You are on page 1of 11

Proiect

Nanotehnologie.
Tranzistor MOS de putere
(tip DMOS)

Profesor coord:
Liviu Moldovan
Student:
Hălmajan Mihai

verificarile dimensiunilor se vor face cu ajutorul : -microscopul cu scanare electronică -metoda elipsometriei (care foloseste refractia si reflexia unei radiatii la contactul cu suprafetele . pe parcursul procesului.1. Rezultatul final dupa urmarea procesului de constructie la nivel nano Datorită dimensiunilor foarte mici la care se lucrează.Reprezentarea schematică a unui tranzistor MOS de putere (tip DMOS).

metanol.Prezetarea etapelor de constructie Pasul 1 : Spălarea tranşei pe care se vor depune materialele : -clatirea cate aproximativ 5 minute in următoarea ordine: tricloretilenă. apă deionizată Pasul 2: Depunerea substratului de tip n .-metoda dectacului -metoda in 4 puncte (din punct de vedere electric) 2. acetonă.

Pasul 3 : Se depune un strat de răsină fotosensibilă prin fotolitografie pe zona unde nu dorim sa dopăm P. -cu portocaliu am reprezentat stratul de răsină fotosensibilă După dopare => .

-in cazul in care doparea se face prin difuzie .va fi urmată de un tratament termic puternic pentru uniformizarea densitatii de impuritati in profunzimea substratului dopat Pasul 4 :-restrângem si mai mult zona neacoperită de răsină pentru a face o dopare de tip n in interiorul zonei dopate P Rezulta : In continuare o sa avem nevoie de o noua zona neprotejată de răsină pentru a face o dopare n+ asa ca se face o spălare pentru a inlătura răsina Pasul 5 : Depunem iar un strat de răsină si lasam neprotejată zona in care urmează sa facem doparea n+ si rezultă : .

. aplicam iar un proces de fotolitografie protejând zonele unde nu vrem sa gravăm .Pasul 6 : -Inlaturăm stratul de răsină prin spalare cu acetonă -depunem un strat de SIO2 pe toata suprafata Pasul 7 : Deoarece urmeaza sa gravăm.

Paul 8 : aplicăm una din metodele de gravare in cele doua zone dorite si rezultă : Pasul 9 : -urmează sa depunem metal prin metalizare in cele doua zone gravate si protejăm restul zonei .

-tranşa este pregatită pentru a incepe procesul de metalizare Pasul 10 :-aplicam procesul de metalizare si rezultă .

Pasul 11 : se spală placa pentru a inlatura răsina Pasul 12 : Pregătim placa pentru a depune un strat de metal -aplicăm din nou un strat de răsină prin fotolitografie pentru a proteja restul zonelor unde nu vrem sa se depună metalul .

Pasul 13 : Depunem stratul de metal dorit prin metalizare Pasul 14 : Procesul de constructie al tranzistorului s-a incheiat .

Facem o serie de spălări repetate pentru a curata placa de răsină.compusi oragnici si orice fel de impuritati . de grăsimi.