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LECCIN 2

ESTADSTICA DE ELECTRONES Y HUECOS EN LOS


SEMICONDUCTORES
1)INTRODUCCIN
Como hemos visto en la Leccin 1, una banda llena no contribuye al transporte de
carga o energa a travs de un slido. Existe un gran nmero de sustancias en las que se da la
circunstancia de que, a T= 0 K, todos los electrones se encuentran en bandas completamente
llenas, y las bandas vacas se encuentran a energas superiores, separadas de las bandas llenas
por un intervalo de energa en el que no existen estados electrnicos (figura 1). Se llama
banda prohibida Eg a la diferencia entre el borde inferior de las bandas vacas y el borde
superior de las bandas llenas. A una temperatura diferente del cero absoluto, siempre habr
cierta proporcin de electrones ocupando las bandas superiores (y contribuyendo a los
fenmenos de transporte), y cierta proporcin de estados vacos en las bandas inferiores (que
tambin contribuirn al transporte). Segn el valor de Eg , esa proporcin de electrones puede
ser mas o menos grande. A los slidos en los que Eg es tan grande que la concentracin de
electrones excitados es siempre despreciable, se les llama aislantes. Para valores de E g
inferiores a unos 3 eV, la concentracin de electrones excitados puede llegar a ser apreciable
a temperaturas no muy altas. A dichos slidos se les llama semiconductores. No existe, pues,
diferencia cualitativa entre semiconductores y aislantes.

Figura 1: bandas de energa en un semiconductor


En un semiconductor, se denomina banda de valencia a la banda ocupada situada
mas alta en energa y banda de conduccin a la banda vaca situada mas baja en energa.
Dichas bandas son las que juegan un papel predominante en los fenmenos de transporte, ya
que las restantes bandas estarn siempre totalmente llenas o totalmente vacas.
2)ESTADSTICA DE ELECTRONES Y HUECOS
INTRNSECO
1

EN

EL SEMICONDUCTOR

Consideremos un semiconductor con la estructura de bandas de la figura 1. A 0 K, la


banda de valencia estar totalmente ocupada por N electrones, por unidad de volumen, de
manera que:
Ev

N = gV ( E )dE

(1)

0
donde gv(E) es la densidad de estados por unidad de volumen en la banda de valencia. Al ser
1 la probabilidad de ocupacin de todo estado de energa inferior a Ev, no hay que introducir
ninguna funcin de distribucin estadstica. Por el contrario, a T 0 K, la probabilidad de que
los estados de la banda de conduccin estn ocupados es no nula y hay que introducir la
funcin de distribucin de Fermi-Dirac:

Ev

N = f(E) g v (E)dE + f(E) g c (E)dE


0

(2)

Ec

donde gc(E) es la densidad de estados en la banda de conduccin. Como N no vara, ya que


los electrones pasan de un estado a otro, conservndose su nmero, y la dilatacin trmica es
despreciable, podemos escribir, a partir de las ecuaciones 1 y 2:

Ev

Ev

g V (E)dE = f(E) gv(E)dE + f(E) gv(E)dE


0

(3)

Ec

o, lo que es lo mismo:

Ev

1 f(E) g (E)dE = f(E) g (E)dE


v

(4)

Ec

1-f(E) es la probabilidad de que el estado o estados a energa E estn vacos, luego el primer
miembro de la ecuacin 4 es en realidad la concentracin de estados vacos en la banda de
valencia, a los que llamaremos huecos. Como el segundo miembro es la concentracin de
electrones en la banda de conduccin, la ecuacin 4 se reduce a:
n=p
(5)
que indica, simplemente, que por cada electrn que pasa a la banda de conduccin, aparece
2

un hueco en la banda de valencia. Recordemos la forma de la funcin de distribucin de


Fermi-Dirac:

1 f(E) = 1

1
1+ e

E EF
kT

E EF
kT
E EF
kT

= e
1+ e

1
1+ e

(6)

E EF
kT

La ecuacin 6 muestra que 1-f(E) tiene la misma estructura que f(E), por lo que puede
considerarse como funcin de distribucin de una partcula, a la que llamaremos hueco, cuya
energa se mide en sentido contrario a la de los electrones, por lo que podemos considerarlos
como partculas con carga positiva. Definamos las siguientes nuevas variables:
Ee = E - Ec ......

Eh= -(E-Ev)

EFe=Ec - EF.......

EFh=EF - Ev

(7)

Podemos, pues, escribir:

g (E ) 1+
V

Ev

1
e

E h E Fh
kT

dEh = gC (Ee )
0

1
1+ e

E e E Fe
kT

dE e

(8)

En el primer miembro, podemos cambiar el signo intercambiando los lmites de integracin y


extender hasta infinito el lmite superior de integracin dado que, en todo caso, E h + EFh >>kT
y, por tanto, el integrando tiende rpidamente a cero al alejarnos del borde de las bandas.
Dado que ambos miembros tienen la misma forma y que las densidades de estados en ambas
bandas van a ser del mismo orden de magnitud (o de rdenes muy prximos), E Fh y EFe no
pueden ser muy diferentes, por lo que el nivel de Fermi debe estar muy prximo al centro de la
banda prohibida. Se llama semiconductores no degenerados a aquellos en los que el nivel de
Fermi se encuentra en la banda prohibida, a varias unidades kT del borde de las bandas. En ese
caso, la exponencial en el denominador de la funcin de Fermi-Dirac es siempre mucho mayor
que 1 y dicha estadstica coincide con la de Boltzmann, por lo que la ecuacin 8 se reduce a:

g ( E )e
v

Ev

+
E
h E Fh

kT

+
E
e E Fe

( dE )= g ( E )e
h

ecuacin esta que puede escribirse:

kT

dE e

(9)

p e

E Fh 0

E
h

kT ( dE h )=
(
)
g
h
E
e
v e

kT

E Fe
kT

Ev

Ee

g c( E c )e kT dE e n

(10)

Y, si definimos las densidades de estados efectivas en las bandas de valencia y conduccin, Nv


y Nc,

N V = g v( E h )e dE h N C = g C ( E e )e dE e
E
h
kT

Ee
kT

(11)

la ecuacin 10 queda:
E Fh

E Fe

p = N V e kT = N C e kT = n

(12)

Hay que subrayar que la definicin de las densidades de estados es independiente de


las ecuaciones 10 y 11, es decir, independiente de la posicin del nivel de Fermi en la banda
prohibida. De hecho, y como veremos mas adelante, n y p dejarn de ser iguales en
semiconductores con impurezas. Sin embargo, de las ecuaciones 10 y 11 se deduce una
ecuacin general que relaciona n y p. Calculemos el producto de n y p:

np = N V N C e

E Fe+ E Fh
kT

Eg

= N V N C e kT = ni 2

(13)

La cantidad ni (que solo depende de la estructura de bandas del semiconductor y de la


temperatura) es la llamada concentracin intrnseca de portadores y corresponde a la
concentracin de cada tipo de portadores que estn excitados en el semiconductor a una
temperatura dada. Calculemos el valor de ni en el caso de bandas parablicas. Sabemos que,
en ese caso, la densidad de estados en las bandas viene dada por:

g c,v ( E e,h ) =

3
* 2 1
e,h
2
e ,h
2

1 2m
(
)E
2
2

(14)

donde me,h* es la masa efectiva de densidad de estados en la banda correspondiente.


Sustituyendo esta expresin en la ecuacin 11 y haciendo el cambio de variable x=E e,h/KT,
obtenemos:

3
* 2 1
e,h Ee,h 2
kT e,h e,h
2 2
0

3
* 2 1 1
e,h 2 x
2
2 2
0

1 2m
1 2m
N C,V = ( ) e E dE = ( ) kT e x dx
2
2

(15)

La variacin con la temperatura de la concentracin intrnseca en un semiconductor con


bandas parablicas vendr dada por:
E

3 g
kT
* * 2
(
)
( m e m h ) e kT
n =4
2 2
2
i

kT 2 * * 3 2 kTg
(
) ( me mh )4 e
ni = 2
2 2

(16)

Volviendo ahora a la ecuacin 12, podemos calcular la evolucin del nivel de Fermi en funcin
de la temperatura:

N V E c+ E v = 2 E F
e kT
e kT
NC
*
kT
kT
N
m
E
E
C + EC
C + EV
V
+ ln(
)=
+ 3 ln( *h )
EF =
2
2
2
4
NC
me

p = N V e

E F Ev
kT

= N C e

Ec E F
kT

=n

(17)

A T= 0 K, el nivel de Fermi se encuentra justo en el centro de la banda prohibida. Al aumentar


la temperatura, el nivel de Fermi se ir acercando a la banda con menor masa efectiva
(normalmente, la banda de conduccin).
3) ESTADSTICA DE LOS ELECTRONES EN LOS NIVELES DE IMPUREZA
La introduccin de impurezas dadoras o aceptoras en un semiconductor conduce a la
aparicin de estados electrnicos cuya funcin de ondas est localizada en torno a la impureza
y que se encuentran situados, en energa, en la banda prohibida, a unas decenas de milielectronvoltios del borde de las bandas (si se trata de niveles hidrogenoides), o mas cerca del
centro de la banda prohibida ( si se trata de niveles profundos). A baja temperatura, los
electrones se encuentran en los niveles mas bajos de energa, por lo que si el semiconductor
solo contiene impurezas dadoras, los electrones en exceso se encontrarn en los niveles a ellas
asociados. Al aumentar la temperatura, los electrones pueden excitarse a la banda de
conduccin. A dicho proceso se le llama ionizacin de la impureza.
Para determinar como cambia con la temperatura la concentracin de electrones
excitados, hemos de conocer la probabilidad de ocupacin de los niveles localizados. Hay que
tener en cuenta que la estadstica de Fermi-Dirac para electrones libres no puede aplicarse sin
ms a los electrones en los niveles localizados. En todo el tratamiento que hemos hacho hasta
ahora, hemos prescindido de la interaccin repulsiva que existe entre los electrones. La
introduccin de dicha repulsin, as como de la energa de intercambio, no supone un cambio
muy grande en el espectro energtico del slido, cuando los electrones se encuentran en una
5

banda , especialmente si se trata de una banda ancha. Por el contrario, en en estado localizado,
que en principio podra estar ocupado por dos electrones de spin diferente, la repulsin
electrosttica entre ellos es del mismo orden que el campo culombiano atractivo, por lo que
estado con dos electrones tiene una energa muy diferente de estado con un solo electrn. En
la mayora de los casos, dicho estado se encontrar a una energa mucho mayor, confundido
con los estados de la banda de conduccin. En niveles mas profundos y localizados, la
presencia de un segundo electrn puede originar una reestructuracin completa del entorno de
la impureza dando lugar a lo que se llama un centro U, con energa de enlace mas grande. Para
calcular el nmero promedio de electrones en dichos niveles localizados partimos pues de la
hiptesis de que solo un electrn puede ocuparlos. Apliquemos la frmula de Gibbs:

E j N j
kT
j

< n >=

N e

(18)

E j N j

kT

donde la suma se realiza respecto a todos los estados electrnicos posibles. E j es la energa del
estado, Nj el nmero de electrones en el estado y el potencial qumico, es decir, en nuestro
caso, el nivel de Fermi. Tendramos tres estados posibles:
- Nivel vaco: N1=0, E1=0
- Nivel ocupado por un electrn: N2=1, E2=ED
- Nivel ocupado por un electrn de spin opuesto: N3=1, E3=ED
Sustituyendo en la ecuacin 18:

< n >=

2 e

EDEF
kT

1 + 2 e

=
ED EF
kT

1
1 ED EF
e kT + 1
2

(19)

El nmero medio de electrones en el nivel dador, o sea su probabilidad de ocupacin,


difiere de la estadstica de Fermi para electrones libres en el factor 1/2 del denominador.

4) CONCENTRACIN DE ELECTRONES EN UN SEMICONDUCTOR DE TIPO N NO


COMPENSADO
Se llama semiconductor de tipo N a aquel que contiene mas impurezas dadoras que
aceptoras. Si contiene impurezas aceptoras se dice que est parcialmente compensado.
Consideremos que el semiconductor contiene ND impurezas dadoras por unidad de volumen,
que dan lugar a otros tantos estados localizados, situados en la banda prohibida, a la energa
ED. Llamaremos
ED= EC- ED a la energa de ionizacin de la impureza y nD a la
concentracin de electrones en el nivel de impurezas. La concentracin de impurezas
ionizadas ser ND+ = ND- nD. En el semiconductor intrnseco tenamos solo electrones y
huecos, y la ecuacin 5 , n=p , poda considerarse como una ecuacin de neutralidad elctrica
del semiconductor. En la leccin 8 veremos que la neutralidad elctrica debe mantenerse
siempre. En el caso del semiconductor de tipo N, debemos incluir en la ecuacin de
neutralidad tambin las impurezas ionizadas, con lo que, si n y p son las concentraciones de
electrones y huecos, la ecuacin de neutralidad quedar:
n= p + ND+ = p + ND-n D

(20)

ecuacin que indica que un electrn en la banda de conduccin solo puede provenir de la
banda de valencia, en cuyo caso parecer un hueco en dicha banda, o de una impureza, que
quedar ionizada. Por otra parte, siempre debe cumplirse la ecuacin 12, np = n i2. Junto con
la ecuacin 20, esta ltima nos permite obtener n en funcin de la temperatura.
En general, no es necesario incluir todos los trminos de la ecuacin 20, ya que, segn
el rango de temperaturas, predominan unos u otros. As, como la energa de ionizacin de las
impurezas dadoras es mucho mas pequea que la banda prohibida, hasta temperaturas
moderadamente altas, podemos despreciar la concentracin de huecos en la banda de
valencia,y la ecuacin de neutralidad quedar:

n= ND

ND
1
e
2

ED EF
kT

+1 2e

D
EF ED
kT

(21)

+1

usando la ecuacin 12, y definiendo x = exp(EF/kT), se obtiene:


EC E F
kT
C

Ne

ND
2e

EC E D
2 kT

2N C x e

EF ED
kT

+1

EC
kT

ED

N C x e (2 xe kT + 1) = N D

1 ED ND
N C x e N D 0 x x e kT e
2
2 NC

EC
kT

EC E D
kT

(22)

La solucin de esta ecuacin de segundo grado es:


ED
1 ED
8
x = e kT ( 1 1 + N D e kT )
4
NC

(23)

Teniendo en cuenta que x es necesariamente positivo, solo la solucin positiva tiene sentido,
por lo que la variacin del nivel de Fermi con la temperatura viene dada por:
ED
1 ED

8
EF = kT ln e kT ( 1 + N D e kT 1 ) (24)
NC
4

En esta expresin, dado que x debe ser positiva por definicin, hemos prescindido de la
solucin correspondiente al signo menos. Consideremos ahora dos casos lmite:
a) A temperaturas muy bajas, para las que ND >> NC , y por tanto podemos despreciar el 1 en
la raz y fuera de la raz:

1 ED 8 N D ED
e kT
e 2kT
4
N
C

E F = kT ln

EF =

E C + E D + kT ln( N D )
2
2
2NC

(25)

El nivel de Fermi se sita , a 0 K, en el punto medio entre el nivel de impureza y la banda de


conduccin, y tiende a acercarse a la banda al aumentar la temperatura. Para calcular n, basta
con sustituir la expresin de EF en la ecuacin 13, obtenindose:

n = N C e

EC E F
kT

N C N D ED
e 2kT
2

(26)

La concentracin de electrones, a baja temperatura, es decir, cuando los niveles de impureza


estn ionizndose, crece con una energa de activacin igual a la mitad de la energa de
ionizacin de las impurezas.
b) A altas temperaturas, aumenta NC y el segundo trmino dentro de la raiz pasa a ser
despreciable frente a 1, con lo que, al desarrollar la raz, obtenemos:

ED N D ED
ND
e kT = E C + kT ln
E F = kT ln e kT
NC
NC

(27)

En ese rango de temperaturas el nivel de Fermi baja y tiende a acercarse al centro de la banda
prohibida. Al sustituir en la expresin de n , es fcil ver que se obtiene n= N D, es decir, en este
rango de temperaturas la concentracin de electrones permanece constante, lo que
corresponde al hecho de que todas las impurezas estn ionizadas, pero la concentracin de
electrones excitados desde la banda de valencia es an despreciable.
A partir de ese rango de temperaturas, puesto que todas las impurezas estn ionizadas,
el incremento de la concentracin de electrones solo puede provenir de la excitacin de estos
desde la banda de conduccin. La ecuacin de neutralidad ser ahora:
n = p + ND
y, teniendo en cuenta la ecuacin 13,

(28)

n = ni + N D
n

4
n = N D (1 + 1 + n2i )
2
ND

n NDn n = 0
2

2
i

(29)

donde se ha prescindido de la solucin con signo menos por carecer de sentido fsico. El nivel
de Fermi ser ahora

ND
4 ni2

=
+
KT
ln
(1
+
1
+
E F EC
2
2 NC
ND

(30)

De nuevo podemos considerar dos casos lmites:

E
EC
ED
EF

a) Rango de temperaturas no muy altas: ni << ND. En ese


caso las ecuaciones 29 y 30 conducen a:
n = N D E F = E C + kT ln N D (31)
NC
lo que coincide con la ecuacin 27.
b) Rango de temperaturas muy altas: ni >> ND . En ese
caso, n = p, y el nivel de Fermi evoluciona como en el
semiconductor intrnseco.
Las figuras 2 y 3 resumen la variacin del nivel
de Fermi y la concentracin de electrones en el
semiconductor extrnseco.

EV

- En el rango 0 < T <T1 , ionizacin progresiva


de las impurezas.
- En el rango T1 <
ln
n
T <T2 , impurezas totalmente
ionizadas:
rgimen extrnseco (n=ND).
- En el rango T > T2 :
rgimen
intrnseco (n=ni).

T1

5)
EFECTO
COMPENSACIN

T2

DE

LA

ln ND

En general, es muy difcil


obtener
semiconductores que contengan un
solo
tipo
de
impurezas, por lo que siempre hay
que considerar la
presencia de una proporcin mas o
menos grande de
impurezas
aceptoras
en
semiconductores
de tipo N (y viceversa). En los
rangos
de
temperatura que hemos estudiado
en la seccin
anterior, el efecto de la presencia
1/T2
1/T1
1/T de NA aceptores
por unidad de volumen se reduce a
disminuir
el
nmero efectivo de dadores, ya que NA electrones pasarn a los niveles aceptores. En las
ecuaciones anteriores bastar con sustituir ND por (ND- NA). Sin embargo, hay que tener en
cuenta varias situaciones especiales. En particular, si ND=NA , el semiconductor se comportar
9

siempre como intrnseco.


Por otra parte, a muy bajas temperaturas, la ecuacin de neutralidad puede llegar a ser
muy diferente a la del caso no compensado, dando lugar a una evolucin diferente de la
concentracin de portadores y del nivel de Fermi. En la ecuacin de neutralidad, los trminos
predominantes sern los correspondientes a las impurezas:
ND+ =NA

ND

2e

EF ED
kT

+1

= NA

ND -nD =NA

N D N A = EF ED
e kT
2NA

E F = E D + kT ln

ND N A
2NA

(32)

El nivel de Fermi se sita ahora justo en la energa del nivel de impureza para T
tendiendo a cero. Por otra parte, utilizando las ecuaciones 12 y 32, obtenemos la variacin de
n con la temperatura:

n=

Nc( N D N A ) E D
e kT
2NA

(33)

Vemos que, en presencia de compensacin, la energa de activacin para la concentracin de


electrones coincide con la energa de ionizacin de la impureza dadora.
Sealemos para acabar que el desarrollo para semiconductores de tipo P es totalmente
paralelo al que hemos desarrollado, sustituyendo ND por NA y NC por NV.
6) EL SEMICONDUCTOR DEGENERADO
Cuando la concentracin de impurezas es muy alta, el nivel de Fermi puede penetrar en
las bandas, alcanzndose concentraciones de portadores prximas a las de los metales. La
estadstica de Boltzmann deja de ser vlida. Diremos que el semiconductor es degenerado
cuando el nivel de Fermi penetra en la banda varias unidades kT. Veamos como podemos
deducir un criterio para determinar a qu concentraciones se alcanza la degeneracin.
De acuerdo con la ecuacin 25, a medida que van ionizndose las impurezas dadoras a
baja temperatura, el nivel de Fermi se acerca al borde de la banda. Dado que en el siguiente
rango de temperaturas, cuando n es constante, el nivel de Fermi se aleja del borde de la banda,
debe haber un mximo, que obtendremos derivando respecto a T la ecuacin 25:

dEF = k ln N D kT 1 dNC
dT 2 2 NC 2 NC dT

(34)

El mximo se obtendr haciendo cero la derivada, de donde:

10

T dN C
ln N D =
(35)
2 N C N C dT
Recordando la expresin de NC para bandas parablicas, obtenemos:

dN C = 3 N C
dT 2 T

3
ln N D =
2 NC 2

NC =

ND

(36)

2e2

Para dicho valor de NC se alcanza le mximo de EF. Sustituyendo en la ecuacin 15:


*
e,h

3
2

2 ( m kT 2max ) = N D3
2
2e2

T max =

2
3
D
2
3

2 N
*
me k 4 e
2

(37)

La posicin de EF para dicha temperatura ser:

E Fmax =

2
3
D
2
3

EC + E D + 3
EC + E D + 3 N
kT max =
2
4
2
2 m*e 4 e
2

(38)

Esta expresin nos permite calcular la concentracin crtica, que es aquella a la cual
EFmax coincide con el borde de la banda:

EC =

2
3
D
2
3

EC + E D + 3 N
2
2 m*e 4 e
2

3 m
2

ED
N DCri = ( ) 4 e 2
3

*
e
2

3
2

3
2

(38)

Esta condicin puede escribirse de otra manera, que permite mostrar su significado
fsico. La distancia promedio entre impurezas ser d=(ND)-1/3, de manera que, la distancia
promedio correspondiente a la concentracin crtica ser:
1

3 1 1 2 2

d Cr = ( N DCri ) = ( e ) 2 1 *
2
4 3 me E D
Sustituyendo en esta expresin el valor de la energa de ionizacin de una impureza
hidrogenoide,
4 *
E D = e 2m 2 2
32
se obtiene
-

1
3

3 1 1 32 3 4 2 2 3 1 2 *
=
(
e ) 2 1
= ( ) 2 1 a0 1.2 a*0
d Cr
*2 4
2
e 43
4 3 me e
La concentracin crtica resulta ser aquella para la cual la distancia media entre
impurezas es del orden del radio de Bohr efectivo. Para esas concentraciones, las impurezas
no pueden ya considerarse como aisladas, existe interaccin entre ellas y se pasa de estados
localizados degenerados en energa a una banda que se superpone con el fondo de la banda de
conduccin. El semiconductor, incluso a baja temperatura tiene un comportamiento metlico.
Se produce lo que se llama una transicin de Mott (aislante-metal).
11

A partir de esa concentracin, el semiconductor se considera degenerado. En esas


condiciones, solo cuando el nivel de Fermi est varias unidades kT es posible obtener una
relacin analtica entre el nivel de Fermi y la concentracin de electrones. Para ello es
necesario integrar la ecuacin 8 utilizando el desarrollo de Sommerfeld:

df(E)
0 (E)f(E)dE = (E)f(E) 0 0 (E) dE dE

(39)

Donde (E) es una primitiva de (E). Aproximando la derivada de la funcin de distribucin


con la delta de Dirac, obtenemos:

(E)f(E)dE = (0) ( E

(40)

En nuestro caso, (E) es la densidad de estados. Por tanto:


3
3
*2
*2 3
e
e
2
C
2 2
2 2

12
21 2
(E) = g (E) = ( m ) E (E) = ( m ) E
2
3 2

(41)

En consecuencia, y dado que el origen de energas lo hemos tomado en el fondo de la banda,


obtenemos la siguiente expresin:
n=

1
3

2 m*e

3
2

) ( E F E C )2

(42)

Esta ecuacin solo es estrictamente vlida en el caso de degeneracin extrema. Cuando el


nivel de Fermi se encuentra solo una o dos unidades kT dentro de la banda, es necesario
calcular numricamente integral (ecuacin 8), aunque existen expresiones analticas
aproximadas. Por ejemplo, para 1 > (EC-EF)/kT > -5, la concentracin de portadores se en
funcin de T se puede aproximar mediante la ecuacin:

NC
0.25 e

12

EC E F
kT