1.

Miniaturizare; legea lui Moore

2. Gropi, fire , puncte cuantice semiconductoare: structura, metode de obtinere
(epitaxia), aplicatii pe scurt (lasere, detectori)

laserele DHS cu prag redus, funcionnd la temperatura camerei;

diode luminiscente (LED) DHS i heterostructuri simple (SHS) cu eficien ridicat;
celule solare;
tranzistori bipolari;
dispozitive de comutare de tip tiristor p-n-p-n.

3. Ec. Schrodinger pentru o groapa cuantica; conditii la limita, nivele discrete

4. Perturbatiile externe (campuri electrice si cp. magnetice statice) modifica nivelele de
energie, prin urmare controlul radiatiei emise se poate realize prin
a) geometrie: forma gropii, dimensiuni, inaltimea gropii de potential;
b) perturbatii externe. In ultimul timp, dupa obtinerea laserelor de intensitate mare in
domeniul THz, aceste perturbatii pot fi produse prin aplicarea camp. laser asupra
structurii semic.

5. Laser dressed potential.

Campul laser pune electronul in miscare oscilatorie fortata
Teoria Floquet-Gavril
O teorie alternativ, prezentat n continuare, include efectul radiaiei laser n energia
potenial a sistemului. Aproximaia, bazat pe o teorie neperturbativ, a fost iniial utilizat
pentru a descrie comportarea atomilor n cmpuri laser de frecven nalt [10] i extins ulterior
[11] pentru heterostructurile semiconductoare.
Se consider un cmp laser nerezonant reprezentat printr-o und plan monocromatic de
r
r
frecven liniar polarizat. Potenialul vector al cmpului laser este A(t ) = A0 cos( t ) u n

aceste condiii, ecuaia Schrdinger temporal pentru o particul cu masa efectiv m* se scrie:
r
pr + qAr 2
r r
(r , t )

.
(4.2)
+ V (r ) (r , t ) = ih
t
2m *

r
r
unde in absenta altor perturbatii V (r ) = Vconf (r ) .(potentialul gropii)
r
r r
Aplicnd o translaie dependent de timp r r + (t ) , unde

t
r
e r
(t ) =
A (t ') dt ' = 0 sin ( t )u ,

m* 0

0 =

q A0
m *

(4.3)

ecuaia (4.2) devine [12]:

r
h2
r v r
(r , t )
+ V (r + (t )) (r , t ) = ih

t
2m *

(4.4)

(t ) reprezint elongaia micrii oscilatorii a electronului n cmpul laser, iar V (r + (t )) este

energia potenial modificat de laser (dressed potential). 0 este parametrul laser i poate fi

)(

exprimat n funcie de intensitatea I a fasciculului laser 0 = I 1 / 2 / 2 q / m * (8 / c )1/ 2 , unde

q este sarcina electric i c viteza luminii. In limita frecvenelor nalte, ( >>1, unde este
timpul de tranzit al electronului prin structura) sistemul se reduce la ecuaia Schrdinger
independent de timp
h2
r r
r
r

+
V
r
, 0 0 (r ) = E0 (r ) .

2m

r r
r r
unde V r , 0 este media temporal a energiei poteniale V (r + (t )) :

( )
r r
r r

V (r , ) =
V [r +
2
2 /

(4.5)

sin ( t ) dt .

(4.6)

r r
Ecuaia (4.5) conine potenialul modificat de laser V (r , 0 ) , care depine de i de I
r
numai prin parametrul laser 0 [13].
Vom prezenta cteva exemple de aplicare a teoriei la studierea nivelelor de energie ale
electronilor n nanostructuri semiconductoare n prezena unei radiaiei laser nerezonant, de
nalt frecven.
6. Prezentarea structurii studiate
(a) modificarea potentialului in camp laser; 3 valori 0 (exemplu)
20

15

10

1.5

1.0

0.5

0.5

1.0

1.5

(b) Dependenta nivelelor de energie de 0 pentru diferiti L TABELE+ GRAGICE

(c) Energia tranzitiei f( 0 ) pentru diferiti L (deplasarea domeniului spectral cu 0 )
TABELE+ GRAGICE
(d) Probabilitatea de localizare in groapade potential f( 0 ) pentru diferiti L TABELE+
GRAGICE

Intr-un program suplimentar, dupa importul functiilor de unda din programe anterioare,
se pot calcula

(a) integrala de suprapunere electron-gol, definita ca Ieh=

f ne ( z ) f n h ( z )dz
*

; patratul

acestei marimi este proportional cu probabilit. de recombinare electron-gol (recomb. insotita

de emisie de radiatie).
r
r
(b) elementul de matrice dipolar (momentul de dipol electric p = qr este paralel cu

directia de polarizare laser) I12= 1* ( z ) qz 2 ( z )dz ; probabilitatea tranzitiei electronului

2
din starea 1 in starea 2 este proportionala cu I12
.

Valori numerice AlxGa1-xAs (x este concentratia de aluminiu in aliaj)

Eg=(1.426+1.247x) eV
Qe=0.6; Qh(v)=0.4.
mc* =(0.067+0.083x)m0

(banda interzisa)
(saltul in BC (BV))
(masa efectiva in BC)

*
*
mv* : mhh
=(0.33+0.18x)m0 (pentru goluri grele, heavy hole); mhl
=(0.09+0.09x)m0
(pentru goluri usoare, light hole);
Const. dielectrica statica s =12.59 ; pt frecvente inalte =10.9.

Metode de fabricare a heterostructurilor

Heterojonciunile sunt fabricate n principal prin epitaxie, formnd straturi monocristaline
perfecte chimic identice cu substratul (homoepitaxie) sau de natur diferit (heteroepitaxie). n
cel de-al doilea caz, esenial este potrivirea parametrilor de reea ai substratului i materialului
depus. Avantajele care au impus metoda epitaxiei sunt [4]:
calitatea excelent a materialelor cristalizate;
posibilitatea modificrii proprietilor materialelor n limite largi;
posibilitatea stabilirii grosimii materialului depus cu precizie atomic, de la straturi
mono-atomice pn la sunte de microni.
Principalele tehnici epitaxiale sunt descrise n continuare, cu un accent deosebit pe
epitaxia cu fascicul molecular (considerat azi tehnica de vrf a domeniului).
2.2.1. Epitaxia din faz lichid (LPE)

Aceast tehnic a fost folosit mai mult la mijlocul anilor 1960. Principiul metodei se
bazeaz pe suprasaturarea fazei lichide cu materialul ce urmeaz a fi cristalizat. La nceput s-au
fabricat prin aceast metod jonciuni p n cu GaAs , iar mai trziu heterojonciuni cu
Al Ga As , folosite n primele dispozitive de tipul diodelor, LED-urilor, laserelor i celulelor
solare. Tehnica a fost utilizat i pentru fabricarea multistraturilor bazate pe AlGaAs / GaAs ,
InGaAsP / GaAs , InGaAs / InP , InGaAsSb . Pentru creterea heterostructurilor cu puncte
cuantice, utilizate n diferite tipuri de lasere cu GaInAsP / GaAs i GaInAsP / InP , a fost
dezvoltat o metod LPE modificat, n care grosimile straturilor depuse sunt micorate cu

cteva constante de reea prin scurtarea timpilor de contact ntre substrat i topitur pn la valori
de ordinul 1 10 ms [2,4,5].
2.2.2. Epitaxia din faz de vapori (VPE)

Este o tehnic pentru creteri epitaxiale ale structurilor semiconductoare, presupunnd

transferul amestecului reactanilor gazoi pe suprafaa cristalin a substratului i creterea
straturilor ca urmare a reaciilor chimice ntre reactani i substrat.
Au fost imaginate i puse n aplicare dou metode diferite pentru realizarea epitaxiei cu vapori.
Una dintre ele utilizeaz cloruri, cealalt compui organo-metalici.
Caracteristicile specifice ale tehnicii utiliznd cloruri au permis viteze de cretere ridicate
ale straturilor de arseniur de galiu nedopat, de mare puritate. Mobilitatea purttorilor de sarcin
n astfel de structuri este de asemenea ridicat.
n metoda depunerii chimice din stare de vapori a compuilor organo-metalici, acetia
sunt folosii ca surs de elemente din grupele III i V, depuse pe substrat n forme chimice
hibride, ce se descompun la contactul cu suprafaa substratului. Avantajele acestei tehnici rezid
n simplitatea relativ a concepiei reactorului i n posibilitatea obinerii heterostructurilor cu
frontiere abrupte ntre prile componente i cu profile de dopaj bine controlate prin modificarea
rapid a compoziiei amestecului gazos, n timpul depunerilor [2,4,5].
2.2.3. Epitaxia cu fascicul molecular (MBE)

Este o metod de cretere epitaxial implicnd interacia chimic a unuia sau mai multor
fascicule atomice sau moleculare cu suprafaa unui substrat monocristalin nclzit. A fost
inventat la sfritul anilor 1960, la Bell Telephone Laboratories, de J.R.Arthur i Alfred Y. Cho.
Epitaxia cu fascicul molecular se produce n vid nalt sau n ultra-nalt ( 10 8 Pa ). Cea
mai important caracteristic a tehnicii este rata foarte mic de cretere (ntre 1 i 300 nm pe
minut). Cu ct viteza de cretere avut n vedere este mai mic, cu att vidul disponibil trebuie s
fie mai naintat, pentru a evita impurificarea cu elemente nedorite a materialului depus.
n tehnicile MBE cu surs solid, elemente (de exemplu galiu i arseniu) n stare ultrapur sunt nclzite n celule de efuzie separate pn la temperaturi de sublimare. Celulele de
efuzie sunt confecionate din materiale chimic inerte, cu punct de topire foarte ridicat.
Terminilogia utilizat n aceast tehnic (fascicul molecular) se explic prin lipsa interaciei ntre
atomii sau moleculele sublimate, ntre momentul vaporizrii i momentul depunerii pe
substratul-int (drum liber mediu mai mare dect dimensiunile caracteristicile ale incintei de
proces). Compuii se formeaz prin reacie chimic n momentul cristalizrii (producnd de
exemplu arseniura de galiu). Metoda a fost iniial neleas ca un proces departe de echilibru
caracterizabil doar prin studierea cineticii reaciilor specifice i mai trziu printr-un model
termodinamic (bazat pe echilibru de faze) ce a putut explica segregarea componentelor de baz i
impuritilor [2,4].

. Schema instalaiei de epitaxie cu fascicul molecular

n timpul operrii, este utilizat tehnica RHEED (Reflection High Energy Electron
Diffraction) pentru monitorizarea creterii straturilor (n configuraii amorfe, policristaline sau
epitaxiale). Controlul computerizat al obturatoarelor celulelor de efuzie permite un excelent
control al grosimilor straturilor cristalizate, fiind comun chiar afirmaia c aceste grosimi sunt
fracionar atomice (n sensul c se pot depune straturi rare, care ntr-o evaluare bazat pe
volum a grosimii conduc la dimensiuni mult sub-atomice). Controlabilitatea extrem a metodei a
fcut posibil obinerea nanostructurilor de tipul gropilor cuantice multiple, firelor cuantice i
punctelor cuantice. Asemenea structuri sunt azi parte component a dispozitivelor
semiconductoare moderne, incluznd diodele luminiscente i laserele cu semiconductori.
n sistemele n care substratul trebuie rcit, vidul ultra-nalt este meninut printr-un sistem
de criopompe utiliznd nitrogen lichid i gazos la temperatura de fierbere sub presiune normal
( 77 K ). Exist i situaii care cer nclzirea substratului sau rotirea sa pentru uniformitatea
depunerii.
Epitaxia cu fascicul molecular este de asemenea utilizat pentru depunerea anumitor
tipuri de semiconductori organici i n variante care includ surse gazoase n locul celor solide.
Acestea din urm apropie metoda de cea descris anterior, cu depunere chimic din stare de
vapori [5].

Nanostructurile semiconductoare se clasifica dup dimensionalitate

gropi cuantice nanostructuri bidimensionale, n care electronii se deplaseaz liber
perpendicular pe direcia de cretere;
fire cuantice nanostructri unidimensionale, n care electronii se deplaseaz liber numai
pe o direcie;

 puncte cuantice nanostructuri zero-dimensionale, n care electronii sunt localizai ntr-o

regiune de dimensiuni microscopice.
Aceste heterostructuri apar n cazul n care un semiconductor cu band interzis mic este
intercalat ntr-o structur sandwich sau este nconjurat de un material cu band interzis larg.
Figura ilustreaz heterostructurile 2D ((a) - gropile cuantice), 1D ((b) - firele cuantice) i 0D ((c)
- punctele cuantice).

Bibliografie
NOTE CURS+
[1] Paul Harrison, Quantum wells, wires and dots, Theoretical and
Computational Physics of Semiconductor Nanostructures, Wiley-Interscience,
John Wiley & Sons, Ltd., 2005
[2] Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, and N. N. Ledentsov, Semiconductor
heterostructures, Educational Centre at Ioffe Institute
[3] G. A. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor
Heterostructures, Les Editions de Physique, Paris, 1988
[4] P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors: physics and
materials properties, Springer-Verlag, Berlin, Heildelberg, 1996
[5] E. L. Ivchenko and G. Pikus, Superlattices and other Heterostructures:
Symmetry and Optical Phenomena, Springer-Verlag, Berlin, 1995
[6] P. S. Zory, Quantum Well Lasers, Academic Press, Boston, 1993