Eletronica Básica 1 PDF

SENAI-PE
Eletrnica Bsica I
SENAI-PE
Federao das Indstrias do Estado de Pernambuco

Jorge Wicks Crte Real
Departamento Regional do SENAI de Pernambuco
Diretor Regional
Antnio Carlos Maranho de Aguiar
Diretor Tcnico
Uaci Edvaldo Matias
Diretor Administrativo e Financeiro
Heinz Dieter Loges
Ficha Catalogrfica
621
S474e
SENAI.DR.PE. Eletrnica Bsica I .

Recife, SENAI.PE/DITEC/DET, 2005
1. ENGENHARIA ELTRICA
2. ELETRNICA
3. Srie Eletrnica - SENAI
I. Ttulo
Direitos autorais de propriedade exclusiva do SENAI. Proibida a reproduo parcial ou total, fora do
Sistema, sem a expressa autorizao do Departamento Regional de Pernambuco.
SENAI Departamento Regional de Pernambuco

Rua Frei Cassimiro, 88 Santo Amaro
50100-260 - Recife PE
Tel.: (81) 3416-9300
Fax: (81) 3222-3837
SENAI-PE
SUMRIO
Matria
tomos
Tenso Eltrica
Relao entre Desequilbrio e Potencial Eltrico
Medio de Tenso CC
Corrente Eltrica
Resistncia Eltrica
Materiais e Condutores e Isolantes
Circuito Eltrico
Resistores
Cdigo de Cores para Resistores
Associao de Resistores
Lei de Ohm
Primeira Lei de Kirchhoff
Segunda Lei de Kirchhoff
Resistores Ajustveis
Potencimetros
Introduo ao Osciloscpio
O painel do Osciloscpio e a Funo dos seus Controles
Medio de Tenso Contnua
Medio de Tenso Alternada
Medio de Freqncia com Osciloscpio
Capacitor
Capacitncia
Tipos de Capacitores
Comportamento do Capacitor em CA
Especificao Tcnica dos Capacitores
Associao de Capacitores
Materiais Semiconudtores
O Diodo Semicondutor
Retificao de Meia Onda
Retificao de Onda Completa
Filtros em Fontes de Alimentao
Diodo Emissor de Luz
Diodo Zener
O Diodo Zener como Regulador de Tenso
Bibliografia
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103
104
118
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160
163
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SENAI-PE
INTRODUO
Esta apostila foi elaborada para que o leitor compreenda melhor os fenmenos
eltricos e suas aplicaes na vida prtica.
Quando ligamos a televiso, o rdio ou o computador, estamos utilizando a
eletricidade. Seria muito difcil imaginar o mundo de hoje sem esse fenmeno.
Aqui esto contidas informaes sobre matria, tenso, corrente eltrica, resistncia,
resistores, diodos, capacitores, lei de ohm, retificadores de meia onda e de onda
completa.
Para uma boa compreenso do contedo e desenvolvimento das atividades neste
curso, voc dever estar familiarizado com esses assuntos.
Estude-os atentamente, pois as informaes apresentadas sero utilizadas no dia a
dia do aprendizado de eletrnica bsica I.
SENAI-PE
O termo matria empregado genericamente a qualquer substncia

existente na natureza independentemente do seu estado (slido, lquido ou
gasoso). A Fig.1 mostra alguns exemplos.
Fig.1 Exemplos de matria.

A forma como a matria se comporta fsica, qumica ou eletricamente na
natureza depende da sua estrutura. O conhecimento da estrutura da matria, em
muitas ocasies, indispensvel para a compreenso do comportamento dos
componentes nos circuitos eltricos.
Qualquer poro de matria pode ser dividida sucessivamente em partes

cada vez menores. Por exemplo, uma grande quantidade de gua pode ser
dividida em vrias pores cada uma com um metro cbico. Cada metro cbico
de gua, por sua vez, pode ser dividido em litros, que tambm podem ser
divididos em copos e da em gotas etc.
SENAI-PE
As partculas que constituem as molculas foram denominadas pelos

gregos de tomos. Eles acreditavam serem estas as menores partculas do
universo, no podendo portanto serem divididas. Entretanto, com o
desenvolvimento dos mtodos de pesquisa cientficas verificou-se que os tomos
tambm so constitudos por partculas menores, denominadas de partculas
subatmicas. Estas partculas subatmicas so os prtons, os eltrons e os
nutrons. Cada uma destas partculas subatmicas tem caractersticas prprias.
A Tabela 2 mostra as caractersticas eltricas destas trs partculas.
Tabela 2 Caractersticas eltricas do prton, eltron e nutron.
Partcula
Propriedade eltrica
Prton Possui carga eltrica positiva. Adota-se por conveno o valor (+1)
para a quantidade de carga do prton.
Eltron Possui a mesma quantidade de carga do prton, mas um sinal
negativo, isto , a carga do eltron vale (1) de acordo com a
conveno utilizada.
Nutron uma partcula subatmica que no possui carga eltrica.
Como as partculas subatmicas so muito pequenas, suas massas no

podem ser determinadas em funo das unidades normais de massa (quilograma,
grama, miligrama etc.). Por esta razo, convencionou-se uma unidade especfica
para definir a massa das partculas subatmicas: a unidade de massa atmica,
abreviadamente u.m.a. A massa de cada partcula subatmica est especificada
na Tabela 3.
Tabela 3 Massa do prton, do eltron e do nutron.
Partcula
Massa
Prton Possui uma massa correspondente a 1 u.m.a.
Eltron Possui uma massa equivalente frao 1/1836 da massa do prton
Nutron Possui uma massa correspondente a 1 u.m.a.
SENAI-PE
A forma como as partculas subatmicas esto organizadas em um tomo,

em muito se assemelha configurao do sistema solar do qual a Terra faz
parte, como mostrado na Fig.5.
Pluto Netuno
Sol
Urano
Saturno
Vnus
Mercrio
Jpiter
Terra
Asterides
Marte
Fig.5 O Sistema solar.

O sistema solar composto pelo Sol, que ocupa a regio central ou ncleo
do sistema, e dos planetas que giram ao seu redor em trajetrias que formam
rbitas fechadas, como se pode ver na Fig.6.
Urano
Vnus
Saturno
Mercrio
Terra
Sol
Jpiter
Marte
Pluto
Fig.6 O sistema solar.
Netuno
SENAI-PE
Como se pode observar na Fig.7, no tomo os prtons e nutrons se

renem na regio central formando o ncleo.
Fig.7 O ncleo do tomo.
Ncleo a regio central do tomo, sendo formado pelo

agrupamento de prtons e nutrons.
Os eltrons, assim como os planetas do sistema solar, giram ao redor do
ncleo, descrevendo trajetrias denominadas de rbitas.
A regio do espao ao redor do ncleo onde os eltrons se movimentam
denominada de eletrosfera.
Eletrosfera a regio do espao ao redor do ncleo onde os

eltrons se movimentam.
Observando o tomo, verifica-se que as partculas de maiores massas, o
prton e o nutron, localizam-se no ncleo. Por esta razo, pode-se dizer que
praticamente toda a massa de um tomo est concentrada no seu ncleo. Os
eltrons que orbitam ao redor do ncleo do tomo esto distribudos em
camadas ou nveis energticos.
De acordo com o nmero de eltrons, a eletrosfera pode apresentar de 1 a
7 nveis energticos, denominados de nvel K, L, M, N, O, P e Q.
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A Fig.8 mostra os tomos de alguns elementos qumicos com as

respectivas distribuies de eltrons nas camadas.
-
Camada K
2+
10+
Nenio (Ne)
10 prtons
10 eltrons
Camada L
Silcio (Si)
14 prtons
14 eltrons
29+
Camada M
14+
Camada K
2 prtons
2 eltrons
Hlio (He)
Camada L
Cobre (Cu)
29 prtons
29 eltrons
Fig.8 tomos de Hlio (He), Nenio (Ne), Silcio (Si) e Cobre (Cu).
A distribuio dos eltrons nos diversos nveis obedece a condies bem
definidas. A regra mais importante referente estrutura atmica e de
importncia na compreenso dos fenmenos da eletricidade e da eletrnica, a
que diz respeito ao nvel energtico mais distante do ncleo ou camada externa.
Esta regra diz que a camada energtica mais externa de um tomo pode
acomodar no mximo 8 eltrons.
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Todas as reaes qumicas e eltricas, com exceo das reaes nucleares,

se processam na camada mais externa do tomo, denominada de camada ou
nvel de valncia, conforme ilustrado na Fig.9.
Camada de valncia
-
3+
-
Sdio (Na)
Ltio (Li)
29+
11+
Cobre (Cu)
Fig.9 Camada de valncia de alguns tomos.
A camada externa da eletrosfera onde se realizam as reaes

qumicas e eltricas se denomina de camada de valncia.
Das trs partculas subatmicas, apenas o prton e o eltron possuem

carga eltrica. Em condies normais, os tomos tendem a assumir uma
condio de neutralidade ou equilbrio eltrico, de forma que o nmero total de
prtons no ncleo igual ao nmero de eltrons na eletrosfera. Quando esta
condio ocorre, o tomo est eletricamente neutro ou equilibrado.
Um tomo est em equilbrio eltrico quando o nmero de

eltrons na eletrosfera igual ao nmero de prtons no ncleo. Os
nutrons no ncleo, sendo eletricamente neutros, no interferem no
equilbrio eltrico do tomo.
10
SENAI-PE
A Tabela 4 apresenta alguns exemplos de tomos eletricamente

equilibrados.
Tabela 4 Exemplos de tomos eletricamente equilibrados.
Elemento Smbolo Nmero de
Nmero de
Carga total do
prtons
eltrons
tomo
Hidrognio
H
1
1
+1 1 = 0
Ferro
Fe
26
26
+26 26 = 0
Cobre
Cu
29
29
+29 29 = 0
Alumnio
Al
13
13
+13 13 = 0
Atravs de foras externas de origem magntica, trmica ou qumica,
possvel retirar ou acrescentar eltrons na camada de valncia de um tomo,
fazendo com que haja um desequilbrio eltrico. Quando, por um processo
qualquer, um eltron retirado da camada de valncia, o tomo passa a estar
carregado positivamente (um eltron a menos). Este tomo, ilustrado na Fig.10,
passa a chamar-se de on positivo.
tomo adquire
carga positiva
Eltron
liberado
Fig.10 tomo com carga positiva.
on positivo um tomo com uma deficincia de um ou mais

eltrons, tornando-se eletricamente positivo.
11
SENAI-PE
Da mesma forma, quando um eltron colocado por um processo qualquer

na ltima camada de um tomo, este tomo carregado negativamente ento
chamado de on negativo. A Fig.11 mostra um tomo com carga negativa.
tomo adquire
carga negativa
Eltron
capturado
Fig.11 tomo com carga negativa.
on negativo um tomo com um excesso de um ou mais

eltrons, tornando-se eletricamente negativo.
Qualquer tomo que esteja desequilibrado eletricamente um on. A
transformao de um tomo em um on sempre causada por processos externos
ao tomo. Uma vez terminado o processo causador do desequilbrio eltrico, h
uma tendncia natural do tomo em atingir o equilbrio eltrico, cedendo ou
recuperando os eltrons necessrios a sua neutralidade eltrica.
Os tomos sempre procuram atingir a estrutura estvel

eletricamente neutra.
12
SENAI-PE
1. O que so molculas e de que so constitudas?

2. De que formado o ncleo do tomo?
3. Que nome se d regio do espao ao redor do ncleo onde os eltrons se
movimentam?
13
SENAI-PE
"
Como se sabe, necessria a existncia de uma tenso eltrica para que

seja possvel o funcionamento de qualquer equipamento eltrico (lmpadas,
televisores, motores, computadores etc.). Nas prximas sees veremos que a
tenso eltrica uma grandeza que pode ser medida, e que tem origem no
desequilbrio eltrico dos corpos.
Tenso eltrica uma grandeza que pode ser medida e que tem
origem no desequilbrio eltrico dos corpos.
# $%
No estado natural, qualquer poro de matria eletricamente neutra. Isto
significa que, se nenhum agente externo atuar sobre uma determinada poro de
matria, o nmero total de prtons e eltrons dos seus tomos ser igual. A
Fig.1 mostra alguns corpos no estado natural e portanto eletricamente neutros.
Vidro
Condutor
de cobre
Basto
de plstico
Eletricamente neutros no estado
Fig.1 Exemplos de corpos neutros.

Esta condio de equilbrio eltrico natural da matria pode ser desfeita,
de forma que um corpo deixe de ser neutro e fique carregado eletricamente. O
processo atravs do qual se faz com que um corpo eletricamente neutro fique
carregado denominado de eletrizao.
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SENAI-PE
Eletrizao um processo que permite fazer com que um corpo

neutro fique eletricamente carregado.
O tipo de carga eltrica (positiva ou negativa) que um corpo assume aps
sofrer um processo de eletrizao depende do tipo do corpo e do processo
utilizado. Os processos de eletrizao atuam sempre nos eltrons que esto na
ltima camada dos tomos (camada de valncia). Quando um processo de
eletrizao retira eltrons da camada de valncia dos tomos o material fica com
o nmero de prtons maior que o nmero de eltrons. Nestas condies, o
corpo fica eletricamente positivo, conforme ilustrado na Fig.2.
Eletrizao por atrito

com tecido de seda
Basto de vidro
(neutro)
- +- -+
- - +- -
Basto de vidro
(carregado
positivamente)
+ + ++ + +
Excesso de prtons
N de prtons=N de eltrons
Fig.2 Eletrizao por atrito produzindo um corpo carregado positivamente.
Na eletrizao por retirada de eltrons, o corpo fica carregado

positivamente.
Quando um processo de eletrizao acrescenta eltrons a um material, o
nmero de eltrons torna-se maior que o nmero de prtons. Nestas condies,
o corpo fica eletricamente negativo, como mostrado na Fig.3.
15
SENAI-PE
Eletrizao por atrito

com tecido de l
Basto de plstico
(neutro)
- +- -+
+- +
Basto de plstico
(carregado
negativamente)
- - -- - -
Excesso de eltrons
N de prtons=N de eltrons
Fig.3 Eletrizao por atrito produzindo um corpo carregado negativamente.
Na eletrizao por acrscimo de eltrons, o corpo fica

carregado negativamente.
# $%
Existem vrios processos de eletrizao, dentre os quais o mais comum
o por atrito. A eletrizao por este processo muito comum na natureza. Por
exemplo, quando se usa um pente, o atrito com os cabelos provoca uma
eletrizao do pente (retiram-se eltrons do pente ), conforme mostrado na
Fig.4.
Fig.4 Eletrizao do pente por atrito.

Aproximando-se o pente (eletrizado positivamente) de pequenos pedaos
de papel, estes so atrados momentaneamente pelo pente, comprovando a
existncia da eletrizao, conforme ilustrado na Fig.5.
16
SENAI-PE
Fig.5 Atrao de pequenos pedaos de papel por um pente eletrizado.

Outro exemplo muito comum na natureza de eletrizao por atrito ocorre
nas tempestades. As nuvens so atritadas contra o ar adquirindo com isso uma
carga eltrica muito grande. O relmpago, que um fenmeno eltrico,
comprova a existncia de grandes cargas eltricas nas nuvens.
Existem ainda outros processos de eletrizao, tais como: eletrizao por
induo, eletrizao por contato, eletrizao por impacto etc. Em qualquer
processo, contudo, o resultado so corpos carregados eletricamente. A carga
eltrica de um corpo obtida por eletrizao denomina-se eletricidade esttica.
$%
&
Quando dois corpos eletrizados so aproximados um do outro, nota-se que

existe uma reao entre eles. Atravs da realizao de experincias, verifica-se
que se um dos corpos est carregado positivamente e o outro negativamente,
existe uma tendncia de os dois corpos se atrarem mutuamente. No entanto, se
os dois corpos apresentam cargas de mesmo sinal, eles se repelem.
A partir destas observaes, concluiu-se que:
Cargas de sinais opostos se atraem.
Cargas de mesmo sinais se repelem.
A Fig.6 ilustra a interao entre dois corpos eletrizados.
17
SENAI-PE
Fig.6 Interao entre corpos eletrizados.
Tomando-se um pente que no tenha sofrido nenhum atrito, ou seja, sem

eletricidade esttica, e aproximando-o de pequenas partculas de papel, no
ocorre nenhum fenmeno de interao eltrica, conforme ilustrado na Fig.7.
Fig.7 Pente sem ter sofrido atrito e na presena de pequenos pedaos de papel.
Entretanto, se o pente for eletrizado, ao aproxim-lo das partculas de
papel estas sero atradas por ele. Isto significa que o pente carregado tem
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capacidade de realizar o trabalho de movimentar o papel, como pode ser visto na

Fig.8.
Fig.8 Efeito da atrao eletrosttica entre um pente eletrizado e pequenos

pedaos de papel.
Quando um corpo adquire capacidade de realizar um trabalho, diz-se que
este corpo tem potencial. Como no caso do pente, a capacidade de realizar o
trabalho se deve a um desequilbrio eltrico. Assim, seu potencial denominado
de potencial eltrico. Qualquer corpo eletrizado tem capacidade de realizar um
trabalho.
Todo corpo eletrizado apresenta um potencial eltrico.

A afirmao tambm vlida para corpos eletrizados negativamente. Os
corpos eletrizados positivamente tm potencial eltrico positivo e os corpos
eletrizados negativamente tm potencial eltrico negativo, conforme ilustrado
na Fig.9.
Potencial eltrico positivo
- - -- - -
+ + ++ + +
Potencial eltrico negativo
Fig.9 Corpos com potenciais eltricos positivos e negativos.
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SENAI-PE
!'
(
) * !+,
! "
" !
Atravs dos processos de eletrizao, possvel fazer com que os corpos

fiquem intensamente ou fracamente eletrizados. Um pente fortemente atritado
fica intensamente eletrizado, enquanto que se for fracamente atritado, sua
eletrizao ser fraca, conforme ilustrado nas Figs.10 e 11.
Intensa eletrizao
Fraca eletrizao
Fig.10 Pente fortemente atritado.
Fig.11 Pente fracamente atritado.
O pente intensamente atritado tem maior capacidade de realizar trabalho

porque capaz de atrair maior quantidade de partculas de papel, como
mostrado nas Figs.12 e 13.
Fig.12 Pente fortemente atritado atrai mais papel.
20
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Fig.13 Pente fracamente atritado atrai menos papel.

Como a maior capacidade de realizar trabalho significa maior potencial,
conclui-se que o pente intensamente eletrizado tem maior potencial eltrico,
como ilustra as Figs.14 e 15.
POTENCIAL ELTRICO MAIOR
POTENCIAL ELTRICO MENOR
Fig.14 Pente com maior potencial.
Fig.15 Pente com menor potencial.
O potencial eltrico de um corpo depende diretamente do desequilbrio

eltrico existente neste corpo.
Um maior desequilbrio eltrico implica num maior potencial

eltrico.
Um corpo que tenha um desequilbrio eltrico duas vezes maior que outro,
tem potencial eltrico duas vezes maior.
Quando se comparam os trabalhos realizados por dois corpos eletrizados,
automaticamente est-se comparando os seus potenciais eltricos.
A diferena entre os trabalhos expressa diretamente a diferena de
potencial eltrico entre os dois corpos.
21
SENAI-PE
A diferena de potencial, abreviada por ddp importantssima nos

estudos relacionados com eletricidade e eletrnica. A palavra diferena implica
sempre em comparao de um valor com outro. Assim, pode-se verificar a
existncia de diferena de potencial entre corpos eletrizados com cargas
diferentes ou com o mesmo tipo de carga, conforme ilustrado na Fig.16.
Fig.16 Diferena de potencial entre corpos eletrizados.

A diferena de potencial tambm denominada de tenso eltrica.
No campo da eletrnica e da eletricidade, utiliza-se quase

exclusivamente a expresso tenso ou tenso eltrica para indicar a
ddp.
%
A tenso entre dois pontos pode ser medida atravs de instrumentos. A
unidade de medida de tenso o Volt e o smbolo desta grandeza eltrica V.
O Volt a unidade de medida de tenso.
22
SENAI-PE
Em algumas situaes, a unidade de medida padro se torna

inconveniente. Por exemplo, o metro, que uma unidade de medida de
comprimento, no adequada para expressar o comprimento de um pequeno
objeto, como por exemplo, o dimentro de um boto, utilizando-se por isso
submltiplos do metro, como o centmetro (0,01m) ou milmetro (0,001m). A
unidade de medida de tenso (Volt) tambm tem mltiplos e submltiplos
adequados a cada situao. A Tabela 1 mostra alguns deles.
Tabela 1 Mltiplos e submltiplos do Volt.
Denominao
Smbolo
Valor com relao ao Volt
Mltiplos
Megavolt
MV
106 V ou 1.000.000V
Quilovolt
KV
103 V ou 1.000V
Unidade
Volt
V
-3
Submltiplos
Milivolt
MV
10 V ou 0,001V
Microvolt
10-6 V ou 0,000001V
V
No campo da eletricidade, usam-se normalmente o volt e o

quilovolt. Na rea da eletrnica, contudo, usa-se normalmente o
volt, o milivolt e o microvolt.
A converso de valores feita de forma semelhante de outras unidades
de medida.
Quilovolt
kV
Volt
Milivolt
mV
Posio da vrgula
23
Microvolt
V
SENAI-PE
Apresentam-se a seguir alguns exemplos de converso.

1) 3,75V o mesmo que 3750 mV. Veja porque:
kV
kV
V
3
V
3
mV
mV
0
mV
mV
0
mV
0
mV
0
mV
5
mV
5
V
0
5
5
2) 0,05V o mesmo que 50mV. Veja porque:
kV
kV
V
0
V
0
3) 200mV o mesmo que 0,2V. Veja porque:
kV
V
2
kV
V
0
4) 15mV o mesmo que 15000V. Veja porque:
kV
kV
V
V
24
SENAI-PE
&
A existncia de tenso condio fundamental para o funcionamento de

todos os aparelhos eltricos. A partir desta necessidade, foram desenvolvidos
dispositivos que tm a capacidade de criar um desequilbrio eltrico entre dois
pontos dando origem a uma tenso eltrica. Estes dispositivos so denominados
genericamente de fontes geradoras de tenso.
Existem vrios tipos de fontes geradoras de tenso. As Figs.17, 18 e 19
mostram algumas delas.
Fig.17 Pilhas.
Fig.18 Baterias.
Fig.19 Geradores.
/
As pilhas so fontes geradoras de tenso usadas, por exemplo, em
diversos aparelhos portteis. Elas so constitudas basicamente por dois tipos de
metais mergulhados em um preparado qumico, conforme ilustrado na Fig.20.
Fig.20 Constituio bsica de uma pilha.
25
SENAI-PE
Este preparado qumico reage com os metais retirando eltrons de um e

levando para o outro. Um dos metais fica com potencial eltrico positivo e o
outro fica com potencial eltrico negativo. A Fig.21 ilustra a eletrizao dos
metais.
Fig.21 Processo de eletrizao dos metais.

Entre os dois metais existe, portanto, uma ddp ou tenso eltrica,
conforme mostrado na Fig.22.
Fig.22 Diferena de potencial entre os dois metais de uma pilha.
26
SENAI-PE
Pela prpria caracterstica de funcionamento das pilhas, um dos metais

torna-se positivo e o outro negativo. Cada um dos metais denominado de plo.
As pilhas dispem de um plo positivo e um plo negativo. A Fig.23 mostra o
aspecto real de duas pilhas (pilha pequena e pilha de telefone), indicando os seus
plos.
Fig.23 Exemplos de pilhas com a indicao de seus plos.

Os plos de uma pilha nunca se alteram. O plo positivo sempre tem
potencial positivo e o plo negativo sempre tem potencial negativo.
Normalmente se diz que as polaridades de uma pilha so fixas.
Devido ao fato de as pilhas terem polaridade invarivel, a tenso
fornecida denominada de tenso contnua, tenso CC (corrente contnua)
ou ainda tenso DC (do ingls direct current).
Tenso contnua a tenso eltrica entre dois pontos cuja

polaridade invarivel.
Todas as fontes geradoras de tenso que tm polaridade fixa so
denominadas de fontes geradoras de tenso contnua.
Fontes geradoras de tenso contnua tm polaridade fixa.
27
SENAI-PE
1. O que se entende por tenso eltrica e qual a sua unidade ?

2. O que se entende por eletrizao ?
3. O que uma tenso contnua ?
28
SENAI-PE
('
A medio de tenso CC consiste na utilizao correta de um instrumento

com o objetivo de determinar a tenso presente entre dois pontos. A medio
pode ser usada para determinar a tenso fornecida por uma fonte geradora de
tenso CC, conforme ilustrado na Fig.1.
Fig.1 Medio de uma tenso CC.
Existem dois tipos de instrumentos atravs dos quais se pode medir tenso
CC: o voltmetro (ilustrado na Fig.2) e o multmetro (ilustrado na Fig.3).
29
SENAI-PE
Fig.2 O voltmetro.
Fig.3 O multmetro.
Os voltmetros e milivoltmetros so instrumentos prprios para a

medio de tenso. Estes instrumentos apresentam a letra V ou mV na sua
escala frontal, como mostrado na Fig.4.
Indicao
de voltmetro
Fig.4 Vista frontal de um voltmetro.

Existem voltmetros e milivoltmetros destinados especificamente para
medio de tenses contnuas. O smbolo em destaque na Fig.5, utilizado para
indicar que o voltmetro de bobina mvel utilizado para medir tenses CC.
30
SENAI-PE
Fig.5 Voltmetro para a medio de tenso CC.

Os voltmetros e milivoltmetros para tenses contnuas tm dois bornes
na parte posterior que se destinam a receber a tenso cujo valor ser indicado na
escala, conforme ilustrado na Fig.6.
Bornes
de conexo
Fig.6 Vista posterior de um voltmetro.

Os bornes so identificados com os sinais + e porque os voltmetros de
CC tm polaridade estabelecida para ligao.
31
SENAI-PE
Os voltmetros e milivoltmetros para tenses contnuas tm

polaridade de ligao especificada.
Para realizar a medio, utiliza-se normalmente conectar dois condutores
chamados de pontas de prova aos bornes do instrumento, conforme ilustrado na
Fig.7.
Fig.7 Conexo de duas pontas de prova nos bornes do voltmetro.

Quando se usam pontas de prova (com as cores preta e vermelha), devese utilizar a ponta de prova vermelha no borne positivo (+) do instrumento.
Na posio DCV 60, a leitura feita na escala de 0 a 6 e o valor lido

multiplicado por 10, conforme ilustrado na Fig.31.
32
SENAI-PE
Fig.31 Leitura de uma tenso de 35V com a chave seletora posicionada na

posio DC V 60 e leitura na escala de 0 a 6V.
Na posio DCV 600, a leitura feita na escala de 0 a 6 e o valor lido
multiplicado por 100, conforme ilustrado na Fig.32.
33
SENAI-PE
Fig.32 Leitura de uma tenso de 550V com a chave seletora posicionada na

posio DCV 600 e leitura na escala de 0 a 6V.
Inicialmente, a interpretao de valores de tenso a partir do multmetro
pode parecer difcil. Entretanto, com o uso constante deste instrumento, o
procedimento de leitura ser automaticamente exercitado e se tornar fcil.
34
SENAI-PE
O multmetro um instrumento utilizado no dia a dia de quem lida com

eletrnica e eletricidade. A utilizao de alguns procedimentos relativos
segurana, conservao e manejo contribuem para a manuteno do
equipamento em boas condies de uso durante muito tempo.
Estes procedimentos esto listados a seguir:
PROCEDIMENTOS DE SEGURANA
Mantenha o multmetro sempre longe das extremidades da bancada.

O multmetro no deve ser empilhado sobre qualquer objeto ou equipamento.
Sempre que o instrumento no estiver em uso, posicione a chave seletora de
escala para a posio desligado (OFF). Caso isto no seja possvel, posicione
a chave seletora para a posio ACV na maior escala.
PROCEDIMENTOS DE CONSERVAO
Faa a limpeza do instrumento apenas com pano limpo e seco.

PROCEDIMENTOS DE MANUSEIO
A chave seletora deve ser posicionada adequadamente para cada tipo de

medio.
As pontas de prova devem ser introduzidas nos bornes apropriados.
A polaridade deve estar sempre sendo observada nas medies de tenso CC.
A tenso a ser medida no deve exceder o valor determinado pela chave
seletora do instrumento.
35
SENAI-PE
"
A corrente eltrica consiste em um movimento orientado de cargas,

provocado pelo desequilbrio eltrico (ddp) existente entre dois pontos, como
mostrado na Fig.1.
Fig.1 Origem da corrente eltrica.

A corrente eltrica a forma pela qual os corpos eletrizados procuram
restabelecer novamente o equilbrio eltrico.
&
As descargas eltricas so fenmenos comuns na natureza. Os relmpagos
so exemplos caractersticos de descargas eltricas.
O atrito contra o ar faz com que as nuvens fiquem altamente eletrizadas,
adquirindo um potencial elevado (tenso muito alta). Quando duas nuvens com
potenciais eltricos diferentes se aproximam uma da outra, ocorre uma descarga
eltrica (relmpago) entre elas, como ilustrado na Fig.2.
Fig.2 Descarga eltrica entre duas nuvens com potenciais diferentes.

Esta descarga nada mais do que uma transferncia orientada de cargas
eltricas de uma nuvem para a outra.
36
SENAI-PE
A descarga eltrica o movimento de cargas eltricas orientado

entre dois pontos onde exista ddp.
Durante a descarga, um grande nmero de cargas eltricas transferido
numa nica direo para diminuir o desequilbrio eltrico entre dois pontos,
conforme mostrado na Fig.3.
Fig.3 Movimento de cargas eltricas entre nuvens de diferentes potenciais.

Os eltrons que esto em excesso em uma nuvem se deslocam para a
nuvem que tem falta de eltrons.
O deslocamento de cargas eltricas entre dois pontos onde existe uma ddp
denominado de corrente eltrica.
Corrente eltrica o deslocamento orientado de cargas

eltricas entre dois pontos quando existe uma ddp entre estes pontos.
A partir da definio de corrente eltrica, pode-se concluir que o
relmpago uma corrente eltrica que ocorre devido tenso eltrica existente
entre as nuvens.
Durante o curto tempo de durao de um relmpago, um grande nmero
de cargas eltricas flui de uma nuvem para outra. Dependendo da grandeza do
desequilbrio eltrico entre as duas nuvens, a descarga (corrente eltrica) entre
elas pode ter maior ou menor intensidade.
37
SENAI-PE
A corrente uma grandeza eltrica e sua intensidade pode ser medida com
um instrumento.
A unidade de medida da intensidade da corrente eltrica o ampre e
representada pelo smbolo A.
Ampre a unidade de medida da intensidade de corrente

eltrica.
Uma intensidade de corrente de 1A significa que 6,25 x 1018 cargas
eltricas passam em 1 segundo por um determinado ponto.
A unidade de intensidade de corrente tambm tem mltiplos e
submltiplos conforme apresentado na Tabela 1.
Tabela 1 Mltiplos e submltiplos do ampre.
Denominao
Smbolo
Relao com a unidade
Quiloampre
kA
103A ou 1.000A
Ampre
A
-3
Miliampre
mA
10 A ou 0,001A
Microampre
10-6A ou 0,000001A
A
Nanoampre
nA
10-9A ou 0,000000001A
Picoampre
PA
10-12A ou 0,000000000001A
No campo da eletrnica so mais utilizados o ampre, miliampre

e o microampre.
A converso de valores feita de forma semelhante de outras unidades
de medida.
quiloampre ampre
kA
miliampre
microampre nanoampre
A
mA
nA
A
Posio da vrgula
38
SENAI-PE
1 "
"
Resistncia eltrica uma propriedade dos materiais que reflete o grau de

oposio ao fluxo de corrente eltrica.
Resistncia eltrica a oposio que um material apresenta

passagem da corrente eltrica.
Todos os dispositivos eltricos e eletrnicos apresentam uma certa
oposio passagem da corrente eltrica.
&
A resistncia que os materiais apresentam passagem da corrente eltrica

tem origem na sua estrutura atmica.
Para que a aplicao de uma ddp a um material origine uma corrente
eltrica, necessrio que a estrutura deste material propicie a existncia de
cargas eltricas livres para movimentao.
Quando um material propicia a existncia de um grande nmero de cargas
livres, a corrente eltrica flui com facilidade atravs do material, conforme
ilustrado na Fig.4. Neste caso, a resistncia eltrica destes materiais pequena.
+
Fig.4 Movimento de cargas livres em um material de baixa resistncia eltrica.
Por outro lado, nos materiais que propiciam a existncia de um pequeno
nmero de cargas livres, a corrente eltrica flui com dificuldade, como mostrado
na Fig.5. A resistncia eltrica destes materiais grande.
39
SENAI-PE
+
Fig.5 Movimento de cargas livres em um material de elevada resistncia
eltrica.
A resistncia eltrica de um material depende da facilidade ou

dificuldade com que este material libera cargas para a circulao.
2
A unidade de medida da resistncia eltrica o Ohm e representada pelo
smbolo .
Ohm a unidade de medida da resistncia eltrica.

A unidade de medida da resistncia eltrica tem mltiplos e submltiplos.
Entretanto, na prtica, usam-se quase exclusivamente os mltiplos, que esto
apresentados na Tabela 2.
Denominao
Megohm
Quilohm
Ohm
Tabela 2 Mltiplos do ohm.

Smbolo
Relao com a unidade
M
106 ou 1.000.000
k
103 ou 1.000
40
SENAI-PE
A converso de valores obedece ao mesmo procedimento de outras

unidades.
Megohm
M
Quilohm
k
Ohm
Posio da vrgula
Exemplos de converso:
1) 120 o mesmo que 0,12k
2) 5,6k o mesmo que 5.600
3) 2,7M o mesmo que 2.700k
4) 390k o mesmo que 0,39M

5) 470 o mesmo que 0,00047M
6) 680k o mesmo que 0,68M
$%
O instrumento destinado medio de resistncia eltrica denominado

de ohmmetro.
Raramente se encontra um instrumento que seja unicamente ohmmetro.
Em geral, as medies de resistncia eltrica so realizadas atravs de um
multmetro.
$3
O efeito causado pela resistncia eltrica, que pode parecer inconveniente,

encontra muitas aplicaes prticas em eletricidade e eletrnica. Alguns
exemplos prticos de aplicao da elevada resistncia de alguns materiais so:
Aquecimento: em chuveiros e ferros de passar.
Iluminao: lmpadas incandescentes.
$%
A resistncia eltrica medida atravs de um ohmmetro. Os multmetros,

alm de possibilitarem a medio de tenso, incorporam ainda um ohmmetro
para medio de resistncia eltrica, conforme ilustrado na Fig.6.
41
SENAI-PE
Fig.6 Exemplo de medio de resistncia eltrica com um multmetro.
$%
Os multmetros tm uma escala no painel e algumas posies da chave

seletora destinadas medio de resistncia eltrica. A Fig.7 mostra um
multmetro, destacando a escala e as posies da chave seletora destinadas
medio de resistncia.
$%
2
A medio de resistncia eltrica com o multmetro requer uma seqncia
de procedimentos para que o valor obtido seja confivel e o instrumento no seja
danificado. Esta seqncia :
Desconectar a resistncia que ser medida de qualquer fonte de energia
eltrica (pilhas, bateria ou tomada eltrica).
Selecionar a escala ou fator multiplicativo.
Ajustar o zero do instrumento.
Conectar o instrumento resistncia.
Interpretar a medida.
42
SENAI-PE
A seguir, sero discutidos individualmente cada um dos procedimentos.
DESCONEXO DE RESISTNCIA
Devido s caractersticas internas, os ohmmetros no podem ser

utilizados para medir resistncias que estejam em funcionamento. Se a medio
feita em uma resistncia que est em funcionamento o ohmmetro pode ser
danificado.
O ohmmetro deve ser usado apenas para medir resistncias

que no estejam energizadas.
Para medir, por exemplo, a resistncia de um ferro de passar roupas, devese desconect-lo da tomada eltrica.
43
SENAI-PE
1. O que corrente eltrica e qual a unidade desta grandeza ?

2. O que se entende por corrente contnua ?
3. O que resistncia eltrica e qual a sua unidade ?
44
SENAI-PE
"
(*
!
Os materiais so denominados de condutores quando permitem a
passagem da corrente eltrica e de isolantes quando no permitem a passagem
da corrente eltrica, conforme ilustrado na Fig.1.
Condutor
Isolante
Fig.1 Efeitos da ddp em condutores e isolantes.

Os materiais condutores e isolantes so empregados em todos os
dispositivos e equipamentos eltricos e eletrnicos.
Os materiais condutores se caracterizam por permitir a existncia de

corrente eltrica toda vez que se aplica uma ddp entre seus extremos, conforme
ilustrado na Fig.2.
45
SENAI-PE
Fig.2 ddp fornecido pela bateria.

Existem materiais slidos, lquidos e gasosos que so condutores eltricos.
Entretanto, na rea da eletricidade e eletrnica, os materiais slidos so os mais
importantes. Nos materiais slidos, as cargas eltricas que se movimentam so
os eltrons, como pode ser visto na Fig.3.
Fig.3 Movimento dos eletrons com e sem ddp.

Os eltrons que se movimentam no interior dos materiais slidos,
formando a corrente eltrica, so denominados de eltrons livres. Para que um
material slido seja condutor de eletricidade, necessrio que este material
possua um grande nmero de eltrons livres.
Os condutores possuem um grande nmero de eltrons livres.
46
SENAI-PE
Quanto mais eltrons livres existirem em um material, melhor condutor de

corrente eltrica ele ser.
Os metais so os materiais que melhor conduzem a corrente eltrica
porque os tomos da sua estrutura possuem um pequeno nmero de eltrons na
camada externa (at 3 eltrons).
Esses eltrons se desprendem facilmente porque esto fracamente ligados
ao nmero de tomos, tornando-se eltrons livres, conforme ilustrado na Fig.4.
Fig.4 Fuga de um eletron.

Os tomos de cobre, que formam a estrutura atmica do metal cobre,
tm 29 eltrons, dos quais apenas 1 est na ltima camada. Este eltron se
desprende do ncleo, vagando livre no interior do material.
A mobilidade dos eltrons da ltima camada energtica do cobre tal que
a sua estrutura qumica se compe de um grande nmero de ncleos fixos
rodeados por eltrons livres que se movimentam intensamente de um ncleo
para outro, conforme mostrado na Fig.5.
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Cu
Fig.5 Estrutura do cobre.
47
Cu
SENAI-PE
A grande liberdade de movimentao dos eltrons no interior da estrutura

qumica do cobre d a este material a caracterstica de boa condutividade
eltrica.
Os materiais condutores podem ser classificados segundo a resistncia que
apresentam. Os melhores condutores (chamados de bons condutores) so os que
apresentam menor resistncia eltrica.
Bons condutores so materiais que tm baixa resistncia

eltrica.
A Tabela 1 mostra a classificao de alguns materiais condutores, a partir
da prata, em ordem decrescente de condutividade eltrica.
Tabela 1 Classificao de alguns materiais condutores em ordem decrescente de
condutividade eltrica
Prata
Cobre
Alumnio
Constantan
Nquel-cromo
Eliminando a prata, que um metal precioso, o cobre o melhor condutor
eltrico sendo muito utilizado para a fabricao de condutores para instalaes
eltricas.
Os materiais classificados de isolantes so os que apresentam grande

oposio circulao de corrente eltrica no interior da sua estrutura.
A grande oposio circulao de corrente nos materiais isolantes se deve
ao fato de que a sua estrutura atmica no propicia a existncia de eltrons
livres.
Nos materiais isolantes, os eltrons dos tomos que compem a estrutura
qumica so fortemente ligados aos seus ncleos, dificilmente sendo liberados
para a circulao.
Os materiais isolantes tm poucos eltrons livres.
48
SENAI-PE
"*
"
Circuito eltrico um caminho fechado por onde pode circular a corrente

eltrica, como mostrado na Fig.9.
Fig.9 Exemplo de circuito eltrico.

Os circuitos eltricos podem assumir as mais diversas formas, com o
objetivo de produzir os efeitos desejados, tais como: luz, som, calor e
movimento.
O circuito eltrico mais simples que se pode realizar constitudo de

trs componentes:
Fonte geradora.
Carga.
Condutores.
FONTE GERADORA
Todo circuito eltrico necessita de uma fonte geradora que fornea um
valor de tenso necessrio para a existncia de corrente eltrica.
49
SENAI-PE
CARGA
A carga (tambm denominada de consumidor ou receptor de energia
eltrica) o componente do circuito eltrico que transforma a energia eltrica
fornecida pela fonte geradora em outro tipo de energia (mecnica, luminosa,
trmica etc).
As cargas so objetivo fim de um circuito. Os circuitos eltricos so
constitudos visando o funcionamento da carga. So exemplos de carga :
Lmpada: transforma energia eltrica em luminosa (e trmica, pois tambm
produz calor).
Motor: transforma energia eltrica em mecnica (movimento de um eixo).
Rdio: transforma energia eltrica em sonora.
Um circuito eltrico pode ter um ou mais consumidores.
CONDUTORES
Constituem o elo de ligao entre a fonte geradora e a carga. So
utilizados como meio de transporte para a corrente eltrica.
Uma lmpada, ligada atravs de condutores a uma pilha, um exemplo
caracterstico de circuito eltrico simples, formado por trs componentes,
conforme ilustrado na Fig.10.
Fig.10 Circuito eltrico simples.
50
SENAI-PE
A lmpada tem no seu interior uma resistncia, chamada de filamento, que

se torna incandescente quando percorrida por uma corrente eltrica, gerando luz.
A Fig.11 mostra uma lmpada incandescente, com as partes indicadas. O
filamento recebe a tenso atravs dos terminais de ligao.
Fig.11 Elementos de uma lmpada.

Quando a lmpada conectada pilha por meio dos condutores, forma-se
um circuito eltrico. Os eltrons em excesso no plo negativo da pilha se
movimentam atravs do condutor e do filamento da lmpada em direo ao plo
positivo da pilha, como pode ser visto na Fig.12.
A Fig.12 ilustra o movimento dos eltrons livres saindo do plo negativo,
passando pela lmpada e dirigindo-se ao plo positivo.
Fig.12 Movimento de eltrons em um circuito simples.
51
SENAI-PE
Enquanto a pilha tiver condies de manter um excesso de eltrons no

plo negativo e uma falta de eltrons no plo positivo, haver corrente eltrica
no circuito e a lmpada se manter acesa.
Consumidor
Bateria (9V)
Chave
Fig.21 Representao de uma chave na condio "ligado".
Antes que se compreendesse de forma mais cientfica a natureza do fluxo

de eltrons, j se utilizava a eletricidade para a iluminao, motores e outras
aplicaes. Naquela poca, estabeleceu-se por conveno, que a corrente eltrica
se constitua de um movimento de cargas eltricas que flua do plo positivo
para o plo negativo da fonte geradora. Este sentido de circulao do mais (+)
para o menos (-) foi denominado de sentido convencional da corrente.
No sentido convencional da corrente, as cargas eltricas se

movimentam do plo positivo para o plo negativo.
Com o aprofundamento e melhoramento dos recursos cientficos,
verificou-se, mais tarde, que nos condutores slidos a corrente eltrica se
constitua de eltrons em movimento do plo negativo para o plo positivo. Este
sentido de circulao foi denominado de sentido eletrnico da corrente.
52
SENAI-PE
No sentido eletrnico da corrente, as cargas eltricas se

movimentam do plo negativo para o positivo.
O sentido que se adota como referncia para o estudo dos fenmenos
eltricos (eletrnico ou convencional) no interfere nos resultados que se obtm,
razo pela qual ainda hoje se encontram defensores para cada um dos sentidos.
Tendo em vista que toda simbologia de componentes eletrnicos foi
desenvolvida a partir do sentido convencional da corrente eltrica (do mais para
o menos), as informaes relativas Eletrnica destes fascculos utilizaro este
sentido como referncia.
O sentido da corrente utilizado neste material instrucional ser

o convencional: do positivo para o negativo.
53
SENAI-PE
1. O que so materiais condutores ?

2. O que so materiais isolantes ?
3. O que se entende por ruptura dieltrica ?
4. Explique o sentido convencional da corrente.
54
SENAI-PE
Os resistores so componentes utilizados nos circuitos com a finalidade

de limitar a corrente eltrica. A Fig.1 mostra alguns resistores.
Fig.1 Resistores.
Pelo controle da corrente possvel reduzir ou dividir tenses.
Os resistores possuem caractersticas eltricas importantes. So elas:

Resistncia hmica.
Percentual de tolerncia.
RESISTNCIA HMICA
o valor especfico de resistncia do componente. Os resistores so

fabricados em valores padronizados, estabelecidos por norma. Por exemplo:
120, 560, 1500.
55
SENAI-PE
PERCENTUAL DE TOLERNCIA
Os resistores esto sujeitos a diferenas no seu valor que decorrem do

processo de fabricao. Essas diferenas se situam em 5 faixas de percentual:
21% de tolerncia
20% de tolerncia
10% de tolerncia
5% de tolerncia
2% de tolerncia
1% de tolerncia
0,5% de tolerncia
0,25% de tolerncia
0,1% de tolerncia
Os resistores com 20%, 10% e 5% de tolerncia so considerados
resistores comuns e os de 2% e 1% so resistores de preciso. Os resistores de
preciso so usados apenas em circuitos onde os valores de resistncia so
crticos. O percentual de tolerncia indica qual a variao de valor que o
componente pode apresentar em relao ao valor padronizado. A diferena no
valor pode ser para mais ou para menos do valor correto.
A Tabela 1 apresenta alguns valores de resistores com o percentual de
tolerncia e os limites entre os quais deve situar-se o valor real do componente.
Valor nominal
1.000
560
120
Tabela 1 Valor real de alguns resistores.

Tolerncia (%)
Valor real
10%
-10%
Min.
1.000 x 0,9 = 900
+10% Max.
1.000 x 1,1 = 1.100
5%
-5%
Min.
560 x 0,95 = 532
+5%
Max.
560 x 1,05 = 588
1%
-1%
Min.
120 x 0,99 = 118,8
+1%
Max.
120 x 1,01 = 121,2
A Tabela 2 apresenta a padronizao de valores para fabricao de

resistores em tolerncia de 5%.
Tabela 2 Srie de valores E-24.
10
33
11
36
12
39
13
43
15
47
16
51
18
56
56
20
62
22
68
24
75
27
82
30
91
SENAI-PE
Encontram-se ainda resistores com os valores da Tabela 2 multiplicados

por 0,1 (por exemplo 1,1), 10 (por exemplo 180), 100 (por exemplo
2.700), 1.000 (por exemplo 36k), 10.000 (por exemplo 560k) e 100.000
(por exemplo 9,1M). Deste modo, os valores padronizados acrescidos das
tolerncias permitem que se obtenha qualquer valor de resistncia desejada.
A Tabela 3 mostra, por exemplo, os valores de resistores que podem ser
encontrados quando se tomam apenas 3 valores consecutivos e alternados da
Tabela 2 (10, 12 e 15):
Tabela 3 Valores possveis de resistores no padronizados.
Valor nominal Tolerncia Valores possveis
10%
100
90 a 110
10%
120
108 a 132
10%
150
135 a 165
&
A Fig.2 mostra os smbolos utilizados para representao dos resistores,
sendo um deles o smbolo oficial que deve ser utilizado no Brasil, segundo a
norma ABNT.
ABNT
Fig.2 Smbolos utilizados para representar um resistor.
Nos diagramas, o valor do resistor aparece ao lado do smbolo ou no seu
interior, como mostrado na Fig.3.
180
Fig.3 Indicao do valor do resistor.
57
SENAI-PE
Existem trs tipos de resistores quanto constituio:

Resistores de filme de carbono.
Resistores de carvo (no so mais fabricados).
Resistores de fio.
Cada um dos tipos tem, de acordo com sua constituio, caractersticas
que o tornam mais adequados que os outros tipos em sua classe de aplicao. A
seguir, so apresentados os processos bsicos de fabricao e a aplicao do
componente.
RESISTOR DE FILME DE CARBONO (BAIXA POTNCIA)
O resistor de filme de carbono, tambm conhecido como resistor de

pelcula, constitudo por um corpo cilndrico de cermica que serve de base
para a fabricao do componente, conforme ilustrado na Fig.4.
Fig.4 Cilindro de cermica usado na confeco de resistores de pelcula.

Sobre o corpo depositada uma fina camada em espiral de material
resistivo (filme de carbono) que determina o valor hmico do resistor, como
mostrado na Fig.5.
Fig.5 Filme de carbono em espiral.

Os terminais (lides de conexo) so colocados nas extremidades do corpo
em contato com a camada de carbono.
58
SENAI-PE
Os terminais possibilitam a ligao do elemento ao circuito, conforme

ilustrado na Fig.6.
Fig.6 Fixao dos terminais do resistor.

O corpo do resistor pronto recebe um revestimento que d acabamento na
fabricao e isola o filme de carbono da ao da umidade.
A Fig.7 mostra um resistor pronto, em corte, aparecendo a conexo dos
terminais e o filme resistivo.
Fig.7 Representao de um resistor em corte.

As caractersticas fundamentais do resistor de filme de carbono so a
preciso e a estabilidade do valor resistivo.
RESISTORES DE CARVO (MDIA POTNCIA)
O resistor de carvo constitudo por um corpo cilndrico de porcelana.

No interior da porcelana so comprimidas partculas de carvo que definem a
resistncia do componente, como mostrado na Fig.8.
Fig.8 Resistor de carvo.
59
SENAI-PE
Com maior concentrao de partculas de carvo, o valor resistivo do

componente reduzido. Apresentam tamanho fsico reduzido e os valores de
dissipao e resistncia no so precisos. Podem ser usados em qualquer tipo de
circuito.
RESISTORES DE FIO (MDIA - ALTA POTNCIA)
Constitui-se de um corpo de porcelana ou cermica que serve como base.

Sobre o corpo enrolado um fio especial (por exemplo, nquel-cromo) cujo
comprimento e seo determinam o valor do resistor.
A Fig.9 apresenta um resistor de fio em corte. Nela aparecem os
terminais, o fio enrolado e a camada externa de proteo do resistor.
Fig.9 Resistor de fio.

O resistor de fio tem capacidade para trabalhar com maior valor de
corrente. Este tipo de resistor produz normalmente uma grande quantidade de
calor quando em funcionamento.
Para facilitar o resfriamento dos resistores que dissipam grandes
quantidades de calor, o corpo de porcelana macio substitudo por um tubo de
porcelana, como pode ser visto na Fig.10.
22
22
15W
50W
Fig.10 Resistores que dissipam muito calor.
Resistores que dissipam grande quantidade de calor so

construdos sobre um tubo oco de porcelana para facilitar o
resfriamento.
60
SENAI-PE
4( 5 ( "
O valor hmico dos resistores e sua tolerncia so impressos no corpo do

componente atravs de anis coloridos, conforme ilustrado na Fig.11.
Fig.11 Anis coloridos que indicam o valor hmico do resistor.

A disposio das cores em forma de anis possibilita que o valor do
componente possa ser lido de qualquer posio.
$%
&
O cdigo se compe de trs cores usadas para representar o valor hmico,

e uma para representar o percentual de tolerncia. Para a interpretao correta
dos valores de resistncia e tolerncia do resistor, os anis tm que ser lidos em
uma seqncia correta.
O primeiro anel colorido a ser lido aquele que est mais prximo da
extremidade do componente. Seguem na ordem o 2.o, o 3.o e o 4.o anis
coloridos, conforme mostrado na Fig.12.
1. 2 . 3 .
4.
Fig.12 Posio e significado dos anis coloridos.

Os trs primeiros anis coloridos (1.o, 2.o e 3.o) representam o valor do
resistor. O 4.o anel representa o percentual de tolerncia.
61
SENAI-PE
O primeiro anel colorido representa o primeiro nmero que formar o

valor do resistor, como ilustrado na Fig.13.
Fig.13 Primeiro anel indicando o primeiro algarismo do valor do resistor.

A cada nmero corresponde uma cor, como mostra a Tabela 4.
Preto
0
Marrom
1
Tabela 4 Cdigo de cores para resistores.
Vermelho
2
Laranja
3
Amarelo
4
Verde
5
Azul
6
Violeta
7
Cinza
8
Branco
9
O segundo anel colorido representa o segundo nmero que forma o valor

do resistor, como pode ser visto na Fig.14.
Fig.14 Segundo anel indicando o segundo algarismo do valor do resistor.

Para o segundo anel, as cores tm o mesmo significado do primeiro anel.
O terceiro anel representa o nmero de zeros que segue aos dois primeiros
algarismos, sendo chamado de fator multiplicativo. A Fig.15 mostra trs
exemplos.
!
68
680
3.300
"
!
560.000
Fig.15 Terceiro anel indicando o fator multiplicador.

A cada nmero de zeros corresponde uma cor, como mostra a Tabela 5.
62
SENAI-PE
Preto
Nenhum zero
Tabela 5 Cdigo de cores dos multiplicadores.
Marrom
1 zero
Vermelho
2 zeros
Laranja
3 zeros
Amarelo
4 zeros
Verde
5 zeros
Azul
6 zeros
As cores violeta, cinza e branco no so encontradas no 3.o anel

por que os resistores padronizados no alcanam valores que
necessitem de 7, 8 ou 9 zeros.
Os resistores usados como exemplo esto representados na Fig.16.
Fig.16 Resistores de 680, 3.300 e 560.000 com cdigo de cores.

O quarto anel colorido representa a tolerncia do resistor. A cada
percentual corresponde uma cor caracterstica, como pode ser visto na
Tabela 6.
Tabela 6 Cdigo de cores relativo a tolerncia.
Prateado
10%
Dourado
5%
Vermelho
2%
Marrom
1%
Verde
0,5%
Azul
Violeta
0,25% 0,1%
A ausncia do quarto anel indica a tolerncia de 20%.

Acrescendo-se uma tolerncia de 10% aos valores dos resistores usados,
temos como exemplo :
680
10%
Azul (6), cinza (8), marrom (1), prateado ( 10%)
3.300 10%
Laranja (3), laranja (3), vermelho (2), prateado ( 10%)
560.000 10% Verde (5), azul (6), amarelo (4), prateado ( 10%)
63
SENAI-PE
78
Para representar resistores maiores ou igual a 1 e menor que 10, o

cdigo de cores estabelece o uso da cor dourado no 3 anel. O dourado neste
anel indica a existncia da vrgula entre os dois primeiros nmeros.
Seguem alguns exemplos:
1,8 5%
4,7 10%
8,2 20%
Marrom (1), cinza (8), dourado, dourado ( 5%)

Amarelo (4), violeta (7), dourado, prateado (10%)
Cinza (8), vermelho (2), dourado, sem cor (20%)
Para representar resistores abaixo de 1, o cdigo de cores determina o

uso do prateado no 3 anel. O prateado neste anel significa a existncia de 0
antes dos dois primeiros nmeros.
Seguem alguns exemplos:
0,39 20%
0,15 10%
Laranja (3), branco (9), prateado, sem cor (20%)

Marrom (1), verde (5), prateado, prateado (10%)
A Tabela 7 a seguir apresenta o cdigo de cores completo.
64
SENAI-PE
Tabela 7 Cdigo de cores completo para resistores.

Cor
Dgitos significativos
Multiplicador
Tolerncia
Preto
0
1
Marrom
1
10
Vermelho
2
100
Laranja
3
1.000
Amarelo
4
10.000
Verde
5
100.000
Azul
6
1.000.000
Violeta
7
10.000.000
Cinza
8
Branco
9
Ouro
0,1
5%
Prata
0,01
10%
Sem cor
20%
:
Em algumas aplicaes so necessrios resistores com valores mais
precisos que se situam entre os valores padronizados.
Estes resistores tem o seu valor impresso no corpo atravs de cinco anis
coloridos, conforme ilustrado na Fig.17.
&'(
( )%
$%
, %
Fig.17 Resistor com cinco anis.

Nestes resistores, os trs primeiros anis so dgitos significativos, o
quarto anel representa o nmero de zeros (fator multiplicativo) e o quinto anel
a tolerncia. A Tabela 8 mostra o cdigo de cores para estes tipos de resitores.
65
SENAI-PE
Cor
Preto
Marrom
Vermelho
Laranja
Amarelo
Verde
Azul
Violeta
Cinza
Branco
Ouro
Prata
Tabela 8 Cdigo de cores para resistores de cinco anis.

Dgitos significativos
Multiplicador
Tolerncia
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
10
100
1.000
10.000
100.000
1.000.000
0,1
0,01
66
1%
2%
SENAI-PE
1. Quais as faixas percentuais de tolerncia dos resistores ?

2. Quais os tipos principais de resistores ?
3. Como deve ser interpretado o cdigo de cores dos resistores ?
67
SENAI-PE
" '
A associao de resistores uma reunio de dois ou mais resistores em

um circuito eltrico, como pode ser visto no exemplo da Fig.1.
R1
R2
R3
Fig.1 Exemplo da associao de trs resistores.

As associaes de resistores so utilizadas na maioria dos circuitos
eltricos e eletrnicos.
$3
Os resistores podem ser associados originando circuitos das mais diversas
formas. A Fig.2 mostra alguns tipos de associao de resistores.
R1
R1
Terminais
R2
R2
T e rm in a is
R2
R1
R3
T e rm in a is
-
R3
R5
R4
Fig.2 Tipos de associao de resistores.

Como pode ser visto nesta figura, os pontos da associao que so
conectados fonte geradora so denominados de terminais e os pontos onde
existe a interligao entre dois ou mais resistores so denominados de ns.
68
SENAI-PE
Apesar do ilimitado nmero de associaes diferentes que se pode obter

interligando resistores em um circuito eltrico, todas essas associaes podem
ser classificadas segundo trs designaes bsicas. So elas:
Associao srie.
Associao pararela.
Associao mista.
Cada um dos tipos de associao apresenta caractersticas especficas de
comportamento eltrico.
ASSOCIAO SRIE DE RESISTORES
Uma associao de resistores denominada de associao srie, quando

os resistores que a compem esto interligados de forma que exista apenas um
caminho para a circulao da corrente eltrica entre seus terminais.
Na associao srie existe apenas um caminho para circulao

da corrente eltrica entre os terminais.
A Fig.3 mostra dois exemplos de associao srie de resistores.
Fig.3 Dois exemplos de associao srie de resistores.
Conectando-se uma fonte geradora aos terminais das associaes srie

apresentadas nesta figura, verifica-se que existe realmente apenas um caminho
para a circulao da corrente eltrica, conforme ilustrado na Fig4.
69
SENAI-PE
Fig.4 Caminho da corrente em uma associao srie de resistores.
ASSOCIAO PARALELA DE RESISTORES
Uma associao de resistores denominada paralela quando os resistores

que a compem esto interligados de forma que exista mais de um caminho para
a circulao da corrente eltrica entre seus terminais.
Na associao paralela existe mais de um caminho para a

circulao da corrente eltrica.
A Fig.5 mostra dois exemplos de associao paralela de resistores.
T e rm in a is
T e rm in a is
Fig.5 Dois exemplos de associao paralela de resistores.
Conectando-se uma fonte geradora aos terminais das associaes paralelas

apresentadas nesta figura, verifica-se que existe sempre mais de um caminho
para a circulao da corrente eltrica, como pode ser visto na Fig.6.
70
SENAI-PE
Trs caminhos
Dois caminhos
+
I1
I3
I2
I1
I2
Fig.6 Caminhos da corrente em uma associao paralela de resistores.
ASSOCIAO MISTA DE RESISTORES
Uma associao de resistores denominada de mista quando for

composta por grupos de resistores em srie e em paralelo. A Fig.7 mostra alguns
exemplos de associao mista de resistores.
Fig.7 Exemplos de associao mista de resistores.
0
$%
Quando se associam resistores, a resistncia eltrica entre terminais

diferente das resistncias individuais. Por esta razo, a resistncia de uma
associao de resistores recebe uma denominao especfica: resistncia total
ou resistncia equivalente.
71
SENAI-PE
1.
Em uma associao srie de resistores, existem quantos caminhos para a

circulaco da corrente eltrica entre os terminais ? E em uma associao
paralela ?
2. O valor da resistncia equivalente de uma associao de resistores em

paralelo sempre maior ou menor que o resistor de menor valor ?
72
SENAI-PE
A Lei de Ohm estabelece uma relao entre as grandezas eltricas tenso,

corrente e resistncia em um circuito.
A Lei de Ohm a lei bsica da eletricidade e da eletrnica. Seu
conhecimento fundamental para o estudo e compreenso dos circuitos
eltricos.
$%
A Lei de Ohm pode ser obtida a partir de medies de tenso, corrente e

resistncia realizadas em circuitos eltricos simples, compostos por uma fonte
geradora e um resistor. Montando-se um circuito eltrico composto por uma
fonte geradora de 9V e um resistor de 100, verifica-se que a corrente
circulante de 90mA, como ilustrado na Fig.1.
Miliampermetro
!
.
Resistor (100 )
Bateria (9V)
Smbolo de
miliampermetro
100
I= 90 mA
9V
Fig.1 Carga de 100 alimentada por uma bateria de 9V.

Substituindo-se o resistor de 100 por outro de 200, a resistncia do
circuito torna-se maior. O circuito impe maior oposio passagem da
corrente, fazendo com que a corrente circulante seja menor, como pode ser visto
na Fig.2.
73
SENAI-PE
Miliampermetro
!
.
Resistor (200 )
Bateria (9V)
mA
200
I= 45 mA
+
9V

Aumentando-se sucessivamente o valor do resistor, a oposio
passagem da corrente cada vez maior e a corrente, cada vez menor, conforme
mostrado nas Figs.3 e 4.
74
SENAI-PE

Miliampermetro
mA
100
50
100%
Resistor (400 )
POWER
Plus
PILHA
Bateria (9V)
mA
400
I= 22,5 mA
+
9V

A Tabela 1 mostra os valores obtidos nas diversas situaes descritas
anteriormente.
75
SENAI-PE
Tabela 1 Valores de tenso e corrente para diversas cargas.

Situao
Tenso (V)
Resistncia (R)
Corrente (I)
1
9V
90mA
100
2
9V
45mA
200
3
9V
30mA
300
4
9V
22,5mA
400
Observando-se a tabela de valores, verifica-se que :
a) Mantida a mesma tenso, a corrente em um circuito diminui quando a resistncia
do circuito aumenta.
b) Dividindo-se o valor de tenso aplicada pela resistncia do circuito, obtm-se o
valor da intensidade de corrente.
O valor de corrente que circula em um circuito pode ser

encontrada dividindo-se o valor de tenso aplicada pela sua
resistncia.
Transformando em equao matemtica esta afirmao, tem-se:
I=
V
R
(1)
Esta equao conhecida como equao matemtica da Lei de Ohm.
A intensidade da corrente eltrica em um circuito diretamente

proporcional tenso aplicada e inversamente proporcional a sua
resistncia.
76
SENAI-PE
$%
A Lei de Ohm pode ser utilizada para se determinarem os valores de

tenso (V), corrente (I) ou resistncia R em um circuito.
Sempre que se conhecem dois valores em um circuito (V e I, V e R ou R e
I), o terceiro valor desconhecido pode ser determinado pela Lei de Ohm.
Para tornar mais simples o uso da equao da Lei de Ohm, costuma-se
usar o tringulo mostrado na Fig.5.
Fig.5 Tringulo da Lei de Ohm.

Quando se deseja determinar a intensidade da corrente (I) que flui em um
circuito, coloca-se o dedo sobre a letra I do tringulo, como ilustrado na Fig.6.
Fig.6 Determinao da intensidade de corrente.
77
SENAI-PE
Com a letra I (corrente) coberta, o tringulo fornece a equao que deve

ser usada para calcular a corrente do circuito.
I=
V
R
Quando for necessrio determinar a resistncia R de um circuito, deve-se

cobrir a letra R do tringulo e a equao necessria ser encontrada, como pode
ser visto na Fig.7.
Fig. 7 Determinao da resistncia.

Da mesma forma, pode-se determinar a tenso aplicada em um circuito
quando se conhece a corrente e a resistncia, como ilustra a Fig.8.
Fig.8 Determinao da tenso.
78
SENAI-PE
Para que as equaes decorrentes da Lei de Ohm sejam utilizadas, as

grandezas eltricas devem ter seus valores expressos nas unidades fundamentais:
Volt, Ampre e Ohm. Quando os valores de um circuito estiverem expressos em
mltiplos ou submltiplos das unidades, devem ser convertidos para as unidades
fundamentais antes de serem usados nas equaes.
Exemplo 1:
Uma lmpada utiliza uma alimentao de 6V e tem 36 de resistncia.
Qual a corrente que circula pela lmpada quando ligada?
Soluo :
Como os valores de V e R j esto nas unidades fundamentais (Volt e

Ohm), aplicam-se os valores na equao:
I=
V
6
=
= 0,166A
R 36
O resultado dado tambm na unidade fundamental de intensidade de

corrente. A resposta indica que circulam 0,166A ou 166mA quando a lanterna
ligada.
A Fig.9 mostra o miliampermetro com a indicao do valor consumido
pela lmpada.
mA
I = 166 mA
6V
lmpada
Fig.9 Indicao da corrente na lmpada.
79
SENAI-PE
Exemplo 2:
O motor de um carrinho de autorama atinge rotao mxima quando
recebe 9V da fonte de alimentao. Nesta situao, a corrente do motor de
230mA. Qual a resistncia do motor?
Soluo :
R=
V
9
=
= 39,1
I 0,23
Exemplo 3:
Um resistor de 22k foi conectado a uma fonte cuja tenso de sada
desconhecida. Um miliampermetro colocado em srie no circuito indicou uma
corrente de 0,75mA. Qual a tenso na sada da fonte?
Soluo :
V = R x I = 22000 x 0,00075 = 16,5V
80
SENAI-PE
1. Como se obtm o valor da corrente que circula em um circuito ?

2. Que instrumentos medem a corrente CC em um circuito ?
81
SENAI-PE
( < "; ; ==
A primeira Lei de Kirchhoff refere-se forma como a corrente se distribui
nos circuitos paralelos, como mostrado na Fig.1.
IT
I1
R1
I1
I2
I2
R2
IT
Fig.1 Distribuio da corrente em um circuito paralelo.

Atravs da primeira Lei de Kirchhoff e da Lei de Ohm, pode-se
determinar a corrente em cada um dos componentes associados em paralelo.
O conhecimento e compreenso da primeira Lei de Kirchhoff
indispensvel para a manuteno e projeto de circuitos eletrnicos.
Os circuitos paralelos apresentam algumas caractersticas particulares,

cujo conhecimento indispensvel para a compreenso da primeira Lei de
Kirchhoff. Essas caractersticas podem ser analisadas, tomando-se como ponto
de partida o circuito da Fig.2.
82
SENAI-PE
L2
L1
VCC
Lmpada 1
Lmpada 2
Fig.2 Exemplo de circuito paralelo.

Observando-se o circuito, verifica-se que tanto a lmpada 1 como a
lmpada 2 tm um dos terminais ligado diretamente ao plo positivo da fonte de
alimentao e o outro ligado ao plo negativo.
Ligadas dessa forma, cada uma das lmpadas (L1 e L2) est diretamente
conectada fonte de alimentao recebendo a mesma tenso nos seus terminais,
como mostrado na Fig.3.
VCC
VCC
Lmpada 1
Lmpada 2
VCC
-
Fig.3 Cada lmpada submetida mesma tenso Vcc .
Em um circuito paralelo, a tenso sobre os componentes

associados a mesma.
A funo da fonte de alimentao nos circuitos fornecer a corrente
eltrica necessria para o funcionamento dos consumidores.
83
SENAI-PE
Quando um circuito possui apenas uma fonte de alimentao, a corrente

fornecida por esta fonte denominada de corrente total, representada pela
notao IT nos esquemas, como mostrado na Fig.4.
IT
Vcc
L2
L1
IT
Fig.4 Ilustrao de corrente total em um circuito paralelo.

Para a fonte de alimentao, no importante se os consumidores so
lmpadas, resistores ou aquecedores. A corrente que a fonte fornece (IT)
depende apenas, segundo a Lei de Ohm, da sua tenso (VT) e da resistncia total
(RT) que os consumidores apresentam, ou seja :
IT =
VT
RT
(1)
Exemplo 1:
Determinar a corrente total no circuito da figura abaixo.

IT
+
L1
1,5V
200
L2
300
IT
Soluo :
RT =
RL1 RL 2
RL1 + RL 2
200 300
= 120
200 + 300
84
SENAI-PE
Portanto, a corrente total :
IT =
V
1,5
=
= 0,0125A
RT 120
Esse valor de corrente circula em toda a parte do circuito que comum s

duas lmpadas.
A partir do n (no terminal positivo da pilha) a corrente total IT divide-se
em duas partes, conforme ilustrado na Fig.5.
IT
I1
I2
L1
Vcc
L2
IT
Fig.5 Diviso da corrente total em correntes parciais.

Essas correntes so chamadas de correntes parciais e podem ser
denominadas de I1 (para a lmpada L1) e I2 (para a lmpada L2).
A forma como a corrente IT se divide a partir do n depende unicamente
das resistncias das lmpadas. A lmpada de menor resistncia permitir a
passagem de uma maior parcela da corrente.
Pode-se afirmar que a corrente I1 na lmpada L1 (de menor resistncia)
ser maior que a corrente I2 na lmpada L2 , como pode ser visto na Fig.6.
IT
I2
I1
Vcc
L2
L1
200
300
I1 > I 2
IT
Fig.6 Diviso da corrente total atravs das lmpadas.
85
SENAI-PE
O valor da corrente que circula em cada ramal pode ser calculada atravs da Lei
de Ohm, uma vez que se conhece a tenso aplicada e a resistncia de cada
lmpada.
Exemplo 2:
Determinar o valor da corrente que circula em cada lmpada e a corrente

total do circuito da figura abaixo.
IT
+
1,5V
I1
I2
L1
L2
200
300
Soluo :
Lmpada 1
I1 =
VL1
RL1
1,5
= 0,0075 A
200
I1 = 7,5 mA
1,5
= 0 ,005 A
300
I 2 = 5 mA
Lmpada 2
I2 =
VL 2
RL 2
Observando-se os valores das correntes no n, verifica-se que as correntes que

saem, somadas, originam um valor igual ao da corrente que entra.
86
SENAI-PE
Essa afirmativa vlida para qualquer n de um circuito eltrico, sendo

conhecida como a primeira Lei de Kirchhoff.
Primeira Lei de Kirchhoff : A soma das correntes que chegam

a um n igual soma das que dele saem.
A primeira Lei de Kirchhoff muito til para se determinar um valor
desconhecido de corrente quando se dispe dos demais valores de corrente que
chegam ou saem de um n.
De modo resumido, pode-se ento afirmar que o circuito paralelo
apresenta duas caractersticas fundamentais:
Fornece mais de um caminho para a circulao da corrente eltrica.

A tenso em todos os componentes associados a mesma.
87
SENAI-PE
5* (
( < "; ; ==
A segunda Lei de Kirchhoff se refere forma como a tenso se distribui

nos circuitos srie, como por exemplo, o mostrado na Fig.7.
R1
V1
1
R2
V2
Fig.7 Distribuio da tenso em um circuito srie.

O conhecimento e compreenso da segunda Lei de Kirchhoff importante
porque aplicada a todos os circuitos com componentes associados em srie.
Os circuitos srie tm caractersticas particulares cujo conhecimento

indispensvel para a compreenso da segunda Lei de Kirchhoff.
Tomando como referncia um circuito simples, com duas cargas ligadas

em srie, essas caractersticas podem ser identificadas. A Fig.8 mostra esse
circuito.
88
SENAI-PE
L2
L1
I
I
Vcc
Fig.8 Exemplo de circuito srie.

O circuito srie se caracteriza por possibilitar um caminho nico para a
circulao da corrente eltrica.
Como existe um nico caminho, a mesma corrente que sai do plo
positivo da fonte passa atravs da lmpada L1 , da lmpada L2 e retorna fonte
pelo plo negativo.
Isto significa que um medidor de corrente (ampermetro), pode ser
colocado em qualquer parte do circuito. Em qualquer uma das posies, o valor
indicado pelo instrumento ser o mesmo, como indicado na Fig.9.
L1
A2
L2
A3
A1
Vcc
I
+
Fig.9 Medio de corrente em um circuito srie.
A intensidade da corrente a mesma ao longo de todo o circuito srie.
Por essa razo, a corrente que circula em um circuito srie designada

simplesmente pela notao I.
89
SENAI-PE
A forma de ligao das cargas, uma aps a outra, d ao circuito outra

caracterstica importante, como pode ser visto na Fig.10. Caso uma das
lmpadas (ou qualquer outro tipo de carga) seja retirada do circuito, ou tenha o
seu filamento rompido, o circuito eltrico fica aberto e a corrente cessa.
CIRCUITO ABERTO
L2
A I=0
+
Vcc -
Fig.10 Circuito srie aberto.

Em um circuito srie, o funcionamento de cada um dos componentes
depende do restante.
O circuito srie apresenta trs caractersticas importantes :

(1) fornece apenas um caminho para a circulao da corrente
eltrica; (2) a corrente tem o mesmo valor em qualquer ponto do
circuito e (3) o funcionamento de cada consumidor depende do
restante.
A corrente que circula em um circuito srie cujo valor nico ao longo de
todo o circuito, pode ser determinada com o auxlio da Lei de Ohm. Para
determinar a corrente no circuito srie atravs da Lei de Ohm, deve-se usar a
tenso nos terminais da associao e a sua resistncia total.
90
SENAI-PE
>
So resistores cujo valor de resistncia pode ser ajustado, dentro de uma

faixa pr-definida. A Fig.1 mostra alguns resistores ajustveis.
Fig.1 Exemplo de resistores ajustveis.

Estes tipos de resistores so utilizados em circuitos que exijem calibrao.
Existem dois tipos de resistores ajustveis:
Resistor ajustvel de fio (Fig.2).
Trimpot (Fig.3).
Fig.2 Resistor ajustvel de fio.

Fig.3 Trimpot.
A constituio fsica dos resistores ajustveis no preparada para
suportar trocas de valor freqentes. Este tipo de componente utilizado em
pontos de um circuito onde o ajuste feito uma vez e no mais alterado.
91
SENAI-PE
Os resistores ajustveis (de fio e trimpot) so usados para

ajustes definitivos nos circuitos.
RESISTORES AJUSTVEIS DE FIO
um resistor de fio ao qual foi acrescentado um terceiro terminal,

denominado de cursor, como mostrado na Fig.4.
Fig.4 Resistor ajustvel de fio.

Esse terminal mvel desliza em contato eltrico com as espiras de fio que
constituem o resistor podendo ser fixado na posio desejada. Os resistores
ajustveis de fio, em geral, dissipam grande quantidade de calor porque
trabalham com correntes elevadas.
Por essa razo, normalmente so montados em locais com boa ventilao,
sendo ligados ao circuito atravs de condutores, como mostrado na Fig.5.
92
SENAI-PE
Fig.5 Condutores de ligao do resistor ajustvel de fio.
TRIMPOT
um tipo de resistor ajustvel utilizado em pontos de ajuste onde as

correntes so pequenas (da ordem de miliampres ou menos). A Fig.6 mostra
dois tipos de trimpots.
Fig.6 Tipos de trimpots.
93
SENAI-PE
Pelo fato de dissiparem pequenas quantidades de calor, os trimpots podem

ser montados no prprio circuito onde esto atuando, como ilustrado na Fig.7.
Placa de
Circuito Impresso
Fig.7 Montagem do trimpot numa placa de circuito impresso.

Existem trimpots verticais e horizontais, de forma a permitir uma opo
para uma montagem mais adequada a cada aplicao. A Fig.8 mostra trimpots
desses dois tipos.
Fig.8 Trimpot vertical e trimpot horizontal.
94
SENAI-PE
So resistores com derivao que permite a variao do valor resistivo

pelo movimento de um eixo. A Fig.15 mostra alguns tipos de potencimetros.
Fig.15 Tipos de potencimetros.

Os potencimetros so usados nos equipamentos para permitir a mudana
do regime de operao.
Por exemplo, o potencimetro de volume permite o aumento ou
diminuio do nvel de intensidade do som. J o potencimetro de brilho
permite o controle de luminosidade das imagens.
.
Entre os dois terminais extremos o potencimetro um resistor comum.
Sobre esse resistor desliza um 30 terminal, chamado de cursor, que permite
utilizar apenas uma parte da resistncia total do componente (de um extremo at
o cursor).
&
A Fig.16 mostra os smbolos utilizados para representar
potencimetros, salientando o smbolo normalizado pela ABNT.
95
os
SENAI-PE
Fig.16 Smbolos dos potencimetros.

A diferena entre os smbolos dos resistores ajustveis e potencimetros
aparece na ponta do trao diagonal.
Os componentes cujo valor est sujeito modificao constante
(potencimetros usados no controle de volume, por exemplo) so denominados
variveis. Nos seus smbolos aparece uma seta na ponta do trao diagonal.
Os componentes cujo valor de resistncia ajustado na calibrao e no
sofre mais alterao, so chamados de ajustveis. O resistor ajustvel um
exemplo caracterstico desse tipo de componente.
Existem dois tipos de potencimetros:

De fio.
De carbono (linear ou logartmico).
POTENCIMETRO DE FIO
Sobre uma tira de fibra isolante, em forma de anel so enroladas vrias

espiras de fio especial (com resistividade elevada). Fixam-se terminais nas
96
SENAI-PE
extremidades da fibra e as pontas do fio formam um resistor, conforme ilustrado

na Fig.17.
Espira
de fio
Fibra isolante
Fig.17 Tira de fibra, espira de fio e terminais de um potencimetro de fio.
Sobre o topo da fibra corre o contato mvel do cursor, que ligado
mecanicamente ao eixo do componente. O cursor ligado ao terminal do
potencimetro, como mostrado na Fig.18.
Contato deslizante
Eixo
rotativo
Terminal ligado
ao contato mvel
Terminais
extremos
Espiras de
fio
Fig.18 Detalhes dos componentes bsicos de um potencimetro.
Os potencimetros de fio para circuitos eletrnicos so encontrados em
valores de at 22k de resistncias e potncias de dissipao de at 4W.
97
SENAI-PE
Nos potencimetros de fio a resistncia entre o cursor e os extremos varia

uniformemente com o movimento do eixo.
Se o eixo for movimentado at a metade do curso total, a resistncia entre
o cursor e os extremos a metade da resistncia total. Por outro lado, se o cursor
for movimentado de 1/4 do curso total em relao a um extremo, a resistncia
entre este extremo e o cursor 1/4 da resistncia total. Entre o outro extremo e o
cursor haver portanto 3/4 da resistncia, como ilustrado na Fig.19.
500 Ohm
250 Ohm
250 Ohm
500 Ohm
125 Ohm
375 Ohm
Fig.19 Valores de resistncia para diversas posies do cursor.

Componentes com esta caracterstica so chamados de lineares. Portanto,
os potencimetros de fio sempre so lineares.
98
SENAI-PE
Nos potencimetros lineares, a variao da resistncia

proporcional ao movimento do eixo.
POTENCIMETRO DE CARBONO (CARVO)
So semelhantes aos potencimetros de fio na sua construo. Diferem

apenas em um aspecto: nos potencimetros de carvo as espiras de fio especial
(do potencimetro de fio) so substitudas por uma camada de carbono que
depositada sobre uma superfcie de material isolante, como pode ser visto na
Fig.20.
Cobertura
Contato deslizante
Elemento
resistivo
(carvo)
Eixo
rotativo
Terminais
extremos
Terminal ligado
ao contato mvel
Fig.20 Detalhes construtivos de um potencimetro de carbono.
Os potencimetros de carbono podem ser lineares ou logartmicos. Os

potencimetros de carvo lineares so semelhantes aos de fio, ou seja, a variao
da resistncia entre um extremo e o cursor proporcional ao movimento do
eixo.
99
SENAI-PE
A variao da resistncia dos potencimetros lineares em relao

posio do cursor se apresenta conforme o grfico da Fig.21.
ngulo de
rotao
do eixo
320
320
240
160
80
50%
100%
Resistncia
o cursor e o
entre
de referncia
extremo
Fig.21 Representao grfica da variao da resistncia com a posio do cursor

dos potencimetros lineares.
Os potencimetros de carvo logartmicos se comportam de forma
diferente, com respeito relao entre posio do cursor e resistncia.
Quando se inicia o movimento do cursor, a resistncia sofre pequena
variao. medida que o cursor vai sendo movimentado, a variao na
resistncia torna-se cada vez maior.
A variao da resistncia entre um extremo e o cursor desproporcional
ao movimento do eixo.
POTENCIMETROS DUPLOS
Os potencimetros duplos so utilizados principalmente em aparelhos de

som estereofnicos. Existem modelos de potencimetros duplos em que um
nico eixo comanda os dois potencimetros, e tambm modelos em que cada
potencimetro tem um eixo prprio. Essas concepes podem ser vistas nas
Figs.24 e 25, respectivamente.
100
SENAI-PE
Fig.24 Potencimetro duplo com um nico eixo.
Fig.25 Potencimetro duplo com eixo duplo.

POTENCIMETROS DESLIZANTES
Potencimetros em que o movimento rotativo do eixo substitudo por

um movimento linear do cursor. A Fig.26 mostra um exemplo.
Fig.26 Potencimetro deslizante.
101
SENAI-PE
1. Quando se usam os resistores ajustveis em um circuito ?

2. Quais os tipos de resistores ajustveis conhecidos ?
3. Que so potenciomtros ?
4. Quando so os potenciomtros usados ?
102
SENAI-PE
(*'
" ! "4 O osciloscpio um equipamento que permite a observao de variaes
de tenso eltrica em forma de figuras em uma tela.
Atravs do osciloscpio pode-se realizar pesquisas e anlises de defeitos
em circuitos eletrnicos e eltricos.
As imagens na tela de um osciloscpio so formadas unicamente pelo
movimento rpido de um ponto na direo horizontal e vertical, como num
aparelho de televiso. As imagens formam-se na tela do osciloscpio atravs de
movimentos simultneos na direo vertical e horizontal.
103
SENAI-PE
!(
" ! "4 =* '
(
*
"
!
A Fig.1 apresenta um modelo de osciloscpio com o painel de controle e

entradas de sinal.
FINE
VOLTS / DIV.
AC GMD DC
-2 -1 50
20 mv
10
-5
1
CAL
POSITION
2
INV CH2
5
CH2
Fig.1 Osciloscpio.
Os controles e entradas do painel podem ser divididos em trs grupos:
Controles de ajuste do trao ou ponto na tela.
Controles e entrada de atuao vertical.
Controles e entrada de atuao horizontal.
104
SENAI-PE
>
A Fig.2 destaca o grupo de controles de ajuste do trao ou ponto em um

modelo de osciloscpio.
POWER
VARIABLE
H SWEEP
3
2 1
1 3
30
10
20
ON / OFF
FOCUS
20
10
POSITION
30
1
2
PULL = 10
SCALE
ALLUM
LEVEL
AUTO + NORMAL -
CAL
1 Vpp
MODE
CH1 CH2 LINE EXT
TRIGGER
INPUT
SOURCE
FINE
VOLTS / DIV.
AC GMD DC
-2 -1 50
20 mv
-5
1
CAL
POSITION
2
INV CH2
10
5
CH2
Fig.2 Grupo de ajuste do trao ou ponto.
Sero apresentadas, entre parnteses, as designaes dos

controles em ingls visto que comum os osciloscpios
apresentarem este tipo de identificao.
BRILHO OU LUMINOSIDADE (BRIGHTNESS OU INTENSITY)
o controle que ajusta a luminosidade do ponto ou trao. Em alguns

osciloscpios, este controle est acoplado chave liga-desliga do equipamento.
Deve-se evitar o uso de brilho excessivo, pois a tela do osciloscpio pode ser
danificada.
FOCO (FOCUS)
o controle que ajusta a nitidez do ponto ou trao luminoso. O foco deve

ser ajustado de forma a se obter um trao fino e ntido na tela. Os ajustes de
brilho e foco so ajustes bsicos que so realizados sempre que se utiliza o
osciloscpio.
105
SENAI-PE
ILUMINAO DA RETCULA (SCALE ILLUMINATION)
Permite iluminar as divises traadas na tela.
$%
A Fig.3 destaca o grupo de controles de atuao vertical em um modelo

de osciloscpio.
POWER
VARIABLE
H SWEEP
3
2 1
1 3
30
10
20
ON / OFF
FOCUS
20
10
POSITION
30
1
2
PULL = 10
SCALE
ALLUM
LEVEL
AUTO + NORMAL -
CAL
1 Vpp
MODE
CH1 CH2 LINE EXT
TRIGGER
INPUT
SOURCE
FINE
VOLTS / DIV.
AC GMD DC
-2 -1 50
20 mv
10
-5
1
CAL
POSITION
2
INV CH2
5
CH2
Fig.3 Grupo de controle e atuao vertical.

ENTRADA DE SINAL VERTICAL (INPUT)
Nesta entrada conectada a ponta de prova do osciloscpio. As variaes

de tenso aplicadas nesta entrada aparecem sob forma de figuras na tela do
osciloscpio, como pode ser visto na Fig.4.
V
Fig.4 Sinal aplicado e imagem na tela.
106
SENAI-PE
CHAVE DE SELEO DO MODO DE ENTRADA (CA-CC OU AC-DC)
Esta chave selecionada de acordo com o tipo de forma de onda a ser

observada. Em alguns osciloscpios esta chave tem 3 posies (CA - 0 - CC ou
CA - GND - CC). A posio adicional 0 ou GND usada para a realizao
de ajustes do osciloscpio em algumas situaes.
CHAVE SELETORA DE GANHO VERTICAL (V/GAIN OU V/DIV)
Atravs desta chave seletora possvel aumentar ou diminuir a

amplitude de uma projeo na tela do osciloscpio. A Fig.5 ilustra o que ocorre
com a figura quando se movimenta esta chave seletora.
Reduo de Amplitude
Aumento de Amplitude
Fig.5 Aumento ou reduo de amplitude atravs da chave seletora de ganho vertical.
AJUSTE FINO DE GANHO VERTICAL ( FINE - VARIABLE OU

VERNIER)
Tem a mesma funo da chave seletora de ganho vertical: aumentar ou
diminuir a amplitude da figura na tela. Enquanto a chave seletora provoca
107
SENAI-PE
variaes de amplitude em passos (propores definidas), o ajuste fino permite

variar linearmente a amplitude.
POSIO VERTICAL (POSITION)
Permite movimentar a projeo mais para cima ou para baixo na tela. A

movimentao no interfere na forma da figura projetada na tela.
$%
A Fig.6 destaca os controles de atuao horizontal em um modelo de

osciloscpio.
POWER
VARIABLE
H SWEEP
3
2 1
1 3
30
10
20
ON / OFF
FOCUS
20
10
POSITION
30
1
2
PULL = 10
SCALE
ALLUM
LEVEL
AUTO + NORMAL -
MODE
CAL
1 Vpp
CH1 CH2 LINE EXT
TRIGGER
INPUT
SOURCE
FINE
VOLTS / DIV.
AC GMD DC
-2 -1 50
20 mv
-5
1
CAL
POSITION
2
INV CH2
10
5
CH2
Fig.6 Grupo de controle de atuao horizontal.

CHAVE SELETORA NA BASE DE TEMPO (H. SWEEP)
o controle que permite variar o tempo de deslocamento horizontal do

ponto na tela.
Atravs deste controle, pode-se ampliar ou reduzir horizontalmente uma
figura na tela.
108
SENAI-PE
Ampliao horizontal
Reduo horizontal
Fig.7 - Ampliao ou reduo horizontal atravs da chave seletora de base de

tempo.
Em alguns osciloscpios esta chave seletora tem uma posio identificada
como EXT (externa) possibilitando que o deslocamento horizontal do ponto seja
controlado por um circuito externo ao osciloscpio atravs de uma entrada
especfica. Quando a posio externa selecionada, no h formao do trao na
tela, obtendo-se apenas um ponto.
AJUSTE FINO (VARIABLE)
Este controle permite um ajuste mais preciso do tempo de deslocamento

do ponto na tela. Atua em conjunto com a chave seletora da base de tempo.
POSIO HORIZONTAL (H. POSITION)
o ajuste que permite centrar horizontalmente a forma de onda na tela.

Girando o controle de posio horizontal para a direita, o trao se movimenta
horizontalmente para a direita ou vice-versa.
109
SENAI-PE
So controles que permitem fixar a forma de onda na tela do osciloscpio.

Estes controles so usados principalmente na observao de sinais alternados. A
Fig.8 destaca os controles de sincronismo.
POWER
VARIABLE
H SWEEP
3
2 1
1 3
30
10
20
ON / OFF
FOCUS
20
10
POSITION
30
1
2
PULL = 10
SCALE
ALLUM
LEVEL
AUTO + NORMAL -
MODE
CAL
1 Vpp
CH1 CH2 LINE EXT
TRIGGER
INPUT
SOURCE
FINE
VOLTS / DIV.
-2 -1 50
POSITION
AC GMD DC
20 mv
-5
1
CAL
10
2
INV CH2
CH2
Fig.8 Grupo de controle de fixao da forma de onda na tela.

Estes controles so analisados por ocasio da utilizao do osciloscpio
na medio de tenso CA.
0
As pontas de prova so utilizadas para interligar o osciloscpio aos pontos
de medio. A Fig.9 mostra uma ponta de prova.
Fig.9 Ponta de prova.

Uma das extremidades da ponta de prova conectada a uma das entradas
do osciloscpio atravs de um conector e a extremidade livre serve para conexo
aos pontos de medio.
110
SENAI-PE
A extremidade livre tem uma garra jacar, denominada de terra da ponta

de prova, que deve ser conectada ao terra do circuito e uma ponta de entrada de
sinal que deve ser conectada no ponto que se deseja medir.
Existem dois tipos de pontas de prova:
Ponta de prova 1:1.
Ponta de prova 10:1.
A ponta de prova 1:1 se caracteriza por aplicar entrada do osciloscpio a
mesma tenso ou forma de onda que aplicada ponta de medio, como
ilustrado na Fig.10.
Ao osciloscpio
Pontos de medio
Ponta de prova 1 : 1
10V
10V
Fig.10 Ponta de prova 1:1.

A ponta de prova 10:1 divisora de tenso, entregando ao osciloscpio a
dcima parte da tenso aplicada ponta de medio, como pode ser visto na
Fig.11.
Ao osciloscpio
Pontos de medio
Ponta de prova 10 : 1
1V
10V
Fig.11 Ponta de prova 10:1.

As pontas de prova 10:1 so usadas para permitir que o osciloscpio seja
utilizado para medies ou observaes de sinais com tenses ou amplitudes 10
vezes maiores que o seu limite de medio normal.
111
SENAI-PE
Por exemplo, um osciloscpio que permite a leitura de tenses de at 50V

com ponta de prova 1:1 pode ser utilizado em tenses de at 500V com uma
ponta de prova 10:1. Existem pontas de prova que dispem de um boto atravs
do qual se pode selecionar a opo 10:1 ou 1:1, conforme mostrado na Fig.12.
10 : 1
1:1
Fig.12 Ponta de prova com opo de seleo 1:1 e 10:1.
Existem osciloscpios que permitem a visualizao simultnea de dois

sinais na tela. Estes osciloscpios so denominados de osciloscpios de duplo
trao. A Fig.13 mostra um osciloscpio deste tipo.
POW ER
ON / OFF
FO CUS
V A R IA B L E
H SW EEP
3
10
20
2 1
1 3
30
20
10
P O S I T IO N
30
1
2
P U LL = 10
SCALE
A LL U M
LEVEL
AUTO + NO RM AL -
CAL
1 Vpp
MODE
CH1
CH2
L IN E
T R IG G E R
E X T IN P U T
SOURCE
V O LT S / D I V. F I N E
F IN E
MODE
-2 -1 5 0
CH1
2 0m v
-5
C
A
L
C
AL
10
1
P O S IT IO N
C H 2 P O S I T IO N
5
2
AC GMD DC
DUAL
CH1
V O L T S / D I V.
AC GM D DC
-2 -1 5 0
2 0m v
10
-5
1
2
IN V C H 2
Fig.13 Osciloscpio de duplo trao.
112
CH2
SENAI-PE
Estes osciloscpios tm alguns controles que so comuns aos dois traos e

outros que so individuais para cada trao. Estes controles so :
Controles bsicos (brilho, foco).
Controles do horizontal (base de tempo e posio).
A Fig.14 destaca os controles que so comuns aos dois traos em um
modelo de osciloscpio.
POW ER
VAR IABLE
H SW EEP
3
10
20
ON / OFF
FO C US
2 1
1 3
30
20
10
POSITIO N
30
1
2
PULL = 10
SC ALE
ALLU M
LEVEL
AUTO + NO RMAL -
M OD E
C AL
1 Vpp
CH1 CH 2 LINE EXT
TRIG GER
INPUT
SOU RC E
AC GMD DC
VOLTS / DIV.
-2 -1 50
20 m v
-5
10
1
2
C H1
FIN E
FINE
MO D E
VOLTS / DIV.
AC GMD DC
-2 -1 50
20 m v
10
CH1
CAL
POSITION
-5
1
CAL
CH2
PO SITIO N
DUAL
IN V C H2
C H2
Fig.14 Controles comuns aos dois traos em osciloscpio de duplo trao.

A diferena entre os osciloscpios de trao simples e trao duplo situamse basicamente no seguinte :
Nas entradas e controles do vertical.
Nos controles e entrada de sincronismo.
0
A figura na tela do osciloscpio uma projeo da tenso aplicada
entrada vertical. Conseqentemente, para observar dois sinais simultaneamente
necessrio aplicar duas tenses em duas entradas verticais.
Os osciloscpios de duplo trao dispem de dois grupos de controles
verticais:
Um grupo para o CANAL A ou CANAL 1.
Um grupo para o CANAL B ou CANAL 2.
113
SENAI-PE
Cada canal vertical controla um dos sinais na tela (amplitude e posio

vertical).
A Fig.15 destaca os grupos de controles do canal 1 (CH1) e canal 2
(CH2).
POW ER
VA R IA B L E
H SW EEP
3
10
20
O N / OFF
FO CUS
2 1
1 3
30
20
10
P O S IT IO N
30
1
2
P U LL = 10
SCALE
A LL U M
LEVEL
AUTO + NO RM AL -
MODE
CAL
1 Vpp
CH1
CH2
L IN E
T R IG G E R
E X T IN P U T
SOURCE
V O LT S / D IV . F IN E
AC GMD DC
-2 -1 5 0
2 0m v
-5
CAL
10
1
P O S IT IO N
5
2
MODE
F IN E
-5
1
CAL
CH2
P O S IT IO N
IN V C H 2
DUAL
CH1
V O LT S / D IV .
AC GMD DC
-2 -1 5 0
2 0m v
10
CH1
CH2
Fig.15 Detalhes do grupo de controle dos canais 1 e 2.

Os grupos de controle verticais dos canais geralmente so iguais como
ilustrado na Fig.16. Cada canal dispe de:
Entrada vertical (1A e 2A).

Chave seletora CA-0-CC (1B e 2B).
Chave seletora de ganho vertical (1C e 2C).
Ajuste fino de ganho vertical (1D e 2D).
Posio vertical (1E e 2E).
1D
1B
1A
V O LT S / D IV. F IN E
-2 -1 5 0
2 0m v
-5
CAL
10
1
P
O S IT IO N
5
2
AC GMD DC
2D
MODE
CH1
CAL
CH2
DUAL
CH1
1C
F IN E
1E
P O S IT I O N
V O LT S / D IV.
AC GMD DC
-2 -1 5 0
2 0m v
-5
10
1
2
IN V C H 2
2E
CH2
2C
Fig.16 Grupo de Controle Vertical dos Canais.

114
2B
2A
SENAI-PE
Alguns osciloscpios dispem ainda de um controle denominado de

INVERSOR (INVERT) que permite inverter a figura na tela, como pode ser
visto na Fig. 17.
Canal 1 Invertida
Canal 1 Normal
Fig.17 Ao do boto INVERSOR.

Um osciloscpio de duplo trao pode ser utilizado como se fosse de trao
simples. Tanto o canal 1 como o canal 2 podem ser utilizados individualmente.
Entre os grupos de controles verticais do canal 1 e 2 existe uma chave
seletora que permite que se determinem quantos e quais os canais que
aparecero na tela. Esta chave tem pelo menos trs posies: CH1, CH2 e
DUAL (ou chopper).
Na posio CH1 aparecer apenas um trao na tela, projetando o sinal que
estiver aplicado entrada vertical do canal 1.
Na posio CH2 aparecer apenas um trao na tela, projetando o sinal
aplicado entrada vertical do canal 2.
Na posio DUAL (chopper) aparecero na tela dois traos, cada um
representando o sinal aplicado a uma das entradas.
Em osciloscpios mais sofisticados, esta chave pode ter mais posies que
permitem outras alternativas de funcionamento.
115
SENAI-PE
Os controles de sincronismo tm por funo fixar a imagem na tela. A

Fig.18 destaca o grupo de controles de sincronismo.
POWER
H SWEEP
3
10
20
30
1
2
ON / OFF
FOCUS
2 1
13
30
VARIABLE
20
10
POSITION
PULL = 10
SCALE
ALLUM
LEVEL
AUTO + NORMAL -
CAL
1 Vpp
MODE
CH1 CH2 LINE EXT
TRIGGER
INPUT
SOURCE
AC GMD DC
VOLTS / DIV.
-2 -1 50
20 mv
-5
10
1
2
FINE
FINE
MODE
VOLTS / DIV.
AC GMD DC
-2 -1 50
20 mv
10
CH1
CAL
POSITION
CH1
-5
1
CAL
CH2
POSITION
DUAL
2
INV CH2
5
CH2
Fig.18 Grupo de controle de sincronismo.
Os controles de sincronismo so:

Chave seletora de fonte de sincronismo.
Chave seletora de modo de sincronismo.
Controle de nvel de sincronismo.
Entrada de sincronismo.
Estes controles sero analisados detalhadamente por ocasio da medio de
tenso alternada com o osciloscpio.
116
SENAI-PE
1. Qual a utilidade de um osciloscpio ?

2. Quais so os controles de ajuste do trao ou ponto na tela ?
3. Quais so os controles de atuao horizontal ?
4. O que se entende por um ponta de prova 10:1 ?
117
SENAI-PE
('
(
+*
"
Antes de se proceder medio de uma tenso CC com o osciloscpio,
deve-se realizar uma preparao que pode ser divida em trs etapas. So elas:
Ajuste da referncia.
Seleo do modo de entrada.
Conexo da ponta de prova ao osciloscpio.
AJUSTE DA REFERNCIA
Quando o osciloscpio utilizado para a medio de tenses contnuas,

faz-se necessrio estabelecer uma posio para o trao na tela que servir de
posio de referncia.
O trao deve ser posicionado sobre uma das divises do reticulado da tela,
utilizando o controle de posio vertical do canal selecionado, como mostrado
na Fig.1.
Posio de referncia
Fig.1 Posicionamento do trao de referncia na tela.

Para realizar o ajuste da posio de referncia do trao, deve-se proceder
da seguinte forma:
118
SENAI-PE
1. Colocar a chave seletora de modo de entrada (CA-0-CC) do canal escolhido

na posio 0.
2. Ajustar a posio do trao na tela usando o controle de posio vertical deste
canal.
A posio ideal do operador em relao ao aparelho para realizar o ajuste
frontal tela, conforme ilustrado na Fig.2.
Fig.2 Posio correta do operador para a realizao do ajuste do trao na tela.
119
SENAI-PE
$%
9%
0
Para medio de tenso contnua, a chave seletora de modo de entrada

(CA-0-CC) do canal escolhido deve ser posicionada para CC aps o ajuste da
referncia.
A ponta de prova ento conectada na entrada vertical do canal escolhido.
Aps a preparao do osciloscpio, as extremidades da ponta de prova
podem ser conectadas nos pontos onde est presente a tenso a ser medida.
Quando as extremidades livres da ponta de prova so conectadas aos
pontos de medio, o trao muda de posio na tela, como pode ser visto na
Fig.3.
Referncia
Posio do trao antes da conexo da ponta

de prova aos pontos de medio
Posio do trao aps a conexo da ponta

de prova aos pontos de medio
Fig.3 Mudana da posio do trao na tela aps conexo das pontas de prova
INTERPRETAO DA MEDIO
A determinao do valor de tenso aplicada na entrada feita em duas

etapas:
1. Verifica-se de quantas divises foi a mudana de posio do trao na tela (em
relao posio de referncia).
120
SENAI-PE
A Fig.4 mostra um exemplo de mudana de posio de trao de duas

divises.
Referncia
Fig.4 Mudana do trao da tela de duas divises.

2) Multiplica-se o nmero de divises obtidos na primeira etapa pelo valor
indicado pela chave seletora de ganho vertical do canal, que a chave que
indica o valor de cada diviso.
A Fig.5 mostra, por exemplo, uma mudana de posio do trao na tela de
3 divises e a chave seletora de ganho vertical na posio 5V/diviso. Logo, a
tenso CC medida de 15V.
VOLTS / DIV.
.5
1
2
.2 .1 50
20 mv
10
Fig.5 Trao em 3 divises na tela.
121
SENAI-PE
Determina-se de quantas divises foi a mudana de posio no trao da

tela. Este nmero de divises multiplicado pelo valor indicado pela chave
seletora de ganho vertical fornece a tenso existente entre os pontos medidos.
Pelo fato de permitir a medio de tenses, o eixo vertical da tela do
osciloscpio denominado de eixo das tenses.
Para facilitar a leitura, o eixo vertical central dividido em subdivises. A
Fig.6 mostra um trao situada a 2,4 divises da posio de referncia e a chave
seletora de ganho vertical na posio 2V/diviso. Neste caso, a tenso contnua
medida de 4,8V.
Referncia
VOLTS / DIV.
.5
1
2
.2 .1 50
20
mv
10
Fig.6 Trao numa posio intermediria.

O valor da tenso correspondente a cada diviso da tela definido pela
chave seletora de ganho vertical.
Atravs do posicionamento da chave seletora de ganho vertical, o
osciloscpio pode ser utilizado para medies de valores de tenso desde alguns
milivolts at dezenas de volts.
122
SENAI-PE
&
Os circuitos eletrnicos podem utilizar o terra conectado ao plo negativo

ou positivo da fonte de alimentao.
Dependendo do terra, as tenses CC medidas em um circuito podem ser
positivas ou negativas.
O osciloscpio pode ser utilizado tanto para medies de tenses positivas
como negativas.
Para que a medio seja correta, a garra, que o terra da ponta de prova
do osciloscpio, deve ser ligado ao terra do circuito, seja ele positivo ou
negativo.
O terminal de terra da ponta de prova do osciloscpio sempre

conectado ao terra do circuito, seja ele positivo ou negativo.
Quando a tenso aplicada na entrada vertical positiva, o trao se desloca
da posio de referncia para cima, como ilustrado na Fig.7.
Referncia
Fig.7 Posio da linha para uma tenso de entrada positiva.
123
SENAI-PE
Quando a tenso aplicada na entrada vertical negativa, o trao se desloca

da posio de referncia para baixo, como mostrado na Fig.8.
Referncia
Fig.8 Posio da linha para uma tenso de entrada negativa.

A interpretao dos valores das tenses negativas feita da mesma forma
que a das positivas.
/ 0
&
A chave seletora de ganho vertical estabelece a quantos volts corresponde

cada diviso vertical da tela.
Em todos os osciloscpios, esta chave seletora tem muitas posies, de
forma que se possa fazer com que cada diviso da tela tenha valores que vo,
por exemplo, desde 5mV at 5V, como mostra o exemplo da Fig.9.
VOLTS / DIV.
.2 .1 50
20
.5
mv
10
1
2
5
5
Fig.9 Exemplo de chave seletora.

124
SENAI-PE
Em cada posio da chave seletora, o osciloscpio tem um limite de

medio.
Por exemplo, com 8 divises verticais na tela, selecionando a chave
seletora para a posio 10V/diviso, pode-se medir tenses de at 80V.
Se a tenso aplicada na entrada vertical exceder o limite de medio, o
trao sofre um deslocamento tal que ele desaparece totalmente da tela.
Quando isso acontece, deve-se mudar a posio da chave seletora de
ganho vertical para um valor maior, reajustar a referncia e refazer a medio.
Quando o valor de tenso a ser medido conhecido aproximadamente, a
chave seletora de ganho vertical deve ser posicionada adequadamente antes de
realizar a medio.
importante lembrar que cada vez que a posio da chave seletora de
ganho vertical for modificada, deve-se conferir a referncia e se necessrio
reajust-la.
A posio de referncia do trao na tela deve ser conferida a

cada mudana de posio da chave seletora de ganho vertical e
reajustada, se necessrio.
>
&
Quando o osciloscpio dispe de um ajuste fino de ganho vertical, este

deve ser calibrado, antes de executar a medio, caso contrrio a leitura no
ser correta.
O ajuste fino de ganho vertical deve ser calibrado antes da

execuo de medio de tenso com o osciloscpio.
125
SENAI-PE
Em alguns osciloscpios, o ajuste fino de ganho vertical j tem a posio

de calibrao indicada, como mostra o exemplo da Fig.10.
VOLTS / DIV.
.5
.2 .1
50
20 mv
10
5
FINE
5
CAL
Fig.10 Indicao da posio de calibrao no boto de ajuste fino.

Neste caso, antes de realizar a medio, o boto colocado nesta posio.
Quando o boto de ajuste fino no tiver posio de calibrao indicada, o
ajuste feito utilizando-se uma tenso CC (ou CA quadrada) que est disponvel
em um borne do painel do osciloscpio, como pode ser visto na Fig.11.
1Vpp
1Vcc
Fig.11 Bornes para calibrao.

O procedimento de calibrao o seguinte: conecta-se a ponta de prova
(extremidade livre) ao borne e ajusta-se o controle de ajuste fino de forma que a
tenso lida na tela coincida com a tenso (CC ou CA) indicada ao lado do borne.
126
SENAI-PE
('
!
(
(
O osciloscpio pode ser utilizado como recurso para realizao de uma

medio de tenso alternada.
Este tipo de medio atravs do osciloscpio muito comum nos reparos
e manuteno em equipamentos eletrnicos.
$%
O processo de medio de tenso CA com osciloscpio pode ser dividido

em trs etapas:
Obteno da forma de onda CA na tela.
Sincronismo da projeo.
Interpretao da medio.
OBTENO DA FORMA DE ONDA CA NA TELA
Considerando um osciloscpio que j esteja com um trao selecionado

(CH1 ou CH2) e ajustado em brilho e foco, a projeo de CA na tela exige
ainda:
a seleo do modo de entrada.
a conexo da ponta de prova do osciloscpio.
a conexo da ponta de prova ao osciloscpio.
Seleo de modo de entrada

Para medies de tenses alternadas esta chave pode ser posicionada em
CA ou CC.
127
SENAI-PE
Conexo da ponta de prova ao osciloscpio

A ponta de prova conectada entrada vertical do canal selecionado. Em
osciloscpios que tenham ajuste fino de ganho vertical, deve-se proceder a sua
calibrao antes da execuo de medio.
Conexo da ponta de prova aos pontos de medio

Aps o posicionamento dos controles, as pontas de prova so conectadas
Quando as pontas de prova so conectadas aos pontos de medio, a
tenso CA presente nesses pontos projetada em forma de figura na tela do
osciloscpio. Normalmente a figura est fora de sincronismo, como pode ser
visto na Fig.12.
Fig.12 Tela com forma de onda fora de sincronismo.

Caso a figura exceda os limites da tela na vertical, deve-se atuar na chave
seletora de ganho vertical de forma a obter-se o mximo de amplitude dentro
dos limites da tela.
Da mesma forma, se a figura tiver uma amplitude muito pequena, atua-se
na chave seletora de ganho vertical para obter-se uma figura com maior
amplitude.
128
SENAI-PE
Sincronismo da projeo
O sincronismo consiste na fixao da imagem na tela para facilitar a
observao.
A fixao da imagem feita atravs dos controles de sincronismo do
osciloscpio.
A Fig.13 destaca o grupo de controles de sincronismo.
POW ER
O N / O FF
FOCUS
V A R IA B L E
H SW EEP
3
10
20
2 1
1 3
30
20
10
P O S IT I O N
30
1
2
PULL = 10
SCALE
ALLU M
LEVE L
AUTO + NO RM AL -
MODE
CAL
1 Vpp
CH1
CH2
L IN E
T R IG G E R
E X T IN P U T
SOURCE
V O L T S / D I V . F IN E
F IN E
MODE
AC GMD DC
-2 -1 5 0
CH1
2 0m v
-5
CAL
CAL
10
1
P O S IT I O N
C H 2 P O S IT I O N
5
2
DUAL
CH1
V O LT S / D IV.
AC GMD DC
-2 -1 5 0
2 0m v
-5
10
1
2
IN V C H 2
5
CH2
Fig.13 Controles de sincronismo.

Os controles de sincronismo so:
Chave seletora de fonte de sincronismo.
Chave de modo de sincronismo.
Controle de nvel de sincronismo.
Chave seletora de fonte (Source)

Selecionada onde ser tomado o sinal de sincronismo necessrio para
fixar a imagem na tela do osciloscpio.
129
SENAI-PE
Esta chave seletora normalmente tem 4 posies, como pode ser visto na
Fig.14.
Fig.14 Posies de uma chave seletora.

Posio CH1: o sincronismo controlado pelo sinal aplicado ao canal 1.
Posio CH2: o sincronismo controlado pelo sinal aplicado ao canal 2.
Sempre que se usa o osciloscpio trao duplo como trao simples, usando
apenas um canal, a chave seletora deve ser posicionada para o canal utilizado
(CH1 ou CH2).
REDE
Realiza o sincronismo com base na freqncia da rede de alimentao do

osciloscpio (senoidal 60Hz). Nesta posio, consegue-se facilmente sincronizar
na tela sinais aplicados na entrada vertical que sejam obtidos a partir da rede
eltrica.
EXTERNO
Na posio externo, o sincronismo da figura obtido a partir de outro

equipamento externo conectado ao osciloscpio.
O sinal que controla o sincronismo na posio externo aplicado
entrada de sincronismo, conforme ilustrado na Fig.15.
CH1 CH2 LINE EXT
TRIGGER
INPUT
SOURCE
Fig.15 Chave de sincronismo na posio EXT.

130
SENAI-PE
Chave de modo de sincronismo (Mode)

Normalmente esta chave tem duas ou trs posies : AUTO, NORMAL+, NORMAL-
AUTO : Nesta posio, o osciloscpio realiza o sincronismo da projeo

automaticamente, com base no sinal selecionado pela chave seletora de fonte de
sincronismo.
NORMAL+, NORMAL- : Nestas posies, o sincronismo ajustado
manualmente atravs do controle de nvel de sincronismo (LEVEL).
Na posio NORMAL+, o sincronismo positivo, fazendo com que o
primeiro pico que aparea na tela seja o positivo, como ilustrado na Fig.16.
Fig.16 Na posio NORMAL+.
131
SENAI-PE
Na posio NORMAL- o sincronismo negativo, como mostrado na

Fig.17.
Fig.17 Na posio NORMAL - .

Para realizar a leitura de tenso necessrio sincronizar a figura. Em
geral, posicionando a chave de modo de sincronismo para AUTO o osciloscpio
fixa automaticamente a figura na tela.
Se na posio AUTO no houver sincronismo, deve-se passar para
NORMAL e sincronizar com auxlio do controle de nvel.
A leitura de tenso alternada aplicada na entrada vertical no osciloscpio

feita atravs da determinao de tenso de pico a pico da figura projetada na
tela.
132
SENAI-PE
Verifica-se o nmero de divises verticais ocupados pela figura e

multiplica-se pelo valor indicado pela chave seletora de ganho vertical,
3 divises
VOLTS / DIV.
.2 .1 50
20 mv
.5
10
1
2
5
5
Fig.18 Interpretao da medio.
Quando o osciloscpio dispe de um ajuste fino de ganho vertical, este
deve ser calibrado antes da execuo da medio.
Com o objetivo de tornar mais fcil e precisa a leitura do nmero de

divises ocupadas na tela, pode-se movimentar verticalmente a figura, usando o
controle de posio vertical.
Este procedimento permite posicionar um dos picos da CA sobre uma
linha de referncia sem modificar a sua amplitude, como mostrado na Fig.19.
133
SENAI-PE
3 divises
Fig.19 Ajuste vertical da figura.

Dispondo de uma linha de referncia, a leitura da amplitude em nmero
de divises torna-se mais fcil.
Pode-se tambm movimentar horizontalmente a figura (controle de
posio horizontal - H.Position) sem prejuzo para a leitura.
Isto possibilita colocar o pico da tenso exatamente sobre o eixo vertical
principal, facilitando a leitura, conforme ilustrado na Fig.20.
Fig.20 Ajuste horizontal da figura.
134
SENAI-PE
Exemplo 1:
Determine a tenso de pico a pico e eficaz para a tenso CA da figura
abaixo. Considere a chave seletora na posio .1.
VOLTS / DIV.
.5
.2 .1 50
20 mv
10
1
2
5
5
Soluo
2 divises 0,1V/DIV = 200mVpp
Para se determinar a tenso eficaz do sinal observado na tela, usam-se as
relaes matemticas correspondentes a cada tipo de sinal.
Como a tenso de pico a pico (obtida na tela) o dobro da tenso de pico
(Vpp = 2Vp) a tenso eficaz (Vef) a partir da tenso de pico a pico :
Vef =
V pp
2 2
200
= 71mV
2,828
135
(1)
SENAI-PE
1.
Cite as trs etapas de preparao para a medio de tenso CC com o osciloscpio.
2. Cite as trs etapas do processo de medio da tenso CA com o osciloscpio.
136
SENAI-PE
('
"
( = )@1 "
" ! "4 -
O osciloscpio pode ser utilizado para determinao da freqncia de um

sinal eltrico. Isto possvel devido ao fato de que o perodo de uma CA pode ser
determinado atravs de um osciloscpio.
$%
A2
Freqncia (f) o nmero de ciclos completos de um fenmeno repetitivo que

ocorre na unidade de tempo.
Freqncia o nmero de ciclos completos em 1s.

Perodo (T) o tempo necessrio para que ocorra um ciclo completo de um
fenmeno repetitivo.
Perodo o tempo de ocorrncia de 1 ciclo.

A freqncia e o perodo de um fenmeno esto intimamente relacionados. O
relacionamento entre as duas grandezas expresso pela equao:
f =
1
T
(1)
A equao mostra que quando a freqncia aumenta o perodo diminui e

vice-versa. Uma vez conhecido o perodo de um sinal a equao permite que se
determine sua freqncia.
Atravs da observao de sinais eltricos na tela do osciloscpio pode-se determinar o seu perodo e,
portanto, calcular a sua freqncia.
137
SENAI-PE
$%
O eixo horizontal do osciloscpio denominado de eixo dos tempos porque
atravs das suas divises pode-se determinar o perodo de formas de onda
alternadas.
Eixo dos
tempos
Fig.5 Eixos dos tempos.
Para que o perodo de uma CA possa ser determinado com preciso, o

controle de ajuste fino da base de tempo tem que ser mantido na posio
CALIBRADO. Quanto menor o nmero de ciclos projetados na tela, mais
precisa pode ser a leitura de perodo com o osciloscpio. Se o ajuste fino da base
de tempo no calibrado a determinao do perodo estar incorreta.
O sinal alternado cuja freqncia se deseja determinar aplicado a um dos
canais do osciloscpio, projetado na tela e sincronizado.
O ajuste da base de tempo atravs da chave seletora possibilita a
compreenso ou expanso da forma de onda na tela de forma que se obtenha uma
figura adequada a observao e leitura do perodo.
Quanto menor o nmero de ciclos projetados na tela, mais precisa poder ser
a determinao do perodo.
Na determinao de um perodo com um osciloscpio, deve-se

ajustar a base de tempo na posio calibrado.
O ideal conseguir projetar apenas um ciclo da CA na tela, com auxlio
apenas da chave seletora da base de tempo, uma vez que o ajuste fino tem que
estar calibrado.
Como isto nem sempre possvel, procura-se obter o menor nmero de ciclos
possvel.
138
SENAI-PE
Com a CA projetada na tela deve-se estabelecer um ponto na figura que ser

considerado como incio do ciclo e posicion-lo exatamente sobre uma das divises
do eixo horizontal.
A Fig.6 mostra uma CA projetada na tela do osciloscpio, ilustrando o ponto
escolhido como incio do ciclo.
Fig.6 Indicao do incio de um ciclo.

Com o incio do ciclo posicionado, verifica-se o nmero de divises do eixo
horizontal ocupado pelo ciclo completo.
5 divises
Fig.7 Indicao do fim de um ciclo.
139
SENAI-PE
A figura pode ser movimentada vertical ou horizontalmente na

tela (controles de posio) sem prejuzo para a leitura
Conhecendo-se o tempo de cada diviso horizontal e o nmero de divises
horizontais ocupados por um ciclo da CA, pode-se determinar o perodo desta CA.
O perodo de um sinal CA pode ser determinado multiplicandose o nmero de divises horizontais de um ciclo lido na tela de um
osciloscpio pelo tempo de uma diviso fornecido pela posio da
chave seletora da base de tempo.
Exemplo 1:
Determinar o perodo e a frequncia da CA senoidal da figura abaixo.
H SWEEP.
10
20
50
.1
S .2
mS
5 2 1
.5
.2
.1
50
20 S
5 divises
Soluo :
Como o perodo (T) o nmero de divises multiplicado pelo tempo de 1
diviso, tem-se que :
T = 5,0 1ms = 5 ms.
140
SENAI-PE
Com o perodo determinado, pode-se calcular a freqncia (f) do sinal atravs

da Eq.(1) :
f =
1
1
=
= 200Hz
T 0,005
Em resumo, a determinao de freqncia feita segundo os procedimentos

a seguir:
Posicionar o ajuste fino de base de tempo em CALIBRADO.

Projetar a CA na tela e sincronizar.
Obter o menor nmero possvel de ciclos na tela.
Determinar o perodo.
Calcular a freqncia (f=1/T).
141
SENAI-PE
1. Qual a funo da chave seletora da base de tempo de um osciloscpio ?

2. Como se determina o perodo de um sinal CA com um osciloscpio ?
142
SENAI-PE
- "
O capacitor um componente capaz de armazenar cargas eltricas, sendo
largamente empregado nos circuitos eletrnicos.
Um capacitor se compe basicamente de duas placas de material
condutor, denominadas de armaduras, isoladas eletricamente entre si por um
material isolante chamado dieltrico, como pode ser visto na Fig.1.
armaduras
dieltrico
Fig.1 Constituio de um capacitor.

O material condutor que compe as armaduras de um capacitor
eletricamente neutro no seu estado natural.
Em cada uma das armaduras, o nmero total de prtons e eltrons igual,
portanto as placas no tm potencial eltrico.
No existindo potencial eltrico em cada uma das armaduras, no h
diferena de potencial ou tenso entre elas, conforme ilustrado na Fig.2.
143
SENAI-PE
OV
Fig.2 Diferena de potencial zero.

O fenmeno de armazenamento de cargas pelo capacitor pode ser
compreendido mais facilmente analisando o movimento de eltrons no circuito.
Por esta razo ser utilizado o sentido eletrnico da corrente eltrica no
desenvolvimento do assunto.
Conectando-se os terminais do capacitor a uma fonte de CC, o capacitor
fica sujeito diferena de potencial dos plos da fonte.
O potencial da bateria aplicado a cada uma das armaduras faz surgir entre
elas uma fora eltrica, que nada mais do que uma fora de atrao (cargas de
sinal diferente) ou repulso (cargas de mesmo sinal) entre cargas eltricas.
O plo positivo da fonte absorve eltrons da armadura qual est
conectado enquanto o plo negativo fornece eltrons outra armadura, como
ilustrado na Fig.3.
eltrons
eltrons
Fig.3 Absoro de eltrons da armadura no polo positivo e fornecimento de

eltrons do negativo armadura.
144
SENAI-PE
A armadura que fornece eltrons fonte fica com ons positivos

adquirindo um potencial positivo e a armadura que recebe eltrons da fonte fica
com ons negativos, adquirindo potencial negativo, conforme ilustrado na Fig.4.
+
+
+
-
+
+
-
+
+
-
+
+
Fig.4 Cargas em um capacitor conectado a uma fonte.

Isto significa que ao conectar o capacitor a uma fonte de CC, surge uma
diferena de potencial entre as suas armaduras.
A tenso presente nas armaduras do capacitor ter um valor to prximo
ao da tenso da fonte que, para efeitos prticos, pode-se consider-las iguais,
como indicado na Fig.5.
+
+
+
-
+
-
+
+
-
+
-
+
-
+
+
-
+
+
1,5 V
Fig.5 Tenso das armaduras igual tenso da fonte.
Um capacitor conectado diretamente a uma fonte de

alimentao apresenta entre suas armaduras uma tenso que pode
ser considerada igual da fonte.
145
SENAI-PE
Quando o capacitor assume a mesma tenso da fonte de alimentao, dizse que o capacitor est carregado.
Se aps ter sido carregado o capacitor for desconectado da fonte de CC, suas
armaduras permanecem com os potenciais adquiridos, como ilustrado na
Fig.6.
+
+
-
+
-
+
+
-
+
-
+
+
-
+
+
1,5 V
Fig.6 Permanncia dos potenciais das armaduras aps a fonte CC ser

desconectada.
Isto significa dizer que, mesmo aps ter sido desconectado da fonte de
CC, ainda existe tenso presente entre as placas do capacitor.
Resumindo-se, pode-se dizer que quando um capacitor conectado a uma
fonte de CC, ele absorve energia desta fonte, armazenando cargas eltricas (ons
positivos e negativos) nas suas armaduras.
Esta capacidade de absorver e manter a energia em suas armaduras que
define o capacitor como sendo um armazenador de cargas eltricas.
A energia armazenada no capacitor na forma de desequilbrio eltrico
entre suas armaduras pode ser reaproveitada.
&
Tomando-se um capacitor carregado e conectando-se seus terminais a
uma carga, haver uma circulao de corrente, pois o capacitor atua como fonte
de tenso. Este comportamento pode ser visto na Fig.7.
146
SENAI-PE
+
+
+
+
-
+
+
-
Fig.7 Descarga de um capacitor sobre uma carga (resistor).

Isto se deve ao fato de que atravs do circuito fechado inicia-se o
restabelecimento do equilbrio eltrico entre as armaduras.
Os eltrons em excesso em uma das armaduras movimentam-se para a
outra onde h falta de eltrons, at que se reestabelea o equilbrio de potencial
entre elas, como ilustrado na Fig. 8.
I
+
+
+
-
+
-
+
+
-
+
-
+
-
+
+
-
+
+
I
capacitor carregado
capacitor em descarga
I=O
capacitor descarregando
Fig. 8 Eltrons nas armaduras.
147
SENAI-PE
Durante o tempo em que o capacitor se descarrega, a tenso entre suas

armaduras diminui porque o nmero de ons restantes em cada armadura cada
vez menor. Aps algum tempo, a tenso entre as armaduras to pequena que
pode ser considerada zero.
Quando um capacitor est em descarga, a tenso entre as suas

armaduras diminui at praticamente zero.
148
SENAI-PE
- " B "
A capacidade de armazenamento de cargas de um capacitor depende dos
seguintes : rea comum entre as armaduras, espessura do dieltrico e natureza do
dieltrico.
REA DAS ARMADURAS
Quanto maior a rea das armaduras, maior a capacidade de armazenamento
de um capacitor.
ESPESSURA DO DIELTRICO
Quanto mais fino o dieltrico, mais prximas esto as armaduras. O

campo eltrico formado entre as armaduras maior e a capacidade de
armazenamento tambm.
NATUREZA DO DIELTRICO
Quanto maior a capacidade de isolao do dieltrico, maior a capacidade

de armazenamento do capacitor.
A capacidade de um capacitor de armazenar cargas denominada de
capacitncia. (C) se define sendo a razo entre a carga eltrica a armadura (Q)
pela diferena de potencial entre elas (V) :
C=
Q
V
(1)
Quanto maior a capacitncia, maior a capacidade de

armazenamento de cargas.
149
SENAI-PE
A unidade de medida de capacitncia o farad e representada pela letra

F. Entretanto, a unidade farad extremamente grande, o que leva ao uso de
submltiplos dessa unidade.
A Tabela 1 apresenta os smbolos representativos de cada submltiplo e o
seu valor com relao unidade.
Denominao
Microfarad
Nanofarad
Picofarad
Tabela 1 Submltiplos do farad.

Smbolo
Relao com a unidade
10-6F ou 0,000001F
F
NF
10-9F ou 0,000000001F
PF
10-12F ou 0,000000000001F
A converso de valores entre as subunidades feita da mesma forma que

as outras grandezas.
Microfarad Nanofarad
nF
Picofarad
pF
Apresentam-se a seguir alguns exemplos de converso.

1) 1F o mesmo que 1.000nF.
2) 22nF o mesmo que 22.000pF.
5) 820nF o mesmo que 0,82F.

6) 1.200pF o mesmo que 1,2nF.
3) 68nF o mesmo que 0,068F.
7) 47.000pF o mesmo que 47nF.
4) 150pF o mesmo que 0,15nF.
8) 47.000pf o mesmo que 0,047F.
A capacitncia um dos itens que especifica um capacitor.
150
SENAI-PE
( " - "
Atualmente encontra-se no mercado um grande nmero de tipos de

capacitores, empregando os mais diversos materiais.
Estes capacitores podem ser resumidos em quatro tipos bsicos:
Capacitores fixos despolarizados.
Capacitores ajustveis.
Capacitores variveis.
Capacitores eletrolticos.
F/K
0.39
1500
+ 10 %
02 FD
12 81
A Fig.9 mostra alguns capacitores na sua forma real.
Fig.9 Alguns tipos de capacitores.
. 9
Apresentam um valor de capacitncia especfico, que no pode ser

alterado. A Fig.10 mostra o smbolo usado para representar os capacitores fixos
despolarizados.
151
SENAI-PE
Fig.10 Smbolo dos capacitores fixos despolarizados.

A Fig.11 mostra diversos tipos de capacitores fixos.
(a)
(b)
(c)
Fig.11 Diversos tipos de capacitores fixos : (a) stiroflex, (b) cermica e

(c) poliester
Estes capacitores se caracterizam por ser despolarizados, ou seja, qualquer
uma das suas armaduras pode ser ligada tanto a potenciais positivos como
negativos.
Capacitores despolarizados no tem polaridade especificada

para ligao.
152
SENAI-PE
Alguns capacitores fixos podem apresentar-se na verso axial com os dois

terminais nas extremidades ou radial com os dois terminais no mesmo lado do
corpo. A Fig.12 mostra estes dois tipos de capacitores.
470F 16V
Fig.12 Capacitor fixo : (a) axial e (b) radial.

tipo.
De acordo com a necessidade de montagem, pode-se utilizar um ou outro
>
So utilizados nos pontos de calibrao dos circuitos. A Fig.13 mostra um

capacitor ajustvel tpico e o seu smbolo.
SMBOLO
Fig.13 Capacitor ajustvel.
Apresentam valor de capacitncia ajustvel dentro de certos limites, por
exemplo 10pF a 30pF.
153
SENAI-PE
So utilizados em locais onde a capacitncia constantemente

modificada.
A Fig.14 mostra um capacitor varivel e o seu smbolo.
Fig.14 Capacitor varivel e seu smbolo.

Encontram-se ainda capacitores variveis mltiplos que se constituem de
dois ou mais capacitores variveis acionados pelo mesmo eixo. A Fig.15 mostra
um capacitor duplo e seu smbolo.
Fig.15 Capacitor duplo e seu smbolo.

A linha pontilhada indica que os dois capacitores tm seu movimento
controlado pelo mesmo eixo.
154
SENAI-PE
Os capacitores eletrolticos so capacitores fixos cujo processo de

fabricao permite a obteno de altos valores de capacitncia com pequeno
volume.
A Fig.16 permite uma comparao entre as dimenses de um capacitor
eletroltico e um no eletroltico de mesmo valor.
Fig.16 Comparao entre os volumes de um capacitor eletroltico com um no

eletroltico.
O fator que diferencia os capacitores eletrolticos dos demais capacitores
fixos o dieltrico. Nos capacitores fixos comuns o dieltrico de papel, mica
ou cermica. O dieltrico dos capacitores eletrolticos um preparado qumico
chamado de eletrlito que oxida pela aplicao de tenso eltrica, isolando uma
armadura da outra. A utilizao do eletrlito permite a reduo da distncia
entre as armaduras a valores mnimos, o que possibilita a obteno de maiores
valores de capacitncia (desde 1F at os valores maiores que 200.000F). O
capacitor selado em um invlucro de alumnio que isola as armaduras e o
eletrlito da ao da umidade.
Os capacitores eletrolticos apresentam algumas desvantagens que so
decorrentes do seu processo de fabricao. So elas:
Polaridade.
Alterao de capacitncia.
Tolerncia.
POLARIDADE
A formao da camada de xido entre as placas depende da aplicao de

tenso nas armaduras com polaridade correta.
155
SENAI-PE
A ligao com polaridade incorreta sobre as armaduras do capacitor

provoca a destruio do eletrlito, permitindo a circulao de corrente entre as
armaduras. O capacitor sofre um processo de aquecimento que faz o eletrlito
ferver, podendo inclusive provocar uma exploso do componente devido
formao de gases no seu interior.
Os capacitores eletrolticos polarizados so utilizados apenas

em circuitos alimentados por corrente contnua. Nos circuitos de
corrente alternada a troca de polaridade da tenso danifica o
componente.
O smbolo dos capacitores eletrolticos expressa a polaridade das
armaduras, como pode ser visto na Fig.17.
+
Fig.17 Smbolo dos capacitores eletrolticos.
No componente, a polaridade expressa de duas formas: por um chanfro

na carcaa, que indica o terminal positivo ou pelo sinal positivo (+) impresso no
corpo, como ilustrado na Fig.18.
Te rm ina l positivo
(a)
(b)
Fig.18 Indicao da polaridade em capacitor eletroltico: (a) chanfro na carcaa

ou (b) sinal positivo impresso.
156
SENAI-PE
ALTERAO DE CAPACITNCIA
O capacitor eletroltico sofre alterao de capacitncia quando no est

sendo utilizado. Esta alterao se deve ao fato de que a formao da camada de
xido entre as armaduras depende da aplicao de tenso no capacitor.
Quando o capacitor eletroltico permanece durante um perodo sem
utilizao, o dieltrico sofre um processo de degenerao que afeta
sensivelmente a sua capacitncia.
Capacitores eletrolticos que no esto em uso tm a sua

capacitncia alterada.
Por esta razo, sempre que for necessrio utilizar um capacitor que estava
estocado durante algum tempo, deve-se conect-lo a uma fonte de tenso
contnua durante alguns minutos para permitir a reconstituio do dieltrico
antes de aplic-lo no circuito.
TOLERNCIA
Os capacitores eletrolticos esto sujeitos a uma tolerncia elevada no

valor real, com relao ao valor nominal. Esta tolerncia pode atingir valores de
20 a 30% e at mesmo 50% em casos extremos.
Os capacitores eletrolticos tm grande tolerncia no seu valor

de capacitncia.
Existem dois tipos de capacitores eletrolticos, que esto relacionados com
o tipo de dieltrico empregado:
Capacitor eletroltico de xido de alumnio.
Capacitor eletroltico de xido de tntalo.
A Fig.19 mostra um capacitor eletroltico de xido de alumnio e outro de
tntalo.
157
SENAI-PE
(a)
(b)
Fig.19 Capacitores eletrolticos : (a) xido de alumnio e (b) xido de tntalo

Os capacitores eletrolticos de xido de tntalo apresentam a seguinte
vantagem sobre os eletrolticos de xido de alumnio: a capacitncia dos
capacitores de xido de tntalo sofre menor variao com o passar do tempo.
Existem ainda os capacitores eletrolticos mltiplos, que consistem em
dois, trs ou at mesmo quatro capacitores no mesmo invlucro. A Fig.20
mostra estes tipos de capacitores.
Terminal negativo
Terminais positivos
Terminal negativo
Terminais positivos
Fig.20 Capacitores eletrolticos multplos.
158
SENAI-PE
Em geral, nesses capacitores o invlucro externo ou carcaa comum a

todos os capacitores.
Capacitores eletrolticos como os da Fig.20, so muito usados em fontes
de alimentao. Os capacitores eletrolticos mltiplos podem ser representados
pelo smbolo mostrado na Fig.21.
Fig.21 Smbolo dos capacitores eletrolticos mltiplos.
159
SENAI-PE
" - "
Os capacitores despolarizados podem funcionar em corrente alternada devido

ao fato de que cada uma das suas armaduras pode receber tanto potencial positivo
como negativo.
Capacitores despolarizados podem ser ligados em CA.

Os capacitores polarizados no podem ser conectados a CA porque a troca
de polaridade provoca danos ao componente.
.
Quando um capacitor conectado a uma fonte de corrente alternada as
suas armaduras esto submetidas troca sucessiva de polaridade da tenso
aplicada. A Fig.1 ilustra este fato.
V
+
t
Fig.1 Troca de polaridade das armaduras de um capacitor.

A cada semiciclo, a armadura que recebe potencial positivo entrega
eltrons fonte, enquanto a armadura que est ligada ao potencial negativo
recebe eltrons, como ilustrado na Fig.2.
160
SENAI-PE
Eltrons
V
++++
----
Eltrons
Fig.2 Retirada e entrega de eltrons s armaduras do capacitor.

Com a troca sucessiva de polaridade, uma mesma armadura durante um
semiciclo recebe eltrons da fonte e no outro devolve eltrons para a fonte,
Eltrons
++++
----
Eltrons
---++++
t
+
Eltrons
Eltrons
Fig.3 Inverso da polaridade nas armaduras de um capacitor.

H, portanto, um movimento de eltrons ora entrando, ora saindo da
armadura.
Isto significa que circula uma corrente alternada no circuito, embora as

cargas eltricas no passem de uma armadura do capacitor para a outra atravs
do dieltrico.
161
SENAI-PE
Um capacitor ligado a uma fonte de CA permite a circulao de

corrente num circuito.
Os processos de carga e descarga sucessivas de um capacitor ligado em

CA d origem a uma resistncia passagem da corrente no circuito. Esta
resistncia denominada de reatncia capacitiva.
Reatncia capacitiva a oposio que um capacitor

apresenta circulao de corrente em circuitos de CA.
ohms.
A reatncia capacitiva representada pela notao Xc e expressa em

A reatncia capacitiva Xc expressa pela equao:
XC =
1
2 f C
onde
Xc = reatncia capacitiva em .
2 = constante (6,28).
f = freqncia da corrente alternada em Hz.
C = capacitncia do capacitor em F.
162
(1)
SENAI-PE
- " =" '

(
" - "
" "
Os capacitores so especificados tecnicamente por:

Tipo.
Capacitncia.
Tenso de trabalho.
Por exemplo : capacitor de poliester de 0,47 e 600V e capacitor eletroltico
de 2.200 e 63V.
$%
A capacitncia e a tenso de trabalho dos capacitores expressa no corpo
do componente de duas formas:
Diretamente em algarismos.
Atravs de um cdigo de cores.
A Fig.22 apresenta alguns capacitores com os valores de capacitncia e a
tenso de trabalho expressos diretamente em algarismos.
163
SENAI-PE
Fig.22 Valores dos capacitores expressos em algarismos.

Os valores so apresentados normalmente em microfarads (F) ou
picorafads (pF).
Quando os capacitores so menores que 1F, como por exemplo 0,1F,
0,0047F ou 0,012F, o zero que precede a vrgula no impresso no corpo do
componente. Nestes casos aparece diretamente um ponto, que representa a
virgula, como ilustrado na Tabela 2.
Tabela 2 Valor real e valor impresso no capacitor.

Valor real Valor impresso
0,1F
.1
0,047F
.047
0,012F
.012
0,68F
.68
&
A Fig.23 mostra o cdigo de cores para capacitores e a ordem de

interpretao dos algarismos.
164
SENAI-PE
1 ALGARISMO
2 ALGARISMO
N DE ZEROS
TOLERNCIA
TENSO NOM
PRETO 0
MARROM 1
VERMELHO 2
LARANJA 3
AMARELO 4
VERDE 5
AZUL 6
VIOLETA 7
CINZA 8
BRANCO 9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
+ 20 %
0
00
000
0000
00000
250 V
400 V
630 V
Valores
em pF
+ 10 %
Fig.23 Cdigo de cores para capacitores.

O valor de capacitncia expresso pelo cdigo de cores dado em
picofarads (pF).
Exerccios
Especificar os capacitores identificados pelas seguintes cores :
a) Amarelo - Violeta - Laranja - Branco Azul
b) Laranja - Branco - Amarelo - Branco - Vermelho
Soluo
(a) 47nF, 10%, 630V
(b) 0,39 F, 10%, 250V
165
SENAI-PE
$%
Um capacitor em condies normais apresenta entre suas armaduras
resistncia infinita (isolao) no permitindo assim circulao de corrente.
Mas, quando o dieltrico sofre degenerao, a resistncia entre as
armaduras diminui permitindo a circulao de uma pequena corrente
denominada de corrente de fuga.
Quando se deseja verificar as condies do capacitor quanto resistncia
de isolao entre as armaduras utiliza-se normalmente o ohmmetro.
A escolha da escala de ohmmetro depende do valor de capacitncia do
capacitor a ser testado, conforme ilustrado na Tabela 3.
Tabela 3 Teste de isolao de capacitores.

Escala
Capacitncia
x10.000
x 1.000
x 10 ou x1
at 1F
de 1F a 100F
acima de 100F
Para valores de capacitncia de at 1F, a escala recomendada a x10000

e para valores superiores recomenda-se x100 ou x10.
Aps selecionada a escala, conectar as pontas de prova do ohmmetro aos
terminais do capacitor. Neste momento o ponteiro deflexiona rapidamente em
direo ao zero e logo em seguida retorna mais lentamente em direo ao
infinito da escala.
Quando o capacitor est com a isolao em boas condies, o ponteiro
deve retornar at o infinito da escala. Deve-se inverter as pontas de prova e
repetir o teste.
166
SENAI-PE
" '
" - "
Os capacitores, assim como os resistores podem ser conectados entre si

formando uma associao em srie, paralela ou mista.
As associaes paralela e srie so encontradas na prtica, as mistas
dificilmente so utilizados.
$%
A associao paralela de capacitores tem por objetivo obter maiores
valores de capacitncia.
A Fig.8 mostra uma associao paralela de capacitores e sua
representao simblica.
Fig.8 Associao paralela de capacitores.

Esta associao tem caractersticas particulares com relao capacitncia
total e a tenso de trabalho.
167
SENAI-PE
CAPACITNCIA TOTAL DA ASSOCIAO PARALELA

A capacitncia total da associao paralela a soma das capacitncias
individuais.
Matematicamente, a capacitncia total de uma associao paralela dada

pela equao:
CT = C1 + C2 + ..Cn.
(4)
onde
CT = capacitncia total da associao.
C1 = capacitncia de C1.
C2 = capacitncia de C2.
Cn = capacitncia do capacitor Cn.
Para executar a soma, todos os valores devem ser convertidos mesma unidade.
Exemplo 3:
Qual a capacitncia total da associao paralela de capacitores mostradas nas
figuras abaixo.
Soluo :
CT = C1 + C2
1
CT = 0,01F + 0,047F
CT = 0,057F ou CT = 57nF
Soluo :
CT = C1 + C2 + C3
CT = 1F+0,047F+0,68F
CT
CT = 1,727F
168
C1
C2
C3
1 F
0,047 F
680nF
SENAI-PE
$%
Considere todos os capacitores associados em paralelo da Fig.9. Eles

recebem a mesma tenso aplicada ao conjunto.
Vc1 = Vc 2 = Vc 3 = 10V
+
C1
C2
C3
10 V
-
Fig.9 Capacitores em paralelo recebendo a mesma tenso de 10V.

Assim, a mxima tenso que pode ser aplicada a uma associao paralela
a daquele capacitor que tem menor tenso de trabalho.
Exemplo 4:
Qual a mxima tenso que pode ser aplicada nas associaes apresentadas nas
figuras a seguir?
C1
C2
C3
C1
C2
1F
250V
0.47F
250V
0.01F
150V
1 F
63V
0.47F
150V
Soluo :
As tenses mximas so 150V e 63V, respectivamente.
importante lembrar ainda dois aspectos:
Deve-se evitar aplicar a um capacitor a tenso mxima que este suporta.
169
SENAI-PE
Em CA, a tenso mxima a tenso de pico. Um capacitor com tenso de

trabalho de 100 V pode ser aplicado a uma tenso eficaz mxima de 70V
(70V eficazes correspondem a uma tenso CA com pico de 100V).
$%
#
Ao se associarem capacitores polarizados em paralelo, os terminais
positivos dos capacitores devem ser ligados em conjunto entre si e os negativos
da mesma forma, como mostrado na Fig.10
+
+
C1
C2
Fig.10 Associao paralela de capacitores polarizados.
Na associao paralela de capacitores: (1) a capacitncia total

a soma das capacitncias individuais, (2) a tenso mxima da
associao a do capacitor com menor tenso de trabalho e (3) ao
associarem-se capacitores polarizados, os terminais de mesma
polaridade so ligados entre si.
Deve-se lembrar que capacitores polarizados s podem ser utilizados em
CC, porque no h troca de polaridade da tenso.
170
SENAI-PE
$%
A associao srie de capacitores tem por objetivo obter capacitncias
menores ou tenses de trabalho maiores.
A Fig.11 mostra uma associao srie de dois capacitores e sua

representao simblica.
Fig.11 Associao srie de capacitores.
$%
Quando se associam capacitores em srie, a capacitncia total menor

que o valor do menor capacitor associado.
A capacitncia total de uma associao srie dada pela equao:
CT =
1
1
1
1
+
+ ... +
C1 C 2
Cn
(5)
Esta equao pode ser desenvolvida (como a equao da resistncia

equivalente de resistores em paralelo) para duas situaes particulares:
ASSOCIAO SRIE DE DOIS CAPACITORES C1 E C2
CT =
C1 C2
C1 + C2
(6)
onde CT a capacitncia total da associao.
171
SENAI-PE
ASSOCIAO SRIE DE N CAPACITORES DE MESMO VALOR
CT =
C
n
(7)
Para a utilizao das equaes, todos os valores de capacitncia devem ser

convertidos para a mesma unidade.
Exemplo 5:
Determinar a capacitncia total dos circuitos abaixo
Soluo :
CT =
CT =
1
1
=
1
1
1
1
1
1
+
+
+
+
C1 C 2 C3 0,1 0,2 0,5
0,2F
C2
1
= 0,059F
17
0,1F
C1
0,5F
C3
Soluo :
CT =
C1 C 2 0,1 0,5
=
C1 + C 2 0,1 + 0,5
C1
0,1F
C2
500nF
CT = 0.083 F
172
SENAI-PE
Soluo :
C 180
CT = =
n
3
C1
180 pF
C3
180 pF
C 2 180 pF
CT = 60pF
$%
Quando se aplica uma tenso a uma associao srie de capacitores a

tenso aplicada se divide entre eles, como ilustrado na Fig.12.
+
VC1
C1
VC 1 + VC 2 = V
VC 2
C2
Fig.12 Tenso em uma associao srie.

A distribuio da tenso nos capacitores ocorre de forma inversamente
proporcional capacitncia, ou seja:
Uma maior capacitncia corresponde a uma menor tenso.
Uma menor capacitncia corresponde a uma maior tenso.
Em uma associao srie de capacitores, a tenso se distribui

de forma inversamente proporcional capacitncia dos capacitores.
O capacitor de menor capacitncia fica com a maior parcela da
tenso total.
A determinao do valor de tenso em cada capacitor de uma associao
srie feita atravs das equaes da eletrosttica.
173
SENAI-PE
Como forma de simplificao, pode-se adotar um procedimento simples e

que evita a aplicao de tenses excessivas a uma associao srie de
capacitores.
Esse procedimento consiste em se associarem em srie capacitores de
mesma capacitncia e mesma tenso de trabalho.
Desta forma, a tenso aplicada se distribui igualmente sobre todos os capacitores.
A Fig.13 ilustra este procedimento.
+
10F
C1
+
100 V
0,47 F
250 V
50 V
63 V
0,47 F
250 V
0,47 F
250 V
10F
C2
300 V
50 V
63 V
Fig.13 Associao srie de capacitores de mesma tenso.
$%
#
Ao se associarem capacitores polarizados em srie, o terminal positivo de
um capacitor conectado ao terminal negativo do outro, como mostrado na
Fig14.
174
SENAI-PE
C1
+ -
C2
Fig.14 Associao srie de capacitores polarizados.

importante lembrar que capacitores polarizados s podem ser ligados
em CC.
Na associao srie de capacitores, (1) a capacitncia total

sempre menor que a capacitncia de menor valor e (2) ao se
associarem capacitores polarizados em srie, a armadura positiva de
um capacitor conectada armadura negativa do capacitor
seguinte.
175
SENAI-PE
1. Quais os tipos de capacitores podem ser ligados em CA ?

2. O que se entende por reatncia capacitiva e de que ela depende ?
3. Como se determina a capacitncia total de um arranjo de capacitores ligados
em paralelo ?
176
SENAI-PE
"
(*
Alguns materiais apresentam propriedades de conduo eltrica

intermedirias entre aquelas inerentes aos isolantes e aos condutores. Tais
materiais so denominados de semicondutores. A caracterstica mais
interessante do material semicondutor, e que o torna atrativo do ponto de vista
da fabricao de componentes eletrnicos, a possibilidade de se poder variar
substancialmente sua condutividade eltrica pela alterao controlada de sua
composio qumica ou estrutura cristalina.
Um exemplo tpico de um elemento qumico que pode formar materiais
exibindo caractersticas eltricas distintas o carbono. Dependendo da forma
com que os tomos de carbono se interligam, o material formado pode tornar-se
um isolante ou um condutor.
Uma das formas naturais de matria formada por tomos de carbono
arranjados ordenadamente em uma estrutura cristalina o diamante, que um
material de grande dureza e eletricamente isolante.
Os tomos de carbono podem tambm arranjar-se naturalmente em uma
estrutura amorfa ou no cristalina, dando origem ao grafite que um material
semicondutor.
Nas sees seguintes sero discutidas algumas das caractersticas
principais associadas aos materiais semicondutores e a forma pela qual esses
materiais podem ser utilizados na construo de dispositivos eletrnicos.
$%
Os materiais semicondutores mais simples so constitudos de tomos de
um nico elemento qumico com quatro eltrons na camada de valncia.
tomos exibindo esta configurao eletrnica so denominados de tomos
tetravalentes.
A Fig.1 ilustra a configurao dos tomos tetravalentes de germnio (Ge)
e silcio (Si) que do origem a materiais semicondutores.
177
SENAI-PE
Fig.1 Configurao eletrnica dos tomos de silcio e germnio.

Os tomos que tm quatro eltrons na camada de valncia tendem a se
arranjar ordenadamente na formao do material segundo uma estrutura
cristalina com tomos vizinhos compartilhando seus eltrons de valncia,
Fig.2 Compartilhamento de eltrons de valncia entre dois tomos de silcio.

O compartilhamento de eltrons entre tomos tetravalentes em uma
estrutura cristalina ilustrado na Fig.3a. Esse tipo de ligao qumica recebe a
denominao de ligao covalente, sendo representada simbolicamente por dois
traos interligando cada par de ncleos, como mostrado na Fig.3b.
178
SENAI-PE
Si
S i
(a)
(b)
Fig.3 Compartilhamento de eltrons entre tomos ligados covalentemente em

uma estrutura cristalina e a representao simblica correspondente.
Nas ligaes covalentes os eltrons permanecem fortemente ligados ao
par de ncleos interligados. Por esta razo os materiais formados por estruturas
cristalinas puras, compostas unicamente por ligaes covalentes, adquirem
caractersticas de boa isolao eltrica.
Materiais com estruturas cristalinas puras formadas por

elementos qumicos tetravalentes so bons isolantes eltricos.
Na forma cristalina, o silcio e o germnio puros so materiais
semicondutores com propriedades eltricas prximas quelas de um isolante
perfeito.
A Fig.4 mostra uma
representao planar do arranjo
de tomos tetravalentes em uma
rede cristalina, onde cada tomo
forma quatro ligaes covalentes
com seus vizinhos.
Fig.4 Representao planar de uma rede

cristalina de tomos tetravalentes.
A representao ilustrada na Fig.4 uma verso simplificada da situao
real em que os tomos tetravalentes se arranjam em uma estrutura
tridimensional. Essa estrutura tridimensional ilustrada na Fig.5, com os tomos
interligados em uma geometria tetradrica. O tetraedro assim formado sempre
contm um tomo central interligado aos seus quatro vizinhos posicionados nos
vrtices do tetraedro.
179
SENAI-PE
Fig.5 Estrutura tridimensional de uma rede cristalina de tomos tetravalentes.
&
A dopagem um processo qumico no qual tomos estranhos so
introduzidos na estrutura cristalina de uma substncia.
Os materiais encontrados em sua forma natural, geralmente contm um
certo grau de impurezas que se instalam durante o processo de formao desses
materiais. Essa situao pode ser caracterizada como um processo de dopagem
natural.
A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrio, com o objetivo de
introduzir no cristal uma determinada quantidade de tomos de impurezas, de
forma a alterar, de maneira controlada, as propriedades fsicas naturais do
material.
Em um cristal semicondutor a dopagem geralmente realizada para
alterar suas propriedades eltricas. O grau de condutividade bem como o
mecanismo de conduo do semicondutor dopado ir depender dos tipos de
tomos de impureza introduzidos no cristal, como descrito a seguir.
180
SENAI-PE
SEMICONDUTOR TIPO n
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do

semicondutor uma quantidade de tomos contendo excesso de um eltron de
valncia relativamente ao nmero de eltrons da camada mais externa de cada
tomo do cristal, forma-se um semicondutor tipo n. Neste processo, uma
pequena quantidade dos tomos dopantes introduz apenas ligeiras modificaes
na estrutura cristalina do semicondutor puro.
Um exemplo tpico de formao de um semicondutor tipo n ocorre
quando tomos de fsforo so introduzidos na estrutura cristalina do silcio.
Conforme ilustrado na Fig.6, apenas quatro dos cinco eltrons de valncia do
fsforo, podem participar das ligaes covalentes com os tomos de silcio.
Fig.6 Dopagem de silcio com tomo de fsforo.

Como mostrado na Fig.6, o quinto eltron de valncia do tomo de
fsforo no participa de nenhuma ligao covalente, pois no existe um segundo
eltron de valncia disponvel nos tomos vizinhos que possibilite a formao
dessa ligao. Esse eltron extra pode, portanto, ser facilmente liberado pelo
tomo de fsforo, passando a transitar livremente atravs da estrutura do cristal
semicondutor.
Com a adio de impurezas, e conseqente aumento no nmero de
eltrons livres, conforme ilustrado na Fig.7, o cristal que era puro e isolante
passa a ser condutor de corrente eltrica. importante observar que embora o
material tenha sido dopado, o nmero total de eltrons permanece igual ao
nmero total de prtons no cristal, de forma que o material continua
eletricamente neutro.
181
SENAI-PE
Fig.7 Eltrons livres no silcio dopado com fsforo.

O semicondutor dopado com tomos contendo excesso de um ou mais
eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo n,
pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por
cargas negativas. Essa conduo eltrica ocorre independentemente da
polaridade da tenso aplicada entre as extremidades do material semicondutor,
Fig.8 Corrente de eltrons em um semicondutor tipo n.

SEMICONDUTOR TIPO p
Quando os tomos introduzidos na estrutura cristalina do semicondutor

exibem deficincia de um eltron de valncia relativamente ao nmero de
eltrons da camada mais externa de cada tomo do cristal, forma-se um
semicondutor tipo p.
182
SENAI-PE
O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na camada de

valncia, quando utilizado no processo de dopagem do silcio d origem a um
semicondutor tipo p, conforme ilustrado na Fig.9.
Fig.9 Dopagem de silcio com tomo de ndio.

Como se pode observar na Fig.9, o tomo de ndio se acomoda na
estrutura cristalina, formando trs ligaes covalentes com tomos vizinhos de
silcio. Com respeito ligao com o quarto tomo de silcio, verifica-se a
ausncia do segundo eltron que comporia o par necessrio formao daquela
ligao com o tomo de ndio. Essa ausncia de eltron de ligao
denominada de lacuna.
A existncia de lacunas no semicondutor permite que haja um mecanismo
de conduo distinto daquele observado em um semicondutor tipo n. No caso
do semicondutor tipo n, os eltrons adicionais resultantes do processo de
dopagem podem transitar livremente no interior do material. Por outro lado,
quando a dopagem produz lacunas no semicondutor, um eltron proveniente de
uma ligao covalente s poder transitar para um ponto do cristal onde haja
uma lacuna disponvel.
183
SENAI-PE
Esse mecanismo de
conduo est ilustrado na
Fig.10, onde se considera
uma representao de um
cristal de silcio dopado
com tomos de ndio
submetido a uma ddp.
Fig.10
Movimento de lacunas em um semicondutor sujeito a uma ddp.
O movimento de
eltrons de valncia se d
do plo negativo para o
plo
positivo,
pela
ocupao
de
lacunas
disponveis
na
rede
cristalina. Nesse processo,
cada
eltron
torna
disponvel
uma
nova
lacuna em seu stio de
origem, como pode ser
observado
na
representao da Fig.10.
Esse movimento de
eltrons equivale portanto,
a um movimento de
lacunas do plo positivo
para o plo negativo do material.
Fig.10 Movimento de lacunas em um

semicondutor sujeito a uma ddp.
De acordo com esse ponto de vista, as lacunas em um semicondutor dopado se

comportam efetivamente como cargas positivas que podem transitar em um cristal
quando este est submetido a uma tenso externamente aplicada.
O semicondutor dopado com tomos contendo deficincia de um ou mais

eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo p,
pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por
lacunas que se comportam como portadores de carga positiva durante o
processo de conduo eltrica.
184
SENAI-PE
Como no processo de conduo eltrica de um semicondutor tipo n, o

movimento de lacunas em um semicondutor tipo p, submetido a uma ddp, ocorre
independentemente da polaridade da tenso aplicada entre as extremidades do
material.
Analisando-se as propriedades bsicas de semicondutores dopados, notase que o nmero de eltrons em um semicondutor tipo n, ou lacunas em um
semicondutor tipo p, cresce com o aumento do nmero de tomos de
impurezas introduzidas no cristal. Com o aumento do nmero de portadores de
carga, aumenta a condutividade eltrica do material. Dessa forma, torna-se
possvel alterar de forma controlada a condutividade eltrica de um
semicondutor, efetuando-se a dosagem adequada da quantidade de dopagem do
cristal durante a etapa de fabricao.
Essa caracterstica de controle externo de condutividade possibilita o uso
de cristais semicondutores como matria prima na fabricao de componentes
eletrnicos, incluindo diodos, transistores, circuitos integrados etc., bem como
na construo de dispositivos optoeletrnicos, tais como fotodetetores, diodos
emissores de luz e lasers semicondutores.
A condutividade eltrica de um semicondutor pode ser

controlada pela dosagem adequada da quantidade de dopagem do
cristal, durante a etapa de fabricao.
A temperatura exerce influncia direta sobre as propriedades eltricas de

materiais semicondutores. Quando a temperatura de um material semicondutor
aumenta, o aumento de energia trmica do eltron de valncia facilita a sua
liberao da ligao covalente de que participa. Cada ligao covalente que se
desfaz por esse processo propicia, portanto, a gerao de um par eltron/lacuna a
mais na estrutura do cristal, conforme ilustrado na Fig.11.
185
SENAI-PE
Fig.11 Gerao por aquecimento de pares eltron/lacuna em um semicondutor.

O aumento do nmero de portadores devido ao aquecimento do cristal
aumenta sua condutividade, permitindo assim que se obtenha um maior fluxo de
corrente no material.
186
SENAI-PE
( (
"
(*
O diodo semicondutor um componente que pode comportar-se como

condutor ou isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada
aos seus terminais. Essa caracterstica permite que o diodo semicondutor possa
ser utilizado em diversas aplicaes, como, por exemplo, na transformao de
corrente alternada em corrente contnua.
$%
?>
$%
Um diodo semicondutor formado a partir da juno entre um

semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n, conforme ilustrado na Fig.12.
Existem vrios processos que permitem a fabricao desse tipo de estrutura e
que utilizam tcnicas altamente sofisticadas para o controle de crescimento dos
cristais semicondutores com os graus de dopagens desejados. A estrutura
formada recebe a denominao de juno pn.
Fig.12 Diodo semicondutor.
Conforme ilustrado na Fig.13, logo aps a formao da juno pn, alguns

eltrons livres se difundem do semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p.
O mesmo processo ocorre com algumas lacunas existentes no semicondutor tipo
p que difundem para o semicondutor tipo n.
187
SENAI-PE
Fig.13 Difuso de eltrons e lacunas logo aps a formao da juno pn.

Durante o processo de difuso, parte dos eltrons livres se recombinam
com lacunas na regio prxima juno. A diminuio do nmero de eltrons
livres existentes inicialmente do lado n que conseguiram se difundir e
recombinar com as lacunas no lado p, produz uma regio de cargas positivas do
lado n e negativas do lado p da juno.
Conforme ilustrado na Fig.14, as cargas produzidas nas proximidades da
juno so cargas fixas rede cristalina. Essa regio de cargas prxima juno
denominada regio de cargas descobertas ou regio de depleo.
Fig.14 Regio de cargas descobertas nas proximidades da juno pn.

Com o aparecimento da regio de depleo, o transporte de eltrons para o
lado p bloqueado, pois estes so repelidos da regio negativamente carregada
do lado p. O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo transporte para o lado n
repelido pelas cargas positivas existentes no lado n da juno.
188
SENAI-PE
Portanto, imediatamente aps a formao da juno, uma diferena de

potencial positiva gerada entre os lados n e p. Essa barreira de potencial
previne a continuao do transporte de portadores atravs da juno pn no
polarizada.
Imediatamente aps a formao da juno pn, aparece uma

barreira de potencial que positiva do lado n e negativa do lado p da
juno.
A tenso VB proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo,
depende do material utilizado na sua fabricao. Valores aproximados para os
diodos de germnio e silcio so VB = 0,3 V e VB = 0,7 V, respectivamente.
No possvel medir diretamente o valor de VB aplicando um voltmetro
conectado aos terminais do diodo, porque essa tenso existe apenas em uma
pequena regio prxima juno. No todo, o componente eletricamente
neutro, uma vez que no foram acrescentados nem retirados portadores do
cristal.
$%
O diodo semicondutor representado
em diagramas de circuitos eletrnicos pelo
smbolo ilustrado na Fig.15. O terminal da
seta representa o material p, denominado de
nodo do diodo, enquanto o terminal da barra
representa o material n, denominado de
ctodo do diodo.
Fig.15 Representao do diodo.
A identificao dos terminais do componente real pode aparecer na forma

de um smbolo impresso sobre o corpo do componente ou alternativamente, o
ctodo do diodo pode ser identificado atravs de um anel impresso na superfcie
do componente, conforme ilustrado na Fig. 16.
189
SENAI-PE
Fig.16 Formas de identificao dos terminais do diodo semicondutor para

dois tipos comuns de encapsulamento.
Observa-se que o comportamento de qualquer componente eletrnico
depende diretamente da sua temperatura de trabalho. Essa dependncia trmica
um fator importante que deve ser considerado quando se projeta ou se montam
circuitos com esses componentes.
$%
A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o

componente se comporta eletricamente. A tenso pode ser aplicada ao diodo
pela polarizao direta ou pela polarizao inversa do componente, conforme
examinado a seguir.
POLARIZAO DIRETA
Polarizao direta uma condio

que ocorre quando o lado p submetido a
um potencial positivo relativo ao lado n
do diodo, conforme ilustrado na Fig. 17.
Nessa situao, o plo positivo da
fonte repele as lacunas do material p em
direo ao plo negativo, enquanto os
eltrons livres do lado n so repelidos do
plo negativo em direo ao plo
positivo.
190
Fig.17 Diodo submetido

polarizao direta.
SENAI-PE
Na situao ilustrada na
Fig.18, o valor da tenso aplicada ao
diodo inferior ao valor VB da
barreira de potencial. Nessa
condio, a maior parte dos eltrons
e lacunas no tm energia suficiente
para atravessar a juno.
Como resultado, apenas alguns eltrons e lacunas tm energia

suficiente para penetrar a barreira de potencial, produzindo uma pequena
corrente eltrica atravs do diodo.
Se a tenso aplicada aos

terminais do diodo excede o valor da
barreira de potencial, lacunas do lado
p e eltrons do lado n adquirem
energia superior quela necessria
para superar a barreira de potencial,
produzindo como resultado um
grande aumento da corrente eltrica
atravs do diodo, como mostrado na
Fig. 19.
Fig.18 Diodo sob polarizao

direta para V<VB.
Quando
o
diodo
est
polarizado diretamente, conduzindo
corrente eltrica sob a condio V >
VB, diz-se que o diodo est em
conduo.
Fig.19 Diodo sob polarizao

direta para V > VB.
Um diodo est em conduo quando polarizado diretamente

sob a condio V > VB .
191
SENAI-PE
POLARIZAO INVERSA
A polarizao inversa de um
diodo ocorre quando o lado n fica
submetido a um potencial positivo
relativo ao lado p do componente,
Nessa situao, os plos da
fonte externa atraem os portadores
livres majoritrios em cada lado da
juno; ou seja, eltrons do lado n e
lacunas do lado p so afastados das
proximidades da juno, conforme
ilustrado na Fig.21.
Fig.20 Diodo sob polarizao inversa.
Com o afastamento dos

portadores majoritrios, aumenta no
s, a extenso da regio de cargas
descobertas, como tambm o valor da
barreira de potencial atravs da
juno.
Com o aumento da barreira de
potencial, torna-se mais difcil o
fluxo, atravs da juno, de eltrons
injetados pela fonte no lado p e de
lacunas no lado n. Como resultado, a
corrente atravs do diodo tende
praticamente a um valor nulo.
Fig.21 Regio de depleo de um

diodo sob polarizao inversa.
Quando o diodo est sob polarizao inversa, impedindo o fluxo de

corrente atravs de seus terminais, diz-se que o diodo est em bloqueio ou na
condio de corte.
Um diodo inversamente polarizado bloqueia o fluxo de

corrente eltrica.
192
SENAI-PE
sempre conveniente modelar um determinado componente eletrnico

atravs de seu circuito equivalente. O circuito equivalente uma ferramenta
largamente utilizada em eletrnica para representar um componente com
caractersticas no comuns, por um circuito consistindo de componentes mais
simples, tais como interruptores, resistores, capacitores etc.
No caso do diodo semicondutor, o circuito equivalente se torna bastante
simplificado quando o diodo considerado ideal, conforme descrito a seguir.
O DIODO SEMICONDUTOR IDEAL

Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta caractersticas
ideais de conduo e bloqueio.
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente eltrica

sem apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado, como
ilustrado na segunda linha da Tabela 1. O interruptor fechado , portanto, o
circuito equivalente para o diodo ideal em conduo.
Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se
como um isolante perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O
interruptor aberto ilustrado na terceira linha da Tabela 1 , portanto, o circuito
equivalente para o diodo ideal na condio de corte.
Em resumo, o diodo ideal comporta-se como um interruptor, cujo estado
controlado pela tenso aplicada aos seus terminais.
Tabela 1 Circuitos equivalentes para o diodo ideal.
193
SENAI-PE
MODELO SEMI-IDEAL DO DIODO SEMICONDUTOR
O diodo ideal um modelo simplificado do diodo real, pois naquele

modelo alguns parmetros relacionados fabricao e s propriedades de
materiais semicondutores so desprezados. Modelos mais realsticos do diodo
operando em conduo ou em bloqueio so descritos a seguir.
Diodo em conduo
Com respeito s caractersticas de conduo do diodo semicondutor, devese levar em conta que o diodo entra em conduo efetiva apenas a partir do
momento em que a tenso da fonte externa atinge um valor ligeiramente
superior ao valor VB da barreira de potencial.
Deve-se tambm considerar a existncia de uma resistncia eltrica
atravs da juno quando o diodo est sob polarizao direta. Essa resistncia
existe em qualquer semicondutor, devido a colises dos portadores com a rede
cristalina do material. O valor da resistncia interna dos diodos em estado de
conduo normalmente inferior a 1.
Assim, um modelo mais aprimorado para o circuito equivalente do diodo
em conduo pode ser obtido pela associao srie de um resistor Rc,
representativo da resistncia direta de conduo, com uma fonte de tenso VB
correspondente ao valor da barreira de potencial na juno, como mostrado na
Fig.22.
Fig.22 Modelo semi-ideal do diodo semicondutor em conduo.

Em situaes em que o diodo utilizado em srie com componentes que
exibem resistncias muito superiores sua resistncia de conduo, esta pode
ser desprezada e o diodo pode ser considerado como ideal, sem que se incorra
em um erro significativo.
No circuito da Fig.23, por exemplo, o valor da resistncia externa 1.500
vezes superior resistncia de conduo do diodo, e o erro relativo cometido no
194
SENAI-PE
clculo da corrente do circuito ao se considerar o diodo como ideal de apenas

1,5%.
49,3 V
= 0,0328 A
1500
Erro relativo(%) =
50
= 0,0333 A
1500
I 2 I1
0.0333 0.0328
0.0005
100 =
100 =
100 = 1,5%
I1
0,0328
0.0328
Fig.23 Circuito com diodo submetido a conduo e clculo do erro cometido ao

se utilizar o diodo ideal como modelo.
Diodo em bloqueio
Efeitos associados temperatura e a absoro de ftons nas
proximidades da juno de um diodo, possibilitam a gerao de uma pequena
quantidade de portadores minoritrios, ou mais precisamente, lacunas no lado
n e eltrons livres no lado p. Conseqentemente, sempre existe uma corrente de
fuga, quando o diodo inversamente polarizado, correspondendo passagem de
portadores minoritrios atravs da juno. Essa corrente de fuga geralmente
da ordem de alguns microampres, o que indica que a resistncia da juno
inversamente polarizada pode chegar a vrios megahoms.
O diodo em bloqueio pode, portanto, ser modelado a partir do circuito

equivalente mostrado na Fig.24.
195
SENAI-PE
Fig.24 Circuito equivalente para o diodo em bloqueio.
CURVA CARACTERSTICA DO DIODO
O comportamento de qualquer componente eletrnico pode ser expresso

atravs de uma curva caracterstica ou curva VI que representa a relao entre
tenso e corrente atravs dos terminais do componente. Dessa forma, para cada
valor da tenso aplicada, pode-se, a partir dos dados da curva caracterstica,
obter o valor da corrente que flui no dispositivo e vice-versa. A curva
caracterstica do diodo serve para determinar seu comportamento real qualquer
que seja o seu estado de polarizao, conforme examinado a seguir.
Regio de conduo
Durante a conduo, uma corrente Id flui atravs do diodo, conforme
ilustrado na Fig.25. A medida que aumenta a corrente injetada Id, a queda de
tenso Vd , observada atravs dos terminais do diodo, aumenta muito pouco em
relao ao valor VB, como conseqncia do baixssimo valor da resistncia de
conduo do diodo.
Fig.25 Modelo do diodo no regime de conduo e parmetros utilizados na

definio da curva caracterstica.
Uma representao grfica dessa relao tensocorrente para o caso do
diodo de silcio mostrada na Fig.26. Nessa representao, a curva
196
SENAI-PE
caracterstica do diodo obtida simplesmente pela unio de todos os pontos

representativos dos pares de valores possveis de corrente Id e tenso Vd, atravs
do diodo no regime de conduo.
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Id (mA)
0,2
0,4
0,6
Vd (V)
0,8
Fig.26 Curva caracterstica do diodo de silcio no regime de conduo.
A obteno do valor
que
de
tenso
V0
corresponde a um dado valor
de corrente I0, feita
conforme
ilustrado
na
Fig.27. Deve-se
traar
inicialmente uma
linha
horizontal a partir do ponto
sobre o eixo vertical
correspondente ao valor I0.
Essa linha intercepta a curva
no ponto P indicado na
Fig.27. Traando-se a partir
de P uma linha vertical,
obtm-se a interseo com o
eixo horizontal no ponto V0
que o valor desejado da
queda de tenso nos
terminais do diodo.
Id
200
180
160
140
120
100
80
I0
60
40
20
0
V0
0,2 0,4 0,6 0,8
Vd
Fig.27 Representao de um par de valores de

tenso e de corrente na curva
caracterstica.
Atravs da curva verifica-se tambm que,
enquanto a tenso sobre o diodo no ultrapassa um valor limite, que corresponde
197
SENAI-PE
ao potencial da barreira VB, a corrente atravs do diodo permanece muito

pequena. Essa condio est indicada na Fig.28, para um tipo de diodo de
silcio, onde Id < 6 mA para Vd < 0,7 V. A partir do valor limite VB = 0,7 V, a
corrente atravs do diodo pode aumentar substancialmente sem que isso cause
um aumento significativo na queda de tenso atravs do diodo. Verifica-se,
portanto, que na faixa de valores Vd > 0,7 V, o diodo comporta-se praticamente
como um resistor de baixssima resistncia.
200
Id(mA)
180
160
140
120
100
80
60
40
6
20
0
0
0,2
0,4
0,6
Vd(V)
0,7
0,8
Fig.28 Curva caracterstica para um tipo comum de diodo de silcio.
198
SENAI-PE
Regio de bloqueio
Como discutido anteriormente, existe uma corrente de fuga quando o
diodo inversamente polarizado.
Essa corrente de fuga aumenta
gradativamente com o aumento da tenso inversa nos terminais do diodo. Esse
comportamento pode ser observado na regio de tenses e correntes negativas
do grfico da curva caracterstica mostrado na Fig.29. Note-se que, para este
tipo de diodo de silcio, a corrente de fuga satura no valor de 1 microampre
negativo.
I d (mA)
0,002
0,001
-0,001
-0,002
-1
-0,8
-0,6
-0,4
-0,2
0,2
Vd (V)
Fig.29 Grfico exibindo a poro da curva caracterstica em que o

diodo inversamente polarizado.
Como em polarizao direta a corrente tipicamente mais de 1.000 vezes
superior ao valor da corrente de polarizao inversa, a representao das duas
regies de operao em um mesmo grfico geralmente feita utilizando-se a
escala de mA na regio de tenses positivas, e a escala de A na regio de
tenses negativas. Essa forma de representao est ilustrada na Fig.30, para um
tipo comum de diodo de silcio, onde se pode visualizar detalhadamente o
comportamento da curva caracterstica em ambos os regimes de operao.
199
SENAI-PE
I d(mA)
150
100
50
V d(V)
-1
-0,8 -0,6 -0,4 -0,2
0,2
0,4
0,6
0,8
-50
Id(A)
-100
Fig.30 Curva caracterstica de um diodo de silcio com escala vertical

dupla para detalhar os regimes de polarizao direta e inversa.
LIMITES DE OPERAO DO DIODO
Os limites de operao do diodo em cc estabelecem os valores mximos

de tenso e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de
corrente contnua, sem provocar danos a sua estrutura.
Analisando o comportamento do diodo no regime de conduo, verificase que a corrente de conduo o fator diretamente influenciado pelo circuito de
alimentao do diodo. A queda de tenso nos terminais do diodo no regime de
conduo praticamente independente do circuito, mantendo-se em um valor
prximo ao valor do potencial da barreira do dispositivo, ou seja, 0,7 V para o
silcio e 0,3 V para o germnio.
200
SENAI-PE
No regime de polarizao inversa, a tenso atravs do diodo o parmetro

diretamente influenciado pelo circuito de alimentao. A corrente de fuga no
muito influenciada pelo circuito externo pois depende apenas das propriedades
materiais do diodo.
Dessa forma, os limites de operao do diodo so definidos pela corrente

de conduo mxima e tenso inversa mxima descritas a seguir.
Corrente de conduo mxima
A corrente mxima de conduo de um diodo fornecida pelo fabricante
em um folheto de especificaes tcnicas. Nesses folhetos, a corrente mxima
de conduo aparece designada pela sigla IF, com a abreviao F simbolizando a
palavra inglesa forward que significa para a frente, direto(a) etc. Na Tabela 2
so especificados valores de IF para dois tipos comerciais de diodos.
Tabela 2 Valores de IF para dois diodos.
TIPO
IF
SKE 1/12
1,0 A
1n4004
1,0 A
Tenso inversa mxima
Sob polarizao inversa, o diodo opera no regime de bloqueio. Nessa
condio, praticamente toda tenso externamente aplicada atua diretamente
entre os terminais do diodo, conforme ilustrado na Fig.31.
Fig.31 Circuito alimentando diodo sob polarizao inversa.

201
SENAI-PE
Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor

mximo da tenso inversa. A aplicao de um valor de tenso inversa superior
quele especificado pelo fabricante, provoca um aumento significativo da
corrente de fuga suficiente para danificar o componente.
Os fabricantes de diodos fornecem nos folhetos de especificao o valor
da tenso inversa mxima que o diodo suporta sem sofrer ruptura. Esse valor
designado por VR. Na Tabela 3 esto listadas as especificaes de alguns
diodos comerciais com os respectivos valores do parmetro VR.
Tabela 3 Especificaes de
correspondentes.
diodos
tenses
inversas
mximas
VR
TIPO
1N4001
BY127
BYX13
SKE1/12
50 V
800 V
50 V
1.200 V
As condies de funcionamento de um diodo podem ser verificadas pela

medio da resistncia atravs de um multmetro.
Os testes realizados para determinar as condies de um diodo resumemse a uma verificao da resistncia do componente nos sentidos de conduo e
bloqueio, utilizando a tenso fornecida pelas baterias do ohmmetro. Entretanto,
existe um aspecto importante com relao ao multmetro que deve ser
considerado ao se testarem componentes semicondutores:
Existem alguns multmetros que, quando usados como

ohmmetros, tm polaridade real invertida com relao polaridade
indicada pelas cores das pontas de prova.
Isso implica que, para estes multmetros:
Ponta de prova preta
Ponta de prova vermelha
Terminal positivo
Terminal negativo
202
SENAI-PE
Para realizar o teste com segurana deve-se utilizar um multmetro cuja

polaridade real das pontas de prova seja conhecida ou consultar o esquema do
multmetro para determinar as polaridades reais.
EXECUO DO TESTE
Para determinar se o diodo est defeituoso, no necessrio identificar os

terminais do nodo e do ctodo. Basta apenas conectar as pontas de prova do
multmetro aos terminais do diodo e altern-las para verificar o comportamento
do diodo quanto s duas polaridades possveis.
A seguir so descritos possveis testes de diodos que podem ser realizados
com o multmetro.
Diodo em boas condies: O
ohmmetro deve indicar baixa
resistncia para um sentido de
polarizao e alta resistncia
ao se inverterem as pontas de
prova nos terminais do diodo,
Diodo em curto: Se as duas
leituras
indicarem
baixa
resistncia, o diodo est em
curto, conduzindo corrente
eltrica nos dois sentidos.
Diodo aberto (interrompido
eletricamente): Se as duas
leituras
indicarem
alta
resistncia o diodo est em
aberto,
bloqueando
a
passagem de corrente eltrica
nos dois sentidos .
Fig.32 Teste das condies do diodo com

um multmetro. Neste exemplo, o
diodo est em boas condies e a
cor vermelha corresponde
polaridade positiva.
Identificao do nodo e ctodo de um diodo: Em muitas ocasies, a barra de

identificao do ctodo no corpo de um diodo pode estar apagada. Nessas
203
SENAI-PE
situaes, os terminais do diodo podero ser identificados com auxlio do

multmetro. O diodo exibe baixa resistncia quando a ponta de prova com a
polaridade real positiva conectada ao nodo. Basta, portanto, testar o diodo
conectando-se as pontas de prova nas duas posies possveis. Quando o
multmetro indicar baixa resistncia, o seu nodo estar conectado ponta de
prova com polaridade real positiva.
204
SENAI-PE
1. Qual a caracterstica eltrica de um material semicondutor?

2. Quais so as duas formas naturais do carbono puro e quais as suas
caractersticas?
3. Quantos eltrons de valncia possuem os seguintes compostos: (a) germnio,
(b) silcio, (c) arsnio e (d) fsforo.
4. Qual a caracterstica eltrica de cristais puros formados por tomos
tetravalentes?
5. O que a dopagem de um semicondutor?
6. O que so um semicondutores tipo n e tipo p?
7. Que tomos de impureza so utilizados na dopagem do silcio para formar
um semicondutor tipo p? E para formar um semicondutor tipo n?
8. O que so lacunas em um semicondutor?
9. De que forma a temperatura altera a condutividade eltrica de um
semicondutor?
10. O que ocorre imediatamente aps a formao de uma juno pn?
11. Sob que condies um diodo entra em conduo ou em bloqueio?
12. Quais os circuitos equivalentes referentes ao diodo ideal e semi-ideal?
13. Qual o valor tpico de tenso que deve ser aplicada a um diodo de germnio
para que ele conduza? E para o diodo de silcio?
205
SENAI-PE
=" '
Retificao o nome dado ao processo de transformao de corrente

alternada (ca) em corrente contnua (cc). Esse processo utilizado com a
finalidade de permitir que equipamentos de corrente contnua sejam alimentados
a partir da rede eltrica que disponvel apenas na forma de corrente alternada.
A retificao de meia onda um processo de transformao de ca em cc,
que permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de alimentao
da carga, conforme ilustrado na Fig.1.
semiciclo
CIRCUITO
RETIFICADOR
DE MEIA ONDA
tenso retificada
ciclo
Fig.1 Diagrama ilustrando o princpio de operao do circuito retificador de

meia onda.
O circuito retificador de meia onda com diodo empregado em
equipamentos que, apesar de exigirem uma tenso de alimentao unipolar, no
necessitam que a mesma permanea constante como funo do tempo como, por
exemplo, nos carregadores de bateria.
206
SENAI-PE
$%
As caractersticas de
conduo e bloqueio do diodo
semicondutor
podem
ser
utilizadas para obter uma
retificao de meia onda a
partir da corrente alternada da
rede eltrica domiciliar. A
configurao bsica desse tipo
de circuito ilustrada na Fig.2
e o comportamento da tenso
na carga em cada semiciclo da
tenso de alimentao
descrito a seguir.
Fig.2 Circuito retificador de meia onda com

diodo semicondutor.
SEMICICLO POSITIVO
Com base na Fig.3, a tenso no ponto A positiva com relao ao ponto

B, durante o semiciclo positivo. Com esta polaridade da tenso de entrada, o
diodo entra no regime de conduo, permitindo portanto a circulao de
corrente.
Nessas condies, a tenso na carga assume uma forma prxima quela da
tenso de entrada, como pode ser observado na Fig.3.
207
SENAI-PE
Fig.3 Alimentao da carga durante o semiciclo positivo da tenso de entrada.

No entanto, um exame mais minucioso da operao daquele circuito
durante o semiciclo positivo mostra que existe uma pequena diferena entre as
duas formas de tenso, conforme pode-se observar na Fig.4. Note-se que o
diodo s entra efetivamente em conduo a partir do instante de tempo em que a
tenso de entrada supera o potencial de barreira VB. A partir desse momento, a
tenso no diodo mantm-se prxima ao valor VB at o instante de tempo em que,
aps comear a decrescer, torna-se menor do que o valor VB.
Sob essas condies, existiro dois pequenos intervalos de tempo, um no
incio e outro no fim do semiciclo positivo, durante os quais a tenso na carga
nula. Fora desses intervalos, a tenso de entrada supera o valor VB e a tenso na
carga assume uma forma prxima tenso de entrada.
Vale tambm notar, conforme pode ser observado na Fig.4, que o valor
mximo da tenso na carga menor que o valor mximo da tenso de entrada,
por uma quantidade igual queda de tenso sobre o diodo no regime de
conduo. Esse valor da ordem de 0,7 V para o diodo de silcio. Em situaes
em que a condio Vmx >> VB satisfeita, a diferena entre as duas formas de
tenso se torna desprezvel durante o semiciclo positivo.
208
SENAI-PE
Fig.4
Detalhamento das
formas de tenso na
entrada do circuito,
no diodo e na carga
durante o semiciclo
positivo.
SEMICICLO NEGATIVO
Durante
o
semiciclo
negativo o potencial no ponto A
se torna negativo em relao ao
ponto B. Com essa polaridade na
entrada, o diodo entra em
bloqueio
comportando-se
efetivamente como uma chave
aberta, impedindo a circulao de
corrente, conforme ilustrado na
Fig.5.
Fig.6
Tenses
no
circuito
retificador durante o semiciclo negativo.
Fig.5 Circuito retificador durante o semiciclo negativo.
209
SENAI-PE
A condio de corrente
nula no circuito implica que
toda a tenso de entrada
transferida para o diodo, com a
tenso na carga mantendo-se
nula, conforme ilustrado na
Fig.6.
Conclui-se, portanto, que
para cada ciclo completo de
tenso de entrada, apenas o
semiciclo positivo transferido
diretamente para a carga,
estando o semiciclo negativo
aplicado diretamente entre os
terminais do diodo.
Se a posio do
diodo
for
invertida,
conforme ilustrado na
Fig.7, a tenso na carga
simplesmente muda de
sinal conforme ilustrado
na Fig.8.
A forma de tenso resultante sobre a carga denominada de tenso contnua
pulsante. Esta denominao advm do fato de o fluxo de corrente no circuito se
dar em um nico sentido e na forma de pulsos separados por intervalos de
tempo nos quais a corrente no circuito nula.
Fig.7 Circuito retificador com diodo invertido em

relao configurao mostrada na Fig. 2.
210
SENAI-PE
Fig.8 Dependncia temporal da tenso na entrada, sobre o diodo e

sobre a carga do circuito mostrado na Fig.7.
MEDIO DA TENSO NA CARGA
No circuito retificador de meia onda, a tenso de sada que medida na

carga pulsada. Para medir essa tenso de sada, utiliza-se um multmetro ou
um voltmetro de cc com as pontas de prova conectadas aos terminais da carga.
O voltmetro cc ou multmetro em escala de tenso cc,

conectado sada do circuito retificador, sempre indica um valor
mdio para a tenso contnua pulsante sobre a carga.
211
SENAI-PE
1. O que retificao de meia onda?

2. Desenhe o diagrama de circuito de um retificador de meia onda com diodo
semicondutor.
3. Descreva o princpio de funcionamento do retificador de meia onda com
diodo semicondutor.
4. Qual o valor da tenso mdia medida na carga de um retificador a diodo
submetido a uma entrada senoidal tendo Vmx = 3 V ?
5. Qual a tenso efetiva referente ao resultado obtido na questo 4 ?
6. Se a resistncia de carga da questo 4 vale 100 , quais os valores da
corrente mdia e corrente efetiva na carga?
7. Quais so os inconvenientes do processo de retificao de meia onda?
212
SENAI-PE
=" '
-!
"
A retificao de onda completa um processo de transformao de ca

em cc, que permite o aproveitamento dos dois semiciclos da tenso de
alimentao da carga, conforme ilustrado na Fig.1
CIRCUITO
RETIFICADOR
DE ONDA
COMPLETA
semiciclo
ciclo
tenso retificada
Fig.1 Diagrama ilustrando o princpio de operao do circuito retificador de

onda completa.
O circuito retificador de onda completa o mais empregado nos
equipamentos eletrnicos, pois permite obter um melhor aproveitamento da
energia disponvel na entrada do circuito.
A retificao de onda completa pode ser realizada com o emprego de um
transformador com derivao central e dois diodos semicondutores ou
alternativamente, pelo uso de uma ponte de quatro diodos, conforme descrito a
seguir.
$%
0 $%
A retificao de onda completa com derivao central a denominao

tcnica que se d ao circuito retificador de onda completa que emprega dois
diodos semicondutores, quando se deriva o terminal negativo de sada do
213
SENAI-PE
circuito da poro central do secundrio do transformador, sendo o terminal

positivo considerado no ponto de interconexo dos dois diodos, conforme
ilustrado na Fig.2.
Fig.2 Diagrama de circuito do retificador de onda completa com derivao

central.
Esse tipo de configurao tambm recebe a denominao de center tap. A
expresso center tap de origem inglesa, sendo traduzida para a lngua
portuguesa como derivao central.
FUNCIONAMENTO
O princpio de funcionamento do circuito retificador de onda completa

com derivao central pode ser compreendido analisando-se a operao do
circuito por semiciclo da tenso de entrada, conforme exposto a seguir.
Semiciclo negativo
Estabelecendo-se a referncia de potencial no primrio e secundrio do
transformador, conforme indicado na Fig.3, verifica-se, que durante o semiciclo
negativo da tenso de entrada, o nodo do diodo D1 fica submetido a um
potencial positivo, ao passo que o nodo do diodo D2 fica submetido a um
potencial negativo.
214
SENAI-PE
Fig.3 Retificador de onda completa submetido a uma tenso de entrada negativa.

Dessa forma, o diodo D1 entra no estado de conduo enquanto o diodo
D2 entra em bloqueio. Utilizando-se o modelo ideal para o diodo semicondutor,
obtm-se o circuito equivalente ilustrado na Fig.4. Como pode ser a observado,
a condio de conduo de D1 permite a circulao de corrente atravs da carga
do terminal positivo para o terminal de referncia. Nessas condies, a tenso
existente no primrio transferida, com uma inverso de sinal, diretamente para
a carga.
Fig.4 Circuito equivalente para o retificador de onda completa durante o

semiciclo negativo.
215
SENAI-PE
Semiciclo positivo
Durante o semiciclo positivo, ocorre a inverso de polaridade no
secundrio do transformador, conforme ilustrado na Fig.5. Conseqentemente,
o diodo D1 torna-se inversamente polarizado entrando em bloqueio. O estado de
polarizao direta nesse caso ocorre no diodo D2, que entra no regime de
conduo.
Fig.5 Circuito retificador de onda completa submetido a uma tenso positiva.

O circuito equivalente durante este semiciclo , portanto, oposto quele
correspondente ao semiciclo negativo, conforme ilustrado na Fig.6. A corrente
agora circula pela carga, atravs do diodo D2 que est em conduo. O fluxo de
corrente mantm-se no mesmo sentido daquele obtido durante o semiciclo
negativo, e a tenso no primrio transferida diretamente para a carga,
Fig.6 Circuito equivalente para o retificador de onda completa durante o

semiciclo positivo.
216
SENAI-PE
Analisando-se, portanto, um ciclo completo da tenso de entrada,

verifica-se que o circuito retificador transfere para a carga dois semiciclos de
tenso positiva com relao referncia de potencial, conforme ilustrado na
Fig.7, onde os diodos conduzem isoladamente em cada semiciclo.
Fig.7 Resposta do retificador durante um ciclo completo na entrada.
TENSO E CORRENTE DE SADA
Tenso de sada
A retificao de onda completa com derivao central transfere carga
dois semiciclos positivos de tenso para cada ciclo da tenso de entrada. Como a
tenso de sada formada de pulsos idnticos de tenso, o que mostrado na
Fig.8, a tenso cc que seria medida na carga pode ser obtida determinando-se o
valor mdio da tenso de sada em apenas um semiciclo da tenso de entrada.
217
SENAI-PE
Fig.8 Dependncia temporal da tenso na sada do retificador.

Com Vca > 10 V, utiliza-se a Eq.(4). Note-se, no entanto, que na Fig.12 a
posio dos diodos est invertida com respeito configurao da Fig.11. Uma
troca de sinal , portanto, necessria no primeiro membro da Eq.(4), fornecendo
Vcc = 0,9 Vca = 0,9 20 = 18V

Vcc = 18V
Utilizando a Eq.(5), a corrente na carga
I cc =
18V
= 21,9 mA
820
$%
A retificao de onda completa em ponte utiliza quatro diodos

semicondutores e transfere para a carga uma onda retificada, sem a necessidade
de uso de um transformador com derivao central, conforme ilustrado na
Fig.13.
Fig.13 Retificador de onda completa com ponte de quatro diodos.
Esse tipo de configurao, tambm denominado de Ponte de Gratz, tem

o seu princpio de funcionamento descrito a seguir.
218
SENAI-PE
FUNCIONAMENTO
Semiciclo positivo
Considerando o semiciclo de tenso positiva na entrada do circuito

ilustrado na Fig.14, uma inspeo das polarizaes dos quatro diodos indica os
regimes de operao listados na Tabela 1.
Fig.14 Retificador em ponte durante o semiciclo positivo.

Tabela 1 Polarizaes e regimes de operao dos diodos durante o semiciclo
positivo da tenso de entrada.
Diodo
Polarizao
Regime de operao
D1
nodo positivo em relao ao ctodo
conduo
D2
ctodo positivo em relao ao nodo
bloqueio
D3
ctodo negativo em relao ao nodo
conduo
D4
nodo negativo em relao ao ctodo
bloqueio
Utilizando o modelo da chave ideal para o diodo, e as condies

estabelecidas na Tabela 1, obtm-se o circuito equivalente apresentado na
Fig.15.
219
SENAI-PE
Fig.15 Circuito equivalente do retificador em ponte durante o

semiciclo positivo.
Como as chaves em aberto no interferem no funcionamento do circuito,

verifica-se que D1 e D3 em conduo fecham o circuito eltrico, tornando os
pontos A e B da Fig.16 equivalentes. Dessa forma, a tenso de entrada
transferida para a carga.
Fig.16 Simplificao do circuito da Fig.15.
220
SENAI-PE
Semiciclo negativo
Durante o semiciclo
negativo, ocorre a inverso de
polaridade nos terminais de
entrada do circuito, conforme
mostrado na Fig.17 e os
regimes de operao dos diodos
so modificados conforme
listado na Tabela 2.
Fig.17 Retificador em ponte durante o

semiciclo negativo.
Tabela 2 Polarizaes e regimes de operao dos diodos durante o semiciclo
negativo da tenso de entrada.
Diodo
Polarizao
Regime de operao
D1
nodo negativo em relao ao ctodo
bloqueio
D2
ctodo negativo em relao ao nodo
conduo
D3
ctodo positivo em relao ao nodo
bloqueio
D4
nodo positivo em relao ao ctodo
conduo
Com base na Tabela 2, e utilizando-se novamente o modelo da chave

ideal para o diodo, obtm-se o circuito equivalente mostrado na Fig.18.
Fig.18 Circuito equivalente para a ponte retificadora

durante o semiciclo negativo.
221
SENAI-PE
O circuito equivalente com as chaves em aberto removidas mostrado na

Fig.19. Um exame do circuito indica que a tenso de entrada transferida, com
uma inverso de sinal, para a carga. Como a tenso de entrada negativa,
aquela na carga permanece positiva, completando, assim, o processo de
retificao.
Fig.19 Circuito equivalente resultante do retificador em

ponte durante o semiciclo negativo.
A Fig.20 ilustra como a corrente flui no circuito durante o semiciclo

negativo da tenso de entrada, onde se pode verificar que o fluxo de corrente se
d no mesmo sentido daquele obtido durante o semiciclo positivo.
Fig.20 Fluxo de corrente na ponte retificadora durante o

semiciclo negativo da tenso de entrada.
222
SENAI-PE
1. O que retificao de onda completa?

2. Como se compara o rendimento de um retificador de onda completa em
relao ao rendimento de um retificador de meia onda?
3. Quais os valores da tenso mdia e da tenso efetiva medidas na carga de um
retificador de onda completa de derivao central submetido a uma entrada
senoidal de 3 V? Admita que os diodos sejam de silcio.
4. Repita a questo anterior para o caso de um retificador de onda completa
com ponte de quatro diodos.
5. Quais so as vantagens do retificador em ponte em relao ao retificador com
derivao central?
223
SENAI-PE
.!
!
'
A tenso contnua pura se caracteriza por ter uma nica polaridade e por
um valor que no varia ao longo do tempo, como mostrado no grfico da Fig.1.
Fig.1 Tenso puramente contnua como funo do tempo.
A tenso de sada produzida pelos circuitos retificadores, tanto de meia

onda como de onda completa, toma a forma de uma srie de pulsos. A Fig.2
mostra esse tipo de tenso de sada para o caso do retificador de onda completa.
Como pode ser a observado, embora os pulsos de tenso sejam de mesma
polaridade, existe uma variao no tempo do valor da tenso de sada.
Fig.2 Dependncia no tempo da tenso de sada

de um retificador de onda completa.
Salvo em algumas situaes, como por exemplo na sada dos carregadores

de bateria convencionais, a tenso pulsada fornecida pelos circuitos retificadores
comuns no apropriada para uso em circuitos mais sofisticados cuja operao
demanda um alto grau de pureza na tenso contnua de alimentao.
224
SENAI-PE
Essa deficincia presente no retificador comum resolvida pelo emprego

de um filtro conectado entre a sada do retificador e a carga, conforme ilustrado
na Fig.3. O filtro atua no sentido de aproximar a tenso na carga, tanto quanto
possvel, da tenso contnua ideal, de valor constante como mostrado no grfico
da Fig.1.
Fig.3 Diagrama de blocos de um circuito retificador com filtro na sada.
&
A capacidade de armazenamento de energia eltrica dos capacitores pode

ser utilizada como recurso para realizar um processo de filtragem na tenso de
sada de um circuito retificador. Essa filtragem realizada conectando-se o
capacitor diretamente nos terminais de sada do circuito retificador, como
mostrado nos dois diagramas da Fig.4.
Fig.4 Circuitos retificadores de meia onda e onda completa com capacitor de

sada.
Considere, por exemplo, a operao do retificador de meia onda com

capacitor de sada. Nos intervalos de tempo em que o diodo entra em regime de
conduo, uma parte da corrente flui atravs da carga com a parte restante
fluindo para o capacitor, como mostrado na Fig.5.
225
SENAI-PE
Fig.5 Operao do retificador de meia onda com capacitor

de sada durante o regime de conduo.
Nesses intervalos de tempo, carga eltrica transferida da armadura

conectada ao ctodo do diodo para a segunda armadura do capacitor.
Nos intervalos de tempo em que o diodo opera no regime de bloqueio, o
capacitor inicia o processo de transferncia da carga eltrica da armadura
negativa para a positiva. Com o circuito retificador em bloqueio, no possvel
a ocorrncia de um fluxo de corrente atravs do circuito retificador.
Conseqentemente, a corrente produzida pela descarga do capacitor flui atravs
do resistor de carga, conforme ilustrado na Fig.6.
Fig.6 Operao do retificador de meia onda com capacitor

de sada durante o regime de bloqueio.
Por estar em paralelo com o capacitor, o resistor de carga fica sempre

submetido mesma diferena de potencial existente entre as armaduras do
capacitor. medida que ocorre a descarga do capacitor, a diferena de
potencial entre as armaduras diminui, como mostrado na Fig.7.
226
SENAI-PE
Fig.7 Tenso de sada do circuito retificador durante o processo de descarga do

capacitor.
Esse processo de descarga continua at o momento em que a tenso na

entrada atinje um valor V1 suficiente para colocar o diodo novamente no regime
de conduo, como mostrado na Fig.8. Este valor V1 exatamente igual
tenso no capacitor aps um certo intervalo de tempo de descarga. A partir desse
instante de tempo, o nodo do diodo torna-se positivo em relao ao ctodo, e a
carga eltrica armazenada na armadura positiva do capacitor comea novamente
a aumentar.
Fig.8 Grfico da tenso de sada do retificador de meia onda com filtro

capacitivo.
Observando-se o grfico da Fig.8, nota-se que o diodo permanece em

conduo at o instante em que a tenso de entrada atinge o valor mximo Vmx.
Dessa forma, a colocao do capacitor permite que a tenso de sada, embora
varivel, permanea sempre prxima ao valor mximo Vmx, obtendo-se
efetivamente um aumento no valor mdio da tenso de sada.
227
SENAI-PE
O aumento no valor mdio da tenso no resistor de carga pode ser

observado comparando-se os grficos das tenses de sada do circuito retificador
com e sem filtro capacitivo, conforme ilustrado na Fig.9.
Fig.9 Comparao das tenses de sada do circuito retificador de meia

onda com e sem filtro capacitivo.
A colocao de um capacitor na sada de um circuito

retificador aumenta o valor da tenso mdia na carga.
$%
O capacitor na sada do circuito retificador sofre sucessivos processos de

carga e descarga. Nos perodos de conduo do diodo o capacitor sofre carga e
sua tenso aumenta, enquanto nos perodos de bloqueio o capacitor descarrega e
sua tenso diminui.
Os intervalos de tempo t1 e t2 indicados na Fig.10 definem as duraes dos
processos de carga e descarga, respectivamente.
228
SENAI-PE
t1 = intervalo de tempo do processo de carga do capacitor.

t2 = intervalo de tempo do processo de descarga do capacitor.
Fig.10 Definio dos tempos de carga e descarga do capacitor.
Como se pode observar no grfico da Fig.11, a tenso de sada no

assume o valor constante caracterstico de uma tenso puramente contnua,
variando no tempo entre os valores extremos V1 e Vmx. Essa variao na tenso
de sada denominada de ondulao, termo derivado do ingls ripple.
Fig.11 Ondulao na tenso de sada do circuito retificador de meia onda com

filtro capacitivo.
Ondulao ou ripple, a variao observada na tenso de sada

do circuito retificador com filtro capacitivo.
Utilizando T = 16,6 ms, Imx = 150 mA e Vond = 2 V, o uso da Eq.(4)

fornece
229
SENAI-PE
C = 16,6
150
2
C = 1245 F
Exemplo 3: Repetir o Exemplo 2 para o caso de um circuito de onda completa.
Neste caso, utiliza-se na Eq.(4) o valor T = 8,33 ms, que fornece
C = 8,33
150
2
C = 625 F
Ao se projetar uma fonte retificadora, alm do valor da capacitncia do

filtro, deve-se, tambm, especificar sua tenso de isolao. A tenso de isolao
deve ser sempre superior ao maior valor da tenso de operao do capacitor.
O filtro capacitivo ideal seria aquele que possibilitasse a obteno de uma

tenso de sada no ondulada. Certamente este tipo de capacitor deveria exibir
uma capacidade de armazenamento de carga eltrica elevadssima para poder
manter a tenso de sada absolutamente constante. Nota-se, portanto, que a
utilizao prtica de um filtro capacitivo que produza pequena ondulao na
sada requer uma certa ponderao:
Diminuir o percentual de ondulao implica no uso de filtros

de alta capacitncia, que alm de serem mais volumosos, aumentam
o custo do projeto.
Na prtica, os filtros capacitivos normalmente utilizados na construo de
fontes retificadoras so do tipo eletroltico, pois esse tipo de filtro apresenta um
alto valor de capacitncia por unidade de volume.
Vale tambm observar que, se a tenso de ondulao de uma fonte
retificadora elevada demais para alimentao de um determinado equipamento,
utilizam-se normalmente circuitos eletrnicos destinados especificamente
regulao da tenso de alimentao, evitando, assim, a necessidade de alterao
do filtro capacitivo.
230
SENAI-PE
1. Qual o objetivo de utilizao de um filtro na sada de um retificador?

2. O que ocorre com a tenso mdia na carga quando se coloca um capacitor em
paralelo com a sada de um retificador?
3. O que ondulao?
4. Qual a relao entre ondulao e qualidade de uma fonte retificadora?
5. Que fatores influenciam a ondulao?
6. Qual a tenso mdia na sada de um retificador de meia onda, com filtro,
submetido a uma tenso de entrada com Vmx = 10 V para uma tenso de
ondulao de 1 V?
7. Que modo de operao deve ser utilizado em um osciloscpio para medio
precisa da tenso de ondulao na sada de uma fonte retificadora com filtro?
8. Por que se utilizam capacitores eletrolticos na construo de fontes
retificadoras?
231
SENAI-PE
LED INFRAVERMELHO
Existem LEDs que emitem luz no infravermelho, que uma forma de

radiao invisvel ao olho humano. Apesar de no se poder observar a luz
emitida de um LED infravermelho, esse dispositivo apresenta o mesmo
princpio de funcionamento dos LEDs convencionais.
LEDs infravermelhos so utilizados principalmente em alarmes
residenciais e industriais, em dispositivos de controle remoto e em sistemas de
comunicaes pticas.
# $%
O emprego do LED em tenses contnuas exige a fixao da sua corrente
direta nominal. A limitao da corrente pode ser feita atravs de um resistor
conectado em srie com o LED.
A Fig.8 ilustra o diagrama de um circuito retificador de onda completa
que utiliza um LED como indicador de fornecimento da tenso de sada do
circuito.
Fig.8 Circuito retificador de onda completa com LED indicador da tenso cc.
232
SENAI-PE
O valor de resistncia do resistor limitador pode ser obtido da expresso
Rlim =
Vcc VF
IF
(1)
onde
Vcc = tenso de sada da fonte.
VF = tenso nominal de conduo do LED.
IF = corrente nominal de conduo do LED.
Exemplo 1: Determinar a resistncia do resistor limitador para uma fonte que
fornece uma tenso cc de 10 V, para utilizao de um LED LD30C, como
mostrador luminoso.
Da segunda linha da Tabela 1, tem-se que
VF = 1,6 V , IF = 20 mA
Utilizando o valor Vcc=10 V da Tabela 1, resulta,
Rlim =
10 1,6 8,4
=
0,02
0,02
Rlim = 420
Nessas condies, a potncia dissipada no resistor seria,
P = (Vcc VF ) IF = (10 1,6) 0,02 = 8,4 0,02

P = 168 mW
233
SENAI-PE
1. O que um diodo emissor de luz e qual a sigla utilizada para sua

representao?
2. Quais as caractersticas principais de um diodo emissor de luz?
3. Qual a forma adequada de polarizao de um diodo emissor de luz?
4. Que parmetros so normalmente utilizados pelo fabricante para representar
as condies e limites de operao de um diodo emissor de luz?
5. Que aplicaes fazem uso do diodo emissor de luz que emite no
infravermelho?
234
SENAI-PE
( !* D
O diodo emissor de luz um tipo especial de juno semicondutora que

emite luz quando diretamente polarizada. A sigla LED surgida do termo ingls
Light Emitting Diode, a denominao amplamente utilizada nas referncias a
esse componente.
A forma adotada para se representar o LED em diagramas de circuito
essa mostrada na Fig.1.
Fig.1 Representao de circuito de um diodo emissor de luz.
LEDs so encapsulados nas mais diversas configuraes, algumas das

quais esto ilustradas na Fig.2.
Fig.2 Alguns encapsulamentos tpicos de LEDs.

O ctodo do LED pode ser identificado como sendo o terminal localizado
prximo ao corte lateral na base do encapsulamento, conforme indicado na
Fig.3.
235
SENAI-PE
Fig.3 Identificao do ctodo de um tipo comum de LED.
LEDs so largamente utilizados como mostradores luminosos em uma

variedade de equipamentos eletro/eletrnicos, em dispositivos de controle
remoto, em sensores de alarmes residenciais ou industriais, ou mesmo como
fontes de luz em sistemas de comunicaes pticas.
Dentre as caractersticas principais do diodo emissor de luz, pode-se
destacar:
Baixo consumo de energia.

Imunidade a vibraes mecnicas.
Pequenas dimenses.
Alta durabilidade.
.
Como ilustrado na Fig.4, quando o diodo emissor de luz polarizado
diretamente, entra em conduo, permitindo a circulao de corrente.
A corrente atravs do LED se processa atravs da injeo de lacunas
provenientes do lado p e de eltrons, do lado n da juno. Dessa forma, uma
grande quantidade de eltrons e lacunas coexistem em uma estreita regio nas
proximidades da juno.
236
SENAI-PE
Fig.4 Diodo emissor de luz no regime de conduo.
A coexistncia de eltrons e lacunas possibilita a ocorrncia de processos

de recombinao eltron/lacuna. Recombinao o nome que se d ao
processo de captura de eltrons por lacunas existentes nas ligaes entre tomos
do cristal semicondutor. Nesse processo, o eltron libera energia na forma de um
fton de luz, conforme ilustrado na Fig.5.
Fig.5 Emisso de ftons por processos de recombinao na juno pn.
C
LED.
A seguir so apresentados alguns dos parmetros de especificao de um
CORRENTE DIRETA NOMINAL
A corrente direta nominal, denotada pelo parmetro IF o valor de

corrente de conduo especificado pelo fabricante para o qual o LED apresenta
237
SENAI-PE
um rendimento luminoso timo. Esse valor tipicamente 20mA para LEDs

disponveis comercialmente.
CORRENTE DIRETA MXIMA
A corrente direta mxima, denotada pelo parmetro IFM, corresponde ao

valor mximo da corrente de conduo que pode fluir atravs do LED, sem que
este venha a sofrer ruptura estrutural.
TENSO DIRETA NOMINAL
A tenso direta nominal, denotada pelo parmetro VF a especificao

fornecida pelo fabricante para a queda da tenso tpica atravs do LED quando a
corrente de conduo atinge o valor nominal IF , como ilustrado na Fig.6.
Fig.6 Queda de tenso e corrente nominais em um LED.
TENSO INVERSA MXIMA
A tenso inversa mxima, denotada pelo parmetro VR, a especificao

para o valor mximo da tenso inversa que pode ser aplicada ao LED sem que
este venha a sofrer ruptura. A tenso inversa mxima em LEDs comerciais
tipicamente da ordem de 5V.
A Tabela 1 lista as caractersticas de alguns LEDs disponveis
comercialmente.
238
SENAI-PE
Tabela 1 Parmetros caractersticos de alguns LEDs comerciais.

LED
Cor
VF (IF = 20mA)
IF mx
LD 30C
vermelho
1,6V
100mA
LD 37I
verde
2,4V
60mA
LD 35I
amarelo
2,4V
60mA
O diodo emissor de luz pode ser testado seguindo o mesmo procedimento

de teste do diodo comum; ou seja, com o emprego de um multmetro
selecionado para medio de resistncia. O painel do instrumento deve indicar
valores de alta e baixa resistncia ao se alternar a posio dos terminais de
conexo do multmetro aos terminais do LED. Geralmente o LED acende
durante o teste com polarizao direta.
LED BICOLOR
O LED bicolor consiste essencialmente de dois LEDs colocados em um

nico encapsulamento, conforme ilustrado na Fig.7. Esse dispositivo tem trs
terminais, um dos quais comum a ambos os LEDs do encapsulamento. A cor
da luz emitida pode ser selecionada alimentando-se o par de terminais referente
a essa cor.
Fig.7 LED bicolor e representao de circuito das conexes eltricas.
239
SENAI-PE
( #
O diodo Zener um tipo especial de diodo utilizado como regulador de
tenso. A sua capacidade de regulao de tenso empregada principalmente
nas fontes de alimentao, para obteno de uma tenso de sada praticamente
constante.
A Fig.1 mostra o smbolo geralmente utilizado para representao do
diodo Zener nos diagramas de circuito.
Fig.1 Smbolo de representao do diodo Zener.
#
O comportamento do diodo Zener depende fundamentalmente da forma
como polarizado, conforme discutido a seguir.
POLARIZAO DIRETA
Quando polarizado diretamente, o diodo Zener se comporta como um

diodo convencional; ou seja, operando no regime de conduo com uma queda
de tenso tpica atravs de seus terminais.
A Fig.2 mostra um circuito utilizado para polarizar diretamente um diodo
Zener de silcio, juntamente com a poro da curva caracterstica representativa
da regio de conduo do diodo.
240
SENAI-PE
200
I (mA)
150
100
50
0
0
0,2 0,4 0,6 0,8

V (Volts)
Fig.2 Diodo Zener polarizado diretamente e curva caracterstica correspondente.
Normalmente o diodo
Zener no utilizado com
polarizao direta nos circuitos
eletrnicos.
2I
1.5
1
POLARIZAO INVERSA
At um determinado valor
da tenso inversamente aplicada,
o diodo Zener comporta-se como
um diodo comum, ou seja,
operando no regime de bloqueio.
Neste regime, circula atravs do
diodo uma pequena corrente de
fuga, conforme ilustrado no
grfico da Fig.3.
0.5
Is
conduo
0
I s 0.4 0.6 0.8 V1
-1 -0. -0. -0. -0. 0 0.2
8 6 bloqueio
4 2
-0.5
-1
Fig.3 Regies de conduo e bloqueio na

curva caracterstica do diodo Zener.
Na Fig.3, o sinal negativo

associado corrente de fuga ou de saturao (Is ) indica que, no regime de
bloqueio, a corrente flui no sentido inverso atravs do diodo.
241
SENAI-PE
A
partir
de
um
determinado valor da tenso
inversa aplicada ao diodo, ocorre
o efeito de ruptura, que faz com
que o diodo entre subitamente
em conduo, mesmo estando
submetido a uma polarizao
inversa, conforme ilustrado na
Fig.4. A partir dessa condio, a
corrente
inversa
aumenta
rapidamente e a queda de tenso
atravs do diodo se mantm
praticamente constante.
O valor VZ da tenso
inversa a partir da qual o diodo
Zener entra no regime de
conduo denominado de
tenso Zener.
I2
1.5
1
V z
0.5
0
V
-2 -1 -1 -1 -1 -1 -0 -0 -0 -0 0 0. 0. 0. 0. 1 1. 1. 1. 1. 2
.8 .6 .4 .2 .8 .6 .4
.2 2 4 6 8 2 4 6 8
-0.5
ruptura
-1
-1.5
-2
Fig.4 Efeito de ruptura em um diodo Zener.
O valor Vz da tenso inversa que coloca o diodo Zener em

regime de conduo denominado de tenso Zener.
Enquanto houver corrente inversa fluindo atravs do diodo Zener, a tenso
entre os seus terminais mantm-se praticamente fixada no valor VZ.
O funcionamento tpico do diodo Zener com corrente inversa,

o que estabelece uma tenso constante entre os seus terminais.
importante observar que quando polarizado inversamente, qualquer
juno semicondutora pode sofrer o efeito de ruptura. A diferena fundamental
entre um diodo Zener e aquele aqui denominado de diodo comum ou
convencional, reside no fato de o diodo Zener ser fabricado com materiais
242
SENAI-PE
semicondutores condicionados a resistir ao valor intenso da corrente inversa

presente no regime de ruptura, ao passo que um diodo convencional seria
danificado permanentemente se submetido s mesmas condies de operao.
#
So os seguintes os parmetros utilizados na caracterizao do diodo
Zener:
Tenso Zener.
Potncia mxima de dissipao.
Coeficiente de temperatura.
Tolerncia.
TENSO ZENER
O valor da tenso Zener, ou tenso de ruptura de um diodo controlada

durante o processo de fabricao e depende da resistividade da juno
semicondutora. A escolha adequada das dimenses, tipo de material e grau de
dopagem, possibilitam a operao normal do diodo mesmo quando submetido a
alto valor de corrente inversa.
Os diodos Zener so fabricados com valores do parmetro Vz que variam
de 2 V at algumas dezenas de volts. O valor da tenso Zener fornecido pelo
fabricante nos folhetos tcnicos do componente.
POTNCIA MXIMA DE DISSIPAO
O diodo Zener operando com uma tenso fixa Vz na regio de ruptura,

percorrido por uma alta corrente inversa, dissipando, portanto, potncia na
forma de calor. A potncia dissipada Pz pode ser obtida do produto
Pz = Vz Iz
(1)
onde Iz a corrente inversa de operao definida na Fig.4.

Cada diodo Zener pode operar at um valor mximo da potncia de
dissipao, valor este que assegura a operao normal do componente. Esse
243
SENAI-PE
limite de potncia fornecido pelo fabricante no folheto de especificaes do

diodo.
Utilizando as especificaes do parmetro Vz e da potncia mxima de
dissipao Pz,mx, a corrente inversa mxima de operao do diodo Iz,mx, pode
ser calculada com o auxlio da Eq.(1), resultando em
I z,mx =
Pz,mx
(2)
Vz
O valor da corrente, calculado atravs da Eq.(2), no pode ser excedido

sob pena de danificao do diodo Zener por excesso de aquecimento.
Diodos Zener com potncia mxima de dissipao de cerca de 1 Watt
podem ser encontrados com encapsulamentos de vidro ou plstico. Para
operao a nveis mais altos de potncia, o componente geralmente fabricado
com um encapsulamento metlico, do tipo mostrado na Fig.5 para facilitar a
retirada de calor do material semicondutor, minimizando, assim, o aquecimento.
Fig.5 Encapsulamento de um diodo Zener de alta potncia.
A faixa de valores de corrente de operao do diodo Zener ilustrada na

Fig.6, determinada por dois valores limite, assim definidos:
Iz,mx = valor mximo da corrente de operao.
Iz,mn = valor mnimo da corrente de operao.
244
SENAI-PE
I2
1.5
1
0.5
V z
0
V
-2 -1 -1 -1 -1 -1 -0 -0 -0 -0 0 0. 0. 0. 0. 1 1. 1. 1. 1. 2
.8 .6 .4 .2 .8 .6 .4
.2 2 z,min
4 6 8 2 4 6 8
-0.5
-1
-1.5
z,max
-2
Fig.6 Limites de operao do diodo Zener na curva caracterstica.
O valor mximo calculado com o uso da Eq.(2), e o valor mnimo

definido como 10% do valor mximo; ou seja,
I z,mn =
I z,mx
(3)
10
COEFICIENTE DE TEMPERATURA
Os diodos Zener so fabricados com materiais semicondutores, que

sofrem influncia da temperatura. Esta influncia se traduz em variaes no
valor da tenso Zener, a partir de variaes na temperatura de operao.
Esse efeito pr-especificado pelo fabricante, sendo caracterizado na
forma de um coeficiente de temperatura que permite determinar de quantos
milivolts varia o valor Vz para cada grau centgrado de variao da temperatura.
Devido a uma diferena existente entre os dois mecanismos responsveis
pela produo da corrente de ruptura em um diodo Zener, o coeficiente de
temperatura pode ser positivo ou negativo. Essa diferena permite classificar
dois grupos distintos de componente conforme discriminado na Tabela 1.
245
SENAI-PE
Tabela 1 Diviso de componentes em dois grupos de acordo com o sinal do

coeficiente de temperatura.
Coeficiente de
Tenso Zener
Observao
temperatura (mV/C)
A tenso Zener diminui
Negativo
com o aumento da
Vz 6V
temperatura
A tenso Zener aumenta
Positivo
com o aumento da
Vz > 6V
temperatura.
A curva caracterstica da
Fig.7 ilustra a dependncia trmica
da tenso Zener para um
componente com coeficiente de
temperatura positivo.
Os valores da tenso
Zener constantes nos folhetos
tcnicos so definidos para
uma temperatura de operao
de 25C.
-35 -30 -25 -20 -15 -10
-5
I
65oC
25oC
Fig.7 Variao da curva caracterstica

de um diodo Zener com
coeficiente
de
temperatura
positivo.
TOLERNCIA
A tolerncia do componente especifica a variao que pode existir entre o

valor especificado e o valor real da tenso inversa de operao do diodo Zener.
Isso significa que um diodo Zener de 12 V pode ter uma tenso inversa real, por
exemplo, de 11,5 V.
A tolerncia juntamente com os parmetros de operao so especificados
pelos fabricantes por um cdigo de identificao do componente, conforme
descrito na Tabela 2.
246
SENAI-PE
Tabela 2 Formas de especificao da tolerncia de diodos Zener a partir dos

cdigos de identificao.
Tolerncia
Especificao da tolerncia
Exemplo
5%
O ltimo elemento do cdigo de Cd. de ident.: 1N4742 A
Caracteriza um diodo Zener
identificao a letra A
de 12V, 1W, com tolerncia
de 5%
10%
O ltimo elemento do cdigo de Cd. de ident.: 1N4733
Caracteriza um diodo Zener
identificao um numeral
de 5,1V, 1W, com tolerncia
de 10%
A tolerncia de 5% do componente 1N4742A especificado na Tabela 2,

indica que a tenso Zener pode variar no intervalo 11,4 V Vz 12,6 V. J o
componente 1N4733, de 10% de tolerncia, teria uma tenso Zener situada no
intervalo 4,6 V Vz 5,6 V.
DIODO ZENER IDEAL VERSUS REAL
O diodo Zener ideal

definido como aquele
que, operando no regime de
ruptura, mantm a tenso
absolutamente
constante
independente da corrente
inversa fluindo atravs de
seus terminais.
A Fig.8 mostra a
regio de ruptura da curva
caracterstica de um diodo
Zener considerado ideal.
Como
pode
ser
a
observado, tal dispositivo
seria capaz de manter a
tenso fixada em um valor
constante Vz para valores
distintos
da
corrente
inversa atravs do diodo.
I2
1.5
1
0.5
V z
0
-2
-1
0
-0.5
-1
V
2
z1
z2
V z1=V z2=V z
-1.5
-2
Fig.8 Regio de ruptura na curva caracterstica

de um diodo Zener ideal.
247
SENAI-PE
A regio de ruptura de um diodo Zener real caracterizada por uma

pequena variao da tenso Zener quando a corrente inversa alterada,
conforme ilustra o grfico da Fig.9. Porm, considerando que a variao em Vz
seja muito pequena, o diodo Zener pode ser considerado ideal na maioria das
aplicaes de interesse prtico.
I
0.5
V z2
V z1
0
-1
z1
z1 < I z2
V
2
V z1 < V z2
z2
-0.5
Fig.9 Regio de ruptura na curva caracterstica de um diodo Zener real.
248
SENAI-PE
1. Qual a forma adequada de polarizao de um diodo Zener e qual a sua

principal aplicao em eletrnica?
2. Descreva o fenmeno que ocorre a partir da aplicao de uma tenso inversa
em um diodo Zener.
3. Que parmetros so utilizados na caracterizao de um diodo Zener?
4. O que coeficiente de temperatura de um diodo Zener?
249
SENAI-PE
( ( #
5*! ( (
"
O comportamento do diodo Zener na regio de ruptura permite a

montagem de circuitos reguladores de tenso, a partir de fontes que forneam
tenses onduladas, incluindo situaes em que a carga apresente um consumo
varivel. Um diagrama representativo de um circuito regulador de tenso a
diodo Zener na sada de uma fonte de alimentao ilustrado na Fig.1.
Fig.1 Diagrama de blocos e formas de onda associadas aos trs estgios de uma
fonte de alimentao regulada a diodo Zener.
Para que o diodo Zener opere adequadamente como regulador de tenso
necessrio introduzir um resistor que limite a corrente inversa atravs do diodo a
um nvel inferior ao valor mximo especificado pelo fabricante, conforme
indicado na Fig.2. Como pode ser a observado, o diodo deve ser conectado em
paralelo com a carga, que fica assim submetida mesma tenso existente entre
os terminais do Zener.
250
SENAI-PE
Fig.2 Diagrama de um circuito regulador a diodo Zener,

com um resistor limitador de corrente.
&
O circuito regulador
com diodo Zener deve ser
alimentado na entrada com
uma tenso pelo menos 40%
superior ao valor da tenso
Zener, para que possa efetuar
adequadamente a regulao.
Por exemplo, se a tenso
regulada for especificada com
um valor de 6V o circuito
regulador deve utilizar um
diodo Zener com VZ = 6V e
ser alimentado com uma
tenso de entrada de pelo
menos 8,5V, como mostra a
Fig.3.
Fig.3 Um possvel diagrama de circuito para

obteno de uma sada regulada de 6V.
Com base no diagrama de circuito mostrado na Fig.4, a corrente atravs

do resistor limitador dada pela soma
Is = I z + I R
(1)
onde:
Is = corrente atravs do resistor Rs;
Iz = corrente inversa no diodo Zener;
IR = corrente de carga.
251
SENAI-PE
Fig.4 Correntes atravs dos elementos do circuito da Fig.3.

Com o diodo Zener operando na regio de ruptura, a corrente atravs do
resistor limitador tal que a queda de tenso se torna
Vs = Vent Vz
(2)
onde:
Vs = queda de tenso no resistor limitador.
Vent = tenso de entrada.
Existem trs possibilidades de variao nas condies de operao da
fonte regulada:
Variaes no nvel de tenso de entrada.
Variaes na corrente de carga.
Variaes no nvel de tenso de entrada e na corrente de carga.
A operao do circuito regulador mediante essas condies analisada a
seguir.
VARIAES NO NVEL DE TENSO DE ENTRADA
Esta situao muito comum em circuitos eletrnicos alimentados pela

rede eltrica ca, como resultado da ondulao na tenso cc obtida a partir do
processo de retificao com ou sem filtro capacitivo de sada. O comportamento
do circuito regulador operando sob estas condies discutido a seguir.
252
SENAI-PE
Acrscimo no nvel de tenso de entrada

Quando ocorre um acrscimo no nvel da tenso de entrada, esse aumento
normalmente tenderia a ser transferido diretamente para a carga. Entretanto, o
diodo Zener estando em paralelo com a carga mantm a tenso de sada
constante.
A Fig.5a mostra o circuito regulador submetido a um acrscimo na tenso
de entrada que varia de um valor Vent(t1) at um valor Vent(t2) entre os instantes
de tempo t1 e t2, de acordo com o grfico da Fig.5b. A este aumento de tenso
deve corresponder um aumento de corrente no circuito.
Fig.5 (a) Circuito regulador a diodo Zener, com o grfico ilustrativo do

aumento na tenso de entrada em (b) e o aumento correspondente na
corrente atravs do diodo em (c).
O aumento de corrente no circuito ocorre exclusivamente atravs do diodo
Zener, conforme se pode verificar a partir da curva caracterstica mostrada na
Fig.5c. Como pode ser a observado, a corrente atravs do diodo que no instante
253
SENAI-PE
t1 valia Iz(t1), aumenta para um valor Iz(t2). Isso faz que a tenso atravs do
diodo aumente do valor Vz(t1) para o valor Vz(t2). No entanto, como a regio de
ruptura na curva caracterstica praticamente vertical, a variao na tenso
Zener muito pequena, fazendo que a tenso na carga permanea praticamente
constante.
$%
&
Uma fonte de alimentao com tenso de sada regulada a diodo Zener se

compe basicamente dos trs blocos representados na Fig.10.
Fig.10 Diagrama de blocos representativo de uma fonte de alimentao regulada

a diodo Zener.
Os blocos do diagrama da Fig.10 realizam as seguintes funes:
Retificao: A tenso ca da rede eltrica transformada em cc pulsada.
Filtragem: A tenso cc pulsada filtrada, fornecendo uma sada ondulada

prxima tenso cc ideal.
Regulao: A tenso cc ondulada transformada em uma tenso cc

praticamente constante, como mostrado na Fig.11.
Fig.11 Efeito do bloco regulador sobre a forma de tenso ondulada existente na

sada do filtro de um circuito retificador.
254
SENAI-PE
A Fig.12 ilustra o aspecto de uma placa de circuito impresso configurada

para implementao de uma fonte cc com tenso de sada regulada a diodo
Zener, e os blocos correspondentes ao diagrama da Fig.10. O reparo ou teste de
um circuito desse tipo pode ser realizado com base no fluxograma mostrado na
Fig.13.
Fig.12 Placa de circuito impresso de uma fonte cc regulada a diodo Zener.
255
SENAI-PE
Fig.13 Fluxograma utilizado para o reparo ou teste de

uma fonte cc regulada a diodo Zener.
256
SENAI-PE
1. Qual a principal utilizao do diodo Zener?

2. Para que um regulador a diodo Zener opere adequadamente, quo maior deve
ser a tenso de entrada com relao tenso regulada?
3. Descreva os efeitos produzidos em um circuito regulador quando ocorre um
aumento na tenso de entrada.
4. Repita a questo 3 no caso de ocorrer uma diminuio na tenso de entrada.
5. Como se comporta um regulador a Zener perante variaes na corrente de
carga?
257
SENAI-PE
&
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Traduzido e adaptado pelo Setor de Divulgao Tecnolgica, Siemens. 2.
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LANG, JOHANNES G. Corrente, tenso, resistncia: EP 02 [ Strom,
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260
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DEGEM SYSTEMS. Circuitos transistorizados formadores de pulso. Israel,
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FIGINI, Gianfranco. Eletrnica industrial; circuitos e aplicaes. So Paulo,
Hemus, c 1982. 336p.
261
SENAI-PE
Coleo Eletrnica Bsica I SENAI

Diagramao
Anna Daniella C. Teixeira
Editorao
Diviso de Educao e Tecnologia - DET
262

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Federao das Indstrias do Estado de Pernambuco

SENAI.DR.PE. Eletrnica Bsica I .

SENAI Departamento Regional de Pernambuco

O termo matria empregado genericamente a qualquer substncia

Fig.1 Exemplos de matria.

Qualquer poro de matria pode ser dividida sucessivamente em partes

As partculas que constituem as molculas foram denominadas pelos

Como as partculas subatmicas so muito pequenas, suas massas no

A forma como as partculas subatmicas esto organizadas em um tomo,

Fig.5 O Sistema solar.

Fig.6 O sistema solar.

Como se pode observar na Fig.7, no tomo os prtons e nutrons se

Fig.7 O ncleo do tomo.

Ncleo a regio central do tomo, sendo formado pelo

Eletrosfera a regio do espao ao redor do ncleo onde os

A Fig.8 mostra os tomos de alguns elementos qumicos com as

Todas as reaes qumicas e eltricas, com exceo das reaes nucleares,

Fig.9 Camada de valncia de alguns tomos.

A camada externa da eletrosfera onde se realizam as reaes

Das trs partculas subatmicas, apenas o prton e o eltron possuem

Um tomo est em equilbrio eltrico quando o nmero de

A Tabela 4 apresenta alguns exemplos de tomos eletricamente

Fig.10 tomo com carga positiva.

on positivo um tomo com uma deficincia de um ou mais

Da mesma forma, quando um eltron colocado por um processo qualquer

on negativo um tomo com um excesso de um ou mais

Os tomos sempre procuram atingir a estrutura estvel

1. O que so molculas e de que so constitudas?

Como se sabe, necessria a existncia de uma tenso eltrica para que

Eletricamente neutros no estado

Fig.1 Exemplos de corpos neutros.

Eletrizao um processo que permite fazer com que um corpo

Eletrizao por atrito

Fig.2 Eletrizao por atrito produzindo um corpo carregado positivamente.

Na eletrizao por retirada de eltrons, o corpo fica carregado

Eletrizao por atrito

Fig.3 Eletrizao por atrito produzindo um corpo carregado negativamente.

Na eletrizao por acrscimo de eltrons, o corpo fica

Fig.4 Eletrizao do pente por atrito.

Fig.5 Atrao de pequenos pedaos de papel por um pente eletrizado.

Quando dois corpos eletrizados so aproximados um do outro, nota-se que

Fig.6 Interao entre corpos eletrizados.

Tomando-se um pente que no tenha sofrido nenhum atrito, ou seja, sem

capacidade de realizar o trabalho de movimentar o papel, como pode ser visto na

Fig.8 Efeito da atrao eletrosttica entre um pente eletrizado e pequenos

Todo corpo eletrizado apresenta um potencial eltrico.

Potencial eltrico negativo

Fig.9 Corpos com potenciais eltricos positivos e negativos.

Atravs dos processos de eletrizao, possvel fazer com que os corpos

Fig.10 Pente fortemente atritado.

Fig.11 Pente fracamente atritado.

O pente intensamente atritado tem maior capacidade de realizar trabalho

Fig.12 Pente fortemente atritado atrai mais papel.

Fig.13 Pente fracamente atritado atrai menos papel.

POTENCIAL ELTRICO MENOR

Fig.14 Pente com maior potencial.

Fig.15 Pente com menor potencial.

O potencial eltrico de um corpo depende diretamente do desequilbrio

Um maior desequilbrio eltrico implica num maior potencial

A diferena de potencial, abreviada por ddp importantssima nos

Fig.16 Diferena de potencial entre corpos eletrizados.

No campo da eletrnica e da eletricidade, utiliza-se quase