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Table des matires


Table des matires................................................................................................................................................. 1
Introduction........................................................................................................................................................... 3
Principe de fonctionnement.................................................................................................................................. 5
La jonction PN .................................................................................................................................................... 5
quilibre sans gnrateur ................................................................................................................................ 6
Avec un gnrateur en sens direct................................................................................................................... 7
Avec un gnrateur en sens inverse ................................................................................................................ 8
Caractristiques lectriques................................................................................................................................. 9
Caractristique lectrique................................................................................................................................ 9
Caractristique directe (Vd > 0) ...................................................................................................................... 9
Autour de zro :............................................................................................................................................. 11
quation : ...................................................................................................................................................... 11
Effet de la temprature :................................................................................................................................ 12
Schma quivalent............................................................................................................................................... 13
Modlisation n1 : la diode idale ............................................................................................................... 13
Modlisation n2 : diode avec seuil .................................................................................................................. 14
Modlisation n3 : diode avec seuil et rsistance.............................................................................................. 15
Exemple dutilisation des 3 modles de la diode .............................................................................................. 16
Premier cas : E = 200 V et R = 1000 ......................................................................................................... 17
Deuxime cas : E = 2 V et R = 1000 ......................................................................................................... 18
Troisime cas : E = 2 V et R = 2 . .............................................................................................................. 20
Utilisation.......................................................................................................................................................... 22
Paramtres essentiels des diodes ....................................................................................................................... 22
Diodes de redressement..................................................................................................................................... 23
Caractristiques physiques ............................................................................................................................ 23
Redressement simple alternance ................................................................................................................... 24
Redressement double alternance ................................................................................................................... 25
Avec transfo double enroulement ou transformateur point milieu ......................................................... 25
Avec pont de Gratz...................................................................................................................................... 26
Filtrage .......................................................................................................................................................... 27
Redressement simple alternance ............................................................................................................... 27
Redressement double alternance ............................................................................................................... 29
Fonctionnement des diodes et transformateurs ............................................................................................. 31
Alimentations doubles symtriques .............................................................................................................. 31
Doubleur de tension .......................................................................................................................................... 32
Diodes Zener........................................................................................................................................................ 33
Caractristique .............................................................................................................................................. 33
Schma quivalent : ...................................................................................................................................... 34
Modle hydraulique de la diode Zener.......................................................................................................... 35
Rgulation de tension........................................................................................................................................ 36
Diodes avalanche contrle............................................................................................................................ 39
Caractristiques physiques ............................................................................................................................ 39
Protection contre les surtensions ................................................................................................................... 39
Mise en srie de diodes ................................................................................................................................. 39
Diodes de redressement rapides ........................................................................................................................ 40
Notions de charge recouvre ......................................................................................................................... 40
Utilisation...................................................................................................................................................... 40
Diodes de signal ................................................................................................................................................ 41
Caractristiques physiques ............................................................................................................................ 41
Dtecteur de crte.......................................................................................................................................... 41
Dtection AM.................................................................................................................................................... 42
crtage des surtensions ................................................................................................................................... 43
Diodes lectroluminescentes ............................................................................................................................. 43
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Caractristique .............................................................................................................................................. 43
Utilisation...................................................................................................................................................... 43
Autres diodes................................................................................................................................................. 44
Les symboles des diffrentes diodes................................................................................................................... 45
Exercices .............................................................................................................................................................. 46
Solutions............................................................................................................................................................... 57

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Introduction
La diode est le composant lectronique de base : on ne peut pas combiner du silicium dop plus
simplement.
Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur command par une tension (Vd)
qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.

Figure 1
Analogie hydraulique de la diode
Cette proprit lui ouvre un champ d'applications assez vaste en lectronique dont les plus courantes
sont :
Le redressement du courant alternatif issu du secteur ;
la rgulation de tension laide de diodes Zener, qui ont un comportement de source de
tension quasi idale.
La fonction diode a exist bien avant l'arrive du silicium : on utilisait alors des diodes vide (les
lampes ou tubes, voir Figure 2) dont le fonctionnement tait bas sur l'effet thermolectronique. Le
silicium a apport une amlioration de la fiabilit du composant, une rduction de son encombrement,
une plus grande simplicit d'utilisation et une rduction de prix.

Figure 2
Diode tube

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La jonction PN est un lment fondamental de llectronique. En modifiant certains paramtres


(concentration en impuret, gomtrie de la jonction, etc.) on obtient des composants diversifis
utilisables dans de nombreux domaines dont le classement succinct est le suivant :

Diodes de redressement et de llectronique de puissance


o Diodes de redressement classique,
o Diodes avalanche contrle,
o Diodes rapides de commutation et de rcupration,
o Diodes haute tension, etc.

Diodes de signal dans le domaine gnral


1
o Diodes rapides
o Diodes faible courant de fuite, etc.

Diodes utilises en avalanche inverse


o Diodes stabilisatrices de tension (diodes Zener ),
o Diodes de rfrence,
o Diodes de protection, etc.

Diodes de llectronique rapide


o Diodes tunnel et backward,
o Diodes Schottky,
o Dioses varicap,
o Diodes PIN,
o Diodes gunn,
o Dioses Impatt, etc.

Diodes de loptolectronique
o Diodes lectroluminescentes LED,
o Diodes laser,
o Photodiodes,
o Photopiles,
o Cellules photovoltaques, etc.

Autres dispositifs
o Thermistance,
o Varistances,
o Cellules photorsistantes,
o Cellules de Hall, etc.

Dans les pages qui suivent, nous nous intresserons seulement aux diodes de redressement et aux
diodes Zener.

Les diodes rapides de signal peuvent travailler des frquences leves aussi bien en rgime de
petits signaux quen rgime de commutation.
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Principe de fonctionnement
La jonction PN

Figure 3
Jonction PN
Un matriau semi conducteur est compos datomes qui possdent 4 lectrons sur la couche
extrieure (atome quadrivalent). Le matriau semi conducteur le plus employ lheure actuelle est le
silicium.
Considrons un petit morceau de silicium. Si on en dope une partie avec des atomes 5 lectrons
priphriques, le semi conducteur devient de type N, c'est--dire que les des porteurs majoritairement
prsents dans la maille cristalline sont des lectrons. Si lon dope l'autre partie avec des atomes 3
lectrons priphriques, le silicium devient de type P, c'est--dire que les charges mobiles majoritaires
sont des trous (positifs) dans cette rgion du silicium. On a cre une jonction PN, qui est la limite de
sparation entre les deux parties.
Nous avons fabriqu une diode jonction.

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quilibre sans gnrateur

Figure 4
quilibre au niveau de la jonction PN sans champ lectrique extrieur.
Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les lectrons libres de la zone N
(il y a diffusion des charges). Ce phnomne va s'arrter quand le champ lectrique Eint cr par les
atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va tre suffisant
pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrire de potentiel pour les
porteurs majoritaires. Par contre, cette barrire de potentiel va favoriser le passage des porteurs
minoritaires (conduction lectrique).
Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires) s'quilibrent
et leur somme est nulle en rgime permanent et en l'absence de champ lectrique extrieur.

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Avec un gnrateur en sens direct

Figure 5
Jonction PN soumise un champ lectrique extrieur : passage du courant
La barrire de potentiel interne empche donc toute circulation de courant. Si on applique un champ
externe l'aide d'un gnrateur en branchant le ple + sur la zone P et le ple - sur la zone N, on peut
annuler les effets du champ interne et permettre au courant de circuler : le phnomne d'attraction
des lectrons libres de la partie N par les trous de la partie P (diffusion) n'est plus contrari, et le
gnrateur va pouvoir injecter des lectrons dans la zone N et les repomper par la zone P.
Le courant de conduction constitu par les porteurs minoritaires prend une valeur If indpendante du
champ extrieur.
Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant direct d aux porteurs
majoritaires ds que la tension atteint la centaine de mV.
La diode est alors polarise dans le sens direct, et un courant relativement intense peut circuler : de
quelques dizaines de milliampres pour des diodes de signal quelques ampres pour des diodes de
redressement standard, voire des centaines d'ampres pour des diodes industrielles de trs forte
puissance.

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Avec un gnrateur en sens inverse

Figure 6
Jonction PN soumise un champ extrieur : blocage
Si on branche le gnrateur dans le sens inverse du cas prcdent, on renforce le champ lectrique
interne, et on empche le passage des porteurs majoritaires : les lectrons libres sont repousss dans
la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la sparation des charges (zone de dpltion).
Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et lectrons libres pour la zone P) peuvent
traverser la jonction et reboucler par le gnrateur : ils forment le courant inverse If qui dpend
essentiellement de la temprature.
Le champ extrieur repousse les charges qui vont se trouver une distance sensiblement
proportionnelle |V|, crant ainsi une capacit proportionnelle cette distance, donc |V|.
Cette capacit est inhrente toute jonction de semi conducteurs, et va constituer la principale
limitation (en rgime linaire tout du moins) au fonctionnement haute frquence des composants
lectroniques (diodes, transistors et circuits intgrs les employant).

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Caractristiques lectriques
Caractristique lectrique
Cest la caractristique globale courant/tension. On a vu prcdemment que le courant tait
ngligeable pour une tension Vd = Vp-Vn ngative (ceci est vrai jusqu' une tension Vc dite tension de
claquage). Au dessus d'un certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct croit trs
rapidement avec Vd.
Le seuil Vo (barrire de potentiel) dpend du semi conducteur intrinsque de base utilis. Il est
d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium.
La caractristique a la forme suivante :
IAK

tension de
claquage
courant de fuite

VAK = Vd

Figure 7
Caractristique complte

Caractristique directe (Vd > 0)

Figure 8
Caractristique directe d'une diode.
Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au del de 0,7V. C'est une diode
de redressement supportant 1 A en direct et 600 V en tension inverse.
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La caractristique d'une diode semi-conductrice est illustre par les courbes de la Figure 9. Afin de
bien mettre en vidence la dpendance du courant par rapport la tension applique, des chelles
diffrentes ont t utilises. On notera en particulier (Figure 9 c et d) que l'allure de la caractristique
est pratiquement la mme pour des courants faibles ou levs ; seule la tension a chang en passant
d'environ 0.6 V pour ID = 1mA environ 0.8 V pour ID = 100 mA.

Figure 9
Caractristiques dune diode
a) en polarisation inverse, b) pour de faibles tensions
c) pour de faibles courants, d) pour de forts courants
La connaissance de cette caractristique non linaire, fondamentale pour dcrire le comportement
des diodes, ne nous permet malheureusement pas de rsoudre analytiquement un circuit constitu
simplement d'un gnrateur, une rsistance et une diode. Les quations dcrivant ce circuit sont en
effet non linaires et ne peuvent pas tre rsolues simplement :

U g = RI D + U D
I
U D = nVT ln D
IS

Seule la donne de modles linaires approchant aussi bien que possible la caractristique de la
diode permet de calculer le courant circulant dans le circuit.

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Autour de zro :
La caractristique passe par l'origine. Pour Vd ngatif, le courant tend rapidement vers la limite -If
(courant de fuite), car le courant de diffusion d aux porteurs majoritaires va s'annuler.
Caractristique inverse (Vd < 0), phnomne de claquage :
Quand la tension applique dpasse la valeur spcifie par le fabricant, le courant dcrot (attention :
il est dj ngatif !) trs rapidement. S'il n'est pas limit par des lments externes, il y a destruction
rapide de la diode due deux phnomnes :
phnomne davalanche : quand le champ lectrique au niveau de la jonction devient trop
intense, les lectrons acclrs peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libre d'autres
lectrons qui sont leur tour acclrs Il y a divergence du phnomne, et le courant devient
trs important en un temps extrmement court.
phnomne Zener : les lectrons sont arrachs aux atomes directement par le champ
lectrique dans la zone de transition et crent un courant qui devient vite intense quand la
tension Vd atteint une valeur Vz dite tension Zener.
Si on construit la diode pour que le phnomne Zener l'emporte sur le phnomne d'avalanche (en
s'arrangeant pour que la zone de transition soit troite), on obtient une diode Zener.
On utilise alors cette diode en polarisation inverse. L'effet Zener n'est pas destructif dans ce cas. Ces
diodes sont trs utilises pour la rgulation de tension.

quation :

Figure 10
Linarit de Log (I) fonction de V.
La courbe de la Figure 7 ( l'exception de la zone de claquage) rpond assez bien la formule
suivante, explique par la thermodynamique statistique :

qVd

I d = I f e k T 1 [1]

o :
-

If est le courant de fuite ;


q la charge de l'lectron = 1,6E-19C ;
k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K;
T temprature absolue (en degr Kelvin).
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La loi logarithmique [1] est bien illustre par : la Figure 8, la Figure 9, et la Figure 10. La courbe
exprimentale s'loigne toutefois de la thorie lorsque le courant anode cathode devient important car
le modle ne tient pas compte d'autres phnomnes dont les chutes de tension ohmiques dans le
semi conducteur.
A noter que sur la Figure 10, le courant maximum reprsent est gal au 1/10me admissible par
cette diode.

Effet de la temprature :
Pour Vd positif, la diode a un coefficient de temprature ngatif gal -2mV/K. Cette drive en
temprature est suffisamment stable pour qu'on puisse utiliser des diodes comme thermomtres.
Pour Vd ngatif, le courant de fuite If varie trs rapidement avec la temprature. Il est plus important
pour le germanium que pour le silicium, et crot plus vite, ce qui devient rapidement gnant. Dans le
silicium, ce courant double tous les 6C.

Rsistance diffrentielle (ou dynamique).

Figure 11
Rsistance dynamique.
La rsistance dynamique tant l'inverse de la pente de la caractristique en un point donn, on peut la
dduire par drivation de la formule [1] :

rd =

k T
[2]
q Id

C'est la rsistance dynamique au point de fonctionnement (Vd , Id). Elle est fonction du courant de
polarisation Id au point tudi.
La Figure 11 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les variations sont trs
importantes.

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Schma quivalent
La reprsentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour l'emploi de tous les
jours. Plusieurs schmas quivalents simplifis peuvent tre employs en lieu et place avec profit.
Pour tablir ces schmas, on linarise plus ou moins grossirement la caractristique lectrique
de la diode, puis on cherche quels composants permettent dobtenir ces caractristiques linaires.

Modlisation n1 : la diode idale


La modlisation dun composant consiste remplacer la caractristique lectrique relle i = f(u) par
des segments de droites. A chaque segment de droite correspond un schma lectrique quivalent.
Dans ce cas, on nglige la tension de seuil (force du ressort qui maintient le clapet sur son sige) et la
rsistance interne de la diode (le petit tranglement du au sige du clapet qui rtrcit le tuyau
augmentant ainsi sa rsistance ). La caractristique est alors celle de la Figure 12.
IAK

VAK = Vd

Figure 12
Caractristique idale.
Cette modlisation consiste effectuer une linarisation la serpe de la caractristique lectrique
de la diode. Ainsi modlise, la diode est un interrupteur command par la tension anode-cathode VAK
(Vd). Si VAK > 0, linterrupteur est ferm et le courant anode-cathode passe. Si VAK < 0, alors
linterrupteur est ferm et le courant anode-cathode est nul (quelques pico ampres en ralit).
Ce schma est utilis pour expliquer le principe de fonctionnement des montages ainsi que dans le,
domaine du redressement ou de la commutation. Si les diodes sont employes dans des circuits o
les tensions sont leves (plus de 10 V) : la tension de coude (0,7 V pour les diodes au Si) est alors
ngligeable.

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Modlisation n2 : diode avec seuil


On peut continuer ngliger la rsistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode. La
caractristique devient :
IAK

A
A

0,7 V

K
K
0,7 V

VAK = Vd

Figure 13
Caractristique avec seuil.
Du point de vue de lanalogie hydraulique de la diode, la force contre lectromotrice du schma
quivalent correspond la contre pression exerce par le ressort qui maintient le clapet sur son
sige.
Cette f.c..m. est de 0,7 V (environ, elle est comprise entre 0,6 et 0,7 V) pour les diodes au silicium.
Les diodes au germanium, qui sont rares, ont une f.c..m. de 0,3 V. Les diodes lectroluminescentes
ont des f.c..m. variables, avec la longueur donde mise, entre 1,3 et 3,8 V.
Ce schma est le plus utilis pour les calculs o lon recherche une certaine prcision. Il est donc
utiliser si la source dlivre une tension infrieure une dizaine de volts ou dans le domaine de
llectronique du signal lorsque le courant reste faible devant le courant maximum.

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Modlisation n3 : diode avec seuil et rsistance


Ici, on prend en compte la rsistance de la diode. Ceci peut tre utile si on utilise la diode en petits
signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa rsistance dynamique.
A
IAK

A
A

0,7 V
K

K
Rd
0,7 V

VAK = Vd

Figure 14
Caractristique avec seuil et rsistance.
La linarisation de la caractristique lectrique est plus fine, les morceaux de droite pousent mieux la
courbe.
Du point de vue de lanalogie hydraulique de la diode, en plus de prendre en compte la force contre
lectromotrice V0 = 0,7 V ( contre pression exerce par le ressort qui maintient le clapet sur son
sige), on prend en compte la rsistance dynamique de la diode. Cette rsistance dynamique peut
tre interprte comme la rsistance au passage du fluide introduite par le rtrcissement du tuyau du
au sige du clapet.
Comme lanalogie hydraulique le laisse supposer, cette rsistance est petite, au alentour de 20 .
On parle de rsistance dynamique car elle varie avec lintensit qui traverse la diode. La pente de
la caractristique lectrique nest pas constante comme dans le cas dune rsistance ohmique . La
rsistance dynamique est la drive de la caractristique lectrique en un point :

Rd =

d (u = f (i ))
di

u
i

Attention : Dans le cas de la diode, on considre souvent que la rsistance dynamique est constante.
Cela n'est vrai que si la variation du signal alternatif est trs petite autour du point de polarisation en
continu.
Cette caractristique est utilise dans le domaine du redressement, lorsquon travaille avec de faibles
tensions de source et des forts courants.
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Exemple dutilisation des 3 modles de la diode


Un gnrateur de tension e ( t ) = E sin (t ) alimente un circuit constitu dune diode 1N4006 et dune
rsistance. La frquence de fonctionnement correspond celle du rseau industriel (50 Hz).
D
i

uD
e(t)

uR

Figure 15
La diode 1N4006 a pour caractristiques :
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage

Symbol

1N4001

1N4002

1N4003

1N4004

1N4005

1N4006

1N4007

Unit

VRRM
VRWM

50

100

200

400

600

800

1000

VRSM

60

120

240

480

720

1000

1200

VR(RMS)

35

70

140

280

420

560

700

VR

NonRepetitive Peak Reverse Voltage


(halfwave, single phase, 60 Hz)
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
(single phase, resistive load,

IO

1.0

NonRepetitive Peak Surge Current


(surge applied at rated load conditions)

IFSM

30 (for 1 cycle)

Operating and Storage Junction


Temperature Range

TJ
Tstg

65 to +175

60 Hz, TA = 75C)

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are
individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded,
device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating
Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop, (iF = 1.0 Amp, TJ = 25C)
Maximum FullCycle Average Forward Voltage Drop, (IO = 1.0 Amp, TL = 75C, 1 inch leads)
Maximum Reverse Current (rated DC voltage) (TJ = 25C) (TJ = 100C)

Maximum FullCycle Average Reverse Current, (IO = 1.0 Amp, TL = 75C, 1 inch leads)

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Symbol

Typ

Max

Unit

vF

0.93

1.1

VF(AV)

0.8

10 50

30

IR

IR(AV)

0.05
1.0

Le tableau ELECTRICAL CHARACTERISTICS indique sur sa premire ligne une chute de tension
maximum de 1,1 V pour 1 A 25C.
La diode 1N4006 est une diode au silicium, on a donc une tension de seuil de 0,6 V 25C et la
rsistance dynamique peut tre calcule par :

Rd =

1,1 0, 6
= 0,5 .
1

Afin dillustrer lutilisation des trois modles de la diode, nous allons reprsenter les graphes de la
tension uD = f(t) et uR = f(t) pour trois cas diffrents. Pour le circuit utilis, la loi des mailles donne :

e ( t ) = uD ( t ) + uR ( t )

Premier cas : Emax = 200 V et R = 1000 .


La diode permet ce fonctionnement car la tension inverse maximum est de 600 V (ici, nous aurons
200 V < 600 V) et le courant direct de crte ne sera que de

200
= 0, 2 A < 1 A (courant moyen
1000

maximum admissible).
La tension maximale de la source est de forte valeur, cela nous incite choisir le modle n1. La
diode est quivalente soit un interrupteur ferm, soit un interrupteur ouvert. Le passage de lun
lautre de ces deux modles se fait lorsque e(t) = 0 (voir Figure 16).

e ( t ) 0 , la diode conduit et est remplac par un interrupteur ferm, nous obtenons :


o

uD = 0 et u R = e ( t )

uD = 0
e(t) > 0

uR = e ( t )

e ( t ) 0 , la diode est bloque et est remplace par un interrupteur ouvert. Le courant est nul,
nous avons :
o

u D = e ( t ) et uR = 0

D
i=0

uD = e ( t )
e(t) < 0

uR = 0

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200

-200

0.005

0.01

0.015

0.02
0.025
tension de la source e(t)

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015
0.02
0.025
tension aux bornes de la diode

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.03

0.035

0.04

100
0
-100
-200
200
100
0
-100

0.02
0.025
tension aux bornes de R

Figure 16

Deuxime cas : Emax = 2 V et R = 1000 .

La tension dlivre par la source tant faible (

E
2
=
= 0, 2 < 0, 6 , rgle du dixime), on ne peut
10 10

plus ngliger la tension de seuil. Cependant, le courant restant faible, nous utiliserons le modle n2.
La diode est quivalente, soit un rcepteur idal de tension, soit un interrupteur ouvert. Le
passage dun modle lautre de ces deux modles se fait pour e(t) = 0,6 V. La Figure 17 donne les
courbes obtenues pour les tensions aux bornes de la diode et de la rsistance.

e ( t ) 0, 6 V , la diode conduit et est remplac par un rcepteur idal de tension 0,6 V, nous
obtenons :
o

uD = 0, 6 V et u R = e ( t ) 0, 6
D
i

uD = 0, 6 V
e(t) > 0,6 V

u R = e ( t ) 0, 6

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R=2

e ( t ) 0, 6 V , la diode est bloque et est remplace par un interrupteur ouvert. Le courant


est nul, nous avons :
o

u D = e ( t ) et uR = 0
i=0

uD = e ( t )
e(t) < 0,6 V

uR = 0

2
1
0
-1
-2

0.005

0.01

0.015

0.02
tension de la source e(t)

0.025

0.03

0.035

0.04

1
0,6 V
0

-1

-2

0.005

0.01

0.015
0.02
0.025
tension aux bornes de la diode

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.03

0.035

0.04

1.5
1
0.5
0
-0.5

0.02
tension aux bornes de R

0.025

Figure 17

19

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Troisime cas : Emax = 2 V et R = 2 .


Le courant devient important (le courant de crte est de 1 A soit gal au maximum du courant moyen
admissible). Il sagit dans ces conditions de tenir compte de la rsistance dynamique de la diode (que
nous supposerons constante), lutilisation du modle n3 simpose donc.
La diode est quivalente, soit un rcepteur idal de tension en srie avec Rd, soit un interrupteur
ouvert. Le passage de lun lautre de ces modles seffectue lorsque e(t) = 0,6 V.

e ( t ) 0, 6 V , la diode conduit et est remplac par un rcepteur idal de tension 0,6 V en


srie avec la rsistance directe Rd = 0,5 , nous obtenons :

i=

e ( t ) 0, 6

2sin (t ) 0, 6

Rd + R
uR = R i
uD = Rd i + 0, 6

2,5

Les valeurs maximales obtenues sont :

imax =

2 0, 6
= 0,56 A
2,5

uRmax = 2 0,56 = 1,12 V


uDmax = 0,5 0,56 + 0, 6 = 2 1,12 = 0,88 V
Diode

Rd

uD
e(t) > 0,6 V

uR

R=2

e ( t ) 0, 6 V , la diode est bloque et est remplace par un interrupteur ouvert. Le courant


est nul, nous avons :
o

u D = e ( t ) et uR = 0

i=0

uD = e ( t )
e(t) < 0,6 V

uR = 0

20

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La Figure 18 montre les tensions aux bornes de la diode et de la rsistance R dans le cas n3.
2
1
0
-1
-2

0.005

0.01

0.015

0.02
tension de la source e(t)

0.025

0.03

0.035

0.04

1
0,6 V
0

-1

-2

0.005

0.01

0.015
0.02
0.025
tension aux bornes de la diode

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.03

0.035

0.04

1.5
1
0.5
0
-0.5

0.02
tension aux bornes de R

0.025

Figure 18

21

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Utilisation
Il existe divers types de diodes correspondant des technologies diffrentes. Chaque technologie
prsente le meilleur compromis pour une utilisation donne.
Nous allons balayer les applications des diodes en les classifiant par groupe technologique.

Paramtres essentiels des diodes


En fonction de l'application considre, on s'intressera certains paramtres des diodes plutt qu'
d'autres. Certains paramtres ne sont pas spcifis pour tous les types de diodes, sauf les suivants
qui sont incontournables :
-

VF : tension de coude de la diode spcifie un courant direct donn.


IF : courant direct permanent admissible par la diode la temprature maxi de
fonctionnement.
IFSM : courant temporaire de surcharge (rgime impulsionnel). En gnral, pour un courant de
surcharge donn, le constructeur spcifie l'amplitude des impulsions, leur dure, le rapport
cyclique, et dans certains cas, le nombre maxi d'impulsions qu'on peut appliquer.
VR : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche).
IR : c'est le courant inverse de la diode. Il est spcifi une tension inverse donne, et pour
plusieurs tempratures (gnralement 25C et Tmax). Ce courant n'est pas seulement celui
d aux porteurs minoritaires. Il provient aussi des courants parasites la surface de la puce
(le silicium est passiv par oxydation, et il peut subsister des impurets qui vont permettre le
passage de faibles courants). Le boitier d'encapsulation de la puce de silicium est aussi
source de fuites.

Ces symboles sont ceux gnralement employs par les diffrents constructeurs, mais il peut y avoir
des variantes, et il est toujours sage de se reporter la documentation du constructeur pour savoir
comment sont spcifis les paramtres, et quoi ils correspondent exactement.

22

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Diodes de redressement
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du secteur
pour faire des gnrateurs de tension continue destins alimenter les montages lectroniques (entre
autres).
Il y a deux types principaux de diodes de redressement : la diode standard pour le redressement
secteur classique, et la diode rapide pour les alimentations dcoupage.

Caractristiques physiques
Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiques, et ne font l'objet d'aucun
traitement particulier, les conditions d'utilisations tant peu contraignantes.
Elles ont des tensions VR comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants IF vont de 1A
plusieurs centaines d'ampres.
Avant le systme de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert abaisser la
tension secteur (les montages lectroniques fonctionnent souvent sous des tensions de polarisation
allant de quelques volts quelques dizaines de volts), et qui sert aussi isoler les montages du
secteur.
Caractristiques lectriques :
- courant : 1 10 A ;
- tension : 50 3 000 V ;
- temps de recouvrement : de lordre de 20 s.
Caractristiques lectriques des diodes de puissances :
- tension : 50 3 200 V ;
- courant : 5 800 A.

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Redressement simple alternance


C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du transformateur Vt
dpasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant passer le courant direct dans la
charge. La tension aux bornes de la charge Vr est alors gale la tension aux bornes du
transformateur moins la tension directe VF de la diode.

Figure 19
Redressement avec une diode.
Quand la tension aux bornes du transformateur devient infrieure la tension de seuil, la diode est
bloque ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est ngligeable en comparaison du courant direct.
La tension aux bornes de la diode est alors gale celle aux bornes du transformateur : il faudra
choisir une diode avec une tension VR au minimum gale la tension crte du secondaire du
transformateur.

24

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Redressement double alternance


Avec transfo double enroulement ou transformateur point milieu

Figure 20
Redressement avec transfo double sortie.
Le montage prcdent prsente l'inconvnient de ne laisser passer que la moiti du courant que peut
dlivrer le transformateur. Pour remdier cela, on utilise un transformateur avec deux enroulements
secondaires que l'on connecte de manire ce qu'ils dlivrent des tensions en opposition de phase.
Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques celui de la Figure 19 qui
fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance ngative. On vrifie bien (Figure 21
et Figure 22) que le courant dans la charge est toujours orient dans le mme sens.

Figure 21
Alternance positive.

Figure 22
Alternance ngative.
On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non ngligeable quand les tensions
alternatives sont faibles, en dessous dune vingtaine de volts.

25

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Les diodes sont plus sollicites que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui ne
conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de transformateur, la
tension aux bornes de la rsistance. Au total, elle devra supporter une tension VR double de celle
requise dans le montage simple alternance, soit deux fois la tension crte prsente sur chacun des
secondaires.

Avec pont de Gratz

Figure 23
Fig.13. Redressement avec pont de diodes.
Il existe une autre manire de faire du redressement double alternance, ne ncessitant pas un
transformateur double enroulement : on utilise 4 diodes montes en pont, dit pont de Gratz .
Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de rduire le nombre de
composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand elle est
ngative, D2 et D3 conduisent (Figure 24 et Figure 25).

Figure 24
Alternance positive.

Figure 25
Alternance ngative.
Chaque diode n'a supporter qu'une fois la tension crte du secondaire du transformateur (contre
deux fois pour le montage prcdent), mais en revanche, on a deux tensions directes de diode en
srie. La puissance totale dissipe dans les diodes est double par rapport la solution prcdente.

26

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Quelle solution choisir ?


Quand on en aura la possibilit, on prfrera la solution transformateur point milieu, pour plusieurs
raisons :
- le transformateur n'est pas plus cher que celui secondaire simple.
- avec un transformateur un seul secondaire, on ne peut pas faire d'alimentation double
symtrique en redressement double alternance. Ce type de transformateur est moins
universel.
- le fait que les diodes aient tenir une tension double n'est pas un problme dans la plupart
des cas, car les tensions redresses sont trs souvent bien infrieures aux tensions VR
minimum des diodes disponibles dans le commerce.
- dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au transformateur, ce qui peut
tre gnant dans certains cas.

Filtrage
Les montages prcdents dlivrent des tensions redresses continues mais ondules.
Pour obtenir une tension quasiment lisse, il suffit de mettre un gros condensateur en parallle avec la
charge.

Redressement simple alternance

Ici, la charge est absolument quelconque, et peut tre un montage lectronique complexe ayant une
consommation en courant alatoire.

Figure 26
Redressement simple alternance et filtrage.
Sur le graphique du bas de la Figure 26, on voit en pointill la tension redresse telle qu'elle serait
sans condensateur. En traits pleins pais, on voit la tension filtre.
Sur ce graphe, le courant de dcharge du condensateur est linaire : il correspond l'hypothse de
dcharge courant constant.
Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est suprieure la
tension aux bornes du condensateur additionne de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le
transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de recharge du
condensateur.

27

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Quand la tension du transformateur devient infrieure celle du condensateur plus la tension de


coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur-charge forme alors une boucle isole
du transformateur.
Le condensateur se comporte comme un gnrateur de tension, et il restitue l'nergie accumule
dans la phase prcdente.
A noter que la tension aux bornes du condensateur tant en permanence voisine de la tension crte
positive du transformateur, lorsque celui-ci fournit la tension de crte ngative, la diode doit supporter
deux fois la tension crte dlivre par le transformateur : on perd le seul avantage (hormis la
simplicit) du montage redressement simple alternance.
Calcul du condensateur : dans la littrature, on trouve classiquement le calcul du condensateur pour
une charge rsistive. La dcharge est alors exponentielle et le calcul inutilement compliqu.
Ce calcul est assez loign des besoins rels : en gnral, on ne fait pas des alimentations continues
pour les faire dbiter dans des rsistances !
Trs souvent, ces alimentations redresses et filtres sont suivies d'un rgulateur de tension. La
charge est frquemment un montage complexe ayant une consommation variable au cours du temps.
Pour faire le calcul du condensateur, on prendra donc une dcharge courant constant, le courant
servant au calcul tant le maximum (moyenn sur une priode du secteur) consomm par la charge.
Le critre de choix ne sera pas un taux d'ondulation qui n'a souvent aucune utilit pratique, mais une
chute de tension maximum autorise sur le condensateur pour que le montage connect en aval
fonctionne correctement.
Avec ces hypothses, le calcul du condensateur devient trs simple : On considre que le
condensateur C se dcharge courant Imax constant pendant un temps T et que la chute de sa
tension est infrieure V.
On a alors la relation :

C V = I max T [3]
Le temps T choisi va tre la priode du secteur. En pratique, le condensateur va se dcharger moins
longtemps (Figure 26), le calcul effectu conduit donc le surdimensionner lgrement.
En fait, l'erreur commise est trs faible compare la dispersion que l'on aura sur le rsultat due la
dispersion de la valeur des composants, et notamment des condensateurs de filtrage : on utilise des
condensateurs chimiques qui ont des tolrances trs larges (-20% / +80% en gnral). Les
transformateurs possdent, eux aussi, des caractristiques assez disperses, ce qui fait qu'au final,
mieux vaut prvoir large pour viter les mauvaises surprises !
Pour un redressement simple alternance, on aura un T de 20ms, qui correspond l'inverse de la
frquence secteur 50 Hz. La valeur du condensateur est alors :

C=

I max
[4]
f V

Il faudra veiller choisir un condensateur supportant au moins la tension crte du transformateur


vide (la tension sera plus faible en charge du fait des chutes de tensions diverses (impdance du
transformateur, diode ).

28

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Redressement double alternance


Les hypothses seront les mmes que prcdemment. La seule diffrence viendra du temps T ; vu
qu'on a un redressement double alternance, la frquence du courant redress est double de celle du
secteur. La formule de calcul du condensateur devient donc :

C=

I max
[5]
2 f V

Comme dans la formule [4], f est la frquence secteur (50Hz en France).


A chute de tension gale, le condensateur sera donc deux fois plus petit que pour le redressement
simple alternance, ce qui est intressant, vu la taille importante de ces composants.
La diode aura tenir deux fois la tension crte dlivre par chaque enroulement du transformateur.

Figure 27
Redressement double alternance et filtrage.
Exemple de calcul de condensateur :
On ralise une alimentation continue dont la tension de sortie est gale 20 V. Elle peut dlivrer un
courant maximum de 100 mA. Son schma est celui de la Figure 27. Dterminons la valeur du
condensateur de filtrage afin dobtenir une ondulation crte crte de 1 V (aux bornes du
condensateur).
Le courant fournit par le condensateur dans sa phase de dcharge est voisin de Imax. La formule [5]
permet dcrire : C =

I max
0,1
=
= 1 mF = 1000 F .
2 f V 2 50 1

La Figure 27 montre londulation de la tension aux bornes du condensateur pour une valeur trop faible
de ce dernier et la Figure 28 montre le rsultat correspondant au rsultat du calcul (C = 1 mF).
Chaque secondaire du transformateur doit fournir une tension crte de 20 + 1 + 0,7 = 21,7 V.
Le rapport de transformation (indispensable spcification du transformateur) peut tre obtenu de
manire approche en faisant le quotient des valeurs crtes :

m

l secondaire
V
21, 7
=
= 69, 7 103  0, 07
l
220 2
V primaire

29

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Figure 28
Ondulation de la tension pour un condensateur de 100 F

Figure 29
Ondulation de la tension pour un condensateur de 1000 F

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Fonctionnement des diodes et transformateurs


On peut remarquer Figure 26 et Figure 27 que les diodes ne conduisent pas pendant toute
l'alternance du secteur, mais seulement pendant un temps trs court vis vis de cette alternance.
L'nergie qui est restitue par le condensateur dans la phase de roue libre doit tre au pralable
stocke pendant ce court temps de conduction des diodes.
La consquence de ceci, c'est que pour assurer un certain courant moyen dans la charge, l'ensemble
transformateur-diode devra dbiter un courant de crte beaucoup plus intense que le courant moyen
lors des phases de conduction des diodes (environ 15 fois le courant moyen).
La chute de tension dans les diodes sera alors importante (plus prs d'1 V que de 0,6 V) ainsi que la
chute de tension dans les impdances du transformateur.
Il ne faudra pas perdre ces considrations de vue quand on voudra calculer l'alimentation au plus
juste !
L'autre consquence est le dmarrage de l'alimentation : lorsqu'on branche le transformateur sur le
secteur, on peut se trouver au maximum de tension de l'alternance secteur. La charge du
transformateur, principalement constitue du condensateur de filtrage, sera l'quivalent d'un courtcircuit. Le courant d'appel sera alors uniquement limit par limpdance interne du transformateur
(quelques diximes d'ohms quelques ohms), et il sera trs intense : les diodes devront supporter ce
courant (paramtre IFSM).

Alimentations doubles symtriques


Si on analyse le fonctionnement du redresseur double alternance transformateur point milieu, on
s'aperoit que chaque secondaire dbite du courant seulement pendant une alternance. L'autre
alternance serait susceptible de fournir un courant ngatif.
Partant de cette constatation, on peut imaginer facilement une alimentation double symtrique, avec 4
diodes dispose en pont : deux diodes vont conduire les alternances positives des secondaires du
transformateur, et les deux autres les alternances ngatives.
Le point milieu du transformateur sera le potentiel commun des deux alimentations.

Figure 30
Alimentation double positive et ngative.
On peut bien videmment mettre un condensateur aux bornes de chacune des charges pour filtrer les
tensions redresses obtenues.
Ces alimentations sont incontournables dans les montages symtriques o il est ncessaire
d'amplifier des tensions continues, et notamment dans les montages amplificateurs oprationnels

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Doubleur de tension
Certaines applications ncessitent des tensions continues trs leves (quelques milliers de volts). On
pourrait les obtenir avec un transformateur lvateur et un redressement / filtrage classique.
Il existe une solution moins onreuse base de diodes et de condensateurs : c'est le doubleur de
tension.
Le montage de la Figure 31 se dcompose en deux : redressement / filtrage par la cellule D1 / C1,
puis dtecteur de crte D2 / C2.

Figure 31
Doubleur de tension de Schenkel.
Aux bornes du condensateur C1, si la charge est infinie, la tension Vc restera constante et gale la
tension crte du transformateur.
La diode D1 verra ses bornes la tension Vt + Vc, dont la valeur crte est gale deux fois la tension
crte du transformateur. Tout se passe comme si la tension du transformateur avait t translate
d'une fois la valeur de la tension crte.
Il suffit alors de filtrer cette tension sa valeur de crte avec D2 et C2 : on obtient une tension
continue gale deux fois la tension crte du transformateur.
Il est possible de continuer ce raisonnement, et en ajoutant d'autres cellules semblables celle du
doubleur, on peut tripler, quadrupler ou plus les tensions.
Ces montages sont utiliss entre autres pour gnrer les tensions d'acclration des tubes
d'oscilloscopes ou de tlvision (2 5 kV). On remarquera qu'ils ne peuvent pas dbiter beaucoup de
courant (les tensions mises en jeu ne permettent pas d'utiliser des condensateurs de forte valeur), et
donc, ils sont plutt destins des applications quasi statiques.

32

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Diodes Zener
Caractristique
IAK
K
gnrateur

A
tension de Zener

VAK < 0

Vz

rcepteur

VAK > 0
rcepteur

iz

iz

gnrateur

+
Vz

Figure 32
Caractristique d'une diode Zener idale et schma quivalent.
Caractristiques lectriques :
- tension de rgulation : 2 V 300 V (par paliers de 0,2 0,5 V) ;
- puissance : 2 3,5 W.
L'effet Zener concerne la caractristique inverse de la diode.
En direct, une diode Zener se comporte comme une diode normale.
En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet Zener et / ou d'avalanche se produise une
tension bien dtermine, et ne soit pas destructif. La caractristique inverse prsente alors l'allure d'un
gnrateur de tension trs faible rsistance interne (quasiment idal donc).
En gnral, les constructeurs spcifient :
- la tension d'avalanche Vzt pour un courant dtermin Izt (les valeurs de tension sont
normalises) ;
- ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on donne la rsistance dynamique de la diode rzt ;
- le courant Izm pour lequel la puissance dissipe dans le composant sera le maximum
admissible ;
- on indique aussi le coefficient de variation en temprature de la tension Vzt.
En dessous de Vzt = 5V, c'est l'effet Zener qui prdomine. Au dessus, c'est l'effet d'avalanche.
L'effet Zener est affect d'un coefficient de temprature ngatif (Vzt diminue quand la temprature
augmente), et l'effet d'avalanche d'un coefficient positif. Les diodes ayant une tension Vzt d'environ 5V
ont un coefficient de temprature nul, car les deux phnomnes se produisent de manire quilibre,
et leurs effets se compensent.
L'effet d'avalanche est plus franc que l'effet Zener, ce qui fait que le coude de tension inverse est plus
arrondi pour les diodes Zener de faible tension.

33

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Les diodes optimales en termes d'arrondi de coude et de rsistance dynamique ont des tensions
Zener voisines de 6 7V.

Schma quivalent :
Pour simplifier les calculs, et comme pour la diode, on va dfinir un schma quivalent approchant la
ralit.
Si on utilise le composant suffisamment loin du coude, le schma suivant (Figure 33) modlise bien le
comportement d'une diode Zener :
IAK
K

A
tension de Zener

VAK < 0

Vz

VAK > 0

+
Vz

RZ =

VAK
iAK

Figure 33
Caractristique d'une diode Zener relle et schma quivalent.
On dfinit une tension de coude Vzo, et une rsistance interne constante Rz.
Ce schma sera utiliser avec beaucoup de prudence sur des Zeners de faible tension (< 5V) : leur
coude est trs arrondi, et la rsistance dynamique varie beaucoup avec le courant. Pour des tensions
suprieures 5V, il n'y aura en gnral pas de problmes.
La puissance dissipe dans une diode Zener est la somme du produit VZ iZ et du produit RZ iZ . Si
lon utilise le modle de la Figure 32, cette puissance vaut simplement : VZ iZ .
Cette puissance est intgralement dissipe en chaleur, videmment il ne faut pas franchir le seuil
maximum correspondant la destruction de la diode. Il faut donc que le courant traversant la diode
Zener soit limit : iZ < I Z max .
34

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Modle hydraulique de la diode Zener

Anode A

A
Ressort de raideur VZ

Ressort de raideur 0,7 V

Cathode K
Figure 34
Modle hydraulique de la diode Zener
Le fluide peut passer dans les deux sens. Du haut vers le bas, le fluide peut passer par la branche de
gauche ou il ne rencontrera quune contre pression de 0,7 V (diode ordinaire au silicium).
Du bas vers le haut, le fluide ne peut passer que par la branche de droite. Il est soumis une contre
pression plus grande (2,4 V < VZ < 270 V).

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Rgulation de tension
De par leurs caractristiques de gnrateur de tension, ces diodes sont idales pour rguler des
tensions continues ayant une ondulation rsiduelle non ngligeable (cas des tensions redresses
filtres).

Figure 35
Rgulation de tension avec diode Zener.
Il est ncessaire d'intercaler une rsistance (ou un gnrateur de courant) entre le gnrateur de
tension filtre et la Zener de rgulation : ces deux lments ayant des caractristiques de gnrateurs
de tension faible rsistance interne, on ne peut pas les brancher directement l'un sur l'autre sans les
dtruire.
Pour que la Zener fonctionne et assure son rle de rgulateur, il faut qu'un courant Iz non nul circule
en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les variations de la tension d'entre Vc
et de la charge Ru.
La rsistance R assure donc le rle de polarisation de la Zener, et elle sera calcule pour que la
condition nonce ci-dessus soit remplie. Il faudra aussi veiller ce que le courant Iz ne dpasse pas
le courant Izm, sous peine de dtruire le rgulateur.

Figure 36
Schma quivalent du rgulateur
Lorsque la polarisation est correcte, on peut faire le schma quivalent du montage. La tension
d'entre du rgulateur a t scinde en une tension continue (la tension moyenne aux bornes du
condensateur), et une tension alternative (l'ondulation).
On peut dfinir deux coefficients de stabilisation pour caractriser ce montage. En effet, il est loin
d'tre parfait, et la tension de sortie va varier lorsque la tension d'entre et / ou la charge vont varier.
On distingue deux coefficients :
-

Stabilisation amont : ce coefficient est reprsentatif de la sensibilit du montage aux


variations de la tension non rgule, et ceci charge constante . Si on utilise les notations de
la Fig. 27, c'est le rapport ( Vz/ Vc)Iu = cte.

Stabilisation aval : ce coefficient est reprsentatif de la variation de la tension de sortie quand


le courant dans la charge varie (Ru varie de Ru), et ceci tension d'entre constante. C'est
le rapport ( Vz/ Iu)Vc = cte, soit en fait, l'impdance de sortie du montage . Ce paramtre est
trs important dans tous les rgulateurs de tension.

36

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Il est plus simple pour calculer ces coefficients d'utiliser le schma quivalent alternatif petits signaux.
On retire alors toutes les sources de tension continues.

Figure 37
Schma quivalent petits signaux.
Pour le coefficient de stabilisation amont, on a :

Ru // Rz
Vz
[6]
=
Vc Ru // Rz + R

Comme en gnral Ru >> Rz, cette formule devient :

Vz
Rz

[7]
Vc Rz + R
On voit le dilemme : plus R est grand, plus la stabilisation amont est bonne, mais en contrepartie, quel
gchis ! Il faudrait prvoir des tensions filtres trs grandes par rapport aux tensions rgules pour
avoir un bon coefficient de rgulation. Cela ferait beaucoup d'nergie perdue dans R. Pour pallier cet
inconvnient, on remplace R par un gnrateur de courant : la chute de tension ses bornes pourra
tre petite, et par contre, sa rsistance interne (celle qui va servir pour le calcul en remplacement de
R) sera trs grande : on a les deux avantages, une trs bonne rgulation et un bon rendement.
Le coefficient de stabilisation aval est gal l'impdance de sortie du montage ; c'est la rsistance du
gnrateur de Thvenin quivalent, soit :

RS = R // Rz [8]
R tant souvent trs suprieur Rz, on obtient :

RS  Rz [9]
Dans ce cas, il n'y a pas grand chose esprer d'un artifice quelconque pour amliorer cette valeur,
sauf rajouter dautres composants actifs comme des transistors.
En gnral, on rajoute toutefois un condensateur en parallle avec la Zener : son impdance vient
diminuer celle du montage aux frquences leves. C'est avantageux si le montage aliment a une
consommation en courant avec des composantes hautes frquences. Ce condensateur diminue
aussi le bruit interne de la Zener qui est assez important.
Ce type d'alimentation est appel rgulateur shunt, car le courant de rgulation Iz est driv la
masse.
En pratique, ces rgulateurs sont utiliss dans des montages simples ncessitant peu de puissance.

37

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Exemple : Raliser une alimentation stabilise 12v - 30mA, partir dune source de tension constante
24v.
On choisit une diode Zener BZX 55 - C12, dont les caractristiques techniques sont: Vz = 12v,
Pz = 500 mW, Izmaxi = 32 mA. On suppose Izmini = 0 (diode parfaite).
1. Calculer la valeur de la rsistance de protection (pour R ).

Rp =

24 12
= 375 on choisira une valeur normalise : Rp = 390 W.
32 103

2. Calculer, dans ces conditions, la puissance dissipe dans la rsistance.

122
P=
= 0,37 W on prend: P = 0,5 W.
390
3. Quel est le courant que peut dbiter lalimentation?

IZ = 0 Ir =

24 12
= 30, 7 mA
390

4. Quel est le courant maximal qui peut traverser Rp?

R =0 I =

24
= 61,5 mA
390

5. Calculer alors la puissance dissipe dans Rp.

242
P=
= 1, 47 W on prend 2W
390

38

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Diodes avalanche contrle


Les diodes de redressement standard ne sont pas garanties pour fonctionner au del de la tension VR
spcifie. Si on utilise des diodes standard dans des milieux parasits, il se peut qu'on dpasse
momentanment la tension inverse maxi et qu'on dtruise la diode.
Certaines applications ont besoin de diodes qui ne soient pas dtruites par une entre en avalanche.

Caractristiques physiques
Les diodes avalanche contrles sont fabriques dans du silicium de meilleure qualit que les
diodes standard : meilleure homognit du cristal, traitement de surface pouss limitant les courants
de fuite. La rsistivit du silicium est ainsi plus homogne, et lorsque le phnomne d'avalanche se
produit, c'est dans tout le volume du cristal qui peut alors supporter des puissances trs leves
pendant quelques dizaines de microsecondes.
Ces diodes sont svrement tries en fin de fabrication pour dtecter les dfauts ventuels.
On spcifie en plus des IR et VR standards une tension inverse maxi pour un courant inverse donn.

Protection contre les surtensions


Une des applications est l'utilisation dans des milieux parasits : des surtensions brves (quelques s)
d'une amplitude trs suprieure la tension VR de la diode peuvent apparatre : la diode va
fonctionner en avalanche, et limiter la surtension parasite. Ce phnomne ne sera pas destructif car la
diode est conue pour fonctionner en avalanche sans tre dtruite.

Mise en srie de diodes


Lorsqu'on veut bloquer des fortes tensions sans faire appel des diodes spciales haute tension
(chres et difficiles se procurer), on peut mettre en srie plusieurs diodes dont la somme des VR
sera suprieure la tension bloquer.
Si on met en srie des diodes ordinaires, les tensions ne vont pas se rpartir de faon gale pour
toutes les diodes comme le montre la Figure 38.

Figure 38
Caractristiques de deux diodes.
Si on met les deux diodes de cet exemple en srie, sans autres composants en parallle, le courant
de fuite sera le mme pour les deux diodes, et tel que VD1 + VD2 = U, tension totale bloquer ; VD1
et VD2 sont les tensions aux bornes des diodes D1 et D2 pour le courant de fuite commun IR.
La diode D1 qui fuit plus que l'autre tension donne va imposer un courant IR entranant une tension
aux bornes de D2 suprieure la tension de claquage VR : D2 va tre dtruite par avalanche.

39

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Dans le cas gnral o on met plusieurs diodes en srie, la rupture de la premire entrane la
destruction en chane de toutes les autres diodes.
La solution est dans les diodes avalanche contrle : les courants de fuite (hors porteurs
minoritaires) sont trs rduits par construction, et une ou plusieurs diodes peuvent rentrer en
avalanche sans problmes. Le courant de fuite tant faible, la puissance dissipe restera dans les
limites admissibles par le composant.

Diodes de redressement rapides


Notions de charge recouvre
Nous avons dj mentionn le phnomne de diffusion au travers de la jonction PN : les lectrons
majoritaires de la zone N franchissent la jonction et tendent neutraliser les trous de la zone P et vice
versa.
Quand la jonction est polarise en direct, le champ lectrique externe s'oppose au champ lectrique
interne cre par les ions dpossds de leur lectron (zone N) ou trou (zone P) libres, et permet ainsi
une plus grande diffusion des porteurs majoritaires dans la rgion de type oppos o ils deviennent
minoritaires. Ils se recombinent alors avec une charge de signe oppos.
Ce phnomne de recombinaison n'est pas instantan : les porteurs ont une dure de vie t gale
environ 1ms dans le silicium. Il existe donc dans le cristal des charges en excs de part et d'autre de
la jonction, la manire de charges prsentes sur les armatures d'un condensateur.
On associe d'ailleurs cette charge, appele charge stocke, une capacit appele capacit de
diffusion.
Si on inverse brusquement la polarit aux bornes de la diode pour la bloquer, ces porteurs vont se
comporter de la mme manire que les porteurs minoritaires en rgime inverse tabli : ils vont tre
attirs de l'autre ct de la jonction par le champ lectrique externe et vont former un courant intense
qui va s'ajouter au courant de fuite Is, jusqu' ce que la charge stocke disparaisse.
Ce courant va dcrotre jusqu' devenir nul pendant un temps tRR appel temps de recouvrement
inverse.
La charge stocke est d'autant plus importante que le dopage est important. Le dopage intervenant
directement dans la conductivit du cristal, il se pose le problme pour les diodes de puissance qui
ncessitent une conductivit, et donc un dopage importants.
Pour diminuer la charge stocke dans ces composants, on utilise des piges recombinants, qui sont
souvent des atomes d'or. Ils diminuent la dure de vie des porteurs, ce qui induit une charge stocke
plus faible.

Utilisation
Ces diodes sont utilises en lectronique de puissance partout o l'on doit commuter trs rapidement
des courants importants. Elles sont le complment indispensable des transistors de puissance
rapides.
Des diodes standard sont inutilisables dans ces cas l car elles sont trop lentes. Lors de la
commutation des transistors, elles se comporteraient comme des courts circuits (pendant le temps de
recouvrement inverse), ce qui entranerait des surcourants dans les transistors, et leur destruction
plus ou moins rapide.

40

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Diodes de signal
Les diodes prcdemment tudies font intervenir des courants et tensions non ngligeables. Les
diodes de signal sont utilises dans des applications bas niveaux de courants et tensions.
Caractristiques lectriques :
- courant direct : 75 500 mA ;
- tension de claquage inverse : 10 300 V ;
- temps de recouvrement : 2 2 000 ns.

Caractristiques physiques
Les diodes de signal n'ont pas besoin de tenir des fortes tensions inverses : par construction, elles
pourront avoir une capacit parasite faible, et donc fonctionner des frquences leves.
Ces caractristiques sont obtenues grce une surface de jonction rduite et un faible dopage
(diminution des charges stockes).

Dtecteur de crte
Ce dispositif permet de mmoriser la valeur crte d'un signal. Il est trs utilis en instrumentation.
C'est, en fait, un redresseur simple alternance avec filtrage dont la charge est quasi nulle (aux
courants de fuite prs) : la constante de temps de dcharge du condensateur est thoriquement
infinie, (trs grande en pratique).
Il se charge donc la valeur crte (moins la tension de seuil de la diode) et reste charg cette
valeur.
La rsistance R sert limiter le courant de charge du condensateur une valeur raisonnable pour le
gnrateur d'attaque.
Lorsque la tension e est suprieure la tension aux bornes du condensateur U plus la tension de
coude de la diode, celle ci conduit et charge le condensateur travers la rsistance R.
A noter que tel quel, ce montage est inexploitable pour des petits signaux : la tension mmorise par
la diode et le condensateur est infrieure la valeur crte du signal d'entre de la tension de seuil de
la diode.
Il existe une version amliore avec amplificateur oprationnel qui pallie cet inconvnient. Il faut aussi
adjoindre ce montage un systme permettant de dcharger le condensateur pour faire une nouvelle
mesure.

Figure 39
Dtecteur de crte.
41

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Dtection AM
En radio diffusion, on ne peut pas mettre correctement un signal audible (20Hz-20kHz) directement
sous forme d'une onde radio-lectrique : il faut passer par un signal haute frquence qui, lui, se
propage (Figure 40).

Figure 40
Signal HF modul en amplitude.

Figure 41
Dtecteur grandes ondes .
Le signal haute frquence (quelques centaines de kHz), qu'on appelle la porteuse, est modul en
amplitude par le signal audio (basse frquence) mettre. A l'arrive (dans le poste transistors), on
doit sparer les deux signaux. On le fait trs simplement avec une diode et un condensateur (Figure
41).

Figure 42
Signal dmodul.
Sans la rsistance R, on aurait un dtecteur de crte comme prcdemment. On dtermine cette
rsistance de manire ce que la constante de temps RC soit petite devant la priode de la porteuse,
et grande devant la priode du signal mettre : on arrive ainsi reconstituer le signal basse
frquence (BF) : c'est la courbe en gras de la Figure 42.

42

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crtage des surtensions


De par leurs caractristiques, les diodes Zener sont idales pour crter des surtension (commutation
de selfs ou autres) et sont donc toutes indiques pour la protection d'autre semi-conducteurs
sensibles ces surtensions.
Certains composants comme les transils ont des caractristiques similaires aux diodes Zener,
mais peuvent supporter des puissances crte considrables pendant de courts instants. Ils sont
utiliss pour protger les installations coteuse contre la foudre et les parasites d'quipements
industriels (gros moteurs, relais de puissance, commutateurs statiques).
Thermomtres. Compensation thermique
C'est une utilisation importante des diodes. La tension directe des jonctions PN en silicium est
affecte d'un coefficient de temprature ngatif (environ -2mV/C).
Certains montages transistors ncessitent une drive minimum en temprature. On peut arriver
compenser cette drive l'aide d'une diode couple thermiquement au transistor et place
judicieusement dans son circuit de base (voir chapitre sur les transistors).
Cette drive en temprature peut aussi tre utilise comme thermomtre sur un montage. Lorsque la
diode dtecte des tempratures trop leves, elle peut commander un circuit qui va (par exemple)
couper certaines fonctions du montage (autoprotection). Cette fonction est trs utilise dans les
composants intgrs.

Diodes lectroluminescentes

Caractristique
Ces diodes spcifiques base d'arsniure de gallium ont la proprit d'mettre de la lumire dans une
bande de frquence dtermine par les caractristiques du matriau employ quand elles sont
traverses par un courant direct.
Il en existe de diverses couleurs (jaune, orang, rose, rouge, vert, infrarouges).
On les utilise avec un courant direct d'environ 10 20 mA.
La tension de coude de ces composants est plus leve que celle des diodes ordinaires, et elle
dpend de la couleur. Cette tension est comprise entre 1,2 et 3,8 V environ.

Utilisation
On les rencontre partout o on a besoin de tmoins lumineux, et de plus en plus, associes en
matrices pour remplacer des grosses lampes (feux tricolores de circulation par exemple), ou pour faire
des panneaux d'affichage lectroniques (heure, temprature, publicits diverses ).
Les diodes infrarouges servent beaucoup dans les tlcommandes d'appareils TV / HIFI. On les
utilise alors avec des forts courants pulss.
Des diodes mettant une couleur assez proche du blanc ont fait leur apparition, elles possdent un
excellent rendement et leur dure de vie est considrablement plus leve que celle des ampoules
incandescence. Malgr cela, la lumire froide quelles mettent nen fait pas de redoutables
concurrents des ampoules incandescence.

43

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Autres diodes
Il existe encore beaucoup d'autres varits de diodes. Citons entres autres :
Les diodes Schottky, jonction mtal / semi-conducteur : cette jonction htrogne est caractrise
par l'absence de stockage des charges, elle est donc trs rapide. Elle est trs utilise dans les circuits
logiques rapides (TTL Schottky).
Les diodes varicap : on utilise la variation de la capacit de jonction avec la polarisation inverse dans
des oscillateurs ou des circuits d'accord. On fait alors facilement varier la tension d'oscillation ou
d'accord en modifiant la tension de polarisation.
Caractristiques lectriques :
- tension : 12 32 V ;
- courant : 10 200 mA ;
- capacit variable : 8 600 pF.
Les diodes stabistor : elles ont un fonctionnement et une utilisation semblable celles des diodes
Zener pour les trs faibles tensions. Elles servent aussi la polarisation des tages de sortie des
amplificateurs en classe B.
Caractristiques lectriques :
- tension directe 1 mA : 0,55 1,75 V ;
- courant direct : 0,2 2 A ;
- tension inverse : 5 40 V.

44

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Les symboles des diffrentes diodes


symbole de la diode classique
symbole, actuellement en vigueur, de la diode Zener
ancien symbole de la diode Zener
symbole de la diode Zener non normalis, mais tout de mme
employ (cette diode est galement appele diode effet de
claquage)
Stabistor (sorte de diode Zener faible tension)
Diode Zener programmable
Double diode Zener (deux diodes Zener mises tte bche)
Diode Schottky
Diode varicap (diode = condensateur variable)
Diode lectro-luminescente ou DEL (L.E.D. en anglo saxon)
Pour une diode infrarouge rceptrice, les flches sont inverses
Diode effet tunnel

45

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Exercices
1. Une diode est utilise dans le montage ci-dessous :

3,3

2,5

gnrateur
+

E=4,5 V

Figure 43
Des relevs effectus sur cette diode branche en direct sont donns dans le tableau ci-dessus :
v (V)
i (mA)

0
0

0,6
0

0,7
10

0,8
40

0,85
75

0,9
150

0,95
500

1
1000

1.1. Tracer la caractristique directe tension-courant de la diode; chelle recommandes :


1 cm pour 0,1 V et 1 cm pour 100 mA.
1.2. Donner la tension de seuil V0 de la diode idale quivalente la diode tudie et calculer sa
rsistance dynamique Rd. En dduire le modle lectrique (ou schma quivalent) de la
diode.
1.3. Calculer les coordonnes du point de fonctionnement et tracer la droite de charge pour
vrifier graphiquement les rsultats.
1.4. Le gnrateur prcdent est remplac par un gnrateur de rsistance interne ngligeable
dlivrant le signal e(t) reprsent Figure 44.

Figure 44
Tracer le chronogramme u(t) de la tension aux bornes de la rsistance R en utilisant le modle
n2 de la diode.

46

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2. Le dispositif de la Figure 45 comprend quatre diodes, supposes idales, deux interrupteurs A et


B, deux ampoules X et Y, et une source idale de tension alternative. On admettra que si une
diode court-circuite une ampoule, celle-ci est teinte, plus aucun courant lectrique ne traversant
le filament.
Etablir la table de vrit dcrivant le fonctionnement du circuit. 1 reprsente un interrupteur
ferm, 0 ouvert.

A
Figure 45
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

3. Tracer londe de courant qui traverse la rsistance de 1 k dans le circuit de la Figure 46 en


synchronisme avec londe de tension.

Figure 46

47

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4. On considre le montage de la Figure 47 dans lequel les diodes ont pour caractristique la courbe
ID = f(VD) de la figure 2.
E

R1

ID

VD1
ID1
VD2
ID2
V1

0
V2

R2

Vs

V0

VD

Figure 47
On donne E = 5V, R1 = 10k, R2 = 100k et V0 = 0,7V.
V1 et V2 sont des tensions gales 0V ou 5V.
Dterminer ltat des diodes et calculer les valeurs des tensions VD1, VD2, Vs dans chacun des cas
suivants:
a) V1 = 0V et V2 = 0V
b) V1 = 5V et V2 = 0V
c) V1 = 0V et V2 = 5V
d) V1 = 5V et V2 = 5V
En supposant que lon attribue le niveau logique 0 des tensions comprises entre 0V et 0,8V et le
niveau logique 1 des tensions comprises entre 3V et 5V, donner la table de vrit de ce montage.
Quelle est la fonction logique ralise ?

48

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5. Dans le montage de la Figure 48, les diodes sont supposes parfaites (tension de seuil et
rsistance dynamique ngligeables).

D1

E
D2
D3

E1

E2

R
E3

Figure 48
E1=30 V

E2=10 V

E3=15 V

E=10 V

R=20

5.1. Montrer quune seule des trois diodes est passante et prciser laquelle est passante.
5.2. Dterminer lintensit dans la rsistance R ainsi que les tensions UD1, UD2 et UD3 aux
bornes des diodes.

49

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6. Dans le montage de la Figure 49 dans lequel les diodes sont supposes parfaites et les
gnrateurs idaux.

D1

D2

+
E

1A

20

Figure 49
6.1. Quel est ltat de la diode D2. Justifier.
6.2. Calculer lintensit i dans les 2 cas suivants :
E = 10 V
E = 30 V

7. On considre le montage de la Figure 50 dans lequel la diode D a une tension de seuil nulle et
une rsistance dynamique ngligeable.
r
i2
i

i1

RL

r = 100
RL = 1000
R = 250
E1 = 3V

E1

Figure 50
7.1. On considre la diode D bloque.
7.1.1.Donner le schma quivalent au montage.
7.1.2.Dterminer une relation entre e, s, r et RL puis donner lexpression numrique de s en
fonction de e (en remplaant r et RL par leurs valeurs numriques).
7.2. On considre la diode D passante.
7.2.1.Donner le schma quivalent au montage.
7.2.2.Dterminer une relation entre e, s, r, RL, R et E1 puis donner lexpression numrique de
s en fonction de e.
7.3. Reprsenter la courbe s = f(e) pour -10V e +10V en indiquant les coordonnes des points
remarquables (pour les valeurs extrmes de e et pour le point de cassure de la courbe).
Justifier lallure de la courbe.

50

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8.

Soit le circuit diode de la Figure 51. Calculer le courant I avec les trois approximations de la
diode (court-circuit, source de tension, source de tension et rsistance).
On utilisera successivement les trois modles de la diode avec considrer VAK = 0.7V et R = 1.

I
10 A

10 V

2
+

Figure 51

51

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9. Le schma de la Figure 52 reprsente un chargeur de batterie :


R

uR

uD

batterie
6,3 V

v = 20 sin(t)

Figure 52
La tension dlivre par le gnrateur est: v = 20sin (t ) . La diode D est suppose idale. La tension
de la batterie, considre comme constante, a pour valeur 6,3 V. La rsistance R limite le courant i
dans le circuit.
9.1. Reprsenter en fonction du temps les variations de v, i et uD.
9.2. Quelle valeur faut-il donner R pour limiter 5 A le courant de crte qui traverse la diode?
9.3. Dans ce montage, quelle est la tension inverse maximum aux bornes de la diode?
9.4. Calculer les valeurs de t qui correspondent un changement dans le comportement de la
diode.
9.5. tablir lexpression du courant instantan, la rsistance R ayant la valeur trouve
prcdemment.
9.6. Calculer la valeur moyenne du courant fourni la batterie.
9.7. Calculer:
la puissance cde la batterie,
la puissance dissipe dans la rsistance R,
la puissance fournie par le gnrateur.
10. La Figure 53 reprsente un chargeur de batterie :
D

v = 5 sin(t)

uch

batterie
1,3 V

Figure 53

La tension dlivre par le gnrateur est : v = 5sin (t ) . La diode est en silicium, le "modle n2"
sera utilis.
La tension de la batterie, considre comme constante, a pour valeur 1,3 V. La rsistance R limite le
courant i dans le circuit.
10.1.
Quelle valeur faut-il donner R pour limiter 3 A le courant de crte qui traverse la
diode ?
10.2.
Dans ce montage, quelle est la tension inverse maximum aux bornes de la diode ?
10.3.
Reprsenter l'volution des grandeurs i et uch en fonction du temps. R possde la
valeur trouve la question 10.1, aussi l'intensit maximum est de 3 A.

52

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11. On considre la Figure 54 dans laquelle les diodes sont supposes parfaites. Le pont est aliment
par une tension alternative sinusodale : u ( t ) = 48 sin (t )

D2

D1

D4
D3

uAB

uR

Figure 54
11.1.1. Reprsenter en concordance de temps sur une priode les tensions u(t) et uR(t)
(tension aux bornes de R). Pour chaque demi-priode, indiquer quelles sont les diodes
passantes et les diodes bloquantes. Quel est lintrt de ce montage en pont ?
11.1.2. Lintensit maximale supportable par chaque diode est 6 A. Calculer la valeur
minimale de la rsistance R permettant dassurer la protection des diodes.
11.1.3. Calculer la valeur moyenne Imoy de i(t), si R a la valeur minimale dtermine au 10.1.2.
11.2.
On utilise le montage prcdent pour charger une batterie de f.c..m. E = 24 V ;
place en srie avec R (Figure 55).

D2

D1
u

D4
D3

uR

uAB
E

Figure 55
11.2.1. A quelle condition (portant sur uAB) le courant traversant la batterie est-il non nul ?
Reprsenter en concordance de temps sur une priode les tensions u(t), uAB(t) et uR(t)
en justifiant.
11.2.2. Montrer que la protection des diodes est assure en gardant la rsistance dont la
valeur a t calcule au 11.1.2.
11.2.3. Entre les instants 0 et T/2, exprimer en fonction de T les dates t0 et t0 de dbut et de
fin de conduction.
11.2.4. Donner lexpression de i(t) pour t0 t t0.
11.2.5. Calculer la valeur moyenne Imoy de i(t)

53

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Solution :
1) IRmoyen =3.82A ; 2)c) t 0 = T , t'0 = 5T ; d)

12

12

i=6sin(t)3 ; e) imoyen =1.31A

12. Dans le schma de la Figure 56, on demande desquisser le trac des tensions donnes par les
sondes figurant sur le schma. Il nest pas demand de poser et encore moins de rsoudre
lquation diffrentielle permettant de donner la forme donde exacte des tensions demandes.
Quelle sonde donne la tension aux bornes du rcepteur RL et quelle sonde donne limage du
courant qui traverse le diple RL ?

Figure 56

54

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13. Etude dune diode Zener


On considre la caractristique i(u) dune diode Zener la Figure 57 :

iZ
P e n te
1 /r
-U Z
0
P e n te
1 /R Z

US

uZ

Figure 57
La diode Zener est inclue dans le montage de la Figure 58 :
R
A

i
+
E

B
Figure 58
O, E = 12 V; RZ = 10 ; UZ = 7,5 V.
13.1.
Calculer R pour que lintensit i circulant dans la Zener soit gale 5 mA.
13.2.
Exprimer, en fonction de E, R, UZ et RZ, les 2 lments ETh et RTh du gnrateur de
Thvenin quivalent compris entre A et B.
13.3.
Exprimer, en fonction de R et RZ, la quantit dETh/dE. De combien varie ETh lorsque E
varie de 2 V ? Utilit de la diode Zener.
On connecte aux bornes A et B du circuit prcdent une rsistance X.
13.4.
Calculer en fonction de E, UZ, R, RZ et X le courant circulant dans cette rsistance
(A.N. pour X = 2000 ).
13.5.
Calculer la valeur limite Xm de X en dessous de laquelle la diode Zener ne joue plus
son rle.

55

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14. La diode Zener utilise dans le circuit reprsent Figure 59 est suppose idale; sa tension de
Zener est de 5 V.
14.1.
La tension VAB tant de 8 V, calculer :
14.1.1. le courant dans la diode Zener ;
14.1.2. la puissance dissipe dans la diode Zener.
14.2.
On branche une rsistance variable RC entre C et D.
14.2.1. La rsistance ayant pour valeur 1 k et la tension VAB tant de 8 V, calculer lintensit
des courants dans la rsistance R = 200 et dans la diode Zener.
14.2.2. La tension VAB tant de 8 V, quelle valeur minimale peut-on donner la rsistance RC
pour que la diode Zener stabilise la tension VCD ?
14.2.3. La rsistance RC ayant pour valeur 1 k, quelle valeur minimale peut-on donner la
tension VAB pour que la diode Zener stabilise la tension VCD ?
R = 200

VAB

VCD

B
Figure 59

15. Dans le montage de la Figure 60, la diode Zener est suppose parfaite. Sa tension Zener UZ est
gale 6,2V et sa puissance maximale est de 1,3W.
i

Rp
ic

uc

ud

Rc

id

Figure 60
15.1.

Dterminer le courant maximal qui peut traverser la diode.

15.2.
On fixe Rc = Rp = 100. Entre quelles limites peut varier E pour quil y ait stabilisation
de la tension uc ?
On fixe E = 24V et Rp = 100. Entre quelles limites peut varier Rc pour quil y ait stabilisation de la
tension uc ?
Solution :
1) id max =0.21A ; 2) Stabilisation si 12.4VE33.4V ; 3) Rc>34.8

56

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Solutions
1.1 On obtient la courbe ci-dessous :
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Figure 61
1.2 On trace les deux segments de droite (en pointill) afin de "linariser" la caractristique
lectrique de la diode. La jonction des deux segments au point V0 = 0,9 V et i = 0 A donne
l'information demande, savoir la tension de seuil de la diode.

1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Figure 62
57

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La rsistance dynamique sur la partie linaire se dtermine par :

rd =

(1 0.9 ) = 0,1 = 0,1


v AK
=
iAK (1000 103 0 ) 1

1.3 La diode est donc quivalente au schma lectrique suivant, lorsque le courant passe travers
elle :

Figure 63
Le schma quivalent lectrique du circuit est le suivant :

3,3
diode

2,5

0,9 V

VAK

gnrateur
+

0,1
E=4,5 V

K
i

Figure 64
On a donc

i=

4,5 0,9
= 0, 61 A (Pouillet) et donc : vAK = 0,9 + 0,1 0, 61 = 0,96 V
2,5 + 3,3 + 0,1

Ce rsultat peut tre obtenu graphiquement par le trac de la caractristique lectrique du diple
branch aux bornes de la diode, savoir :

Figure 65

58

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Cherchons l'quation de la caractristique lectrique :


Les points d'intersection de la caractristique avec les axes sont : (Vvide;0)) et (0;Icc).
Soit : (4,5;0) et (0;775.10-3)
La pente de la caractristique lectrique est

a=

0 0, 775
= 0,172 A.V -1
4,5 0

i = 0,172 v + 0, 775
Pour v = 1 V, i = 603 mA

1000
900

Caractristique lectrique du
gnrateur branch aux bornes de la
diode

800
700
600
500
400
300
200
100
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Figure 66
On lit v = 0,96 ou 0,97 V et i = 600 mA. Valeurs proches de celles obtenues par le calcul.
La tension aux bornes de la rsistance est due au courant qui la traverse. Celui-ci n'est diffrent de 0
que lorsque la d.d.p. du gnrateur de tension en dents de scie atteint et dpasse la f.c..m. de la
diode, soit 0,9 V. La valeur maximale de la d.d.p. aux bornes de R est atteinte lorsque le courant y est
maximale, soit lorsque le gnrateur de tension en dents de scie fournit 6 V.
On a alors : imax =

6 0,9
= 1,5 A vmax = 3,3 1,5 = 4,95 V .
3,3 + 0,1

59

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1.4

Figure 67
2.
A
0
0
1
1

B
0
1
0
1

X
0
0
1
1

Y
0
1
0
1

3 Voir Figure 19.

4 Fonction logique ET

5.1 D1 passante
5.2 I = 1 A

60

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6. Il faut faire trs attention linformation gnrateurs idaux .


Le gnrateur de courant (pompe volumtrique qui fait circuler un fluide hydraulique quoiquil arrive)
maintiendra la diode D2 ltat passant. Il y aura donc au moins 1 A circulant du haut vers le bas dans
la rsistance de 20 , y crant une d.d.p. de 20 V.

Si E = 10 V, la f..m. de E est trop faible pour vaincre la f.c..m. de 20 V, VAK = 10 20 =- 10


V < 0 D2 est bloque ; E narrive pas faire circuler un courant. Seul 1 A parcourt la
rsistance R = 20 . Sans la prsence de D1, le gnrateur E serait rcepteur idal de
tension travers par un courant de 0,5 A, pouvez vous le prouver ?

D2

D1

1A

+
20

10 V

20 V

I=1A

Si E = 30 V, la f..m. de E est suprieure la f.c..m. de 20 V, VAK = 30 20 = + 10 V > 0, le


courant passe et la d.d.p. VAK devient nulle car la diode est parfaite. La d.d.p. aux bornes de R
slve 30 V, le courant totale est de 30/20 = 1,5 A. Le courant dbit par le gnrateur E
sera de 1,5 1 = 0,5 A.

0,5 A

D2

D1

1A

+
30 V

20

30 V

I = 1,5 A

61

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7.1.1
r

i2

i1 = 0

RL

r = 100
RL = 1000
R = 250
E1 = 3V

E1

Figure 68

7.1.2 On a un simple diviseur de tension : s = e

RL
1000
= e
= 0,909 e
r + RL
100 + 1000

On remplace e, r et RL par un gnrateur de Thvenin quivalent (la question prcdente nous a


permis de dterminer la f..m. de ce gnrateur). La rsistance de ce gnrateur de Thvenin vaut :

Rth = r // RL =

100 1000
= 90,9
100 + 1000

7.2.2

90,9

i2

i1

i1

+
e

RL

0,909e

E1

E1

Figure 69
s est la somme de la tension aux bornes de R et de la f..m. E1. La tension aux bornes de R est le
produit de R par le courant i1 qui passe dans R. Lquation de la maille permet de dterminer i1 :

0,909 e 90,9 i1 R i1 E1 = 0 i1 =

s = R i1 + E1 = R

0,909 e E1
90,9 + R

0,909 e E1
0,909 R
R

+ E1 = e
+ E1 1

90,9 + R
90,9 + R
90,9 + R

s = e 0, 666 + 0,8
62

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8 On peut remplacer la source idale de courant (10 A) en parallle avec la rsistance de 2 par une
source de tension quivalente (Figure 70). La rsistance interne est identique, soit 2 . La tension
fournie par la source gale au produit du courant par la rsistance soit : 210 = 20 V.
Attention la position de la borne + pour la source de tension quivalente : lorsque la source de
courant et la rsistance sont isoles, le courant traverse la rsistance du haut vers le bas. Le + est
donc sur le haut de la source de tension quivalente.

I
2
+

10 V

20 V
+

Figure 70

Schma quivalent n1 de la diode :

La diode est passante, cest un simple interrupteur ferm. Une quation de maille donne :

10 + 20 + 2 i + 2 i = 0 i =

30
= 7,5 A Il est noter que i circule dans le sens contraire de I.
4

On a donc I1 = - 7,5 A.

Schma quivalent n2 de la diode :

Il faut prendre en compte une f.c..m. de 0,7 V pour la diode. Lquation de maille se modifie en :

10 + 20 + 2 i 0, 7 + 2 i = 0 i =

30 0, 7
= 7,32 A et I2 = - 7,32 A.
4

Schma quivalent n3 de la diode :

Il faut prendre en compte la f.c..m. et la rsistance dynamique de 1 . Cela modifie encore lquation
de maille :

10 + 20 + 2 i 0, 7 + 11 + 2 i = 0 i =

30 0, 7
= 5,86 A et I2 = - 5,86 A
5

63

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9.1

Figure 71
La Figure 72 montre la tension v donne par la sonde 1.

Figure 72
La tension aux bornes de la diode, ud, est donne par la Figure 73. Il faut se souvenir que cette
tension vaut 0,7 V pour une diode au silicium dans ltat passant (interrupteur ferm). Lorsque la diode
est bloque, la tension anode cathode est au maximum gale 20 + 6,3 = 26,3 V.

Figure 73

64

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La Figure 74 montre lallure du courant dans le circuit. Le courant ne circule que lorsque la diode
conduit. Avec Crocodile Clips, on peut se servir de la fonction mesure de tension diffrentielle, trace
rouge = rouge sonde bleue , disponible une fois que lon a cliqu sur le bouton oscilloscope afin
dobtenir le trac du courant.

Figure 74
Courant dans la diode en fonction du temps
9.2 La rsistance R sobtient par : R =

( v e ) = 20 6,3 = 2, 74
imax

9.3 La tension inverse maximum aux bornes de la diode a lieu lorsque la source de tension alternative
produit sa tension maximum tout en polarisant la cathode positivement par rapport lanode (diode
bloque). Dans ces conditions, lquation de maille donne : uinv max = 20 + 6,3 = 26,3 V
Ou encore :

v AK = 26,3 V (la d.d.p. aux bornes de la rsistance est nulle puisquil ne passe aucun

courant).
9.4 La diode se met conduire si VAK > 0 ou elle se bloque si VAK < 0. Il faut rsoudre lquation :

20 sin (t ) = R i + 0, 7 + 6,3 . Si lon se place aux instants o la diode commute, i = 0. Lquation


devient :

0, 7 + 6,3
20 sin (t ) = 0, 7 + 6,3 t = arcsin
= 20,5 = 0,357 rad
20

Cette solution correspond la mise en conduction de la diode, celle-ci cessera de conduire pour un
angle symtrique par rapport 90, soit 180-20,5=159,5.
Si f = 50 Hz, cela donne pour le temps :

ton =

( 20,5
314

180 )

= 1,13 ms et toff =

(159,5
314

180 )

= 8,86 ms

En 50 Hz, une priode vaut 1/50 = 20 ms et donc la demi priode vaut 10 ms ; il naurait pas fallu
trouver des valeurs suprieures la dure de la demi priode pour un tel montage sans inductance,
cela aurait indiqu clairement une erreur de calcul.

65

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9.5 Expression du courant :

On choisit comme origine des temps lorigine des temps de la tension v ( t ) = Vmax sin (t )
0 < t < t = 0,357 rad

i(t) = 0

0,357 rad < t < 2,78 rad

i = 5sin (t 0,357 ) .

2,78 rad < t < 2

i(t) = 0

On peut aussi changer lorigine afin de la faire concider avec le passage par 0 de lintensit
lorsquelle crot :
0 < t < 2,423 rad (= 2,78 0,357) i = 5sin (t )
2,423 rad < t < 2 i(t) = 0

Figure 75
Courant dans la diode en fonction du temps, changement dorigine

9.6 Calcul du courant moyen :

1
i=
2

2,423

5 sin (t ) d (t ) =

2,423
5
5
cos (t )
cos ( 2, 423) + cos ( 0 )  1, 4 A
=
0
2
2

9.7
La puissance moyenne fournie la batterie est le produit de la f.c..m. moyenne de la batterie (6,3 V)
par le courant moyen qui la traverse, soit :

Pbatterie = 6,3 1, 4 = 8,82 W


La puissance moyenne fournie la rsistance R est le produit de la rsistance par le carr du courant
moyen :
2
PR = R imoyen
= 2, 74 1, 42 = 5,37 W

Le gnrateur de tension alternative fournit la somme de ces puissances, soit :

Pgn = PR + Pbatterie = 5,37 + 8,82  14, 2 W

66

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10.1.

R=

5 0, 7 1,3
=1
3

10.2
R

I=0

VD MAX

batterie
1,3 V

v=5V
+

Figure 76
Tension inverse maximale : 5 + 1,3 = 6,3 V
10.3
Figure 77 : uch = f(t) ; amplitude maximum : 5 0,7 = 4,3 V

Figure 77

67

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Figure 78 : uch = f(t)

Figure 78
Figure 79 : i = f(t) ; i possde une amplitude maximum de 3 A,
i ne devient non nulle que lorsque v(t) > 2 V

Figure 79
68

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11
11.1.3

IRmoyen =3.82A

11.2.3 t 0 = T et t'0 = 5T

12

12

11.2.4

i=6sin(t)3

11.2.5

imoyen =1.31A

12 On peut se servir de la relation

e=L

di
di e
= pour esquisser lvolution du courant. Tant
dt
dt L

que la tension e est positive, i est croissant.


Lorsque e devient ngative, i dcroit jusqu ce que lnergie emmagasine dans linductance L
sannule.
Le maximum de lintensit i concide peu de chose prs avec le passage par 0 de e.
La forme exacte de la tension (morceau de sinusode Figure 80) et du courant est donn par une
simulation effectue laide de Crocodile Clips.

Figure 80

69

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13
13.1

R=

12 7,5
= 900
5 103

13.2
900

i
i

+
12 V

RZ

ETh

UZ

Figure 81
Equation de maille du circuit de la Figure 81 :

E R i RZ i U Z = 0 i =
ETh = U Z + RZ i = U Z + RZ

E U Z 12 7,5
=
= 4,94 mA
R + RZ 900 + 10

E UZ
= 7,549 V  7,55 V
R + RZ
900

RZ

Figure 82
Selon la Figure 82, la rsistance du gnrateur quivalent de Thvenin est :

RTh = R // RZ =

R RZ 900 10
=
= 9,89
R + RZ 900 + 10

70

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RTh

Le gnrateur de Thvenin cherch est donc :


9,89

+
7,55 V

Figure 83

E UZ
U Z + RZ

R + RZ
ETh
RZ
10

13.3
=
=
=
= 10,98 103
R + RZ 900 + 10
E
E
ETh
= k ETh  k E do : ETh  10,98 103 2  22 mV
E
Lutilit de ce montage apparat ici, une variation de la tension dentre de 2 V produit une variation de
seulement 22 mV en sortie !
13.4

R RZ
= 9,89
R + RZ

ETh = U Z + RZ

E UZ
 7,55 V
R + RZ

Figure 84

i=

ETh
7,55
=
= 3, 75 mA
RTh + X 9,89 + 2000

71

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13.5
Si la rsistance X diminue, le courant qui la traverse augmente.
Or, le courant qui traverse la rsistance de 900 est constant tant que la Zener joue son rle de
rcepteur idal de tension et quelle maintient 7,5 V ses bornes.
Ainsi, si le courant dans X augmente, le courant dans la Zener diminue.
Le point de fonctionnement de la Zener se rapproche donc du point limite o la Zener passe du
gnrateur idal linterrupteur ouvert. Lorsque le point de fonctionnement est juste cette position,
le schma quivalent est celui de la Figure 85.

900

i = 5 mA

i - iZ = 5 mA

iZ = 0
ETh = 7,55 V

+
12 V

RZ

UZ

Figure 85

X ne doit donc pas descendre en dessous de : X min i =

7,55
= 1510
5 103

14.1.1 Le courant dans la diode Zener est celui qui traverse la rsistance R, on a donc :

iZ =

VAB VZ 8 5
=
= 15 mA
R
200

14.1.2 La puissance dissipe dans la diode Zener est : PZ = VZ iZ = 5 15 10

72

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= 75 mW

14.2.1 La premire question se poser est : quel est le modle lectrique reprsentant ltat de la
Zener ?
Pour rpondre cette question, on dbranche la Zener (en pointills sur la Figure 86).
R = 200

VAB = 8 V

1000

D
Figure 86

Puis, on calcule la tension VCD (R et la rsistance de 1000 constitue un simple diviseur de tension) :

VCD = VAB

1000
= 6, 66 V
1000 + 200

VCD > VZ, cela implique quune fois rebranche, la Zener se comportera comme un rcepteur idal de
tension et maintiendra 5 V entre les points C et D.
Lintensit dans la rsistance de 200 vaut : i200 =

85
= 15 mA .
200

Lintensit dans la rsistance de 1000 est tout simplement donne par la loi dOhm :

i1000 =

5
= 5 mA .
1000

Lintensit passant dans la diode Zener est trouve en appliquant la loi des nuds :

iZ = i200 i1000 = 15 103 5 103 = 10 mA .

73

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14.2.2 Lorsque Rc diminue, le courant dans Rc augmente au dtriment de celui qui passe dans la
Zener. En effet, tant que la Zener se comporte en rcepteur idal de tension, le courant dans la
rsistance R de 200 reste constant et gal 15 mA. Ainsi, la somme du courant dans la Zener et du
courant dans la rsistance de 1000 est constante gale 15 mA.
Si le courant dans la Zener diminue, le point de fonctionnement de celle-ci se rapproche de la position
limite pour laquelle iZ = 0 A et VZ = 5 V. Au-del de cette position, la diode est quivalente un
interrupteur ouvert, elle ne rgule plus la tension.
R = 200

C
15 mA

iZ = 0
VAB = 8 V

5V

Rc

D
Figure 87

Supposons que nous ayons atteint ce point limite en rduisant Rc (Figure 87). La loi dOhm suffit
dterminer Rc :

Rc =

5
= 333,3 . En dessous de cette valeur, la Zener ne stabilise plus la tension. Cette
15 103

question illustre la rgulation de tension vis--vis des perturbations aval.


14.2.3 Dans cette question, nous tudions la rgulation vis--vis des perturbations amont. Ici aussi,
lorsque la tension VAB diminue, le courant dans la Zener diminue. Lintensit dans Rc reste constante
tant que la tension ses bornes reste constante et donc tant que la Zener reste quivalente un
rcepteur idal de tension. L aussi, ltude des grandeurs lectriques au point limite iZ = 0 A et VZ = 5
V nous permettra de dterminer la plus petite valeur possible de VAB.
R = 200

C
5 mA

iZ = 0
VAB

5V

1000

D
Figure 88

La Figure 88 montre que, pour cette question, lintensit dans la rsistance Rc est de
3

La d.d.p. aux bornes de la rsistance R est donc de : 5 10 200 = 1 V .


74

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5
= 5 mA .
1000

Une quation de maille fournit la valeur de VAB : VAB = VCD + VR = 5 + 1 = 6 V .


La plus petite valeur possible de VAB est donc de 6 V, en-dessous de cette valeur limite, la diode
Zener ne rgule plus la tension VCD.

15.1 Pmax = U Z iZ iZ max =

Pmax 1,3
 210 mA
=
6, 2
UZ

15.2 Suivant le mme raisonnement que pour la question 14.2.3, un courant de 62 mA traverse la
rsistance Rc lorsque lon arrive au point limite entre la Zener rcepteur de tension idal et la Zener
interrupteur ouvert (voir Figure 89).
Cette intensit produit une d.d.p. de : 100 62 10

= 6, 2 V aux bornes de Rp.

Ainsi : Emin i = U Rc + U Z = 6, 2 + 6, 2 = 12, 4 V .


Rp = 100

62 mA

iZ = 0
+
Emini

6,2 V

100

Figure 89
Lorsque lon maintient E 24 V et que lon diminue Rc, un raisonnement analogue celui de la
rsolution de la question 14.2.2
Rp = 100

24 6, 2
= 178 mA
100

iZ = 0
+
24 V

6,2 V

Rc

Figure 90
La Figure 90 permet dcrire : Rcmini =

6, 2
= 34,83 V
178 103

Version jour du 20/12/2007

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