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INVERSOR CON NMOS DE CARGA

DIAGRAMA

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib .dc V2 0 5 0.01

M2 CMOSN_TT V3 V1 3V 5V M1 CMOSN_TT V2 5V VDD VO VDD
M2
CMOSN_TT
V3
V1
3V
5V
M1
CMOSN_TT
V2
5V
VDD
VO
VDD

BARRIDO EN DC

V(vo) 2.2V 2.0V 1.8V 1.6V 1.4V 1.2V 1.0V 0.8V 0.6V 0.4V 0.0V 0.5V 1.0V 1.5V 2.0V
V(vo)
2.2V
2.0V
1.8V
1.6V
1.4V
1.2V
1.0V
0.8V
0.6V
0.4V
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

GRAFICA DE LA DERIVADA

d(V(vo)) 0m -80m -160m -240m -320m -400m -480m -560m -640m -720m -800m -880m 0.0V 0.5V 1.0V
d(V(vo))
0m
-80m
-160m
-240m
-320m
-400m
-480m
-560m
-640m
-720m
-800m
-880m
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

PUNTO DE MAYOR GANANCIA

GRAFICA DE LA DERIVADA d(V(vo)) 0m -80m -160m -240m -320m -400m -480m -560m -640m -720m -800m

TRANSCONDUCTANCIAS

--- BSIM3 MOSFETS ---

Name:

m2

m1

Model:

cmosn_tt

cmosn_tt

Id:

3.93e-05

3.93e-05

Vgs:

1.39e+00

1.01e+00

Vds:

3.39e+00

1.61e+00

Vbs:

-1.61e+00

0.00e+00

Vth:

1.09e+00

6.93e-01

Vdsat:

2.66e-01

2.51e-01

Gm:

2.83e-04

2.79e-04

Gds:

9.39e-07

1.25e-06

Gmb

4.78e-05

9.45e-05

Cbd:

0.00e+00

0.00e+00

Cbs:

0.00e+00

0.00e+00

Cgsov:

2.30e-15

2.30e-15

Cgdov:

2.30e-15

2.30e-15

Cgbov:

1.43e-15

1.43e-15

dQgdVgb:

3.72e-14

3.84e-14

dQgdVdb: -2.27e-15

-2.28e-15

dQgdVsb: -2.88e-14

-2.95e-14

dQddVgb: -1.59e-14

-1.59e-14

dQddVdb:

2.28e-15

2.29e-15

dQddVsb:

1.60e-14

1.87e-14

dQbdVgb: -5.41e-15

-6.56e-15

dQbdVdb:

6.00e-18

8.09e-18

dQbdVsb: -5.54e-15

-1.02e-14

GANANCIA EN PEQUEÑA SEÑAL

g mM 2+¿ g mbM 2

=

2.79 e

4

2.83 e 4 +4.78 e

5 =0.8434

v=¿ g mM ¿ 1

A ¿

RANGO DE EXCURSION

V(vo) 2.2V 2.0V 1.8V 1.6V 1.4V 1.2V 1.0V 0.8V 0.6V 0.4V 0.0V 0.5V 1.0V 1.5V 2.0V
V(vo)
2.2V
2.0V
1.8V
1.6V
1.4V
1.2V
1.0V
0.8V
0.6V
0.4V
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

Se tiene un rango de excursión de 1.73 V, donde no se alcanza ninguno de los dos rieles.

CANTIDAD DE CORRIENT QUE PASA POR EL INVERSOR. V(vo) Id(M2) Id(M1) 2.4V 990µA 2.2V 900µA 2.0V

CANTIDAD DE CORRIENT QUE PASA POR EL INVERSOR.

V(vo) Id(M2) Id(M1) 2.4V 990µA 2.2V 900µA 2.0V 810µA 1.8V 720µA 1.6V 630µA 1.4V 540µA 1.2V
V(vo)
Id(M2)
Id(M1)
2.4V
990µA
2.2V
900µA
2.0V
810µA
1.8V
720µA
1.6V
630µA
1.4V
540µA
1.2V
450µA
1.0V
360µA
0.8V
270µA
0.6V
180µA
0.4V
90µA
0.2V
0µA
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

Donde La línea roja representa la corriente que pasa a través del inversor.

TRANSITORIO.

M2 CMOSN_TT V3 3V C1 1pF M1 CMOSN_TT V2 PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u)
M2
CMOSN_TT
V3
3V
C1
1pF
M1
CMOSN_TT
V2
PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u)
VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib ;dc V2 0 5 0.01

.tran 5u

V(n003) V(n002) 5.0V 4.5V 4.0V 3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 1.5V 1.0V 0.5V 0.0V 0.0µs 0.5µs 1.0µs
V(n003)
V(n002)
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0µs
0.5µs
1.0µs
1.5µs
2.0µs
2.5µs
3.0µs
3.5µs
4.0µs
4.5µs

TRANSICIONES

tphl = 438.57868ps tplh = 1.6984066ns

A.C.

M2 CMOSN_TT V3 V1 3V 5V C1 1pF M1 CMOSN_TT V2 1.0147059V AC 0.01V VDD VDD
M2
CMOSN_TT
V3
V1
3V
5V
C1
1pF
M1
CMOSN_TT
V2
1.0147059V
AC 0.01V
VDD
VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib ;dc V2 0 5 0.01

;tran 5u .ac dec 100 1 1G

V(n002)/V(n003) V(n003) 0dB -4dB -8dB -12dB -16dB -20dB -24dB -28dB -32dB -36dB -40dB 1Hz 10Hz 100Hz
V(n002)/V(n003)
V(n003)
0dB
-4dB
-8dB
-12dB
-16dB
-20dB
-24dB
-28dB
-32dB
-36dB
-40dB
1Hz
10Hz
100Hz
1KHz
10KHz
100KHz
1MHz
10MHz
100MHz
1GHz

ANCHO DE BANDA = 50.68MHz

VDD

INVERSOR CON CARGA PMOS SATURADA

DIAGRAMA

VDD INVERSOR CON CARGA PMOS SATURADA DIAGRAMA M2 CMOSP_TT VO M1 CMOSN_TT V2 5V .lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
   

M2

CMOSP_TT

 

VO

   

M1

CMOSN_TT

 

V2

5V

 
VDD INVERSOR CON CARGA PMOS SATURADA DIAGRAMA M2 CMOSP_TT VO M1 CMOSN_TT V2 5V .lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
VDD INVERSOR CON CARGA PMOS SATURADA DIAGRAMA M2 CMOSP_TT VO M1 CMOSN_TT V2 5V .lib ami_c5n_corner_bsim3.lib

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib

.dc v2 0 5 0.01

BARRIDO EN DC (CURVA CARACTERISTICA)

V(vo) 4.8V 4.5V 4.2V 3.9V 3.6V 3.3V 3.0V 2.7V 2.4V 2.1V 1.8V 1.5V 1.2V 0.9V 0.0V
V(vo)
4.8V
4.5V
4.2V
3.9V
3.6V
3.3V
3.0V
2.7V
2.4V
2.1V
1.8V
1.5V
1.2V
0.9V
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

GRAFICA DE LA DERIVADA

d(V(vo)) 0.0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0 -1.1 -1.2 -1.3 0.0V
d(V(vo))
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-1.1
-1.2
-1.3
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

PUNTO DE MAYOR GANANCIA

TRANSCONDUCTANCIAS --- BSIM3 MOSFETS --- Name: m2 m1 Model: cmosp_tt cmosn_tt Id: 1.21e-04 1.21e-04 Vgs: 0.00e+00

TRANSCONDUCTANCIAS

--- BSIM3 MOSFETS ---

Name:

m2

m1

Model:

cmosp_tt

cmosn_tt

Id:

1.21e-04

1.21e-04

Vgs:

0.00e+00

1.25e+00

Vds:

1.52e+00

3.48e+00

Vbs:

1.52e+00

0.00e+00

Vth:

-9.28e-01

6.91e-01

Vdsat:

-5.01e-01

4.13e-01

Gm:

3.69e-04

4.01e-04

Gds:

4.95e-06

1.63e-06

Gmb

1.12e-04

1.34e-04

Cbd:

0.00e+00

0.00e+00

Cbs:

0.00e+00

0.00e+00

Cgsov:

8.54e-15

2.30e-15

Cgdov:

8.54e-15

2.30e-15

Cgbov:

1.39e-15

1.43e-15

dQgdVgb:

9.74e-14

3.84e-14

dQgdVdb: -8.55e-15

-2.28e-15

dQgdVsb: -8.25e-14

-2.98e-14

dQddVgb: -4.24e-14

-1.59e-14

dQddVdb:

8.55e-15

2.29e-15

dQddVsb:

4.44e-14

1.87e-14

dQbdVgb: -1.25e-14

-6.54e-15

dQbdVdb: -6.64e-18

8.82e-18

dQbdVsb: -1.48e-14

-9.90e-15

GANANCIA EN PEQUEÑA SEÑAL

v=¿

g mM 1

=

g mM 2 +

1

+

1

r o1

r o2

4.01 e

4

3.69 e 4 +

1

+

1

613496 202020

=−1.06768

A ¿

RANGO DE EXCURSION

V(vo) 4.8V 4.5V 4.2V 3.9V 3.6V 3.3V 3.0V 2.7V 2.4V 2.1V 1.8V 1.5V 1.2V 0.9V 0.0V
V(vo)
4.8V
4.5V
4.2V
3.9V
3.6V
3.3V
3.0V
2.7V
2.4V
2.1V
1.8V
1.5V
1.2V
0.9V
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

Se tiene un rango de excursión de 3.4495159V, donde no se alcanza ninguno de los dos rieles.

CANTIDAD DE CORRIENTE QUE PASA POR EL INVERSOR.

V(vo) Id(M2) Id(M1) 4.8V 2.4mA 4.5V 2.2mA 4.2V 2.0mA 3.9V 1.8mA 3.6V 1.6mA 3.3V 1.4mA 3.0V
V(vo)
Id(M2)
Id(M1)
4.8V
2.4mA
4.5V
2.2mA
4.2V
2.0mA
3.9V
1.8mA
3.6V
1.6mA
3.3V
1.4mA
3.0V
1.2mA
2.7V
1.0mA
2.4V
0.8mA
2.1V
0.6mA
1.8V
0.4mA
1.5V
0.2mA
1.2V
0.0mA
0.9V
-0.2mA
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

Donde La línea roja representa la corriente que pasa a través del inversor.

TRANSITORIO

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib ;dc v2 0 5 0.01 .tran 5u M2 CMOSP_TT V1 5V C1 1pF M1
.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc v2 0 5 0.01
.tran 5u
M2
CMOSP_TT
V1
5V
C1
1pF
M1
CMOSN_TT
V2
PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u)
VDD
VO
VDD
V(n001) V(vo) 5.0V 4.5V 4.0V 3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 1.5V 1.0V 0.5V 0.0V 0.0µs 0.5µs 1.0µs
V(n001)
V(vo)
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0µs
0.5µs
1.0µs
1.5µs
2.0µs
2.5µs
3.0µs
3.5µs
4.0µs
4.5µs

TRANSICIONES

tphl = 722.16582ps tplh = 1.32ns

A. C.

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib ;dc v2 0 5 0.01 M2 ;tran 5u .ac dec 100 1 1G CMOSP_TT
.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc v2 0 5 0.01
M2
;tran 5u
.ac dec 100 1 1G
CMOSP_TT
V1
5V
C1
1pF
M1
CMOSN_TT
V2
1.2473583v
AC 0.01V
VDD
VO
VDD
V(n001) V(vo)/V(n001) 4dB 0dB -4dB -8dB -12dB -16dB -20dB -24dB -28dB -32dB -36dB -40dB 1Hz 10Hz
V(n001)
V(vo)/V(n001)
4dB
0dB
-4dB
-8dB
-12dB
-16dB
-20dB
-24dB
-28dB
-32dB
-36dB
-40dB
1Hz
10Hz
100Hz
1KHz
10KHz
100KHz
1MHz
10MHz
100MHz
1GHz

ANCHO DE BANDA = 56.767316MHz

INVERSOR CON FUENTE DE CORRIENTE DE CARGA

DIANGRAMA

M2 CMOSP_TT V3 V1 3V 5V M1 CMOSN_TT V2 5V VDD VO VDD
M2
CMOSP_TT
V3
V1
3V
5V
M1
CMOSN_TT
V2
5V
VDD
VO
VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib

.dc V2 0 5 0.01

BARRIDO EN DC (CURVA CARACTERISTICA)

V(vo) 5.5V 5.0V 4.5V 4.0V 3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 1.5V 1.0V 0.5V 0.0V 0.0V 0.5V 1.0V
V(vo)
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

GRAFICA DE LA DERIVADA

d(V(vo)) 0 -4 -8 -12 -16 -20 -24 -28 -32 -36 -40 -44 -48 0.0V 0.5V
d(V(vo))
0
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
-48
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

PUNTO DE MAYOR GANANCIA 1.7255364V

GRAFICA DE LA DERIVADA d(V(vo)) 0 -4 -8 -12 -16 -20 -24 -28 -32 -36 -40

TRANSCONDUCTANCIAS

--- BSIM3 MOSFETS ---

Name:

m2

m1

Model:

cmosp_tt

cmosn_tt

Id:

3.63e-04

3.63e-04

Vgs:

7.61e-01

1.73e+00

Vds:

2.76e+00

2.24e+00

Vbs:

2.76e+00

0.00e+00

Vth:

-9.28e-01

6.92e-01

Vdsat:

-8.58e-01

6.83e-01

Gm:

5.91e-04

6.14e-04

Gds:

7.58e-06

6.09e-06

Gmb

1.75e-04

1.92e-04

Cbd:

0.00e+00

0.00e+00

Cbs:

0.00e+00

0.00e+00

Cgsov:

8.54e-15

2.30e-15

Cgdov:

8.54e-15

2.30e-15

Cgbov:

1.39e-15

1.43e-15

dQgdVgb:

9.73e-14

3.83e-14

dQgdVdb: -8.54e-15

-2.28e-15

dQgdVsb: -8.38e-14

-3.04e-14

dQddVgb: -4.24e-14

-1.59e-14

dQddVdb:

8.54e-15

2.29e-15

dQddVsb:

4.44e-14

1.87e-14

dQbdVgb: -1.25e-14

-6.50e-15

dQbdVdb: -2.08e-18

7.04e-18

dQbdVsb: -1.35e-14

-9.28e-15

GANANCIA EN PEQUEÑA SEÑAL

ro1|ro 2)=−6.14e-04 e 4 ((7.58 e 6 )∨¿(6.09 e 6 ))=−44.9

v=¿g mM 1 ¿

A ¿

RANGO DE EXCURSION

(V(vo)) 5.5V 5.0V 4.5V 4.0V 3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 1.5V 1.0V 0.5V 0.0V 0.0V 0.5V 1.0V
(V(vo))
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

Se tiene un rango de excursión de 4.8249537V, donde no se alcanza el riel inferior, pero si, el superior.

CORRIENTE

V(vo) Id(M1) Id(M2) 5.5V 400µA 5.0V 360µA 4.5V 320µA 4.0V 280µA 3.5V 240µA 3.0V 200µA 2.5V
V(vo)
Id(M1)
Id(M2)
5.5V
400µA
5.0V
360µA
4.5V
320µA
4.0V
280µA
3.5V
240µA
3.0V
200µA
2.5V
160µA
2.0V
120µA
1.5V
80µA
1.0V
40µA
0.5V
0µA
0.0V
-40µA
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

Donde La línea roja representa la corriente que pasa a través del inversor.

TRANSITORIO.

M2 CMOSP_TT V3 V1 3V C1 5V 1pF M1 CMOSN_TT V2 PULSE(0 5 0 1n 1n
M2
CMOSP_TT
V3
V1
3V
C1
5V
1pF
M1
CMOSN_TT
V2
PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u)
VDD
VO
VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib

;dc V2 0 5 0.01

.tran 5u

V(vo) V(n002) 5.5V 5.0V 4.5V 4.0V 3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 1.5V 1.0V 0.5V 0.0V 0.0µs 0.5µs
V(vo)
V(n002)
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0µs
0.5µs
1.0µs
1.5µs
2.0µs
2.5µs
3.0µs
3.5µs
4.0µs
4.5µs

TIEMPOS DE PROPAGACION

Tphl= 21.996616ps Tplh= 317.64706ps

A.C.

M2 CMOSP_TT V3 V1 3V C1 5V 1pF M1 CMOSN_TT V2 1.7255364V AC 0.01V VDD VO
M2
CMOSP_TT
V3
V1
3V
C1
5V
1pF
M1
CMOSN_TT
V2
1.7255364V
AC 0.01V
VDD
VO
VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib

;dc V2 0 5 0.01

;tran 5u

.ac dec 100 1 1G

V(vo)/V(n002) V(n002) 35dB 28dB 21dB 14dB 7dB 0dB -7dB -14dB -21dB -28dB -35dB -42dB 1Hz 10Hz
V(vo)/V(n002)
V(n002)
35dB
28dB
21dB
14dB
7dB
0dB
-7dB
-14dB
-21dB
-28dB
-35dB
-42dB
1Hz
10Hz
100Hz
1KHz
10KHz
100KHz
1MHz
10MHz
100MHz
1GHz

ANCHO DE BANDA: 176.1577MHz

PUSH PULL

DIAGRAMA

M3 cMOSP_TT V2 5V M1 CMOSN_TT VDD VO
M3
cMOSP_TT
V2
5V
M1
CMOSN_TT
VDD
VO

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib

.dc V2 0 5 0.01

BARRIDO EN DC

V(vo) 5.0V 4.5V 4.0V 3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 1.5V 1.0V 0.5V 0.0V 0.0V 0.5V 1.0V 1.5V
V(vo)
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

GRAFICA DE LA DERIVADA

d(V(vo)) 0 -4 -8 -12 -16 -20 -24 -28 -32 -36 -40 -44 0.0V 0.5V 1.0V
d(V(vo))
0
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

PUNTO DE MAYOR GANANCIA 2.3552631V

TRANSCONDUCTANCIAS --- BSIM3 MOSFETS --- Name: m3 m1 Model: cmosp_tt cmosn_tt Id: 8.15e-04 8.15e-04 Vgs: 1.55e-01

TRANSCONDUCTANCIAS

--- BSIM3 MOSFETS ---

Name:

m3

m1

Model:

cmosp_tt

cmosn_tt

Id:

8.15e-04

8.15e-04

Vgs:

1.55e-01

2.36e+00

Vds:

2.80e+00

2.20e+00

Vbs:

2.80e+00

0.00e+00

Vth:

-9.28e-01

6.92e-01

Vdsat:

-1.32e+00

9.87e-01

Gm:

7.96e-04

8.04e-04

Gds:

1.87e-05

1.73e-05

Gmb

2.31e-04

2.33e-04

Cbd:

0.00e+00

0.00e+00

Cbs:

0.00e+00

0.00e+00

Cgsov:

8.54e-15

2.30e-15

Cgdov:

8.54e-15

2.30e-15

Cgbov:

1.39e-15

1.43e-15

dQgdVgb:

9.72e-14

3.83e-14

dQgdVdb: -8.55e-15

-2.29e-15

dQgdVsb: -8.56e-14

-3.12e-14

dQddVgb: -4.24e-14

-1.59e-14

dQddVdb:

8.55e-15

2.30e-15

dQddVsb:

4.44e-14

1.87e-14

dQbdVgb: -1.24e-14

-6.47e-15

dQbdVdb: -6.25e-18

1.31e-18

dQbdVsb: -1.17e-14

-8.45e-15

GANANCIA EN PEQUEÑA SEÑAL

8.04 e

(¿¿4+7.96 e 4 )(1.73 e 5 ) 1 ¿ (1.87 e 5 ) 1 =44.4444

v=¿( g m1 +g m2 )( r o1 ¿ r o 2 ) =¿

A ¿

RANGO DE EXCURSION

V(vo) 5.0V 4.5V 4.0V 3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 1.5V 1.0V 0.5V 0.0V 0.0V 0.5V 1.0V 1.5V
V(vo)
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
Se tiene un rango de excursión de donde se alcanzan los dos rieles. CANTIDAD DE CORRIENT

Se tiene un rango de excursión de donde se alcanzan los dos rieles.

CANTIDAD DE CORRIENT QUE PASA POR EL INVERSOR.

V(vo) Id(M1) Id(M3) 5.0V 880µA 800µA 4.5V 720µA 4.0V 640µA 3.5V 560µA 3.0V 480µA 2.5V 400µA
V(vo)
Id(M1)
Id(M3)
5.0V
880µA
800µA
4.5V
720µA
4.0V
640µA
3.5V
560µA
3.0V
480µA
2.5V
400µA
2.0V
320µA
1.5V
240µA
1.0V
160µA
0.5V
80µA
0.0V
0µA
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V

Donde La línea roja representa la corriente que pasa a través del inversor.

TRANSITORIO.

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib ;dc V2 0 5 0.01 .tran 5u M3 cMOSP_TT V1 V2 C1 5V 1pF
.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc V2 0 5 0.01
.tran 5u
M3
cMOSP_TT
V1
V2
C1
5V
1pF
PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u) M1
CMOSN_TT
VDD
VO
VDD
V(vo) V(n001) 5.5V 5.0V 4.5V 4.0V 3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 1.5V 1.0V 0.5V 0.0V -0.5V 0.0µs
V(vo)
V(n001)
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
-0.5V
0.0µs
0.5µs
1.0µs
1.5µs
2.0µs
2.5µs
3.0µs
3.5µs
4.0µs
4.5µs

TRANSICIONES

tphl = 78.172589ps. tplh = 127.58037ps

A.C.

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib ;dc V2 0 5 0.01 ;tran 5u .ac dec 100 1 1G M3 cMOSP_TT
.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc V2 0 5 0.01
;tran 5u
.ac dec 100 1 1G
M3
cMOSP_TT
V1
V2
C1
5V
1pF
2.3552631V
M1
AC 0.01V
CMOSN_TT
VDD
VO
VDD
V(n001) V(vo)/V(n001) 35dB 28dB 21dB 14dB 7dB 0dB -7dB -14dB -21dB -28dB -35dB -42dB 1Hz 10Hz
V(n001)
V(vo)/V(n001)
35dB
28dB
21dB
14dB
7dB
0dB
-7dB
-14dB
-21dB
-28dB
-35dB
-42dB
1Hz
10Hz
100Hz
1KHz
10KHz
100KHz
1MHz
10MHz
100MHz
1GHz

ANCHO DE BANDA = 5.8951085MHz

Tplh=71.096483ns

Tphl= 900.1692ps Ancho de banda= 1.8293427MHz