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EL TRANSISTOR BJT

COMO
AMPLIFICADOR

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y Electrnica

TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Como hemos estudiado hasta este punto, cuando conocemos los
valores de , y podemos alcanzar alguna de las condiciones de
estabilidad anteriormente presentadas. Pero aun as puede ser que no
estemos operando el transistor de manera ptima.

Los principales objetivos a alcanzar en el modo amplificador son:


Permitir la mxima amplitud.
Obtener la mnima distorsin en la seal de salida.

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TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Para operar el transistor como un amplificador, lo que se hace es
agregar una seal variable al voltaje de polarizacin , esta seal
extra, es la seal que deseamos amplificar.

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TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Si graficamos la curva caracterstica del circuito, podemos trazar la recta
que representa el circuito de entrada, considerando = .

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TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Para cualquier otro valor de la tensin , el punto de trabajo de mover
hacia arriba y hacia abajo a lo largo de la curva caracterstica, tal y como
se indica en la figura.

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TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Es decir

= +
de manera similar

= +

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TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Trasladando el punto de trabajo a las caractersticas de salida, y
teniendo en cuenta que , la seal que se obtiene a la salida, ,
es similar a la de la entrada pero amplificada.

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TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Si queremos obtener la mxima excursin (amplitud de la seal sin
distorsin) de , el punto Q lo hemos de situar en el centro de la recta
de carga, de esta manera aseguramos la mxima distancia hacia corte y
hacia saturacin.

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TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Si el punto de trabajo lo situamos cerca de la zona de corte, para el
mismo valor de pico de la seal de entrada anterior, se corre el riesgo de
que la seal de salida salga recortada (distorsionada) por alcanzar dicha
regin (distorsin por corte).

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TRANSISTOR BJT
COMO AMPLIFICADOR
Lo mismo ocurre si situamos el punto Q cerca de la zona de saturacin,
siendo, por consiguiente, la distorsin es por saturacin.

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EL TRANSISTOR BJT
COMO INTERRUPTOR

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TRANSISTOR BJT
COMO INTERRUPTOR
La polarizacin de base es muy til en los circuitos digitales, la razn es
que, por lo general, estos circuitos se disean para funcionar en las
regiones de saturacin y corte. Por ello, se va a obtener a la salida un
voltaje prximo al de alimentacin (valor alto de tensin) y tambin
prxima a cero (valor bajo de tensin).

Dicho de otra manera, no se emplea ningn punto Q que no est situado


en la regin de saturacin o corte, por lo que la estabilidad de dicho
punto pasa a un segundo plano.

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TRANSISTOR BJT
COMO INTERRUPTOR
En la siguiente figura se muestra un esquema de polarizacin de base al
cual se le aplica una voltaje que puede tomar valores muy altos,
prximos a , o bien prximos a cero.

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TRANSISTOR BJT
COMO INTERRUPTOR
Si en dicho circuito se hace que = , la tensin en la unin emisorbase no ser suficiente para que haya una corriente de base
apreciable, por lo que se puede considerar que = , y en
consecuencia = .
En esta situacin, la cada de voltaje en la resistencia de colector ser
nula, y todo el voltaje de alimentacin, , lo tenemos en los
terminales de colector y emisor, por tanto, a la salida, = .

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TRANSISTOR BJT
COMO INTERRUPTOR
Por el contrario, si = , la corriente de base ser muy elevada, al
igual que , llevando el transistor a la zona de saturacin.
En esta zona = . , valor que se puede considerar cero en
comparacin con los voltajes que estamos manejando y, por tanto,
= .

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EL TRANSISTOR DE
EFECTO DE CAMPO

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TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO
INTRODUCCIN
En este captulo vamos a abordar el estudio de un dispositivo de tres
terminales cuyo rango de aplicabilidad coincide en muchos casos, con el
del transistor BJT visto con anterioridad.
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente
como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos
grandes tipos:

Transistor de Efecto de Campo de Unin:


JFET (Junction Field Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
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TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO
INTRODUCCIN
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho
de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente,
mientras que los transistores FET son dispositivos controlados por
tensin.
De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos
tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de
transistores FETs de canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste
en que mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la
corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y
huecos), los transistores FET son unipolares.

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TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO
INTRODUCCIN
En general los FET son ms estables con la temperatura y, normalmente,
ms pequeos en construccin que los BJT, lo que les hace
particularmente tiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
Una caracterstica importante de los FET es que se pueden comportar
como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la
realizacin de circuitos utilizando nica y exclusivamente transistores
FET.

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TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO
CARACTERSTICAS

1. Su operacin
solamente.

depende

del

flujo

de

portadores

mayoritarios

2. Es ms sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma


integrada.

3. Exhibe una gran resistencia de entrada, tpicamente de muchos M.


4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.

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EL TRANSISTOR DE
UNIN DE EFECTO DE
CAMPO (JFET)

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TRANSISTOR JFET
CONSTRUCCIN

Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:


JFET de canal n
JFET de canal p

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TRANSISTOR JFET
CONSTRUCCIN
El FET consiste de una regin de tipo n la cual tiene es su parte media
dos regiones de tipo p. Una terminal de la regin n se llama Fuente
(Sourse) y la opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p estn
conectadas. La terminar de las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)
Contactos hmicos
Canal-n

Compuerta (G)
Regin de
agotamiento

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Fuente (S)

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TRANSISTOR JFET
CONSTRUCCIN

Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material


tipo n ligeramente dopado formando un canal con contactos hmicos en
ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se
encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p+ (material tipo
p fuertemente dopado) con sendos contactos hmicos que constituyen
los terminales de puerta.
En algunos casos los dos terminales de puerta estn accesibles (JFET
de doble puerta) aunque lo ms habitual es que ambos terminales estn
cortocircuitados teniendo un nico terminal de puerta (dispositivo de
tres terminales).

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TRANSISTOR JFET
CONSTRUCCIN

En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen


estn sin polarizar. El resultado es una regin de vaciamiento o zona de
deplexin (regin carente de portadores libres) de forma similar a la que
se vio en su da al analizar en el diodo la unin p-n en ausencia de
polarizacin.

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TRANSISTOR JFET
SMBOLOS
D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los
portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los
huecos en el de canal p).
S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los
portadores.
G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la
corriente de portadores a travs del canal.

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TRANSISTOR JFET
POLARIZACIN
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se polarizan
aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente ( ) y una tensin
negativa entre puerta y fuente ( ). De esta forma, la corriente circular en el
sentido de drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensin a
aplicar debe ser negativa y la tensin VGS positiva, de esta forma la corriente
fluir en el sentido de la fuente hacia el drenador.

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PRINCIPIO DE
FUNCIONAMIENTO
DEL TRANSISTOR
JFET

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