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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Laboratorio Fundamentos de circuitos analgicos.


Informe Prctica:
Ccaracterizacin de transistores.
Ray Lester Tejada Pardo 2103659
Brigitte Camargo Reina 2102145
I.

Introduccin.

El transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxidesemiconductor


Field-effect
transistor)
es
un transistor utilizado
para
amplificar
o
conmutar seales electrnicas. El transistor mosfet es
el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o
digitales.
Prcticamente
la
totalidad
de
los microprocesadores comerciales estn basados en
transistores MOSFET.
II.

III.

Objetivos.
1. Objetivo general.
Extraer los parmetros que caracterizan a
los MOSFET, tales como ,
,y .
2. Objetivos especficos.
Comparar el comportamiento fsico del
transistor MOS a travs de mtodos
experimentales y los ofrecidos por
modelos matemticos.
Obtener las curvas caractersticas de los
transistores MOS incluidos en el circuito
integrado CD4007.
Estimar
los
parmetros
ms
representativos de los transistores NMOS y P-MOS, tales como ,
,y
.

Marco terico.

Los transistores MOSFET son dispositivos de efecto


de campo que utilizan un campo elctrico para crear
un canal de conduccin.

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de


canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A
su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin
o deflexin; en la actualidad las segundos estn
prcticamente en desuso y aqu nicamente sern
descritos los MOS de acumulacin tambin
conocidos como de enriquecimiento.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain),
puerta (G, Gate) y sustrato (B, Body). Sin embargo,
el sustrato generalmente est conectado internamente
al terminal de fuente y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
IV.
Prctica.
1. Transistor NMOS.
a. Caracterstica Vs

Se realiz el montaje de la figura 1.

Figura 1. Transistor NMOS con OPAMS.


Se tomaron diferentes valor de
, y con dicho
valores fijos de
, calculamos los valores de
y

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER


ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

. Estos valores se encuentran contenidos en las


siguientes tablas:
Tabla 1. Para

Tabla 3. Para

igual a

igual a
0

1531

-13.30

0.18216

1532

-13.30

1530

-13.28

0.50292

1532

-13.30

0.17523

1534

-13.28

1.08

1532

-13.30

0.50688

1535

-13.28

1.03

1535

-13.28

2.03
3.05

1533
1539

-13.30
-13.30

2.04
3.05

1536
1541

-13.28
-13.28

4.00

1540

-13.30

5.03

1541

-13.30

4.06

1542

-13.28

5.05

1543

-13.28

6.06
7.05

1542
1543

-13.30
-13.30

6.04
7.03

1544
1544

-13.28
-13.28

8.08

1544

-13.30

9.01

1546

-13.30

8.02

1546

-13.28

10.04

1547

-13.30

9.01

1547

-13.28

10

1548

-13.28

Tabla 2. Para

Tabla 4. Para

igual a

igual a
0

1530

-13.30

0.17820

1529

-13.32

0
0.396

1531
1532

-13.26
-13.29

0.50490

1530

-13.32

1.07

1530

-13.32

0.495

1532

-13.29

1.06

1533

-13.29

2.07
3.01

1531
1537

-13.32
-13.32

2.04
3.01

1534
1540

-13.29
-13.29

4.08

1539

-13.32

5.03

1540

-13.33

4.06

1541

-13.29

5.05

1542

-13.29

6.06
7.05

1541
1542

-13.33
-13.33

6.04
7.03

1543
1544

-13.29
-13.29

8.08

1543

-13.33

8.02

1545

-13.29

9.03

1544

-13.33

9.01

1546

-13.29

10.18

1546

-13.33

10

1548

-13.29

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Tabla 5. Para

igual a

Tabla 7. Para

igual a

1547

-13.29

1545

-13.27

0.19208

1547

-13.29

0.19008

1541

-13.26

0.50688

1548

-13.30

0.50688

1542

-13.26

1.07

1549

-13.30

1.03

1543

-13.26

2.00
3.07

1551
1557

-13.30
-13.30

2.06
3.01

1546
1552

-13.27
-13.27

4.04

1559

-13.30

4.08

1555

-13.27

5.05

1561

-13.31

5.11

1557

-13.27

6.04
7.03

1564
1566

-13.30
-13.31

6.02
7.05

1559
1562

-13.27
-13.27

8.02

1569

-13.31

8.04

1564

-13.27

9.01

1571

-13.31

9.07

1567

-13.27

10.00

1573

-13.31

10.02

1569

-13.27

Tabla 6. Para

Tabla 8. Para

igual a

igual a

1540

-13.25

1546

-13.27

0.19404
0.51084

1540
1541

-13.28
-13.28

0.19008

1541

-13.27

0.50688

1542

-13.28

1542

-13.29

2.00

1544

-13.29

1.05
2.00

1543
1546

-13.28
-13.27

3.17
4.16

1549
1552

-13.29
-13.29

3.01

1552

-13.27

4.06

1554

-13.28

5.15

1554

-13.29

6.04

1557

-13.29

5.15
6.04

1557
1559

-13.28
-13.28

7.03

1560

-13.29

7.13

1562

-13.28

8.02
9.01

1562
1564

-13.29
-13.29

8.02

1564

-13.28

10.00

1567

-13.29

9.11
10.10

1566
1569

-13.28
-13.28

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Tabla 9. Para

Las grficas obtenidas Excel son mostradas en las


siguientes figuras. Para las tablas del 1 al 5, se
muestran en la figura 2 y de las tablas del 6 al 10, en
la figura 3, respectivamente.

igual a

1546

-13.30

0.18810

1541

-13.31

0.52470

1542

-13.31

1.23

1543

-13.31

2.00
3.45

1545
1552

-13.31
-13.31

4.47

1555

-13.31

5.54

1557

-13.31

6.18
7.21

1559
1561

-13.31
-13.31

8.04

1563

-13.31

9.19

1566

-13.31

10.02

1568

-13.31

Tabla 10. Para

Figura 2. Graficas de las tablas del 1 al 5.

igual a

1546

-13.31

0.18513

1540

-13.31

0.51876

1541

-13.31

1.03

1542

-13.31

2.02

1544

-13.31

3.09

1551

-13.31

4.06

1553

-13.31

5.15

1556

-13.31

6.14

1558

-13.31

7.13

1561

-13.31

8.12

1563

-13.31

9.01

1564

-13.31

10.10

1564

-13.31

Figura 3. Graficas de las tablas del 6 al 10.

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b. Caracterstica

Vs

. Estos valores se encuentran contenidos en las


siguientes tablas:

Tabla 11. Caractersticas de transistor NMOS.


Tabla 12. Para
2.22
2.23
2.24
2.25
2.26
2.35
2.37
2.41
2.42
2.47
2.51
2.54
2.58
2.61
2.63
2.66
2.68
2.70
2.72
2.72
2.73

3.76
3.75
3.72
3.67
3.60
3.51
3.44
3.27
3.22
3.03
2.86
2.72
2.53
2.43
2.30
2.19
2.01
1.99
1.93
1.89
1.85

2. Transistor PMOS.
a. Caracterstica Vs

15.58
15.02
14.19
13.17
12.22
11.20
10.44
9.14
8.66
7.31
6.24
5.33
4.13
3.46
2.70
2.03
1.48
0.86
0.46
0.26
0.01

igual a

1530

-13.28

-0,18269

1532

-13.28

-0,50756

1532

-13.28

-1,15

1535

-13.28

-2,05
-3,01

1537
1541

-13.28
-13.28

-4,07

1542

-13.28

-5,02

1544

-13.28

-6,09
-7,02

1545
1546

-13.28
-13.28

-8,07

1546

-13.28

-9,05

1547

-13.28

-10,07

1548

-13.28

Tabla 13. Para

igual a

Se realiz el montaje de la figura 2.

Figura 4. Transistor PMOS con OPAMS.


Se tomaron diferentes valor de
, y con dicho
valores fijos de
, calculamos los valores de
y

1531

-13.26

-0,385
-0,479

1533
1533

-13.29
-13.29

-1,05

1535

-13.29

-2,02

1536

-13.29

-3,05
-4,08

1541
1541

-13.29
-13.29

-5,06

1543

-13.29

-6,06

1543

-13.29

-7,09
-8,01

1545
1546

-13.29
-13.29

-9,00

1547

-13.29

-10,05

1549

-13.29

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Tabla 14. Para

igual a

Tabla 16. Para

igual a

1530

-13.30

1546

-13.29

-0,1760

1531

-13.30

-0,20216

1548

-13.29

-0,4596

1532

-13.30

-0,51676

1548

-13.30

-1,06

1532

-13.30

-1,06

1549

-13.30

-2,02
-3,05

1535
1538

-13.30
-13.30

-2,01
-3,08

1551
1555

-13.30
-13.30

-4,01

1540

-13.30

-4,05

1558

-13.30

-5,06

1541

-13.30

-5,06

1561

-13.31

-6,05
-7,06

1542
1543

-13.30
-13.30

-6,05
-7,02

1564
1566

-13.30
-13.31

-8,09

1544

-13.30

-8,05

1569

-13.31

-9,02

1546

-13.30

-9,09

1571

-13.31

-10,05

1547

-13.30

-10,05

1575

-13.31

Tabla 15. Para

igual a

Tabla 17. Para

igual a

1530

-13.30

1541

-13.25

-0,1785

1529

-13.32

-0,19404

1542

-13.28

-0,5075

1530

-13.32

-0,51084

1543

-13.28

-1,08

1531

-13.32

-2,07
-3,02

1532
1536

-13.32
-13.32

-1,05
-2,01

1543
1544

-13.29
-13.29

-3,21

1547

-13.29

-4,07

1538

-13.32

-4,18

1552

-13.29

-5,03

1541

-13.33

-6,05
-7,06

1542
1545

-13.33
-13.33

-5,19
-6,12

1553
1555

-13.29
-13.29

-7,07

1560

-13.29

-8,07

1546

-13.33

-8,05

1562

-13.29

-9,02

1547

-13.33

-10,01

1549

-13.33

-9,02
-10,09

1563
1565

-13.29
-13.29

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Tabla 18. Para

igual a

Tabla 20. Para

igual a

1545

-13.27

1546

-13.30

-0,10128

1542

-13.26

-0,18810

1541

-13.31

-0,51569

1543

-13.26

-0,52470

1542

-13.31

-1,02
-2,05

1544
1547

-13.26
-13.27

-1,23
-2,01

1544
1545

-13.31
-13.31

-3,00

1550

-13.27

-3,45

1552

-13.31

-4,07

1553

-13.27

-4,56

1555

-13.31

-5,12
-6,01

1555
1558

-13.27
-13.27

-5,54
-6,21

1557
1559

-13.31
-13.31

-7,06

1562

-13.27

-7,27

1561

-13.31

-8,07

1565

-13.27

-8,19

1563

-13.31

-9,09

1567

-13.27

-9,15

1566

-13.31

-10,05

1568

-13.27

-10,09

1568

-13.31

Tabla 19. Para

igual a

Tabla 21. Para

igual a

1546

-13.27

1546

-13.31

-0,19008

1541

-13.27

-0,18513

1545

-13.31

-0,50688

1542

-13.28

-0,51876

1540

-13.31

-1,05

1545

-13.28

-1,03

1541

-13.31

-2,00

1546

-13.27

-2,02

1545

-13.31

-3,01

1552

-13.27

-3,10

1550

-13.31

-4,06

1555

-13.28

-4,07

1553

-13.31

-5,15

1557

-13.28

-5,13

1555

-13.31

-6,04

1559

-13.28

-6,19

1558

-13.31

-7,13

1562

-13.28

-7,12

1561

-13.31

-8,02

1564

-13.28

-8,17

1563

-13.31

-9,11

1567

-13.28

-9,10

1564

-13.31

-10,10

1569

-13.28

-10,19

1567

-13.31

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Las grficas obtenidas Excel son mostradas en las


siguientes figuras. Para las tablas del 11 al 15, se
muestran en la figura 5 y de las tablas del 16 al 20, en
la figura 6, respectivamente.

Figura 5. Graficas de las tablas del 11 al 15.

b. Caracterstica

Vs

Tabla 22. Caractersticas de transistor PMOS.


-2.22
-2.23
-2.24
-2.25
-2.26
-2.35
-2.37
-2.41
-2.42
-2.47
-2.51
-2.54
-2.58
-2.61
-2.63
-2.66
-2.68
-2.70
-2.72
-2.72
-2.73

3.76
3.75
3.72
3.67
3.60
3.51
3.44
3.27
3.22
3.03
2.86
2.72
2.53
2.43
2.30
2.19
2.01
1.99
1.93
1.89
1.85

-15.58
-15.02
-14.19
-13.17
-12.22
-11.20
-10.44
-9.14
-8.66
-7.31
-6.24
-5.33
-4.13
-3.46
-2.70
-2.03
-1.48
-0.86
-0.46
-0.26
-0.01

3. Caracterizacin de los transistores NMOS y


PMOS.
a. Caracterizacin de transistor NMOS.
Tomamos la Tabla 1. Con
Figura 6. Graficas de las tablas del 16 al 20.
0
0.19008
0.50688
1.03
2.06
3.01
4.08
5.11
6.02
7.05
8.04
9.07
10.02

1545
1541
1542
1543
1546
1552
1555
1557
1559
1562
1564
1567
1569

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER


ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

La curva caracterstica de nuestro transistor NMOS


es la siguiente:

Sea
[

Esta lnea recta se iguala a la ecuacin de saturacin


del transistor NMOS, as:
)(

]
[

)]

De igual manera se calculan los parmetros

)(

y para las tablas 2 hasta 10. Dando como resultados


de la tabla 23.

Tabla 23. Parmetros del transistor N-MOS.


Siendo:

[
(

Y:

)(

-1.30
-2.02

15.5460
5.7820

1.5170
0.9010

-553.0487
-901.0175

1.8082
1.1096

0.7046
0.3765

-3.77

5.3406

0.8734

-937.2131

1.0670

0.3048

-4.25

5.9099

0.7922

-890.0524

1.123

0.2661

-5.12

14.7870

0.3237

-568.9383

1.7577

0.1022

-6.10

15.5013

0.3060

-553.1609

1.8078

0.0909

-7.07

15.5470

0.3058

-553.0289

1.8082

0.0862

-8.07

14.7044

0.3234

-568.6889

1.7584

0.0869

-9.03

14.1458

0.3379

-581.3122

1.7202

0.0871

-10.12

12.6534

0.3756

-612.8891

1.6316

0.0927

b. Caracterizacin de transistor PMOS.


Cuando

es igual a 0, el voltaje

, as:

Tomamos la Tabla 15. Para

Ahora:

Sea la ecuacin de efecto cuerpo:

Como
[

, la tensin

es igual a 0.

0
-0,20216
-0,51676
-1,06
-2,01
-3,08
-4,05
-5,06
-6,05
-7,02
-8,05
-9,09
-10,05
La curva caracterstica
es la siguiente:

1546
1548
1548
1549
1551
1555
1558
1561
1564
1566
1569
1571
1575
de nuestro transistor NMOS

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER


ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Esta lnea recta se iguala a la ecuacin de saturacin


del transistor NMOS, as:
[
)(

)(

V.

Y:

)(

es igual a 0, el voltaje

, as:

Ahora:
VI.
Sea la ecuacin de efecto cuerpo:
[

Como

, la tensin
[

Sea

)]

]
[

Siendo:

Cuando

es igual a 0.

Conclusiones.
Al polarizar un transistor es de suma
importancia tener conocimiento de la hoja de
datos, pues si se excede el voltaje o la
corriente mximos especificados en la hoja
de datos, el transistor puede sufrir daos y
afectar el circuito que se est trabajando.
Todos los transistores tienen parmetros que
difieren en algunos aspectos, por lo que se
debe escoger aquel que cumpla con las
especificaciones y exigencias del proyecto a
realizar, teniendo claro as los parmetros del
dispositivo.
La corriente de drenador de cada uno de los
MOSFET se controla mediante la tensin
. As mismo, a partir de cierto voltaje
,
llamado voltaje de umbral o Vt, es posible
que se forme el canal y por ende que circule
corriente del drenador al surtidor.
Los datos calculados tericamente con las
ecuaciones, nos brindan un acercamiento y
una idea de los valores de resistencia y
voltaje reales que se deben aplicar, son muy
prximos pero para algunos casos se tena
que replantear los valores de resistencia y
ganancia para lograr el objetivo de la
amplitud de la seal de entrada que se exiga.
Bibliografa.

"Microelectronic Circuits, Sedra, Smith, 5th


edition, Oxford University Press, New York,
2004.
"The Art of Electronics", Horowitz and Hill,
Cambridge University Press.
"LM741 Operational Amplifier" Datasheet,
Texas Instruments, 2015.