SEMICONDUCTORES

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma:
1. Intrínsecos
2. Extrínsecos
SEMICONDUCTORES “INTRÍNSECOS”
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que
no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conducción.
.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco,
algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia
estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una
corriente eléctrica.

Como se puede observar en la ilustración,
en el caso de los semiconductores el
espacio correspondiente a la banda
prohibida es mucho más estrecho en
comparación con los materiales aislantes.
La energía de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de
la banda de valencia a la de conducción es
de 1 eV aproximadamente. En los
semiconductores de silicio (Si), la energía
de salto de banda requerida por los
electrones es de 1,21 eV, mientras que en
los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería. Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal. Como se puede observar en la ilustración. los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia). uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco. mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios". que son impurezas pentavalentes. se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. Hay 2 tipos dependiendo de qué tipo de impurezas tengan: Semiconductor tipo n: Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras". Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n. los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. esto es que tienen impurezas. compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía.Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante. Semiconductor tipo p . reciben el nombre de "portadores mayoritarios". Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura. SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS: Son los semiconductores que están dopados.

En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios.Es el que está impurificado con impurezas "Aceptadoras". porque cada uno tendrá que captar o aceptar un electrón procedente de la propia estructura cristalina del silicio o del germanio. que son impurezas trivalentes. CONVERSIÓN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P" Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en dispositivos semiconductores. Cuando añadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequeña cantidad de átomos de un elemento pentavalente en función de “impurezas”. . Si. . Para realizar ese cambio será necesario introducir átomos de otros elementos semiconductores apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o última órbita (átomos trivalentes) o también cinco electrones en esa propia órbita (átomos pentavalentes). En la figura. los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. La conductividad que presente finalmente un semiconductor “dopado” dependerá de la cantidad de impurezas que contenga en su estructura cristalina. Al aplicarse una tensión. fósforo (P) o de antimonio (Sb). A tales efectos se consideran impurezas los siguientes elementos con átomos trivalentes: aluminio (Al). los átomos que se añaden como impurezas son trivalentes. porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cristalina del semiconductor. los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Como hay muy pocos portadores minoritarios. . Como el número de huecos supera el número de electrones libres. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. capaces de conducir la corriente eléctrica si para ello alteramos su estructura molecular cristalina introduciendo ciertas cantidades de "impurezas". . galio (Ga) e indio (In). se denominan entonces "aceptantes”. su efecto es casi despreciable en este circuito. Generalmente para una proporción de un átomo de impureza que se añade por cada 100 millones de átomos del elemento semiconductor. También se consideran impurezas los átomos pentavalentes de arsénico (As). estos átomos adicionales reciben el nombre de "donantes". por el contrario. los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

POLARIZACIONES DEL DIODO POLARIZACION DIRECTA DEL DIODO: En este caso. el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. es decir.la conductividad aumenta en 16 veces. En estas condiciones podemos observar que:  El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n. la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial. . con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n. Para que un diodo esté polarizado directamente. se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión.

el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n.  de n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la potencial en la zona de carga espacial. y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería. El  diferencia cristal cristal p. p-n. De este modo. con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p. desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería. lo que hace aumentar la zona de carga espacial. cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n. los electrones libres del adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del los cuales previamente se han desplazado hacia la unión Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial. aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final POLARIZACION INVERSA DEL DIODO: En este caso. tal y como se explica a continuación: . polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p.

los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. la corriente superficial de fuga es despreciable. conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo. ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia. los valores de estas capacidades dependen de la magnitud y de la polaridad de la tensión aplicada al diodo. el diodo no debería conducir la corriente. No obstante.   El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n. CAPACIDAD DEL DIODO Es una descripción de ciertos efectos que ocurren en los diodos que conducen a la aparición de elementos capacitivos. los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio. . existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual. Además. siendo el electrón que falta el denominado hueco. caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1. con lo que se convierten en iones positivos. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo. tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. ya que en la superficie. debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación. convirtiéndose así en iones negativos. al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción. como su propio nombre indica. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p. El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. sin embargo. A medida que los electrones libres abandonan la zona n. tanto de la zona n como de la p. tienen solamente 7 electrones de valencia. al igual que la corriente inversa de saturación. los átomos pentavalentes que antes eran neutros. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería. adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia. En esta situación.

que es el modelado por un elemento llamado capacidad de transición o de difusión. La longitud L (región de empobrecimiento) se hace mayor cuando la tensión inversa VR aumenta. los huecos de la región p. y los electrones de la región n. donde se ha cargado negativamente. formando una región de transición donde están eliminados los portadores de carga. C S= ID VT t Circulación media: ID = Q/t = IO eVo/Vi Q = carga media Si definimos la capacidad de almacenamiento CS como CS = dQ/ DvD TIEMPO DE CONMUTACION DE UN DIODO . se mueven alejándose de la unión. la corriente hace que los electrones se muevan de un hueco (vacante) a otro. donde se ha cargado positivamente. Una ecuación que relaciona la capacidad de transición en un diodo inversamente polarizado y la tensión inversa VR aplicada es: Donde CC = Capacidad debida a la capsula del diodo CO = Capacidad del diodo cuando VR = 0 n = ½ O 1/3 C R ≈ CC + C0 ( 1+2V R ) n CAPACIDAD DE ALMACENAMIENTO (POLARIZACIÓN DIRECTA): Sucede que la anchura de la región de empobrecimiento L disminuye y ocurre un efecto de capacidad que aumenta mucho mas.CAPACIDAD DE TRANSICIÓN (POLARIZACIÓN INVERSA): Cuando un diodo funciona de este modo. que tarda un tiempo promedio de t segundos.

 trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb. en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento. resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSO: El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. y representa el área negativa de la característica de recuperación inversa del diodo. y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. t rr =t a+ t b  Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt.  ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.  tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula. . Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF. la zona central de la unión PN está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

entonces t rr = 2t a  Para ta = t rr . di/dt: es el pico negativo de la intensidad.  Irr: es el pico negativo de la intensidad. Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo: De donde: 1 Qrr = t rr I RRM 2 [ ] dl I RRM = F t a dt Para el cálculo de los parámetros I RRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:  Para ta = tb . La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". entonces tb =0 En el primer caso obtenemos: √( ) √ () t rr = 4 √ di dt t rr = 2 I RRM = Qrr di dt Qrr di dt Y en el segundo caso: I RRM = 2Qrr INFLUENCIA DEL t rr ( ) √ EN LA CONMUTACIÓN: Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: Qrr di dt ( ) .

 Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa. por el diodo D1 para luego pasar por R regresando a la terminación central del secundario. por tanto. Para altas frecuencias. V2a es positiva y V2b es negativa. debemos usar diodos de recuperación rápida. .  Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad almacenada. Se limita la frecuencia de funcionamiento. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA USANDO TRANSFORMADOR CON DERIVADOR CENTRAL Para diseñar este circuito rectificador se necesita un transformador con derivación central (en el devanado secundario). y por tanto mayor será trr. dos diodos de media onda (D1 y D2) y una resistencia de carga R tal como se muestra en la Figura 1. Factores de los que depende trr :  A mayor IRRM menor trr. Por tanto. V2a V2b Figura 1 Rectificador de onda completa con transformador con derivación central FUNCIONAMIENTO: Durante los semiciclos positivos de la tensión de entrada. El diodo D2 no conduce pues está polarizado en inversa. el diodo D1 conduce (polarización directa) y la corriente pasa por la parte superior del secundario del transformador.

El diodo D1 no conduce pues está polarizador en inversa PARÁMETROS DEL CIRCUITO: (diodo modelo tensión de codo)  FUNCIÓN DE TRANSFERENCIA Del análisis del circuito: V o=V i −0. por el diodo D2.7 para V i <0  VOLTAJE PROMEDIO V CC = 2Vm π  CORRIENTE PROMEDIO  VOLTAJE EFICAZ  CORRIENTE EFICAZ  VOLTAJE EFICAZ DE RIZO V O (rms) =0.483 V O(cc) . luego por R y termina regresando por la terminación central del secundario.Durante los semiciclos negativos. Por tanto. V2a es negativa y V2b es positiva.707 V m I O (rms)= V O (rms) R V r (rms) =0.7 para V i> 0 V o=−V i +0. el diodo D2 conduce (polarización directa) y la corriente pasa por la parte inferior del secundario del transformador.

R . FACTOR DE RIZO  PORCENTAJE DE RIZO  POTENCIA PROMEDIO  POTENCIA EFICAZ 2 PO (CC )=I 0(CC ) .