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INSTITUTO TECNOLOGICO DE LERMA

DOCENTE: ING. IVN HERNNDEZ RUIZ


NOMBRE: ELIEL CASANOVA LOPEZ
MATERIA: FISICA DE LOS SEMICONDUCNTORES
TEMA: PROCESO DEL DOPADO
CARRERA: ING. EN ELECTRONICA.
GRUPO. E3A
FECHA: 2-SEMTIEMBRE-2016

Contenido
INTRODUCCION................................................................................................ 3
PROCESO DEL DOPADO EN SEMICONDUCTORES...........................................4
GENERALIDAES................................................................................................ 4
Bandas de Energa.............................................................................................. 4
MATERIALES SEMICONDUCTORES....................................................................5
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS..................................................................5
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS.................................................................6
El dopado.......................................................................................................... 6
Dopado (donantes).......................................................................................... 7
Dopado (aceptores).......................................................................................... 7
Densidad de estados........................................................................................ 7
IONIZACION DE LAS IMPUREZAS.......................................................................8
CONCLUSION.................................................................................................... 9
BLIBLOIOGRAFIA.............................................................................................. 9

INTRODUCCION

PROCESO DEL DOPADO EN SEMICONDUCTORES


De acuerdo al modelo mecanocuntico del
tomo, existen niveles energticos discretos en
los cuales pueden residir los electrones.
Cada uno de estos niveles est representado
por un conjunto de nmeros cunticos:
n = nivel principal
l = subnivel azimutal (0, 1, 2, 3)
m = momento magntico
s = spin (sentido de giro)
Pauli: 2 mismo
Principio de Exclusin de electrones no pueden tener el nmero cuntico (n,l,m,s).

GENERALIDAES
Toda clase de slidos, independientemente de su tipo de enlace, se caracterizan
porque sus estados electrnicos se agrupan en bandas de energa.
Los metales poseen una ltima banda, parcialmente ocupada, con niveles
energticos superiores libres, desocupados. Los electrones de valencia,
dbilmente unido a los tomos aislados, al formarse el cristal se deslocalizan y
se mueven por todo el cristal en forma de un gas de Fermi, constituyendo los
electrones de conduccin.
Su conductividad disminuye:
a) Al aumentar la temperatura: s(T)T = const.
b) Al crecer las impurezas y los defectos de la red.
Los metales reflejan o absorben muy dbilmente las radiaciones, sin que por ello
se altere su conductividad.

BANDAS DE ENERGA
El tomo aislado posee niveles de energa discretos donde pueden residir los
electrones.
Al formar estructuras cristalinas, hay interaccin entre los campos elctricos de
los tomos vecinos, y debido al principio de Exclusin de Pauli, los niveles de
energa cambian ligeramente dentro del cristal, formando entonces banda de
energa

MATERIALES SEMICONDUCTORES
Hasta ahora la demanda de materiales
semiconductores ha hecho que se
hayan desarrollado tanto las tcnicas
de obtencin de sustancias puras y
monocristalinas,
semiconductores
intrnsecos, cmo las tcnicas de
dopado
de
semiconductores
inorgnicos
y
orgnicos,semiconductores
extrnsecos. Por ahora, los ms
importantes son los inorgnicos.
Indiquemos algunos elementos y
compuestos:
a) Elementos del grupo IV del Sistema
Peridico (SP): Si y Ge con valencia cuatro como ya vimos en el tema anterior.
b) Compuestos binarios entre elementos de los grupos III y V del SP, los ms
conocidos son el AsGa, InP, AlSb, etc., entre elementos de los grupos II y VI del
SP; SeCd, TeCd
c) Compuestos ternarios tales como AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs,.con x [0,1]
En cuanto a su utilizacin se tiene:
IV-IV Ge, Si (tipo-p, tipo-n) : Chips
III-IV GaAs, GaP : Led y lser
InSb, InAs : Detectores de radiacin
II-VI SZn : Material fluorescente para diversas aplicaciones.
En los ltimos aos se estn desarrollando nuevos materiales para que pueden
sustituir, en un futuro no lejano, a los compuestos de Si para hacer las veces de
semiconductores.
Se tratan de polmeros dopados adecuadamente que actan como
semiconductores.
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Un semiconductor cristalino y sin impurezas ni defectos en su red se denomina
intrnseco.
A 0 K su BV est llena de electrones, su BC est vaca y su E g < 2eV. A
temperatura de 0 K es un aislante. Al crecer la temperatura la agitacin trmica
rompe algunos enlaces que quedan incompletos. Cada enlace roto crea un par
de portadores, electrn y hueco. El semiconductor se transforma en un dbil
conductor. Los electrones liberados suben a la BC y se mueven por toda la red
cristalina. Los enlaces incompletos, con un solo electrn, denominados huecos,
h+, se mueven en la BV en el sentido de que el enlace roto se va intercambiando
entre enlaces de tomos adyacentes, como ya vimos en el tema 2.La energa
requerida pasa romper un enlace o crear un par electrn-hueco, como ya
sabemos, es el ancho de la BP, Eg.
Los semiconductores inorgnicos suelen adoptar estructura tetradrica, con
cuatro enlaces covalentes (recurdese la estructura del Si y del AsGa), fig. 1. En
la fig. 2, se observa el movimiento de los portadores en presencia del campo
elctrico creado entre las placas de un condensador de lminas paralelas.

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Independientemente de los portadores
de origen trmico pueden existir en un
cristal semiconductor electrones y/o
huecos generados por dopado.
Como es sabido, la estructura reticular
de los semiconductores intrnsecos
usuales,
(IV-IV, VII-II y V-III del SP) es tal que
cada tomo es centro de un tetraedro, y se encuentra unido por enlaces
covalentes a otros cuatro tomos situados en los vrtices de dicho tetraedro.
Cada enlace est formado por un par de electrones y los cuatro enlaces
formanun octeto de electrones que rodean cada tomo.

EL DOPADO
Consiste en la introduccin controlada de impurezas en la red. Se sustituye un
elemento por otro que tenga:
Un electrn ms de valencia que el sustituido, impureza donadora, que
ionizada, genera un electrn mvil por la red.
Un electrn menos de valencia que el sustituido, impureza aceptora, que
ionizada, genera un enlace incompleto mvil por la red, que es un portador
virtual denominado hueco.
FCada impureza donadora genera un e - libre y se transforma en un ion positivo
fijo en la red, origina un semiconductor tipo-n, que:
Conduce por electrones y su coeficiente de Hall es negativo, R H < 0
Los electrones son mayoritarios
Los huecos son minoritarios
Cada impureza aceptora genera un h+ y se transforma en un ion negativo fijo en
la red, origina un semiconductor tipop, que:
Conduce casi exclusivamente por
huecos y el coeficiente de Hall es
positivo,
RH > 0
Los huecos son mayoritarios
Los electrones son minoritarios
Para el Ge y el Si elementos del
grupo IV, con 4 electrones valencia,
son impurezas:
Donadoras: P, As, Sb, elementos del
grupo V con 5 electrones valencia.
Aceptoras: B, Al, Ge, In, elementos del grupo III con 3 electrones valencia.
Como los elementos introducidos son de los grupos III y V, de volumen atmico
anlogo y en proporciones menores que 1/10 6, la red del semiconductor no se
deforma y Eg permanece invariable. Las Figuras 5 y 6 muestra por separado los
semiconductores tipo n y tipo p.

DOPADO (DONANTES)

Al utilizar elementos del grupo V, 4 de los 5 electrones de valencia forman enlaces con
los tomos vecinos de silicio. El 5 electrn queda dbilmente ligado al tomo donante y
puede moverse fcilmente, dejando un in positivo +q

DOPADO (ACEPTORES)
Al utilizar elementos del grupo III, los 3 electrones de valencia forman enlaces con los
tomos vecinos de silicio. Sin embargo queda una vacante que puede ser llenada
fcilmente por un electrn. El hueco puede as moverse, dejando un in negativo q.

DENSIDAD DE ESTADOS
Existen bandas de energa permitidas (valencia conduccin). Las bandas contienen
tantos estados de energa como 4*N tomos contenga el cristal; pero en realidad existe
una distribucin de niveles que vienen dadas por:

IONIZACION DE LAS IMPUREZAS


Como ya se ha visto, una impureza donadora o aceptora se transforma en un in
positivo o negativo. Este est unido por enlaces covalentes con cada uno de los cuatro
tomos adyacentes y queda fijo en la red. El electrn o el hueco sobrante quedan muy
dbilmente unido al in, en un pozo de potencial cuantizado. Su nivel fundamental, n =
1, nivel donador ED o aceptor, EA est muy prximo al fondo o al techo de la BC o de la
BV. La energa de ionizacin, fig. 5 y 6, EC ED y EA EV es del orden de unas
centsimas de eV.
La agitacin trmica, a temperatura ambiente T = 300 K es del orden kBT = 0,025 eV y
es suficiente para ionizar la impureza de forma que salga del pozo el portador y entre
en la
BC o en la BV el electrn o el hueco,
segn se trate, y se mueva por el interior
del cristal en forma de portador semilibre
deslocalizado. La concentracin de
impurezas regula la concentracin de
estos portadores, si sta es muy grande,
mayor que 1023 m-3, se dice que el
semiconductor est degenerado y se forma un gas de portadores anlogo al de Fermi
en los metales. Todo ello se esquematiza en la fig.

CONCLUSION

BLIBLOIOGRAFIA

Universidad de California. (12 de agosto de


2007.). SEMICONDUSCTORES. 12 de agosto de
2007., de En memoria Sitio web:
https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semicondu
ctores)
electronica. (23 de semptiembre).
Semiconductores intrnsecos. 4 de agosto , de
elec. bsica Sitio web:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_bas
ica/tema2/Paginas/Pagina4.htm

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