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El efecto del tratamiento trmico sobre la estructura, ptica y

elctrica
propiedades de las pelculas delgadas de nitruro de titanio amorfo
Abstracto
Las pelculas delgadas de TiN fueron depositadas por el mtodo de magnetrn
reactivo. La estructura y composicin qumica de las pelculas se determinaron
por medio de rayos X, EDX y las investigaciones de microscopa electrnica.
Estos estudios indican una estructura compleja de las pelculas como
bombardeada. Las pelculas se componen de una matriz amorfa que incluye
nanocrystallites de TiN y Ti N. La amorfo como pelculas bombardeada
transforman en 2 pelculas cristalinas durante el tratamiento trmico por
encima de 673 K. Ambas propiedades elctricas y pticas de las pelculas
amorfas difieren sustancialmente de las de las pelculas cristalinas de la misma
composicin qumica. pelculas de TiN amorfos presentan una alta resistividad
elctrica, alta transmisin de la luz en el rango visible y una falta de brillo
metlico. El desarrollo de los modelos de estructura durante el tratamiento
trmico se ha propuesto. q 1997 Elsevier Science S.A.
Palabras clave: nitruro de titanio; Los materiales amorfos; propiedades y
mediciones elctricas; Propiedades pticas
1. Introduccin
Pelculas delgadas de nitruro de titanio TiN presentan propiedades interesantes,
tales como alta dureza, alta resistencia al desgaste, buena inercia qumica y
resistencia a la corrosin. Ellos son comnmente utilizados como
recubrimientos resistentes al desgaste y para la decoracin de la superficie 15. Recientemente han sido utilizados en dispositivos semiconductores debido a
su alta conductividad elctrica w x 6-8. Debido a su alta reflectancia y
durabilidad, TiN
ha sido considerado como un material prometedor para las pelculas de control
solar para ventanas 9. w x Muchos mtodos diferentes se han utilizado para la
deposicin de pelculas delgadas de nitruro de titanio, incluyendo qumica de
vapor CVD de deposicin y deposicin fsica de vapor PVD .La revisin de
deposicin de pelculas delgadas de TiN por z. ambos mtodos CVD y PVD se
realiza por Chatterjee et al. w x 10. Las pelculas delgadas de TiN se pueden
preparar tambin por otra
mtodos tales como electroqumica 11 y qumica nitruracin de cualquiera de
Ti metlico Ti puro o de aleacin de 12 o compuestos 13. w x
La deposicin de TiN mediante pulverizacin catdica magnetrn tiene
importantes ventajas especficas, tales como los bajos niveles de impurezas y
un fcil control de la velocidad de deposicin. Este mtodo tambin permite la
produccin de pelculas delgadas de diferentes morfologa y estructura
cristalogrfica. pelculas delgadas de TiN amorfo se prepararon mediante la
variacin de los parmetros de deposicin que favorecen la formacin de las
pelculas delgadas amorfas sobre el cristalino, es decir, menor temperatura de
sustrato y una menor velocidad de deposicin. Las propiedades fsico-qumicas
de las pelculas delgadas de TiN amorfa son poco conocidos. Sin embargo, hay
algunos indicios de que sean distintos a los de las pelculas cristalinas 14. w x

En este documento se describen las propiedades elctricas y pticas de las dos


pelculas delgadas como-farfull y despus del tratamiento trmico de TiN
amorfa.
2. deposicin de pelcula
Las pelculas de TiN fueron depositados en una instalacin de laboratorio para
el motor de c.c. magnetrn pulverizacin catdica reactiva con una circular Ti
dimetro objetivo de 50 mm. El campo magntico se indujo mediante un
sistema de imanes permanentes cilndricos. La cmara de vaco estaba
equipado con una bomba de difusin de aceite que podra producir presin tan
baja como 1 = 10y4 Pa. Las muestras se sujetaron a una tabla, y la distancia
entre el objetivo y las muestras durante la deposicin fue de 80 mm. Las
pelculas de nitruro de titanio fueron depositadas sobre sustratos no metlicos
fundidos de slice, vidrio Corning 7059. El z. temperatura del sustrato se midi
con un termopar constantan Fe-.
La cmara de reaccin se bombe a 1 = 10y4 Pa, entonces se rellen con
nitrgeno y argn. Los gases se entregan por separado por dos vlvulas. La
relacin de mezcla de gas se control mediante el uso de dos controlador de
flujo msico. Instrumentos MKS. La relacin de mezcla de gas en la cmara de
reaccin era pobre N: p s4: 1 Ar caudal S3.2% 3,6 2 sccm, N rates0.8 flujo%
0,9 sccm. Para todas las pelculas estudiadas, la presin de la cmara se fij en
0,25 Pa, intensidad de la corriente era IMs90 mA, temperatura del sustrato no
lo hizo
exceda de 350 K, y la velocidad de depsito no supera el 3 nmrmin.
3. Estructura y composicin qumica de las pelculas delgadas de rayos X
Ambos Seifert FPM, sistema de difraccin de rayos X Z XRD7 con pelcula
delgada DSA7 apego anlisis, Cucathode y microscopa electrnica EM 301
difraccin. Z. se utilizaron para la determinacin de la estructura de pelculas
delgadas como bombardeada. Higo. La figura 1 ilustra los patrones de
difraccin de rayos X de las pelculas de TiN como pulverizacin catdica para
tres espesores de pelcula. Como se muestra, los difractogramas son tpicos
para la muestra amorfo.
Las pelculas utilizadas para estudios de microscopa electrnica se prepararon
mediante ataque qumico de las pelculas de 800 nm espesor Ness con
solucin acuosa de HF. Higo. La figura 2 muestra las micrografas de difraccin
de electrones de las pelculas como bombardeada-monitorizados de diferentes
regiones de la muestra. Las micrografas muestran que las pelculas no son
uniformes. Higo. 2a muestra los anillos de fase amorfa tpicos; Sin embargo,
hay puntos brillantes en el fondo de los anillos en la fig. 2b, que pueda ser
identificada con los granos cristalinos. El anlisis de las reflexiones observadas
se resumen en la Tabla 1. Como se puede ver, dos fases de TiN y Ti N se
pueden identificar. 2 Figs. 3 y 4 ilustran las investigaciones de microscopa
electrnica. Los puntos negros en la Fig. 3 corresponden a nano-crystallitesm
de TiN y Ti N, y manchas blancas en la Fig. 4 son de TiN 2 cristalitos de la
orientacin 200.
4. Tratamiento trmico de pelculas delgadas
4.1. investigaciones estructurales
Una cmara de rayos X de alta temperatura DRON 2 se utiliz para estudiar los
cambios estructurales durante el tratamiento trmico de pelculas delgadas.
Los experimentos se realizaron en el vaco

y3 1 = 10 Pa. Las pelculas se hibridaron con la elevacin de la temperatura a


razn de 0,83 Krs hasta que el deseado
se logr la temperatura. luego de difraccin de rayos X se registr durante 3,6
ks.
Como se puede ver en la Fig. 5, el proceso de cristalizacin comienza a 673 K.
A 973 K, picos bien desarrollados se pueden ver, que corresponden a 200 TiN y
Ti N 211 z. Z. 2
w x 15-17 .fig. 6 ilustra la cintica del proceso de cristalizacin
expresado como cambios isotrmicas de intensidad de los picos de TiN 200
frente al tiempo de recocido a 653 K. Como se puede ver, el proceso de
cristalizacin obedece a la siguiente
ecuacin cintica:
Es 44,9 "1,9 t
0,42 "0,01 z. Z. 1
donde: la intensidad de los picos isRelative TiN 200%, tstime de los ks de
proceso. Suponiendo que el proceso limitante de la velocidad es la difusin, el
exponente de la dependencia del tiempo debe ser de 0,5 denominada
"dependencia parablica '. Z.
La lnea punteada ilustra este caso. Como puede observarse, los puntos
experimentales registrados en el perodo inicial del experimento bien obedecen
a la dependencia parablica. Sin embargo, las discrepancias de esta
dependencia se observan en el
etapa final de la cintica.
4.2. Inestigation de la composicin qumica de las pelculas delgadas El
producto qumico compositionof pelculas delgadas se determin por el mtodo
EDX usando rayos X micro-sonda Enlace AN 100. Las pelculas se recoci en un
horno tubular equipado con un sistema de flujo de gas. Se utiliz una mezcla
de Ar que contiene 0,01% de O como impurity.q3% H. H se obtuvo de la 2 2
electrlisis de una solucin acuosa de KOH. El oxgeno
Higo. 3. Una micrografa electrnica de transmisin tpica de pelcula fina de
TiN
Z. campo Claro .
Higo. 4. Micrografa TEM de TiN pelcula delgada de campo oscuro. Z.
presin parcial determinado por medio de calibre zirconia en
. y15 la mezcla de gas fue de 5 = 10 Pa a 750 K.
Higo. 7 ilustra los espectros EDX dentro de 250 a 550 eV de
AS-bombardeo inico pelculas delgadas Fig. 7a y despus del recocido en z.
varias temperaturas para 4 h Fig. 7b-d. Como se puede ver, z.
la concentracin de oxgeno se mantiene constante para assputtered
y recocido a 400 K pelculas, despus aumenta con
temperatura. De acuerdo con datos de la literatura, los cristalitos 18,19 x w
talline pelculas delgadas de TiN son resistentes a la oxidacin por debajo de
900
K. Estos resultados indican que TiN amorfa es menos
resistente a la oxidacin que el cristalino. Como se vio en
Higo. 7, la intensidad mxima de nitrgeno disminuye con un recocido
temperatura. Esto puede explicarse simplemente por la
siguiente reaccin:
1
TiN QO TiO q N. 2Z. amorphous. 22 2 ZG. rutile. Z G . 2

Higo. 8 ilustra la energa de Gibbs. DG de la reaccin


Z Z .. z. Eq. 2 como una funcin de la temperatura T y el oxgeno