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Diodo

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de


la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que
actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con
dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y
por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir
una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termoinicas constituidos por dos electrodosrodeados de vaco en un tubo de cristal, con un
aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado
en1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo) a
travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado

con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los cuales
son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se
calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de
vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las
vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Polarizacin directa de un diodo[editar]

Polarizacin directa del diodo pn.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el
paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo
del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente
a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia.
Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de
tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y
llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia
de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de un diodo[editar]

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la
tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A
medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8
electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con
lo que se convierten en iones positivos.

Curva caracterstica del diodo[editar]

Curva caracterstica del diodo.

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).


La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor
con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el
diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral,
la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax ).


Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del
diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).


Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de
pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de
10 C en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.


Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta
corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la
corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ).


Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la


realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodonormal o de unin abrupta la ruptura
se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura
puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrnhueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los
electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de
valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez,
se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su
vez. El resultado es unaavalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno
se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener

Tipos de diodo semiconductor


.

Diodo avalancha: Diodo de Silicio:

Diodo de cristal: Diodo de corriente constante:

Diodo tnel o Esaki:

Diodo Gunn:

Ledes de distintos colores.

Diodo emisor de luz o LED

Diodo lser:

Diodo trmico:

Fotodiodos:

Diodo PIN:

Diodo Schottky:

Stabistor:

Diodo Varicap:

Diodo de Potencia

Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de


tensin y corriente, permite la circulacin de corriente en un nico sentido.
Detalles de funcionamiento, generalmente despreciados para los diodos de
seal, pueden ser significativos para componentes de mayor potencia,
caracterizados por un rea mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor
longitud (para soportar tensiones inversas ms elevadas). La figura 2.1
muestra la estructura interna de un diodo de potencia.

Como se puede observar en la figura anterior, el diodo est formado por una
sola unin PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a
la de un diodo de seal, puesto que en este caso existe una regin N
intermediaria con un bajo dopaje. El papel de esta regin es permitir al
componente soportar tensiones inversas ms elevadas. Esta regin de
pequea densidad de dopaje dar al diodo una significativa caracterstica
resistiva en polarizacin directa, la cual se vuelve ms significativa cuanto
mayor sea la tensin que ha de soportar el componente. Las capas que hacen
los contactos externos son altamente dopadas, para obtener un contacto con
caractersticas hmicas y no del tipo semiconductor.

La figura siguiente muestra el smbolo y la caracterstica esttica corrientetensin de un diodo de potencia.

La tensin VF que se indica en la curva esttica corriente-tensin se refiere a la


cada de tensin cuando el diodo est conduciendo (polarizacin directa). Para
diodos de potencia, sta tensin de cada en conduccin directa oscila
aproximadamente entre 1 y 2 Volts. Adems, esta cada depende de la
corriente que circule, tenindose una caracterstica corriente - tensin bastante
lineal en la zona de conduccin. Esta relacin se conoce como la resistencia en
conduccin del diodo, abreviada por Ron y que se puede obtener como el
inverso de la pendiente de la asntota de la curva esttica en la zona de
polarizacin directa. La tensin VR representa la tensin de ruptura del
dispositivo (Breakdown Voltage) o, lo que es lo mismo, la mxima tensin
inversa que puede soportar el diodo cuando ste est bloqueado (polarizacin
inversa).

Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas. Si se supera


el valor de tensin de ruptura especificado por el fabricante, el diodo puede
llegar a destruirse por excesiva circulacin de corriente inversa y en definitiva,
por excesiva disipacin de potencia. Los diodos de potencia pueden llegar a
soportar tensiones de ruptura de kiloVolts (kV), y pueden conducir corrientes
de kiloAmperes (kA). Evidentemente, el tamao del diodo condiciona sus

caractersticas elctricas, llegndose a tener diodos con tamaos del orden de


varios cm2.

1) Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se efecta


instantneamente. Cuando el diodo conduce una corriente I en polarizacin
directa, la zona central de la unin est saturada de portadores mayoritarios, y
aunque un circuito externo fuerce la anulacin de la corriente aplicndole una
tensin inversa, cuando la corriente pasa por cero an existe una cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten la conduccin de
una corriente inversa durante un tiempo, denominado tiempo de recuperacin
inverso (trr), tal como se muestra en la figura 2.3. Los parmetros definidos en
el proceso de bloqueo dependen de la corriente directa, de la derivada de la
corriente (di/dt) y de la tensin inversa aplicada. El tiempo de recuperacin de
un diodo normal es del orden de 10microSeg, siendo el de los diodos rpidos
del orden de algunos nanosegundos.

2) Recuperacin Directa: Es otro fenmeno de retardo de menor importancia


que el anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a conduccin, y cuyo efecto
se muestra tambin en la figura 2.3.

En el proceso de puesta en conduccin, la respuesta del diodo es inicialmente


de bloqueo a la corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobre
tensin Vfp, ocasionada por la modulacin de la conductividad del diodo
durante la inyeccin de portadores minoritarios. As el diodo se asemeja a una
resistencia donde su valor decrece con el tiempo. Esta resistencia equivalente
est relacionada con la concentracin de portadores minoritarios inyectados.
Por tanto Vfp depende de la anchura y resistividad de la zona central del diodo.

Dependiendo de las aplicaciones, existen varios tipos de diodos:

Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin


directa muy pequea (0,3 V tpicos) para circuitos con tensiones
reducidas de salida. No soportan tensiones inversas superiores a 50
100 V.

Diodos de recuperacin rpida: Son adecuados en circuitos de


frecuencia elevada en combinacin con interruptores controlables,
donde se necesitan tiempos de recuperacin pequeos. Para unos
niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de
amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperacin inversas (trr)
de pocos nanosegundos.

Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea: La tensin en el


estado de conduccin (ON) de estos diodos es la ms pequea posible, y
como consecuencia tienen un trr grande, el cual es nicamente
aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea. Estos diodos son
capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Se
pueden conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango de
tensin o de corriente.