Universidad San Francisco de Quito

Reporte Deber: Tecnologa de 130nm NMOS y PMOS

Esteban Garzon
Febrero 2016

Intoduccion

En este reporte se calcula los parametros fsicos, electricos y tecnologicos para una tecnologa de 130nm (NMOS y PMOS). Se toma en conside las siguientes contantes y caractersticas:
racion
Constantes
Valor
Si
1,036x1012 F/cm
ox
0,35x1012 F/cm
q
1,602x1019 C
Vt
25,9x103 V
niSi [1]
9,65x109 cm3
Caractersticas
Valor
Na
1x1016 cm3
Nd
1x1016 cm3
0
Nit
5x1012 cm2
Nox
1x1011 cm2
msn [1]
0,9V
msp [1]
0,8V
Tox
3x107 cm
W
270nm
L
90nm
Vs
0V
Vds
20mV
Tabla 1: Constantes fsicas y caractersticas del dispositivo

Adicionalmente, se asume que la gate del dispositivo es de +Poly-Si

(p+ P oly/n Si para PMOS - n+ P oly/p Si para NMOS), por lo que de
la figura 1 podemos sacar la diferencia de potencial (ms ). Ver la tabla 1

los resultados de dicha extraccion.

Figura 1: ms vs Dopaje [1]

de Umbral Vth
Pregunta 1: Tension
al bulto, Vsub , de |1V |, |2V | y |4V |. Ademas, se
Se considera una tension

considera una densidad de carga constante a traves del oxido.

(Ver Anexos
de umbral es la siguiente:
- Calculo del voltaje de carga Vq ) La tension
q
Vth = Vf b + 2f + Vs + Vs + 2f Vsub
Donde cada una de las incognitas son:

(1)


Ecuacion

Valor

Cox = ox /Tox

1,667uF/cm2

f = Vt ln(

Na
)
ni

0,3587V

s = 2f

0,7175V

dNit
Nit =
ds

6,968x1012 V 1 cm2

qNox
2Cox

0,0069V

2qNa Si
Cox

0,0494

Vq =

Tabla 2: Valores de incognitas del voltaje de umbral

NMOS
Vf b = ms +

2qNit f
Cox

PMOS

+ Vq 0,2203V 0,1066V

Tabla 3: Resultados Voltaje de Flat Band

de umbral con la ecuacion
1, as teneFinalmente, se calcula la tension
mos:

Vth [V ]
Vsub = |1V |
Vsub = |2V |
Vsub = |4V |

NMOS
0,5619
0,5786
0,6045

PMOS
0,6756
0,6923
0,7182

Tabla 4: Voltaje de Umbral para NMOS y PMOS

Pregunta 2: Corriente Ids vs Vg

al bulto, Vsub , de |1V |, |2V | y |4V |; por lo que
Se considera una tension
se puede observar el efecto del bulto en las figuras 2 y 3. Para obtener estos
resultados se calculo la corriente, para el NMOS, de la siguiente manera:
W
V
2
n Cox ([(Vg Vth ds )Vds ] [(2f + Vds )3/2 (2f )3/2 ])
L
2
3

(2)

Donde la mobilidad, n para el NMOS y p para el PMOS son 1400

cm2
V s

Ids =

cm2
y 471
respectivamente. [2] El resto de incognitas se las calculo anteV s
riormente

Figura 2: Ids vs Vg - NMOS

Figura 3: Ids vs Vg - PMOS

Finalmente, podemos darnos cuenta que el efecto cuerpo afecta a la
de umbral; a consecuencia de esto, el voltaje de umbral es mayor
tension
a medida que el voltaje de bulto aumenta para el caso del NMOS. Por otro
lado, tenemos el mismo efecto para el PMOS

Pregunta 3: Calculo de la Capacitancia y Caracterstica CV

para el NMOS
Para hallar la capacitancia partimos de
1
1
1
=
+
C Cox Cdep

(3)

donde podemos darnos cuenta que para dicho caso nos encontramos en
de deplecion
tomando en cuenta la capacitancia del oxido

la region
y la
Para la solucion
de esta ecuacion
se
capacitancia debido a la deplecion.
considera lo siguiente:

Cdep = si
(4)
Wdep
Vg = Vf b + s + Vox
5

(5)

Donde:
s =
Vox =

2
qNa Wdep

2si
qNa Wdep
Cox

de deplecion.
Ahora, resolviendo la ecuacion

son considerados en la region

completa) 5 para Wdep y reemplazando e ste en
(Ver en anexos la deduccion
4 tenemos:
la ecuacion
C=s

Cox
2
2Cox
1+
(V Vf b )
qsi Na g

o reescribiendo de otra forma:

r
1
1
2
=
+
(Vg Vf b )
2
C
Cox qsi Na
Finalmente, podemos obtener la caracterstica graficando la capacitancia
de Vg :
C en funcion

Figura 4: C vs Vg - NMOS
6

 para un NMOS con un Vth = 0,5619V

La figura 4 ilustra dicha solucion
y Vf b = 0,2203V que coincide con lo calculado en preguntas anteriores.
Adicionalmente podemos observar los efectos de HF(Alta frecuencia) y los
efectos de LF(Baja frecuencia) o QS(Quasi-Static).

Referencias
[1] Sze, M.(2007). Physics of Semiconductor Devices. Canada: John Wiley
and Sons. PDF
[2] Hu, C.(2009). Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits.
Prentice Hall, First Edition. PDF
[3] Software - MatLab

Anexos
Calculo de Vq

Debido a la presencia de cargas en el oxido,

existe un voltaje Vq tal que:
Qox
Cox

Vq =
1
Vq =
Cox

Tox

x
(x)dx
Tox

Donde asumimos una densidad de carga constante a traves del oxido

(x) =
qN ox
. Por lo tanto:
Tox
qN ox
Vq =
2Cox
de la Capacitancia para Caracterstica CV
Deduccion

Vg = Vf b +

2
qNa Wdep

qNa Wdep

2si
Cox
cuadratica:
Reescribiedo en forma de una ecuacion
2
qNa Wdep

2si

qNa Wdep
Cox

(Vf b + Vg ) = 0

cuadratica para Wdep y tomando solamente la raz

Resolviendo la ecuacion
positiva:
s
!2
qNa
qNa
qN
+
+ 4( a )(Vg Vf b )
Cox
Cox
2si
Wdep =
2qNa
2si
s
!2
2
qNa
2q2 Na2 Cox
+
(Vg Vf b )
2
Cox
qNa si Cox
s
+
Wdep =
qNa
Cox
si
s
!
2
2
si
s
2Cox
Wdep =
+
1+
(V Vf b )
2
Cox
qNa si g
Cox
8

!2
2
si
+ si (Vg Vf b )
Cox
qNa
r
1
2
+ si
+
(V Vf b )
2
qsi Na g
Cox

Wdep = si +
Cox
Wdep =

si
Cox

de Wdep en:
Reemplazando esta solucion
1
1
1
=
+
C Cox Cdep
Wdep
1
1
=
+
C Cox
si
r
!
1
2
1
1
1
=
+
+
+
(V Vf b )
2
C Cox
Cox
qsi Na g
Cox
Finalmente, tenemos:
1
=
C

1
2
+
(Vg Vf b )
2
Cox qsi Na

Que puede ser escrita de la siguiente manera:

Cox

C=s
1+

2
2Cox
(V Vf b )
qsi Na g

Codigo
de MatLab

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