p+ com Al difundido onde o coeficiente de
recombinao banda a banda torna-se mais elevado (Bn=4x10-11 cm3/s).

Tabela 4.1 - Parmetros de entrada utilizados nas simulaes com o programa

PC1D. O dispositivo simulado possui rea til de 4cm2.
Parmetro

Especificaes

Estrutura da Clula

n+pp+

Espessura/ resistividade de base

300m/ 1.cm

Texturizao

Superfcies: frontal e posterior

Refletividades frontais: externa e interna

3,5% e 86%

Refletividade interna posterior

56% (difuso de Al a 1000oC por 3h)[64]

Resistncia srie/resistncia em paralelo

0,4 (grade metlica) /

ni

9,65x109 cm-3

emissor n+ (perfil Gaussiano)

Ns=1,2x1019cm-3, W e=1,2m,

regio p+

Ns=2x1019 cm-3, 8,5m [66]

vol

(varivel)

Sfrontal / Sefpost

3000cm/s[31] / 2050cm/s[66]

110

As figuras 4.2 e 4.3 mostram os parmetros eltricos (Voc e ) resultantes da

estrutura n+pp+ (Al-BSF) com resistividade de base 1.cm como funo da razo
entre a espessura e o comprimento de difuso.
De acordo com a figura 4.2 quando a razo Lb/W mantm-se no entorno de 1,
ou seja, Lb da ordem da espessura da lmina (b>20s), a tecnologia de P/Al (n+pp+)
no permite ultrapassar 630mV. Ao mesmo tempo, quando o volume do dispositivo
possui tempo de vida maior que 200s, ou seja Lb/W>2,5, as tenses de circuito
aberto encontram-se limitadas em 635mV 640mV.
Analisando-se as eficincias encontradas nestes dispositivos (figura 4.3)
pode-se observar que o limite superior deste parmetro est entre 19,6%-19,8%
para razes Lb/W maiores que 1,7 correspondendo a tempos de vida de portadores
minoritrios no volume na ordem de 100s.

Voc (mV)

650,0

600,0

550,0

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

7,0

8,0

Lb/W (m)

Figura 4.2: Tenso de circuito aberto de clulas solares com estrutura n+pp+ com AlBSF em substratos com espessura de 300m (=1.cm) como funo da razo
entre o comprimento de difuso e a espessura (Lb/W) para a velocidade de
recombinao posterior efetiva de Sefpost=2050 cm/s[66] (rea til 4cm2).

111

20,0
19,0
18,0
17,0

(%)

16,0
15,0
14,0
13,0
12,0
11,0
10,0
0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

6,0

7,0

8,0

Lb/W

Figura 4.3: Eficincia de clulas solares com estrutura n+pp+ com Al-BSF em
substratos com espessura de 300m como funo da razo entre o comprimento de
difuso e a espessura (Lb/W) para a velocidade de recombinao posterior efetiva de
Sefpost=2050 cm/s[66] (rea til 4cm2).

4.3 ESTADO DA ARTE: CLULAS SOLARES DEPENDENTES DO EFEITO DE

ARMADILHAMENTO DE IMPUREZAS ATRAVS DA DIFUSO DA Al

No trabalho da Dissertao de Mestrado[23], utilizando-se substratos de silcio

FZ e tipo p com resistividade 0,5.cm foram desenvolvidas estruturas n++n+pp+
utilizando a tecnologia planar tendo-se alcanado eficincias da ordem de 17%
(16,9+0,3% em medida realizada no National Renewable Energy Laboratory
NREL). A escolha do substrato de silcio FZ baseou-se na necessidade de
implementao desta tecnologia utilizando inicialmente substratos de elevada
qualidade, visando uma posterior transposio para substratos de menor custo, Cz.
Nestes dispositivos, os emissores seletivos n++n+, conforme mostrados na
figura 4.4, e visando a realizao de processos de baixo custo foram formados

112

atravs da difuso de fsforo na regio passivada seguido por uma implantao

inica sob a regio metalizada. As concentraes superficiais de dopantes e as
espessuras de ambas as regies (metalizada e passivada) foram obtidas,
Ns=6x1018cm-3 e Ns=2x1019cm-3, e espessura W e=0,8m para ambas as regies.
A regio posterior p+ era formada atravs da deposio 2,0m de Al seguida
por uma etapa de redistribuio realizada em forno de tubo aberto. Os contatos
metlicos de Ti-Pd-Ag foram realizados atravs de e-beam e espessados por
galvanoplastia.
Este processo foi desenvolvido utilizando gases e reagentes qumicos de
baixo custo, sendo que a sinterizao dos contatos metlicos realizou-se utilizando
N2 ao invs de Forming Gas (FG), fato este que limitou o rendimento a ser
alcanado, conforme ser demonstrado no captulo 5.
Atravs da utilizao das estruturas representadas na figura 4.4 e como
produto do trabalho realizado na Dissertao de Mestrado obteve-se a clula N-7-2,
como representativa da tecnologia desenvolvida, apresentando os seguintes
parmetros eltricos, Jsc=33,67 mA/cm2, Voc=639,6 mV, FF=0,784 e =16,90,3% de
acordo com medida realizada pelo National Renewable Energy Laboratory (NREL),
conforme apresentado na figura 4.5.

Figura 4.4: Esquema simplificado da estrutura de fabricao das clulas solares com
emissores seletivos[23].

113

Cabe ressaltar a similaridade das medidas IxV realizadas no equipamento do

LME-EPUSP com as medidas pelo NREL, Jsc=33,37mA/cm2, Voc=639,4mV,
FF=0,780 e =16,7%, comprovando-se assim a alta confiabilidade deste sistema.
Ainda sob o ponto de vista de caracterizao, verificou-se com a medida de
eficincia quntica interna da clula solar N-7-2 a elevada qualidade do emissor
associada tecnologia desenvolvida, tendo apresentado uma eficincia quntica
interna de Qi()(=400nm)92%.

Figura 4.5: Curva IxV sob iluminao padro (AM1,5G) da clula N-7-2 realizada
pelo National Renewable Laboratory (NREL)[23].

De acordo com as simulaes tericas realizadas no item 4.2 deste captulo,

uma eficincia da ordem de 19,8% em substratos de 1.cm poderia ser alcanada
com esta tecnologia de fabricao, desde que o tempo de vida no volume fosse

114

mantido/recuperado pelo gettering para valores da ordem de 100s e caso a

velocidade de recombinao na superfcie frontal fosse mantida na faixa dos
3000cm/s. Concomitantemente, utilizando a mesma tecnologia, n+pp+, em outros
centros de pesquisas obteve-se experimentalmente, com esta mesma estrutura, a
eficincia de =19%[62,63], corroborando os resultados das simulaes tericas.
Assim, a diferena entre a eficincia alcanada, =17% e o valor mximo
experimental, =19% pode ser atribudo a vrios fatores, descritos a seguir.
No caso da clula solar N-7-2 o passo de implantao inica no produziu a
melhoria esperada, devido reduzida concentrao superficial de dopantes sob a
grade metlica, Ns=2x1019 cm-3. Este fato fez com que a caracterstica dos
emissores duplamente difundidos no fosse to eficaz quanto poderia, conforme
discutido no captulo 3.
Ao mesmo tempo, o fator de sombreamento da grade metlica tambm no
era otimizado, Fs aproximadamente de 8,5%, substancialmente superior aos valores
timos, aproximadamente 3%, apresentados no captulo 3 (ver figura 3.5).
No entanto, a obteno de eficincias da ordem de 17% em dispositivos
completamente processados dentro do pas em meados de 1995 representou um
grande marco para a pesquisa no setor fotovoltaico brasileiro. Esta afirmao vem
corroborada pelo fato que alguns anos mais tarde, 2001, outro centro de pesquisa,
PUC-RS, utilizando a mesma tecnologia de fabricao que o LME/EPUSP (P/Al)
atingiu a mesma eficincia em seus dispositivos, de 17% em substratos de silcio Cz
com resistividade de =30-40.cm, obtendo uma premiao; XVIII Prmio Jovem
Cientista, outorgada pelo CNPq pelo trabalho desenvolvido[26].
A partir dos resultados obtidos com o processo de fabricao descrito
anteriormente (clula solar N-7-2) estabeleceu-se que o trabalho experimental nesta
tese deveria ter continuidade com o desenvolvimento de um processo de fabricao
mais simplificado, mas tambm de baixo custo (gases industrias e reagentes
qumicos de grau P. A.) e que ao mesmo tempo permitisse a obteno de eficincias
elevadas em substratos de Si tipo Cz com resistividade =23.cm, material
tipicamente utilizado pelas indstrias fotovoltaicas por possurem menor custo.
Cabe destacar que, quando se especifica um silcio para a fabricao de
clulas solares como um material de baixo custo, este deve levar implcito que suas
caractersticas esto respaldadas por uma elevada produo dirigida indstria

115

fotovoltaica, incluindo, neste sentido tambm, a resistividade do material.

Atualmente, o menor custo de produo para o silcio monocristalino vem sendo
obtido em material de tipo Cz de baixa resistividade.
Por outro lado, o material Cz se caracteriza por possuir uma maior
concentrao de impurezas, e, portanto, est sujeito a uma maior degradao por
efeitos trmicos, impondo a necessidade de algumas adaptaes nas etapas de
fabricao destes dispositivos.
Os detalhes de fabricao e as caracterizaes de uma clula solar
representativa deste processo com rendimento (17%) mostram-se nos itens a
seguir.

4.4 DESENVOLVIMENTOS EXPERIMENTAIS

A seguir descrevem-se as etapas experimentais necessrias para a

fabricao de clulas solares com silcio Cz de baixa resistividade, tais como,
texturizao qumica, pr-deposio de fsforo seguida por oxidao trmica e
difuso do alumnio, adaptao de um novo conjunto de fotomscaras para o
processamento de dispositivos para a utilizao da tecnologia de fabricao tipo
mesa.

4.4.1 CONJUNTO PTICO (TEXTURIZAO E CAMADA ANTI-REFLETORA

Com o intuito de minimizar as perdas por reflexo, elevar a densidade de

corrente de curto-circuito, e ao mesmo tempo desenvolver um processo com custos
reduzidos, optou-se por utilizar um conjunto ptico similar ao utilizado no processo
de fabricao desenvolvido para a clula solar N-7-2[23]. Este conjunto se constitui
por uma texturizao qumica e uma camada anti-refletora de SiO2 obtida por
oxidao trmica em fornos de tubo aberto convencionais.

116

4.4.1.1 Texturizao qumica

A texturizao qumica aleatria amplamente utilizada nos processos

industriais devido facilidade de sua implementao e o seu custo reduzido. Este
processo caracteriza-se pela imerso da lmina em uma soluo qumica praquecida composta por gua DI, KOH (hidrxido de potssio) ou NaOH (hidrxido de
sdio), e lcool isopropanol. Quando submersa a lmina de Si com orientao
<100> na soluo, realiza-se um ataque anisotrpico na sua superfcie, devido
diferena de taxa de ataque entre os planos <111> e <100>.
O processo de texturizao qumica anteriormente utilizado[23], embora
propiciasse excelente ataque e uniformidade de tamanho das pirmides envolvia um
tempo longo de texturizaes qumicas, otimizado em 112min. No citado trabalho, as
texturizaes qumicas otimizadas foram obtidas com uma soluo 5g de KOH
(hidrxido de potssio), 37,5ml de isopropanol, 500ml de gua DI a uma temperatura
de 80oC. Objetivando melhorias no processo de nucleao nas regies danificadas
da rede cristalina optou-se por uma prvia preparao da superfcie atravs do
crescimento qumico de um xido delgado, aps permanncia em uma soluo
sulfocrmica (Cr2O3). A oxidao da superfcie, seguida pela sua remoo
imediatamente antes do processo de texturizao, garantia uma excelente
uniformidade das pirmides.
Nesta tese de doutorado, visando otimizar o tempo utilizado nesta etapa de
processo, introduziu-se um processo de texturizao qumica constitudo por duas
etapas: a) pr-texturizao e b) texturizao.
A pr-texturizao realiza-se atravs da imerso da lmina em uma soluo
composta por 1 KOH : 2 H2O DI aquecida a uma temperatura de 98oC. Esta etapa
tem por finalidade eliminar possveis imperfeies e defeitos introduzidos pelo corte
das lminas. Estudos realizados sobre a uniformidade da superfcie aps a etapa de
texturizao qumica em funo dos tempos de pr-texturizao mostram que um
tempo mnimo de 30 segundos se torna necessrio.
A soluo qumica utilizada na etapa de texturizao propriamente dita se
constitui por 15g de KOH, 500 ml de gua DI e 2g de Si, devendo ser previamente
aquecida a 75oC.

117

Uma vez preparada esta soluo, 15ml de isopropanol devem ser adicionados
antes de cada reutilizao da mesma. O processo de texturizao da superfcie dura
cerca de 30 min (tempo otimizado). As principais vantagens desta soluo so a
eficcia no seu reaproveitamento e o reduzido tempo de ataque (sendo necessrio
apenas adicionar a mesma quantidade de isopropanol antes de sua reutilizao).
As otimizaes de tempo de processo e da temperatura foram obtidas
visando alcanar uma boa uniformidade, mantendo a altura da pirmides em valores
da ordem de 4-5m.
Na figura 4.6 apresenta-se uma fotografia da superfcie texturizada de Si com
orientao <100>, obtida atravs do microscpio eletrnico de varredura (MEV), com
a ampliao de 2500 vezes. No caso da amostra fotografada utilizou-se um tempo
de pr-texturizao otimizado (30 segundos) e um tempo de texturizao de 30min
tendo-se obtido pirmides da ordem de 4-5m, entretanto, valores de 2-3m
puderam ser facilmente obtidas.

Figura 4.6: Micrografia obtida utilizando o microscpio eletrnico de varredura (MEV)

de uma superfcie texturizada de Si com orientao <100> utilizando o processo
otimizado.

118

4.4.1.2 Camada anti-refletora simples: dixido de silcio

As camadas anti-refletoras constituem-se de filmes dieltricos com ndice de

refrao intermedirios entre os ndices do ar e do silcio, nar=1 e nSi=3,85, fazendo
com que a mudana de meio no seja abrupta, permitindo uma reduo nas perdas
por reflexo. A otimizao de camadas anti-refletoras realizada em trabalhos
anteriores[23] indica a necessidade de um filme com espessura de 1100 quando
utilizada uma camada anti-refletora simples de dixido de silcio.
Com o intuito de demonstrar a reduo das perdas propiciadas pelo sistema
ptico, duas amostras, uma com superfcie polida e a outra com superfcie
texturizada, foram submetidas a uma oxidao seca utilizando a temperatura de
1000C durante 150min, e caracterizadas quanto a sua refletividade.
Na figura 4.7 apresentam-se as curvas de refletividade hemisfrica em funo
do comprimento de onda da luz incidente utilizando o espectrofotmetro marca
Varian, Cary 2315 (medida realizada no LME-EPUSP) referentes s superfcies;
polida, texturizada, polida + 1173 de SiO2 e texturizada + 1173 SiO2.

Superfcies
silcio polido
aps texturizao qumica
1173 de SiO2 sobre sup. polida
1173 de SiO2 sobre sup. texturizada

0.6

0.5

R()

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0
0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

(nm)

Figura 4.7: Medida de refletividade hemisfrica como funo do comprimento de

onda em diversos tipos de superfcie (polida e texturizada com e sem SiO2).

119

Nesta figura observa-se que o mnimo de refletividade atinge cerca de 0,1

(10%), mostrando a qualidade das texturizaes qumicas alcanadas. Ao mesmo
tempo, a camada anti-refletora de SiO2 sobre uma superfcie texturizada permitiu a
obteno de uma reduzida perda por reflexo atingindo valores inferiores a 16% no
intervalo de comprimento de onda =300nm a 400nm, e cerca de 0,1% para
>700nm.

Pode-se estimar a densidade de corrente de curto-circuito alcanada[23] para um

dado sistema ptico atravs da expresso (4.1).

J sc = q

F( )(1 R( ))Q i ( )d

(4.1)

onde q a carga do eltron, 1 e 2 so os limites inferior e superior dos

comprimentos de onda (no caso, =300 nm e 2=1100 nm), R() a refletividade
espectral da superfcie, Qi(), a eficincia quntica interna da clula e F(), o fluxo
de ftons normalizado para 100 mW/cm2.
Realizando-se o clculo da corrente de curto-circuito integrada, expresso
(4.1), para cada sistema ptico apresentado na figura 4.7, e considerando-se uma
curva de eficincia quntica interna de uma clula solar com tecnologia de
fabricao, similar N-7-2 (estrutura n+pp+)[63], pode-se realizar uma comparao
entre as densidades de correntes obtidas para cada conjunto ptico utilizado: a)
superfcie polida; b) superfcie polida com SiO2, c) superfcie texturizada e d)
superfcie texturizada com SiO2, como mostra a tabela 4.2. De acordo com esta
tabela, verifica-se que a introduo de uma superfcie texturizada aleatoriamente, no
conjunto ptico de um dispositivo completo representa um ganho na densidade de
corrente de curto-circuito superior ao apresentado por uma superfcie polida seguida
por oxidao trmica. O acrscimo na densidade de corrente atinge a marca de
33,6% quando o conjunto ptico se constitui de uma superfcie texturizada +1173
de SiO2.
Embora ganhos maiores pudessem ser atingidos[67] caso fosse utilizado um
sistema com duplas camadas, ZnS-MgF2, optou-se por manter a estrutura de
texturizao aleatria seguida por oxidao trmica como conjunto ptico dos

120

dispositivos processados nesta tese, devido sua simplicidade de implementao

no processo de fabricao de baixo custo.
Tabela 4.2 - Densidade de corrente de curto-circuito integrada utilizando as
refletividades apresentadas na figura 4.7 de cada sistema ptico estudado:
superfcie polida, superfcie polida +1173 de SiO2, superfcie texturizada e
superfcie texturizada + 1173 de SiO2. Apresentam-se os ganhos dos trs sistemas
pticos, caracterizados nesta tese em relao superfcie polida.

Sistema ptico

Jsc (mA/cm2)

Ganho em Jsc
(%)

polida

24,55

____

polida + 1173 de SiO2

32,75

25,0

texturizada

33,60

26,9

texturizada +1173 de SiO2

36,96

33,6

4.4.2 LIMPEZA QUMICA

Esta etapa apresenta-se como fundamental no processo de fabricao de

clulas solares uma vez que nas etapas subseqentes, as lminas so submetidas a
temperaturas elevadas. A eficcia de uma limpeza qumica est correlacionada com
a remoo de particulados, compostos orgnicos e metais.
As impurezas na superfcie do silcio ocorrem em trs formas: a) filmes
contaminantes (compostos moleculares, ons e espcies atmicas); b) partculas
discretas e c) gases adsorvidos[68].
Os

compostos

moleculares

consituem-se

de

partculas

adsorvidas,

provienentes de vapores orgnicos (tais como fotoresiste, solventes, embalagens,

xidos metlicos e hidrxidos).
Ao mesmo tempo, os ons (tais como o sdio, ons de fluoreto e ons de cloro)
e as espcies atmicas (geralmente metais: Au, Cu, Co e etc.) tm fundamental

121

importncia em processos trmicos realizados com temperaturas elevadas, uma vez

que devido sua mobilidade podem migrar facilmente para o volume do silcio
degradando o seu tempo de vida[68,

69]

. A profundidade de penetrao destes

elementos depende do coeficiente de difusidade de cada elemento e da temperatura

a que so submetidos[68].
O procedimento de limpeza RCA padro divide-se em trs etapas: a)
piranha, b) RCA1 e c) RCA2.
O primeiro, uma mistura de H2SO4/H2O2, geralmente empregado quando
existe uma contaminao excessiva de compostos orgnicos, consiste na imerso
das lminas em uma soluo de H2SO4 e H2O2 (3:1), a uma temperatura de 105oC
durante 15 minutos, seguida por um dip (imerso) em HF e enxague durante 5
minutos em gua DI. Este dip inicial em HF permite a remoo do xido formado
quimicamente, removendo concomitantemente algumas das impurezas presentes na
superfcie da lmina.
A limpeza RCA1, composta por uma soluo de gua DI, NH4OH e H2O2
(5:1:1), se realiza a uma temperatura de 75oC. Em seguida as lminas so
enxaguadas durante 5 minutos em gua DI, com posterior dip em uma soluo de
NH3 e HF (25:4), finalizando com um novo enxague de 5min em gua DI. Durante
esta etapa removem-se os compostos orgnicos presentes nas superfcies das
lminas, alguns metais do grupo IB e IIB, e outros incluindo Au, Ag, Cu, Ni, Cd, Zn,
Co e Cr[68]. Basicamente o processo de remoo dos contaminantes ocorre atravs
de dois modos diferentes: a) o crescimento de um xido obtido quimicamente devido
reao com o perxido de hidrognio, acarretando no levantamento das partculas
e ao mesmo tempo facilitando a sua remoo por agitao e b) por repulso
eletrosttica, onde superfcie e partculas tornam-se carregadas negativamente.
A ltima etapa de limpeza, conhecida como RCA2, se caracteriza pela
remoo de compostos metlicos (Al, Fe e Mg) provenientes da prpria superfcie da
lmina ou remanescentes na mesma dependendo do grau de pureza dos produtos
qumicos utilizados na etapa anterior. A soluo qumica da limpeza denominada
RCA2 compe-se por: gua DI, H2O2 e HCl nas propores (5:1:1), e se realiza a
uma temperatura de 80oC durante 15 minutos. Em seguida, as lminas so
enxaguadas durante 5 minutos em gua DI, seguidas por imerso durante 30
segundos em HF e submetidas a um novo enxge de 5 minutos na gua DI. Nesta

122

ltima etapa, os ons so removidos aps reagirem com os tomos de cloro,

formando hidrxidos solveis.
Finalizando o processo de limpeza qumica, secam-se as lminas com N2
sendo encaminhadas para a etapa de deposio de Al na superfcie posterior.
Cabe ressaltar que o dip final em HF aps a etapa RCA2 possui a
importantssima tarefa de remover algumas das impurezas, ainda remanescentes na
superfcie da lmina.
De acordo com um estudo comparativo entre as seqncias de limpeza com e
sem o dip final em HF[70], mostrou-se que as quantidades de impurezas como Ca,
Ti, Cr, Fe e Zn reduziam-se consideravelmente quando a finalizao da limpeza
realizava-se com dip em HF, conforme apresenta-se na tabela 4.3 [70].
Tabela 4.3 - Comparao entre as impurezas remanescentes sobre a superfcie da
lmina utilizando dois diferentes procedimentos de limpeza: 1) Piranha+ dip em HF
+RCA+enxague em gua DI e 2) Piranha+ dip em HF+ RCA + dip em HF[70].
TXRFA Convencional
10

10 tomos/cm

TXRFA Convencional
10

10

tomos/cm

LD

procedimento 1

procedimento 2

<LD

<LD

1000

<LD

<LD

70

Ca

70+30

50+45

40

Ti

40+20

<LD

20

Cr

20+10

<LD

10

Mn

<LD

10+9

Fe

45+8

<LD

Co

<LD

11+6

Ni

<LD

<LD

Cu

10+8

4+3

Zn

54+4

<LD

123

Nesta tabela mostram-se as concentraes de impurezas superficiais obtidas

pela tcnica de caracterizao TRXFA (Total Reflection X-Ray Fluorescence
Analysis) em lminas limpas sem o dip final em HF (procedimento 1) e incluindo o
dip final em HF (procedimento 2), e o limite de deteco desta tcnica (LD)
(medidas realizadas no LSI-EPUSP).
A limpeza RCA realizada nos dispositivos de elevado rendimento do LME
caracteriza-se por utilizar reagentes qumicos nacionais de grau de pureza inferior
(para anlise), permitindo uma considervel reduo de custos, cerca de 11 vezes
inferior ao montante que seria gasto caso fossem utilizados produtos de grau CMOS. Esta etapa se realiza em uma sala de limpezas qumicas com diversas
capelas com fluxo laminar abastecidas com um sistema de gua deionizada que
permite atingir a resistividade de 18M.cm, (figura 4.8).
No entanto, os reagentes qumicos de grau de pureza P. A. nacionais
apresentam apenas algumas impurezas com quantidade controlada, respeitando as
normas da American Chemical Society specifications[71,72]. A tabela 4.4 mostra as
especificaes necessrias para trs dos principais reagentes qumicos utilizados na
etapa de limpeza qumica RCA padro.

Figura 4.8: Sala de limpezas qumicas do Laboratrio de Microeletrnica (LMEEPUSP).

124

Tabela 4.4 - Especificaes de anlise de concentrao de impurezas exigidas pela

American Scientific Society de trs dos reagentes qumicos com grau P.A[71,72],
utilizados na limpeza qumica inicial RCA.
H2O2

NH4OH

HCl

Amnio

<05ppm

No exigida

<03ppm

Arsnio

No exigida

No exigida

<0,01ppm

Brometo

No exigida

No exigida

0,005%

Cloretos

<0,3ppm

<0,5ppm

No exigida

Cloro Livre

No exigida

No exigida

<01ppm

Dixido de Titnio

No exigida

<0,002%

No exigida

Enxofre Total

No exigida

<02ppm

No exigida

Ferro

<0,5ppm

<0,2ppm

<0,2ppm

Fosfatos

<02ppm

<02ppm

No exigida

Metais Pesados

<01ppm

<0,5ppm

<01ppm

Nitratos

<02ppm

No exigida

No exigida

Resduo de Evaporao

<0,002%

No exigida

No exigida

Resduo de Ignio

No exigida

0,0018%

<05ppm

Subst. Org. Extraveis

No exigida

No exigida

<05ppm

Sulfatos

<05ppm

No exigida

<01ppm

Sulfitos

No exigida

No exigida

<01ppm

4.4.3 DEPOSIO DE ALUMNIO E OBTENO DA REGIO POSTERIOR

p+(BSF)

A infra-estrutura da sala de metalizao do LME conta com diferentes

equipamentos que permitem a deposio de Al: evaporadoras trmicas, e-beam
sputtering e magnetron sputtering, instalados em uma sala denominada sala de
deposies, como mostra a figura 4.9.

125

(a)

(b)

Figura 4.9: Sala de deposies do LME: (a) evaporadora trmica, e-beam e

sputtering, (b) magnetron sputtering.

No processo utilizado na fabricao da clula solar N-7-2[23], aps a

deposio de Al sobre toda a superfcie posterior da lmina realiza-se a etapa de
redistribuio utilizando um forno de tubo aberto. O tempo e a temperatura desta
etapa devem ser escolhidos de forma que seja garantida a formao de uma regio
BSF eficiente permitindo ao mesmo tempo que o alumnio realize uma significativa
reduo das impurezas indesejadas e provenientes das paredes do tubo e da
utilizao de insumos de baixo custo, tais como gases industriais e reagentes
qumicos de grau de pureza P.A.
O processo de formao da regio p+ tem o seu incio em temperaturas
superiores a 577o C, ponto em que o alumnio torna-se lquido e migra para o
interior do silcio, realizando o armadilhamento de impurezas. No incio do processo
de resfriamento o excesso de silcio se recristaliza formando uma camada epitaxial
p+ e quando a temperatura de resfriamento atinge valores inferiores a 577oC, ocorre
a formao de Si-Al euttico, como pode ser visto na figura 4.10[66].
Assim, utilizando um dos equipamentos disponveis no LME-EPUSP e um
alvo com grau de pureza elevada 99,999% deposita-se 2,0m de Al sobre toda a
superfcie posterior da lmina. Em particular, no processo de deposio de Al
seguido no lote da clula solar A-16-1 (processo simplificado), descrita neste
trabalho utilizou-se o magnetron sputtering, tendo sido obtendo-se uma excelente
uniformidade superficial.
Visando submeter a lmina a uma menor carga trmica e ao mesmo tempo
garantir o armadilhamento de impurezas atravs da difuso do alumnio com

126

qualidade, optou-se por realizar a redistribuio na temperatura de 1000oC durante 3

horas.

T>577 C

Figura 4.10: Processo de formao da regio p+ na regio posterior da clula solar:

(a) Al depositado sobre toda a regio posterior; (b) incio da formao da regio p+
(Al em sua forma lquida sendo difundindo); (c) incio do processo de resfriamento
(formao das camadas p+ difundida e epitaxial), e (d) processo de resfriamento
quando o forno atinge temperaturas inferiores a 577oC (formao da regio de Al-Si
euttico)[66].

A caracterizao do perfil de alumnio aps a etapa de redistribuio foi

realizada atravs da tcnica SIMS com a colaborao do ICT-IRST, como mostra a
figura 4.11.
A medida foi realizada com o equipamento CAMECA Sc-Ultra, com feixe
primrio de O+, com energia de impacto 5keV, sendo o limite de sensibilidade da
ordem de 1x1017 tomos/cm3. Embora a quantificao tenha sido realizada
utilizando-se um padro com certificado, a elevada rugosidade da superfcie (maior
que 100nm) fez com que o perfil se tornasse apenas uma anlise qualitativa.

127

Concentrao de Al (at/cm )

20

10
19

10
AL

18

10
17

10
16

10
0

500

1000

1500

2000

Profundidade (nm)

Figura 4.11: Concentrao de Al em funo da profundidade em um substrato de Si

com resistividade 2-3.cm medida pela tcnica SIMS realizada no ITC-IRST.

Na figura 4.11 pode ser observado que o perfil se assemellha ao assumido

por uma funo de tipo erfc e com a profundidade algo superior a 2000nm (2,0m),
conforme esperado[61].
Por outro lado, neste perodo, a tcnica PCD ainda no se encontrava
disponvel no laboratrio do LME-EPUSP, impossibilitando a quantificao do efeito
do armadilhamento de impurezas sobre o tempo de vida do volume do substrato e
produzido pelo alumnio.

4.4.4 FORMAO DE EMISSORES OTIMIZADOS EM CLULAS SOLARES

(TECNOLOGIA PLANAR E MESA)

Os emissores n+ otimizados, com resistncia de 100/ e perfs Gaussianos

foram realizados em fornos de tubo aberto utilizando fonte lquida de fsforo (POCl3)
a 28oC. A formao destes emissores pode ser dividida em duas etapas: a) prdeposio e b) redistribuio dos tomos de fsforo.
O processo descrito na tabela 4.5, se inicia com a formao de uma fina

128

camada de dixido de silcio em ambiente de O2 a 6% de fluxo em N2, em seguida

se realiza a etapa de pr-deposio propriamente dita com o fluxo de 0,05% de N2
atravessando uma fonte lquida de POCl3. Na fase final se realiza uma oxidao
trmica em ambiente de O2 durante 10min, seguida por 10 minutos em ambiente de
N2, visando a densificao da camada delgada do xido formado. Esta camada tem
como finalidade principal passivar a superfcie frontal do dispositivo.
No entanto, em alguns processos de fabricao pode-se optar pela remoo
deste xido contendo fsforosilicato, incluindo-se uma etapa de passivao atravs
de um novo filme de dixido de silcio obtido, com ou sem aditivos clorados a
temperaturas elevadas (T>1000oC), ver captulo 5.

Tabela 4.5 - Etapa de processo de fabricao: pr-deposio.

Etapa

Tempo (min)

gases

entrada

6% de O2 em fluxo de N2

permanncia

6% de O2 em fluxo de N2

pr-deposio

10

6% de O2 em fluxo de N2,
N2(POCl3) 0,05% - T(POCl3)=28oC

oxidao

10

fluxo de O2

permanncia

10

fluxo de N2

Sada

fluxo de N2

A etapa subsequente consiste na redistribuio dos tomos de fsforo. Em

processos de baixo custo esta redistribuio, se realiza conjuntamente com a
formao da camada anti-refletora de SiO2 com espessura aproximada de 1100 a
temperaturas da ordem de 1000oC em ambiente de O2, seguida pela densificao do
filme durante 10 minutos com fluxo de N2. No entanto, o tempo de permanncia em
ambiente de O2 depender da utilizao, ou no, de aditivos clorados, devido
maior taxa de crescimento neste tipo de ambiente.
Assim, o tempo de permanncia das lminas no forno e as temperaturas
sero dependentes da densidade de dopagem superficial, e profundidade da juno
desejadas que conduzem resistncia de folha projetada para o emissor; sendo

129

necessrio algumas vezes complementar o tempo de permanncia em ambiente de

N2. Visando a obteno de um emissor otimizado, devem ser levados em conta
ainda, a obteno de uma passivao superficial eficiente e o tipo de camada antirefletora a ser utilizada.
A figura 4.12 mostra fotografias em seqncia: a) dos fornos convencionais
de tubo aberto do LME, b) do procedimento de insero das lminas no forno, e c)
de um forno aquecido para uma temperatura de 1000oC (utilizada na etapa de
redistribuio).
Os diversos fornos existentes no LME esto dedicados s otimizaes das
diversas etapas necessrias para a fabricao de diversos tipos de clulas solares,
sejam elas baseadas em diferentes tipos de bases (n ou p), emissores de fsforo
moderadamente dopados ou saturados, ou emissores de boro otimizados, enfim,
fornos que permitem o desenvolvimento de clulas solares monofaciais, bifaciais
(que permitem a iluminao de ambos lados), ou clulas que trabalhem sob
concentrao luminosa. Deve-se portanto destacar da estrutura do LME a existncia
de fornos especficos para a realizao de etapas que podem configurar diversos
processos de fabricao: oxidao trmica mida, oxidao trmica com e sem
aditivos clorados, pr-deposio de fsforo, redistribuio dos tomos de fsforo ou
alumnio, emissores de fsforo saturados, emissores de boro, sinterizao de
contatos metlicos em ambiente de forming gas ou N2, etc..

(a)

(b)

(c)

Figura 4.12: Fotografias: (a) do conjunto de fornos das salas limpas do LME; (b)
insero de lminas no forno e (c) realizao da nica etapa de alta temperatura do
processo desenvolvido.

130

4.4.5 CONJUNTO DE FOTOMSCARAS E REESPESSAMENTO DO COLETOR

PRINCIPAL

No que concerne seqncia de mscaras utilizadas foi realizada a

implementao do conjunto de mscaras projetado por M. Cid e C. A. S. Ramos
diferindo, portanto das mscaras utilizadas em trabalhos anteriores[23]. Com a
introduo deste novo conjunto de mscaras o fator de sombreamento aps a etapa
de espessamento da Ag nos contatos metlicos foi reduzido para Fs=6,7% (clula
solar A-16-1), enquanto a clula solar N-7-2 apresentava um fator de sombreamento
de 8,5%. Em alguns casos, introduziu-se a etapa de re-espessamento do coletor
principal visando minimizar a resistncia srie introduzida pelo bus-bar, fato que
implica na necessidade de uma fotomscara adicional.
A figura 4.13 uma fotografia com a viso frontal da clula A-16-1 fabricada
utilizando o conjunto de fotomscaras implementado.

Figura 4.13: Fotografia da clula solar A-16-1 aps espessamento da grade

metlica. Dimenses do dispositivo: 2,54cmx2,54cm e rea til de 4cm2.

De acordo com os testes de espessamento realizados por eletrlise,

utilizando-se uma corrente de 3mA durante um tempo de 10min obtiveram-se
valores mdios de 39m como largura final das linhas metlicas com altura da
ordem de 11m. Por outro lado, o coletor principal atingiu uma altura mdia de
19,5m aps o re-espessamento.
A necessidade de implementar um processo de fabricao de baixo custo
imps a utilizao da tecnologia mesa, na fabricao das clulas solares, com a
conseqente necessidade de proteger sua rea ativa com fotoresiste sobreposta

131

pela aplicao de Apiezon (resina) seguida por ataque qumico da juno pn com
CP4 (15HNO3: 2HF: 15CH3COOH).
Cabe ressaltar que a remoo da juno nas regies no desejadas dos
dispositivos em um processo de fabricao industrial comumente se realiza atravs
de um sistema de ataque baseado em plasma, onde apenas as regies de borda
so atacadas, evitando, portanto a necessidade de fotogravaes e limpezas
qumicas adicionais.

4.5 IMPLEMENTAO DO PROCESSO DE FABRICAO DE CLULAS

SOLARES EM SUBSTRATO Si-Cz COM INSUMOS DE BAIXO CUSTO.

Visando desenvolver uma tecnologia de fabricao de clulas solares para

substratos Cz de baixa resistividade, tipicamente utilizados pela indstria
fotovoltaica, atravs de um processo de baixo custo (gases industriais e reagentes
qumicos P.A.), e compatvel com as caractersticas deste material redesenhou-se o
processo de fabricao utilizado na fabricao da clula solar N-7-2, reduzindo-se a
carga trmica envolvida.
Assim, considerando-se que o material Cz se caracteriza por possuir uma
maior quantidade de defeitos associados e maiores concentraes de oxignio e
carbono[73,74], o substrato deveria ser submetido a um menor nmero de etapas com
temperatura elevada (realizadas em fornos convencionais de tubo aberto).
Os dispositivos foram processados utilizando substratos de silcio Cz, com
orientao <100>, espessura de aproximadamente 270m e resistividades de base
de aproximadamente 2.cm (tipicamente utilizados pela indstria fotovoltaica) com a
seguinte estrutura: lminas com camada anti-refletora (superfcie texturizada com
camada anti-refletora/passivadora de SiO2), emissores homogneos de fsforo e
regio posterior p+ de alumnio ocupando toda a superfcie posterior. Um esquema
simplificado da estrutura apresenta-se na figura 4.14, sendo que as etapas do
processo de fabricao destes dispositivos encontram-se resumidas na tabela 4.6 e
na figura 4.15.
De acordo com a tabela 4.6 e a figura 4.15, aps a texturizao, as lminas
passaram por uma limpeza RCA completa utilizando produtos qumicos P. A., e

132

depositaram-se 2m de Al sobre toda a superfcie posterior. Na seqncia, as

lminas foram submetidas etapa de pr-deposio de fsforo (fonte lquida)
temperatura T=850oC. Elevando a temperatura do forno para 1000oC realiza-se a
oxidao trmica durante 135minutos que completa a estrutura ptica do dispositivo
(etapa 5 do processo de fabricao, sem a utilizao de aditivos clorados),
permitindo a obteno de um filme de SiO2 de aproximadamente 1100, que atua
como camada passivadora e anti-refletora concomitantemente. No entanto, cabe
ressaltar que para o caso da clula (A-16-1) a espessura da camada de SiO2 no
est otimizada segundo processo anteriormente implementado[23],1310, resultando,
portanto em uma densidade de corrente de curto-circuito no maximizada. Contudo,
esta espessura pode ser facilmente corrigida, diminuindose o tempo de oxidao
trmica para aproximadamente 120min e compensando o tempo de difuso do
alumnio em 15min adicionais para garantir a manuteno da resistncia de folha do
emissor formado e o efeito produzido pela regio de BSF.

Figura 4.14: Esquema simplificado das clulas Cz processadas com estrutura antirefletora (texturizao + SiO2), emissor homogneo e regio posterior p+ sobre toda
a superfcie posterior e substrato de 2.cm.

133

Tabela 4.6 Resumo das etapas do processo de fabricao simplificado implantado

neste trabalho
1. TEXTURIZAO QUMICA DAS SUPERFCIES FRONTAL E POSTERIOR
2. LIMPEZA QUMICA INICIAL RCA PADRO (PRODUTOS P. A.)
3. DEPOSIO DE 2,0m de Al NA SUPERFCIE POSTERIOR no
equipamento Magnetron Sputtering
4. ETAPA TRMICA NICA: a) PR-DEPOSIO DE FSFORO (T=850o
C, gases industriais)/ b) OXIDAO TRMICA a 1000C (SEM ADITIVO
CLORADO)

DURANTE

135MINUTOS/

REDISTRIBUIO

DO

Al

CONCOMITANTEMENTE e c) REDISTRIBUIO DO Al COMPLETADA

EM 45MINUTOS EM AMBIENTE DE N2 (resistncia de folha do emissor
n+, R 106/)
5. FOTOGRAVAO PARA A METALIZAO FRONTAL.
6. DEPOSIO DE CONTATOS FRONTAL E POSTERIOR DE Ti-Pd-Ag ou
Al e Ag POR E-BEAM.
7. DELIMITAO DA GRADE FRONTAL UTILIZANDO A TCNICA LIFT
OFF.
8. ESPESSAMENTO

(frontal

posterior)

DA

Ag

ATRAVS

DE

ELETRLISE.
9. RE-ESPESSAMENTO DO COLETOR PRINCIPAL
10. SINTERIZAO 425 C em ambiente N2.
11. DELIMITAO DA REA TIL DO DISPOSITIVO ATRAVS DE
ATAQUE QUMICO.
___________________________________________________________________

(a)

(b)

(c)

(d)

Figura 4.15: a) texturizao qumica e limpeza RCA padro; (b) deposio de

2,0m de alumnio na superfcie posterior; (c) nica etapa trmica envolvendo: prdeposio de fsforo, oxidao trmica e formao das regies n+ e p+(BSF)
otimizadas, (d) clula solar completa (incluindo contatos).

134

Os contatos metlicos foram definidos utilizando-se a tcnica lift-off. Nesta

tcnica utilizando-se fotoresiste positivo definem-se as regies a serem metalizadas
e protegendo-as demais regies. Em seguida aps a etapa de metalizao (Ti-PdAg) sobre toda a superfcie da lmina, remove-se este fotoresiste com acetona,
permitindo ento a obteno dos contatos metlicos propriamente ditos. Visando a
minimizar as perdas resistivas na grade frontal, a Ag espessada por eletrlise.
A sinterizao dos contatos foi realizada em fornos de tubo aberto
convencionais utilizando ambiente de N2 a uma temperatura de 425C.

4.5.1 CARACTERIZAO DO PERFIL DOS EMISSORES DOPADOS COM

FSFORO

O perfil de fsforo foi obtido atravs da tcnica SIMS em uma amostra com o
processo conjugado, resultando em uma resistividade de folha de R=106/. Na
caracterizao da amostra utilizou-se o equipamento CAMECA Sc-Ultra com feixe
primrio de Cs+, energia de impacto 7keV e taxa de sputtering de 30-35 /s pelo
Laboratrio ITC-IRST (Centro per La Ricerca Scientifica e Tecnologia). O limite de
sensibilidade para a deteco do fsforo foi de 5x1016tomos/cm3.
A figura 4.16 mostra o perfil medido conjuntamente com o ajuste de uma
curva Gaussiana. Verifica-se nesta figura que o processo de fabricao simplificado
permitiu a obteno de um perfil otimizado com uma concentrao superficial de
dopante muito prxima de 1x1019cm-3 e uma espessura da ordem de 1,1m. Cabe
ressaltar que a resistividade de base 7,2x1015cm-3 (2.cm) inferior ao limite de
deteco para o fsforo, dificultando a determinao da espessura do emissor com
preciso.

135

Concentrao de Fsforo (at/cm )

19

10

18

10

17

10

PERFIL SIMS
AMOSTRA PROCESSO SIMPIFICADO
16

10

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

Profundidade (m)

Figura 4.16: Perfil de concentrao de fsforo em uma estrutura n+pp+ em funo da

profundidade do emissor obtida pela tcnica SIMS no Laboratrio ITC-IRST (Centro
per La Ricerca Scientifica e Tecnologia).

Assim, comprovou-se experimentalmente a possibilidade de obteno de

emissores otimizados teoricamente, conforme apresentado no captulo 3.

4.5.2 MEDIDA IXV SOB ILUMINAO

Aps a sua fabricao, as lminas foram caracterizadas utilizando um sistema

de medidas para a obteno da curva caracterstica IxV, projetado e construdo no
prprio LME por C. A. S. Ramos e M. Cid, conforme ilustrado pela figura 4.17 (b).
Este sistema permite a caracterizao dos dispositivos com uma elevada
confiabilidade, corroborada pela comparao entre as medidas da clula N-7-2
realizadas no LME (1995) e pelo laboratrio National Renewable Energy
Laboratory (NREL) (1997).
A figura 4.17 (a) mostra a curva IxV da clula solar, A-16-1, caracterstica do
processo simplificado. Pode ser observado que esta clula apresenta uma corrente
de curto-circuito de Isc=145,6mA (Jsc=36,4mA/cm2), tenso de circuito-aberto,

136

Voc=604,0mV, fator de forma de FF=0,765 e eficincias de 16,8%. Como observado,

com uma correo de 0,2%, a mesma diferena encontrada entre as medidas IxV da
clula N-7-2 realizadas pelo NREL e no LME, pode-se esperar que a clula A-16-1
apresente um rendimento da ordem de 17,0%.
160
140
120

I (mA)

100
80

(a)

60
40
20
0
-20
0

100

200

300

400

500

600

V (mV)

(a)

(b)
Figura 4.17: a) Curva IxV sob iluminao da clula, A-16-1, processada com o
processo simplificado realizado neste trabalho. Os parmetros eltricos de sada
so: Isc=145,6mA, Voc=604,0mV, FF=0,765 e =16,8% e b) sistema de medidas de
caracterstica IxV do LME-EPUSP projetado e construdo por C.A S. Ramos e M.
Cid.

De acordo com os resultados tericos obtidos com o programa de simulao

PC1D, uma base com resistividade de 2.cm e uma tenso de circuito aberto da
ordem de 604mV, possui um tempo de vida na base de aproximadamente 20s,

137

correspondendo a um comprimento de difuso de 244m e portanto uma razo Lb/W

da ordem de 0,9.
Comparando-se estes resultados com os parmetros eltricos de sada
obtidos na clula solar A-16-1, pde-se verificar que a tenso de circuito aberto e o
fator de forma foram os principais fatores limitantes para obteno de eficincias
mais elevadas. Por outro lado, cabe destacar que a densidade de corrente de curtocircuito encontrada, 36,4mA/cm2 utilizando o conjunto ptico texturizao + 1310
de SiO2, poderia ter um acrscimo da ordem de 0,5mA/cm2 se a espessura do filme
de SiO2 fosse optimizada (1100 ).
No entanto, a medida que se desenvolvem processos onde os tempos de vida
de portadores minoritrios so preservados/recuperados com uma maior eficcia,
resultando em uma maior razo Lb/W, esta tenso atingiria valores iguais ou
superiores a 630mV, dependendo da sua resistividade de base, que conjuntamente
com uma camada anti-refletora otimizada de 1100 de SiO2, e um melhor fator de
forma, permitem a obteno de rendimentos da ordem devalores de 19%, conforme
demonstram as clulas solares processadas no IES-UPM[62,63].
A tabela 4.7 mostra uma comparao entre os parmetros eltricos de sada,
obtidos nas clulas solares do LME-EPUSP fabricadas com a tecnologia n+pp+ com
gases industriais e reagentes qumicos de baixo custo e as clulas solares de outro
centro (IES-UPM) que apresentaram eficincias experimentais de 19%. Torna-se
importante lembrar que neste centro utilizam-se reagentes qumicos de qualidade CMOS e gases com pureza controlada.

4.5.3

VANTAGENS

DO

PROCESSO

DE

FABRICAO

IMPLEMENTADO

(Simplificado)

O principal mrito deste processo reside na obteno de clulas solares de

alta eficincia, =17% concomitantemente com a utilizao de material de menor
qualidade, Si Cz, utilizando gases industriais e reagentes qumicos de baixo custo,
com apenas uma etapa de temperatura elevada em tubo aberto, procedimento este
que permite uma enorme diminuio de custos envolvidos, sendo, portanto, de

138

imediata aplicabilidade em linha de produo de clulas solares pela indstria

fotovoltaica
Comparao entre as clulas solares n+pp+ processadas no LME-

Tabela 4.7 -

EPUSP com as clulas solares fabricadas no IES-UPM[62,63]. Cabe destacar que a

clula solar de tipo mesa a nica fabricada com processo simplificado.

Nome

tipo

(Centro de Pesquisa)
IES-UPM

Jsc

Voc
2

FF

(.cm)

(mA/cm )

(mV)

planar

21

38,9

623,0

0,784

19,0

planar

0,33

36,6

645,0

0,809

19,1

planar

0,5

33,7

639,6

0,784

16,9+0,3

planar

1,0

37

630

0,81

19

mesa

2,0

36,4

604,0

0,765

16,8

(%)

[63]

(Si-FZ)

IES-UPM
[63]

(Si-FZ)

LME-EPUSP[23]
(Si-FZ)
IES-UPM
(Si-FZ)[62]
LME EPUSP
(Si-Cz)
Processo
Simplificado

A tabela 4.8 mostra uma comparao entre as etapas bsicas envolvidas na

fabricao da clula solar A-16-1 com as clulas mais eficientes (aproximadamente
17%), publicadas at o momento pelo LME-EPUSP, bem como a carga trmica
envolvida em cada etapa de fabricao.
Comparando-se as etapas envolvidas na fabricao de ambas clulas
solares, verifica-se que a utilizao da tecnologia planar na clula da clula solar
N-7-2 envolveu um gasto maior de energia (maior tempo de utilizao de fornos), de
gases (uma vez que se torna necessria uma mscara inicial de SiO2 na tecnologia
planar) e de produtos qumicos utilizados nas remoes de fotoresiste. Em particular,
a limpeza qumica aps a remoo do fotoresiste utilizado na etapa de abertura de

139

janelas deve ser extremada, (pois o substrato neste momento ainda estar em vias
de ser submetido a todas etapas trmicas do processo de fabricao).

4.6 AS CLULAS COM EFICINCIA RECORDE DO LME X OUTROS CENTROS

DE PESQUISA BRASILEIROS

Na tabela 4.9 realiza-se uma comparao entre os parmetros eltricos de

sada das clulas solares desenvolvidas por diversos centros brasileiros de
pesquisa, LME-EPUSP, LAS/INPE[42], UNICAMP[24] e PUCRS[25] com eficincias
superiores a 14% em funo da tecnologia utilizada e do ano de publicao dos
resultados.
Uma das primeiras clulas solares com eficincia superior a 14% fabricadas
nas dependncias do LME/EPUSP, atravs de uma parceria LME-EPUSP/ LASINPE[42], foi obtida com tecnologia planar em silcio FZ com resistividade de base
1.cm e estrutura n+pp+. Neste dispositivo, o emissor era obtido atravs de
implantao inica, o conjunto ptico composto por uma camada de SiO2 sobre uma
superfcie polida de Si e a regio p+ atravs de difuso de Al. Analisando-se os
parmetros eltricos obtidos pode-se verificar uma elevada tenso de circuito-aberto,
Voc=621,6mV; contudo apresentando os valores de densidade de corrente de curtocircuito e de fator de forma reduzidos, Jsc=30,09mA/cm2 e FF= 0,769, produziram
uma eficincia de 14,4% (medidas realizadas pelo Instituto de Fraunhofer).

140

Tabela 4.8 - Comparao entre as etapas bsicas necessrias para a fabricao de

clulas de tipo planar e mesa, ambas as clulas com eficincia da ordem de 17%.

ETAPAS

Carga

ETAPAS

Carga

TECNOLOGIA PLANAR

Trmica

TECNOLOGIA MESA

Trmica

N-7-2 (17%) (11 etapas),

(440

A-16-1 (17%) (5 etapas),

(220

SUBSTRATO FZ

minutos)

SUBSTRATO Cz

minutos)

(0,5.cm)

(2-3.cm)

LIMPEZA QUMICA RCA

OXIDAO TRMICA

180min

ABERTURA DE JANELA
(DEFINIO DA REA ATIVA)
REMOO FOTORESISTE
LIMPEZA QUMICA RCA
TEXTURIZAO QUMICA

TEXTURIZAO QUMICA

LIMPEZA QUMICA RCA

LIMPEZA QUMICA RCA

DEPOSIO de Al (lado
posterior)

PR-DEPOSIO DE

80min

PR-DEPOSIO DE

FSFORO + OXIDAO

FSFORO+ OXIDAO+

(Com aditivo clorado)

REDISTRIBUIO

220min

(FORMAO DAS
REGIES n+ e p+)
DEPOSIO de Al (lado
posterior)
REDISTRIBUIO

180min

(FORMAO DAS REGIES

n+ e p+)
METALIZAO FRONTAL E

METALIZAO FRONTAL

POSTERIOR

E POSTERIOR

A clula solar processada pela UNICAMP[24] em substrato Cz com 1,5.cm de

resistividade caracterizava-se por possuir emissores com perfil erfc, com juno rasa

141

entre 0,35m e 0,5m sem camada passivadora de SiO2 e campo retrodifusor BSF
de Al, atingindo a eficincia de 16,0%. Neste processo foram utilizados gases
especiais (grau de pureza superior a 99,8%) e reagentes qumicos com grau de
pureza inferior (P. A.). O sistema ptico desta clula vem formado por texturizao
aleatria e uma camada de SnO2 (deposio por spray). Deve-se destacar o
elevado rendimento alcanado sem a utilizao de emissores otimizados (perfil
Gaussiano) e sem a realizao do armadilhamento de impurezas atravs da difuso
de Al, mesmo utilizando produtos qumicos de baixo custo (P.A.).
Comparando-se a clula solar desenvolvida pela UNICAMP com a clula
solar A-16-1, processada nesta tese, verifica-se que esta clula apresentou elevada
tenso de circuito aberto (cerca de 5mV maior do que a apresentada pela A-16-1) e
um bom fator de forma, no entanto uma densidade de corrente consideravelmente
menor, cerca de 2,8mA/cm2. Acredita-se que a menor corrente se deva ao emissor
com perfil erfc sem camada passivadora de SiO2. Cabe ressaltar ainda que as
clulas processadas pela UNICAMP, assim como as do LME-USP, tambm foram
fabricadas integralmente dentro do pas.
Por outro lado, a clula da PUCRS (tabela 4.9) possui um processo de
fabricao anlogo ao da clula N-7-2 desenvolvida no LME/EPUSP, descrita no
item 4.3 deste captulo. Este dispositivo caracteriza-se por possuir tecnologia
planar[25] com sistema anti-refletor texturizao+xido e Al difundido sobre toda a
regio posterior formando o BSF. Estas clulas solares foram parcialmente
processadas no Brasil, sendo finalizadas e caracterizadas pelo IES-UPM
(Universidade Politcnica de Madri). Comparando-se esta clula (PUCRS) com a
clula A-16-1 (representativa do processo implementado neste trabalho) verifica-se
que ela possui uma menor tenso de circuito aberto (devido diferena de
resistividades do substrato) assim como menor fator de forma. No entanto, o
dispositivo desenvolvido pela PUCRS apresenta uma excelente corrente de curtocircuito, Jsc=39,9mA/cm2 obtida atravs de um sistema ptico simples baseado em
texturizao aleatria+SiO2 (em parte justificada pela sua elevada resistividade de
base). Estas correntes de curto-circuito chegam a ser comparveis s obtidas pelas
clulas com rendimento de 24,0% tipo PERL[49] desenvolvida pela UNSW e
formadas por superfcies de tipo groove seguidas por deposio de camada antirefletora dupla. As clulas da UNSW possuem substrato com resistividade de 1.cm

142

tendo alcanado uma densidade de corrente Jsc de aproximadamente 40,7mA/cm2,

apenas 0,8 mA/cm2 superior ao dispositivo desenvolvido pela PUCRS.
Tabela 4.9 - Comparao entre os parmetros eltricos de sada de clulas solares
com estruturas n+pp+ fabricadas utilizando substratos de Si-Cz e FZ entre os centros
brasileiros de pesquisa. As clulas solares com eficincias recordes tipo PERL
desenvolvida pela UNSW possuem substratos FZ. As tecnologias M e P se
referem a mesa e planar, respectivamente.

CENTRO

Tecn.

Ano

de PESQUISA
LAS (INPE)/

.cm

1992

1,0

1995

0,4

R
/

Jsc
mA/cm

Voc
2

FF

mV

(%)

30,09

621,6

0,769

14,4

33,7

639,6

0,784

16,9

LMEEPUSP[42]
LME -

127

EPUSP[23]

+0,3

(FZ - N-7-2)
UNICAMP[24]

1998

1,5

60

33,6

609,0

0,780

16,0

2000

1-2

98

36,4

604,0

0,765

16,8

2001/2002

30

100

39,9

594,0

0,722

17,1

200

42,2

706,0

0,828

24,7

(Cz)
LME - EPUSP
(Cz
A-16-1)Processo
Simplificado
PUCRS[25]
(Cz)
UNSW

-40
P

1999

[53]

(FZ)

De maneira geral, verifica-se que as clulas solares desenvolvidas pelos

centros de pesquisa brasileiros envolvem tecnologia de baixo custo (estrutura n+pp+
ou n+p com Al sobre toda a superfcie), produtos qumicos P. A. e gases industriais,

143

e salas limpas com um menor controle de limpeza quando comparadas aos centros
de alta tecnologia, como a Universidade de Nova Gales (UNSW) e a Australian
National University (ANU). Nestes centros, para alcanar os recordes mundiais de
rendimento, desenvolveram-se processos de alta tecnologia com custos muito
elevados (gases especiais, produtos qumicos de elevado grau de pureza,
fotolitografia de alta preciso e salas limpas altamente controladas) e estruturas n+p
com regio posterior passivada. Assim, como exemplo, na tabela 4.9 podem-se
verificar os parmetros eltricos de sada em clulas com a eficincia recorde
mundial, tipo PERL, =24,7% (sem concentrao luminosa) fabricada pela UNSW [53]
(Universidade de Nova Gales, Austrlia). Cabe ressaltar que com os processos de
fabricao desenvolvidos naquele centro tambm obtiveram recorde de tenses de
circuito aberto, 706 mV, devido preservao do tempo de vida do volume durante o
processo de fabricao, excelente qualidade das passivaes superficiais e
tecnologia de fabricao utilizada (PERL), caracterizada por reduzidas velocidades
de recombinao na superfcie posterior.

4.7 CONCLUSES.

Neste trabalho, utilizando-se material de menor custo (Cz de baixa

resistividade) desenvolveu-se um processo de fabricao simplificado para a
obteno de clulas solares. Este processo, ainda que sem maiores refinamentos
(introduo de rampas de temperatura, utilizao de aditivos clorados durante
oxidao passivadora/camada anti-refletora, otimizao da espessura desta
camada, camadas anti-refletoras duplas, utilizao de FG durante a etapa final de
sinterizao dos contatos, entre outras), permitiu alcanar eficincias elevadas, no
patamar de 17%.
A implementao deste processo representou um grande avano tecnolgico,
pois permite uma reduo no nmero de etapas necessrias para a fabricao de
clulas solares, (de 11 para 5 etapas fundamentais), representando, portanto, em
uma significativa reduo de custos do processo. No entanto, cabe ressaltar que
esta simplificao no reduziu a eficincia apesar da utilizao de gases industriais e
reagentes qumicos de grau de pureza P. A.. Pode-se enfatizar ainda, a obteno de

144

elevadas

eficincias

utilizando

substratos

Cz

com

baixa

resistividade

(aproximadamente 2.cm), tipicamente utilizados pela indstria fotovoltaica, fato que

demonstra a excelente aplicabilidade do processo sob o ponto de vista industrial.
A comparao entre os parmetros eltricos de sada da clula solar A-16-1
(17%) e as clulas solares processadas no IES-UPM (=19%) permitiu concluir
que os fatores limitantes para a obteno de um rendimento mais elevado na clula
solar A-16-1 foram a tenso de circuito-aberto e o fator de formam, sendo necessrio
portanto uma maior preservao do tempo de vida no volume do subbstrato.
Entretanto, cabe destacar que as clulas solares do IES-UPM foram processadas
com reagentes qumicos de grau C-MOS e gases com pureza controlada.

145

CAPTULO 5: CARACTERIZAO DE MATERIAIS E PROCESSOS

UTILIZANDO A TCNICA DE DECAIMENTO
FOTOCONDUTIVO - PCD

5.1 INTRODUO

De acordo com o captulo 4, as simulaes tericas das eficincias das clulas

solares com a estrutura n+pp+ formadas a partir da difuso de Al sobre toda a regio
posterior e W=300m no superam a marca de 19,8%, impondo assim, a
necessidade de uma mudana de tecnologia para atingir rendimentos mais
elevados. As clulas solares desenvolvidas com estrutura n+pp+ no LME-EPUSP, por
exemplo, apresentaram rendimentos da ordem de 17%, para silcio FZ e Cz,
(captulo 4).
Por outro lado, visando elevar os rendimentos alcanados, tm sido
desenvolvidas vrias estruturas no dependentes do armadilhamento de impurezas
atravs da difuso do Al, tais como, a) Passivated Emitter and Rear Contacts
(PERC) e suas simplificaes, como a Random Pyramids PERC (RP-PERC); b)
PERL (Passivated Emitter Rear Locally Diffused) ou LBSF (Local Back - Surface
Field) e c) LFC (Laser Fired Contact), descritas sucintamente no item 5.2.
Estas estruturas esto baseadas em duas premissas: a) a realizao da
passivao da superfcie posterior com qualidade (atravs de um filme de SiO2, de
SiN estequiomtrico ou outros) [75], minimizando as perdas por recombinao e b) a
manuteno do tempo de vida elevado para os portadores minoritrios no volume do
substrato.
Outra caracterstica importante destas estruturas consiste na minimizao das
perdas pticas atravs do confinamento ptico realizado pela introduo de um filme
dieltrico depositado ou crescido na superfcie posterior, produzindo aumentos da
densidade de corrente de curto-circuito e da tenso de circuito aberto.
Com o intuito de implementar esta tecnologia de fabricao tornam-se
imperativos os seguintes requisitos: a) obteno de emissores n+ com qualidade; b)
a realizao de processos de passivao de qualidade elevada tanto em superfcies
de silcio tipo n (emissor) quanto em tipo p (regio posterior) e c) a realizao de

146

processos trmicos que sejam suficientemente limpos permitindo a preservao do

tempo de vida do volume do substrato durante o processo de fabricao.
Assim, em primeira instncia, visando a qualificao de materiais, os
desenvolvimentos experimentais deste trabalho foram realizados utilizando lminas
de silcio FZ com resistividade (=20-30.cm) utilizando duas diferentes tcnicas de
passivao de superfcie: oxidao trmica e difuso suave de fsforo (estruturas
n+pn+). Atravs destas estruturas, foram estudados tambm os efeitos da utilizao
de reagentes qumicos e gases industriais ambos de baixo custo.
Em seguida, realizou-se a implementao das estruturas n+p propriamente ditas,
onde as reas frontais so delimitadas em 4cm2 e as superfcies posteriores so
passivadas com filmes de SiO2. Estas estruturas so fundamentais na obteno de
clulas solares no dependentes do efeito do armadilhamento de impurezas atravs
do alumnio.
Considerando estes objetivos, este captulo tem o seu incio, itens 5.2 e 5.3, com
um estudo paramtrico utilizando o programa PC1D sobre as clulas solares no
dependentes do efeito de armadilhamento de impurezas atravs da difuso do Al,
onde se avaliam as influncias das velocidades de recombinao frontal e posterior
efetiva nas eficincias do dispositivo como funo da razo entre comprimento de
difuso e a espessura da lmina.
No item 5.4 descreve-se a tcnica de anlise do tempo de vida efetivo atravs
do decaimento fotocondutivo, PCD, utilizada nas implementaes experimentais
apresentadas nos captulos 5 e 6. Uma das principais vantagens desta tcnica
reside no fato que a medida pode ser realizada sem a necessidade de estabelecer
contatos eltricos, permitindo a otimizao individual das diversas etapas que
compe o processo de fabricao. Neste sentido, a disponibilizao desta tcnica de
anlise representa uma economia imensurvel em tempo e insumos (lminas de
silcio, reagentes qumicos, gases, fotoresiste, metais e etc), uma vez que a estrutura
completa do dispositivo somente deve ser implementada quando todas as etapas
estiverem otimizadas.
Inicialmente, no item 5.4.2, caracterizam-se os filmes de SiO2 crescidos
termicamente utilizando reagentes qumicos de grau elevado (C-MOS ou superior)
na realizao da limpeza inicial (RCA) e gases especiais. Em seguida, comparam-se
os efeitos das impurezas remanescentes da limpeza qumica inicial, quando

147

realizadas com produtos qumicos de grau de pureza elevado e grau P.A. (baixo
custo).
No item 5.5 realizam-se as anlises do material Si utilizando passivaes
atravs da difuso suave/oxidao formando estruturas n+pn+, com resistncia de
folha da ordem de 400/, permitindo qualificar o volume do material e os emissores
formados. Avaliam-se tambm estas estruturas (item 5.5.2) quando utilizados gases
industriais nos processos de pr-deposio/oxidao.
No item 5.5.3 realiza-se o estudo das estruturas n+pn+ utilizando emissores de
fsforo com resistncias de folha no entorno de 100/. Este estudo permite a
caracterizao dos emissores otimizados habituais em clulas solares de alto
rendimento sob o ponto de vista de suas recombinaes (ver captulo 3).
Este captulo se encerra, item 5.6, com a obteno de estruturas n+p com
rea til de 4,0 cm2 e passivao na regio posterior com SiO2 seguida por alneal.
A escolha desta estrutura em material FZ, com resistividade de 20-30.cm deve-se
ao fato de que este material possui em elevado tempo de vida de portadores
minoritrios, apresentando maior sensibilidade na otimizao das diferentes etapas a
serem otimizadas. Desta forma, a maximizao do tempo de vida do material ao
longo das diversas etapas permite definir de forma elegante um processo de
fabricao otimizado. Posteriormente, e utilizando substratos com menores
resistividades podem ser obtidos dispositivos completos visando maximizao da
eficincia (captulo 6).
Por outro lado, a obteno de estruturas n+p utilizando materiais com
resistividades da ordem de 20-30.cm sejam FZ ou Cz, so muito teis, pois a
partir delas podem ser desenvolvidas outros tipos de clulas solares como as clulas
bifaciais (que permitem a iluminao por ambos lados).
Cabe lembrar que uma clula solar bifacial eficiente (n+pp+) pode estar
composta por uma estrutura com base de tipo p (embora possa ser utilizada uma
base de tipo n) de 10-30.cm, emissor n+ otimizado de fsforo, e uma regio p+ que
permita a entrada de luz. Assim, para completar uma estrutura bifacial faltaria
apenas otimizar a regio de tipo p+ atravs de uma difuso de boro, com passivao
superficial de qualidade (que pode ser obtida a partir da implementao de uma
juno flutuante fsforo suave). O processo voltado para a fabricao de clulas
bifaciais com duas junes, uma heteropolar (np ou pn), e outra homopolar (pp+ ou

148

nn+), seja base de tipo p ou n, deve ser iniciado com a etapa de maior temperatura
(difuso de boro).

5.2

CLULAS

SOLARES

NO

DEPENDENTES

DO

EFEITO

DE

ARMADILHAMENTO DE IMPUREZAS ATRAVS DA DIFUSO DE AL.

A seguir, realiza-se uma breve discusso sobre o estado da arte do

processamento destes dispositivos em diversos centros de pesquisa.
Para exemplificar o efeito da passivao frontal e posterior neste tipo de
estrutura atravs de simulaes tericas, escolheu-se a clula solar random
pyramids passivated emitter rear contact solar cells (RP-PERC). Os resultados
destas anlises so apresentados no item 5.2.2.

5.2.1 ESTADO-DA-ARTE

Existem diversos tipos de clulas solares baseados nas estruturas n+p com a
regio posterior passivada. Alguns utilizam um conjunto frontal mais refinado, como
pirmides invertidas com camada dupla (clulas solares com eficincias recordes da
UNSW), outros visando reduo de custos utilizam uma superfcie texturizada
aleatoriamente seguida de uma camada de SiO2, outros apresentam uma estrutura
com regio posterior composta por um BSF localizado na forma de pontos (tipo
PERL e LBSF) ao invs de toda a regio passivada (PERC, RP-PERC e LFC),
contudo, todas tm permitido a obteno de eficincias significativamente elevadas,
superiores a 18%. A seguir, como exemplo, descrevem-se as caractersticas
principais de alguns destes dispositivos.
Em meados da dcada de 90, as clulas solares PERC da UNSW atingiram
eficincias

de

cerca de 23%[76], densidade de corrente de curto-circuito

Jsc=40,8mA/cm2, tenso de circuito aberto de 688,0mV com um fator de forma de

0,821, utilizando substratos com resistividade de base de 0,2.cm, e apresentando a
seguinte estrutura: emissores duplamente difundidos (distintas concentraes

149

superficiais de dopantes sob a grade metalizada e regio iluminada), uma fina

camada passivadora de SiO2 e uma excelente estrutura anti-refletora composta por
dupla camada sobre pirmides invertidas (ZnS-MgF2). A passivao da superfcie
posterior obtinha-se atravs de um filme de dixido de silcio, onde por fotolitografia
se definiam os pontos para a formao do contato posterior. O confinamento ptico
alcanado permitia a obteno de uma refletividade posterior interna com cerca de
97% e uma velocidade de recombinao na superfcie posterior no entorno de
200cm/s[76]. Cabe destacar que este tipo de estrutura no possua regio BSF
(nenhuma difuso de boro ou alumnio sob os contatos metlicos).
Em contraposio, as clulas solares RP-PERC[77], desenvolvidas pelo
Fraunhofer Institute em substratos de Si-FZ com resistividade 1.cm, visando uma
aplicao industrial, possuam texturizao qumica aleatria (baixo custo) ao invs
de pirmides invertidas, e conseqentemente apresentando uma refletividade
interna posterior ligeiramente inferior s clulas solares tipo PERC da UNSW,
b=95%, e uma velocidade de recombinao na superfcie posterior superior,

Sefpost=200cm/s a 275cm/s[77], produzindo assim, um decrscimo na eficincia do

dispositivo, =21,6% (com tecnologia planar). Este dispositivo apresentava uma
densidade de corrente de curto-circuito de 39,6mA/cm2, uma tenso de circuito
aberto de 676,4mV e um fator de forma de 0,807. Entretanto, utilizando a tecnologia
mesa em substratos de mesma resistividade, estas estruturas proporcionaram uma
densidade de corrente de curto-circuito de 39,3mA/cm2, tenso de circuito aberto de
672,0mV, fator de forma de 0,795, e portanto, uma pequena reduo na sua
eficincia 21,0%.
No entanto, as clulas solares de laboratrio com eficincia recorde mundial,
=24,7%[53] utilizando silcio monocristalino (FZ) e resistividade de base de

1.cm,com estrutura tipo PERL (UNSW), apresentou parmetros eltricos de sada,

Jsc=42,2mA/cm2, Voc=706mV e FF=0,828. A estrutura PERL bastante similar
estrutura PERC, diferindo apenas na regio dos contatos posteriores, sob os quais
se realiza uma difuso de boro. Assim, esta estrutura aproveita o benefcio do
campo retrodifusor (Back surface field BSF"), sem aumentar a densidade de
corrente de recombinao. Considerando o confinamento ptico verifica-se que esta
estrutura permite a obteno de uma refletividade interna posterior similar
encontrada em estruturas PERC, b=97%[53] e uma velocidade de recombinao

150

posterior efetiva ligeiramente inferior devido a ao benfica da regio p+,

Sefpost=50cm/s[53].
Com uma tecnologia similar s clulas solares a tipo PERL da UNSW, tambm
utilizando substratos de Si-FZ com resistividade 1.cm, as clulas solares LBSF[77]
do Fraunhofer Institute alcanaram eficincias de 23,3%, com uma densidade de
corrente de curto-circuito de 42,0mA/cm2, tenso de circuito aberto 685,0mV e fator
de forma de 0,810. quando utilizada uma camada anti-refletora dupla ZnS/MgF2 ao
invs de SiO2. O conjunto ptico destes dispositivos se caracterizava por uma
refletividade posterior interna de 95%, e uma velocidade de recombinao posterior
no entorno de 60cm/s[77].
Contudo, visando uma maior reduo dos custos em posterior aplicao
industrial, foram desenvolvidas as clulas solares tipo LASER fired contact[78,79,80].
Este processo de fabricao anlogo ao utilizado em clulas solares tipo PERC da
UNSW. Contudo, a principal diferena reside na substituio do processo
fotolitogrfico, utilizado para abertura de pontos no xido do lado posterior, que se
realiza atravs de LASER (Light amplification stimulated emission of radiation ou
amplificao de luz por emisso estimulada de radiao), em etapa concomitante
com a sinterizao do alumnio. Este processo se caracteriza por uma considervel
reduo em termos de custos, evitando etapas de fabricao como a fotolitografia e
algumas limpezas qumicas. Neste tipo de dispositivos e utilizando silcio FZ com
resistividade de base 2.cm e um conjunto ptico composto por superfcie polida
seguida por SiO2, foram obtidas de 34,3mA/cm2 de corrente de curto-circuito, tenso
de circuito aberto de 661,0mV, fator de forma 0,792, e eficincias da ordem de 18%.
Entretanto, utilizando um substrato de 0,5.cm foi possvel obteno de uma
corrente de curto-circuito de 38,6mA/cm2, tenso de circuito aberto 679,0 mV, fator
de forma 0,811 e eficincia de 21,3%.

151

5.2.2

ESTUDO

PARAMTRICO

DE

UMA

ESTRUTURA

RP-PERC

(NO

DEPENDENTE DO EFEITO DE ARMADILHAMENTO DE IMPUREZAS

ATRAVS DO ALUMNIO).

Foram realizadas simulaes tericas utilizando o programa PC1D, de uma

estrutura RP-PERC, com o objetivo de clarificar a influncia das velocidades de
recombinao superficial frontal, e posterior efetiva, como funo da razo entre o
comprimento de difuso de portadores minoritrios e a espessura do substrato,
Lb/W, em estruturas no dependentes do efeito de armadilhamento de alumnio.
Para levar a cabo estas simulaes foram considerados, um emissor
homogneo com perfil de dopantes Gaussiano, com concentrao superficial de
dopantes Ns=1,2x1019 cm-3 e espessura W e=1,2m, e uma base com 300m de
espessura e resistividade 1.cm. Ambas superfcies (frontal e posterior) possuem
texturizao qumica aleatria; cujas refletividades, frontal e posterior internas, so
iguais a 95% [77], como mostram os parmetros de entrada listados na tabela 5.1.
Um esquema do circuito considerado nas simulaes realizadas vem
apresentado na figura 5.1. Este circuito anlogo ao utilizado na descrio das
clulas solares dependentes do efeito de armadilhamento de impurezas atravs da
difuso de Al, no captulo 4, excetuando o fato que nas presentes simulaes so
consideradas regies posteriores passivadas, levado em conta o efeito de
confinamento ptico.

Luz incidente
Rsrie
n+
p

R//
Figura 5.1: Circuito representativo de uma clula solar n+p com passivao na
superfcie posterior.

152

Tabela 5.1 - Parmetros de entrada utilizados na simulao de clulas solares RPPERC com passivao na regio posterior.
Parmetro
Estrutura da Clula
rea
Refletividade frontal interna
Refletividade interna posterior
Resistncia srie
Resistncia em paralelo
Espessura
ni
Resistividade de base
Emissor
vol
Sp
Sefpost

Especificaes
n+p
4cm2
95%[77]
95% [77]
0,4 (grade metlica)

100m
9,65x109 cm-3
1.cm
Ns=1,2x1019cm-3, W e=1,2m, perfil Gaussiano
(dopado com fsforo)
(varivel) s
3000cm/s ou (varivel)[31]
(varivel) cm/s ou 275cm/s[77]

A figura 5.2 mostra as eficincias de clulas solares com a estrutura

RP-PERC como funo da razo comprimento de difuso por espessura (Lb/W)
considerando diversos valores para a velocidade de recombinao posterior efetiva.
De acordo com os resultados pode-se verificar que as eficincias so extremamente
dependentes do valor assumido pela velocidade de recombinao posterior.
H uma perda de praticamente 4% em valor absoluto na eficincia destes
dispositivos quando a velocidade de recombinao posterior efetiva se altera de
0cm/s para 3000cm/s, desde que os portadores minoritrios possuam um
comprimento de difuso superior espessura do dispositivo.

153

25

ESTRUTURA: RP-PERC

24

VELOCIDADE DE
RECOMBINAO
POSTERIOR
SUPERFICIAL EFETIVA

23
22

Sefpost=0 e 50 cm/s
Sefpost=100 cm/s

(%)

21

Sefpost=300 cm/s
Sefpost=500 cm/s

20

Sefpost=1x10 cm/s
3

Sefpost=3x10 cm/s

19

Sefpost=5x10 cm/s
4

Sefpost=1x10 cm/s

18

Sefpost=1x10 cm/s

17
16
0

Lb/W

Figura 5.2: Eficincias de clulas solares com estrutura RP-PERC calculadas

utilizando o programa PC1D como funo da razo comprimento de
difuso/espessura, Lb/W; e da velocidade de recombinao superficial posterior,
considerando uma base com espessura de 100m e resistividade de 1.cm.

A figura 5.3 mostra a variao da tenso de circuito aberto em funo da

variao entre a razo comprimento de difuso/espessura da lmina e da velocidade
efetiva de recombinao posterior.
De acordo com a figura 5.3 pode-se verificar que para alcanar tenses de
circuito aberto superiores a 660mV em uma base de 1.cm, torna-se imprescindvel
obteno da razo, Lb/W>1, concomitantemente com uma velocidade de
recombinao posterior efetiva inferior a 50cm/s. Por outro lado, quando o
parmetro, Lb/W, se aproxima de 2, as tenses de circuito aberto tendem a 680mV
quando a velocidade de recombinao efetiva posterior se situa entre 0cm/s e
50cm/s.

154

ESTRUTURA: RP-PERC

700

VELOCIDADE DE
RECOMBINAO
POSTERIOR
SUPERFICIAL EFETIVA

680

Sefpost=0 cm/s

Voc (mV)

660

Sefpost=50 cm/s
Sefpost=100 cm/s

640

Sefpost=300 cm/s
Sefpost=500 cm/s
3

Sefpost=1x10 cm/s

620

Sefpost=3x10 cm/s
3

Sefpost=5x10 cm/s

600

Sefpost=1x10 cm/s
5

Sefpost=1x10 cm/s

580

Lb/W

Figura 5.3: Tenses de circuito aberto de clulas solares com estrutura RP-PERC
calculadas utilizando o programa PC1D como funo da razo comprimento de
difuso/espessura, Lb/W; e da velocidade efetiva de recombinao posterior,
considerando uma base com espessura de 100m e resistividade de 1.cm.

A figura 5.4 mostra uma avaliao do comportamento da eficincia em funo

da variao do tempo de vida de portadores minoritrios no volume, (e o
comprimento de difuso associado), e a velocidade de recombinao efetiva
posterior para uma base com espessura de 300m. Cabe destacar que a curva de
eficincia para substratos com tempo de vida de portadores minoritrios igual a 1ms
coincide com a curva representada para o tempo de vida de 0,5ms.
Esta figura permite verificar que as velocidades de recombinao na
superfcie posterior das clulas solares tornam-se essenciais para a obteno de
rendimentos elevados mesmo se substratos mais espessos forem considerados.
Outro ponto importante reside no fato de serem coincidentes as curvas de eficincias
para vol=0,5ms e 1ms, permitindo inferir que tempos de vida da ordem de 0,5ms
seriam suficientemente elevados para atingir-se eficincias superiores a 22% desde
que as velocidades de recombinao posteriores efetivas sejam mantidas em nveis
inferiores a aproximadamente 200cm/s.

155

24
Espessura da lmina = 300m
vol=0,5ms, Lb=1160m

23

vol=1,0ms, Lb=1640m

22

vol=0,1ms, Lb=549m

(%)

21

vol=0,05ms, Lb=367m
vol=0,030ms, Lb=284m

20

vol=0,015ms, Lb=200m
vol=0,004ms, Lb=100m

19
18
17
10

10

10

10

10

10

10

Sefpost (cm/s)
Figura 5.4: Eficincia das clulas solares de estruturas RP-PERC, com espessura de
300m e resistividade de base de 1.cm, como funo do tempo de vida de
portadores minoritrios no volume, (comprimento de difuso) e da velocidade de
recombinao efetiva posterior.

Por outro lado, a figura 5.5 mostra que as velocidades de recombinao da

superfcie frontais entre 0cm/s e 3000cm/s acarretam um decrscimo com valores
inferiores a 0,6% para uma mesma razo comprimento difuso, Lb e espessura da
lmina, W. Este resultado evidencia o fato que a velocidade de recombinao frontal
no o parmetro mais restritivo na obteno de clulas solares com eficincias
superiores a 20%.
Com o intuito de avaliar o comportamento dos dispositivos RP-PERC em
funo da qualidade do confinamento ptico, considerou-se um dispositivo com
espessura 100m e tempo de vida de portadores minoritrios no volume de 100s.
Na figura 5.6 podem ser observados os resultados para os casos de refletividade
interna posterior entre 85% e 100%, considerando velocidades posteriores efetivas
nula e 275cm/s (valor encontrado em clulas solares com estrutura do tipo RPPERC[77]).

156

ESTRUTURA: RP-PERC
23

VELOCIDADE DE
RECOMBINAO
SUPERFICIAL FRONTAL

22
21

Sp=0 cm/s
Sp=100 cm/s

20

Sp=200 cm/s
Sp=275 cm/s

(%)

19

Sp=600 cm/s

18

Sp=1x10 cm/s
3

Sp=3x10 cm/s

17

Sp= 1x10 cm/s

16

Sp=1x10 cm/s
15
14
0

10

15

20

25

Lb/W

Figura 5.5: Eficincias das clulas solares com estrutura RP-PERC como funo da
razo do comprimento de difuso e espessura, Lb/W, e da velocidade de
recombinao superficial frontal, Sp, considerando espessura de base 100m e
resistividade 1.cm.

23.5

23.0
22.5

Sefpost=0cm/s
Sefpost=275cm/s

(%)

22.0
21.5
21.0

20.5
20.0
85

90

95

100

b (%)

Figura 5.6: Comparao entre as eficincias alcanadas considerando

simultaneamente, as perdas pticas e a recombinao posterior (linha tracejada), e
apenas as perdas pticas (linha contnua).

157

De acordo com esta figura as perdas por recombinao para (Sefpost=275cm/s)

so sempre superiores aos valores encontrados quando se consideram apenas
perdas pticas, Sefpost=0cm/s, mostrando que a utilizao de um sistema de
confinamento ptico com refletividade interna posterior, entre 90% e 100% torna-se
suficiente para a obteno de eficincias elevadas, produzindo uma variao de
eficincia de 0,3% absoluto.

5.3 COMPARAO

ENTRE

EFICINCIAS

TERICAS

OBTIDAS

EM

ESTRUTURAS COM OU SEM PASSIVAO NA REGIO POSTERIOR

Com o objetivo de estudar o comportamento entre as diversas estruturas com

passivao posterior e confinamento ptico realizou-se uma comparao entre as
eficincias obtidas em funo da espessura da lmina. Dentre as estruturas
estudadas existem trs grupos distintos: estruturas com passivao na regio
posterior (RP-PERC, LFC e PERL), com Al depositado sobre toda a superfcie por
serigrafia sem BSF, e a partir da difuso do Al, clulas solares n+pp+ com BSF.
Nestas simulaes tericas adotou-se um substrato de partida com um tempo de
vida no volume de 1ms, variando-se as espessuras dos dispositivos entre 10m e
500m. Os parmetros utilizados para esta simulao so anlogos aos valores
apresentados na tabela 4.1 para a estrutura n+pp+ e na tabela 5.1 para as demais.
Os valores de velocidade de recombinao efetiva posterior, refletividades
frontal e posterior para cada estrutura estudada so apresentadas na tabela 5.2.
Estas estruturas esto representadas em esquemas simplificados na figura
5.7: (a) estrutura n+pp+ com Al difundido em toda a regio posterior; (b) estrutura
com Al depositado por serigrafia sobre toda a regio posterior; (c) estrutura PERC,
RP-PERC ou LFC formadas por uma superfcie posterior passivada e contatos na
forma de pontos e (d) estrutura PERL, tambm passivada em sua regio posterior,
mas com uma concentrao maior de dopantes sob os contatos metlicos da regio
posterior.

158

Tabela 5.2 - Refletividade frontal interna, finterna, refletividade posterior interna, b, e

velocidade de recombinao efetiva posterior, Sefpost, das diversas estruturas
estudadas.

ESTRUTURA
n+pp+ (Al BSF)
[81]

Al serigrafia

[77]

RP-PERC

[78,79,80]

LFC

PERL[53]

finterna

Sefpost

(%)

(%)

(cm/s)

86

56

2050

95

61,5

600

95

95

275

95

95

200

95

95

50

Figura 5.7: (a) estrutura n+pp+ - Al BS; (b) alumnio depositado por serigrafia; (c)
estrutura PERC ou LFC e (d) estrutura PERL.

A figura 5.8 mostra as eficincias obtidas como funo da tecnologia de

fabricao adotada e da espessura do substrato de partida.
De acordo com as simulaes tericas apresentadas na figura 5.8, verifica-se
que a estrutura n+pp+, com o BSF formado a partir da difuso de Al (T=1000C
durante 3h) tem o seu valor de eficincia crescente com o incremento da espessura.

159

Nestas condies esta estrutura atinge 19,8% com lminas de espessura

300m. Entretanto, o seu rendimento decresce, =18,4% para espessuras da ordem
de 100m. No entanto, as estruturas com Al depositado atravs de serigrafia,
permitem a obteno de eficincias na ordem de 20% inclusive em lminas com
espessuras da ordem de 100m.

24
22
+

20

n pp - Al BSF,
b=56%, Sefpost=2050cm/s

18

b=61,5%, Sefpost=600cm/s

16

b=95%, Sefpost=275cm/s

(%)

Al - serigrafia,
RP-PERC,
LFC,
b=95%, Sefpost=200cm/s

14

PERL,
b=95%, Sefpost=50cm/s

12
10

0
10

100

200

300

400

500

W (m)

Figura 5.8:
lmina.

Eficincias para diversas estruturas como funo da espessura da

No que concerne s estruturas com superfcie posterior passivada pde-se

verificar que as estruturas LFC e RP-PERC permitem a obteno de eficincias
superiores a 21% mesmo utilizando substratos com espessuras mais finas
W=100m, e no apresentam uma diferena muito significativa quando substratos
mais espessos so utilizados W=300m. De acordo com os resultados encontrados
verifica-se que as estruturas LFC apresentam eficincias de aproximadamente
21,6% e de 22% quando a espessura do substrato varia de 100m para 300m;
enquanto que a estrutura RP-PERC apresenta uma variao de 21,3% para 21,6%
para W=100m e 300m, respectivamente.
Conforme esperado, a estrutura PERL ou LBSF permite a obteno de
maiores eficincias em todo o intervalo de espessuras estudado, atingindo
aproximadamente 23,0% (W=300m).

160

Cabe ressaltar que neste trabalho as simulaes realizadas consideraram

uma velocidade de recombinao superficial frontal de 3000cm/s, b=95% e b=1ms;
entretanto, se forem considerados os valores otimizados, Sp=2000cm/s, b=97% e
b=1,5ms[53], tipicamente encontradas nas clulas solares de laboratrio com recorde

mundial em eficincia (pirmides invertidas+camada anti-refletora dupla) da UNSW,

teriam sido alcanadas eficincias superiores a 24%.
Assim, com o objetivo de elevar as eficincias conjuntamente com a utilizao
de substratos mais delgados torna-se necessrio desenvolvimento de tecnologias
que

no

possuam

regies

espessas

altamente

recombinantes,

tornando

imprescindvel o desenvolvimento de estruturas com a regio posterior passivada,

tais como, RP-PERC, LFC e PERL.

5.4 TCNICA DE DECAIMENTO FOTOCONDUTIVO - PCD (QSSPC e Transiente)

Conforme anteriormente citado, ver captulo 3, a otimizao de clulas solares

leva implcita a necessidade de maximizao de seus trs parmetros fundamentais:
densidade de corrente de curto-circuito, tenso de circuito aberto e fator de forma.
Em uma primeira aproximao a densidade de corrente de curto-circuito, Jsc,
pode ser facilmente elevada atravs da introduo de um sistema ptico com
texturizao aleatria + dupla camada anti-refletora (MgF2/ZnS), conforme
demonstrado em estudos anteriores[23]. Melhores resultados podem ser obtidos com
texturizaes com pirmides invertidas, diferindo do receiturio habitual em
processos de baixo custo. Por outro lado, a elevao da tenso de circuito aberto
est diretamente associada minimizao das densidades de corrente de
recombinao no dispositivo (emissor e base).
A densidade de corrente de recombinao em um substrato de silcio
depende de parmetros caractersticos do material de partida utilizado, tais como FZ
ou Cz, tipo (p ou n), cristalinidade (mono ou multicristalino), quantidade de defeitos,
concentraes de impurezas, ou ainda das degradaes que podem ocorrer durante
o processo de fabricao do prprio dispositivo.
Desta maneira, para se levar a cabo os desenvolvimentos experimentais
apresentados neste captulo tornou-se imprescindvel utilizao da tcnica de

161

anlise do tempo de vida efetivo atravs do decaimento fotocondutivo, PCD[82] em

funo da concentrao de portadores em excesso. Contudo, a implementao da
tcnica PCD no LME-EPUSP, realizada em meados do ano 2000 por C. A. S.
Ramos e M. Cid fez com que no fosse possvel sua utilizao no monitoramento
das etapas que compuseram o processo de fabricao desenvolvido para obteno
da clula solar A-16-1, descrita no captulo 4.
A utilizao desta tcnica impe a necessidade de escolha de uma tcnica de
passivao de superfcies, tais como passivao mida (com HF), oxidao trmica,
difuso suave de fsforo/oxidao ou deposio de filmes de SiN.
Neste trabalho optou-se pela utilizao de duas tcnicas diferentes de
passivao para a qualificao do material de partida, (FZ, 20-30.cm): oxidao
trmica com aditivos clorados e difuso suave de fsforo/oxidao. Deve-se
ressaltar neste momento que a opo pela utilizao de materiais de melhor
qualidade e maior resistividade vem imposta pelo maior tempo de vida de portadores
minoritrios em volume, permitindo evidenciar mais facilmente os efeitos das
possveis impurezas indesejadas e incorporadas durante a otimizao experimental
das distintas etapas que conformam cada processo de fabricao.
O equipamento escolhido foi o WCT-100 Lifetime Tester equipment da
empresa Sinton Consulting, apresentado na figura 5.9, que permite analisar o
decaimento fotocondutivo dos portadores minoritrios, gerados em uma amostra
atravs da excitao luminosa, como funo de seu excesso, n. A constante de
tempo deste decaimento denomina-se tempo de vida efetivo de portadores
minoritrios, ef.

162

Ponte RF

Figura 5.9: Fotografia do sistema de medida baseado no decaimento fotocondutivo

(PCD).

Assim, a obteno do excesso de portadores minoritrios, n, como funo

da condutividade pode ser calculada pela expresso (5.1), desde que n=p. Cabe
ressaltar que esta igualdade ocorre somente em materiais cujo efeito de
armadilhamento dos portadores (ver apndice C) no seja expressivo, tais como os
materiais monocristalinos.

n =

q(n +p )W

(5.1)

sendo, , a variao da fotocondutividade, q, a carga, n e p as mobilidades dos

portadores minoritrios e majoritrios, e W, a espessura da lmina.
Um esquema simplificado do princpio de funcionamento pode ser observado
na figura 5.10. Neste equipamento a lmina teste e uma clula solar calibrada so
simultaneamente iluminadas por um flash de luz. Os valores de intensidade de luz
dependentes do tempo so medidos atravs da clula calibrada. Os pulsos de luz
emitidos podem decair com uma constante de tempo longa (da ordem de
milissegundos), denominando-se modo QSSPC (quasi-steady state), ou curta (da
ordem de microssegundos), denominando-se modo transiente, T-PCD.
As variaes da fotocondutividade em funo do excesso de portadores na
amostra sob estudo so registradas em um osciloscpio como variaes na tenso

163

de uma ponte RF (10MHz) (previamente equilibrada com a amostra devidamente

posicionada) e em seguida os dados so armazenados em um computador.

Lmpada Flash

Lmina de Silcio

Acoplamento Indutivo
Microcomputador

Osciloscpio

RF

Figura 5.10: Esquema simplificado do equipamento WCT-100 Lifetime Tester[82].

No modo transiente (T-PCD), o tempo de vida efetivo (ef), no depende da

gerao, mas exclusivamente do processo de decaimento, como mostrado na
equao (5.2).

ef (n) =

-n
dn
dt

(5.2)

Por outro lado, no modo quase-esttico, a constante de tempo do decaimento

ou o tempo de vida efetivo, ef dependente do excesso de portadores, n, e da
gerao, G, conforme mostra-se na expresso (5.3).

ef =

n
G

(5.3)

164

Por sua vez, a gerao, G, pode ser calculada atravs da obteno da

intensidade de luz incidente utilizando uma clula padro, I(t), a partir da frao de
absoro ptica na amostra contabilizando as perdas por reflexo e transmisso dos
ftons, fabs, e do nmero de ftons gerados com a irradincia de 1 sol (1kW/m2),
Nph1sol, e da espessura da lmina, W, segundo equao (5.4).

G=

I(t)fabsNph1sol
W

(5.4)

H. Nagel et. al.[83] unificou as equaes (5.2) e (5.3), possibilitando que o

tratamento do fenmeno fosse independente das caractersticas do flash da
lmpada, conforme indicado na equao (5.5). Nesta equao pode-se observar que
quando, G=0, a equao se reduz equao representante do modo transiente.

ef =

n
dn
G-

(5.5)
dt

Esta unificao permite a obteno do tempo de vida efetivo como funo da

concentrao em excesso de portadores, conjuntamente com informaes sobre a
curva de intensidade luminosa versus tenso de circuito aberto, Voc, de um
dispositivo completo sem a necessidade de metalizao para a formao dos
contatos metlicos.
Assumindo que o perfil de concentrao de portadores no varie
significativamente na base, e que o excesso de concentrao de portadores na
juno se aproxima de um valor mdio, nmed, a tenso de circuito aberto-implcita[8]
torna-se essencialmente dependente do produto pn em condies de no equilbrio
em relao condio de equilbrio, como mostra a equao (5.6).

Voc =

kT n(NA + n)
ln

q
ni2

(5.6)

165

sendo, k, a constante de Boltzmann, T, a temperatura, q, a carga do eltron, n, o

excesso mdio de portadores, NA, a concentrao de dopantes da base tipo p e ni2,
a concentrao de portadores intrnseca.
Esta equao vlida para qualquer concentrao de dopantes e nvel de
injeo, diferentemente do tempo de vida de portadores, cujos mecanismos de
recombinao mudam dependendo do nvel de injeo.
A figura 5.11 mostra um esquema simplificado das estruturas solares com
passivao na regio posterior sem regio de BSF, (anloga s estruturas PERC) e
com BSF localizada, (anloga s estruturas PERL).

n+

n+

p
p+

(a)

SiO
2

(b)

SiO
2

Figura 5.11: Dispositivos com estruturas completas podem ter a sua tenso de
circuito aberto-implcita avaliada antes de que sejam realizadas as etapas de
metalizao: (a) estrutura tipo PERC e (b) estrutura tipo PERL.

5.4.1 COMPONENTES DO TEMPO DE VIDA EFETIVO MEDIDO COM A TCNICA

PCD (DECAIMENTO FOTOCONDUTIVO).

O tempo de vida efetivo, ef medido, resulta das recombinaes que ocorrem

na superfcie, sup, e no volume do material, vol, conforme apresenta-se na equao
(5.7).

ef

vol

1
sup.

(5.7)

166

Por outro lado, a componente de recombinao no volume do material se

caracteriza por possuir recombinaes, Auger, Radiativa e Shockeley Read Hall
(SRH), (equao 5.8).
1

vol

Auger

rad

(5.8)

SRH

Conforme discutido, os tempos de vida de recombinao Auger e Radiativa

so intrnsecos ao semicondutor, e determinam intrnseco, enquanto que o tempo de
vida Shockeley-Read-Hall est correlacionado com as impurezas introduzidas
durante o crescimento do cristal ou no processo de fabricao dos dispositivos,
podendo-se reescrever a equao (5.8) como a equao (5.9).
1

vol

intrnseco

(5.9)

SRH

onde,
1

intrnseco

A uger

(5.10)

rad

Assim sendo, para tornar possvel a avaliao de um material inicial, (lmina

de silcio), bem como seu comportamento aps as sucessivas etapas que compem
um processo de fabricao, se faz necessrio, em primeira instncia, desenvolver
tcnicas de passivao com elevada qualidade, com o intuito de minimizar a
contribuio da recombinao nas superfcies, possibilitando a extrao de
informaes sobre o volume, vol, a partir da medida do tempo de vida efetivo dos
portadores minoritrios realizada com a tcnica PCD.
O diagrama de blocos da figura 5.12 resume o procedimento utilizado na
qualificao de silcio como material inicial.
Neste

trabalho,

caracterizaram-se

amostras

de

Si-FZ

(tipo

p,

com

resistividades, =20-30.cm e orientao <100>) utilizando duas diferentes tcnicas

de passivao de superfcie: atravs de oxidao trmica com aditivos clorados e

167

atravs de emissores pouco dopados utilizando a difuso de fsforo/oxidao

(n+pn+).
As amostras de Si utilizadas nos desenvolvimentos experimentais visando
qualificao dos materiais descritos caracterizam-se por possuir a superfcie frontal
polida e a posterior tratada quimicamente, (etched). Na preparao inicial destas
amostras utilizou-se um ataque qumico com CP4, (15HNO3: 2HF: 15CH3COOH),
otimizado por C. A. S. Ramos[82,84], garantindo o polimento de ambas as superfcies.

MATERIAL
PASSIVAO DE

OXIDAO TRMICA COM

ADITIVO CLORADO

ESTRUTURA n+pn+
SiO2

SiO2

n+

SiO2

SiO2

MEDIDA DO TEMPO
DE VIDA EFETIVO
AVALIAO DA
RECOMBINAO
QUALIDADE DO
MATERIAL
Figura 5.12: Esquema simplificado do procedimento adotado na caracterizao do
material inicial, processos de limpeza e efetividade da passivao superficial.

Assim, se a passivao desenvolvida for de qualidade, a obteno de tempos

de vida elevados permite inferir: que o material inicial tambm possui elevada
qualidade, e alm disto, que o volume do material no foi excessivamente
degradado durante os processos de limpeza qumica e passivao utilizados, tais

168

como a oxidao trmica com aditivos clorados e a pr-deposio de fsforo seguida

por oxidao.
Cabe ressaltar que a metodologia descrita anteriormente permite a
qualificao de diversos tipos de materiais (Si-FZ, Si-Cz, Si-mc, Si-Sog)[85], com o
objetivo de avaliar a potencialidade de cada um deles para o desenvolvimento de
processos de fabricao de dispositivos, onde o binmio: eficincia do dispositivo
versus custo de fabricao do material torna-se imperativo para a sua utilizao pela
indstria fotovoltaica.

5.4.2 CARACTERIZAO DE MATERIAIS: SUPERFCIES PASSIVADAS ATRAVS

DE OXIDAES TRMICAS

As lminas com superfcies passivadas atravs de oxidaes trmicas

apresentam o seu tempo de vida efetivo, ef, dependentes da velocidade efetiva de
recombinao de ambas as superfcies da amostra[86,87], 2Sef, do tempo de vida do
volume, vol, e da espessura da lmina, W, conforme equao (5.11).

ef

2S

ef + 1
W

vol

(5.11)

A obteno de reduzidos valores de velocidade de recombinao superficial,

Sef, e a preservao do tempo de vida do volume do material apresentam-se como
fatores fundamentais quando o engenheiro de processos projeta clulas solares com
tecnologias no dependentes do efeito de armadilhamento de impurezas atravs da
difuso do Al sobre toda regio posterior. Nas quais, se enquadram s clulas
solares com superfcies posteriores passivadas: Passivated emitter rear locally
diffused (PERL) e Passivated emitter and rear contacts (PERC). Estas estruturas,
conforme discutido no item 5.2, exigem uma excelente passivao sobre a regio
tipo p posterior[86,87] permitindo atingir valores de eficincias superiores a 22%.
Utilizando a medida de tempo de vida efetivo realizada atravs da tcnica
PCD pode-se determinar o limite superior da velocidade de recombinao, Sef-max e,

169

portanto, qualificar a passivao das superfcies. Este limite vem determinado, sob a
hiptese de que vol seja muito elevado, (vol=>), de forma que a componente
dominante, (ver equao 5.11), seja a recombinao nas superfcies, segundo
equao (5.12).

ef-max

W
2
ef

(5.12)

O mximo valor da velocidade de recombinao efetiva denota, a mxima

velocidade de recombinao em superfcie, que pode ser atribuda a uma lmina
com um tempo de vida efetivo, ef, medido.
Por outro lado, considerando que a principal componente de perda por
recombinao no volume, (ver equao 5.9), ocorre atravs da recombinao SRH,
SRH<<Auger/radiao, pode-se admitir que o limite inferior para, vol, seja determinado
atravs da expresso (5.13). Este limite representa o menor valor que pode ser
atribudo ao tempo de vida do volume de uma amostra, dado um valor de tempo de
vida efetivo medido.

vol. - min

SRH

ef

(5.13)

intrnseco

Assim, a velocidade de recombinao superficial, quando calculada utilizando

este limite, corresponde ao mnimo valor possvel e, portanto, o melhor Sef, Sef-min,
expresso (5.14).

W 1
1

ef-min 2

vol
ef

(5.14)

170

Na figura 5.13 pode ser observado um resumo dos parmetros que podem
ser extrados a partir da medida do tempo de vida efetivo, em funo do excesso de
portadores, quando utilizada a tcnica de passivao atravs de oxidaes trmicas,
como mostrado pelas equaes, 5.12, 5.13 e 5.14.

MEDIDA DO TEMPO DE VIDA EFETIVO

PASSIVAO COM OXIDAO

LIMITE SUPERIOR
DA VELOCIDADE DE
RECOMBINAO

LIMITE INFERIOR DO
TEMPO DE VIDA DO
VOLUME, vol-min.

(Sef-max)
LIMITE DA
VELOCIDADE DE
RECOMBINAO
SE A
ECOMBINAO
DOMINANTE NO
VOLUME. FOR A
INTRNSECA
(AUGER+RAD)

CLCULO DO
VALOR MNIMO DA
VELOCIDADE DE
RECOMBINAO DE
SUPERFCIE, Sef-min

Figura 5.13: Resumo dos parmetros que podem ser extrados a partir da medida de
tempo de vida efetivo, QSSPC/T-PCD, com as superfcies passivadas atravs de
oxidaes trmicas.

5.4.2.1 Caracterizaes dos filmes de SiO2 realizados com limpeza qumica com
reagentes C-MOS e oxidao trmica com gases especiais.

Conforme discutido, no captulo 4, as limpezas qumicas tm fundamental

importncia no processo de fabricao das clulas solares, e so determinantes na
manuteno do tempo de vida dos portadores minoritrios no volume dos

171

dispositivos, uma vez que geralmente so seguidas por etapas trmicas de elevada
temperatura (1000C 1150C).
Em particular, quando o silcio submetido a uma oxidao trmica, algumas
destas impurezas so armadilhadas no filme de SiO2[69], algumas permanecem na
interface Si/SiO2, e outras penetram no volume da amostra, degradando o tempo de
vida dos portadores minoritrios[88]. Este fato deve-se aos diferentes coeficientes de
segregao apresentados pelas diversas impurezas.
H. Sakurai et. al.[89], analisou substratos de silcio tipo p aps a contaminao
proposital de suas superfcies com impurezas, seguidas por um recozimento a
1000oC em ambiente de N2 durante uma hora. De acordo com os resultados
encontrados, impurezas como Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Ce, Pt e Pd, adsorvidas na
superfcie aps o processo de contaminao, difundem-se no volume do substrato
durante a etapa trmica, devido aos seus elevados coeficientes de difuso. Por outro
lado, os metais como Pb, Sr, Ta e Zr no atingem profundidades superiores a 0,5m
quando submetidos ao recozimento mencionado, por possurem reduzidos
coeficientes de difuso.
Ao mesmo tempo, pelo fato dos coeficientes de difuso de impurezas no
silcio, serem distintos dos valores apresentados em um filme de SiO2, faz com que a
determinao das impurezas capazes de se difundirem na amostra, durante o
processo de oxidao trmica se torne um processo extremamente complexo. Por
exemplo, o ferro no se difunde atravs do filme de SiO2 por possuir um coeficiente
de difuso cerca de 4,5 a 5,5, vezes menor, do que apresentada no Si ao ser
submetido a temperaturas entre 1020oC e 1100oC, assim a difuso desta impureza
ocorre somente no incio do processo de oxidao trmica. Por outro lado, o cobre
se difunde rapidamente no filme de SiO2 se submetido a 1000oC, at mesmo para
oxidaes rpidas (o coeficiente de difuso no SiO2 torna-se 50% maior que no Si,
se submetido a 1150oC)[90].
Em contraposio, a adio de aditivos clorados durante o processo de
oxidao trmica, bem como sua utilizao durante a limpeza dos fornos, apresenta
como uma de suas principais propriedades, a realizao de um armadilhamento de
impurezas[91,

92]

, atenuando portanto, a difusividade das impurezas indesejadas. De

acordo com D. K. Schroder[69], tomos de cloro presentes durante o processo de

oxidao se caracterizam por armadilhar impurezas como Na, K e Li, reduzindo,
portanto a quantidade de carga mvel no filme de SiO2.

172

Assim, embora algumas impurezas, remanescentes aps a limpeza qumica

RCA das superfcies do substrato tenham uma maior probabilidade de migrao
para o volume do que outras, degradando o tempo de vida; aps o incio do
processo de oxidao propriamente dito, esta probabilidade se altera. Como
possveis fontes de impurezas devido ao processo de oxidao, podem ser citados:
os produtos qumicos utilizados na limpeza inicial, o condicionamento das paredes
dos tubos dos fornos convencionais e a qualidade do gs utilizado para a realizao
do processo.
Como exemplo, os tempos de vida efetivos tidos como recordes mundiais[33]
em superfcies de tipo p foram obtidos em substratos FZ passivados atravs da
oxidao trmica em ambiente de TCA, a uma temperatura de 1050oC, tendo-se
obtido ef=13ms para uma lmina de silcio FZ tipo p com =10.cm.
Visando caracterizar o material, bem como as etapas de limpeza qumica e
oxidao trmica, o trabalho iniciou-se com a utilizao de substratos de Si-FZ
(elevado grau de pureza), com dimenses 3,9cm x 3,9cm e limpeza qumica padro
RCA, analogamente s descritas no item 4.4.2, mas utilizando reagentes qumicos
de qualidade C-MOS ou superior. Cabe ressaltar que as limpezas qumicas foram
finalizadas em gua DI, proporcionando uma avaliao dos processos de limpeza
qumica, das etapas trmicas (fornos convencionais em tubo aberto), e da gua DI.
As superfcies das lminas foram analisadas aps a realizao da limpeza,
atravs de microscopia de fora atmica, mostrando a sua eficcia na remoo de
particulados, conforme mostrado na figura 5.14. De acordo com a escala
apresentada pode-se verificar que a limpeza qumica propiciou uma remoo
satisfatria dos particulados.
Posteriormente, as lminas foram submetidas ao processo de oxidao
trmica em ambiente clorado a 1150oC durante 180minutos, resultando em filmes
com espessuras adequadas para sua utilizao como mascaramento em processos
de fabricao de dispositivos completos com tecnologia planar. Com o intuito de
otimizar etapas e processos foram utilizadas rampas de temperatura em todas as
etapas trmicas, visando diminuir os efeitos das tenses trmicas e assim possveis
a qualidade das interfaces, alm de serem utilizados gases especiais de pureza
controlada (O2 com 99,8% e N2 com 99,999%).

173

15,0

100,0 nm

50,0 nm
10,0
0,0nm

5,0

0
0

5,0

10,0

15,0
m

Figura 5.14: Varredura na superfcie de uma amostra realizada por microscopia de

fora atmica, em uma lmina aps a limpeza inicial padro, utilizando reagentes
qumicos de grau de pureza C-MOS ou superior. Foto obtida no equipamento de
microscopia de fora atmica do LSI EPUSP.
Na tabela 5.3 descreve-se o processo de obteno dos filmes de dixido de
silcio para a realizao desta anlise.
Tabela 5.3 - Processo de oxidao trmica com aditivos clorados
1. Limpeza do forno de oxidao com aditivo clorado a 1200oC, TTCA=35o C e
concentrao de TCA da ordem de 1,25%.
2. Rampa de temperatura de 1200oC para 800oC.
3. Insero das lminas em ambiente de O2 a uma temperatura de T=800 C.
4. Rampa de temperatura de T=800 C para T=1150 C.
5. Temperatura do forno T=1150o C, insero 2 min, em ambiente de O2.
6. Oxidao trmica durante 180minutos em ambiente clorado, concentrao
de TCA a 2%.
7. Oxidao trmica durante 30min em ambiente de O2.
8. Densificao do SiO2 formado durante 20min em ambiente de N2.
9. Rampa de temperatura para aproximadamente 600 C.
10. Retirada em 2 min, em ambiente de N2

174

Utilizando a tcnica PCD realizou-se uma comparao entre o tempo de vida

efetivo obtido na concentrao correspondente ao nvel de injeo da base
n=5,4x1014 cm-3 da amostra E-10-2 para trs condies distintas: virgem (sem
tratamento trmico e com passivao em HF), aps a oxidao trmica com aditivos
clorados e imediatamente aps a tcnica de hidrogenao alneal, como mostra a
figura 5.15. A passivao das lminas virgens realizou-se por passivao qumica
com HF, com caracterizaes realizadas por C.A.S. Ramos.

ef medido (ms)

1,4

1,26

1,2

1,00

1,0
0,8
0,6
0,34

0,4
0,2
0,0
passivao qumica

aps oxidao

aps alneal

Etapa do processo
Figura 5.15: Comparao entre os tempos de vida efetivos medidos antes e aps a
etapa de oxidao trmica, e aps a tcnica de hidrogenao alneal (amostra E10-2)
De acordo com esta figura, verifica-se que o tempo de vida efetivo aps a
etapa trmica seguida pelo alneal pde ser recuperado, atingindo um valor superior
ao encontrado durante a caracterizao com HF, mostrando, portanto, que a
oxidao trmica utilizando aditivo clorado no degradou significativamente o tempo
de vida do substrato.
Por outro lado, a diferena encontrada entre os tempos de vida efetivos
medidos antes e aps a tcnica de hidrogenao alneal permite comprovar os
efeitos benficos na passivao da superfcie da amostra. Este fato corrobora os
resultados encontrados na literatura (ver figura 2.5), onde as menores velocidades
de recombinao superficial so obtidas em superfcies com oxidao trmica
seguida por alneal.

175

Ao mesmo tempo, calculando-se o limite superior da velocidade de

recombinao, Sef-max e o limite inferior de recombinao no volume, vol-min de acordo
com as expresses (5.12) e (5.13), respectivamente pde-se verificar uma excelente
qualidade da passivao da superfcie realizada atravs do processo de oxidao
trmica seguida por alneal, (Sef-max=10,8m/s), para material, Si-FZ com =25.cm.
Com o intuito de avaliar as impurezas incorporadas durante a etapa de
oxidao realizou-se a caracterizao deste processo utilizando-se duas diferentes
tcnicas: anlise por ativao neutrnica (INAA) e espectrometria de massa de
ons secundrios (SIMS).
A tcnica de anlise de impurezas por ativao neutrnica (INAA) consiste na
irradiao de padres e amostras com uma massa de aproximadamente 150mg, em
um reator com fluxo de neutrons trmicos de 1,5x1012 n.cm-2s-1, por um perodo de
16h. A radioatividade gama induzida pela exposio ao feixe de nutrons foi medida
por um espectrmetro de raios gama sendo a resoluo para o raio gama 1322keV
de

60

Co, 1,70kev. Os espectros gamas emitidos pelas amostras e pelos padres

correspondentes aos diferentes elementos analisados foram avaliados em dois

perodos diferentes: aps um perodo de decaimento de trs dias (para elementos
com as meia vidas mais curtas tais como As, Br, Ca, Na e W) e aps um perodo de
15 dias (para elementos com meias vidas mais longas, como Co, Cr, Fe, Se e Zn).
Foram analisadas duas amostras EP1 e EP2, a primeira imediatamente aps a
limpeza qumica, sendo a segunda oxidada conjuntamente com a lmina E-10-2,
conforme apresentado na tabela 5.4.
De acordo com esta tabela a maioria dos elementos, no detectados aps a
limpeza qumica, no tiveram suas concentraes alteradas aps o tratamento
trmico. Este fato corrobora os resultados encontrados utilizando a tcnica PCD,
onde o tempo de vida efetivo da amostra E-10-2 foi recuperado aps a oxidao
trmica seguida por alneal, ver figura 5.14.

176

Tabela 5.4 - Contedo de impurezas e limites de deteco em duas amostras de SiFZ antes e aps a oxidao trmica obtidas pela tcnica INAA, em tomos/cm3.

EP2
(aps a oxidao
trmica)
As
NDa
ND
Br
(1,06 0,01)x1014
(1,7 0,1) x1014
Ca
ND
ND
Co
ND
ND
Cr
ND
ND
Fe
ND
ND
Na
ND
ND
Se
ND
ND
W
ND
ND
Zn
ND
(1,69 0,02)
x1014
no detectado, concentrao inferior a LD.

Elementos

a.

EP1
(aps a limpeza)

LD
1,7 x 1012
8,1 x 1012
3,4 x 1015
3,7 x 1012
2,1 x 1013
2,4 x 1015
5,2 x 1015
1,7 x 1011
2,9 x 1012
8,6 x 1013

Podem ser observadas pequenas mudanas nas concentraes de zinco

e bromo detectadas por INAA aps a oxidao trmicas, muito embora estas
alteraes no produzissem variaes significativas no tempo de vida efetivo.
Por outro lado, pelo fato de que a maioria das concentraes de
impurezas dos elementos estudados serem inferiores ao limite de deteco, a
anlise das concentraes de impurezas com esta tcnica permitiu avaliar
apenas qualitativamente a presena de contaminantes.
Assim, visando obter a quantificao das impurezas presentes aps a
oxidao

trmica

com

aditivos

clorados,

bem

como

os

respectivos

comportamentos como funo da profundidade da amostra, a amostra E-10-2 foi

analisada tambm atravs da tcnica SIMS, permitindo a obteno de perfis de
impurezas.
Um pr-sputtering em uma rea de 300x300m2 foi realizado para
realizar a remoo do dixido de silcio em um rea efetiva final de 80x80 m2
para evitar efeitos de bordas da cratera.
As impurezas, tais como Co, Fe, W, As,
+

23

Na, Cr e Cu, foram analisadas

utilizando um feixe de O2 ; uma vez que este permite aumentar os rendimentos

dos ons secundrios destes elementos.

177

O perfil de Co, obtido a partir do

30

Si29Si se manteve abaixo do limite de

deteco da tcnica, 2x1015 tomos/cm3, embora medido com alta resoluo em

massa (M/m=3452). O mesmo ocorreu com as concentraes de ferro e
tungstnio, onde os respectivos limites de deteco se situaram no entorno de
8x1016tomos/cm3 e 4x1017tomos/cm3, respectivamente, corroborando assim os
resultados encontrados pela tcnica INAA, onde o limite de deteco para estes
elementos eram 2,4x1015tomos/cm3 e 2,9 x 1012tomos/cm3 (ver tabela 5.4).
Nas figuras 5.16 a 5.19 apresentam-se os perfis das concentraes de
impurezas em tomos/cm3, em funo da profundidade na amostra (m)
medidos na prpria amostra E-10-2. Nestas figuras apresentam-se apenas as
impurezas que permitiram realizar uma anlise quantitativa: (a) As, (b) Na, (c) Cu

20

10

19

10

10

18

10

10

10

10

10
4,0

10

Conc. [tomos/cm ]

10
10

17

As

10

cts/s

e (d) Cr, respectivamente correspondendo s figuras 5.16, 5.17, 5.18 e 5.19.

16

10

15

10

14

10

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

profundidade [m]

Figura 5.16: Perfil de concentrao de As em funo da profundidade medida pela

tcnica SIMS.

21

10

20

10

19

10

18

10

10

10

10

10

17
16

10

10
10

15

10

10

14

10

10

13

10

28

0,0

Si

23

Na

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

cts/s

10
3

Conc. [tomos/cm ]

178

4,0

profundidade [m]

23

10

10

22

10

10

21

10

10

20

10

10

19

10

10

18

10

10

17

10

10

16

10
4,0

28

Si

0,0

Cu

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5 3,0
profundidade [m]

3,5

cts/s

10

Conc. [tomos/cm ]

Figura 5.17: Perfil de concentrao de Na em funo da profundidade medida pela

tcnica SIMS.

Figura 5.18: Perfil de concentrao de Cu em funo da profundidade medida pela

tcnica SIMS.

10

21

10

10

20

10

10

19

10

10

18

10

10

17

10

10

16

10

10

15

10

10

14

10
4,0

28

0,0

Si

Cr

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

cts/s

Conc. [a/cm ]

179

profundidade [m]

Figura 5.19: Perfis de concentrao de Cr em funo da profundidade medida pela

tcnica SIMS.
Desta forma, a caracterizao dos perfis permitem comprovar que as
impurezas remanescentes aps a etapa de limpeza qumica, da superfcie de uma
lmina oxidada em ambiente clorado, se difundem em uma profundidade inferior a
2,0m, corroborando a o efeito de armadilhamento de impurezas realizado pelo
aditivo clorado durante o processo de oxidao trmica. Este fato comprova as
caracterizaes realizadas com a tcnica PCD, onde o limite inferior do tempo de
vida de portadores minoritrios no volume se situa no entorno de 1ms, no sendo
praticamente degradado aps uma etapa trmica de temperatura elevada.
Uma comparao entre os mximos de concentraes de cada elemento
analisado, e as respectivas profundidades onde as concentraes tornam-se iguais
aos limites da tcnica vem apresentadas na tabela 5.5. Os perfis das impurezas
cujas concentraes esto abaixo do limite de deteco desta tcnica no permitem
extrair esta profundidade.

180

Tabela 5.5 - Concentraes superficiais e profundidades das impurezas na amostra

E-10-2 caracterizadas atravs da tcnica SIMS.

Elementos

Concentraes Superficiais (tomos/cm3)

Profundidade
(m)

As

3,36x1015

<0,2

Na

1x1013

1,0

Cr

3x1016

>0,085

Cu

2x1020

1,0

Co

<2x1015 (LD)

_____

Fe
W

16

8x10

(<LD)

_____

4x10 (<LD)

_____

17

Outro ponto de destaque reside no fato de que algumas impurezas (Cr e As),
encontradas na superfcie da amostra pela tcnica SIMS (tabela 5.5), apresentam
valores superiores aos limites de deteco apresentados pela caracterizao atravs
da tcnica INAA, (tabela 5.4). Isto se deve ao fato que a tcnica INAA, permite uma
avaliao da amostra como um todo (superfcie + volume) enquanto que a tcnica
SIMS permite uma anlise de seu perfil. Nestes casos, pode-se inferir que a maior
concentrao de impurezas permaneceu em sua maior parte na superfcie da
amostra devido ao armadilhamento realizado pelos aditivos clorados.
Assim, a comparao entre os resultados encontrados atravs das
caracterizaes realizadas utilizando as tcnicas INAA e SIMS permite assegurar
que as impurezas permanecem praticamente na superfcie das amostras,
justificando, portanto a preservao do tempo de vida de portadores minoritrios no
volume das amostras oxidadas em ambientes clorados. Este fato corrobora o
elevado limite inferior do tempo de vida dos portadores minoritrios atribudo ao
volume calculado atravs da tcnica PCD (ver expresso 5.13). Portanto,
demonstra-se a enorme potencialidade da tcnica PCD, devido a sua praticidade e
rapidez de execuo das caracterizaes realizadas, permitindo uma avaliao do
volume e da superfcie praticamente in situ. Cabe ressaltar ainda que a

181

caracterizao atravs do equipamento PCD uma tcnica no destrutiva

permitindo a continuidade de seu processo, diferentemente das tcnicas INAA e
SIMS.

5.4.2.2 Estudo do efeito das limpezas qumicas (PA X MOS) sobre o tempo de vida

do volume do material

Uma vez qualificados os filmes de SiO2 obtidos em condies otimizadas

(gases especiais e reagentes qumicos MOS), realizou-se um estudo preliminar
sobre a limpeza qumica utilizada na fabricao dos dispositivos. A qualidade da
limpeza qumica inicial foi avaliada por meio de medidas de tempo de vida efetivo em
funo do excesso de portadores em substratos passivados atravs da oxidao
trmica com aditivos clorados, seguidos por recozimento utilizando FG e alneal.
Mantendo fixas as condies do processo de oxidao trmica, analisaram-se as
limpezas qumicas realizadas utilizando reagentes qumicos com dois diferentes
graus de pureza: de elevada qualidade (grau igual ou superior a C-MOS), e com
reagentes de baixo custo (grau P.A.). Os reagentes qumicos de baixo custo
possuem concentraes de impurezas muito superiores s encontradas no de grau
mais elevado, como discutido no captulo 4. Portanto, espera-se uma maior
degradao no tempo de vida dos portadores minoritrios quando utilizados os
reagentes com qualidade inferior.
Na tabela 5.6 pode-se observar que as amostras E-6-5 e E-10-2, ambas de
silcio FZ com =25.cm apresentam um tempo de vida efetivo elevado, valores
entre 1,00ms e 1,26ms (aps alneal), representando velocidades de recombinao
efetivas mximas no entorno de 13,6cm/s e 10,8cm/s respectivamente. Conforme
anteriormente comentado, estes valores de velocidade correspondem ao maior valor
possvel que pode ser associado recombinao na superfcie para amostras com
valores de tempos de vida efetivos, ver equao (5.12). Por conseguinte, estes
valores de Sef-max denotam a excelente qualidade de passivao superficial das
lminas oxidadas em ambiente clorado seguidas por alneal; corroborando os
resultados encontrados por A. W. Stephens et. al. [93].

182

Tabela 5.6 - Anlise comparativa dos tempos de vida efetivos, e limites (velocidade
de recombinao superior efetiva mxima, tempo de vida de portadores minoritrios
no volume mnimo e velocidade de recombinao efetiva mnima), obtidos utilizando
limpeza qumica RCA padro, com produtos de elevado grau de pureza (C-MOS ou
superior), e produtos de baixo custo (P. A.). Considerou-se a concentrao em
excesso de portadores igual a n=5,4x1014 cm-3.

Grau de
Pureza

rea
2

(cm )

ef

ef

ef

Sef-max

vol-

(ms)

(ms)

(ms)

(cm/s)

min

(imediata/e

(aps

(aps

aps

recozi/o

recozi/o

oxidao)

em FG)

em

Sef-min
(cm/s)

(ms)

alneal)
SUPERIOR
E-6-5

3,0 x 3,0

0,30

E-10-2

3,9 x 3,9

0,35

3,0 x 3,0

0,21

0,83

1,00

13,6

1,01

0,16

1,26

10,8

1,28

0,16

0,53

25,4

0,54

0,16

BAIXO
CUSTO
E-6-6

0,47

Por outro lado, a comparao entre as amostras E-6-5 e E-6-6 (FZ, com
=25.cm) permite avaliar o efeito das impurezas remanescentes no material devido
ao menor grau de pureza dos reagentes qumicos utilizados na limpeza inicial (RCA
padro), posto que foram oxidadas conjuntamente. Verifica-se que na amostra
E-6-6, Sef-max=25,4cm/s, (produtos P. A.), o limite superior da velocidade efetiva se
apresenta ligeiramente superior ao valor Sef-max=13,6cm/s encontrado na lmina
E-6-5, contudo ainda representando uma excelente qualidade de passivao
superficial.
Ao mesmo tempo a anlise do limite inferior do tempo de vida no volume, vol,
(equao 5.13), mostra que os menores valores possveis que podem ser atribudos
aos tempos de vida dos volumes das amostras, E-6-5 e E10-2, correspondem a
1,01ms e 1,28ms aps oxidao seguida por alneal, respectivamente. No entanto,

183

comparando-se estes resultados, verifica-se que a diferena encontrada se deve

principalmente ao fato de que a lmina E10-2 possui uma rea maior que a
apresentada pela lmina E-6-5 e, portanto, capaz de recobrir completamente a
bobina RF do equipamento (figura 5.10), maximizando assim a rea de anlise, bem
como minimizando, a interferncia dos efeitos do permetro da lmina [94].
Ao mesmo tempo, o limite inferior do tempo de vida no volume da lmina
E-6-6, vol-min =0,54ms, mostra que mesmo utilizando produtos de baixo custo na
limpeza qumica torna-se possvel a obteno de oxidaes com qualidade
preservando o tempo de vida da amostra.
A figura 5.20 apresenta as curvas de tempo de vida efetivo em funo do
excesso de portadores, utilizando-se ambos os mtodos: transiente T-PCD e quase
esttico (QSSPC), obtidos em amostras com superfcies oxidadas em ambiente
clorado seguida por alneal (amostra E-6-5 limpeza qumica com reagentes de
elevado grau de pureza e amostra E-6-6, com reagentes de grau P. A.).

10000

0ef medido (x10-3ms)

E-6-5
1000

E-6-6
100

10
1E+12

1E+13

1E+14

1E+15

1E+16

1E+17

1E+18

Densidade de portadores em excesso, n

Figura 5.20: Medida do tempo de vida efetivo em funo da densidade de portadores

utilizando-se ambos os modos: transiente (T-PCD) e quase-esttico (QSSPC) em
amostras com as superfcies passivadas atravs de oxidao trmica seguida por
alneal (amostra E-6-5 com limpeza qumica utilizando reagentes de grau de pureza
C-MOS ou superior e amostra E-6-6 com limpeza qumica com reagentes com grau
P. A.).

184

5.5 CARACTERIZAO DE MATERIAIS: SUPERFCIES PASSIVADAS ATRAVS

DA FORMAO DE ESTRUTURAS N+PN+

Com o intuito de reduzir o efeito das superfcies atravs da formao de

estruturas n+pn+, procedeu-se implementao de uma pr-deposio pouco
dopada utilizando fonte lquida de POCl3 em fornos de tubos abertos convencionais,
seguidos pela remoo do fsforosilicato, com posterior oxidao em ambiente
clorado em altas temperaturas.
Uma vez formadas as estruturas, realizaram-se as medidas de tempo de vida
efetivo em funo da densidade de excesso de portadores, n. Estas medidas,
seguindo o mtodo proposto por D. E. Kane e R. M. Swanson[95], tornam-se
dependentes do tempo de vida do volume do substrato, da concentrao de
dopantes no substrato, NA, da densidade de recombinao do emissor, Joe, da
carga, q, da espessura, W, e da densidade intrnseca de portadores, ni, conforme
apresentado na equao (5.14).

ef

2 Jo e n + N

(5.14)

qW n2
i

vol

Substituindo-se o inverso do tempo de vida do volume da equao (5.15) da

equao (5.7) e re-arranjando-a de uma forma mais conveniente, obtm-se a
equao (5.13).

1
1
-

rad
ef Auger
1

2Joe n + N
1
A
=
+
2

qW n
SRH

(5.15)

Nesta equao, quando a base estiver sob condies de alta injeo, o

inverso do tempo de vida do volume em funo de, n, descrever uma reta cuja
interceptao com a ordenada representa a recombinao SRH, e a razo
2Joe/qWni2, seu coeficiente angular.

185

Desta forma, a passivao das superfcies em amostras utilizando estruturas

com difuses pouco dopadas, permitem a qualificao do material conjuntamente
com a avaliao da qualidade do emissor formado (atravs de sua componente de
recombinao, Joe).
Uma vez que o tempo de vida efetivo medido possui duas componentes:
recombinao no emissor e no volume, pode-se estimar o limite superior da
contribuio da recombinao no emissor (Joe) assumindo que (vol ) na equao
(5.15), ver equao (5.16).

e f -lim ite

=2

Jo e
N
A
q n i2 W

(5.16)

Nesta equao, o tempo de vida efetivo limite representa o menor valor que
pode ser associado ao tempo de vida efetivo, quando for dominado pela sua
componente de recombinao no emissor (Joe). Assim, se os valores de eflimite>>ef
pode-se inferir que estes ltimos tm como principal componente a recombinao no
volume do material, vol.
Na figura 5.21 apresenta-se um resumo dos parmetros que podem ser
extrados a partir do tempo de vida efetivo, quando a superfcie for passivada atravs
de difuso suave/oxidao.
Cabe destacar que a anlise da densidade de corrente de recombinao no
emissor, Joe, em estruturas formadas atravs de difuses suaves, n+pn+, permitiu
que R. R. King et al[28], A. Cuevas et. al.[32] e M. Kerr[33], realizassem a adequao
dos

parmetros

internos

utilizados

na

simulao

do

silcio

de

tipo

moderada/altamente dopados em funo da mudana no valor de, ni. Como

discutido no captulo 2, estas re-adequaes permitem uma descrio mais precisa
dos fenmenos que ocorrem neste tipo de emissores proporcionando subsdios para
a realizao de otimizaes tericas, auxiliando no projeto de novos processos de
fabricao de dispositivos (ver captulo 3).

186

MEDIDA DE TEMPO DE VIDA EFETIVO

PASSIVAO COM DIFUSO SUAVE (n+pn+)

ANLISE
DE JOE

CLCULO DO TEMPO DE
VIDA EFETIVO LIMITADO
PELA COMPONENTE JOE, ef ANLISE DO
TEMPO DE VIDA DO
VOLUME DO MATERIAL,
vol
Figura 5.21: Parmetros extrados atravs da medida do tempo de vida efetivo
utilizando estruturas passivadas e difuso suave de fsforo (estruturas n+pn+).

5.5.1 CARACTERIZAES DE MATERIAIS E DAS DIFUSES DE FSFORO

POUCO DOPADAS UTILIZANDO GASES ESPECIAIS E SUBSTRATOS FZ

Utilizando-se amostras FZ, tipo p, com resistividades de 25.cm, com 3,0cmx

3,0cm de rea, realizaram-se pr-deposies suaves de fsforo, seguidas pela
remoo do fsforosilicato e oxidao trmica em ambiente clorado a 1100oC,
resultando em lminas com resistncia de folha de 400/.
Nestes experimentos, foram utilizados reagentes qumicos de elevado grau de
pureza e gases especiais, O2 (99,8%), N2 (99,999% analtico). As pr-deposies
foram realizadas de modo anlogo ao mostrado na tabela 4.5, utilizando-se a
concentrao de fsforo adequada para a obteno da resistncia de folha desejada
aps remoo do PSG, seguida pela oxidao trmica. A tabela 5.7 descreve o
processo de oxidao trmica propriamente dita.

187

Tabela 5.7 - Processo de oxidao trmica realizado aps a pr-deposio de

fsforo seguida pela remoo do PSG, (eventuais limpezas foram realizadas com
gases industriais)
_____________________________________________________________________________________________________

1. Temperatura de entrada, T=800C em ambiente de O2, gs especial.

2. Elevao da temperatura para 1100 C, em ambiente de O2, gs especial.
3. Oxidao trmica durante 120min em ambiente de O2 e TCA com
concentrao de 2%, gs especial.
4. Rampa de resfriamento at 600 C, N2 especial.
5. Retirada das lminas em 2 min
_____________________________________________________________________________________________________

Aps a realizao da oxidao trmica por 120minutos, foi obtida uma

profundidade de juno de 2,0m, caracterizada pelo mtodo de desbaste por
cilindro.
Na tabela 5.8 podem ser observados os valores de tempos de vida efetivos
para a concentrao de excesso de portadores, n=5,4x1014cm-3 encontrados aps
cada etapa do processo de fabricao (oxidao, recozimento em Forming gas e
aps alneal) de uma amostra de material FZ, tipo p e com resistividade de 25.cm

Tabela 5.8 - Medidas de tempo de vida efetivo aps a realizao das diversas
etapas: oxidao, recozimento em Forming gas e alneal para n=5,4x1014 cm-3.

Amostra

rea

ef

ef

ef

ms

ms

ms

(aps

(aps

aps alneal)

oxidao)

FG)

0,399

0,436

cm

E-12-1

3,0x3,0

0,595

188

Nesta tabela pode-se observar que o comportamento do tempo de vida

efetivo se altera quando as amostras so submetidas a uma das tcnicas de
hidrogenao (recozimento em FG e alneal). Em particular, o resultado encontrado
aps alneal na amostra E-12-1 chega a atingir um tempo de vida efetivo da ordem
de 0,6ms, valor suficientemente elevado visando a obteno de clulas solares de
alta eficincia com estrutura baseada na passivao da superfcie posterior (PERL,
PERC). De acordo com simulaes tericas considerando uma estrutura RP-PERC
com caractersticas semelhantes s apresentadas na tabela 5.1, espessura de base
de 300m e resistividade de 25.cm pode-se estimar uma eficincia de 18,7
19,4% para tempos de vida de portadores no volume da ordem de 0,1ms a 0,2ms e
velocidade de recombinao superficial posterior efetiva de 50cm/s.
A obteno de um elevado ef na etapa final da preparao de amostras
visando a caracterizao do material possui uma elevada importncia sob o ponto de
vista do processo de fabricao de dispositivos completos. Cabe ressaltar que nesta
etapa, a lmina foi submetida maior parte dos processos usualmente utilizados na
fabricao de dispositivos tais como limpezas qumicas iniciais, etapas trmicas,
(incluindo a utilizao dos fornos de tubo aberto especficos para pr-deposio de
fsforo, oxidao passivadora/redistribuio, recozimento em FG), ou a evaporao
de Al (para realizao do alneal), representando, portanto uma qualificao das
etapas utilizadas para um determinado processo de fabricao. Desta forma, esta
tcnica ao mesmo tempo em que permite a qualificao do material sob estudo, atua
como guia na identificao de possveis fontes de contaminaes para um
determinado processo desenhado visando obteno de clulas solares de alto
rendimento.
Nas tabelas 5.9 e 5.10 apresentam-se os valores das densidades de
recombinao dos emissores formados, o tempo de vida efetivo-limite calculado de
acordo com a equao (5.16) e os valores mximos encontrados no tempo de vida
efetivo medidos dentro do intervalo de 1x1013cm-3<n<1x1017cm-3. Os valores foram
calculados utilizando ni=1x1010cm-3 corrigido para a temperatura de 25C,
ni=8,66x109 cm-3[43].
A

primeira

tabela

mostra

os

resultados

aps

etapa

de

oxidao/redistribuio, e a segunda est centrada na anlise destes valores aps

as tcnicas de hidrogenao, atravs do recozimento em Forming Gas e alneal.

189

Tabela 5.9 - Clculo de densidade de corrente de recombinao, Joe do emissor, e

comparao entre o tempo de vida limite (equao 5.16), e o mximo tempo de vida
medido aps a etapa de oxidao trmica/redistribuio dos tomos de fsforo.

Aps
Amostra

Oxidao
Joe
fA/cm

E-12-1

ef-limite

ef-mximo

ms

ms

2,98

0,406

127

Analisando-se a tabela 5.10, observa-se que o valor da densidade de

recombinao aps a realizao da tcnica alneal da ordem de 45fA/cm2, tendo
alcanado valores de 36fA/cm2 em outras amostras, demonstrando, assim, a
excelente qualidade dos emissores formados.
Tabela 5.10 - Clculo de densidade de corrente de recombinao, Joe do emissor, e
comparao entre o tempo de vida limite (equao 5.16), e o mximo tempo de vida
medido aps a etapa de oxidao trmica/redistribuio dos tomos de fsforo
seguida pela hidrogenao realizada com FG e alneal.

Aps
Amostra

E-12-1

Aps tcnica alneal

recozimento em FG
Joe

ef-limite

ef-mximo

Joe

ef-limite

ef-mximo

fA/cm2

ms

ms

fA/cm2

ms

ms

100

3,78

0,515

45

8,4

0,595

Ao mesmo tempo, pode-se observar que os valores dos tempos de vida

efetivos calculados sob a suposio de que a recombinao no emissor,Jo seja
dominante, ef-limite, so muito maiores que (cerca de 7 vezes) quando comparados
aos valores medidos em cada etapa do processo. Assim, devido ao balanceamento

190

existente entre as contribuies do emissor e do volume (eflimite>>ef-mximo medido),

conclui-se que a recombinao no volume nestas amostras a componente
dominante aps todas as etapas trmicas realizadas. Esta observao permite
admitir que o tempo de vida efetivo medido seja aproximadamente igual ao tempo de
vida do volume do material.
Em resumo, os valores experimentais dos tempos de vida efetivos obtidos
demonstram a elevada qualidade do material e a sua preservao, alcanando
valores de aproximadamente de 0,6ms aps a lmina haver sido submetida a todas
as etapas trmicas que configuram um processo de fabricao de clulas solares de
alta tecnologia.

5.5.2

CARACTERIZAES

DAS

DIFUSES

SUAVES

UTILIZANDO

PR-

DEPOSIO COM GS INDUSTRIAL

Com o intuito de avaliar o efeito da utilizao de gases industriais (baixo

custo) sobre a qualificao de materiais foram analisadas amostras utilizando o
mesmo processo descrito anteriormente (item 5.5.1): pr-deposio suave de
fsforo, remoo do PSG seguido pela oxidao trmica em ambiente clorado,
processo descrito no tabela 5.7. Neste caso, utilizaram-se reagentes qumicos com
elevado grau de pureza (C-MOS ou superior) e gases O2 e N2 de qualidade
industrial. Entretanto, neste experimento visando evidenciar os efeitos produzidos
pela contaminao ocorrida especificamente durante a etapa de pr-deposio de
fsforo, realizou-se a etapa de oxidao/redistribuio final utilizando aditivos
clorados e gs especial (processo otimizado no item 5.5.1). A tcnica de
hidrogenao escolhida foi a alneal, uma vez que comprovadamente permite
minimizar a velocidade de recombinao de superfcie efetiva.
Na tabela 5.11 podem ser observados os resultados das medidas de tempos
de vida efetivos na amostra E-10-1, extrada da mesma lmina que a amostra E-10-2
(ver figura 5.15). Esta amostra de Si-FZ possua rea de 3,9cmx3,9cm, resistividade
de 25.cm e espessura de 272m, com caracterizaes realizadas aps cada etapa
de preparao da amostra.

191

Tabela 5.11 - Tempos de vida efetivos medidos aps cada etapa realizada na
amostra E-10-1 (pr-deposio de fsforo, oxidao/redistribuio e alneal),
considerando, n=5,4x1014 cm-3.

Amostra

rea
2

(cm )

E-10-1

3,9x3,9

ef

ef

ef

ms

ms

ms

(aps

(aps

aps alneal)

pr-deposio)

oxidao)

0,315

0,177

0,512

A comparao direta e quantitativa entre as tabelas 5.10 e 5.11 no foi

possvel ser realizada, uma vez que a lmina E-10-1, possui uma rea maior que a
E-12-1, portanto, potencialmente capaz de prover um maior tempo de vida efetivo.
Contudo, uma comparao qualitativa entre os resultados obtidos pode ser
realizada, permitindo inferir que a utilizao de gs industrial durante a etapa de prdeposio de fsforo na amostra E-10-1, resultou em tempos de vida efetivos
inferiores aos obtidos na amostra E-12-1, mesmo possuindo uma rea maior. Este
fato corrobora o efeito da introduo de contaminantes na amostra devido
utilizao de gases de baixo custo no processo. Por outro lado, o valor obtido na
etapa final desta amostra (E-10-1), aps alneal merece destaque, pois este tempo
se caracteriza por ser suficientemente elevado como para garantir a potencialidade
de obteno de altos rendimentos no final do dispositivo, inclusive aps a utilizao
de gases de baixo custo.
Na tabela 5.12, apresentam-se os valores da densidade de recombinao no
emissor (Joe), os limites calculados atravs da equao (5.13), mximo de tempo de
vida medido na amostra E-10-1, aps a etapa trmica final seguida por alneal.
Verifica-se tambm a excelente qualidade do emissor formado, Joe=46fA/cm2.

192

Tabela 5.12 - Componente de recombinao no emissor, tempo de vida limite

imposto pela recombinao no emissor e tempo de vida mximo efetivo medidos na
amostra E10-1 com W=272 (m) para a concentrao n=NA=5,4x1014cm-3.

Aps Alneall Joe (fA/cm2)

E-10-1

45,6

ef limite (ms)

ef mximo - medido(ms)

6,634

0,609

De acordo com os resultados desta tabela verifica-se que o valor do tempo de

vida efetivo calculado sob a suposio de dominao da recombinao no emissor,
(equao 5.13), tambm extremamente elevado, (cerca de 10 vezes superior),
quando comparado ao valor mximo de tempo de vida efetivo medido, tornando
possvel associ-lo ao tempo de vida de recombinao no volume do material. Este
ltimo por sua vez indica a excelente qualidade do material utilizado, ef=0,609ms,
corroborando os resultados encontrados na amostra E-10-2, analisada atravs da
tcnica de passivao por oxidao trmica.
Contudo, o fato de que os valores mximos de tempo de vida efetivos
atingidos com esta tcnica de passivao, estruturas n+pn+ com resistncia de folha
de 400 /, serem inferiores, ef aproximadamente igual a 0,6ms, aos alcanados
com a tcnica de passivao por oxidao trmica seguida por alneal, ef
aproximadamente igual a 1ms, evidencia a necessidade de uma re-otimizao da
etapa de pr-deposio de fsforo.

5.5.3 CARACTERIZAES DAS DIFUSES DE FSFORO UTILIZANDO GASES

ESPECIAIS E SUBSTRATOS FZ VISANDO A OBTENO DE EMISSORES
OTIMIZADOS

Uma vez concluda a necessidade de re-otimizao da etapa de prdeposio de fsforo, iniciou-se o estudo dos emissores com perfil Gaussiano
otimizados, com a implementao de limpezas peridicas do forno de pr-deposio
de fsforo, anlogas s realizadas no forno de oxidao trmica. Contudo, visando

193

realizar limpezas de baixo custo, neste forno optou-se pela realizao de limpezas
com gs industrial O2 sem adio de aditivos clorados (temperatura de 1000C
durante 1 hora).
Utilizando substratos de Si-FZ com orientao <100>, resistividades 2030.cm e rea de 3,0x3,0 cm2 foram analisados os emissores com resistncia de
folha de 100/ e profundidade de juno da ordem de 2,0m por meio das
estruturas n+pn+. A formao destes emissores foi dividida em duas etapas trmicas:
a) pr-deposio de fsforo e, aps a remoo do PSG, b) realizao da oxidao
trmica com aditivo clorado.
A seguir realiza-se uma comparao entre duas amostras representativas
deste processo, E-17-6 e E-17-3, extradas de uma mesma lmina, caracterizadas
por possurem ataques qumicos com CP4 otimizados, e serem submetidas s
limpezas qumicas iniciais otimizadas, utilizando, portanto reagentes qumicos com
grau de pureza elevado.
A lmina E-17-6 possui 2 horas de oxidao trmica, segundo processo
descrito na tabela 5.7; enquanto que a lmina E-17-3 possui um tempo de oxidao
trmica menor (1 hora), com o intuito de obter uma camada anti-refletora, com
espessura menor. Entretanto, visando manter a profundidade de juno da lmina E17-3 tambm no entorno de 2,0m adicionou-se ao processo uma etapa de
permanncia em ambiente de N2 por 1 hora, conforme sintetizado na tabela 5.13.
Tabela 5.13 - Processo de oxidao trmica (modificaes visando uma camada
passivadora otimizada)
_____________________________________________________________________________________________________

1.

Temperatura de entrada T=800 C em ambiente de O2, gs especial.

2. Insero das lminas.

3. Elevao da temperatura para 1100 C, em ambiente de O2, gs especial.
4. Oxidao trmica em ambiente clorado durante 1 hora, gs especial.
5. Permanncia em ambiente N2 durante 60min a 1,5l/min utilizando gases
especiais.
6. Rampa de resfriamento at 600 C, N2 gs industrial.
7. Retirada das lminas em 2 min
_____________________________________________________________________________________________________

194

A tabela 5.14 mostra a resistncia de folha obtida aps as etapas: a) prdeposio de fsforo, remoo do PSG e oxidao trmica, b) aps um recozimento
em FG e c) aps alneal. Mostra-se tambm a espessura do filme de SiO2 obtido.

Tabela 5.14 - Medidas de tempo de vida efetivo aps a realizao das diversas
etapas: oxidao, recozimento em Forming gas e alneal.

Amostra

rea

ef

ef

ef

ef

Esp.

cm2

(/)

ms

ms

ms

ms

do xido

(aps

(aps

(aps

(aps

pr-

remoo

FG)

alneal)

()

depos.)

PSG/
oxidao)

E-17-6

3,0x3,0

130

1,013

0,883

0,932

1,202

2800

E-17-3

3,0x3,0

100

1,014

0,905

1,130

1800

A anlise atravs do programa PC1D, levando em conta a resistncia de folha

encontrada e a profundidade de juno, permite estimar as concentraes
superficiais de dopantes obtidas nestas amostras, bem como as velocidades de
recombinao superficiais tericas (obtidas atravs das expresses empricas
apresentadas na tabela 2.3), como mostra a tabela 5.15.
De acordo com esta tabela pode-se verificar os excelentes valores dos
tempos de vida de portadores minoritrios aps a etapa de oxidao trmica, apesar
de serem submetidas a duas etapas trmicas. Pode-se ressaltar ainda a eficcia das
limpezas de baixo custo realizadas no forno de pr-deposio de fsforo, permitindo
que as estruturas n+pn+ atingissem valores comparveis aos alcanados atravs
pelas amostras processadas com passivao trmica de SiO2 (ver item 5.4.2.2).

195

Tabela 5.15 Caractersticas dos emissores com perfil Gaussiano: concentrao

superficial de dopantes, espessura, resistncia de folha e velocidades de
recombinao superficiais tericas de superfcies n+ oxidadas (aps FG e aps
alneal).

Amostra

Ns (tomos/cm3)

W e (m)

R (/)

Sp (cm/s)

Sp (cm/s)

(SiO2 FG)

(SiO2 alneal)

[tabela 2.3]

[tabela 2.3]

E-17-6

3,4x1018

2,0

130

351

157

E-17-3

5,3x1018

2,0

100

451

213

Pde-se verificar ainda, a reprodutibilidade dos tempos de vida efetivos em

amostras com resistncia de folha no entorno de 100/, mesmo com aps a
reduo do tempo de oxidao trmica, permitindo que em trabalhos futuros sejam
implementadas

ao

processo

as

camadas

anti-refletoras

simples

de

SiO2

anteriormente otimizadas (espessuras da ordem de 1100 ).

Visando caracterizar os emissores obtidos, analisou-se a amostra E-17-6
aps a etapa de hidrogenao alneal em alta injeo. Esta anlise permitiu extrair
a densidade de recombinao do emissor formado, obtendo-se uma densidade de
recombinao da ordem de 45fA/cm2, considerando ni=8,66x109 cm-3 corrigido para
T=25 C.
A figura 5.19 compara o tempo de vida efetivo medido na amostra E-17-6
aps a realizao do alneal (medidas em modo quase esttico e transiente) com o
tempo de vida limite (curva lils).
O tempo de vida limite obtm-se atravs da suposio de que toda a
recombinao que ocorre na amostra se deve densidade de recombinao dos
emissores existentes em ambos os lados da amostra, (estrutura n+pn+) ver
equao (5.14).

196

100000

E17-6 (8a. Medida - Pos Alneal)

ef medido ( s)

J0 limit
10000

1000

100

10
1E+12

1E+13

1E+14

1E+15

1E+16

1E+17

1E+18

Densidade de excesso de portadores, n (cm-3)

Figura 5.22: Tempo de vida efetivo medido em funo da densidade de portadores

intrnseca da amostra E-17-6 aps a oxidao trmica seguida por alneal. A curva
lils representa o tempo de vida limite.

Assim com esta figura demonstra-se a viabilidade de manuteno do tempo

de vida em valores elevados mesmo aps duas etapas trmicas, concomitantemente
com a obteno de densidades de recombinao reduzidas, da ordem de 45fA/cm2
em emissores de aproximadamente 100/ (com profundidade de juno de 2,0m).

5.6 ESTUDO DO TEMPO DE VIDA DO VOLUME DO SUBSTRATO DURANTE AS

ETAPAS TRMICAS NECESSRIAS PARA A OBTENO DE DISPOSITIVOS
COMPLETOS (ESTRUTURAS N+P)

Uma

vez

demonstrada

viabilidade

de

obteno

de

emissores

moderadamente dopados seguidos pela remoo do fsforo silicato e oxidao

trmica com aditivos clorados preservando o tempo de vida do volume em estruturas
n+pn+, iniciou-se a anlise do comportamento do tempo de vida do volume em
estruturas n+p, necessrias para a obteno de dispositivos completos. O processo
de obteno das amostras dividiu-se em vrias etapas, conforme descrito na tabela
5.16.

197

Pode-se ressaltar que o desenvolvimento e anlise do processo de estruturas

n+p com tecnologia planar, (com superfcie posterior passivada com oxidao
trmica), impem a caracterizao de materiais previamente oxidados e com
abertura de janelas. Este fato faz com que o material em questo passe a ser
submetido a uma etapa trmica adicional (oxidao inicial para mascaramento) em
relao s estruturas n+pn+ descritas no item 5.5.
Alm disto, o desenvolvimento de emissores com a remoo do fsforo
silicato em reas delimitadas por uma janela com dimenso 2,0x2,0 cm2 est
condicionado a limpezas qumicas adicionais, para a remoo dos fotoresistes
provenientes das etapas fotolitogrficas. Inicialmente, se realiza a abertura de
janelas no dixido de silcio inicial, e posteriormente, aps a etapa de pr-deposio
de fsforo visando realizar a remoo do fsforo silicato. As limpezas qumicas
realizadas posteriormente as fotogravaes tm extrema importncia, uma vez que
na seqncia os substratos so submetidos a duas etapas trmicas com elevada
temperatura (T>850C), (a pr-deposio de fsforo e a oxidao trmica/
redistribuio dos tomos de fsforo).
As limpezas qumicas realizadas nas lminas com janelas e superfcie
posterior passivada com SiO2 so similares s descritas no captulo 4 durante o
processo da clula solar A16-1, excetuando pelo grau de pureza dos reagentes
qumicos utilizados.
Para levar a cabo a implementao das estruturas n+p com superfcie
posterior passivada utilizaram-se lminas com resistividades de base de 20 a
30.cm e espessuras no entorno de 270m. Visando garantir uma passivao
frontal de qualidade e portanto evidenciar uma possvel degradao do volume com
o acrscimo de uma terceira etapa trmica (oxidao inicial para fotogravao de
janelas), realizaram-se pr-deposies relativamente suaves, 200/ (Ns=1,6x1018
tomos/cm3, W e=2,0m).
No entanto cabe destacar que uma resistncia de folha na ordem de 200/,
com profundidade de juno de 2m, resulta em concentraes superficiais no
entorno de 1x1018 cm-3, que so otimizadas visando uma posterior aplicao em
clulas solares emissores duplamente difundidos, como pode ser observado na
figura 5.23, (anloga figura 3.15).

198

Tabela 5.16 - Etapas do processo de obteno de estruturas n+p.

_____________________________________________________________________________________________________

1.

limpeza qumica inicial com reagentes qumicos com elevado grau de

pureza (qualidade igual ou superior a CMOS);

2.

oxidao trmica com aditivos clorados durante 2 horas na temperatura de

1100 C (tabela 5.7)

3.

fotogravao frontal e proteo do dixido de silcio da regio posterior

com fotoresiste;

4.

remoo do fotoresiste e limpeza qumica;

5.

pr-deposio de fsforo;

6.

fotogravao para a abertura da janela e proteo da superfcie posterior

com fotoresiste;

7.

remoo do PSG;

8.

remoo do fotoresiste e limpeza qumica;

9.

oxidao trmica com aditivos clorados realizando concomitantemente a

redistribuio dos tomos de fsforo e a camada passivadora de SiO2
realizada durante 1h na temperatura de 1100 C e redistribuio dos
tomos de fsforo durante 1h em ambiente de N2 (conforme descrito na
tabela 5.13);

10.

rampa de resfriamento para 600C, em ambiente de N2 (gs industrial);

11. retirada das amostras, (2 min)

_____________________________________________________________________________________________________

Isto se deve ao fato que a velocidade de recombinao superficial em

emissores dopados com fsforo torna-se crescente com o aumento da concentrao
superficial de dopantes, como mostra a tabela 5.17.
Nesta tabela so apresentados os valores de velocidade de recombinao
superficial calculados teoricamente utilizando as expresses da tabela 2.3, (captulo
2 desta tese), para superfcies de emissores n+, com passivao frontal realizada
com SiO2, seguida por duas tcnicas de hidrogenao: recozimento em FG e
alneal.

199
10

20

660,6

Voc (mV)
680,0

671,0

-3

Ns (cm )

700,0

10

19

712,0
719,0
722,0
724,0

10

725,0

18

10

-1

10

10

W e (m)
Figura 5.23: Otimizaes tericas das tenses de circuito aberto (anloga figura
3.15), em funo da espessura e concentrao superficial do emissor em regies
passivadas. A linha tracejada representa a profundidade de juno de 2,0m.

Tabela 5.17 - Emissores dopados com fsforo: concentrao superficial de

dopantes, profundidade de juno, resistncia de folha e velocidades de
recombinao superficial, considerando passivao atravs de oxidao trmica
seguida por recozimento em FG e alneal. As velocidades de recombinao
superficiais foram calculadas de acordo com as expresses apresentadas na tabela
2.3 do captulo 2.

Ns (tomos/cm3)

W e (m)

R (/)

Sp (cm/s)

Sp (cm/s)

(SiO2 FG)

(SiO2 alneal)

[tabela 2.3]

[tabela 2.3]

1,6x1018

2,0

200

234

95

2,0x1018

2,0

180

263

110

A seguir, a tabela 5.18 apresenta as caracterizaes realizadas na amostra E14-5, com resistividade de base 28,2.cm e 271m. A resistncia de folha do
emissor medida com o equipamento quatro pontas de, 180/ (Ns=2,0x1018

200

tomos/cm3) e a profundidade de juno caracterizada pelo mtodo de desbaste de

cilindro foi mantida no entorno de 2,0m, portanto pertencendo ao intervalo de
concentraes superficiais timos representados na figura 5.23.
Nesta tabela mostra-se a evoluo do tempo de vida efetivo obtido com a
tcnica PCD, durante as diversas etapas de seu processo: oxidao trmica
(imediatamente aps a oxidao, aps FG e aps alneal), e os limites
correspondentes, velocidade de recombinao superficial mxima, tempo de vida de
recombinao mnimo no volume, calculados de acordo com as expresses (5.12) e
(5.13) respectivamente.
Tabela 5.18 - Tempo de vida efetivo medido em n=NA nas etapas: oxidao
trmica, oxidao trmica seguida por FG e oxidao trmica seguida por alneal.

Estrutura

ETAPA DO PROCESSO

ef medido
(ms)
(n=NA=4,8x1014 cm-3)

Oxidao trmica

0,172

Oxidao trmica/FGA

0,432

Oxidao trmica inicial seguida por

0,453

alneal

SiO2
p

SiO2

O limite de velocidade de recombinao superficial efetiva aps a oxidao

trmica inicial foi calculado de acordo com a expresso (5.12). A figura 5.24
apresenta estes limites aps as etapas de oxidao trmica, recozimento em FG e
alneal.

Sef -max (cm/s) (limite superior)

201

78,5
80,0

E-14-5

70,0
60,0
50,0

31,3

40,0

29,9

30,0
20,0
10,0
0,0
aps oxidao

aps FG

aps "alneal"

Etapa do Processo

Figura 5.24: Limite superior da velocidade de recombinao superficial (por lado)

aps as diferentes etapas do processo: a) aps oxidao inicial, b) aps recozimento
em ambiente de forming gas e c) aps alneal.

De acordo com a tabela 5.18 comprova-se que a oxidao trmica inicial

realizada na amostra E-14-5 no produziu a passivao adequada, atingindo valores
da ordem de 0,5ms, inferiores portanto, aos resultados obtidos com o processo
otimizado em lminas com resistividade de 20-30.cm, descrito no item 5.4.2 onde
valores da ordem de 1ms foram alcanados com a utilizao de reagentes qumicos
com elevado grau de pureza e gases especiais.
A anlise do tempo de vida efetivo medido com a tcnica PCD, aps as
etapas do processo esto apresentadadas na tabela 5.19. Nesta tabela se
caracterizam os tempos de vida efetivos, na concentrao de excesso de portadores
igual a concentrao de dopantes na base, NA=n=4,8x1014cm-3, aps as etapas: a)
abertura de janelas e pr-deposio de fsforo; b) remoo do fsforo-silicato (reabertura de janela) e oxidao trmica com aditivo clorado; c) aps FGA e d) aps
alneal.

202

Tabela 5.19 - Emissor resultante com 180/, 2m de profundidade de juno,

Ns=1,4x1018 tomos/cm3, base 28.cm e espessura 270m, com rea delimitada em
4,0 cm2.

Estrutura

ETAPA DO PROCESSO

ef medido
(ms)
(n=4,8x1014 cm-3)

Pr-deposio de fsforo

0,133

Pr-deposio de fsforo/

0,436

n+p com superfcie posterior

Remoo do PSG/ Oxidao

SiO2

trmica
Aps FGA

0,447

Aps alneal

1,112

Analisando-se a tabela 5.19, verifica-se que aps a formao da estrutura n+p

seguida por alneal (etapa final do processo), o tempo de vida efetivo medido atinge
um valor de 1,112ms (figura 5.25), comprovando-se a manuteno do tempo de vida
do volume em patamares elevados mesmo aps submeter amostra a trs etapas
trmicas com temperatura elevada e duas fotogravaes (abertura da janela inicial e
reabertura da janela para a remoo do PSG).
Outro ponto de destaque que embora tenha ocorrido uma melhoria na
passivao frontal da amostra aps a formao do emissor n+, seguida pela
remoo do PSG e oxidao trmica em ambiente clorado, a superfcie posterior
ainda possui uma passivao superficial no otimizada. Isto se deve ao fato de que
a oxidao trmica inicial seguida por alneal , como analisado na tabela 5.18,
permitiu alcanar um tempo de vida efetivo da ordem de 0,5ms, inferior, portanto ao
valor atingido na etapa final do processo, 1,112ms. A tabela 5.20 mostra uma
estimativa do efeito das recombinaes que ocorrem no dispositivo atravs da
tenso de circuito aberto-implcita (expresso 5.6), para o valor da concentrao de
excesso de portadores correspondente iluminao de 1 Sol, obtida aps a
estrutura n+p formada em trs diferentes fases: a) pr-deposio seguida pela

203

remoo do PSG e oxidao trmica na presena de aditivos clorados e b) aps as

-3
ef - medido (x10 ms)

tcnicas de hidrogenao: recozimento em FG e alneal.

100000
10000
1000
100
10
1E+12

1E+13

1E+14

1E+15 1E+16

1E+17

1E+18

Densidade de portadores em excesso, n

-3

(cm )

Figura 5.25: Tempo de vida efetivo medido em funo da densidade de portadores

em excesso da amostra E-14-5 aps a realizao das etapas descritas na tabela
5.19.

Aps anlise da tabela 5.20 pode-se concluir que chegou-se ao final de um

processo de fabricao de clulas solares com reduzida densidade de corrente de
recombinao, e portanto, com uma elevada tenso de circuito aberto-implcita,
Voc-imp=666,4mV.
Estes resultados demonstram a potencialidade do processo desenvolvido e
representam um grande avano tecnolgico na implementao de dispositivos no
dependentes do efeito de armadilhamento de impurezas.

204

Tabela 5.20 - Caracterizao de estruturas n+p com rea frontal delimitada em

4,0cm2 da amostra E-14-5 com resistividade (=28,2 .cm)

Estrutura

ETAPA DO

ef medido

Voc

PROCESSO

(cm-3)

(ms)

implcito

(para avaliar

(1 Sol)

(mV)

1,9x1015

0,275

636,1

Aps FG

2,1x1015

0,317

647,6

Aps alneal

3,5x1015

0,475

666,4

ef a 1 Sol)

Pr-deposio de
fsforo/ Remoo
+

n p com

do PSG/ Oxidao

superfcie

trmica

posterior SiO2

5.7 CONCLUSES
O estudo paramtrico das estruturas RP-PERC realizado atravs de
simulaes tericas com o programa PC1D permitiu comprovar a forte dependncia
da eficincia alcanada com a velocidade de recombinao posterior. Cabe ressaltar
ainda que valores de refletividade interna, b entre 90% e 100%; e de velocidade de
recombinao frontal entre 0cm/s e 3000cm/s no se mostraram parmetros
restritivos na obteno de eficincias superiores a 20%.
A comparao terica entre as eficincias alcanadas por diversas estruturas
+

(n pp com Al BSF, Al depositado por serigrafia, RP-PERC, LFC e PERL) como

funo da espessura do substrato demonstrou a potencialidade da tecnologia de
fabricao de clulas solares com a regio posterior passivada. Estas estruturas
(RP-PERC, LFC e PERL) permitem obter eficincias superiores a 21% mesmo
utilizando substratos mais finos, W=100m.
A anlise de materiais utilizando duas tcnicas de passivao de superfcies
permitiu concluir que o Si-FZ com resistividades de base entre 20-30.cm possui

205

excelente qualidade tendo permitido a preservao do tempo de vida do volume

aps submet-lo a uma etapa trmica de elevada temperatura.
A caracterizao dos filmes de SiO2 crescidos termicamente utilizando
reagentes qumicos de elevado grau de pureza e gases especiais utilizando trs
diferentes tcnicas de caracterizao, PCD, Ativao Neutrnica e SIMS,
demonstraram a eficcia dos aditivos clorados na realizao do armadilhamento de
impurezas, atravs da obteno de elevados tempos de vida elevados aps a
realizao de etapas trmicas com temperatura elevada. Em particular, cabe
destaque a tcnica PCD por ser no destrutiva, de custo reduzido, permitindo
rapidez na caracterizao das amostras ao longo das diversas etapas que compem
um processo de fabricao.
A comparao entre amostras com limpeza inicial utilizando reagentes
qumicos de elevado grau de pureza e de grau para anlise permitiu demonstrar
elevados de tempos de vida at mesmo se utilizados os produtos de baixo custo
(grau P. A.).
A caracterizao de materiais utilizando difuses suaves permitiu demonstrar
que este procedimento pode ser utilizado como ferramenta para o estudo de outros
tipos de materais Si. Alm disto, pde-se verificar a obteno de emissores com
reduzidas densidades de recombinao, da ordem 36-46fA/cm2, utilizando gases
industriais (custo reduzido) na etapa de pr-deposio de fsforo.
Por outro lado, a implementao de limpezas no forno de pr-deposio de
fsforo utilizando O2 de baixo custo (gs industrial), permitiu preservar o tempo de
vida de portadores minoritrios no volume em 1ms (estruturas n+pn+), mesmo aps
duas etapas trmicas (pr-deposio de fsforo e oxidao trmica). Destacam-se
tambm as reduzidas densidades de corrente de recombinao nos emissores de
100/, da ordem de 45fA/cm2.
Uma vez, verificadas a qualidade do material, da passivao realizada pelos
filmes de SiO2 com aditivos clorados no Si tipo p, e da formao de emissores
otimizados com reduzidas densidades de recombinao iniciou-se a implementao
das estruturas n+p com rea frontal delimitada em 4,0cm2 e passivao da regio
posterior. A anlise de substratos com elevada resistividade de 20 a 30.cm
permitiu a preservao do tempo de vida efetivo da amostra em 1ms aps todas as
etapas trmicas necessrias para o desenvolvimento de clulas solares com regio
posterior passivada.

206

CAPTULO 6- IMPLEMENTAES DE ESTRUTURAS N+P EM

SUBSTRATOS COM BAIXA RESISTIVIDADE (MATERIAIS Cz E FZ)

6.1 INTRODUO

Considerando as diversas estruturas n+p com regio posterior passivada,

descritas no captulo 5, verifica-se que a estrutura RP-PERC apresenta uma maior
facilidade de implementao, uma vez que o seu conjunto ptico frontal (texturizao
qumica aleatria seguida por SiO2) similar ao utilizado nas clulas solares
desenvolvidas no LME at o momento. Por outro lado, esta estrutura, caracterizada
por no possuir nenhum tipo de BSF, impe a necessidade de utilizao de
substratos de baixa resistividade visando a minimizar a resistncia de contato
posterior.
Desta forma, torna-se imprescindvel a transposio do processo de
fabricao das estruturas n+p com regio posterior passivada obtidas utilizado
substratos com resistividades da ordem de 20-30.cm apresentadas no captulo 5,
para substratos de baixa resistividade.
Assim, como etapa intermediria ao desenvolvimento de estruturas completas
RP-PERC neste laboratrio, este captulo visa a analisar todas as etapas de
fabricao necessrias ao seu desenvolvimento, tais como a obteno de emissores
homogneos com resistncia de folha otimizada, a preservao da qualidade do
volume tambm em material de baixa resistividade (Si-Cz e Si-FZ), e a obteno de
passivaes das regies frontal (silcio tipo n+) e posterior (silcio tipo p) com
qualidade.
Para levar a cabo estes desenvolvimentos experimentais inicialmente
utilizaram-se lminas virgens com suas superfcies polidas atravs de ataque
qumico com tempo otimizado por C. A. S. Ramos. No trabalho de processamento
realizado neste captulo foram utilizados gases especiais e produtos qumicos de
elevado grau de pureza (CMOS ou superior). As pr-deposies para a formao

207

dos emissores n+ foram realizadas em fornos convencionais de tubo aberto limpos

periodicamente utilizando gases industriais, como descrito no captulo 5.
Em

primeira

instncia,

consideraram-se

substratos

Cz

com

baixa

resistividade, no entorno de 3.cm, de dois diferentes fabricantes: tipo 1 (de mesma

qualidade de material que utilizado no processo da clula solar A-16-1 descrita no
captulo 4), e tipo 2 (outro fabricante), permitindo assim comprovar as diferenas que
a qualidade do material de partida podem impor sobre o tempo de vida efetivo e
sobre a tenso de circuito aberto-implcito em estruturas finalizadas. Em seguida,
analisaram-se as estruturas n+p utilizando substratos FZ com resistividades no
entorno de 0,5.cm.
Aps cada etapa do processo caracterizam-se os tempos de vida efetivos
medidos com o PCD em funo do nvel de excesso de portadores. No nvel de
injeo correspondente a 1 sol (dependente da resistividade da base), pode-se
extrair a tenso de circuito aberto-implcita associada ao dispositivo, calculada
utilizando a expresso (5.6).
De acordo com M. H. MacDonald[8], a tenso de circuito aberto-implcita
muito prxima tenso de circuito aberto obtida no dispositivo final sob a iluminao
de 1 sol, desde que sejam otimizados os contatos frontais e os posteriores na forma
de pontos.
Assim, neste trabalho optou-se por avaliar as tenses de circuito abertoimplcitas obtidas atravs de medidas no sistema PCD e correspondentes s
estruturas n+p, com superfcies frontais e posteriores passivadas atravs de
oxidao trmica sem a otimizao dos contatos metlicos na forma de pontos na
regio posterior.
Nos itens 6.2 e 6.3 descrevem-se os resultados mais representativos obtidos
em amostras de Si-Cz com resistividade no entorno de 3.cm utilizando materiais de
partida de dois fabricantes diferentes, e em amostras de silcio FZ com resistividade
no entorno de 0,5.cm, respectivamente.
No item 6.4, realiza-se tambm uma comparao entre as tenses de circuito
aberto-implcitas obtidas utilizando as diversas resistividades de substratos
estudadas e uma avaliao da potencialidade da tecnologia implementada nesta
tese.

208

6.2 CARACTERIZAO DE ESTRUTURAS N+P EM AMOSTRAS DE SILCIO Cz

COM RESISTIVIDADE NO ENTORNO DE 3.cm

As pr-deposies de fsforo foram realizadas visando obteno de

concentraes superficiais de dopantes otimizadas teoricamente para os emissores
homogneos, como apresentado no captulo 3 deste trabalho (figura 3.12). Cabe
ressaltar que, com intuito de evidenciar o comportamento dos emissores, conforme
descrito no captulo 2, as otimizaes tericas realizadas neste trabalho foram
desenvolvidas supondo a recombinao Auger como dominante.
Assim, escolhendo-se por exemplo a profundidade de juno da ordem de
2,0m, caracterstica das estruturas n+p analisadas no captulo 5, verifica-se que
concentraes superficiais inferiores a 1x1019 cm-3 permitem a obteno de tenses
de circuito aberto maximizadas, entre 705mV e 709mV, como mostra a figura 6.1.
Um processo anlogo ao utilizado na amostra E-14-5 (tabela 5.16) foi utilizado
na fabricao das estruturas n+p em silcio Cz com resistividades entre 2-3.cm. A
tabela 6.1 apresenta as concentraes superficiais, espessuras e resistncias de
folha obtidas em duas amostras representativas com estruturas n+p: a amostra A-222, com substrato de Si-Cz do fabricante 1 (anlogo ao material utilizado na
fabricao da clula solar A-16-1 apresentada no captulo 4), e amostra 5-2 com
substrato de Si-Cz do fabricante 2. Nesta tabela apresentam-se tambm as
resistividades de base, assim como as espessuras medidas da lmina, utilizando o
medidor de quatro pontas e o micrmetro respectivamente. As resistncias de folha
dos emissores tambm foram medidas utilizando o medidor de quatro pontas em
amostras testes processadas em conjunto com as lminas analisadas. A
profundidade de juno foi estimada pelo mtodo de desbaste por cilindro e
identificada com o auxlio de corantes especficos em um microscpio ptico.

209

20

10
685,0

693,0

675,0

665,0

-3

Ns (cm )

700,0
705,0
19

709,0

10
685,0

V oc (mV)
715,0

675,0
665,0
18

10

650,0
-1

10

10

10

W e ( m)

Figura 6.1: Curvas de nvel relacionadas tenso de circuito-aberto, Voc, em funo

da concentrao superficial de dopantes, Ns, e da espessura, W e, do emissor
homogneo em clulas n+p , considerando uma base com espessura de 300m e
resistividade de 1.cm.
Tabela 6.1 - Resultados de resistividade, espessura de base, resistncia de folha e
profundidade de juno do emissor, de duas lminas representativas e processadas
com a estrutura n+p, com rea frontal til de 4cm2.

Amostra

A22-2

Material

Cz

We

Ns

(.cm)

(m)

(/)

(m)

(cm-3)

2,5

341

55

2,0

1,24x1019

3,3

290

101

2,0

3,87x1018

(tipo 1)
5-2

Cz
(tipo 2)

A seguir apresentam-se os resultados das anlises com a tcnica PCD aps

cada etapa do processo de fabricao.

210

6.2.1 CARACTERIZAO DA ESTRUTURA N+P UTILIZANDO SUBSTRATO CZ

COM RESISTIVIDADE 2,5.cm (FABRICANTE TIPO 1)

Na tabela 6.2 apresentam-se as medidas de tempo de vida efetivo aps a

realizao de cada etapa realizada durante o processamento da amostra A-22-2
(processo similar ao utilizado na amostra E-14-5, ver captulo 5).
Nesta tabela apresentam-se os tempos de vida efetivos medidos: a) para uma
concentrao de excesso de portadores igual ao valor da concentrao de dopante
da base, e b) no nvel de injeo igual a 1 Sol. As tenses de circuito abertoimplcitas, Voc-imp esto calculadas de acordo com a expresso (5.6) considerando
ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC (ni=1x1010 cm-3 para T=27oC) [43].
Na ltima coluna desta tabela realiza-se uma projeo do valor atingido pela
tenso de circuito aberto, caso o recente valor da concentrao intrnseca de
portadores ni=9,65x109 cm-3 para T=27oC[31] fosse adotado. Neste caso, tambm
seria necessria uma correo devido a mudana de temperatura para T=25oC,
onde estimou-se em ni=8,3x109 cm-3.
De acordo com esta tabela obteve-se um tempo de vida efetivo de 0,130ms
imediatamente aps a etapa de oxidao trmica para n=NA. Contudo, cabe
destacar que aps um estudo de passivaes no material Cz tipo 1 foram obtidos
valores de tempo de vida efetivos no entorno de 0,200ms aps a realizao de
alneal.

211

Tabela 6.2 - Tempos de vida efetivo medidos na amostra A-22-2, (=2,5.cm,

W=340m), e tenses de circuito aberto-implcitas, Voc-imp obtidas para 1 Sol, com
rea til de 4,0cm2, considerando ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC[43] e corrigidas para
ni=8,3x109 cm-3 para T=25 C.

ETAPAS DO

ef medido

n (cm-3)

ef

Voc-imp

PROCESSO

(ms)

para 1 Sol

medido

(mV)

Voc-imp
(mV)
9

(n=NA=

a 1 Sol

(ni=8,66x10

ni

A-22-2

5,7x1015

(ms)

cm-3,

Corrigida

(Cz tipo 1)

(cm-3)

Oxidao

0,130

3,1x1014

0,063

0,068

3,3x1014

0,068

616,8

618,6

0,103

14

4,1x10

0,090

623,0

624,6

0,153

7,3x1014

0,152

638,9

640,7

0,222

1,2x1015

0,245

652,5

654,4

T=25o C)

trmica
Pr-deposio
Pr-deposio/
Oxidao
Pr-deposio/
Oxi/
FGA
Pr-deposio/
Oxidao/
Alneal

Pode-se observar ainda a existncia de um tempo de vida efetivo elevado em

estrutura n+p finalizada com passivao atravs de alneal, resultando em uma
elevada tenso de circuito aberto-implcita de 652,5mV (para ni= 8,66x109 cm-3,
T=25o C), mostrando a viabilidade do processo de fabricao, sem a necessidade de
realizao de armadilhamento de impurezas com alumnio, tambm em amostras
com baixas resistividades e material Cz. Destaca-se ainda que esta tenso muito
superior ao valor alcanado pela amostra A-16-1, fabricada com a tecnologia n+pp+,
(Voc=604mV medido pelo sistema IxV), e descrita no captulo 4.
Quando considerada a mudana no valor da concentrao de intrnseca de
portadores atualizada e corrigida (ltima coluna da tabela 6.2), observa-se um

212

acrscimo de praticamente 2mV na tenso de circuito aberto-implcita, Voc-imp=

654,4mV, verificando portanto uma diferena no muito significativa nos clculos da
tenso de circuito aberto-implcita.
Levando-se em conta que a realizao dos contatos metlicos no impem
uma queda significativa na tenso implcita, desde que o otimizados[8], pode-se
realizar estimativa da eficincia produzida por um dispositivo completo que
possusse as caractersticas da lmina A-22-2, apresentados na tabela 6.1. Para isto
considerou-se uma velocidade de recombinao superficial (tipicamente encontrada
nas estruturas com texturizaes qumicas aleatrias) Sp=3000cm/s[31] o tempo de
vida a 1 sol obtido na amostra, vol=0,245ms, e uma tenso de circuito aberto menor
que a implcita devido presena dos contatos metlicos e texturizao, obtendo-se
os seguintes resultados Jsc=37,4 a 37,9mA/cm2, Voc=649,4mV, FF=0,800 e
=19,43% a 19,7%. Contudo se o conjunto ptico fosse composto texturizao

qumica aleatria e dupla camada anti-refletora a corrente se elevaria de

aproximadamente 1mA/cm2, resultando tambm no acrscimo de eficincias
produzidas, entre 20% e 20,3%. Assim, a possibilidade de elevao da eficincia
superando a marca de 17% (clulas solares nacionais recordes) demonstra a
potencialidade da tecnologia implementada.
A figura 6.2 apresenta as medidas realizadas com a tcnica PCD. Com o
intuito de elucidar a evoluo do tempo de vida efetivo em funo das etapas que
formam o processo de fabricao: a) em rosa, a oxidao inicial (formao do SiO2
utilizado como mscara), b) em lils, aps fotogravao (abertura de janelas),
limpeza qumica e realizao da pr-deposio de fsforo, c) em laranja, aps a
remoo do fsforosilicato, oxidao trmica em ambiente clorado realizada
concomitantemente com a redistribuio dos tomos de fsforo, d) aps o
recozimento em FG e, e) aps alneal.

213

-3
ef-medido (x10 ms)

1000

100

10

1
1E+12

1E+13

1E+14

1E+15

1E+16

1E+17

Densidade de portadores em excesso, n (cm-3)

Figura 6.2: Medidas de tempos de vida efetivos, ef medido como funo do excesso
de portadores, n, em diferentes etapas de processamento da amostra A-22-2: a)
rosa: aps oxidao trmica inicial, b) lils: aps a abertura de janela e prdeposio de fsforo, c) laranja: aps a remoo do PSG e oxidao trmica, d)
verde-gua: aps recozimento em FG e, e) verde: aps o procedimento de alneal.

Nesta figura pode ser observada uma linha tracejada correspondente s

concentraes de portadores em excesso a 1Sol aps cada etapa do processo de
fabricao como descrito na tabela 6.2. Cabe ressaltar que o tempo de vida efetivo,
ef-medido na estrutura final da amostra torna-se cerca de duas vezes superior ao

apresentado aps a oxidao trmica de inicial, comprovando a manuteno do

tempo de vida do volume em um material Cz de baixo custo e a excelente qualidade
de passivao nas regies n+ e p.

214

6.2.2 CARACTERIZAO DA ESTRUTURA N+P UTILIZANDO SUBSTRATO CZ

COM RESISTIVIDADE 3,3.cm (FABRICANTE TIPO 2)

Analogamente, conforme se mostra na tabela 6.3, pode-se avaliar a evoluo

do tempo de vida efetivo aps cada etapa do processo de fabricao na amostra 52, (exceto na etapa de pr-deposio seguida por oxidao). Considerando que o
valor mais recente da concentrao intrnseca de portadores no produz diferenas
significativas nas estimativas de tenses de circuito aberto, optou-se por prosseguir
a anlise das mesmas uitlizando ni=8,66x109 cm-3, T=25oC, correspondente a
ni=1x1010 cm-3 para T=27oC[43].
Tabela 6.3 - Tempos de vida efetivos medidos na amostra 5-2, (=3,3.cm,
W=290m), e tenses de circuito aberto-implcitas, Voc-imp obtidas para 1 Sol,
considerando ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC.

ETAPA DO PROCESSO
5-2

ef medido (ms)

n (cm-3)

ef medido

Voc-imp

(n=NA=

para 1 Sol

a 1 Sol

(mV)

4,27x1015

(ms)

(Cz tipo 2)

(cm )

Oxidao trmica

0,160

6,6x1014

0,121

0,066

14

0,026

631,3

14

0,202

646,4

15

0,347

662,6

Pr-deposio
Pr-depos. /Oxi./FGA
Pr-depos./Oxidao/Alneal

-3

0,178
0,305

1,4x10

1,2x10
1,9x10

Pode-se verificar que a amostra 5-2 permitiu a obteno de uma elevada

tenso de circuito-aberto implcita, Voc-imp=662,6mV superior a alcanada com a
amostra A-22-2, Voc-imp=652,5mV. Realizando-se um clculo anlogo ao realizado
para a amostra A-22-2, pde-se projetar a eficincia terica atingida por um
dispositivo completo com estas caractersticas. De acordo com os resultados das
simulaes tericas realizadas com o programa PC1D, este dispositivo teria como

215

parmetros eltricos de sada uma densidade de corrente de curto-circuito Jsc=37,738,2mA/cm2, uma tenso de circuito aberto Voc=659,6 mV (levando em conta as
perdas devido aos contatos metlicos e a texturizao), um fator de forma da ordem
de 0,794, atingindo eficincias no intervalo de 19,7% a 20,0%. A introduo da
camada dupla substituindo o filme de SiO2, permitiria alcanar eficincias na faixa de
20,3% a 20,6%.
A tabela 6.4 mostra uma comparao entre os tempos de vida efetivos
medidos para um excesso de portadores igual concentrao de dopantes na base,
NA, das amostras A-22-2 (fabricante tipo 1) e 5-2 (fabricante tipo 2).

Tabela 6.4 - Comparao entre os tempos de vida efetivos medidos aps cada etapa
do processo de fabricao em lminas de materiais de fabricantes e qualidades
diferentes, e com resistividades de 2,5.cm (tipo 1) e 3,3.cm (tipo 2).
ETAPA DO

ef medido (ms)

ETAPA DO

ef medido (ms)

PROCESSO

(n=NA=

PROCESSO

(n=NA=

5-2

4,27x1015

A-22-2

15

5,7x10

(Cz tipo 1)

(cm-3)

(Cz tipo 2)

(cm-3)

Oxidao trmica

0,130

Oxidao trmica

0,160

Pr-deposio

0,068

Pr-deposio

0,065

Pr-depos./Oxi.

0,153

Pr-depos./Oxi./FGA

0,178

0,222

Pr-depos./Oxi./Alneal

0,305

/FGA
Pr-depos./Oxi./Alneal

Comparando-se os tempos de vida efetivos medidos aps a realizao da

oxidao trmica verifica-se que o tempo de vida apresentado pela amostra 5-2
apenas ligeiramente superior ao apresentado pela amostra A-22-2. No entanto, esta
diferena se acentua aps a realizao do alneal sobre a estrutura completa. Este
fato pode ser atribudo s diferenas de qualidade entre os materiais, uma vez que o
material Cz do fabricante 2 apresenta uma menor degradao trmica quando
submetido a temperaturas elevadas.

216

De acordo com oxidaes otimizadas realizadas por C. A. S. Ramos, este

material atingiu um tempo de vida efetivo de 0,500ms aps a oxidao trmica inicial
seguida por alneal, portanto cerca de 2,5 vezes maior que o atingido pelo material
Cz do fabricante 1, demonstrando uma maior potencialidade de preservao de
tempo de vida no volume.
A tabela 6.5 apresenta uma comparao entre as tenses de circuito abertoimplcitas nas amostras Cz de baixa resistividade processadas no LME-EPUSP, bem
como as respectivas projees tericas de eficincias, com as estruturas RP-PERC
processadas utilizando materiais FZ e Cz em outros centros.
Analisando a tabela 6.5 verifica-se que as clulas solares RP-PERC
processadas no Fraunhofer Institute[77] em material de Si-FZ permitiram a obteno
de eficincias entre 21,0 a 21,6%, dependendo da tecnologia utilizada (planar ou
mesa). Ao mesmo tempo pode-se verificar que a clula solar deste instituto,
apresentou tenses de circuito aberto, Voc=656,3mV comparveis s tenses de
circuito aberto-implcitas das amostras A-22-2 e 5-2, Voc=652,4mV e Voc=662,6mV,
respectivamente, demonstrando assim a excelente qualidade da tecnologia
implementada. Notar que as eficincias estimadas teoricamente considerando um
conjunto ptico frontal de texturizao aleatria + SiO2 so similares alcanada
pelo dispositivo do Fraunhofer Institute, comprovando a potencialidade da infraestrutura do LME-EPUSP para o desenvolvimento das estruturas RP-PERC.

217

Tabela 6.5 Comparao entre as tenses de circuito aberto-implcitas processadas

no LME-EPUSP (ano 2007), suas respectivas simulaes tericas e os parmetros
eltricos de sada obtidos em dispositivos completos com estrutura RP-PERC em
outros centros.

Valores

.cm

R
/

experimental

2,5

55

2,5

55

A-22-2 (Cz)

terico
(text+ SiO2)

37,437,9

LMEEPUSP

terico
(text+ZnS/MgF2)

2,5

55

38,539,3

experimental

3,3

101

terico
(text+ SiO2)

3,3

101

37,738,2

terico
(text+ZnS/MgF2)

3,3

101

(text+ SiO2)

1,0

(text+ SiO2)

(text+ SiO2)

CENTRO
de
PESQUISA

5-2
(Cz)
LMEEPUSP
Fraunhofer
Institute
RP-PERC
(FZ)
(planar)[77]
Fraunhofer
Institute
RP-PERC
(FZ)
(mesa)[77]
Fraunhofer
Institute
RP-PERC
(Cz)[77]

FF

(%)

652,5
(medido)
649,4

0,800

19,419,7

649,4

0,800

20,020,3

662,6
(medido)
659,6

0,794

19,7
20,0

38,839,4

659,6

0,794

20,320,6

__

39,6

676,4

0,807

21,6

1,0

__

39,3

672,0

0,797

21,0

1,0

__

37,7

656,3

0,795

19,7

Jsc
mA/cm2

Voc
mV

218

6.3 OBTENO DE ESTRUTURAS N+P EM SUBSTRATOS FZ COM BAIXA

RESITIVIDADE
Uma vez comprovada a possibilidade de elevao da tenso de circuito
aberto em dispositivos com materiais Cz em resistividades no entorno de 3.cm
iniciou-se o estudo em materiais FZ de baixa resistividade.
Muito embora, materiais com baixa resistividade[96,97] permitam alcanar
tenses de circuito aberto mais elevadas, estes impem uma maior dificuldade de
passivao. Pode-se citar como exemplo os recordes mundiais em passivao de
superfcies tipo p com SiO2 seguido por alneal[33] onde os limites mximos de
velocidade de recombinao obtidos em substratos com 10.cm atingem a marca
de 1,4 cm/s e em substratos com 0,4.cm permitem obter Sef-max=45,8cm/s.
A seguir, descreve-se a anlise da amostra B-23-4, representativa da
realizao do estudo em materiais FZ, com baixa resistividade (=0,51.cmNA=3,24x1016 cm-3). Esta amostra foi processada em conjunto com a amostra A-222. Este fato fez com que possussem emissores n+ semelhantes, com 55/,
correspondendo a uma concentrao superficial de 1,24x1019 tomos/cm3, conforme
mostra-se na tabela 6.6.
Na tabela 6.7 apresentam-se, o tempo de vida efetivo obtido para a
concentrao de excesso de portadores igual a NA, o tempo de vida efetivo para as
concentraes correspondentes a 1 Sol e a tenso de circuito aberto-implcita obtida
aps cada etapa do processo de fabricao.

219

Tabela 6.6 - Caractersticas dos emissores de fsforo obtidos em duas amostras

com materiais iniciais diferentes: A-22-2 (Cz- =2,5.cm) e B-23-4 (FZ-=0,51.cm)

Amostra

Material

A-22-2

Cz

We

Ns

(.cm)

(m)

(/)

(m)

(cm-3)

2,5

341

55

2,0

1,24x1019

0,51

354

55

2,0

1,24x1019

(tipo 1)
B-23-4

Fz

Tabela 6.7 - Tempos de vida efetivos e tenses de circuito aberto-implcitas da

amostra B-23-4, material FZ de baixa resistividade, =0,51.cm, considerando
ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC.

ETAPA DO PROCESSO
B-23-4

ef medido

n (cm-3)

ef medido a 1

Voc

(ms)

para

Sol (ms)

implcito

(n=NA=

1 Sol

(mV)

3,24x1016
(cm-3)
0,046

1,1x1014

0,016

Pr-deposio

0,011

13

9,3x10

0,020

631,3

Pr-deposio/ Oxidao

0,013

1,2x1013

0,021

633,8

Pr-depos./Oxidao/FGA

0,015

1,5x1014

0,026

639,0

Pr-

0,028

5,0x1014

0,089

670,8

Oxidao trmica

depos./Oxidao/Alneal

220

De acordo com a tabela 6.7, aps a finalizao do processo de fabricao

pde ser alcanada uma tenso de circuito aberto-implcita de 670,8 mV. Verifica-se
que a clula com material FZ de baixa resistividade apresenta um aumento de
8,2mV, em relao tenso apresentada pela amostra A-22-2 (processada em
conjunto) com Si-Cz e aproximadamente 3.cm de resistividade de base, denotando
uma limitao na tenso na amostra B-23-4.
No entanto, devem-se destacar estes dados como resultados excelentes,
uma vez que o processo implementado j no depende da recuperao do tempo de
vida atravs do armadilhamento de impurezas com Al, mas sim de um processo de
fabricao capaz de manter a qualidade do material ao longo de todas as etapas
que o compem, sem a necessidade de utilizar salas ultralimpas, com as exigncias
habituais de processos de microeletrnica.
Na tabela 6.8 pode ser observada uma comparao entre os tempos de vida
efetivos e tenses de circuito aberto-implcitas para cada etapa, em amostras da
Australian National University[8], e os resultados obtidos na amostra B-23-4. No
dispositivo processado na ANU utilizou-se uma oxidao trmica inicial mida a
850oC, seguida por pr-deposio de fsforo, oxidao trmica fina (final)
produzindo emissores com 150/.
Dentre as diferenas, cabe destacar que a clula solar em material Si- FZ,
desenvolvida

pela

Australian

National

University

(ANU)[8]

foi

realizada

conjuntamente com otimizado para material multicristalino, e portanto, mantendo as

temperaturas abaixo de 900oC. Por outro lado, a amostra B-23-4, desenvolvida neste
trabalho possui um filme de camada passivadora espesso (aproximadamente
1800) indicando uma maior permanncia em etapas trmicas com temperaturas
elevadas.

221

Tabela 6.8 - Comparao entre os tempos de vida efetivos medidos para o nvel de
injeo de um sol e tenses de circuito aberto-implcitas obtidas em clulas de baixa
resistividade e Si-FZ obtidas no LME-EPUSP e ANU, ambas com o conjunto ptico:
superfcies polidas e filme de SiO2.

B-23-4

Amostra ANU

FZ 0,51.cm

FZ 0,27.cm

e emissor com 55/

e emissor com 150/

(junes profundas)

(junes rasas)

Etapa do

ef medido

Voc

ef

Voc

processo

a 1 Sol (ms))

implcito

medido a

implcito

(mV)

1 Sol

(mV)

(ms)
Pr-deposio/

0,026

639,0

0,027

659,0

0,089

670,8

0,051

675,0

oxidao aps
FGA
Pr-deposio/
oxidao aps
alneal

Outro ponto de extrema importncia a ser destacado que aps a finalizao

do dispositivo a amostra da ANU[8] apresentou uma tenso de circuito aberto de
670mV, com cerca de 5mV apenas inferior tenso de circuito aberto-implcita
obtida a partir das medidas com a tcnica PCD.
A tabela 6.9 mostra uma comparao entre os resultados obtidos na amostra
B-23-4, e as suas respectivas simulaes tericas realizadas com o programa
PC1D, com os resultados encontrados por outros centros utilizando substratos com
resistividades de base prximas a 0,5.cm. Os clculos tericos foram realizados
utilizando os parmetros internos caractersticos da amostra B-23-4, uma velocidade
de recombinao frontal 3000cm/s tpica de superfcies texturizadas e admitindo
uma queda na tenso de circuito aberto-implcita devido introduo dos contatos
metlicos.

222

De acordo com os resultados obtidos pelas simulaes tericas realizadas

utilizando os parmetros caractersticos da amostra B-23-4 verifica-se que com a
tecnologia implementada eficincias no entorno de 20% (considerando conjunto
ptico frontal composto por texturizao qumica e camada anti-refletora de SiO2)
poderiam ser alcanadas.
Enquanto isto, pode-se observar que a implementao de camadas antirefletoras duplas permitiriam atingir a eficincia terica de 21%, fato este
corroborado pelos parmetros eltricos experimentais encontrados na clula solar
desenvolvida por M. Kerr[33]. Neste dispositivo a densidade de corrente de curtocircuito da ordem de 38,6mA/cm2 (devido utilizao de uma fina camada de SiO2
seguida pela deposio de SiN estequiomtrico), a tenso de circuito aberto
684,0mV, o fator de forma de 0,807, resultando uma eficincia de 21,4%.
Por outro lado, pode-se destacar que a tenso na amostra B-23-4 e a
encontrada nas amostras RP-PERC com superfcie polida com um filme de SiO2,
processada em outros centros de importncia internacional[98,77], so praticamente
equivalentes.
Cabe ressaltar ainda que a Universitt Konztanz[98] desenvolveu clulas
solares com e sem texturizao na superfcie frontal, resultando em tenses de
circuito aberto muito prximas, (diferindo em apenas 1mV). Este fato apresenta uma
excelente perspectiva para introduo da texturizao qumica nas estruturas n+p
com regio posterior passivada.

223

Tabela 6.9 Comparao entre a tenso de circuito aberto-implcita da amostra

B-23-4, as respectivas simulaes tericas e as clulas solares RP-PERC
processadas em outros centros.

CENTRO
de
PESQUISA

B-23-4
(FZ)
LME-EPUSP

Valores

.cm

R
/

experimental

0,51

55

terico
(text+ SiO2)

0,51

55

terico
(text+ZnS/MgF2)

0,51

55

Jsc
mA/cm2

Voc
mV

FF

(%)

0,810

20,0
20,2

0,810

670,8
(medido)
37,0 37,5

665,8
665,8
684,0

0,807

20,520,8
21,4

ANU
RP-PERC
(FZ)[33]

(text+ SiO2+SiN)

0,3

__

38,1
38,6
38,6

Universitt
Konztanz
(FZ)[98]
Universitt
Konztanz
(FZ)[98]
Universitt
Konztanz
(FZ)[98]
Samsung[99]

(text+ SiO2)
mesa

0,5

__

37,4

648,0

0,806

19,5

polida+ SiO2

0,5

___

32,5

672,0

0,820

17,9

(text+ SiO2)

0,3

___

37,2

671,0

0,818

20,4

(text+ SiO2)

0,5

___

37,2

666,3

0,807

19,98

6.4 COMPARAO ENTRE AS ESTRUTURAS N+P PROCESSADAS COM

DIFEFERENTES RESISTIVIDADES DE BASE

Na tabela 6.10 apresenta-se um resumo das caractersticas dos emissores

obtidos nos diferentes materiais estudados (resistncia de folha e concentrao
superficial de dopantes), bem como o tempo de vida dos portadores minoritrios
efetivos medidos aps a etapa final do processo em cada amostra.

224

Tabela 6.10 - Comparao entre os emissores das estruturas n+p e dos tempos de
vida de portadores minoritrios efetivos em funo da resistividade de base e do
material de partida (Si-Cz e FZ), considerando ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC.

Amostra

Material

ef

ef

(.cm)

(m)

(/)

(cm-3)

(ms)

(ms)

aps

aps

alneal

alneal

n=NA

n para

1Sol
A-22-2

Cz

2,5

341

55

1,24x1019

0,227

0,236

3,3

290

101

3,87x1018

0,305

0,347

0,51

354

55

1,24x1019

0,028

0,089

(tipo 1)
5-2

Cz
(tipo 2)

B-23-4

FZ

Comparando-se esta tabela com a figura 6.1 pode-se observar que a

resistncia de folha obtida nos emissores das estruturas estudadas foi mantida no
intervalo timo para a obteno de eficincias otimizadas em clulas solares com
emissores homogneos (amostras A-22-2 e B-23-4). Outro ponto importante a ser
considerado a preservao do tempo de vida em patamares elevados para a
fabricao de clulas solares de alta eficincia. Na tabela encontra-se tambm um
emissor projetado e otimizado para atuar na regio iluminada em emissores DD
(amostra 5-2), entretanto sua insero nesta tabela est plenamente justificada luz
dos resultados obtidos.
A figura 6.3 apresenta uma comparao entre os tempos de vida efetivos
medidos em funo do excesso de portadores com a tcnica PCD aps a etapa final
do processamento do dispositivo. As linhas tracejadas representam o tempo de vida
efetivo obtido a 1Sol, utilizados na extrao da tenso de circuito aberto-implcita.

225

-3
ef medido (x10 ms)

10000
1000
100
10
1
1E+12 1E+13 1E+14 1E+15 1E+16 1E+17 1E+18
Densidade de excesso de portadores, n (cm-3)
Figura 6.3: Medidas de tempo de vida efetivo aps a realizao do alneal em
lminas com a estrutura n+p e bases de diferentes resistividades: a) rosa amostra
B-23-4, b) verde amostra A-22-2 e c) verde gua - amostra 5-2. As linhas
tracejadas correspondem ao tempo de vida a 1sol como funo do nvel de excesso
de portadores correspondente a cada base estudada.

Uma comparao entre as tenses de circuito aberto-implcitas, Voc-imp obtidas

para diferentes resistividades de bases vem apresentada na tabela 6.11.
Analisando-se esta tabela pode-se notar que a maior tenso de circuito aberto
implcita foi obtida na amostra de substrato FZ com resistividade de 0,51.cm, de
resistividade, conforme esperado. Outro ponto importante foi a obteno de tenses
de circuito aberto elevadas mesmo utilizando materiais Cz no entorno de 3,0.cm. A
amostra 5-2 possui uma Voc-imp apenas cerca de 8,2mV menor que a apresentada
pela amostra B-23-4, demonstrando a viabilidade de dispositivos com as estruturas
n+p com superfcie posterior passivada tambm com materiais de menor custo.

226

Tabela 6.11- Tenses de circuito aberto-implcito em funo do material inicial e da

resistividade de base em estruturas n+p, com rea til de 4,0cm2, e passivadas na
regio posterior, considerando ni=8,66x109 cm-3 para T=25oC.

Amostra

Material

Voc

(.cm)

Implcito
(mV)

A-22-2

Cz

2,5

652,4

3,3

662,6

0,51

670,8

(tipo 1)
5-2

Cz
(tipo 2)

B-23-4

FZ

6.5 CONCLUSES

O processo de fabricao de estruturas completas (com abertura de janelas)

em lminas de vrias resistividades e materiais de partida permitiu a obteno de
elevadas tenses de circuito aberto-implcitas, em materiais (FZ) de baixa
resistividade (0,5.cm), Voc-imp=670,5mV e at mesmo em lminas utilizando
material de baixo custo (Cz com resistividades 2,5.cm e 3,3.cm), Voc-imp=652,4mV
a 662,6 mV, respectivamente onde conhecidamente as tenses de circuito aberto
so menores.
Em particular a tenso de circuito aberto-implcita obtida em lminas de SiFZ
de baixa resistividade tornou-se comparvel obtida em processo de fabricao de
um importante centro de referncia (ANU)[8], Voc-imp=675mV, permitindo projetar
eficincias no entorno de 20% quando utilizado um conjunto ptico frontal composto
por texturizao qumica aleatria e SiO2, e 21% para um conjunto ptico frontal
formado por texturizao qumica com camada dupla (ZnS/MgF2). Da mesma forma,
valores de eficincias no entorno de 19,6% so esperadas em materiais Cz com
texturizao seguida de SiO2, e 20,2% caso for utilizada camada anti-refletora dupla

227

sobre a texturizao. Estas projees tericas corroboram os valores de tenses de

circuito aberto encontrados por instituies de relevncia internacional como o
Fraunhofer Institute[77] e Universitt de Konztanz[98].
Cabe ressaltar que estas estruturas foram obtidas visando as etapas
necessrias para o desenvolvimento de clulas solares com tecnologia planar; e
portanto, com substratos submetidos a trs etapas trmicas de temperatura elevada.
Assim, a obteno de tenses de circuito aberto elevadas, em materiais (Cz),
comprovam a excelente qualificao do processo de fabricao desenvolvido
atravs da preservao do tempo de vida no volume at mesmo em materiais de
baixo custo, onde as concentraes de carbono e oxignio so elevadas.

228

CAPTULO 7 CONCLUSES E PERSPECTIVAS FUTURAS

As implementaes realizadas no programa desenvolvido permitiram realizar

otimizaes tericas para apresentao na forma de curvas de nvel de parmetros
internos que descrevem o emissor (eficincia de coleo, densidade de
recombinao), as grades metlicas e as estruturas completas.
Emissores homogneos e duplamente difundidos foram otimizados como
funo da espessura do emissor e da concentrao superficial de dopantes,
comprovando-se que os emissores Gaussianos permitem a obteno de elevada
eficincia de coleo e reduzida densidade de recombinao desde que
moderadamente dopados, relativamente espessos e passivados.
A otimizao de estruturas completas n+p e n++n+p considerando a
concentrao intrnseca de portadores, ni=9,65x109 cm-3 e o conjunto de parmetros
internos antes da re-adequao, permitiu concluir que as eficincias alcanadas em
dispositivos com emissores duplamente difundidos, 26% no so significativamente
superiores s obtidas atravs de emissores homogneos, =25,5%, corroborando os
resultados encontrados em trabalhos anteriores.
A comparao entre os resultados obtidos utilizando os parmetros internos
antes e aps a re-adequao de parmetros[33] demonstrou que as alteraes
realizadas praticamente no alteram as eficincias das clulas solares com
emissores homogneos suavemente dopados ou os altamente dopados e espessos.
Os desenvolvimentos experimentais dividiram-se basicamente em trs
etapas.
A primeira consistiu na transposio da tecnologia desenvolvida para a
obteno da clula solar N-7-2 com resistividade de base de 0,5.cm e tecnologia
planar para tecnologia mesa e processo de menor custo (substrato Cz de baixa
resistividade, reagentes qumicos de grau de pureza P. A. e gases industriais). A
implementao

produziu

um

processo

denominado

simplificado,

tendo

representado um grande avano tecnolgico pois permitiu uma significativa reduo

no nmero de passos necessrios para a fabricao das clulas solares (de 11 para
5 etapas, e apenas uma de temperatura elevada), representando, portanto, em uma
significativa reduo de custos; contudo, mantendo elevada a eficincia, no entorno
de aproximadamente 17% (clula solar A-16-1). Este dispositivo apresentava como

229

parmetros eltricos de sada Jsc=36,4mA/cm2, Voc=604mV, FF=0,765 e =16,8%.

Caso um conjunto ptico composto por texturizao e um filme de SiO2 com
espessura otimizada (1100) fosse realizado ao invs da espessura obtida neste
dispositivo, 1173, a densidade de corrente de curto-circuito poderia se elevar na
ordem de 0,5mA/cm2, tornando-se comparvel s obtidas em clulas solares com
=19% pelo IES-UPM.

A segunda fase do desenvolvimento experimental consistiu na caracterizao

de materiais utilizando a tcnica PCD e duas diferentes tcnicas de passivao
(oxidao trmica e pr-deposio suave de fsforo). Estes trabalhos foram
realizados em material FZ, com resistividade de 20 a 30.cm, e permitiram otimizar
os processos de passivao superficial, e pr-deposio de fsforo, conjuntamente
com a tcnica de caracterizao de materiais propriamente dita.
Foram estabelecidas as caractersticas necessrias para a implementao de
processos de fabricao de clulas solares no dependentes do armadilhamento de
impurezas atravs da difuso de Al. As estruturas n+p com altos rendimentos, no
dependentes do armadilhamento, devem manter elevado o tempo de vida da
amostra aps a realizao de todas as etapas trmicas necessrias para sua
formao, incluindo, excelentes qualidades do emissor e superfcie posterior (silcio
tipo p).
A caracterizao de materiais utilizando reagentes qumicos de elevado grau
de pureza e gases especiais (pureza controlada) permitiu verificar a excelente
qualidade do material, bem como da passivao realizada. A amostra E-10-1
permitiu a obteno de um tempo de vida de portadores minoritrios no volume aps
a oxidao trmica com aditivos clorados seguida por alneal na ordem de 1,28ms e
um limite mximo de velocidade de recombinao superficial efetiva na ordem de
10,8cm/s.
O estudo realizado de caracterizao de materiais utilizando passivao
atravs da oxidao trmica permitiu tambm realizar uma comparao entre os
processos de limpeza com os reagentes qumicos com grau de pureza C-MOS e
produtos de baixo custo (grau de pureza P. A.). Os resultados mostram que os
tempos de vida mantm-se suficientemente elevados, da ordem de 0,54ms, quando
os produtos de baixo custo so utilizados.

230

Por outro lado, a anlise deste material utilizando uma passivao de

superfcie obtida atravs da estrutura n+pn+, com uma resistncia de folha de 400
/, permitiu a obteno de tempos de vida efetivos na ordem de 0,595ms aps a

realizao de alneal, e um Joe da ordem de 45fA/cm2. Ao mesmo tempo, pde-se

fazer uma avaliao do efeito de utilizao de gases industriais na realizao das
pr-deposies

de

fsforo.

Este

estudo

mostrou

que

as

densidades

de

recombinao foram mantidas em patamares de 46fA/cm com preservao do

tempo de vida do volume, no entorno de 0,512ms.
Visando a elevao do tempo de vida alcanado em estruturas n+pn+ realizouse a implementao de limpezas no forno de pr-deposio de fsforo utilizando O2
de baixo custo. Aps esta implementao, os emissores com resistncia de folha da
ordem de 100/ das estruturas n+pn+ permitiram a obteno de um tempo de vida
efetivo da ordem de 1,202ms (aps pr-deposio, remoo do PSG, oxidao
trmica seguida por alneal), e portanto comparveis aos valores alcanados aps a
oxidao trmica seguida por alneal. Outro ponto de destaque que estes
emissores permitiram tambm atingir reduzidas densidades de corrente de
recombinao, da ordem de 45fA/cm2.
Ainda nesta fase, realizou-se o desenvolvimento de estruturas n+p, utilizando
o material FZ com resistividade entre 20 e 30.cm, e emissores com resistncia de
folha de 180/, tendo-se obtido tempos de vida de aproximadamente 1ms em uma
estrutura delimitada em 4cm2, e passivada em toda a sua regio posterior. Este
resultado comprova a capacidade do LME-EPUSP em desenvolver estruturas no
dependentes do efeito de armadilhamento de impurezas atravs da difuso de Al, e
que para o desenvolvimento de dispositivos de silcio de alto rendimento no so
necessrias salas limpas com excessivas medidas coercitivas, que envolvem
necessariamente elevados custos de manuteno.
A terceira fase deste trabalho consistiu em transferir a tecnologia de
fabricao implementada, agora em substratos com resistividades compatveis com
a fabricao de clulas solares de tipo RP-PERC. O trabalho permitiu encontrar
excelentes resultados atravs das medidas das tenses de circuito aberto-implcitas
para os trs tipos de substratos de silcio estudados: Cz com 2,5.cm (fabricante
tipo 1), Cz com 3,3.cm (fabricante tipo 2) e FZ com 0,5.cm.

231

As estruturas processadas em materiais de baixo custo produziram tenses

de circuito aberto-implcitas de 652,5mV e 662,6mV para os materiais Cz do
fabricante tipo 1 e tipo 2, respectivamente. Estas tenses quando obtidas em
conjunto com estruturas texturizadas e camada anti-refletora de SiO2 (conjunto
ptico utilizado nas clulas solares N-7-2 e A-16-1) permitem a obteno de
eficincias da ordem de 19%-20%, comparveis s alcanadas em grandes centros
de pesquisa do setor fotovoltaico mundial.
O desenvolvimento desta estrutura em material FZ com resistividade de
0,5.cm permitiu obter uma tenso de circuito aberto de aproximadamente 671mV.
Este valor de tenso se utilizado conjuntamente com um conjunto ptico frontal
composto por texturizao qumica aleatria seguido por camada de SiO2 permite
obter 20% de eficincia, entretanto, quando utilizada uma camada dupla torna-se
possvel atingir o marco de 21% de rendimento.
Cabe

ressaltar

que,

na

finalizao

dos

dispositivos,

quando

do

estabelecimento dos contatos atravs de pontos na regio posterior, e da grade do

lado frontal, ocorrer um pequeno decrscimo na tenso de circuito aberto final.
Entretanto, de acordo com M.H.MacDonald[8] este decrscimo ser mnimo,
representado por uma queda de apenas 5mV.
Assim em primeira instncia este trabalho tem como perspectiva futura a
transferncia do processo de fabricao para silcio multicristalino (embora algumas
adaptaes devam ser realizadas).
As implementaes derivadas do trabalho realizado deve permitir que o LME
ultrapasse a barreira dos 17%, alcanada com a tecnologia n+pp+ com Al difundido
sobre toda a regio posterior.

232

REFERNCIAS

[1] Intergovernamental Panel on Climate Change, Press Release. Disponvel em

http://www.ipcc.ch/SPM2feb07.pdf. Acesso em 02 de janeiro de 2007.
[2] International Energy Agency Photovoltaic Power Systems Report 2006.
Disponvel em http://www.iea.org. Acesso em 15 de fevereiro de 2007.
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APNDICE A FLUXOGRAMA DE FUNCIONAMENTO DO

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e ESTRUTURAS COMPLETAS.
O programa desenvolvido/implementado (simulacell.pas verso 2) utiliza a
linguagem Turbo Pascal verso 5.0. Para realizar o clculo das integrais mltiplas
presentes nas solues analticas encontradas por F. Bisschop et. Al

[30]

, e

apresentadas no captulo 2, utiliza-se o mtodo de integrao por Simpson.

Durante o processo de integrao, a ordem de aproximao escolhida est
correlacionada com o nmero de integrais utilizadas no clculo das solues, o valor
de i nas equaes (2.5, 2.9, 2.10 e 2.12) e o nmero de iteraes relaciona-se com
o nmero de parties realizadas na espessura do emissor (quanto maior, melhor
ser a preciso das integrais calculadas). Neste trabalho adotou-se a 10a ordem de
aproximao e o nmero de iteraes tambm igual a 10, conforme discutido no
captulo 2 desta tese.
A seguir, mostra-se uma listagem dos parmetros de entrada utilizados
durante a execuo do programa desenvolvido.
1. PARMETROS REFERENTES AO PROCESSO DE INTEGRAO:
ORDEM DE APROXIMAO
NMERO DE ITERAES

2. PARMETROS REFERENTES AO EMISSOR

CONCENTRAO SUPERFICIAL DE DOPANTES MXIMA (cm-3)
CONCENTRAO SUPERFICIAL DE DOPANTES MNIMA (cm-3)
VALOR MXIMO DE ESPESSURA DO INTERVALO CALCULADO

(cm)
VALOR MNIMO DE ESPESSURA DO INTERVALO CALCULADO

(cm)
TIPO DE EMISSOR (HOMOGNEO OU DUPLAMENTE DIFUNDIDO),

DIGITAR 1 OU 0 RESPECTIVAMENTE.

246

VELOCIDADE

DE

RECOMBINAO

SUPERFICIAL

FRONTAL

(REGIO PASSIVADA E REGIO METALIZADA) ESCOLHA DO

TIPO DE PASSIVAO DE SUPERFCIE (OXIDAO + FG,
OXIDAO + ALNEAL, NITRETO DE SILCIO).
3. PARMETROS REFERENTES S CARACTERSTICAS PTICAS:
ARQUIVO POT.DAT COM A POTNCIA DE LUZ INCIDENTE

REFERENTE AO ESPECTRO DE LUZ COM DUAS OPES: AM0

(UTILIZADO PARA CLULAS SOLARES ESPACIAIS) E AM1.5G
(UTILIZADO PARA SIMULAES DE CLULAS SOLARES DE USO
TERRESTRE).
PODE-SE

ESCOLHER

SE

SUPERFCIE

FRONTAL

SE

TEXTURIZADA OU NO. CASO SEJA, H UM FATOR DE

CORREO NA DENSIDADE DE RECOMBINAO DO EMISSOR
CALCULADO.
PODE-SE ESCOLHER SE NO DISPOSITIVO SIMULADO OCORRE

OU NO CONFINAMENTO DE LUZ.
O CONFINAMENTO PTICO OBTM-SE PELO CLCULO DA

CORRENTE MXIMA DE CURTO-CIRCUITO CONSIDERANDO SE

A REFLETIVIDADE FRONTAL INTERNA IGUAL A 95% E A
POSTERIOR INTERNA A 99% COMO FUNO DA ESPESSURA DE
BASE.
ARQUIVO REF.DAT COM OS VALORES DE REFLETIVIDADE EM

FUNO DO COMPRIMENTO DE ONDA PERMITE A SIMULAO

DE

CLULAS

SOLARES

COM

PERDAS

REFLEXIVAS

DE

SUPERFCIES POLIDAS OU TEXTURIZADAS COM UMA CAMADA

ANTI-REFLETORA. ESTE ARQUIVO DEVE SER GERADO PARA
CADA DISPOSITIVO ESTUDADO COMO FUNO DAS MEDIDAS
EXPERIMENTAIS REALIZADAS NO ESPECTROFOTMETRO.

247

4. PARMETROS REFERENTES BASE

TEMPO DE VIDA DE PORTADORES MINORITRIOS NA BASE (ms)
ESPESSURA DA BASE (cm)
VELOCIDADE DE RECOMBINAO POSTERIOR EFETIVA (cm/s)

5. PARMETROS REFERENTES REGIO P+ (OPCIONAL - APENAS PARA

AS ESTRUTURAS n+pp+ - regio p+ formada atravs da difuso de boro)
CONCENTRAO SUPERFICIAL DE DOPANTES DA REGIO P+

(tomos/cm3)
ESPESSURA DA REGIO P+ (cm)

6. PARMETROS REFERENTES OTIMIZAO DAS GRADES

DIMENSES DO DISPOSITIVO: A comprimento (cm), B largura

(cm).
LARGURAS DAS LINHAS METLICAS DE CONTATO (ANTES, D E

APS O ESPESSAMENTO, DF) (m),

TIPO DE METAL DE CONTATO CONSIDERADO: Ti (clulas de

laboratrio),
RESISTNCIA DO METAL (/).
VALOR INICIAL DA DENSIDADE DE CORRENTE, JMP (mA/cm2) E

TENSO, VMP (mV) NO PONTO DE MXIMA POTNCIA.

7. PARMETROS REFERENTES AO NMERO DE ARQUIVOS GERADOS
POR EXECUO DO PROGRAMA.
O NMERO DE ARQUIVOS GERADOS POR EXECUO DO

PROGRAMA PODE VARIAR DE UM A TRS.

O NMERO DO PRIMEIRO ARQUIVO.

248

programa

desenvolvido

foi

estruturado

em

uma

seqncia

de

procedimentos com diversas funes, basicamente divididos em:

a) os relativos ao mtodo de integrao por Simpson;
b) procedure emissorfinal - calcula os parmetros dos emissores, tais como
a densidade de recombinao e de coleo;
c) procedure resiste - calcula a resistncia de folha do emissor;
d) procedure geralgrade - que realiza a otimizao de grades metlicas;
d) procedure geraotimo que permite a obteno de um arquivo de sada
optz*.dat com a otimizao de grades;
e) procedimentos referentes ao clculo da densidade de corrente de
recombinao e gerao na base;
f) procedimentos referentes a recombinao na regio p+,
g)

procedure

corpo

consiste

em

uma

juno

dos

procedimentos

mencionados anteriormente, alm de possuir outros procedimentos que permitem

gerar os arquivos de sada como os escrevesaida e o escreveemissor. Assim,
para um determinado par, concentrao superficial, Ns e espessura do emissor, W e,
todos os parmetros estudados do emissor, da otimizao de grades e da base so
calculados, gerando os arquivos de sada optz*.dat, emiss*.dat e sab*.dat
referentes a otimizao de grades, ao emissor e ao dispositivo completo
respectivamente.
Visando maximizar o nmero de otimizaes realizadas por execuo do
programa, e, portanto otimizar o tempo necessrio para a obteno de curvas de
nvel, o programa realiza o loop1 onde aps serem definidos os valores mximos e
mnimos da concentrao superficial de dopantes e da espessura do emissor, estes
intervalos subdividem-se com um passo p e executa-se o procedure corpo para
cada par de Ns e W e gerados.
Um segundo loop 2 foi criado para possibilitar a execuo completa deste
procedimento de clculo, realizado pelo primeiro loop, no mximo at trs vezes
sem necessitar a interveno do usurio, gerando assim trs arquivos de sada para
cada execuo do programa. Desta forma os valores de entrada, concentrao
superficial de dopantes e espessura mnimos e mximos so acrescidos e se reinicia
um novo processo de otimizao automaticamente. Por exemplo, escolhendo-se o
nmero do primeiro arquivo igual a 1 e o nmero de arquivos a serem simulados
igual a dois, em uma nica execuo do programa, obtm-se os arquivos: optz1.dat,

249

emiss1.dat, sab1.dat; e aps redefinir os novos intervalos de concentrao

superficial de dopantes e espessura,

os novos arquivos optz2.dat, emiss2.dat,

sab2.dat. Estes arquivos de sada obtidos com a extenso *.dat tornam possvel
realizar as curvas de nvel do parmetro desejado com o auxlio de planilhas de
clculo com o excel ou origin.
A seguir apresentam-se dois fluxogramas descrevendo a verso do programa
implementada nesta tese de doutoramento, visando a obteno de curvas de nvel
dos parmetros de sada, tais como densidade de recombinao do emissor,
eficincia de coleo, resistncia de folha, fator de sombreamento entre outros.
O primeiro fluxograma chama-se otimizao e mostra as etapas seguidas
para a realizao da otimizao propriamente dita e o fluxograma 2 mostra a
estrutura completa do programa implementado.

250

FLUXOGRAMA 1: OTIMIZAO DE GRADES E OBTENO DE PARMETROS

QUE CARACTERIZAM EMISSORES E DISPOSITIVOS COMPLETOS.

OTIMIZAO DE GRADES PARA UM PAR Ns, W e=> Sada

Fs, Fm e ptot PARA CADA CASO DE Ns e W e. =>
ARQUIVO DE SADA OPTZ*.DAT.
OBTENO DOS PARMETROS INTERNOS DO
EMISSOR Joepass, Joemet, Joe, Jil, e c=> ARQUIVO
DE SADA EMISS*.DAT.

PARMETROS BASE: JOBASE, JSC-MAX

PARMETROS ELTRICOS DE SADA DO

DISPOSITIVO COMPLETO: Jsc, Voc, FF e
=>ARQUIVO DE SADA SAB*.DAT.

251

Fluxograma 2: Estrutura completa do programa simulacell.pas verso 2 aps as

implementaes realizadas nesta tese de doutoramento.

PARMETROS DE ENTRADA

INCIO DO LOOP 2
CLCULO DOS PARMETROS Ns e W e DEFININDO CADA
EMISSOR A SER ESTUDADO PERTENCENTE AOINTERVALO DE
CONCENTRAO SUPERFICIAL (Nsmin Nsmax) e de espessura
(Wemin Wemax) DURANTE UMA EXECUO COMPLETA DO
PROGRAMA.

INCIO DO LOOP 1

VALOR INICIAL APROXIMAO:

Jsc /Voc= JMP/VMP

FLUXOGRAMA 1 otimizao

VALOR JSC/VOC ESPECFICO PARA O Ns e We

ESTUDADOS

FLUXOGRAMA 1 otimizao

Se Jsc/Voc do
valor
inicial aproximao=>Final LOOP1
FINAL
LOOP1
GERAO DOS ARQUIVOS DE SADA
REDEFINIO DO NSMAX, NSMIN, W EMAX E W EMIN

o
Se contador=n
de casos de emissores
FINAL LOOP2
estudados =>FINAL do LOOP 2
Caso contrrio => INCIO LOOP 2

252

APNDICE B - ESPECTRO DE LUZ INCIDENTE AM1.5G

(ASTM G173-03) E COEFICIENTES DE ABSORO DO SILCIO
UTILIZADOS NAS SIMULAES TERICAS
Nas simulaes tericas realizadas neste trabalho foi utilizado o espectro de
luz incidente AM1,5 global, publicado pela ASTM G173-03. O espectro AM1,5 global
representa a irradincia solar terrestre em uma superfcie com orientao especfica,
definido como um plano inclinado a 37o em relao ao equador terrestre. As
condies atmosfricas adotadas para a obteno do espectro ASTM G-173-03
(temperatura, presso, densidade de aerossis, coluna de vapor de gua, massa de
ar absoluta de 1.5, coluna equivalente de oznio entre outras)[52] foram consideradas
como sendo uma mdia das condies apresentadas em 48 estados dos Estados
Unidos da Amrica no perodo de 1 ano. Na figura A.1 pode ser observada a
representao grfica das irradincias espectrais com intervalos de largura de banda
de 50nm como funo no comprimento de onda.

100

AM1.5G - ASTMG173

(dE/d)x (mW/cm )

80

60

40

20

500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500

(nm)

Figura A.1: Irradincias espectrais como funo do comprimento de onda, (nm)

para o espectro AM1,5G (ASTM G173-03) [52].

253

Os coeficientes de absoro para o silcio[54] e as irradincias espectrais

((dE/d).d) em funo do comprimento de onda adotados nas simulaes tericas
apresentam-se na tabela A.1.

Tabela A.1 Coeficientes de absoro para o silcio e as irradincias espectrais

referentes ao espectro AM1,5G utilizados neste trabalho[52,54].
dE

(nm)
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300

(cm-1)
1,73x106
1,04x106
9,52x104
2,55x104
1,11x104
6,39x103
4,14x103
2,80x103
1,90x103
1,30x103
8,50x102
5,35x102
3,06x102
1,57x102
6,40x101
1,63x101
3,50x100
6,80x10-1
2,20x10-2
1,00x10-3
4,50x10-5

2
(mW/cm )

0,27310
2,57870
4,70240
7,06667
7,67349
7,58613
7,30510
7,00128
6,27644
5,42333
5,25862
4,79854
3,91073
2,12262
3,53462
3,24847
2,18406
1,28838
2,18424
2,15453
1,81568

254

APNDICE C - RECOMBINAO NO SEMICONDUTOR DE SILCIO

A recombinao no semicondutor divide-se em duas componentes: de volume

e de superfcie.

C.1 RECOMBINAO NO VOLUME DO SEMICONDUTOR DE Si

A taxa de recombinao no volume U em um semicondutor de tipo p possui

uma dependncia no linear em relao aos valores de concentrao de portadores
minoritrios no equilbrio, e pode ser dividida em trs mecanismos: Shockley Read
Hall, Radiativa e Auger.
O tempo de vida de recombinao dos portadores minoritrios vem definido
como a razo entre o excesso de portadores minoritrios, n, e a taxa de
recombinao U, resultando na expresso (C.1).

n
U

(C.1)

C.1.1 RECOMBINAO SCHOCKLEY-READ-HALL

A recombinao Shockley-Read-Hall (SRH) representa as recombinaes que

ocorrem no semicondutor devido presena de nveis de impurezas e defeitos.
Estas recombinaes tornam-se significativas em semicondutores com transio
indireta, tais como o silcio e o germnio. A expresso para o tempo de vida devido
recombinao Shockeley -Read -Hall apresenta-se na expresso (C.2).

=
SRH

p (no + n + n) + n (po + p + n)
1
1
po +no + n

(C.2)

255

sendo, p, o tempo de vida das lacunas (expresso C.3); no, a concentrao de

equilbrio de eltrons; n1 apresentada na expresso C.4; n, tempo de vida dos
eltrons (expresso C.5); po, a concentrao de equilbrio das lacunas; e p1,
apresentada na expresso (C.6).

p =

1
p v thNR

ER - Ei
n = n exp
1 i
kT

n =

1
n v thNR

ER - Ei
p = n exp 1 i
kT

(C.3)

(C.4)

(C.5)

(C.6)

sendo ni, a concentrao intrnseca de portadores; ER, o nvel de recombinao da

impureza; NR, a concentrao de impureza; Ei, o nvel de energia intrnseca; k, a
constante de Boltzman; T, a temperatura em Kelvin; p e n sees de choque de
captura para eltrons e lacunas, e vth, a velocidade trmica.

Em condies de baixa injeo, a concentrao de portadores minoritrios em

excesso pequena quando comparada com a concentrao de portadores em
equilbrio, n<<po; enquanto que, as condies de alta injeo ocorrem para,
n>>po, como mostram as equaes (C.7) e (C.8).

256

= (baixa injeo), po>>n1, p1

SRH n

(C.7)

= + (alta injeo), n>>n1,p1

SRH n p

(C.8)

Cabe ressaltar que em alguns trabalhos publicados na literatura diversos

autores referem-se recombinao SRH como trapping de impurezas. Para evitar
confuses de notao, neste trabalho diferencia-se recombinao SRH de
armadilhamento de impurezas (trapping), como mostra a figura C.1[100].
No primeiro processo (recombinao SRH), o eltron livre capturado por um
nvel de impureza e em seguida recombina-se como uma lacuna na banda de
valncia, ver figura C.1 (a). Neste processo, ocorre um rearranjo da estrutura
cristalina, e a emisso de um fnon, obedecendo ao princpio da conservao do
momento.
No segundo processo, como mostra a figura C.1 (b), o armadilhamento
(trapping) consiste na captura temporria do eltron em um nvel de impureza, mas
em seguida este eltron retorna a banda de conduo, sem que ocorra a
recombinao.

257

BC
CB
ECE

Er

Er

Er

FONON
Phonons

Recombination
Centro
de Recomb.
center

EVE v
VB
BV

(a) Recombination
Recombinao SRH
(a)
BC
CB
EC E c

EVE v

Et

Et

Et

Centro
Trapping
center
Armadilhamento

VB
BV

(b) (b)
Armadilhamento
Trapping
Figura C.1: Alguns mecanismos causados pela presena de impurezas nos
semicondutores: a) Recombinao Shockley-Read-Hall (SRH) e b) o efeito de
armadilhamento [69], onde Ec e Ev correspondem s extremidades das bandas de
conduo e valncia, e Bc e Bv, as bandas de conduo e banda de valncia
respectivamente. Os centros de impurezas so de recombinao Er e de
armadilhamento, Et [100].

C.1.2 RECOMBINAO RADIATIVA

A recombinao radiativa pode ser interpretada como um processo inverso ao

da absoro de luz em um semicondutor, onde a recombinao entre um eltron
livre e uma lacuna resulta na emisso de um fton. Este processo pode ocorrer
diretamente entre o eltron da banda de conduo e a lacuna da banda de valncia,
ou ainda, em um nvel intermedirio de impureza como mostram as figuras 5.9 (a) e
5.9 (b) respectivamente.

258

No caso dos semicondutores caracterizados por transies indiretas, tal como

o silcio, a recombinao por radiao o mecanismo menos provvel pelo fato de
que os princpios de conservao do momento e energia impem a participao de
um fnon, tornando-se um processo de quatro partculas, como mostra a expresso
(C.9). O valor do coeficiente de radiao, Bn determinado experimentalmente para o
silcio Bn=9,5x10-15 cm3/s [69].

BC

BC
FTON h

FTON h

BV

BV
(a)

(b)

Figura C.2: Recombinao radiativa no semicondutor: C.2 (a) transio direta e C.2
(b) utilizando nvel intermedirio de impureza.

= B (p +n + n)
rad n o o

-1

(C.9)

sendo po, a concentrao de lacunas em equilbrio, no, a concentrao de eltrons

em equilbrio e n o excesso de eltrons.
Na condio de baixa injeo, esta recombinao no depende do nvel de
defeitos, tornando-se exclusivamente dependente da concentrao de dopantes,
como mostra equao (5.10), diferentemente da condio de alta injeo, ver
expresso (5.11).
1

=
(baixa injeo)
rad B N
n A

(C.10)

259

=
(alta injeo)
rad B n
n

(C.11)

sendo, NA, a concentrao de dopantes na amostra e n, o excesso de portadores.

C.1.3 RECOMBINAO AUGER

A recombinao Auger consiste em um mecanismo de recombinao onde

um eltron livre da banda de conduo se recombina com um estado livre da banda
de valncia (lacuna), transferindo a energia para que outro portador possa se
desligar da banda de valncia, como mostra a figura C.3.

BC

BV
PORTADOR
EXCITADO
Figura C.3: Recombinao Auger.

O tempo de vida de recombinao Auger clssico pode ser representado

atravs da expresso (C.12), transformando-se nas expresses (C.13) e (C.14) nas
condies de baixa e alta injeo, respectivamente.

2 + 2n n + n2 )
= C p2 + 2po n + n2 + Cn (no
o
Auger p o

-1
(C.12)

260

sendo Cp e Cn, os coeficientes de recombinao Auger para o silcio tipo p e tipo n

respectivamente; po e no, as concentraes em equilbrio de lacunas e eltrons, e

n, o excesso de portadores.

Auger

Auger =

1
2
Cppo

(baixa injeo)

1
(alta injeo)
(C p + Cn )n 2

(C.13)

(C.14)

C.2 RECOMBINAO NA SUPERFCIE DO SEMICONDUTOR

Utilizando um modelo anlogo para descrever a recombinao na presena
de impurezas, Shockley, Read e Hall[69] obtiveram uma expresso para a
recombinao que ocorre na superfcie do semicondutor devido presena de
densidades de estados de interface, conforme mostra a expresso (C.15)

SnSp (pso +nso + ns )

Sr =
Sn (n +n + ns ) + Sp (p + p + ps )
s0 1s
s0 1s

(C.15)

onde
S = v N
n
ns th it

(C.16)

Sp = ps v N
th it

(C.17)

N = kTD
it
it

(C.18)

sendo, ns e ps, as sees de choque dos portadores n e p na superfcie

respectivamente; vth, a velocidade trmica, Nit, a concentrao de estados de

261

interface (calculada pela expresso (C.18), e Dit, a densidade de estados de

interface.
Os limites de baixa injeo e alta injeo podem ser descritos com as
expresses (C.19) e (C.20).

Sr = Sn

(C.19)

Sn Sp
Sr =
Sn + Sp

(C.20)

262

PRODUO TCNICO-CIENTFICA RELACIONADA COM ESTA

TESE DE DOUTORAMENTO:

263

ARTIGOS COMPLETOS PUBLICADOS EM REVISTAS INDEXADAS

1. Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter
monocrystalline silicon solar cells, N. Stem and M. Cid, Solid-State
Electronics, vol. 48, p. 197-205 (2004); (fator de impacto: 1,247) ISSN 00381101.
2. Homogeneous Gaussian profile p+-type emitters: updated parameter and
metal-grid optimization, M. Cid and N. Stem, Materials Research, vol. 5, no 4,
p. 427-432, (2002); ISSN 1516-1439.

264

ARTIGOS COMPLETOS PUBLICADOS EM REVISTAS,

ANAIS E EVENTOS:

3. Processo simplificado de fabricao de clulas solares com eficincias de

17% utilizando substratos Cz de baixa resistividade, M. Cid, N. Stem and C.
A. S. Ramos. In Anais: XIX Seminrio Nacional de Produo e Transmisso
de Energia Eltrica (SNPTEE), 14 a 17 de outubro de 2007, Rio de Janeiro,
R. J. CD-ROM.
4. Neutron activation analysis in a solar cell fabrication process, N. Stem, E. G.
Moreira, M. Cid, C. A. S. Ramos and M. Vasconcelos. In Proceedings:
International Nuclear Atlantic Conference 2007 (XV ENFIR and XVII ENAN),
30 de setembro a 5 de outubro de 2007, Santos S.P.. CD-ROM.
5. Utilizao de emissores pouco dopados na caracterizao de lminas de
silcio, C. A. Ramos, N. Stem and M. Cid. IN Anais: I Congresso Brasileiro de
Energia Solar (I CBENS), 8 a 11 de abril de 2007 em Fortaleza, Brasil. CDROM.
6. Silicon solar cells: phosphorus emitter and metal-grid optimization for
homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) structures, N. Stem, M. Cid
and A. Cuevas. In Proceedings: 21st European Photovoltaic Solar Energy
Proceedings, (2006), Dresden Germany, p. 439-442.
7. Phosphorus double-diffused emitter silicon solar cells: emitter and metal-grid
theoretical optimizations on the contour plot view, N. Stem and M. Cid, 21st
Symposium on Microelectronics Technology and Devices, SBMICRO 2006,
Ouro Preto M.G, Brasil, ECS Transactions vol. 4, no 1, p. 473-479 (2006).
8. High quality emitter silicon solar cells, N. Stem and M. Cid, 18th Symposium
on Microelectronics Technology and Devices, SBMICRO 2003, So Paulo S.
P, Brasil, Electrochemical Society Proceedings, vol. 9, p. 180-185 (2003).

265
9. N+-type versus p+-type, passivated and homogeneous emitter silicon solar
cells, M. Cid, N. Stem and H. Mackel, In Proceedings: 3rd World Conference
on Photovoltaic Energy Conversion, p. 1388-1391, vol. 2, (2003), Osaka,
Japan.
10. High-efficiency emitter crystalline silicon solar cells and their applicability in
industrial process, M. Cid and N. Stem, 17th Symposium on Microelectronics
Technology and Devices, SBMICRO 2002, Porto Alegre, RS, Brasil,
Electrochemical Society Proceedings, vol. 8, p. 253-262 (2002).

266

RESUMOS PUBLICADOS
11. Low cost RCA cleaning effect into silicon bulk lifetime, N. Stem, C. A. S.
Ramos and M. Cid, resumo (D-561). In anais: V Congresso da Sociedade
Brasileira de Pesquisa em Materiais (2006), 8 a 12 de outubro, Florianpolis,
S. C..
12. Use of back reflectors in silicon solar cells, N. Stem, C. A. S. Ramos and M.
C. Snchez, In anais: XXIII Congresso Brasileiro de Aplicaes de vcuo na
indstria e na cincia, p. 29 (2002), Universidade Federal de Santa Catarina,
Florianpolis, S. C., Brasil.