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1.

1 Corriente alterna y corriente directa


Corriente alterna: Se denomina corriente alterna a la corriente elctrica en la que la
magnitud y direccin varan cclicamente. La forma de onda de la corriente alterna
ms comnmente utilizada es la de una onda senoidal, puesto que se consigue una
transmisin ms eficiente de la energa. Sin embargo, en ciertas aplicaciones se
utilizan otras formas de onda peridicas, tales como la triangular o la cuadrada.
Utilizada genricamente, la CA se refiere a la forma en la cual la electricidad llega a
los hogares y a las empresas. Sin embargo, las seales de audio y
de radiotransmitidas por los cables elctricos, son tambin ejemplos decorriente
alterna. Su fin ms importante suele ser la transmisin y recuperacin de la
informacin codificada sobre la seal de la CA.
Corriente directa: La corriente directa es aquella cuyas cargas elctricas fluyen
siempre en el mismo sentido en un circuito elctrico cerrado, movindose del polo
negativo hacia el polo positivo de una fuente de fuerza electromotriz, tal como
ocurre en las bateras o en cualquier otra fuente generadora de ese tipo de
corriente elctrica.
El movimiento de las cargas elctricas se asemeja al de las molculas de un lquido
de la tubera de un circuito hidrulico cerrado. As como funciona una bomba
hidrulica, la funcin de la tensin o voltaje que proporciona la fuente de fuerza
electromotriz (FEM) es, precisamente, bombear o poner en movimiento las cargas
contenidas en el cable conductor del circuito elctrico. Los materiales que
mejor permiten el flujo de cargas elctricas son los metales y reciben el nombre de
conductores.
1.1.1 Caractersticas

Flujo continuo
Se mueve en una sola
direccin
Tiempo constante
Su aspecto es el de una
lnea recta que no vara
Se produce a partir de
fuentes de energa

Corriente directa

Cambian de direccin
Fluyen primero hacia un
lado y luego hacia el otro
Sus ondas son sinusoidales
Su tiempo vara
Es producida a partir de
fuentes de alimentacin y
generadores de corriente
alterna

Corriente alterna

1.1.2 Generacin de corriente en CA y CD


Un
generador
de
C.A.
es
una
maquina
destinada
a
transformar energa mecnica en energa elctrica en
forma
de
C.A.
La generacin se logra mediante la accin de un campo magntico, sobre unos
conductores elctricos dispuestos de una forma particular, cuando se produce un
movimiento relativo entre esos conductores y el campo, en los conductores se
genera una fuerza Electromotriz inducida, capaz de suministrar potencia elctrica.
En cualquier tipo de generador (de C.D. o C.A.) el voltaje generado siempre es de
C.A.. En el caso de generador de C.D. por la accin del conmutador y de alguna
forma, conectamos permanentemente las escobillas a extremos opuestos de la
espira, tal como se muestra en la figura el generador bsico de C.D. se convierte
en generador simple de C.A.
1.2 Dispositivos pasivos
Son aquellos que no producen amplificacin y que sirven para controlarla
electricidad colaborando al mejor funcionamiento de los elementos activos (los
cuales son llamados genricamente semiconductores). Los componentes pasivos
estn formados por elementos de diversas clases, ya que son diferentes sus
objetivos, construccin y resultados.

Resistencia o resistor
Condensador o capacitor
Bobina o inductor

1.2.1 Caractersticas
Dentro de las caractersticas generales que tienen los elementos pasivos se
encuentran:

Tienen un par de terminales.


No pueden ser subdivididos en otros elementos simples.
Tienen una relacin nica de voltaje y corriente en sus terminales la cual los
caracteriza.
Son los elementos que absorben o consumen energa,
La potencia es positiva.

Resistividad

Condensador

Bobinado

Coeficiente de
temperatura
Coeficiente de
tensin
Resistencia
Estabilidad
Potencia
disipada
Tension maxima
de trabajo
Ruido
Indice de ruido
Frecuencia
Tolerancia

Resistencia de
aislamiento
Corriente de
fugas
Constande de
tiempo
Absorcion
dielectrica
Rigidez
dielectrica

Potencia
Precision

1.2.2 Tcnicas de solucin en circuitos RLC


Existen diferentes tcnicas de solucin para los circuitos RLC, para darle solucin a
este tipo de circuitos, es necesario estudiar la ley de Ohm y las leyes de Kirchoff. La
ley de Ohm, relaciona al voltaje con la corriente elctrica y la resistencia, las leyes
de Kirchoff son necesarias para analizar circuitos ms complejos donde presentan n
mallas y k nodos. Ley de Ohm George Simon Ohm, descubri en 1827 que la
corriente en un circuito de corriente continua vara directamente proporcional con la
diferencia de potencial, e inversamente proporcional con la resistencia del circuito.
La ley de Ohm, establece que la corriente elctrica (I) en un conductor o circuito, es
igual a la diferencia de potencial (V) sobre el conductor (o circuito), dividido por la
resistencia (R) que opone al paso, l mismo. La ley de Ohm se aplica a la totalidad
de un circuito o a una parte o conductor del mismo.
1.2.3 Aplicaciones
Dentro de las aplicaciones que se pueden realizar con los dispositivos pasivos, es
la creacin de filtros pasivos, estos sern los que atenuarn la seal en mayor o
menor grado; Se implementan con componentes pasivos como condensadores,
bobinas y resistencias. Cabe mencionar que todos los circuitos que se encuentran
en el mercado, cuentan con estos componentes, los cuales son imprescindibles
para el desarrollo de la tecnologa que se tiene hasta el momento.
1.3 Dispositivos activos
Son aquellos que necesita una fuente de energa externa a la seal para funcionar.
Ya que estos realizan o cambian las seales voltajes, es decir que alteran la
energa elctrica. Entre ellos estn los micro-procesadores, micro-controladores,
amplificador operacional, memoria, diodos, diodo zener, diac, pila, etcetera.

1.3.1 Caractersticas de semiconductores


Los semiconductores se encuentran situados, por lo que hace a su resistencia,
entre los conductores y los aislantes, ya que a temperaturas muy bajas difcilmente
conducen la corriente elctrica y ms bien se comportan como aislantes pero, al
elevar su temperatura o al ser sometidos a un campo elctrico externo, su
comportamiento cambia al de los conductores. Estos semiconductores son
conocidos como intrnsecos y, en ellos, las bandas de conduccin y valencia se
encuentran separadas por una barrera de energa (banda prohibida) ms pequea
(comparada con la del diamante), de aproximadamente 1 eV.
1.3.1.1

Estructura elctrica del Silicio

Es el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes


electrnicos de estado slido, esto debido a que despus del oxgeno es el
elemento ms abundante en la superficie terrestre (27,7% en peso). El silicio, a
diferencia del carbono, no existe en forma libre en la naturaleza, se encuentra en
forma de dixido de silicio (slice) y de silicatos complejos. Slice: arena, cuarzo,
amatista, gata, pedernal y palo, Silicatos complejos: granito, feldespato, arcilla, y
mica.
1.3.1.2

Estructura elctrica del Germanio

El germanio forma parte de los elementos denominados metaloides o semimetales.


Este tipo de elementos tienen propiedades intermedias entre metales y no metales.
En cuanto a su conductividad elctrica, este tipo de materiales al que pertenece el
germanio, son semiconductores.
Es utilizado como semiconductor intrnseco, los cuales forman el punto de partida
para la fabricacin. Tiene cuatro electrones de valencia, y a determinada
temperatura tiene ms electrones libres y una mayor conductividad. El silicio es de
lejos, el semiconductor ms ampliamente utilizado en electrnica, particularmente
porque se puede usar a mucho mayor temperatura que el germanio.
1.3.1.3

Materiales tipo N y tipo P

Son materiales semiconductores extrnsecos puros contaminados con impurezas en


mnimas proporciones. A este proceso de contaminacin se le denomina dopaje.
Segn el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:
Tipo N: Se contamina el material con tomos de valencia 5, como son Fsforo (P),
Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos, fuerza al quinto electrn de este
tomo a vagar por el material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en
el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios.
Al material tipo N se le denomina tambin donador de electrones.

Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de


valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce este tomo en
el material, queda un hueco donde debera ir un electrn. Este hueco se mueve
fcilmente por la estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este
caso, los huecos son portadores mayoritarios. Al material tipo P se le denomina
donador de huecos (o aceptador de electrones).
1.3.2 Dispositivos semiconductores
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un
cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo N y la otra mitad de tipo P, esa
unin PN tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los
"Diodos". El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre
y se puede representar como un signo "+" encerrado en un circulo y con un punto
relleno (que sera el electrn) al lado. El tomo trivalente sera un signo "-"
encerrado en un circulo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un
hueco). La unin de las regiones p y n ser como se observa en la figura 44. Al
juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin PN". Unin
PN polarizada en directo Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el
polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N, la tensin U de
la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de
cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones
de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contrario.
1.3.2.1

Diodos

Un diodo es bsicamente una unin p-n. Se trata de un dispositivo semiconductor


que permite el paso de la corriente en un solo sentido.
Cuando aplicamos un voltaje externo a la unin que facilite la combinacin entre
electrones y huecos, la corriente fluye fcilmente. La unin est entonces
directamente polarizada (VD > 0). Cuando aplicamos un voltaje opuesto slo circula
un pequea corriente que puede despreciarse. La unin est inversamente
polarizada (VD < 0). Se puede aplicar un voltaje negativo suficientemente grande
como para forzar la corriente en sentido inverso, se entra entonces en una zona de
ruptura o avalancha.
1.3.2.1.1 LED
Los diodos LED se basan en la recombinacin de carga que tiene lugar cuando una
unin p-n est fuertemente polarizada en directo. La colisin de un electrn con un
hueco supone la reconstruccin de un enlace covalente, perdiendo el electrn el
exceso de energa que portaba, que resulta emitida en forma de un fotn, bien en el
espectro visible o del infrarrojo (IRED). Dicha radiacin puede excitar la base de un

transistor bipolar, obligndolo a proporcionar corriente. Un dispositivo as formado


es un optoacoplador.
1.3.2.1.2 Rectificadores
Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms
sencillos. El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en
separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna.
Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos
positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la
corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de
manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido.
1.3.2.1.3 Zener
Se trata de un diodo que suele trabajar en la zona de ruptura. Cuando la tensin de
ruptura VB est por debajo de los 10V se suele denominar tensin Zener VZ.
Cuando la tensin a la que est sometido el diodo trata de ser menor que VZ se
produce el efecto de avalancha y segn la caracterstica I-V del diodo el diodo se
comporta como una fuente de alimentacin con valor VZ bastante estable. Por ello
una de las aplicaciones es la estabilizacin y regulacin de fuentes de tensin
1.3.2.2

Transistores

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:

Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de


mando.
Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.

Hay dos tipos bsicos de transistor:


a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar
1.3.2.2.1 Bipolares
BJT significa Bipolar Junction Transistor (Transistor de Unin Bipolar). Se trata de
un dispositivo no lineal semiconductor basado en el diodo de unin p-n. Su uso fue
frecuente hasta 1975, fecha a partir de la cual se us ms el transistor MOS. La
tecnologa bipolar actual hace uso preferentemente de un hbrido BICMOS.
Tienen dos principales aplicaciones:

Como amplificador en circuitos analgicos


Como conmutador en circuitos digitales

1.3.2.2.2 FET
Dispositivos semiconductores de tres terminales. Tipos:

JFET (Junction FET, MESFET)


MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET, Insulated-Gate FET)

Son dispositivos de portadores mayoritarios (unipolares), cuyo funcionamiento se


basa en la aplicacin de un campo elctrico para gobernar una corriente. Se
modelizarn como fuentes de corriente controladas por tensin.
1.3.2.2.3 MOSFET
Son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear
una canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la
mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa
MOS.
Un transistor mosfet conduce corriente elctrica entre dos patillas cuando aplicamos
tensin en la otra patilla (una tercera patilla). Es un interruptor que se activa por
tensin.
La principal ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a
cabo su propsito y la disipacin de la energa en trminos de prdida es muy
pequea, lo que hace que sea un componente importante en los modernos
ordenadores y dispositivos electrnicos como los telfonos celulares, relojes
digitales, pequeos juguetes de robot y calculadoras.
1.3.2.3

Tristores

Los tiristores son dispositivos especialmente populares en Electrnica de Potencia.


Son sin duda los dispositivos electrnicos que permiten alcanzar potencias ms
altas, son dispositivos realmente robustos.
1.3.2.3.1 SCR
El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres
terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este
dispositivo lo desarroll General Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de
tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI).
1.3.2.3.2 SCS
Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos
terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte.
1.3.2.3.3 DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de
dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen

en sentidos opuestos. La curva de funcionamiento refleja claramente el


comportamiento del DIAC, que funciona como un diodo Shockley tanto en
polarizacin directa como en inversa.
1.3.2.3.4 TRIAC
Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin,
con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el
momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa.
1.3.3 Tcnicas de diseo con semiconductores
Las tcnicas de diseo de los semiconductores se abordaron en la seccin del
diseo de los materiales N y P.
1.3.4 Aplicaciones con semiconductores
A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores conocidos tambin
como dispositivos de estado slido remplazaron los tubos electrnicos de la
industria tradicional.
1.3.4.1

Rectificadores

Generalmente las fuentes de alimentacin constan de las siguientes partes:


1. Un rectificador que convierte la c.a. de la red en una seal pulsante.
2. Un filtro que reduce las ondulaciones de la tensin de salida, haciendo que sta
sea lo ms constante posible.
3. Un circuito estabilizador que hace que aunque se den variaciones de tensin de
red o variaciones de la carga, la tensin de salida no vare.
1.3.4.2

Amplificadores

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le


introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar
por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama
amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
1.3.4.3

Conmutadores

Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe


tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en
saturacin. Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima
(prcticamente igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) mximo (casi igual al
voltaje de alimentacin).
1.3.4.4

Fuentes de voltaje

Todo dispositivo que crea una diferencia de potencial se conoce como una fuente
de voltaje. Las celdas o pilas secas, las pilas hmedas y los generadores son
capaces de mantener un flujo constante.

Bibliografa:
http://lcr.uns.edu.ar/fvc/NotasDeAplicacion/FVC-CristianEterovich.pdf
http://circuitosbasicosdecorrientealterna.blogspot.mx/2012/11/generacion-decorriente-alterna.html
http://www.ecured.cu/Componentes_electr%C3%B3nicos_pasivos
http://circuitosbasicosdecorrientealterna.blogspot.mx/2012/11/generacion-decorriente-alterna.html
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema2.pdf
http://www.huergo.edu.ar/tcweb/pdf/APCap3.pdf
http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf
http://elementos.org.es/germanio
http://www.marcombo.com/Descargas/9788426715753/SENSORES/TEMAS/FUND
AMENTOS%20DE%20LA%20ELECTR%D3NICA.pdf
http://ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores%20de%2
Transistor MOSFET - Electrnica Unicrom