You are on page 1of 112

SVEUILITE U SPLITU

FAKULTET ELEKTROTEHNIKE, STROJARSTVA I BRODOGRADNJE

Tihomir Betti

TESTIRANJE FOTONAPONSKIH MODULA U


REALNIM UVJETIMA

MAGISTARSKI RAD

Split, 2005.

Mentor rada: Dr. sc. Ivan Zulim, red. prof.


Radnja ima 103 lista
Rad br.

Komisija za ocjenu rada:


Dr. sc. Dragan Poljak, red. prof.
Dr. sc. Ivan Zulim, red. prof.
Dr. sc. Tomislav Kili, doc.

Komisija za obranu rada:


Dr. sc. Dragan Poljak, red. prof.
Dr. sc. Ivan Zulim, red. prof.
Dr. sc. Tomislav Kili, doc.
Dr. sc. Ivica Puljak, doc.

Magistarski rad obranjen je 18. studenog 2005. godine na Fakultetu elektrotehnike,


strojarstva i brodogradnje Sveuilita u Splitu.

Zahvaljujem

svim

kolegama

prijateljima

na

dragocjenim savjetima i pomoi prilikom izrade ovog


rada, a posebnu zahvalu upuujem mom dragom
mentoru i uitelju dr. sc. Ivanu Zulimu.
Veliko hvala mojoj obitelji na ljubavi i podrci koju mi
pruaju.

SADRAJ
1. UVOD................................................................................................................................ 1
2. SUNANA ELIJA ......................................................................................................... 4
2.1. Osnovni parametri sunane elije..................................................................... 6
2.2. Serijski i paralelni otpor sunane elije............................................................ 7
2.3. Snaga i djelotvornost sunane elije; faktor punjenja ...................................... 8
2.4. Utjecaj temperature i ozraenja na karakteristike sunane elije..................... 9
2.5. Materijali za proizvodnju sunanih elija ...................................................... 10
2.6. Sunane elije od amorfnog silicija................................................................ 12
2.7. Model sunane elije ...................................................................................... 13
2.7.1. Simulacija I-U karakteristike sunane elije ............................ 15
2.7.2. Empirijski model ...................................................................... 16
2.7.3. Swartzov model ........................................................................ 17
3. SUNEVO ZRAENJE ................................................................................................. 23
3.1. Sunevo zraenje na povrini Zemlje............................................................. 27
3.2. Prividno gibanje Sunca................................................................................... 28
3.2.1. Lokalno i pravo Sunevo vrijeme............................................. 28
3.2.2. Proraun ekstraterestikog zraenja ......................................... 31
3.2.3. Deklinacija Sunca..................................................................... 32
3.2.4. Visina Sunca. Sunev azimut. .................................................. 34
3.2.5. Vrijeme izlaska i zalaska Sunca. Trajanje sunanog dana. ...... 35
3.2.6. Kut upada Sunca....................................................................... 36
3.3. Proraun Suneva zraenja............................................................................. 36
3.3.1. Proraun dnevne vrijednosti rasprenog zraenja na
horizontalnu plohu.................................................................... 38
3.3.2. Proraun mjesenog prosjeka dnevne rasprene ozraenosti ... 38
3.3.3. Proraun dnevnog ozraenja horizontalne plohe...................... 39
3.3.4. Proraun Suneva zraenja na nagnutu plohu .......................... 39
3.3.5. Izotropni modeli zraenja na nagnutu plohu ............................ 40
4. MJERENJE SUNEVA ZRAENJA ............................................................................ 44
4.1. Mjerenje Suneva zraenja na Zemlji ............................................................ 44
4.1.1. Mjerenje trajanja sijanja Sunca ................................................ 45
4.1.2. Mjerenje zraenja piranometrom i pirheliometrom.................. 46
4.1.3. Mjerenje dugovalnog zraenja Zemlje ..................................... 48
4.2. Mjerenje komponenata Suneva zraenja ...................................................... 49
4.3. Mjerenje komponenata Suneva zraenja multipiranometarskim nizom....... 50
4.4. Sustav za mjerenje Suneva zraenja na FESB-u .......................................... 51
4.5. Rezultati mjerenja Suneva zraenja na FESB-u ........................................... 55
4.5.1. Vremenski prikaz izmjerenih podataka .................................... 56
4.5.2. Mjerenje Suneva zraenja na horizontalnu plohu................... 59
4.5.3. Rezultati mjerenja Suneva zraenja metodom
multipiranometarskog niza ....................................................... 66

5. MJERENJE TEMPERATURE FOTONAPONSKOG MODULA................................. 70


5.1. Sklop za linearizaciju ..................................................................................... 72
5.2. Opis i rezultati mjerenja ................................................................................. 74
6. MJERENJE KARAKTERISTINIH PARAMETARA FOTONAPONSKOG
MODULA ....................................................................................................................... 77
6.1. Opis testiranja................................................................................................. 78
6.2. Rezultati mjerenja osnovnih parametara FN modula ..................................... 79
6.2.1. Ovisnost struje kratkog spoja o ozraenju i temperaturi .......... 83
6.2.2. Ovisnost napona otvorenog kruga o ozraenju i temperaturi... 85
6.2.3. Proraun funkcijske ovisnosti struje kratkog spoja i
napona otvorenog kruga o ozraenju i temperaturi .................. 87
6.2.4. Snimanje I-U karakteristika fotonaponskog modula................ 90
6.2.5. Usporedba Swartzova i empirijskog modela s izmjerenim
I-U karakteristikama ................................................................. 92
7. ZAKLJUAK.................................................................................................................. 98
Literatura ........................................................................................................................... 102
Saetak............................................................................................................................... 104
Summary............................................................................................................................ 105
ivotopis............................................................................................................................ 106

1. Uvod

Dananja energetska slika svijeta uvelike je posljedica velikih promjena iz vremena


industrijske revolucije. Tada je zapoeo nagli razvoj, a glavni izvor za podmirenje sve
veih energetskih zahtjeva bila su fosilna goriva: u poetku ugljen, a zatim plin i nafta.
Ubrzani napredak vodio je do sve veeg iskoritavanja fosilnih izvora, bez razmatranja
njihovih negativnih strana. Tek je energetska kriza 1973. godine ukazala na nedostatke
konvencionalnih i pobudila interes za tzv. alternativne izvore energije. U to vrijeme
zapoinju intenzivnija istraivanja drugih izvora energije koji bi rijeili problem energetske
ovisnosti o fosilnim gorivima, a meu njima znaajnu panju dobija i Suneva energija.
Mogunosti koritenja Suneve energije na Zemlji vrlo su raznolike, a jedan od
najzanimljivijih naina je izravna pretvorba Suneve energije u elektrinu na temelju
fotoelektrinog efekta. Pretvorba se dogaa pomou elektronikog ureaja koji se naziva
sunana elija. Iako su prve sunane elije izraene 50.-ih godina prolog stoljea te
uskoro doivjele i prve primjene u svemirskim letjelicama, tek se s energetskom krizom
1973. poinje ozbiljnije razmiljati o mogunosti njihove upotrebe i za zemaljske primjene.
Voene eljom za pronalaskom novog izvora koji bi im u budunosti osigurao energetsku
neovisnost, vodee svjetske sile SAD, Japan i drave zapadne Europe poele su ulagati
znaajna sredstva u istraivanje i razvoj tehnologije proizvodnje sunanih elija. Razvojem
i modernizacijom tehnologije, istraivanjem novih materijala postignut je veliki napredak u
poveanju efikasnosti i smanjenju cijena sunanih elija, a njihova proizvodnja u
posljednjih nekoliko godina biljei godinji porast od oko 35 % [1].
Da bi se mogla izvriti usporedba karakteristika sunanih elija proizvedenih na
razliitim mjestima u svijetu, propisani su standardi u kojima se vri njihovo ispitivanje. Ti
uvjeti podrazumijevaju ozraenost povrine modula od 1000 W/m2, temperaturu od 25C
te Sunev spektar zraenja koji odgovara AM 1,5 raspodjeli i nazivaju se standardni uvjeti
testiranja (engl. STC Standard Testing Conditions). Karakteristike fotonaponskog
modula (vrna snaga, struja kratkog spoja, napon otvorenog kruga, djelotvornost) koje daju
proizvoai odnose se upravo na standardne uvjete testiranja. U realnim primjenama,
meutim, karakteristike fotonaponskog modula definirane su uvjetima na mjestu njegove
primjene, u prvom redu Sunevim zraenjem koje upada na povrinu modula te
temperaturom.

Sunevo zraenje mijenja se tijekom dana, mjeseca i godine i ovisi o zemljopisnom


poloaju promatranog mjesta i lokalnim atmosferskim prilikama. Stoga ga je nemogue
egzaktno proraunati pa je jedini pouzdan nain odreivanja Suneva zraenja dugotrajnim
mjerenjima. Najrairenija su mjerenja Suneva zraenja na horizontalnu plohu, iz kojih se
primjenom odreenih modela (Liu-Jordanov, Kleinov i dr.) moe proraunati zraenje na
plohu proizvoljne orijentacije. Vrlo esto je za projektiranje sustava temeljenog na
koritenju Suneve energije korisno poznavati ne samo iznos ukupnog Suneva zraenja,
nego i iznos i vremensku ovisnost pojedine njegove komponente. Tako je npr. za
koncentrirajue sustave od velike vanosti poznavanje izravne komponente Suneva
zraenja koju je mogue izmjeriti pirheliometrom postavljenim na ureaj za praenje
kretanja Sunca po nebu. Glavni nedostatak takvog sustava je njegova skupoa kao i
potreba este provjere ispravnog praenja Suneva gibanja. Zbog toga se ovakva mjerenja
vre na relativno malom broju mjernih postaja. ee se mjeri raspreno Sunevo zraenje
pomou piranometra iji je osjetni dio tijekom dana zaklonjen od izravnog Suneva
zraenja prstenom ili kuglicom za zasjenjivanje. Koritenje kuglice za zasjenjivanje daje
preciznije rezultate, ali isto zahtijeva primjenu sustava za praenje kretanja Sunca to
znaajno poveava cijenu takvog sustava. Ukoliko se primjenjuje prsten za zasjenjivanje
potrebno je izvriti korekciju izmjerenih vrijednosti jer osim to sprjeava dopiranje
izravne komponente do osjetnog tijela piranometra, prsten zaklanja i dio neba iz kojeg
upada raspreno Sunevo zraenje. Kako se putanja Sunevog kretanja po nebu mijenja
tijekom godine, potrebno je svakih nekoliko dana izvriti podeavanje poloaja prstena.
Voeni spomenutim nedostacima mjerenja komponenata Suneva zraenja, grupa
autora (Faiman i dr.) je predloila upotrebu tzv. metode multipiranometarskog niza.
Metoda se temelji na postavljanju nekoliko razliito orijentiranih piranometara i primjeni
algoritma kojim se iz izmjerenih vrijednosti Suneva zraenja proraunaju izravna i
rasprena komponenta. Ukoliko se eliminira utjecaj rasprenog zraenja, ukupno zraenje
koje mjeri svaki od piranometara moe se prikazati kao linearna kombinacija ukupne i
rasprene komponente pri emu je potrebno poznavati parametre koji se mogu odrediti iz
solarne i geometrije postavljenog sustava.
S obzirom da se Sunevo zraenje u R. Hrvatskoj ne mjeri sustavno, a i postojea
mjerenja su relativno novijeg datuma, na Fakultetu elektrotehnike, strojarstva i
brodogradnje postavljen je sustav kojim se mjeri ukupno i raspreno zraenje na
horizontalnu plohu, a paralelno s njim multipiranometarski niz. Cilj je uspostava
dugotrajnih i pouzdanih mjerenja koja e omoguiti ispitivanje postojeih i razvoj novih
2

modela te dati potpuniju sliku o mogunostima koritenja Suneve energije u splitskom


podruju.
Uz sustav za mjerenje Suneva zraenja, postavljen je i sustav za mjerenje
temperature te sustav za snimanje strujno-naponske karakteristike fotonaponskog modula.
U ovom radu prikazani su rezultati mjerenja Suneva zraenja u razdoblju od svibnja do
rujna 2005. godine, kao i rezultati testiranja fotonaponskog modula u realnim uvjetima.
Ispitana je ovisnost parametara fotonaponskog modula o zraenju i temperaturi, a
snimljene strujno naponske-karakteristike usporeene su sa simuliranima pomou
empirijskog i Swartzovog modela sunane elije. Za period od tri mjeseca izraunato je
ukupno Sunevo zraenje na horizontalnu plohu metodom multipiranometarskog niza te su
vrijednosti usporeene s mjerenjima konvencionalnim nainom.
Sam rad podijeljen je u dva dijela. U prvom dijelu, koji obuhvaa drugo i tree
poglavlje, dane su osnovne definicije vezane uz sunanu eliju i Sunevo zraenje te su
opisani modeli i algoritmi prorauna pojedinih veliina. U drugom poglavlju definirani su
osnovni parametri sunane elije: struja kratkog spoja, napon otvorenog kruga, toka
maksimalne snage, djelotvnornost i faktor punjenja. Opisan je utjecaj serijskog i paralelnog
otpora na strujno-naponsku karakteristiku sunane elije, kao i utjecaj zraenja i
temperature na promjenu osnovnih parametara. Izvedena je osnovna jednadba
nadomjesnog sklopa sunane elije te su opisana dva modela koritena za simulaciju
strujno-naponskih karakteristika: empirijski i Swartzov model. U treem poglavlju
obrauje se Sunevo zraenje. Definirane su komponente Suneva zraenja i osnovni
pojmovi vezani za solarnu geometriju te su opisani najee koriteni algoritmi prorauna
Suneva zraenja.
U drugom dijelu rada dan je opis mjerenja Sunevog zraenja i temperature te
testiranje fotonaponskog modula od amorfnog silicija, opisani su koriteni mjerni sustavi te
su predoeni i analizirani rezultati mjerenja.

2. Sunana elija

Sunana elija je elektroniki element koji upadnu Sunevu energiju pretvara


izravno u elektrinu na principu fotonaponskog efekta. Po svojoj strukturi sunana je elija
zapravo pn spoj u kojem se apsorbiraju fotoni iz Sunevog zraenja,a njihova se energija
koristi za stvaranje parova nosilaca naboja elektron-upljina. Unutranje elektrino polje
koje postoji u osiromaenom podruju razdvaja parove nosilaca koji su stvoreni unutar ili u
blizini pn spoja; elektroni se gibaju prema n, a upljine prema p-strani. S prednje i stranje
strane sunane elije postavljaju se kontakti koji prikupljaju razdvojene naboje te se na
krajevima elije pojavljuje elektromotorna sila. Osnovna struktura sunane elije prikazana
je na slici 2.1.

Slika 2.1. Openita struktura sunane elije


Kad sunana elija nije osvijetljena, kroz nju protjee struja I definirana Shockleyjevom
jednadbom:

mqkUT

1 ,
I = I 0 e

(2.1)

gdje je U napon na sunanoj eliji, m faktor idealnosti diode, q naboj elektrona, k


Boltzmannova konstanta, a T temperatura. Kad se sunana elija osvijetli, stvaraju se

parovi nosilaca koje razdvaja elektrino polje u osiromaenom podruju. Posljedica toga je
nastajanje fotostruje IS pa se osvijetljena sunana elija ponaa kao strujni izvor. Ako je u
izlaznom krugu spojen potroa otpora R, u sluaju osvijetljene sunane elije struja kroz
taj potroa bit e:

mqkUT

1 I S .
I = I 0 e

(2.2)

Zbog stvaranja fotostruje karakteristika se pomie iz 1. u 4. kvadrant gdje je sunana elija


izvor struje, slika 2.2.

Slika 2.2. I-U karakteristika neosvijetljene i osvijetljene sunane elije [2]


Sama karakteristika sunane elije protee se i u 1. i 3. kvadrant, ali se obino crta samo
dio u 4. kvadrantu jer je to radno podruje sunane elije u kojem ona daje elektrinu
energiju. Dogovorno se vrijednost struje uzima pozitivno pa je zapravo uobiajeno
karakteristiku sunane elije prikazati u 1. kvadrantu. U tom sluaju jednadba (2.2)
postaje:
mqkUT
I = I S I 0 e
1

(2.3)

Strujno-naponska karakteristika krae se naziva I-U karakteristika i najpotpunije opisuje


sunanu eliju. Iako je uvrijeen naziv I-U, na osi apscisa prikazuje se vrijednost napona, a
na ordinati vrijednost struje. Na I-U karakteristici definiraju se osnovni parametri sunane
elije.

2.1. Osnovni parametri sunane elije


I-U karakteristika sunane elije prolazi kroz tri karakteristine toke u kojima su
definirani najvaniji parametri sunane elije:
1.

Struja kratkog spoja Iks struja koja tee kad je napon na stezaljkama sunane
elije jednak nuli.

2.

Napon otvorenog kruga Uok napon koji postoji na stezaljkama sunane elije
u reimu otvorenog kruga (tj., kad je I=0).

3.

Toka maksimalne snage Pm toka u kojoj sunana elija daje najveu


moguu snagu. Maksimalna snaga Pm odgovara najveoj moguoj povrini
pravokutnika koji se moe upisati u I-U karakteristiku. U toki maksimalne
snage vrijednost struje je Im, a napona Um.

Osnovni parametri sunane elije prikazani su na slici 2.3.

Slika 2.3. Osnovni parametri sunane elije


Struja kratkog spoja moe se izraunati uvrtavanjem uvjeta U=0 u jednadbu (2.3) pa se
dobija:
I ks = I S .

(2.4)

Na isti se nain moe pronai napon otvorenog kruga, uvrtavanjem uvjeta I=0 te je:
U ok =

m k T I S
ln + 1
q
I0

(2.5)

Dakle, napon otvorenog kruga ovisi o iznosu fotostruje IS i o struji zasienja diode I0 za
koju je poeljno da je to manjeg iznosa.
Omjer napona otvorenog kruga i struje kratkog spoja naziva se karakteristini otpor i
oznaava s Rk:

Rk =

U ok
.
I ks

(2.6)

2.2. Serijski i paralelni otpor sunane elije


Serijski otpor sunane elije RS je omski otpor na koji nailazi struja koja tee kroz
eliju i kroz povrinu elije prema kontaktima do spoja s prikljukom na vanjski krug. Na
iznos serijskog otpora utjee otpor materijala, kontakata i dr. Najvaniji efekt koji je
posljedica postojanja serijskog otpora je smanjenje faktora punjenja, a pri veim
vrijednostima moe doi i do smanjenja struje kratkog spoja [3]. Iznos serijskog otpora nije
stalan; mijenja se kako se mijenja i cijela strujno-naponska karakteristika sunane elije s
promjenom temperature i razine ozraenja. Kvalitetne sunane elije imaju manji serijski
otpor, odnosno otrije koljeno I-U karakteristike.
Paralelni otpor RP posljedica je postojanja lokalnih defekata u pn spoju zbog ega
dolazi do gubitaka zbog otjecajnih struja. U idealnoj sunanoj eliji otpor RP je
beskonaan, ali u realnim su sluajevima struje otjecanja proporcionalne naponu na eliji.
Mala vrijednost paralelnog otpora omoguuje otjecanje dijela fotostruje, to je posebno
znaajno pri manjim vrijednostima ozraenja. Gubitke zbog paralelnog otpora karakterizira
nelinearnost i nestalnost pa se razlikuju od elije do elije.
Utjecaj serijskog i paralelnog otpora na I-U karakteristiku prikazan je slikom 2.4.

Slika 2.4. Utjecaj a) serijskog b) paralelnog otpora na I-U karakteristiku


Serijski i paralelni otpor utjeu na oblik I-U karakteristike sunane elije te na ukupnu
snagu. Taj se utjecaj moe zanemariti u sluaju kad je serijski otpor puno manji od
karakteristinog otpora (RS<<Rk), odnosno ako je paralelni otpor puno vei od
karakteristinog otpora (RP>>Rk). Ukoliko se u modelu sunane elije ukljui utjecaj
otpora RS i RP, jednadba (2.3) postaje:

q U
U
I = I S I 0 e m k T 1
.

RP

(2.7)

2.3. Snaga i djelotvornost sunane elije; faktor punjenja


Snaga koju daje sunana elija jednaka je:

qU
U
P = U I = U I S I 0 e mk T 1 .

RP

(2.8)

Maksimalna snaga Pm moe se prikazati preko Iks i Uok:

Pm = U m I m = U ok I ks FF ,

(2.9)

gdje je FF faktor punjenja (engl. Fill Factor). Faktor punjenja je omjer povrine
pravokutnika ije su stranice Um i Im (najvei pravokutnik koji se moe upisati u I-U
karakteristiku) i pravokutnika sa stranicama Uok i Iks. Vrijednost faktora punjenja govori o
tome koliko se stvarna elija pribliava idealnoj, odnosno koliki je utjecaj serijskog otpora
8

elije. U praksi je vrijednost faktora punjenja obino izmeu 0,7 i 0,9 i opada linearno s
omjerom RS/Rk i Rk/RP [2].
Djelotvornost sunane elije definira se kao omjer izmeu maksimalne snage
koju elija moe dati Pm i snage Suneva zraenja koje upada na eliju Pu:

Pm
P
U I
= m = m m,
Pu E A
EA

(2.10)

gdje je E ozraenje povrine, a A povrina sunane elije. Uvrtavajui izraz za


maksimalnu snagu iz (2.9):

= FF

U ok I ks
.
EA

(2.11)

Djelotvornost sunane elije je to vea to je faktor punjenja blii jedinici i to je vei


iznos struje kratkog spoja. Najvea djelotvornost sunane elije pri odreenom ozraenju i
temperaturi postie se ukoliko je na sunanu eliju spojen optimalni iznos potroaa.

2.4. Utjecaj temperature i ozraenja na karakteristike sunane elije


Karakteristike sunane elije mijenjaju se promjenom temperature i ozraenja.
Promjena temperature uglavnom utjee na iznos napona otvorenog kruga, dok je promjena
fotostruje gotovo zanemariva. Reverzna struja zasienja I0 ovisi o temperaturi i moe se
zapisati kao:
I0 = A T e
3

Eg
kT

(2.12)

gdje je A konstanta za odreenu sunanu eliju, a Eg irina zabranjenog pojasa. Ako se u


jednadbu (2.3) uvrsti uvjet za otvoreni krug: I=0, U=Uok, tada je uz (2.12) mogue pisati:
I ks = A T e
3

qU ok E g
kT

(2.13)

Relacija (2.13) dobivena je zanemarivanjem jedinice u odnosu na eksponencijalni lan u


izrazu (2.3) i uz pretpostavku da je m=1. Ako se (2.13) derivira po temperaturi i zanemari
promjena struje kratkog spoja (dIks/dT0), dobije se izraz za promjenu napona otvorenog
kruga:
dU ok qU ok E g
k
=
3 .
dT
qT
q

(2.14)

Uvrtavanjem tipinih vrijednosti za irinu zabranjenog pojasa poluvodikog materijala


koji se koristi za izradu sunanih elija kao i vrijednosti napona otvorenog kruga na sobnoj
temperaturi u izraz (2.14), uoava se da napon otvorenog kruga opada s porastom
temperature [2], Tablica 2.1.
Tablica 2.1. Promjena napona otvorenog kruga u ovisnosti o temperaturi za Si i GaAs
Si
Si
GaAs
GaAs

Eg [eV ]

Uok [V], T=273 K

dUok/dT [mV/K]

1,12
1,12
1,4
1,4

0,65
0,55
1,05
0,85

-1,98
-2,35
-1,54
-2,27

Opadanje vrijednosti napona otvorenog kruga vie je izraeno od porasta struje


kratkog spoja, to rezultira i ukupnim opadanjem snage te djelotvornosti sunane elije.
U praksi je porast temperature sunane elije uvijek povezan s poveanjem
intenziteta upadnog Suneva zraenja. Intenzitet upadnog zraenja ovisi o itavom nizu
parametara kao to su kut upada , doba dana i godine, utjecaj atmosferskih prilika,
zasjenjivanje elije od strane okolnih objekata i sl. Iznos upadnog zraenja odreuje iznos
struje kratkog spoja jer je vee zraenje stvara vie parova nosilaca. Ovisnost napona
otvorenog kruga o zraenju je logaritamska pa e njegova promjena biti puno manje
izraena.

2.5. Materijali za proizvodnju sunanih elija


Prema tehnologiji izrade fotonaponski moduli mogu se podijeliti u dvije glavne
kategorije:

Moduli temeljeni na ploicama kristalininog silicija

Moduli izraeni u tankoslojnoj tehnologiji, kao to su tankoslojni silicij,


bakar/indij/galij-selenid/sulfid (CIGS), amorfni silicij (a-Si) i kadmij-telurid
(CdTe).
Prva komercijalna sunana elija izraena je od kristalininog silicija 50-ih godina

prolog stoljea, a 1958. godine su sline sunane elije primijenjene za napajanje satelita
elektrinom energijom. Do danas je tehnologija proizvodnje fotonaponskih modula
temeljena na ploicama od kristalininog silicija ostala dominantna iz vie razloga:

10

tehnologija je dosta rairena, dokazana je njena pouzdanost, poznata je, a znanje i


tehnologija potjeu od elektronike industrije. Kristalinini silicij se uglavnom proizvodi
postupkom Czochralskog kojim se u rastaljeni silicij visoke istoe ubacuje kristalna
jezgra. Rotiranjem jezgre i polaganim izvlaenjem, na jezgri se kristalizira silicij te se tako
proizvode ipke koje se kasnije reu u tanke ploice. Ploice se zatim dodatno obrauju i
od njih se izrauju sunane elije, postavljaju se kontakti i izrauje fotonaponski modul.
Cijena kristalininog silicija je prilino visoka jer su tehnoloki postupci dobivanja silicija
zahtijevane vrlo visoke istoe jako skupi. Drugi veliki nedostatak ove tehnologije su
veliki gubici materijala prilikom obrade. Tako je mogue da se tijekom rezanja ipke u
tanke ploice izgubi 50% i vie materijala. Konano, proizvodnja kristalininog silicija je
postupak koji zahtijeva jako puno energije pa je u konanici vrijeme isplate modula od
kristalininog silicija znaajnije due u usporedbi s vremenom isplate modula od amorfnog
silicija.
Fotonaponski moduli se u tankoslojnoj tehnologiji izrauju prekrivanjem itave
povrine podloge (najee se kao podloga koriste staklo ili nehrajui elik)
mikrometarski tankim slojevima vodljivog i poluvodikog materijala. Ovakvim se nainom
izrade mogu postii znaajne utede u materijalu i u utroku energije. Trenutno je
djelotvornost ovako proizvedenih fotonaponskih modula izmeu 5 i 15%, ali se s
postojeim tehnologijama ona moe popraviti na 15-20% [1]. Prema predvianjima, do
2030. godine e djelotvornost komercijalno dostupnih fotonaponskih modula biti 10-30%.
Kristalinini silicij je i danas uvjerljivo najzastupljenija tehnologija izrade
fotonaponskih modula, s trinim udjelom od oko 95%. Tankoslojne tehnologije su
posljednjih 10-ak godina pale s 15% trinog udjela koliko su imale 1995. do dananjih
oko 5%. Meutim, predvia se da e nakon 2010. godine udio tankoslojnih tehnologija
ponovo poeti rasti. Proizvoai silicija danas sve tee prate zahtjeve za materijalom koje
im nameu proizvoai fotonaponskih modula od kristalininog silicija. Ukoliko se
postojei trendovi rasta nastave, mogue je da zbog nedostatka materijala pad cijene
fotonaponskih modula bude znaajno usporen. To je injenica koja dodatno ide u prilog
tankoslojnim tehnologijama od kojih se oekuje da u narednim godinama znaajnije uu na
trite.

11

2.6. Sunane elije od amorfnog silicija


Jedna od tankoslojnih tehnologija koje se sve intenzivnije istrauju je tehnologija
proizvodnje sunanih elija od amorfnog silicija. Proizvodnja je relativno jednostavna i
jeftina i zasniva se na nanoenju tankog sloja silicija u amorfnom stanju na podlogu. Na taj
se nain potronja materijala drastino smanjuje u odnosu na kristalinini silicij.
Posebnosti amorfnog silicija posljedica su njegove kristalne strukture. Za razliku od
kristalininog silicija u kojem postoji pravilna kristalna struktura koja se ponavlja, te
polikristalininog silicija u kojem pravilna kristalna struktura postoji u manjem dosegu kod
amorfnog silicija ne postoji ni ureenost dugog ni kratkog dosega. Kao i kod kristalininog
silicija, atomi silicija su meusobno povezani kovalentnim vezama, ali se u materijalu
nalazi veliki broj slobodnih, tzv. ''njihajuih veza'' (engl. Dangling bond). Posljedica takve
strukture je veliki broj lokaliziranih energijskih stanja u zabranjenom pojasu te se on ne
moe jednoznano odrediti. Ipak, irina zabranjenog pojasa moe se odrediti mjerenjem
ovisnosti apsorpcijskog faktora o valnoj duini upadnog zraenja. irina zabranjenog
pojasa ovisi o nainu proizvodnje amorfnog silicija, a tipine su mu vrijednosti izmeu
1,65 i 1,8 eV [2]. Jedna je od vanijih karakteristika amorfnog silicija veliki apsorpcijski
faktor, koji je u podruju valnih duina od 550 nm (gdje je maksimum Suneva zraenja)
za red veliine vei od apsorpcijskog faktora kristalininog silicija. Stoga je za
fotonaponsku pretvorbu sloj amorfnog silicija svega oko 1 m, dok je za monokristalinini
potrebna debljina oko 200 m.
Elektrine karakteristike amorfnog silicija znaajno se popravljaju dodavanjem
vodika. Vodik se vee na visee veze te na taj nain smanjuje broj lokalizirani stanja u
zabranjenom pojasu, odnosno uzrokuje poveanje irine zabranjenog pojasa, ali i smanjuje
apsorpciju. Amorfni silicij s dodanim vodikom oznaava se a-Si:H.
Najee se za izradu poluvodike strukture kao neistoe koriste fosfor i bor.
Dodavanje tih neistoa amorfnom siliciju je prilino neuinkovito jer mali broj neistoa
''daje'' slobodni elektron. To je opet posljedica viseih veza i njihovog utjecaja na donorske
primjese. Osim bora i fosfora, amorfnom se siliciju mogu dodavati i drugi elementi
(najee su to C, Ge, O i N) kojima se znaajno mijenjaju karakteristike dobivenog
materijala, u prvom redu promjenom irine zabranjenog pojasa.
Karakteristina pojava koja se javlja kod sunanih elija od amorfnog silicija je
znaajno smanjenje djelotvornosti u prvih nekoliko dani izloenosti svjetlu. Tijekom prvih

12

nekoliko mjeseci djelotvornost opadne za 10 do 15%, ali nakon toga se elija stabilizira. Ta
je pojava poznata pod nazivom Staebler-Wronski efekt. Uoeno je da se zagrijavanjem u
mraku na temperaturi iznad 150C ponitava Staebler-Wronski efekt i elija se vraa u
svoje prvobitno stanje. Iako jo nema pravog objanjenja pojave degradacije sunane elije
pri izloenosti svjetlu, pretpostavlja se da razlog lei u samoj amorfnoj strukturi, odnosno
slabim vezama meu silicijevim atomima koje se prekidaju i tako nastaju visee veze. Isto
tako, pretpostavlja se da vodik ima vrlo vanu ulogu u stvaranju i nestajanju viseih veza.

2.7. Model sunane elije


Sunana elija je po svojoj strukturi pn spoj koji ima sposobnost generiranja parova
elektron-upljina apsorpcijom fotona iz upadnog svjetla. Stoga se u idealnom sluaju
sunana elija moe nadomjestiti sklopom koji se sastoji od strujnog izvora i njemu
paralelno spojene poluvodike diode, slika 2.5.

Slika 2.5. Idealni nadomjesni sklop sunane elije


Sklop na slici 2.5. moe se opisati jednadbom:

UU
I = I S I D = I S I 0 e T 1 .

(2.15)

Realni nadomjesni sklop sunane elije ukljuuje i utjecaj serijskog i paralelnog otpora,
slika 2.6.

13

+
Is

Id

izvor
stalne
struje

RS
Rp

Slika 2.6. Realni nadomjesni sklop sunane elije


U realnom nadomjesnom sklopu sunane elije koji je prikazan na slici 2.6., izlazna struja

I opisana je jednadbom:
qUm+kITRS
U
1
.
I = I S I 0 e

RP

(2.16)

U analizi rada sunane elije primjenjuju se modeli koji mogu biti i sloeni ako
ukljuuju razne stupnjeve nelinearnosti zbog nejednolike raspodjele gustoe struje i
gradijenta potencijala na povrini poluvodia. Budui da sloeni modeli zahtijevaju i
sloeniji postupak raunanja, esto se radi s jednostavnijima, odnosno prikladnijima,
pogotovo ako se analiza provodi primjenom elektronikog raunala.
Kriterij za odabir modela sunane elije jest prije svega mogunost simulacije njene
stvarne

strujno-naponske

karakteristike,

zatim

mogunost

pouzdane

procjene

karakteristinih veliina u odreenom temperaturnom podruju i rasponu razine ozraenja.


Idealni model osvijetljenog pn spoja ne opisuje s dostatnom tonou stvarnu I-U
karakteristiku sunane elije jer ne sadri kljune parametre kao to su linearni otpor
metalnih prikljuaka, strujni gubici i slojni otpor poluvodia. Slojni otpor (engl. sheet
resistance) je parametar koji ovisi o koncentraciji primjesa, a odreen je prosjenim
iznosom elektrike provodnosti poluvodikog sloja.
Nadomjesni sklop sunane elije u koji su upravo ukljueni i navedeni parametri
prikazan je na slici 2.6., a odgovarajui analitiki izraz (2.16) koristi se kao polazite za
nekoliko tipova modela prikladnih za analizu primjenom raunala.
Modeli se meusobno razlikuju po nainu odreivanja parametara (Rs, Rp, m)
veliinama koje se mogu izmjeriti na samoj eliji ili oitati iz priloenih (izmjerenih) I-U
karakteristika: Iks, Uok, Um, Im, slika 2.4.

14

2.7.1. Simulacija I-U karakteristike sunane elije

Za opis izlazne karakteristike fotonaponskoga modula moe se upotrijebiti model


njegovog osnovnog elementa tj. jedne sunane elije ako se pretpostavi elektrika
identinost, tj. podudarnost strujno-naponskih karakteristika svih sunanih elija od kojih
je modul sastavljen.
Karakteristika modula je openito funkcija temperature i ozraenja, I=I(U,E,T).
Promjena temperature oituje se na I-U karakteristici kao pomak po strujnoj i naponskoj
osi i promjeni zakrivljenosti koljena krivulje. S porastom temperature raste i struja kratkog
spoja, ali ta je promjena praktiki neznatna u usporedbi s promjenom ostalih parametara.
Porast struje kratkog spoja povezuje se s linearnim smanjenjem irine zabranjenog pojasa s
porastom temperature pa je potrebna manja energija fotona za stvaranje parova elektronupljina.
Kako je napon otvorenog kruga funkcija reverzne struje zasienja I0 (struja
manjinskih nosilaca neosvijetljenog pn spoja), time je izraena i njegova temperaturna
ovisnost jer je I0 funkcija kvadrata intrinsine koncentracije koja jako brzo raste s
temperaturom.
U strunoj literaturi moe se pronai vie razliitih modela sunanih elija
pogodnih za analizu primjenom raunala. Meusobno se razlikuju u nainu ukljuivanja
odgovarajuih parametara kojima je poblie definiran rad odgovarajue pn strukture
sunane elije, ali im je zajednika osnovna karakreristika da se oslanjaju na parametre
sunane elije koje je mogue izmjeriti.
U ovom radu bit e opisana dva modela: empirijski model [4] koji kao ulazne
parametre koristi samo struju kratkog spoja, napon otvorenog kruga i toku maksimalne
snage, te Swartzov model [5] koji je puno sloeniji i izraen je za sunane elije od
amorfnog silicija.

15

2.7.2. Empirijski model

Ovaj model temeljen je takoer na jednadbi (2.16) koja se zapisuje kao:

C UU

I = I ks 1 C1 e 2 ok 1 ,

(2.17)

gdje su parametri C1 i C2 dani s:

I
C1 = 1 m
I ks

C2 Umok
e
,

1
C 2 = m 1
U ok
ln1 I m
I
ks

(2.18)

(2.19)

Uoeno je da jednadba (2.17) daje velike greke pri veim iznosima zraenja pa je
mjerenjima ustanovljeno da u tim uvjetima bolje slaganje izmeu proraunate i stvarne
karakteristike daje jednadba:

I = K 6 e K 4 U

K5

(2.20)

Ukoliko se konstante izraze preko karakteristinih parametara sunane elije Iks, Uok, Im i

Um:

)]

I = I ks 1 C3 e C4 U 1 ,

(2.21)

gdje su konstante n, C3 i C4 dane s:


C
ln 5
C
n= 6 ,
U
ln m
U ok

C4 =

C6
,
U okn

(2.22)

(2.23)

I (1 + C3 ) I m
C5 = ln ks
,
C3 I ks

(2.24)

1 + C3
.
C6 = ln
C3

(2.25)

Konstantu C3 nije bilo mogue izraziti preko karakteristinih parametara sunane


elije ve je njen iznos utvren metodom pokuaja i pogreke. Pronaeno je da vrijednost

16

C3=0,01175 osigurava najmanju pogreku za podruje ispitivanih temperatura i ozraenja.


Uzimajui u obzir spomenutu vrijednost za C3, ostale su konstante:

C
ln 5
4,46
n=
,
Um

ln
U
ok
C4 =

4,46
,
U okn

(2.26)

(2.27)

1,01175 I ks I m
C5 = ln

1,01175 I ks

(2.28)

C6 = 4,46

(2.29)

Poznavajui vrijednosti karakteristinih parametara sunane elije pri odreenoj


temperaturi i ozraenju moe se izraunati cijela I-U krivulja. Za izraunavanje I-U
krivulje pri nekoj drugoj temperaturi i ozraenju potrebno je poznavati ovisnost navedenih
parametara o temperaturi i ozraenju tj. njihove funkcije, f = f(T,E).

2.7.3. Swartzov model

Swartzov model predvien je za sunane elije od amorfnog silicija. Za takve


poluvodike pn spojeve karakteristino je relativno iroko intrinsino podruje (i-sloj)
izmeu p i n sloja [5]. Osnovna p-i-n struktura prikazana je na slici 2.7., a njene temeljne
karakteristike su:
- debljina intrinsinog (i) sloja znatno je vea nego p i n slojeva,
- fotovodljivi (intrinsini) i sloj ima izvjesni elektrini otpor,
- fotostruja IS je konstantna za sve napone U < Uok,
- vodljivost i sloja je upravo proporcionalna broju nosilaca naboja,
- svjetlo upada u eliju preko p sloja,
- ukupna struja sunane elije je I=IS-ID, gdje je ID difuzijska struja kroz p-i i n-i prijelaz, a

IS fotostruja.

17

P-I
prijelaz

prozirni P sloj

N-I
prijelaz

N sloj

upadni fotoni
Suneve svjetlosti
fotovodljivi I sloj

Slika 2.7. PIN struktura opisana Swartzovim modelom


Ovisnost difuzijske struje o naponu U dana je izrazom:

U +(mRsU+ Rc )I
T
I D = I0 e
1 ,

(2.30)

gdje je Rs fotootpor i-sloja, a Rc omski strujno neovisni otpor serijski spojen s elijom (npr.
kontaktni otpor), m faktor idealnosti diode, a UT naponski temperaturni ekvivalent.
Zanemari li se jedinica u izrazu (2.30):
I
U = (Rs + Rc ) I + m U T ln D
I0

(2.31)

Pojednostavljeni dijagrami energijskih razina uz uvjet otvorenog kruga I=0 te uz uvjet


kratkog spoja U=0 prikazani su na slikama 2.8 i 2.9.

Ec

EA
E
Ev D

EF

Ec dno vodljivog pojasa


Ev vrh valentnog pojasa
ED donorski nivo
EA akceptorski nivo
EF Fermijev nivo

Slika 2.8. Energijski dijagram osvijetljene PIN strukture uz uvjet otvorenog kruga

18

Ec

E
Ev D

EA
EF

Ec dno vodljivog pojasa


Ev vrh valentnog pojasa
ED donorski nivo
EA akceptorski nivo
EF Fermijev nivo

Slika 2.9. Energetski dijagram osvijetljene PIN strukture uz uvjet kratkog spoja
Elektrika nadomjesna shema za Swartzov matematiki model (2.31) prikazana je na slici
2.10.

r
IS

r
ID

r
I

_
I
m U T ln D
I0

Rc=konst.

r r r
I = IS + ID

_
Rs =

+
US
ID

Slika 2.10. Nadomjesna shema Swartzovog modela


Vrijednost parametra Rs moe se prikazati kao
Rs =

Us
Us
.
=
ID
IS I

(2.32)

Pri naponu U=Uok struja je I=0 pa vrijedi izraz:

Rs =

Us
.
IS

(2.33)

Ako je ukupna struja priblino jednaka fotostruji, tada su gotovo svi nosioci naboja
izvueni iz i-sloja, a to znai da vrijednost serijskog otpora tei neogranieno velikoj
vrijednosti.
Kombinirajui jednadbe (2.32) i (2.33) dobiva se:

19

U Rc I

I I
,
+ U T ln S
IS
I0
1
I
Us

(2.34)

ili
,
I
+ m U T ln1 + U ok ,
IS
IS
1
I
Us

U = Rc I

(2.35)

gdje je
I
U ok = m U T ln S .
I0

(2.36)

Matematiki model (2.35) izveden je za sluaj kada je irina zabranjenog pojasa p


sloja jednaka irini zabranjenog pojasa i- i n slojeva. U praksi taj uvjet redovito nije
ispunjen jer se radi poveanja prozirnosti u p sloj dodaje ugljik to poveava irinu
njegovog zabranjenog pojasa. Osim toga, u tako formiranom heterospoju (a-Si:C:H/a-Si:H)
onemoguena je difuzija vodljivih elektrona nastalih u neposrednoj blizini prijelaza prema
p sloju (efekt elektronskog zrcala). Mjerenja su pokazala dvostruko veu djelotvornost
pretvorbe sunane energije u elektrinu u podruju valnih duina od 0,4 do 0,5 m za
elije s p slojem kao elektronskim zrcalom prikazanog na slici 2.11 [6].

Ec

elektronsko
zrcalo

elektroni

proirenje zabranjenog
pojasa

E
Ev D

EA
EF

Ec dno vodljivog pojasa


Ev vrh valentnog pojasa
ED donorski nivo
EA akceptorski nivo
EF Fermijev nivo

Slika 2.11. P sloj kao elektronsko zrcalo


Moe se pretpostaviti da se elektroni u cijelosti reflektiraju natrag u i sloj kad je
polje u njemu najjae, tj. I=Iks; ID 0. Refleksije elektrona nema kad je polje koje ih
odvodi vrlo malog iznosa tj. I=0; ID=IL. Pod pretpostavkom da elektroni ine veinu struje i

20

da je ldl , gdje je ld difuzijska duina elektrona, l debljina i sloja, otpor i-sloja moe se
odrediti na temelju same definicije slojnog otpora ili otpora sloja
l

Rs =
0

dx

(2.37)

gdje je

= n q n .

(2.38)

U izrazu (2.38) je n gustoa elektrona, n je pokretljivost elektrona, elektrina


provodnost (specifina vodljivost). Za podruje Suneva spektra veina nosilaca koja ulazi
u p sloj proizvedena je u podruju debljine 0,1m uz p-i sloj, s tim da polovica nosilaca
difuzijom odlazi prema n kontaktu, a polovica prema p kontaktu. Bez refleksije elektrona
na p sloju vrijedi izraz
nq =

I D n
,
l

(2.39)

a u uvjetima refleksije elektrona na p-i sloju


nq =

2 I D n
,
l

(40)

gdje je n vrijeme ivota elektrona, a S povrina poprenog presjeka sunane elije.


U sluaju kad je ld<l , upljine i elektroni difuzijom dolaze do udaljenosti ld a ostatak
debljine i-sloja prevale pod utjecajem unutranjeg polja. Za gustou elektrona i dalje
vrijedi relacija (2.40) u uvjetima refleksije i (2.39) bez refleksije. Otpor Rs u uvjetima s
povratnom difuzijom pri I=0 iznosi
Rs =

U
l2
= s ,
I D n I D

(2.41)

a u uvjetima potpune refleksije kad ID 0


Rs =

U
l2
= s .
2 I D n I D

(2.42)

Promjenom struje I od 0 do IL , Us se smanjuje na polovinu svoga iznosa. Tona ovisnost


izmeu Us i I nije poznata. Najbolja podudarnost s mjerenjima pokazala za ovisnost
izraena relacijom

I
U s (I ) = U s 1 0,5
,
I L

(2.43)

uz koju konani oblik jednadbe modela glasi:

21


I
U s 1 0,5
I L

U = Rc I
+ m U T ln1
IL
IL
1
I

+ U ok .

(2.44)

Izraz (2.43) je strujno naponska jednadba koja sadri nepoznate veliine Us, Rc i m
koje se mogu odrediti posebnim mjerenjima i koje su konstantne za sve radne uvjete
modula. Promjenjive veliine: apsolutna temperatura T, napon otvorenog kruga Uok i
fotostruja IL su ulazni podaci koji se lako izmjere uz pretpostavku da je fotostruja priblino
jednaka struji kratkog spoja, ILIks.
Eksplicitno izraunavanje struje za zadani napon nije mogue jer je jednadba
(2.44) transcedentna pa je potrebno primijeniti iteracijski postupak pomou raunala.

22

3. Sunevo zraenje

Sunce je zvijezda u sreditu naeg planetarnog sustava sastavljena uglavnom od


vodika i helija. U unutranjosti Sunca vodik se nuklearnim reakcijama fuzije pretvara u
helij to rezultira oslobaanjem velikih koliina energije, a temperatura u jezgri premauje
15000000 K. Zraenje iz unutranjosti u velikom dijelu apsorbira sloj vodika blii povrini
pa je na povrini Sunca temperatura oko 6000 K (tonije, 576250 K), a spektar Sunca
priblino odgovara spektru crnog tijela ugrijanog na temperaturu 5762 K. Stoga se
temperatura od 5762 K moe uzeti kao efektivna temperatura Suneve povrine, a iz nje je
primjenom Stefan-Boltzmannova, Wienova i Planckova zakona mogue proraunati
energijski spektar Suneva zraenja. Snaga Sunevog zraenja iznosi oko 3,81023 kW, od
ega do Zemlje dopire oko 1,71014 kW. To znai da Zemlja u jednom satu od Sunca primi
dovoljno energije za zadovoljenje svih svojih godinjih energetskih potreba [7]. Prolaskom
kroz svemir spektralni sadraj Sunevog zraenja gotovo da se i ne mijenja. Meutim,
gustoa snage na nekom mjestu smanjuje se s kvadratom udaljenosti od Sunca po izrazu:
E0 =

R s2
D2

Es ,

(3.1)

gdje je E0 gustoa snage na promatranom mjestu, ES gustoa snage na povrini Sunca, RS


polumjer Sunca, a D udaljenost promatranog mjesta od Sunca. Sunevo zraenje na ulazu
u Zemljinu atmosferu naziva se ekstraterestiko zraenje i opisuje se gustoom energijskog
toka koji upada na povrinu okomitu na smjer upadnih Sunevih zraka. Ta veliina naziva
se ozraenje ili iradijancija, oznaava se s E i izraava se jedinicom [W/m2]. Kako se
Zemlja oko Sunca giba po eliptikoj putanji, to se i njihova meusobna udaljenost mijenja
pa gustoa snage na ulazu u Zemljinu atmosferu nije konstantna ve se mijenja od
najmanje vrijednosti od 1307 W/m2 do najvee 1399 W/m2. Srednja vrijednost
ekstraterestikog zraenja naziva se solarna konstanta, a definirana je kao tok Suneva
zraenja kroz jedininu povrinu postavljenu okomito na smjer Sunevih zraka na srednjoj
udaljenosti Zemlje od Sunca (D=1,5108 km), ali izvan Zemljine atmosfere. [2] Solarna
konstanta se odreuje mjerenjem, a njena je vrijednost 1367 W/m2 [8]. Prije ulaska u
atmosferu, spektar Suneva zraenja obuhvaa valne duljine od oko 120 nm do preko 10
m. Zraenje je najvee na valnoj duljini =480 nm, a obuhvaa ultraljubiasti (120-400

23

nm), vidljivi (400-750 nm) i infracrveni dio spektra (>750 nm). Ultraljubiasti dio spektra
sadri oko 8%, vidljivi oko 45%, a infracrveni oko 47% ukupne energije zraenja.
Za razliku od ekstraterestikog zraenja ije su promjene vrlo male, Sunevo
zraenje na povrini Zemlje jako je promjenjivo i ovisi o brojnim faktorima, od kojih su
najvaniji [3]:

atmosferski utjecaji, ukljuujui apsorpciju i rasprenje

lokalne promjene u atmosferi, kao to su vodena para, oblaci i smog

zemljopisni poloaj

vrijeme i datum
Prolaskom kroz atmosferu, dolazi do rasprenja i apsorpcije Suneva zraenja te

ono slabi, a zbog nejednolikog utjecaja spomenutih efekata na razliite valne duljine dolazi
i do promjene spektralnog sadraja. Do rasprenja dolazi zbog interakcije zraenja s
esticama ili velikim molekulama plinova prisutnih u atmosferi to uzrokuje promjenu
izvorne putanje zraenja. Rasprenje ovisi o valnoj duljini zraenja, koncentraciji estica ili
plinova te o udaljenosti koju zraenje prolazi kroz atmosferu. Razlikuju se tri vrste
rasprenja [9]:
1. Rayleighovo rasprenje nastaje na esticama koje su vrlo male u usporedbi s
valnom duljinom zraenja. To su najee sitne estice praine ili molekule
vodika i duika. Rayleighovo se rasprenje uglavnom javlja u viim slojevima
atmosfere i puno vie utjee na zraenje manjih valnih duljina. Posljedica tog
rasprenja je da se prolaskom kroz atmosferu plava svjetlost vie raspri od
ostalih valnih duljina pa se nebo ini plavim. Pri izlasku i zalazu Sunca, Sunevo
zraenje mora prijei jo dui put pa je rasprenje manjih valnih duljina jo
intenzivnije i tada vee valne duljine vie dolaze do izraaja.
2. Mieovo rasprenje se dogaa u donjim dijelovima atmosfere i javlja se na
esticama veliine usporedive s valnom duljinom zraenja: praini, peludu,
dimu, vodenoj pari. Mieovo rasprenje je dominantno kad je nebo oblano.
3. Neselektivno rasprenje se javlja kad je veliina estica mnogo vea od valne
duljine zraenja, najee na vodenim kapljicama i velikim esticama praine.
Ovo rasprenje podjednako utjee na sve valne duljine, a posljedica je da se
magla i oblaci ine bijelima zato jer su gotovo sve valne duljine podjednako
rasprene.

24

Drugi mehanizam koji znaajno mijenja Sunevo zraenje je apsorpcija pri emu
molekule u atmosferi apsorbiraju energiju odreenih valnih duljina. Za apsorpciju su
uglavnom odgovorni ozon (O3), vodena para (H2O) i ugljini dioksid (CO2). Ozon ima vrlo
vanu ulogu jer gotovo u potpunosti apsorbira ultraljubiasto zraenje valnih duljina
manjih od 300 nm koje je tetno po zdravlje. Ugljini dioksid apsorbira infracrveno
zraenje veih valnih duljina, a vodena para apsorbira znatan dio infracrvenog zraenja
malih valnih duljina. Konano, itav spektar Sunevog zraenja koji dolazi do povrine
Zemlje obuhvaa valne duljine od 300 nm do 2500 nm. Spektralna slika ekstraterestikog i
zraenja na povrini Zemlje prikazana je na slici 3.1.

Slika 3.1. Ekstraterestiko zraenje (AM 0) i zraenje na povrini Zemlje (AM 1,5) [14]
Najvaniji parametar koji odreuje ukupnu snagu upadnog zraenja u uvjetima
vedrog neba je put Sunevih zraka kroz atmosferu. On je najkrai kad je Sunce tono iznad
promatranog mjesta (u najvioj toki na nebu). Omjer duljine puta koji prolaze upadne
zrake i najkraeg mogueg puta Sunevih zraka kroz atmosferu se naziva optika masa
zraka i oznaava m. Vrijednost optike mase zraka ovisi o visini Sunca S i atmosferskom
tlaku na mjestu promatranja p, koji ovisi o nadmorskoj visini mjesta. Ako se zanemari
zakrivljenost Zemlje i lom Sunevih zraka u atmosferi, uz pretpostavku da je gustoa
atmosfere stalna, vrijedi:

25

m=

1
BA
=
,
CA cos S

(3.2)

m=

BA
1
=
CA sin S

(3.3)

gdje je CA visina vertikalnog stupca zraka od povrine Zemlje do ruba atmosfere (najkrai
put Sunevih zraka kroz atmosferu), BA visina odgovarajueg stupca zraka kroz koji
prolaze Suneve zrake, a S kut izmeu upadnih Sunevih zraka i horizontalne plohe
(visina Sunca), slika 3.2.

Slika 3.2. Optika masa zraka [2]


Relacija koja ukljuuje zakrivljenost Zemlje i omoguuje precizniji proraun optike mase
zraka dana je s [8]:
m=

1
p
,

p0 sin S + 0,50572 ( S + 6,07995)1,6364

(3.4)

gdje je p/p0 faktor korekcije tlaka zbog visine mjesta promatranja. Omjer p/p0 moe se
dovoljno precizno izraunati iz izraza:
z

p
= e HR ,
p0

(3.5)

gdje je z nadmorska visina promatranog mjesta u metrima, a HR=8400 m.


Kad Suneve zrake upadaju okomito na povrinu Zemlje (nadmorska visina nula),
tada je m=1, a u sluaju kad je kut izmeu Sunevih zraka i horizonta =30, optika masa
zraka je m=2. Zraenje ovisno o optikoj masi zraka se uobiajeno oznaava AM m (od

26

engl. Air Mass) pa se prema tome ekstraterestiko zraenje naziva AM 0 (eng. air mass
zero), AM 1 je zraenje koje dolazi do povrine mora ako je =90, AM 2 za =30, itd.
Kao normirano prizemno Sunevo zraenje pri fotonaponskim mjerenjima
predloena je tzv. AM 1,5 raspodjela zraenja po preporuci CEC (Commission of the
European Communities). To je zraenje koje dolazi do povrine mora ako je visina Sunca
S=41,8. Taj standardni spektar na povrini Zemlje se jo oznaava i AM 1,5 G (gdje G
oznaava da se radi o ukupnom zraenju). Ako promatramo samo izravno zraenje tada se
koristi oznaka AM 1,5 D i ono se moe aproksimirati smanjujui AM 0 spektar za 28%
(18% zbog apsorpcije i 10% zbog rasprenja). Ukupni spektar AM 1,5 G je 10% vei od
spektra izravnog zraenja AM 1,5 D i prorauni za AM 1,5 G daju ozraenje priblino 970
W/m2 [10]. Meutim, standardni AM 1,5 G spektar je normaliziran na vrijednost 1 kW/m2.
Snaga koju daje fotonaponski sustav obasjan s AM 1,5 spektrom (tj. ozraenjem 1
kW/m2) zove se vrna snaga i svi parametri sustava se obino izraavaju s obzirom na to
upadno zraenje.

3.1. Sunevo zraenje na povrini Zemlje


Ukupno oko 51% upadnog ekstraterestikog zraenja dolazi do povrine Zemlje,
26% se raspri ili reflektira na oblacima i atmosferskim esticama, 19% zraenja se
apsorbira, a oko 4% se reflektira od Zemljine povrine nazad u svemir [11]. Atmosferski
utjecaji na Sunevo zraenje su viestruki, a za fotonaponske primjene najvaniji su:

smanjenje snage upadnog zraenja zbog apsorpcije, rasprenja i refleksije;

promjena spektralnog sadraja zbog nejednolike apsorpcije, rasprenja i


refleksije pojedinih valnih duljina;

pojava rasprenje (difuzne) komponente Sunevog zraenja;

lokalne promjene u atmosferi (naoblaka, vodena para, smog) dodatno utjeu na


snagu, spektar i usmjerenost zraenja.
Svaka praktina primjena Suneve energije zahtijeva poznavanje iznosa i

karakteristika zraenja koje je dostupno na promatranom mjestu u odreenom trenutku ili


vremenskom periodu. Za razliku od ekstraterestikog zraenja koje ovisi uglavnom o
meusobnom poloaju Zemlje i Sunca te se njegov iznos moe pronai s prilinom

27

preciznou, problem s odreivanjem Suneva zraenja na povrini Zemlje puno je


sloeniji. Mnotvo je parametara koji utjeu na iznos i spektar zraenja na povrini Zemlje,
a koje nije mogue potpuno tono odrediti. Glavni problem predstavljaju lokalne promjene
u atmosferi, koje bitno utjeu na iznos i karakteristike zraenja na promatranom mjestu.
Rjeenje je u primjeni dugotrajnih mjerenja i njihovoj detaljnoj analizi koja omoguuje
razvoj odgovarajuih algoritama. Primjenom tako razvijenih algoritama, uz poznavanje
astronomske geometrije, mogue je predvidjeti prostornu i vremensku raspodjelu
Sunevog zraenja na povrini Zemlje s preciznou odreenom statistikim devijacijama.
Sunevo zraenje ovisi o zemljopisnom poloaju promatranog mjesta, o njegovim
klimatskim i atmosferskim prilikama te o trenutku u danu i dobu u godini.

3.2. Prividno gibanje Sunca


Za uspjeno projektiranje sustava koji koriste Sunevu energiju neophodno je
poznavati karakteristike zraenja na promatranom mjestu. One su odreene kako lokalnim
atmosferskim uvjetima, tako i zemljopisnim poloajem mjesta te trenutkom u kojem se
razmatra zraenje. Zbog promjene meusobnog poloaja Sunca i Zemlje, Sunevo zraenje
periodiki se mijenja tijekom dana, mjeseca i godine pa je za bolje razumijevanje potrebno
definirati osnovne parametre vezane uz Sunevu geometriju. Iako se Zemlja giba oko
Sunca, openito je pogodnije promatrati prividno gibanje Sunca po nebu.

3.2.1. Lokalno i pravo Sunevo vrijeme


U konvencionalnom nainu raunanja vremena, Zemlja je podijeljena u vremenske
zone. Vrijeme izlaska i zalaska Sunca i duina trajanja dana ovise o zemljopisnoj duljini i
irini promatranog mjesta. Zemljopisna duljina odreuje tono vrijeme izlaska i zalaska
Sunca, dok je trajanje dana odreeno samo datumom i zemljopisnom irinom. Pomicanjem
prema istoku u istoj vremenskoj zoni, izlazak i zalazak Sunca javljaju se ranije, a
vremenska razlika iznosi 4 min za svaki stupanj promjene valne duljine prema istoku.
Uspostava vremenskih zona je bila nuna konvencija jer bi u suprotnom svako mjesto na

28

drugoj zemljopisnoj duljini imalo svoje zasebno vrijeme. Civilno vrijeme se jo naziva i
mjesno vrijeme i oznaavat e se s tmj.
U proraunima i mjerenjima Suneva zraenja ee se koristi pravo Sunevo
vrijeme (dalje u tekstu koristit e se naziv sunano vrijeme i oznaka ts). Podne je u
sunanom vremenu odreeno onim trenutkom kad putanja Sunca na nebu sijee meridijan
koji spaja sjeverni i juni pol. U tom trenutku Sunce je na najvioj toki svoje putanje na
nebu, a izlaz i zalaz Sunca su simetrino postavljeni na vremenskoj osi s obzirom na
trenutak sunanog podneva. Vrijeme izlaska i zalaska Sunca neovisno je o zemljopisnoj
duini.
Meteoroloki prikaz Sunevog zraenja openito prikazuje podatke u intervalima
od sat vremena po sunanom vremenu pa je esto potrebno izvriti prijelaz iz mjesnog u
sunano vrijeme i obratno.
Mjesno vrijeme razlikuje se od sunanog vremena zbog nepravilnosti Zemljine
putanje i vrtnje i zbog ljudskih prilagobi u raunanju vremena kao to su vremenske zone,
ljetno i zimsko raunanje vremena.
Referentni meridijan st je meridijan mjesnog vremena i definira se za svaku
vremensku zonu, a definiran je izrazom:

st = 15 TGMT ,

(3.6)

gdje je TGMT razlika (u satima) izmeu mjesnog i referentnog Greenwichkog vremena.


Unutar jedne vremenske zone svaki pomak od 1 prema istoku znai poveanje vremena za
1/15 h (odnosno 4 min) pa se konani izraz za prijelaz izmeu mjesnog u sunano vrijeme
moe zapisati kao:

t s = t mj + tv +

( st ) c , [h]
15

(3.7)

gdje je tv korekcijski faktor zbog nepravilnosti Zemljine putanje koji se prorauna iz


jednadbe vremena, je zemljopisna duljina, st je zemljopisna duina referentnog
meridijana (zemljopisne duine na istoku uzimaju se s pozitivnim, a na zapadu s
negativnim predznakom), a c je korekcija za ljetno vrijeme iznosa 1 h za podruja u kojima
se primjenjuje ljetno raunanje vremena.
Vremenski sustav koji se koristi u proraunima geometrijskog poloaja Sunca na
nebu temelji se na rednom broju promatranog dana u godini j i na koritenju satnog kuta
Sunca , koji opisuje vremenski trenutak u danu, a rauna se od sunanog podneva. U
sunano podne satni kut Sunca iznosi =0, a u ostalim trenucima rauna se tako da se
29

vremenski interval od sunanog podneva u satima pomnoi s 15. Prijepodnevni satni kut
ima negativan, a poslijepodnevni pozitivni predznak. [2]. Redni broj dana moe imati
vrijednosti od 1 do 365, odnosno 366 za prijestupne godine. Ako je i redni broj dana u
mjesecu, tada se j moe izraunati na nain prikazan u Tablici 3.1.
Tablica 3.1. Proraunavanje rednog broja dana dana za i-ti dan u mjesecu [12].
Mjesec
sijeanj
veljaa
oujak
travanj
svibanj
lipanj
srpanj
kolovoz
rujan
listopad
studeni
prosinac

j za i-ti dan mjeseca


i
31+i
59+i
90+i
120+i
151+i
181+i
212+i
243+i
273+i
304+i
334+i

Prijestupna godina
(+1)
(+1)
(+1)
(+1)
(+1)
(+1)
(+1)
(+1)
(+1)
(+1)

Odreeni prorauni zahtijevaju pretvorbu rednog broja dana u tzv. dnevni kut, j',
to se postie mnoenjem j s 360 i dijeljenjem s prosjenim brojem dana u godini (365,25
uzevi u obzir i prijestupne godine):
j' = j

360
.
365,25

(3.8)

Dnevni kut potreban je za proraunavanje korekcijskog faktora iz jednadbe


vremena koja glasi:
tv = 0,128 sin ( j '0,04887 ) 0,165 sin (2 j '+0,34383) .

(3.9)

Jednadba vremena prikazana je na slici 3.3.


20

tv [min]

15

10

korekc ijs ki faktor

-5

-10

-15

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

9.

10.

11.

12.

Slika 3.3. Jednadba vremena


30

3.2.2. Proraun ekstraterestikog zraenja

Ve je spomenuto da se ekstraterestiko zraenje, tj. zraenje na ulazu u Zemljinu


atmosferu moe prilino tono proraunati. Male promjene nastupaju zbog eliptinosti
Zemljine putanje oko Sunca. Tako je Zemlja neto blie Suncu za vrijeme zimskog perioda
na sjevernoj polutci, a vrijeme najkrae udaljenosti nastupa 2. sijenja i naziva se Perihel.
Kad je na sjevernoj polutci ljetno razdoblje, Zemlja je malo udaljenija od Sunca; najvea
udaljenost nastupa 2. srpnja i naziva se Afel, slika 3.4.

Slika 3.4. Eliptika putanja Zemlje oko Sunca [8]


Udaljenost izmeu Zemlje i Sunca mijenja se za 1,7%, a kako ozraenost ovisi o
kvadratu udaljenosti, to znai da se ozraenost mijenja za 3,3% zbog ega se mijenja i
solarna konstanta, ali za vrlo malu vrijednost tijekom vremenskog perioda od 11,2
godina vrijednost solarne konstante se promijeni za otprilike 1 W/m2 [8].
Ekstraterestiko ozraenje horizontalne plohe moe se izraunati iz izraza:
E0 = 1367 sin S [W/m2],

(3.10)

gdje je S visina Sunca, a korekcijski faktor zbog nepravilnosti Zemljine putanje, koji je
dan s:

= 1 + 0,03344 cos( j '2,80) ,

(3.11)

gdje je j' dnevni kut dan relacijom (3.8).


Ekstraterestika ozraenost horizontalne povrine moe se izraunati integriranjem
ekstraterestikog ozraenja po vremenu pa se za sluaj dnevnih vrijednosti moe izraunati
preko:

31

E0 d = 1367

86400

cos cos (sin s s cos s ) .

(3.12)

Na slici 3.5. prikazana je dnevna vrijednost ekstraterestikog ozraenja horizontalne plohe


za podruje Splita.
7

4.5

x 10

E0 [W/m 2]

3.5

2.5

1.5

50

100

150

200

250

300

350

Redni broj dana u godini

Slika 3.5. Ekstraterestiko ozraenje horizontalne plohe za podruje Splita


Za dobijanje informacije o dostupnom Sunevom zraenju na odreenom mjestu i u
odreenom trenutku, potrebno je poznavati geometrijske parametre koji opisuju poloaj
Sunca na nebu. Tri su parametra osnovna za odreivanje poloaja Sunca s bilo koje toke
promatranja na Zemlji: zemljopisna irina promatranog mjesta , redni broj dana j i
trenutak promatranja izraen preko satnog kuta Sunca .

3.2.3. Deklinacija Sunca.

Deklinacija Sunca je glavni parametar potreban za proraunavanje poloaja


Sunca, a predstavlja kut izmeu spojnice sredita Zemlje i sredita Sunca i ravnine u kojoj
lei ekvator, slika 3.6.

32

Slika 3.6. Deklinacija Sunca


Os oko koje se Zemlja okree nagnuta je pod kutem od 2327' od vertikale pa
deklinacija ima najvei iznos od 2327' koji se na sjevernoj polutci javlja za ljetnog
solsticija 21. lipnja. Najmanja deklinacija na sjevernoj polutci se javlja za zimskog
solsticija 22. prosinca i iznosi -2327'. Iako se deklinacija mijenja kontinuirano, promjena
vrijednosti unutar jednog dana dovoljno je mala da se moe zanemariti pa je uobiajena
praksa proraunavanje dnevnih vrijednosti deklinacije. Dnevne vrijednosti deklinacije koje
predstavljaju srednje vrijednosti za period od 4 godine mogu se proraunati s dovoljnom
preciznou koristei samo redni broj dana (tj. dnevni kut j') kao ulazni parametar pomou
izraza:

= sin 1 {0,3978 sin ( j '80,2 + 1,92 (sin ( j '2,80)))} []

(3.13)

U ovom radu koriten je algoritam koji omoguuje jo precizniji proraun


deklinacije za pojedini dan u sunano podne, a koji kao ulazne parametre koristi redni broj
dana j, broj godine y i zemljopisnu duinu :

= 0,0064979 + 0,405906 sin t + 0,0020054 sin 2t 0,002988 sin 3t


,
0,0132296 cos t + 0,0063809 cos 2t + 0,0003508 cos 3t

(3.14)

gdje je:

t = 0 ( j + t1 )
t1 = 0,5

n0
2

(3.15)
(3.16)

33

0 =

2
365,2422

y 1957
n0 = 78,8946 + 0,2422 ( y 1957 ) INT
,
4

(3.17)
(3.18)

gdje INT( ) oznaava cjelobrojnu vrijednost argumenta.

3.2.4. Visina Sunca. Sunev azimut.

Poznavajui zemljopisnu irinu , satni kut Sunca i deklinaciju za odreeni


dan, moe se proraunati poloaj sredita Sunevog diska na nebu, tj. visina Sunca S i
Sunev azimut S.
Visina Sunca S je kut izmeu sredita Sunevog diska i horizontalne ravnine, a
moe se izraunati iz:

S = sin 1 (sin sin + cos cos cos ) []

(3.19)

Kut komplementaran visini Sunca naziva se zenitna udaljenost, odnosno zenitni kut
Sunca:

S = 90 S

(3.20)

Sunev azimut S je kut izmeu vertikalne ravnine koja sadri smjer Sunca i
vertikalne ravnine koja prolazi smjerom sjever-jug. Sunev azimut se mjeri od juga na
sjevernoj, odnosno od sjevera na junoj polutci. Azimut ima pozitivan predznak
poslijepodne u sunanom vremenu, dok prije sunanog podneva poprima negativne
vrijednosti. Koriteni algoritam za proraun Sunevog azimuta dan je sljedeim relacijama:
sin sin S sin
,
cos cos S

(3.21)

cos sin
.
cos S

(3.22)

S = cos 1 (cos S ) ,

(3.23)

S = cos 1 (cos S ) .

(3.24)

cos S =

sin S =
Ako je sin S < 0 , tada je:

ako je sin S > 0 , tada je:

Visina Sunca, zenitni kut Sunca i Sunev azimut prikazani su na slici 3.7.

34

Slika 3.7. Visina Sunca, zenitni kut Sunca, Sunev azimut i kut upada
Na slici 3.8. prikazana je promjena visine Sunca tijekom za tri dana za podruje Splita.
21.10.
20.3.
21.6.

70

60

Vis ina Sunc a

50

40

30

20

10

10

12

14

16

18

20

Suncevo vrijeme

Slika 3.8. Promjena visine Sunca tijekom dana

3.2.5. Vrijeme izlaska i zalaska Sunca. Trajanje sunanog dana.

Satni kut izlaska (+S) i zalaska Sunca (-S) predstavljaju one satne kutove pri
kojima je visina Sunca S=0. Uvrtavajui taj uvjet u relaciju (2.14.) dobija se za satni kut
izlaska, odnosno zalaska Sunca izraz [12]:

S = cos 1 ( tan tan ) , uz uvjet da je -1<-tantan<1,

(3.25)
35

gdje je zemljopisna irina, a deklinacija Sunca.


Ako su satni kut izlaska i zalaska Sunca izraeni u radijanima, tada je sunano
vrijeme izlaska, odnosno zalaska Sunca [2]:

t izl = 12
t zal = 12 +

12

12

S [h]

(3.26)

S [h].

(3.27)

Trajanje sunanog dana S0d moe se izraunati kao razlika izmeu vremena zalaska
i izlaska Sunca:

S 0 d = t zal t izl =

24

S [h].

(3.28)

3.2.6. Kut upada Sunca

Kut upada Sunca je kut izmeu upadnih Sunevih zraka i normale na plohu na
koju upada zraenje. Pri tome je orijentacija plohe definirana njenim azimutom i
nagibom plohe u odnosu na horizontalu . Kut upada Sunca moe se izraunati
poznavanjem zemljopisne irine , satnog kuta Sunca i deklinacije i orijentacijom
plohe [12]:
( , ) = cos 1 (cos * ( , )) , ako je cos * ( , ) > 0 ,
( , ) = 0 , ako je cos * ( , ) 0 ,

(3.29)
(3.30)

gdje je:
cos * ( , ) = cos [cos (cos cos + cos sin sin )] +
(3.31)
+ sin [cos sin sin ] + sin [sin cos cos sin cos ]

3.3. Proraun Suneva zraenja


Zbog velikih promjena u iznosu i spektru Suneva zraenja tijekom dana i godine
vjerodostojna procjena potencijala Suneve energije na nekom mjestu mogua je jedino na
temelju rezultata dobivenih dugotrajnim mjerenjima. Rezultati istraivanja [13] pokazali su
da se petogodinji prosjek zraenja moe za pojedini mjesec razlikovati i do 20% u odnosu
na rezultate dobivene osamnaestogodinjim mjerenjima, dok je za petnaestogodinji niz ta
36

razlika dvostruko manja. Ukoliko se mjerenja vre trideset godina pouzdanost podataka se
poveava za dodatnih 40%.
Za praktinu su primjenu Suneve energije potrebni podaci o ukupnom, izravnom i
rasprenom zraenju na horizontalnu plohu.
Opirnija mjerenja Suneva zraenja na podruju Republike Hrvatske novijeg su
datuma, a u naoj meteorolokoj praksi najdue je prisutno mjerenje duine trajanja sijanja
Sunca za koje postoje dugogodinji rezultati. Na temelju tih rezultata mogue je
primjenom razliitih modela proraunati ozraenost horizontalne plohe. Relacija koja
povezuje trajanje sijanja Sunca s ozraenosti horizontalne plohe poznata je kao
ngstrmova relacija:

S
Gm = G0 m a + b ,

S 0 m

(3.32)

gdje je Gm mjeseni prosjek dnevne ozraenosti horizontalne plohe, G0m mjeseni prosjek
dnevne ekstraterestike ozraenosti horizontalne plohe, (S/So)m je mjeseni prosjek
dnevnog omjera izmjerenog i maksimalnog trajanja sijanja Sunca, a a i b su koeficijenti
koji ovise o klimatskim prilikama promatranog mjesta. Proraun koeficijenata a i b obino
se radi za svaki pojedini mjesec, a za njihovo je precizno odreivanje potrebno na
promatranom mjestu istovremeno mjeriti i Sunevo zraenje i trajanje sijanja Sunca.
Poznati koeficijenti a i b mogu se primijeniti i na bliska podruja s istim klimatskih
prilikama, uz uvjet da nema zemljopisnih obiljeja (planine, vee vodene povrine) koje
mogu znaajnije utjecati na klimatske promjene.
Zbog neosjetljivosti Campbell-Stokes heliografa na upadno zraenje snage manje
od 200 W/m2 (to je dosta esta situacija tijekom izlaska i zalaska Sunca kad Suneve
zrake prolaze najdulji put kroz atmosferu), preporua se maksimalno mogue trajanje
sijanja Sunca (tzv. duljina astonomskog dana) u relaciji (1) zamijeniti s trajanjem sijanja
Sunca koje se izrauna za sluaj kad je horizont uvean za S. Uobiajeno se za S uzima
vrijednost od 4 jer ona odgovara snazi upadnog zraenja iznosa 200 W/m2 koliki je prag
osjetljivosti Campbell-Stokes heliografa [12].
Omjer ukupne dnevne ozraenosti horizontalne plohe na Zemljinoj povrini i
ukupne dnevne ekstraterestike ozraenosti naziva se faktor prozirnosti i oznaava s KT:
KT =

G
.
G0

(3.33)

37

Indeks prozirnosti jedan je od najvanijih parametara na kojem se temelje mnogi


modeli za proraun Suneva zraenja. Drugi vaan parametar je udio rasprenog zraenja u
ukupnom Kd jer upravo iznos ukupnog i rasprenog zraenja predstavlja osnovne ulazne
varijable za izraunavanje dnevnih i satnih vrijednosti zraenja na nagnute povrine.

3.3.1. Proraun dnevne vrijednosti rasprenog zraenja na horizontalnu plohu

Iako je podatak o udjelu rasprenog zraenja u ukupnom od vrlo velikog znaaja za


koritenje Suneve energije u aktivnim, a posebno u pasivnim sustavima, raspreno
zraenje na horizontalnu plohu vrlo se rijetko mjeri pa je nuna primjena odreenog
algoritma. Ispitivanja algoritama kojima se difuzno ozraenje horizontalne plohe
proraunava iz ukupnog ozraenja pokazala su ovisnost o mjestu promatranja to znai da
se nijedan od ispitanih algoritama nije pokazao kao najbolji za sva promatrana mjesta [12].

3.3.2. Proraun mjesenog prosjeka dnevne rasprene ozraenosti

Veina modela za proraun mjesenog prosjeka dnevne rasprene ozraenosti


horizontalne plohe koristi polinome prvog i treeg reda po mjesenom prosjeku dnevnog
faktora prozirnosti (KTd)m. Model iji su autori Erbs, Klein i Duffie povezuje mjeseni
prosjek dnevne rasprene ozraenosti horizontalne plohe i mjesenog prosjeka dnevne
ukupne rasprenosti horizontalne plohe [12]:

(Dd )m
(Gd )m

= c0 + c1 (KTd )m + c2 (KTd )m + c3 (KTd )m .


2

(3.34)

Spomenuti model vrijedi samo za iznose (KTd)m izmeu 0,3 i 0,8, a za mjesene prosjene
vrijednosti kuta izlaza/zalaza Sunca (S)m>81,4 daje razliite koeficijente. Ta je
ogranienja popravio Czeplak ukljuivanjem utjecaja zemljopisnog poloaja i godinjeg
doba. Koeficijenti c0-c3 dani su za tri zemljopisna pojasa i godinja doba: zimu (od
studenog do veljae), proljee (oujak i travanj), ljeto (od svibnja do kolovoza) i jesen
(rujan i listopad) i prikazani su u Tablici 3.2.

38

Tablica 3.2. Koeficijenti za proraun mjesenog prosjeka rasprene ozraenosti


horizontalne plohe [12]
Zemljopisna
irina

Godinje
doba

c0

c1

zima
proljee
ljeto
jesen
zima
proljee
ljeto
jesen
zima
proljee
ljeto
jesen

1,061
0,974
1,131
0,999
1,002
1,011
1,056
0,969
1,032
1,049
0,998
1,019

-0,397
-0,553
-0,895
-0,788
-0,546
-0,607
-0,626
-0,624
-0,694
-0,822
-0,583
-0,874

61N > > 56N

56N > > 52N

52N

c2
-2,975
-1,304
-1,616
-0,940
-1,867
-1,441
-1,676
-1,146
-1,771
-1,250
-1,392
-0,964

c3

Interval (KTd)m

2,583
0,877
1,555
0,788
1,490
1,075
1,317
0,811
1,562
1,124
0,995
0,909

[0,11-0,50]
[0,24-0,50]
[0,26-0,60]
[0,21-0,51]
[0,14-0,22]
[0,22-0,59]
[0,29-0,64]
[0,23-0,53]
[0,15-0,51]
[0,23-0,61]
[0,27-0,63]
[0,22-0,55]

3.3.3. Proraun dnevnog ozraenja horizontalne plohe

Kao najbolji model za proraun dnevne ozraenosti horizontalne plohe preporuena


je Erbsova relacija [12]:
-

za S<81,4

2
3
4
Dd 1 0,2727 KTd + 2,4495 KTd 11,9514 KTd + 9,3879 KTd , za KTd < 0,715
,(3.35)
=
Gd 0,143, za KTd 0,715

za S81,4
2
3
Dd 1 0,2832 KTd 2,5557 KTd + 0,8448KTd , za KTd < 0,722
=
.
Gd 0,175, za KTd 0,722

(3.36)

3.3.4. Proraun Suneva zraenja na nagnutu plohu

U veini sluajeva u praktinim je primjenama ploha kolektora sunanog ureaja


orijentirana tono prema jugu (na sjevernoj Zemljinoj polutci) i nagnuta pod nekim kutom
u odnosu na horizontalu pa je potrebno znati koliki iznos zraenja upada na tako nagnutu
plohu. Osim toga, zanimljivo je i znati zraenje na plohu koja je osim nagiba u odnosu na
horizontalu uz to jo i pomaknuta od juga, tj. koja ima azimut 0. Kako se zraenje na
nagnutu plohu vrlo rijetko mjeri, do eljenih se podataka uglavnom dolazi primjenom
39

razvijenih algoritama. Algoritmi za proraun zraenja na nagnutu plohu mogu se podijeliti


u tri vrste:

izotropni modeli kao to su Liu-Jordanov i Kleinov model pretpostavljaju da su i


rasprena i reflektirana komponenta zraenja izotropne;

anizotropni modeli prve generacije opisuju nebo ukljuujui pojam pojasa oko
Sunca i/ili trake na horizontu; tu spadaju Buglerov, Klucherov, Hayov i Reindlov
model;

anizotropni modeli druge generacije jo su sloeniji: Gueymardov, Skartveit i


Olsethov, Perezov i Muneerov.

3.3.1.4. Izotropni modeli zraenja na nagnutu plohu

Liu, Jordan i Klein razvili su metodu kojom se mjeseni prosjek dnevne ozraenosti
nagnute plohe moe izraunati iz podataka o Sunevom zraenju na horizontalnu plohu.
Liu i Jordan su razvili model koji vrijedi za plohe usmjerene prema jugu, a Klein je
poopio na plohe proizvoljne orijentacije. Oba modela pretpostavljaju izotropnost neba, to
je openito vrlo gruba pretpostavka koja vrijedi samo za vedre dane bez oblaka.
Ukupno ozraenje plohe koja je orijentirana prema jugu i nagnuta za kut u odnosu
na horizontalu sastoji se od tri komponente: izravnog ozraenja Eb(), rasprenog ozraenja
Ed() i od zraenja reflektiranog od tla i okolnih objekata Er():
E g ( ) = Eb ( ) + Ed ( ) + Er ( ) .

(3.37)

Ako se ukupno upadno izravno zraenje oznai s Euk tada je izravno zraenje na
horizontalnu plohu funkcija zenitne udaljenosti, odnosno visine Sunca S. Istovjetno,
izravno zraenje na nagnutu plohu ovisi o kutu pod kojim Suneve zrake upadaju na
plohu (odnosno o nagibu plohe ), slika 3.9.

Slika 3.9. Izravno Sunevo zraenje na horizontalnu i nagnutu plohu

40

Prema slici 3.9. moe se pisati:


Ebhor = Euk sin S = Euk cos S Euk =
Eb = Euk cos = Ebhor

Ebhor
,
cos S

(3.38)

cos
.
cos S

(3.39)

Omjer izravnog ozraenja nagnute plohe Eb i izravnog ozraenja horizontalne plohe Ebhor
predstavlja tzv. nagibni koeficijent izravnog zraenja i oznaava se s Rb:
Eb
cos
=
.
Ebhor cos S

(3.40)

cos( ) cos cos + sin ( ) sin


.
cos cos cos + sin sin

(3.41)

Rb =

Uvrtavanjem poznatih izraza za i S:


Rb =

Nagibni koeficijent izravnog ozraenja Rb ovisi o poloaju Sunca na nebu i kutu nagiba
plohe i obino se raunaju za svaki sat od izlaska do zalaska Sunca. Dnevne vrijednosti
koeficijenta Rbd dobiju se integriranjem po cijelom Sunevom danu te se za plohe okrenute
prema jugu mogu izraunati pomou izraza [2]:
Rbd =

cos( ) cos sin 'S +


cos cos sin S +

180

180

'S sin ( ) sin


S sin sin

(3.42)

gdje je S = arccos ( tan tan ) kut izlaska (zalaska) Sunca na horizontalnu plohu, a

'S = min{S , arccos [ tan ( ) tan ]} kut izlaska (zalaska) Sunca na nagnutu plohu.
Ozraenje nagnute plohe rasprenim zraenjem Ed() razlikuje se od rasprenog
ozraenja horizontalne plohe Edhor jer na nagnutu plohu ne upada zraenje iz cijele
hemisfere iznad tla nego samo od jednog njezinog dijela. Uz pretpostavku izotropnosti
rasprenog zraenja tada je ozraenje nagnute plohe proporcionalno kutu pod kojim se s
nje vidi nebo pa vrijedi:
E d ( ) = Edhor

1 + cos
,
2

(3.43)

gdje je kut pod kojim je ploha nagnuta u odnosu na horizontalu.


Uz izravnu i rasprenu, na nagnutu plohu upada jo i zraenje odbijeno s tla i
okolnih objekata. Ako je refleksijski faktor tla (koji se jo naziva i albedo) i okolnih
objekata tada je ozraenje nagnute plohe reflektiranim zraenjem:
E r ( ) = (Ebhor + Edhor )

1 cos
,
2

(3.44)
41

Refleksijski faktor tla za neke povrine dan je u Tablici 3.3.


Tablica 3.3. Refleksijski faktor tla za karakteristine povrine [14]
Povrina

Albedo

snijeg, svje
vodene povrine
zemlja
zemljani put
crnogorina uma zimi
uma u proljee, obraena polja
istroen asfalt
istroen beton
suho lie
suha trava
zelena trava
bitumenozni krov
lomljeni kamen
zgrade, tamne (crvena cigla, tamna fasadna boja)
zgrade, svijetle (svijetla cigla, svijetla fasadna boja)

0,75
0,07
0,14
0,04
0,07
0,26
0,10
0,22
0,30
0,20
0,26
0,13
0,20
0,27
0,60

Konano, zbrajanjem svih komponenata Sunevog zraenja, ozraenost plohe koja je


nagnuta za kut u odnosu na horizontalu iznosi:
Euk ( ) = Eb ( ) + Ed ( ) + E r ( ) = Rb Ebhor +

1 + cos
1 cos
Edhor +
(Ebhor + Edhor ) .(3.45)
2
2

Za horizontalnu plohu vrijedi:


Eukhor = Ebhor + Edhor Ebhor = Eukhor Edhor .

(3.46)

Uvrtavajui (3.46) u (3.45) dobija se:


Euk ( ) = Rb (Eukhor E dhor ) +

E
Euk ( ) = Rb 1 dhor
Eukhor

1 + cos
1 cos
Edhor +
Eukhor ,
2
2

(3.47)

1 + cos Edhor
1 cos
+

+
Eukhor = Rg Eukhor , (3.48)
Eukhor
2
2

gdje je Rg nagibni koeficijent ukupnog ozraenja. Ako se Rg rauna za svaki pojedini dan:
(E )
Rg = Rbd 1 dhor d
(Eukhor )d

1 + cos (Edhor )d
1 cos
+

(Eukhor )d
2
2

(3.49)

Liu-Jordanov izraz za proraun nagibnog koeficijenta izravnog ozraenja Rb prema


(3.41) nadopunio je Klein za plohe koje nisu orijentirane izravno prema jugu pa je [15]:

(ss sr ) sin cos sin cos


(ss sr ) +
Rb = cos sin sin
180
180

42

+ cos cos cos (sin ss sin sr ) + cos cos sin sin (sin ss sin sr )
1

cos sin sin (cos ss cos sr )} 2 cos cos sin S +


S sin sin ,(3.50)
180


gdje je azimut plohe (negativan prema istoku, pozitivan prema zapadu), sr je kut izlaza,
a ss kut zalaza Sunca na nagnutu plohu. Kut izlaza, odnosno zalaza Sunca na nagnutu
plohu dani su s:
- ako je >0

AC + A2 C 2 + 1
,
2

+
1
A

sr = min s , arccos

AC A2 C 2 + 1
,
ss = min s , arccos
2

A
+
1

(3.51)

(3.52)

ako je <0

AC A2 C 2 + 1
,
2

1
+
A

sr = min s , arccos

AC + A2 C 2 + 1
,
2

A +1

ss = min s , arccos

(3.53)

(3.54)

gdje je:
A=

cos
sin
,
+
sin tan tan

cos
sin
C = tan

.
tan sin tan

(3.55)
(3.56)

Treba napomenuti da Kleinov model vrijedi za plohe s azimutom izmeu -90 i +90.

43

4. Mjerenje Suneva zraenja

Sunevo zraenje koje upada na Zemljinu povrinu sastoji se od tri komponente:

izravnog Sunevog zraenja koje se ne raspruje u atmosferi i dolazi u


paralelnim zrakama izravno iz smjera Sunca na nebu;

rasprenog (difuznog) Sunevog zraenja koje nastaje rasprenjem u atmosferi i


dolazi iz svih smjerova neba;

odbijenog (reflektiranog) Suneva zraenja od tla i okolnih objekata.


Za praktine primjene Suneve energije potrebno je poznavati karakteristike

Suneva zraenja na promatranom mjestu, a one su odreene zemljopisnim poloajem


mjesta, trenutkom promatranja i lokalnim atmosferskim prilikama. Pri tome najveu
potekou predstavlja nemogunost egzaktnog odreivanja i prognoziranja utjecaja
atmosferskih prilika. Stoga se pouzdana procjena potencijala Suneve energije na
promatranom mjestu moe dobiti tek dugotrajnim mjerenjem Suneva zraenja (10 i vie
godina). Temeljem tih mjerenja mogu se razviti odgovarajui algoritmi koji omoguuju
proraun Suneva zraenja na lokacijama sa slinim klimatskim uvjetima. Osim mjerenja
koja se vre na promatranom mjestu, Sunevo zraenje moe se odrediti i iz satelitskih
snimki.

4.1. Mjerenje Suneva zraenja na Zemlji


etiri su osnovne vrste mjerenja Suneva zraenja [14]:

mjerenje heliografom daje podatke o insolaciji, tj. trajanju sijanja Sunca;

mjerenje pirheliometrom daje podatke o kratkovalnom izravnom zraenju;

mjerenje piranometrom daje podatke o kratkovalnom zraenju koje prima iz


hemisfere;

mjerenje pirgeometrom daje podatke o dugovalnom zraenju Zemlje.

44

4.1.1. Mjerenje trajanja sijanja Sunca (insolacije)


Trajanje sijanja Sunca je vrijeme tijekom kojeg Sunevo zraenje dopire do
Zemljine povrine, odnosno do plohe mjernog ureaja. Najjednostavniji i najraireniji
ureaj za mjerenje trajanja sijanja Sunca je Campbell-Stokesov heliograf, slika 4.1.

Slika 4.1. Campbell-Stokesov heliograf


Glavni dio ureaja je staklena kugla koja fokusira Suneve zrake na papirnu traku
za snimanje te, ukoliko je intenzitet upadnog Sunevog zraenja dovoljno velik, na traci
ostavlja izgoreni trag. Sunevo zraenje je registrirano ako prelazi prag snage od oko 120
W/m2. Nedostatak heliografa je u tome to ne daje podatke o iznosu i udjelu pojedine
komponente Sunevog zraenja. Meutim, ukoliko ne postoje drugi izmjereni podaci, iz
podataka o trajanju sijanja Sunca mogue je primjenom odgovarajuih modela proraunati
ozraenost. Nedostaci vezani uz preciznost mjerenja heliografom mogu se opisati s etiri
najzaajnije vrste pogreaka:

greka zbog neregistriranog kratkotrajnog slabljenja Sunevog zraenja zbog ega


instrument zabiljei veu vrijednost trajanja sijanja Sunca;

prag osjetljivosti ureaja od 120 W/m2 rezultira snimanjem manje vrijednosti


trajanja sijanja Sunca od stvarnog;

analiza papirnih traka koje se koriste za snimanje trajanja sijanja Sunca vri se
runo, to moe izazvati dodatne pogreke u procjeni trajanja sijanja Sunca;

45

pogoranje karakteristika staklene kugle zbog vremenskih utjecaja kao to su kia


ili mraz te zbog nedovoljnog odravanja zbog ega dolazi do biljeenja manje
vrijednosti trajanja sijanja Sunca.
Moderni instrumenti za mjerenje trajanja sijanja Sunca koriste fotoelektrini efekt u

kombinaciji s digitalnim izlazom kojim se omoguuje izravno povezivanje ureaja s


raunalom. Na taj nain smanjene su mogue pogreke, osim pogreke zbog zaprljanosti
instrumenta. Prag od 120 W/m2 sauvan je zbog konvencije Svjetske meteoroloke udruge
kojom se eli omoguiti usporedno koritenje podataka dobivenih razliitim vrstama
ureaja.

4.1.2. Mjerenje zraenja piranometrom i pirheliometrom


Sunevo zraenje na horizontalnu povrinu obino se mjeri piranometrom.
Najee se koristi piranometar koji za osjetno tijelo ima termolanke, slika 4.2.. Sunevo
zraenje iz cijele hemisfere apsorbira se u sredinjem crno obojanom disku, a toplina se
prenosi preko termikog otpora do tijela piranometra koje slui i za odvod topline.
Temperaturna razlika na termikom otporu diska pretvara se u napon. Termiki detektor
biljei ukupnu upadnu snagu pa je osjetljiv i na dugovalno infracrveno zraenje. Meutim,
od tog je zraenja, kao i od atmosferskih utjecaja zatien s dvije staklene kupole, a one
ujedno omoguuju podjednako proputanje izravne komponente iz bilo kojeg smjera na
nebu. Preciznost ovakvih piranometara openito je oko 2%.

Slika 4.2. Piranometar s termolankom Kipp&Zonen CM 11


Osim piranometara s termolankom, postoje i piranometri s poluvodikim osjetnim
tijelom. Njihova je preciznost puno manja jer su limitirani spektralnim odzivom
poluvodikog materijala. Poluvodiki piranometri su prilino jednostavni za upotrebu, a
46

cijena im je nekoliko puta manja od piranometara s termolankom i predstavljaju privlanu


alternativu za primjene u kojima nije potrebna velika preciznost mjerenja Suneva
zraenja. Jedan poluvodiki piranometar iji je osjetnik silicijska fotodioda prikazan je na
slici 4.3., a njegov spektralni odziv prikazan je usporedo sa spektralnim odzivom
piranometra s termolankom na slici 4.4.

Slika 4.3. Silicijski poluvodiki piranometar Kipp&Zonen SP Lite

Slika 4.4. Spektralni odziv poluvodikog i piranometra s termolankom [14]


Piranometri mjere ukupno zraenje koje upada na njihovu povrinu iz svih
smjerova neba. Mogu se koristiti i za mjerenje rasprenog (difuznog) zraenja, tako da se
sprijei upadanje izravne komponente zraenja na povrinu osjetnika. Najee se koriste
prsteni za zasjenjivanje koji se postavljaju tako da prate gibanje Sunca po nebu i tijekom
itavog dana dre osjetnu povrinu piranometra zasjenjenom. Koritenje takvih ureaja
zahtijeva podeavanje svakih nekoliko dana kako bi se izvrila korekcija zbog promjene u
Sunevoj putanji. Nedostatak ove metode je u tome to prsten za zasjenjivanje osim
Sunevog diska zaklanja i dio neba pa je u konanici potrebno izvriti odreenu korekciju

47

rezultata. Preciznije mjerenje rasprene komponente Suneva zraenja mogue je


primjenom kuglice za zasjenjivanje koja se pomie tijekom dana pratei putanju Sunca te
dri osjetljivi dio piranometra zaklonjen od izravne komponente Suneva zraenja. Glavni
je nedostatak ovog ureaja njegova skupoa jer je potrebno imati sustav za automatsko
praenje gibanja Sunca po nebu.
Izravna komponenta Sunevog zraenja mjeri se pirheliometrom, slika 4.5. Osjetno
tijelo pirheliometra je takoer najee termolanak, ali je smjeten u valjkasto kuite s
uskim otvorom na vrhu. Kroz taj otvor upada izravno Sunevo zraenje pa je pirheliometar
potrebno precizno podesiti tako da je uvijek otvorom okrenut prema Sunevom disku na
nebu. Noviji pirheliometri obino se koriste u kombinaciji s ureajima za praenje Sunca
pa su vrlo skupi. Naalost, u meteorolokoj praksi je upotreba pirheliometara za precizno
mjerenje izravne komponente Suneva zraenja jo uvijek vrlo rijetka pa se do nje i dalje
najee dolazi proraunom (razlika ukupnog i rasprenog zraenja).

Slika 4.5. Pirheliometar Kipp&Zonen CH1

4.1.3. Mjerenje dugovalnog zraenja Zemlje


Za mjerenje dugovalnog zraenja Zemlje koriste se pirgeometri koji se razlikuju od
piranometara u izvedbi kupole, koja je izraena tako da reflektira to je mogue vie
kratkovalnog zraenja. Koriste se materijali koji proputaju samo infracrveno zraenje
valnih duljina 3-50 m. Ipak, oko 3% kratkovalnog zraenja proe kroz kupolu i poveava
signal koji daje termolanak pa je s pirgeometrima potrebno koristiti disk za zasjenjivanje.

48

4.2. Mjerenje komponenata Sunevog zraenja


Pouzdana procjena potencijala Suneve energije na nekom mjestu i uinkovito
projektiranje sustava za koritenje energije Sunca mogui su jedino na temelju pouzdanih
podataka o Sunevom zraenju. Pritom je za praktine primjene potrebno osim ukupnog
poznavati i iznos i vremensku ovisnost pojedine komponente Suneva zraenja (primjerice,
za koncentrirajue sustave treba poznavati izravnu komponentu zraenja). U praksi je
uobiajeno mjerenje ukupnog i izravnog ili rasprenog zraenja na horizontalnu plohu iz
kojih se pomou nekog od mnogih modela moe proraunati zraenje na plohu proizvoljne
orijentacije. Meutim, primjena i verifikacija pojedinog modela mogua je samo uz
eksperimentalnu potvrdu za to je potrebno raspolagati dugogodinjim nizom izmjerenih
podataka. Naalost, u Republici Hrvatskoj Sunevo zraenje se ne mjeri dovoljno dugo ni
detaljno. Dugogodinji podaci mjerenja postoje samo za trajanje sijanja Sunca, dok se
ukupno zraenje mjeri relativno kratko i na malom broju mjernih postaja. Zbog toga je
Fakultet elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje iz Splita u suradnji s Energetskim
institutom ''Hrvoje Poar'' zapoeo s vlastitim mjerenjima Suneva zraenja. Glavni je
njihov cilj uspostava dugotrajnih i pouzdanih mjerenja koja e omoguiti ispitivanje
postojeih i razvoj novih modela te dati potpuniju sliku o mogunostima koritenja
Suneve energije u splitskom podruju.
Ukupno Sunevo zraenje koje upada na horizontalnu plohu G sastoji se od
izravnog zraenja Bn koje upada na plohu izravno iz smjera Sunca pod kutom S i
rasprenog zraenja D:
G = B + D = Bn sin S + D .

(4.1)

To znai da je osim mjerenja ukupnog zraenja potrebno mjeriti jo jednu


komponentu kako bi se mogla proraunati preostala. Mjerenje ukupnog zraenja pomou
piranometra je dosta raireno jer je postavljanje ureaja u rad i njegovo odravanje prilino
jednostavno. Meutim, mjerenje izravne komponente Suneva zraenja pirheliometrom
puno je sloenije. Glavni razlog je u injenici da pirheliometar mora uvijek biti usmjeren
tono prema Suncu pa je tijekom dueg vremenskog perioda i po svim vremenskim
uvjetima potrebno osigurati precizno praenje Suneva gibanja po nebu. Ureaji za
praenje su prilino skupi i zahtjevni su za odravanje jer je potrebno vriti provjeru
ispravnosti praenja Suneve putanje. Uz to, pirheliometri su i puno osjetljiviji na prainu
od piranometara. Stoga su mjerenja izravne komponente Suneva zraenja prilino rijetka.

49

Druga mogunost je mjerenje rasprenog zraenja koristei piranometar i ureaj za


zasjenjivanje koji onemoguuje upad izravne komponente na osjetno tijelo piranometra.
Najee se za zasjenjivanje koristi prsten koji se postavlja tako da je osjetno tijelo
piranometra u sjeni tijekom itavog dana. S promjenom deklinacije, potrebno je svakih
nekoliko dana podesiti prsten. Glavni nedostatak ovog mjerenja je u tome to prsten osim
izravne komponente blokira i dio rasprenog zraenja pa je izmjerene vrijednosti potrebno
korigirati.

4.3. Mjerenje komponenata Suneva zraenja multipiranometarskim


nizom
Voeni spomenutim nedostacima mjerenja izravnog i rasprenog zraenja grupa
autora [16] predloila je rjeenje upotrebom tzv. metode multipiranometarskog niza.
Metoda se temelji na istovremenom mjerenju ukupnog ozraenja s nekoliko nepominih
razliito usmjerenih piranometara i primjenom algoritma iz kojeg se prorauna izravno
zraenje. Steinmller je ispitivao sustav s dva [17], a Faiman s tri, etiri i pet instrumenta
[16], [18], [19]. Ideja se sastoji u prikazivanju ozraenosti svakog od piranometara kao
linearne kombinacije izravne, rasprene i reflektirane ozraenosti. Kako bi se eliminirala
reflektirana komponenta i olakao proraun preporua se upotreba zatitnih maski koje
predstavljaju umjetni horizont za svaki pojedini instrument. U suprotnom je potrebno
poznavati i albedo za svaki od piranometara to bi znatno povealo sloenost sustava. Ako
se primijene maske za zasjenjivanje, ukupna ozraenost svakog od piranometara G sastoji
se od izravne i rasprene ozraenosti, B i D [19]:
G (D, B ) = b B + d D ,

(4.2)

gdje su koeficijenti b i d definirani Sunevom i geometrijom sustava piranometara te


primijenjenim modelom zraenja. Ako se pretpostavi da je raspreno zraenje izotropno,
tada su koeficijenti b i d dani s:
b = cos ,

d=

1 + cos
,
2

(4.3)

(4.4)

gdje je kut upada zraenja, a kut nagiba instrumenta.

50

Mjerenjem vrijednosti G i proraunom parametara b i d dovoljna su dva


piranometra za proraun komponenata B i D. Meutim, primjenom vie instrumenata
znaajno se smanjuje mogunost pogreke u mjerenju i primijenjenom modelu. Faiman
preporua sustav od etiri piranometra [16]. U tom sluaju je sustav jednadbi
predeterminiran pa se metodom najmanjih kvadrata proraunaju vrijednosti B i D.

4.4. Sustav za mjerenje Suneva zraenja na FESB-u


Sustav za mjerenje komponenata Suneva zraenja instaliran je na krovu zgrade
Fakulteta elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje u Splitu i sastoji se od:

piranometra s termolankom za mjerenje ukupnog zraenja na horizontalnu


plohu;

piranometra s termolankom s prstenom za zasjenjivanje za mjerenje rasprenog


zraenja na horizontalnu plohu;

niza od etiri piranometra s termolankom;

niza od etiri poluvodika piranometra;

standardnih meteoroloih senzora za mjerenje temperature, vlage, brzine i smjera


vjetra;

sustava za akviziciju podataka.


Postavljena su dva multipiranometarska niza; jedan sastavljen od piranometara s

termolankom, a drugi od poluvodikih piranometara. Poluvodiki piranometri su manje


precizni jer su osjetljivi na puno ui spektar upadnog zraenja, ali im je cijena viestruko
manja od preciznijih piranometara s termolankom. Namjera je rezultate dobivene iz oba
multipiranometarska niza usporediti meusobno i s rezultatima mjerenja uobiajenim
instrumentima (ukupno i raspreno zraenje na horizontalnu plohu). Ukoliko se pokae da
su rezultati dobiveni multipiranometarskim nizom s poluvodikim instrumentima dovoljno
precizni, identini bi se sustavi mogli postaviti na vie mjernih mjesta u Hrvatskoj. Kao
referentni podaci za usporedbu koritene su izmjerene vrijednosti ukupnog i rasprenog
zraenja na horizontalnu plohu. U tu se svrhu koriste vrlo precizni piranometri s
termolankom Kipp&Zonen CM 11, koji prema podjeli Svjetske meteoroloke
organizacije spadaju u najviu klasu. Raspreno zraenje mjeri se takoer pomou

51

piranometra CM 11 koji je postavljen u sredite krunog prstena za zasjenjivanje. Prsten se


postavlja tako da tijekom itavog dana osjetno tijelo piranometra bude u sjeni. Redovito
odravanje zahtijeva podeavanje prstena svaka dva dana, iako je u praksi uoeno da je
period izmeu podeavanja prstena uglavnom dui. S obzirom da prsten blokira i dio
rasprenog zraenja, izmjerenu vrijednost potrebno je naknadno korigirati, a faktori
korekcije dani su u tablici u uputstvu za rukovanje.
Posebna je panja usmjerena na odabir orijentacije pojedinog piranometra u
multipiranometarskom nizu. To je pitanje posebno vano u sluaju dva ili tri instrumenta,
kad se za odreene orijentacije mogu dogoditi trenuci tijekom dana u kojima nije mogue
pronai rjeenje sustava [16]. Primjenom etiri piranometra praktiki je mogue
proizvoljno ih orijentirati. Konfiguracija sustava odabrana je u skladu s karakteristikama
mjernog mjesta. Naime, Faiman predlae sljedee orijentacije: jedan piranometar
postavljen je pod kutom od 90 prema sjeveru, dva piranometra usmjerena na istok i zapad
nagnuta su pod 60, a piranometar usmjeren na jug pod kutom od 30 [16]. Meutim, sa
sjeverne se strane mjernog mjesta nalaze se prozor i zid pa nije prihvatljivo jedan
piranometar orijentirati izravno prema sjeveru. Stoga je prihvaen prijedlog NREL-a [20]
po kojem se instrumenti postavljaju tako da tijekom proljetnog i jesenskog ekvinocija na
svaki od instrumenata u odreenom trenutku tijekom dana Sunce upada okomito: na
piranometar 1 u 6:00, na piranometar 2 u 10:00, na piranometar 3 u 14:00 te na
piranometar 4 u 18:00 sati po sunanom vremenu. U naem sluaju proraunati su kutovi
nagiba i azimuta prikazani u Tablici 4.1.
Tablica 4.1. Orijentacija piranometara u multipiranometarskom nizu
Piranometar br.
1
2
3
4

Azimut ()
-90
-40
40
90

Nagib prema horizontali ()


90
51
51
90

Svaki od piranometara postavljen je na pocinanu metalnu plou koju je mogue


pomicati oko dvije osi: gore-dolje i lijevo-desno. To omoguuje postavljanje piranometra u
eljeni smjer. itav sustav postavljen je na pocinani metalni nosa i privren za
podlogu. Usmjeravanje piranometara izvreno je vrlo precizno uz pomo strunjaka iz
Geodetskog zavoda Split. Nakon to su piranometri postavljeni u eljeni poloaj, izraene
su maske koje su postavljene da bi se sprijeilo dopiranje reflektirane komponente do
piranometara. Izraene maske obojane su s unutranje strane crnom bojom da bi se to je
52

mogue vie smanjila refleksija te su naknadno privrene za ploe na kojima su


smjeteni piranometri. Piranometri 1 i 4 koji su usmjereni prema istoku, odnosno zapadu,
zbog staklene povrine sa sjeverne strane primali bi znaajniji udio reflektiranog zraenja
te su za njih maske oblikovane s posebnom panjom.
Multipiranometarski niz instrumenata s termolankom sastoji se od dva precizna
piranometra tipa Kipp&Zonen CM 11 (piranometri 2 i 3 u nizu) te dva piranometra
Kipp&Zonen CM 6B koji su za klasu loiji od CM 11, ali i dalje dovoljno precizni za ovu
vrstu mjerenja (piranometri 1 i 4).
Svjetska meteoroloka organizacija piranometre grupira u tri klase: drugi standard,
prvi razred i drugi razred, prema tablici 4.2 [21].
Tablica 4.2. Kategorizacija piranometara prema Svjetskoj meteorolokoj organizaciji
Karakteristika
Rezolucija (najmanja promjena ozraenja koju je
mogue primjetiti, W/m2)
Stabilnost (godinji postotak promjene po punoj skali)
Greka zbog nagiba (postotak odstupanja od idealnog
pri visini Sunca od 10 za vedrog dana, godinja
promjena)
Greka zbog azimuta (postotak odstupanja od prosjeka
pri visini Sunca od 10 za vedrog dana)
Temperaturni odziv (maksimalna postotna pogreka
zbog promjene ambijentalne temperature)
Nelinearnost (postotak pune skale)
Spektralna osjetljivost (postotak odstupanja od
prosjene apsorpcije spektra od 0,3 do 3 m)
Vrijeme odziva (99% odziva)

Drugi standard

Prva klasa

Druga klasa

10

<3

<7

< 15

<3

<5

< 10

0,5

10

< 25 s

< 1 min

< 4 min

Drugi multipiranometarski niz sastavljen je od poluvodikih piranometara


Kipp&Zonen SP Lite koji zbog svoje cijene i jednostavne upotrebe predstavljaju privlano
rjeenje za mjerenja Sunevog zraenja koja ne zahtijevaju vrhunsku preciznost.
U tablici 4.3. prikazani su tehniki podaci svih upotrijebljenih piranometara.

53

Tablica 4.3. Tehnike karakteristike piranometara [22], [23], [24]


Karakteristika

CM 11

CM 6B

305-2800 nm (50% toaka)


335-2200 nm (95% toaka)
4 6 V/Wm-2
700 1500
< 15 s (95% odziva)
< 24 s (99% odziva)
< 0,6% (< 1000 W/m2)

305-2800 nm (50%
toaka)
9 15 V/Wm-2
70 100

100 V/Wm-2
50

< 18 s (95% odziva)

<1s

< 1,2% (< 1000 W/m2)

< 1% (-10C do 40C)

< 2% (-10C do 40C)

Pogreka zbog
usmjerenosti

< 10 W/m2 (uz upadno


zraenje 1000 W/m2)

< 20 W/m2 (uz upadno


zraenje 1000 W/m2)

Pogreka zbog
nagiba

< 0,25% (uz upadno


zraenje 1000 W/m2)

< 1% (uz upadno


zraenje 1000 W/m2)

< 7 W/m2 pri 200 W/m2


termalnog zraenja

< 15 W/m2 pri 200 W/m2


termalnog zraenja

< 1% (< 1000 W/m2)


< 0,15% (-10C do
40C)
10% greka zbog
azimuta (pri upadnom
kutu od 60)
10% greka zbog
nagiba (unutar upadnog
kuta od 80)

< 2 W/m2 pri promjeni


temperature od 5 K/h

< 4 W/m2 pri promjeni


temperature od 5 K/h

-40C do +80C
2
0 1400 W/m2 (max. 4000
W/m2)
< 0,5% promjene
osjetljivosti po godini

-40C do +80C
2
0 1400 W/m2 (max.
2000 W/m2)
< 1% promjene
osjetljivosti po godini

Spektralni odziv
Osjetljivost
Impedancija
Vrijeme odziva
Nelinearnost
Temperaturna
ovisnost osjetljivosti

Pomak nule zbog


termalnog zraenja
Pomak nule zbog
temperaturnih
promjena
Radna temperatura
Kut gledanja (sr)
Ozraenje
Nestabilnost

SP Lite
400-1100 nm

-30C do +70C
2
max. 2000 W/m2

Preciznost piranometara ovisi o nizu parametara kao to su temperatura, ozraenje,


kut upada. Oekivana pogreka za piranometre drugog standarda, u koje spada i CM 11 je
3% za satne, odnosno 2% za dnevne vrijednosti, dok je oekivana dnevna pogreka za CM
6B 5%.
Uz osjetnike za mjerenje Suneva zraenja, sustav sadri i u meteorolokoj praksi
uobiajene instrumente za mjerenje temperature i vlanosti zraka, kao i za mjerenje brzine
i smjera vjetra.
Popis svih mjernih instrumenata spojenih na sustav za prikupljanje podataka predoen je u
Tablici 4.4.
Tablica 4.4. Popis ureaja u sustavu za mjerenje Sunevog zraenja na FESB-u
Naziv
Kipp&Zonen CM 11
Kipp&Zonen CM 6B
Kipp&Zonen CM 121B
Wilmers Messtechnik 0533
Thies Clima
Wilmers 0315
Vaisala PTB 100A

Namjena
Mjerenje ukupnog Sunevog zraenja
Mjerenje ukupnog Sunevog zraenja
Prsten za zasjenjivanje
Mjerenje temperature i vlage
Mjerenje brzine vjetra
Mjerenje smjera vjetra
Mjerenje tlaka zraka

Broj instrumenata
4
2
1
1
1
1
1

54

Svi instrumenti spojeni su na sustav za prikupljanje podataka Wilmers NDL 485.


Mjerenja se vre svakih deset sekundi te se podaci zapisuju u datoteku koja se sprema u
memoriji. Svaka datoteka sadri podatke o mjerenjima jednog punog sata. Uz to, sustav
tijekom dana stvara i obino jednu ili dvije datoteke koje sadre usrednjene vrijednosti za
svakih deset minuta. Zbog ograniene memorije sustava za prikupljanje podataka, datoteke
je potrebno svakih nekoliko dana prebaciti na osobno raunalo kako bi se stvorio prostor za
zapisivanje novih datoteka. Sustav je spojen na raunalnu mreu fakulteta pa je mogue
jednostavno prebacivanje datoteka na osobno raunalo kao i pristup sustavu preko
preglednika interneta. Shema sustava prikazana je na slici 4.6.

Slika 4.6. Shema sustava za mjerenje komponenata Sunevog zraenja na FESB-u

4.5. Rezultati mjerenja Sunevog zraenja na FESB-u


Za sve praktine primjene u kojima se koristi energija Suneva zraenja od
neprocjenjive su vanosti podaci dobiveni mjerenjima upravo na mjestu primjene. Njihovo
poznavanje nuno je za procjenu potrebne investicije koja znaajno ovisi o potencijalu
Suneve energije. Osim ukupnog iznosa Sunevog zraenja potrebno je poznavati i udio
svake pojedine komponente, vremensku ovisnost Suneva zraenja, a za neke primjene
nuno je i poznavanje spektralne razdiobe.
55

Meutim, u praksi su ti podaci rijetko dostupni, a injenica da je pouzdane rezultate


mogue dobiti tek viegodinjim mjerenjima dodatno oteava posao projektantima sustava
za koritenje Suneve energije.
Cilj je mjernog sustava na FESB-u uspostaviti pouzdana mjerenja koja e biti
temelj za ispravnu procjenu potencijala Suneve energije na splitskom podruju. Sustav je
zapoeo s radom u travnju 2005. godine pa e u ovom radu biti predoeni rezultati prvih 5
mjeseci mjerenja.
Potrebno je napomenuti da su svi predoeni rezultati mjerenja prikazani u mjesnom
vremenu.

4.5.1. Vremenski prikaz izmjerenih podataka

Pouzdanost mjerenih podataka o Sunevom zraenju raste to je period prikupljanja


podataka dui, a broj podataka vei. S velikim brojem prikupljenih podataka postavlja se
pitanje vremenske baze u kojoj bi se ti podaci prikazali. Uobiajeno je podatke o Sunevu
zraenju prikazati u obliku satnih ili dnevnih suma, premda je u posljednje vrijeme sve
vei broj mjernih postaja koje Sunevo zraenje prikazuju i preciznije.
U sustavu za mjerenje Suneva zraenja postavljenom na Fakultetu elektrotehnike,
strojarstva i brodogradnje svi podaci mjere se svakih 10 sekundi te se zapisuju u datoteke.
Svaka datoteka sadri podatke za period od sat vremena. Osim toga, u dodatnu se datoteku
zapisuje srednja vrijednost svih mjerenih podataka svakih 10 minuta. U ovom radu je kao
osnovni odabran vremenski period od 1 minute te su svi podaci prikupljani svakih 10
sekundi usrednjeni na odgovarajui nain. Pritom treba voditi rauna da se usrednjavanjem
djelomino ili u potpunosti gubi ponekad vrlo korisna informacija o karakteristikama
Suneva zraenja u promatranom vremenskom periodu.
Radi utvrivanja greke koja se radi usrednjavanjem izvreno je ispitivanje za tri
vremenska perioda: 1 sat, 10 minuta i 1 minutu. Proizvoljno je odabran dan 1. svibnja
2005. te su ispitivane vrijednosti ukupnog Sunevog zraenja na horizontalnu plohu.
Podaci su prikazani na slici 4.7.

56

Ukupno ozraenje horizontalne plohe (izmjereno 1. svibnja 2005.)


1000
900
800

Euk [W/m2]

700
600
500
400
300
200
100
0
5:00

7:00

9:00

11:00

Usrednjeno svaku 1 min

13:00

15:00

Usrednjeno svakih 10 min

17:00

19:00

21:00

Usrednjeno svakih 1 h

Slika 4.7. Usporedba ukupnog ozraenja horizontalne plohe za tri razliite vremenske
baze: 1 min, 10 min i 1 h
Iz karakteristike ozraenja vidljivo je da je rije o danu koji je bio vedar tijekom
jutarnjih i popodnevnih sati (od izlaska Sunca do 10 sati ujutro, odnosno od 17 sati
poslijepodne do zalaska Sunca), dok je u sredini dana bilo oblaka koji su uzrokovali stalne
promjene ozraenja. I dok je na karakteristici dobivenoj za period od 10 min mogue
primjetiti promjene koje su bile neto dugotrajnije, na karakteristici za 1 h one se uope ne
opaaju. Na toj se karakteristici ini kao da su promjene u ozraenja tijekom itavog dana
kontinuirane, to je ispunjeno samo onda kad je nebo vedro i u tim se periodima dana sve
tri karakteristike vrlo dobro slau.
Ukoliko se period od 1 min uzme kao referentan, mogue je odrediti odstupanje za
preostale dvije karakteristike, slika 4.8.

57

90%

Odstupanje u odnosu na vrijednosti dobivene za vremensku bazu od 1 min (podaci za


1. svibnja 2005.)

80%

70%

60%

50%

40%

30%

20%

10%

0%
6:00

8:00

10:00

12:00

Odstupanje za satne vrijednosti

14:00

16:00

18:00

20:00

Odstupanje za podatke usrednjene svakih 10min

Slika 4.8. Relativna pogreka ozraenja horizontalne plohe za sluaj vremenske baze 1 h i
10 min u odnosu na ozraenje horizontalne plohe kad je baza 1 min
Odstupanje od podataka dobivenih za sluaj vremenske baze od 1 min vee je
poetkom i krajem dana. Tada su vrijednosti ozraenja puno manje, a njihove relativne
promjene znaajnije pa usrednjavanje vodi do najveih odstupanja upravo u tim dijelovima
dana. Najvea su odstupanja upravo poetkom i krajem dana, kad ozraenje raste s nule,
odnosno opada na nulu. Jasno je da se s odabirom vee vremenske baze poveava i
odstupanje od pravih vrijednosti zraenja. Ako se odaberu satne vrijednosti, tada se uzima
da je zraenje konstantno u itavom intervalu od 1 h pa svaka promjena zraenja unutar
promatranog intervala poveava pogreku koja u konanici moe biti znatna. Za
promatrani dan uoeno je da tijekom dana pogreka u nekoliko navrata dosegne vrijednost
od 30 %. Ve odabirom vremenske baze od 10 min postie se puno bolje slaganje, a greka
tijekom dana uglavnom je ispod 10 %. Greka prelazi 10 % u popodnevnim satima, kad se
zraenje najvie mijenja, a u dva navrata prelazi i 20%.
Prilikom usrednjavanja potrebno je voditi rauna da vea vremenska baza koja vodi
do manjeg broja podataka i samim tim do jednostavnijeg prorauna, istovremeno smanjuje
mogunost opisivanja stvarnog ponaanja Sunevog zraenja. Ipak, za primjene u
fotonaponskim sustavima od brzih promjena zraenja vanije je poznavati ozraenost
plohe, odnosno dostupnu energiju Suneva zraenja.

58

4.5.2. Mjerenje Suneva zraenja na horizontalnu plohu

Ukupno Sunevo zraenje koje upada na horizontalnu plohu je podatak koji se


najee susree u meteorolokoj praksi i koji predstavlja osnovni parametar u veini
modela za proraun Suneva zraenja. Uobiajeno se podaci prezentiraju u obliku
mjesenog prosjeka dnevnog ili satnog ozraenja. Mjerenje se vri pomou piranometra
postavljenog u horizontalni poloaj. Na Fakultetu elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje
ukupno se Sunevo zraenje na horizontalnu plohu mjeri vrlo preciznim piranometrom
Kipp&Zonen CM 11. Na slici 4.9. prikazane su mjesene prosjene vrijednosti ukupnog
ozraenja horizontalne plohe izmjerena u periodu od svibnja do rujna 2005. godine na
FESB-u.
Ukupno ozraenje horizontalne plohe - mjeseni prosjek
1000
900
800

Euk [W/m2]

700
600
500
400
300
200
100
0
0:00

2:00

4:00

6:00

8:00

svibanj

10:00

lipanj

12:00

srpanj

14:00

16:00

kolovoz

18:00

20:00

22:00

0:00

rujan

Slika 4.9. Mjeseni prosjek ukupnog ozraenja horizontalne plohe u Splitu za razdoblje od
svibnja do rujna 2005.
Najvea vrijednost ozraenja horizontalne plohe u Splitu izmjerena je za lipanj i
srpanj. Meutim, karakteristike Suneva zraenja na promatranom mjestu mogue je
procijeniti jedino iz podataka prikupljanih kroz dugi niz godina. Tek se na taj nain
projektantima sustava za koritenje Suneve energije omoguuje prilino pouzdana
procjena potencijala Suneva zraenja. Meutim, ukoliko se eli izvriti ispitivanje rada
fotonaponskog sustava u realnim uvjetima, potrebno je poznavati iznos i karakteristike
59

Suneva zraenja u trenutku ispitivanja. Za praktine je primjene korisno poznavati iznos


Suneve energije koja je dostupna na odreenom mjestu u nekom vremenskom periodu.
Ukupna Suneva energija koja upada na horizontalnu plohu naziva se ozraenost plohe i
predstavljena je povrinom ispod krivulje ozraenja pa se moe izraunati integriranjem.
Najee se prikazuju satne i dnevne vrijednosti ozraenosti. Mjeseni prosjek ukupne
satne ozraenosti horizontalne plohe prikazan je na slici 4.10.

Mjeseni prosjek ukupne satne ozraenosti horizontalne plohe


3,5E+06

3,0E+06

Huk [J/m2]

2,5E+06

2,0E+06

1,5E+06

1,0E+06

5,0E+05

0,0E+00
0:00

2:00

4:00

6:00

8:00

svibanj

10:00

lipanj

12:00

14:00

16:00

srpanj

kolovoz

rujan

18:00

20:00

22:00

0:00

Slika 4.10. Mjeseni prosjek ukupne satne ozraenosti horizonalne plohe


Na slici 4.11. prikazane su mjesene srednje vrijednosti dnevne ozraenosti
horizontalne plohe te dnevne ekstraterestike ozraenosti. Iz ta dva podatka moe se
proraunati mjeseni faktor prozirnosti KTdm pomou (3.33) pa je mogue odrediti mjeseni
prosjek dnevne rasprene ozraenosti horizontalne plohe Hdm koristei izraz (3.34). Isto
tako, koristei dnevne vrijednosti faktora prozirnosti KTd iz (3.35) i (3.36) se moe
izraunati dnevna rasprena ozraenost horizontalne plohe.

60

Mjeseni prosjek ukupne i ekstraterestike ozraenosti hor. plohe


4,5E+07

0,7

4,0E+07

0,6

3,5E+07
0,5

2,5E+07

0,4

2,0E+07

0,3

KTdm

H [J/m2]

3,0E+07

1,5E+07
0,2
1,0E+07
0,1

5,0E+06
0,0E+00

5.

6.

7.

8.

9.

Mjesec

Mjeseni prosjek ukupne dnevne ozraenosti hor. plohe


Mjeseni prosjek dnevne ekstraterestike ozraenosti hor. plohe
Mjeseni prosjek dnevnog faktora prozirnosti

Slika 4.11. Usporedba ukupne mjesene prizemne i ekstraterestike ozraenosti


horizontalne plohe te faktor prozirnosti
Izmjerene vrijednosti ozraenja horizontalne plohe rasprenim Sunevim zraenjem
prikazane su na slici 4.12.
Raspreno ozraenje horizontalne plohe - mjeseni prosjek
300

250

Ed [W/m2]

200

150

100

50

0
0:00

2:00

4:00

6:00

8:00

svibanj

10:00

lipanj

12:00

srpanj

14:00

16:00

kolovoz

18:00

20:00

22:00

0:00

rujan

Slika 4.12. Mjeseni prosjek rasprene ozraenosti horizontalne plohe


61

Za razliku od ukupnog ozraenja horizontalne plohe, izmjerene vrijednosti


rasprenog ozraenja ne razlikuju se previe po iznosu i ponaanje im je vrlo slino za svih
5 mjeseci.
Najveu vrijednost postiu u vremenskom intervalu od nekoliko sati prije i poslije
sunanog podneva, kad je i ukupno zraenje najvee. U prosjeku raspreno zraenje ne
postie tijekom dana iznose vee od 250 W/m2. Na slici 4.13. zajedno su prikazani
mjeseni prosjeci ukupnog i rasprenog ozraenja horizontalne plohe.

Mjeseni prosjek ukupnog i rasprenog ozraenja


1000
900
800
700

E [W/m2]

600
500
400
300
200
100
0
0:00

2:00

4:00

6:00

8:00

10:00

12:00

14:00

16:00

18:00

20:00

22:00

0:00

Svibanj-ukupno ozraenje

Lipanj-ukupno ozraenje

Srpanj-ukupno ozraenje

Kolovoz-ukupno ozraenje

Rujan-ukupno ozraenje

Svibanj-raspreno ozraenje

Lipanj-raspreno ozraenje

Srpanj-raspreno ozraenje

Kolovoz-raspreno ozraenje

Rujan-raspreno ozraenje

Slika 4.13. Ukupno i raspreno ozraenje horizontalne plohe


esto je korisno znati koliku energija Sunevog zraenja primi horizontalna ploha
tijekom jednog dana. Dnevne sume ozraenosti prikazane su za svih 5 mjeseci na slikama
4.14. 4.18.

62

Dnevna suma ozraenosti horizontalne plohe - svibanj


3,50E+07

3,00E+07

H [J/m2]

2,50E+07

2,00E+07

1,50E+07

1,00E+07

5,00E+06

0,00E+00
1

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

Dan u mjesecu
svibanj-ukupno

svibanj-raspreno

Slika 4.14. Dnevna ukupna i rasprena ozraenost horizontalne plohe-svibanj 2005.

Dnevna suma ozraenosti horizontalne plohe - lipanj


3,50E+07

3,00E+07

H [J/m2]

2,50E+07

2,00E+07

1,50E+07

1,00E+07

5,00E+06

0,00E+00
1

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

Dan u mjesecu
lipanj-ukupno

lipanj-raspreno

Slika 4.15. Dnevna ukupna i rasprena ozraenost horizontalne plohe-lipanj 2005.

63

Dnevna suma ozraenosti horizontalne plohe - srpanj


3,50E+07

3,00E+07

H [J/m2]

2,50E+07

2,00E+07

1,50E+07

1,00E+07

5,00E+06

0,00E+00
1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

Dan u mjesecu
srpanj-ukupno

srpanj-raspreno

Slika 4.16. Dnevna ukupna i rasprena ozraenost horizontalne plohe-srpanj 2005.

Dnevna suma ozraenosti horizontalne plohe - kolovoz


3,00E+07

2,50E+07

H [J/m2]

2,00E+07

1,50E+07

1,00E+07

5,00E+06

0,00E+00
1

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

Dan u mjesecu
kolovoz-ukupno

kolovoz-raspreno

Slika 4.17. Dnevna ukupna i rasprena ozraenost horizontalne plohe-kolovoz 2005.

64

Dnevna suma ozraenosti horizontalne plohe - rujan


2,50E+07

2,00E+07

H [J/m2]

1,50E+07

1,00E+07

5,00E+06

0,00E+00
1

10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

Dan u mjesecu
rujan-ukupno

rujan-raspreno

Slika 4.18. Dnevna ukupna i rasprena ozraenost horizontalne plohe-svibanj 2005.


Vrijednosti Suneva zraenja izmjerene na Fakultetu elektrotehnike, strojarstva i
brodogradnje u Splitu usporeene su s mjerenjima koja su vrena od strane Instituta za
oceanografiju i ribarstvo u Splitu u 5-godinjem razdoblju (1999.-2004.), a iji su podaci
dostupni na internetu [25]. Usporedba je izvrena za mjesene prosjene vrijednosti
ukupnog ozraenja horizontalne plohe te je prikazana na slici 4.19.
Usporedba zraenja izmjerenog na FESB-u i na IZOR-u*
2

Ukupno ozraenje horizontalne plohe Eg [W/m ]

350
300
250
200
150
100
50
0
sijeanj

veljaa

oujak

travanj

svibanj

lipanj

srpanj

Zraenje izmjereno na IZOR-u u razdoblju od 1999.-2004.

kolovoz

rujan

listopad

studeni

prosinac

Zraenje izmjereno na FESB-u 2005.


* Podaci preuzeti s www.izor.hr

Slika 4.19. Usporedba vrijednosti Suneva zraenja izmjerenog na FESB-u i na IZOR-u


65

Iako se preciznija procjena Suneva zraenja moe donijeti tek na temelju


dugogodinjih mjerenja, izvrena usporedba potvruje vjerodostojnost podataka dobivenih
mjerenjem na FESB-u. Naime, za sve usporeene mjesece (od svibnja do rujna) odstupanje
je manje od 10 %. Odreena razlika u zabiljeenom mjerenju mogua je i zbog razliitih
poloaja mjernih postaja, odnosno razliitih utjecaja reflektiranog zraenja.

4.5.3. Rezultati mjerenja Suneva zraenja metodom multipiranometarskog niza

Princip na kojem se zasniva odreivanje komponenata Suneva zraenja mjerenjem


uz pomo tzv. multipiranometarskog niza ve je iznesen u poglavlju 4.3., dok je u
poglavlju 4.4. opisan mjerni sustav postavljen na FESB-u.
Metodom multipiranometarskog niza odreeno je ukupno ozraenje horizontalne
plohe za svibanj, lipanj i srpanj 2005. godine i te su vrijednosti usporeene s vrijednostima
dobivenima mjerenjem referentnim piranometrom Kipp&Zonen CM 11. Pri odreivanju
komponenata multipiranometarskim nizom pretpostavljena je izotropnost neba, odnosno
primijenjene su relacije (4.3) i (4.4). Proraun je izvren za srednje satne vrijednosti
zraenja te je za svaki sat i za svaki dan izraunato srednje kvadratno odstupanje ukupnog
ozraenja horizontalne plohe od izmjerene vrijednosti, Tablica 4.5.
Dobivene vrijednosti prikazane su usporedo s izmjerenima na slikama 4.20. 4.22.
Ukupno ozraenje horizontalne plohe u svibnju 2005.
900

800

700

Euk [W/m2]

600

500

400

300

200

100

0
5:00

6:00

7:00

8:00

9:00

10:00

11:00

12:00

Izmjereno

13:00

14:00

15:00

16:00

17:00

18:00

19:00

20:00

Proraunato (MPA)

Slika 4.20. Ukupno ozraenje horizontalne plohe u svibnju 2005.


66

Ukupno ozraenje horizontalne plohe u lipnju 2005.


900

800

700

Euk [W/m2]

600

500

400

300

200

100

0
5:00

6:00

7:00

8:00

9:00

10:00

11:00

12:00

Izmjereno

13:00

14:00

15:00

16:00

17:00

18:00

19:00

20:00

21:00

20:00

21:00

Proraunato (MPA)

Slika 4.21. Ukupno ozraenje horizontalne plohe u lipnju 2005.

Ukupno ozraenje horizontalne plohe u srpnju 2005.


900

800

700

Euk [W/m2]

600

500

400

300

200

100

0
5:00

6:00

7:00

8:00

9:00

10:00

11:00

12:00

Izmjereno

13:00

14:00

15:00

16:00

17:00

18:00

19:00

Proraunato (MPA)

Slika 4.22. Ukupno ozraenje horizontalne plohe u srpnju 2005.

67

Tablica 4.5. Dnevni i mjeseni prosjeci srednjeg kvadratnog odstupanja ukupnog ozraenja
horizontalne plohe
Dan

Srednje kvadratno odstupanje ozraenja horizontalne plohe [W/m2]


svibanj
lipanj
srpanj

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.

26,48
25,57
26,71
28,93
27,62
25,52
39,63
34,75
21,64
22,70
20,79
30,33
24,19
23,97
26,32
24,44
23,27
34,59
20,81
37,27
36,33
30,96
24,86
28,55
36,67
35,40
31,51
26,75
30,17
26,35
29,38

25,52
33,28

prosjeno

28,47

33,52

39,43
28,20
33,98
28,49
38,23
26,36
31,71
31,83
27,39
36,05
22,82
33,38
37,00
41,16
35,51
29,21
29,32
32,03
33,42
37,06
40,59
39,25
42,82
37,33

27,78
36,02
42,81
37,32
31,07
34,35
40,44
37,93
29,07
39,89
34,95
32,74
30,79
40,05
34,82
32,46
33,72
29,11
36,73
33,35
38,65
40,42
35,33
34,50
25,32
33,73
32,99
60,62
30,24
37,58

35,49

Iz slika 4.20-4.22. vidljivo je da se vrijednosti ukupnog ozraenja horizontalne


plohe proraunate metodom multipiranometarskog niza vrlo dobro slau s izmjerenim
vrijednostima. Najvea se odstupanja opaaju u poslijepodnevnim satima i za promatrana
tri mjeseca najvee opaeno odstupanje iznosi 77,5 W/m2. Spomenuta odstupanja mogua
su posljedica utjecaja reflektirane komponente kao i pretpostavke izotropnosti neba koja je
koritena pri proraunu. Promatrajui postotna odstupanja izmjerenih i proraunatih
vrijednosti, opaa se da su ona najvea tijekom zore i sumraka, kad je ozraenje
68

horizontalne plohe jako malog iznosa pa je i utjecaj te pogreke zanemariv. Postotna


odstupanja izmeu izmjerenih i proraunatih vrijednosti za sva tri mjeseca prikazana su na
slici 4.23. na kojoj je vidljivo da se tijekom itavog dana, uz iznimku razdoblja malo nakon
izlaska i prije zalaska Sunca, postotno odstupanje zadrava unutar granica od 10%.
Srednja kvadratna pogreka za pojedini dan kree se u prosjeku u granicama od oko 30-35
W/m2.

Postotno odstupanje izmjerenih i vrijednosti dobivenih iz MPA


30,00%

20,00%

10,00%

0,00%
5:30:00

7:30:00

9:30:00

11:30:00

13:30:00

15:30:00

17:30:00

19:30:00

-10,00%

-20,00%

-30,00%

-40,00%

-50,00%
svibanj

lipanj

srpanj

Slika 4.23. Postotno odstupanje izmjerenih i izraunatih vrijednosti ozraenja horizontalne


plohe

69

5. Sustav za mjerenje temperature i akviziciju podataka

Uz Sunevo zraenje, drugi vaan parametar koji odreuje karakteristike rada


fotonaponskog modula je temperatura. Za mjerenje temperature iskoriten je sustav za
mjerenje temperatura i prikupljanje podataka koji je izraen je na Fakultetu elektrotehnike,
strojarstva i brodogradnje za potrebe projekta ''Mjerenje temperaturnog polja u okoliu
modela optereenog vn kabela u kabelskom tunelu'' HE ''Zakuac'' [26]. Sustav ine
termistorski osjetnici postavljeni u 7 paralelnih kanala, sklop za prikupljanje i obradu
podataka te baterije. Shema sustava prikazana je na slici 5.1.

Slika 5.1. Shema7-kanalnog sustava za mjerenje temperature


Sustav ima i vlastitu EEPROM memoriju iji je kapacitet dovoljan za pohranu
podataka prikupljanih tijekom tjedan dana. Spajanje s osobnim raunalom omogueno je
serijskim sueljem preko RS-232 prikljuka.
Zbog svoje stabilnosti i pouzdanosti za osjetnike su odabrani termistori oznake
EC95F103 koji imaju dobru ujednaenost R-t karakteristika te omoguuju snimanje
velikog broja mjernih podataka uz odgovarajuu brzinu odziva. Najvanije karakteristike
upotrijebljenih termistora navedene su u Tablici 5.1.

70

Tablica 5.1. Najvanije karakteristike termistora EC95F103 [26]


Ujednaenost odziva
Maksimalni promjer
Temperaturno podruje
Konstanta samozagrijavanja
Vremenska konstanta
Zatita

Bolja od 0,1C
2,4 mm
-80C - +150C
u zraku: 1 mW/C
u zraku: 10 s
Epoksidna smola

u ulju: 8 mW/C
u ulju: 1 s

U Tablici 5.2. prikazan je otpor termistora u ovisnosti o temperaturi, a R-t karakteristika


prikazana je na slici 5.2.
Tablica 5.2. Otpor termistora EC95F103 u ovisnosti o temperaturi
[C]

R []

[C]

R []

[C]

R []

-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0

7368000
3117500
1404900
670100
336500
177000
97070
55330
32650

10
20
25
30
40
50
60
70
80

19900
12490
10000
8057
5327
3603
2488
1752
1255

90
100
110
120
130
140
150

915,30
678,30
510,30
389,30
300,93
235,27
185,97

10

10

10

R []
10

10

10

-50

50

100

150

t [C]

Slika 5.2. R-t karakteristika termistora EC95F103

71

5.1. Sklop za linearizaciju odziva


S promjenom temperature mijenja se i otpor termistora, a tu je promjenu mogue
zabiljeiti praenjem naponskog signala koji je pogodan za prikupljanje podataka. Jedna
jednostavna izvedba sklopa kojim se omoguuje praktino linearan odziv u odgovarajuem
temperaturnom podruju ukljuuje stabilizirani izvor napona te serijski spoj termistora sa
stabilnim metal-slojnim otpornikom, slika 5.3.

Slika 5.3. Sklop za linearizaciju odziva termistora [26]


Ovisnost otpora termistora RT u ovisnosti o temperaturi T dan je s:
RT = R0 e

1 1
B
T T0

(5.1)

gdje je R0=10 k otpor termistora pri t=25C, T0=298,15 K referentna temperatura, T


trenutna temperatura, a B konstanta poluvodikog materijala.
Omjer napona Ux i U na slici 3. funkcija je otpora RT, odnosno temperature:

Ux
R
.
= f ( ) =
U
RT + R

(5.2)

Funkcija dana s (5.2) ima toku infleksije iji je poloaj odreen otporom R.
Pretpostavljeno je da e se mjerene temperature kretati u rasponu od 20C do 80C pa je
toka infleksije gornje funkcije odabrana tako da bude u sredini mjernog podruja, tj. pri
50C. To znai da je:

i = 50C
Ti = 323,15 K
RTi = 3603
U okoliu te toke odziv je praktiki linearan. Teorijski izraz (5.1) nije u potpunosti toan
jer s promjenom temperature dolazi i do malih promjena iznosa parametra B. Za

72

promatrano mjerno podruje vrijednost parametra B izraunata je metodom najmanjih


kvadrata na temelju podataka iz Tablice 5.2. te je utvreno:

B=3970 K
R2500
Linearizacijom funkcije dane izrazom (5.2) u temperaturnom podruju od 0C do 100C
dobija se za jednadbu pravca izraz:

t r = 130

Ux
5.
U

(5.3)

Ako se odabere napon U=1,3 V, tada se temperatura lako prerauna oitavanjem iznosa
napona Ux s milivoltmetra:

[C ] 0,1[C / mV ]U x [mV ] 5[C ] .

(5.4)

Precizniji izraz moe se dobiti iz jednadbi (5.1) i (5.2):


1 1 1 U U x R
= + ln
.
T T0 B U
R0

(5.5)

U jednadbu (5.5) potrebno je uvesti dodatni korekcijski faktor zbog temperaturne


ovisnosti parametra B pa je konaan izraz za temperaturu :

1
U U x
a0 + a1 ln
4 U x

U U x

+ a2 ln

4 U x

273,15 [C],

(5.6)

gdje su konstante a0, a1 i a2 izraunate iz badarne krivulje termistora metodom najmanjih


kvadrata te su odreene njihove vrijednosti [26]:
a0= 3,3527 10-3 K-1,
a1= 2,5784 10-4 K-1,
a2= 2,6796 10-6 K-1
Napajanje sklopa realizirano je pomou zenerove diode ZD 8069 s nazivnim
izlaznim naponom od U=1,24 V, to je najblie eljenoj vrijednosti od 1,3 V. Uz odabrani
predotpor R=2,5 k napon Ux se u odabranom temperaturnom podruju mijenja praktiki
linearno.

73

5.2. Opis i rezultati mjerenja


Mjerenje temperature fotonaponskog modula vreno je tijekom kolovoza i rujna
2005. godine. Upotrijebljeno je 5 termistorskih osjetnika koji su postavljeni na donju
povrinu fotonaponskog modula i privreni termovodljivim kitom. Period prikupljanja
podataka je 1 minuta.
Na slici 5.4. prikazani su rezultati mjerenja temperature fotonaponskog modula na
svih 5 mjernih kanala u razdoblju od 9. do 11. kolovoza 2005. godine. Odstupanje
pojedinog mjerenja od srednje vrijednosti prikazano je na slici 5.5.

Temperature izmjerene u periodu od 9.-11. kolovoza 2005.


60
55
50

t [C]

45
40
35
30
25
20
15
9.8.05. 0:00

9.8.05. 12:00

10.8.05. 0:00

10.8.05. 12:00

11.8.05. 0:00

11.8.05. 12:00

12.8.05. 0:00

Datum
kanal #1

kanal #2

kanal #3

kanal #4

kanal #5

Slika 5.4. Temperature FN modula izmjerene u periodu od 9.-11. kolovoza 2005.

74

Odstupanje pojedinog kanala od srednje vrijednosti


6
4
2

t [C]

0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
9.8.05. 0:00

9.8.05. 12:00

10.8.05. 0:00

10.8.05. 12:00

11.8.05. 0:00

11.8.05. 12:00

12.8.05. 0:00

Dan
kanal #1

kanal #2

kanal #3

kanal #4

kanal #5

Slika 5.5. Odstupanje pojedinog kanala od izraunate srednje vrijednosti u periodu od 9.11. kolovoza
Uoava se najvee odstupanje temperature izmjerene termistorom 5, a pogotovo je
izraeno u trenucima kad je temperatura modula najvia. U tim trenucima mjerni kanal 5
pokazuje i 10C niu temperaturu od one izmjerene na kanalima 1 i 2. Uzrok tolikog
odstupanja vjerojatno se nalazi u slabom prianjanju termistora 5 na podlogu fotonaponskog
modula. Osjetnik nije u izravnom dodiru s povrinom ve je okruen termovodljivim kitom
kojim je privren na povrinu. Tijekom noi razlika u temperaturama ne moe se uoiti
no za razdoblje dana kad je Sunevo zraenje najvee ta razlika postaje znatna. Kanali na
kojima je uoeno takvo vee odstupanje izuzeti su pri raunanju srednje vrijednosti
temperature modula. Za period od 24. do 27. rujna 2005. godine takvo je odstupanje
zabiljeeno na kanalu 3 to je vidljivo iz slike 5.6.

75

Odstupanje pojedinog kanala od srednje vrijednosti


4
2

t [C]

0
-2
-4
-6
-8
-10
24.9.05. 0:00

24.9.05. 12:00

25.9.05. 0:00

25.9.05. 12:00

26.9.05. 0:00

26.9.05. 12:00

27.9.05. 0:00

27.9.05. 12:00

28.9.05. 0:00

Dan
kanal #1

kanal #2

kanal #3

kanal #4

kanal #5

Slika 5.6. Odstupanje pojedinog kanala od izraunate srednje vrijednosti u periodu od 24.27. rujna

76

6. Mjerenje karakteristinih parametara fotonaponskog modula

Elektrine karakteristike fotonaponskog modula najbolje su opisane njegovom


izlaznom karakteristikom koja se ee krae naziva I-U krivulja i na kojoj se mogu
izdvojiti tri karakteristine toke koje predstavljaju osnovne parametre fotonaponskog
modula: struja kratkog spoja Iks, napon otvorenog kruga Uok i toka maksimalne snage Pm.
esto se uz spomenute jo daju i podaci o djelotvornosti i o faktoru punjenja, ali se u
svakodnevnoj praksi fotonaponski moduli najee rangiraju s obzirom na vrnu snagu.
Navedene veliine, meutim, nisu stalne; ovise kako o tehnologiji proizvodnje tako i o
posebnostima svakog pojedinog modula, ali znaajno ovise i o vanjskim utjecajima,
odnosno atmosferskim prilikama. Kako bi se omoguila objektivna usporedba
proizvedenih fotonaponskih modula definirani su standardni uvjeti testiranja (engl.
Standard Testing Conditions, STC) koji podrazumijevaju ozraenje iznosa 1000 W/m2,
temperaturu modula 25C, spektar upadnog zraenja koji odgovara raspodjeli AM 1,5 i
okomit upad zraenja na modul [27]. Vrijednosti karakteristinih parametara koje
proizvoai daju uz svaki pojedini modul dobivene su mjerenjima u upravo tim uvjetima.
Definiranjem standardnih uvjeta testiranja omogueno je usporeivanje modula
proizvedenih u razliitim dijelovima svijeta, koji bi inae bili ispitivani u razliitim
klimatskim prilikama. Meutim, s gledita korisnika od interesa je poznavati karakteristike
fotonaponskog modula u stvarnim, realnim uvjetima rada, a koji se najee razlikuju od
propisanih standardnih uvjeta testiranja. Na karakteristike modula u realnim uvjetima
znaajno utjeu vanjski faktori, od kojih su najvaniji ozraenje, temperatura, spektralni
sadraj upadnog zraenja te kut pod kojim zraenje upada na modul. Utjecaj svakog
pojedinog faktora nije isti za sve module i ovisi i o tehnologiji u kojoj je modul izraen.
Bolja saznanja o ponaanju modula u praktinim primjenama mogu se dobiti jedino
testiranjima u stvarnim uvjetima njegova rada. Jedan od najveih problema vezanih uz
takva testiranja je injenica da se svi vanjski uvjeti mijenjaju istovremeno, a esto su i
meusobno povezani zbog ega je vrlo teko sasvim tono izdvojiti zaseban utjecaj svakog
pojedinog faktora na radne karakteristike modula.

77

6.1. Opis testiranja


Testiranje je izvreno na fotonaponskom modulu od amorfnog silicija,
proizvedenog u tvornici Konar Sunane elije iz Splita. Za spomenutu vrstu modula
proizvoa daje sljedee specifikacije: vrna snaga modula Wp=12 W, napon otvorenog
kruga Uok=22,5 V, struja kratkog spoja Iks=990 mA. Dimenzije modula su 1' 3' (30,48 cm
91,44 cm), to daje povrinu od 0,2787 m2. Modul je postavljen na krov zgrade FESB-a,
usmjeren je tono prema jugu, a nagnut je za 30 u odnosu na horizontalu, to odgovara
godinjem optimalnom kutu. Treba napomenuti da je modul proao fazu poetne
degradacije karakteristinu za tehnologiju amorfnog silicija jer je bio izloen Sunevom
zraenju vie od godine dana prije poetka testiranja. Uz to, prije poetka i tijekom
mjerenja modul nije ien, odnosno bio je izloen utjecaju praine i drugim neistoama,
koje se mogu oekivati i u stvarnim uvjetima rada.
Modul je povezan s ureajem za snimanje strujno-naponske karakteristike, tzv. I-U
testerom kakav se koristi i u tvornici za ispitivanja u standardnim uvjetima. Testerom se
upravlja pomou programa na osobnom raunalu s kojim je povezan preko serijskog ulaza
RS-232. Program je izraen tako da korisniku omoguuje neposrednu kontrolu, odnosno
odabir programiranog mjerenja. Korisnik moe sam upravljati mjerenjem dajui preko
tipkovnice instrukcije testeru u trenutku u kojem se eli izvriti mjerenje. Nakon primanja
instrukcije za mjerenje, tester snima 100 parova toaka I-U karakteristike mijenjajui
simulirani teret od kratkog spoja do otvorenog kruga, kao i osnovne parametre modula:
napon otvorenog kruga, struju kratkog spoja, toku maksimalne snage te faktor punjenja.
Svi se izmjereni podaci zapisuju u datoteku. Mjerenje se moe i programirati za to je
potrebno unijeti vrijeme poetka i zavretka mjerenja te period uzorkovanja. Shema
mjernog sustava za snimanje strujno-naponske karakteristike fotonaponskog modula
prikazana je na slici 6.1.

Slika 6.1. Shema sustava za snimanje I-U karakteristike modula


78

Testiranje fotonaponskog modula vreno je tijekom kolovoza i rujna 2005. godine,


u pravilu snimajui I-U karakteristike modula svaku minutu od izlaza do zalaza Sunca.
Sunevo zraenje koje upada na povrinu modula proraunato je koristei izmjerene
podatke o ukupnom i rasprenom ozraenju horizontalne plohe koristei Liu-Jordanovu
relaciju (3.49), gdje je za vrijednost albeda uzeta u literaturi preporuena vrijednost =0,2
[2]. Istovremeno sa snimanjem I-U karakteristika i mjerenjima Suneva zraenja, vrena su
i mjerenja temperature fotonaponskog modula pomou termistorskih osjetnika koji su
termokitom bili privreni uz stranju plohu modula. Iz podataka dobivenih spomenutim
mjerenjima ispitana je ovisnost osnovnih parametara fotonaponskog modula o najvanijim
ambijentalnim veliinama: ozraenju i temperaturi.

6.2. Rezultati mjerenja osnovnih parametara FN modula


Utjecaj pojedinog vanjskog faktora na parametre fotonaponskog modula mogue je
preciznije utvrditi jedino testiranjima u laboratorijskim uvjetima na nain da se svi ostali
faktori odravaju nepromjenjivima, a mijenja se samo veliina iji se utjecaj eli ispitati. U
realnim se uvjetima svi faktori mijenjaju istovremeno, a vrlo su esto meusobno povezani
pa je zbog toga teko izdvojiti zasebni utjecaj pojedinog faktora na neki od parametara
fotonaponskog modula. Spomenuti najee razmatrani faktori: ozraenje, temperatura,
spektralni sadraj upadnog zraenja i kut upada Sunevog zraenja na modul, mijenjaju se
periodiki tijekom dana, mjeseca i godine. Meutim, veu nepravilnost promjena
spomenutih veliina izazivaju promjene u lokalnim atmosferskim prilikama koje se ne
mogu precizno predvidjeti. Stoga je uinak fotonaponskog modula u nekoj praktinoj
primjeni vrlo ovisan o lokaciji na kojoj je modul postavljen.
Povezanost ozraenja i temperature modula oituje se na slici 6.2. na kojoj su
prikazane vrijednosti ozraenja, temperature modula i temperature zraka izmjerene tijekom
tipinog vedrog dana u kasno ljeto (25. rujna 2005.). Tijekom promatranog dana
temperatura zraka vrlo je ujednaena te je razlika izmeu najvie i najnie vrijednosti
manja od 10C. Ozraenje modula raste tijekom jutra, postie svoj maksimum oko 13 sati
te nakon toga poinje opadati. Zbog izostanka oblaka u promatranom danu ozraenje se
mijenja kontinuirano, bez naglih promjena. Za razliku od ambijentalne temperature koja ne
biljei velike promjene, temperatura modula mijenja se u skladu s promjenom ozraenja i

79

od svoje najmanje vrijednosti tijekom dana poraste za oko 35C. Tako je u 7:30 sati
zabiljeena temperatura modula od oko 18C da bi ve do 11 sati ona narasla do 51C.
Meutim, za razliku od ozraenosti koja nastavlja rasti i svoju dnevnu maksimalnu
vrijednost dostie oko 13 sati, temperatura modula u periodu od 11 do 13 sati opada na
43,5C te zatim opet poraste do 51C. Nakon toga temperatura modula nastavlja pratiti
promjenu ozraenja, odnosno zajedno s njom polako opada. Ali nasuprot kontinuiranim
promjenama ozraenja, temperatura modula tijekom itavog dana doivljava kolebanja, a
najvea su zabiljeena upravo u spomenutom periodu izmeu 11 i 13 sati, kad je vrijednost
ozraenja bila najvea. Pri tome treba uzeti u obzir da osim ozraenja na temperaturu
modula utjee i itav niz drugih parametara, kao to su brzina i smjer vjetra, vlanost zraka
i sl. Meutim, iz slike 6.2. moe se jasno zakljuiti da izmeu ozraenja i temperature
modula postoji snana povezanost.

Ukupno ozraenje i temperatura modula 25. rujna 2005.


1000

60

900
50

800

40

600
500

30

t [C]

Euk [W/m2]

700

400
20

300
200

10

100
0
7:00

0
8:00

9:00

10:00

11:00

Ukupno ozraenje modula

12:00

13:00

14:00

Temperatura modula

15:00

16:00

17:00

18:00

Ambijentalna temperatura

Slika 6.2. Ukupno ozraenje i temperatura FN modula izmjereni 25. rujna 2005. (vedar
dan)
Djelotvornost fotonaponskog modula definirana je kao omjer iznosa maksimalne
snage Pm i upadne snage Suneva zraenja (2.10). Upadna snaga Suneva zraenja je
umnoak ozraenja i povrine modula, dok je toka maksimalne snage mjerena. Za
odabrana tri vedra dana ije su karakteristike ozraenja dane na slici 6.3. izraunata je
djelotvornost testiranog fotonaponskog modula, a rezultati su prikazani na slici 6.4.
80

Ozraenje modula za vedrog dana


1200

2
Ukupno ozraenje, Euk [W/m ]

1000

800

600

400

200

0
7:00

8:00

9:00

10:00

11:00

12:00
8.8.

13:00
24.9.

14:00

15:00

16:00

17:00

18:00

25.9.

Slika 6.3. Ozraenje modula za tri vedra dana


Iz slike 6.3. vidljive su razlike u ozraenju modula poetkom kolovoza i krajem rujna.
Osim toga, uoava se da je 24. rujna bilo neto oblaka koji su u nekoliko navrata tijekom
popodnevnih sati izazvali diskontinuitet u promjeni ozraenja.
Djelotvornost FN modula za vedrog dana
4,0%

3,5%

Djelotvornost,

3,0%

2,5%

2,0%

1,5%

1,0%

0,5%

0,0%
7:00

8:00

9:00

10:00

11:00

Djelotvornost zabiljeena 8.8.

12:00

13:00

14:00

Djelotvornost zabiljeena 24.9.

15:00

16:00

17:00

18:00

Djelotvornost zabiljeena 25.9.

Slika 6.4. Djelotvornost FN modula tijekom tri promatrana dana


U sva tri sluaja zabiljeena se djelotvornost veinu dana vrlo malo mijenja i uglavnom
zadrava vrijednost izmeu 3 i 3,5 %. Znaajnije smanjenje djelotvornosti dogaa se nakon
81

16 sati kad se osim smanjenja ozraenosti, mijenja i spektralna slika upadnog zraenja.
Utjecaj spomenutih efekata na djelotvornost moe se bolje uoiti tijekom dana s veom
naoblakom, odnosno izraenijim promjenama ozraenja modula, slika 6.5.

Ozraenje i djelotvornost modula u oblanom danu


1200

18%
16%
14%

800

12%
10%

600
8%

400

6%

Djelotvornost,

2
Ukupno ozraenje, Euk [W/m ]

1000

4%

200
2%

0
7:00

0%

8:00

9:00

10:00

11:00

12:00

13:00

Ozraenje modula

14:00

15:00

16:00

17:00

18:00

Djelotvornost

Slika 6.5. Ozraenje modula i djelotvornost tijekom djelomino oblanog dana (17. rujan
2005.)
U periodu u kojem ozraenost raste kontinuirano, djelotvornost je konstantna i
iznosi oko 3,5 %. Meutim, s pojavom oblaka dolazi do naglih promjena u ozraenju, to
rezultira i u velikim promjenama djelotvornosti, a iz meusobnog odnosa krivulja moe se
zakljuiti da se djelotvornost smanjuje s porastom rasprenog zraenja. Zbog naglih
promjena ozraenja u nekoliko je navrata proraunata nerealno velika vrijednost
djelotvornosti modula, a iz obavljenih mjerenja moe se zakljuiti da ona iznosi izmeu 3 i
3,5 %. Razlika izmeu upadne Suneve i proizvedene elektrine energije vidljiva je
usporeujui krivulje snaga snimljenih tijekom vedrog dana (25. rujan 2005.), slika 6.6. Pri
tome treba napomenuti da je kao snaga modula uzeta izmjerena vrijednost maksimalne
snage. Krivulja maksimalne snage fotonaponskog modula po ponaanju je slina krivulji
snage upadnog Suneva zraenja, ali je puno poloenija. Za razliku od Suneva zraenja,
koje zadrava maksimalne vrijednosti manje od sat vremena, toka maksimalne snage
ostaje gotovo nepromijenjena skoro puna dva sata u razdoblju od 11:40 do 13:40. Omjer
upadne Suneve i maksimalne elektrine energije koju moe dati testirani fotonaponski
82

modul od amorfnog silicija jednak je omjeru povrina ispod odgovarajuih krivulja snage.
Na slici je paralelno prikazana i djelotvornost, vidljivo je da tijekom veine dana ona
zadrava vrijednost malo iznad 3 %.

Snaga upadnog zraenja i FN modula; djelotvornost modula 25. rujna 2005.


300

3,50%

3,00%

250

Snaga, P [W]

2,00%
150
1,50%
100

djelotvornost, (%)

2,50%
200

1,00%

50

0,50%

0
7:00

0,00%
8:00

9:00

10:00

11:00

Upadna snaga

12:00

13:00

14:00

Izmjerena snaga FN modula

15:00

16:00

17:00

18:00

djelotvornost FN modula

Slika 6.6. Usporedba snage upadnog Suneva zraenja na povrinu modula i maksimalne
snage modula

6.2.1. Ovisnost struje kratkog spoja o ozraenju i temperaturi


Promjenom temperature i ozraenja dolazi i do promjene karakteristika
fotonaponskog modula. Njihov utjecaj na struju kratkog spoja prikazan je na slikama 6.7. i
6.8. na kojima su prikazani podaci izmjereni tijekom odabranog vedrog dana(25. rujna
2005.).
Zabiljeena ovisnost struje kratkog spoja o ozraenju u skladu je s fizikalnim
objanjenjem koje kae da je struja kratkog spoja zapravo fotostruja, odnosno struja nastala
apsorpcijom energije upadnog Suneva zraenja zbog ega dolazi do generiranja parova
nosilaca elektron-upljina. Jasno je da je ta struja to vea to je i snaga upadnog Suneva
zraenja vea, a ta je proporcionalna ovisnost izmjerena i prikazana na slici 6.7. Dvije
krivulje koje se opaaju na slici odgovaraju prijepodnevnim (gornja krivulja) i
poslijepodnevnim vrijednostima ozraenja (donja krivulja), a odstupanje izmeu tih
83

vrijednosti ponajprije je posljedica promjene spektralne slike upadnog zraenja tijekom


dana. Vidi se da je krivulja ovisnosti gotovo idealan pravac, pogotovo za prijepodnevne
vrijednosti, unato injenici da se uz ozraenje istovremeno mijenja i temperatura. Na
temelju spomenutog moe se zakljuiti da temperatura puno manje utjee na iznos struje
kratkog spoja od ozraenja.

Ovisnost struje kratkog spoja o zraenju


0,9

0,8

Struja kratkog spoja, Iks [A]

0,7

0,6

0,5

0,4

0,3

0,2

0,1

0
0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

Ukupno ozraenje modula, Euk [W/m2]

Slika 6.7. Ovisnost struje kratkog spoja o ozraenju (izmjereno 25. rujna 2005.)
Ovisnost struje kratkog spoja o ozraenju modula jo je jasnija ako se na istom grafikonu
prikau normalizirane vrijednosti struje kratkog spoja i ozraenja, slika 6.8.

Normalizirane vrijednosti ozraenja i struje kratkog spoja

0,8

0,6

0,4

0,2

0
5:00

7:00

9:00

11:00

13:00

Ozraenje

15:00

17:00

19:00

21:00

Struja kratkog spoja

Slika 6.8. Normalizirane vrijednosti struje kratkog spoja i ozraenja (izmjerene 24. rujna
2005.)
84

Za razliku od ovisnosti o ozraenju, izmjerena ovisnost struje kratkog spoja o


temperaturi modula neto je sloenija i nepravilnija, slika 6.8. Kao i u prethodnom sluaju,
zabiljeene su razliite krivulje prijepodne i poslijepodne. Ve je reeno da ozraenje puno
vie utjee na struju kratkog spoja od temperature pa iz priloene slike nije mogue
odrediti pravi utjecaj temperature. To bi bilo mogue ako bi se mjerila struja kratkog spoja
u ovisnosti o promjeni temperature pri nekom konstantnom ozraenju.

Ovisnost struje kratkog spoja o temperaturi


0,9

0,8

Struja kratkog spoja, Iks [A]

0,7

0,6

0,5

0,4

0,3

0,2

0,1

0
0

10

20

30

40

50

60

Temperatura modula, t[C]

6.8. Ovisnost struje kratkog spoja o temperaturi (izmjereno 25.rujna 2005.)

6.2.2. Ovisnost napona otvorenog kruga o ozraenju i temperaturi


Promjena napona otvorenog kruga o ozraenju i temperaturi prikazana je na
slikama 6.9. i 6.10. Postojanje razliitih krivulja prije i poslijepodne dodatno naglaava
potrebu mjerenja spektra upadnog Suneva zraenja.

85

Ovisnost napona otvorenog kruga o zraenju


25

Napon otvorenog kruga, Uok [V]

20

15

10

0
0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

Ukupno ozraenje modula, Euk [W/m2]

Slika 6.9. Ovisnost napona otvorenog kruga o ozraenju (izmjereno 25. rujna 2005.)
Napon otvorenog kruga mijenja se s ozraenjem po logaritamskoj funkciji; raste do
vrijednosti ozraenja od oko 300 W/m2, a za sve vrijednosti iznad te zadrava gotovo
nepromijenjenu vrijednost.
Promjena napona otvorenog kruga pri promjeni temperature modula prikazana je na
slici 6.10.
Ovisnost napona otvorenog kruga o temperaturi
25

Napon otvorenog kruga, Uok [V]

20

15

10

0
0

10

20

30

40

50

60

Temperatura, t [C]

Slika 6.10. Ovisnost napona otvorenog kruga o temperaturi modula (izmjereno 25. rujna
2005.)

86

6.2.3. Proraun funkcijske ovisnosti struje kratkog spoja i napona otvorenog kruga o
ozraenju i temperaturi
Rezultati prikazani u 6.2.1. i 6.2.2. rezultati su testiranja u realnim uvjetima, gdje
nije mogue jedan parametar drati nepromjenjivim kako bi se utvrdio precizan utjecaj
drugog. Pri tome treba naglasiti da osim ozraenja i temperature znaajan utjecaj na
karakteristike fotonaponskog modula ima i spektar upadnog Suneva zraenja, to se jasno
uoava u postojanju dvije krivulje za svako mjerenje ovisnosti prikazano slikama 6.7.-6.10.
No, zbog nedostatka opreme spektar upadnog zraenja nije mogao biti mjeren pa je u
model za proraun struje kratkog spoja i napona otvorenog kruga ukljuena samo ovisnost
o ozraenju i temperaturi. Unato spomenutom ogranienju u mjerenjima, na temelju
izmjerenih vrijednosti struje kratkog spoja, napona otvorenog kruga, ozraenja i
temperature mogue je potraiti funkciju koja sa zadovoljavajuom preciznou opisuje
promjenu struje kratkog spoja i napona otvorenog kruga u ovisnosti o ozraenju i
temperaturi modula. Odabrane su funkcije sljedeeg oblika:
I ks = a1 Euk + b1 t ,

(6.1)

U ok = a2 ln (Euk ) + b2 t + c2 ,

(6.2)

gdje su koeficijenti a1, a2, b1, b2 i c2 proraunati linearnom regresijom za cjelodnevne


podatke izmjerene na promatrani vedar dan. Kako struja kratkog spoja i napon otvorenog
kruga ovise i o spektru upadnog zraenja, predloenim se funkcijama njegov utjecaj
pokuava pokriti utjecajem ozraenja i temperature. Konano, uvrtavajui izraunate
koeficijente u jednadbe (6.1) i (6.2), dobivene su sljedee funkcije:
I ks = 0,00095553 Euk 0,0013127 t [A],

(6.3)

U ok = -0,24316 Euk + 5,843991 t - 7,24848 [V],

(6.4)

Izraunate funkcije prikazane su i usporeene s izmjerenim vrijednostima na


slikama 6.11. i 6.12. Isto tako, utvreno je da se dodavanjem koeficijenta c1 u jednadbu
(6.1) ne bi bitno popravila preciznost modela. Iz priloenih rezultata moe se zakljuiti da
iako jednostavnog oblika, predloeni modeli prilino dobro opisuju promjenu struje
kratkog spoja i napona otvorenog kruga tijekom dana.

87

Modeliranje ovisnosti struje kratkog spoja o ozraenju i temperaturi


20%

0,9
0,8
0,7

Struja kratkog spoja, Iks [A]

10%
0,6
5%

0,5

0%

0,4
0,3

-5%

0,2
-10%
0,1
0
6:00

Odstupanje od izmjerene vrijednosti [%]

15%

-15%
7:00

8:00

9:00

10:00

11:00

12:00

13:00

14:00

15:00

16:00

-0,1

17:00

18:00

19:00

20:00
-20%

Izmjereno

Model

Postotno odstupanje

Slika 6.11. Usporedba proraunate i izmjerene ovisnosti struje kratkog spoja o ozraenju i
temperaturi
Sa slike 6.11. vidi se vrlo dobro slaganje dobivenog modela s izmjerenim
vrijednostima struje kratkog spoja. Odstupanja od izmjerene vrijednosti najmanja su
sredinom dana, kad je struja kratkog spoja najvea. Prijepodne model daje vrijednosti
manje, a u poslijepodnevnim satima vee od izmjerenih pa se zbog toga postotno
odstupanje mijenja od prijepodnevnih negativnih prema poslijepodnevnim pozitivnim
vrijednostima. Osim toga, tijekom prijepodneva apsolutna vrijednost odstupanja manja je
od 10% i zadrava se u tim okvirima ve za vrijednosti struje kratkog spoja od oko 150
mA. S druge strane, poslijepodne su zabiljeena znaajnija odstupanja koja ve oko 16 h
premauju 10%, a oko 17 h i 20%. Meutim, takvi rezultati su i oekivani s obzirom na
jednostavnost odabrane funkcijske ovisnosti te nemogunost uraunavanja ovisnosti struje
kratkog spoja o spektru upadnog zraenja.

88

Modeliranje ovisnosti napona otvorenog kruga o ozraenju i temperaturi


25

40,00%

Napon otvorenog kruga, Uok [V]

20,00%

10,00%

15

0,00%
10

-10,00%

-20,00%
5

Odstupanje od izmjerene vrijednosti, [%]

30,00%
20

-30,00%

0
6:00

7:00

8:00

9:00

10:00

11:00

Izmjereno

12:00

13:00

Model

14:00

15:00

16:00

17:00

18:00

19:00

-40,00%
20:00

Postotno odstupanje

Slika 6.12. Usporedba proraunate i izmjerene ovisnosti napona otvorenog kruga o


ozraenju i temperaturi
Napon otvorenog kruga nakon izlaska Sunca raste do vrijednosti koju s vrlo malim
varijacijama zadrava cijeli dan da bi se pred zalazak Sunca njegova vrijednost opet
smanjivala. Odabrana funkcija za modeliranje ovisnosti napona otvorenog kruga o
ozraenju i temperaturi vrlo dobro se podudara s izmjerenim vrijednostima jer se
odstupanje zadrava unutar granica od 10% s izuzetkom relativno kratkih perioda tijekom
jutra i u predveer. Tada se napon otvorenog kruga najvie mijenja, a njegova je vrijednost
manja zbog ega postotno odstupanje poprima vee vrijednosti.
Na temelju dobivenih rezultata moe se zakljuiti da je odabrana funkcija za
modeliranje napona otvorenog kruga bolja i tonije opisuje stvarno ponaanje od modela
za struju kratkog spoja. Postotno odstupanje od izmjerenih vrijednosti struje kratkog spoja
neto je vee, pogotovo u poslijepodnevnim satima. Razlog tome lei u veem utjecaju
promjene spektra Suneva zraenja, koji je u kasno ljetno poslijepodne (odabrane se
vrijednosti odnose na dan 25. rujna 2005.) izraeniji u crvenom podruju, gdje je
osjetljivost sunane elije od amorfnog silicija manja.

89

6.2.4. Snimanje I-U karakteristika fotonaponskog modula


Elektrine karakteristike fotonaponskog modula najbolje se mogu razumjeti
pomou njegovih izlaznih, strujno-naponskih (I-U) karakteristika. Stoga veina testiranja
podrazumijeva snimanje I-U karakteristika, bilo da se radi o testiranjima u standardnim ili
u stvarnim uvjetima. Testiranja na FESB-u vrena su tijekom kolovoza i rujna 2005. i za
veinu su dana u tom razdoblju izlazne karakteristike fotonaponskog modula od amorfnog
silicija snimane svaku minutu.
I-U karakteristike fotonaponskog modula mijenjaju se tijekom dana u prvom redu
kao posljedica promjene ozraenja modula, a koje opet ovisi o lokalnim atmosferskim
prilikama te dobu dana i godine. Tijekom dana mijenja se relativan poloaj Sunca u odnosu
na povrinu modula to znai da izravno Sunevo zraenje, koje je tijekom vedrih dana
najizraenije, upada na modul pod razliitim kutom. Uz to, tijekom dana mijenja se i put
Sunevih zraka kroz atmosferu zbog ega se mijenja spektralna slika upadnog zraenja i
sve to utjee na elektrine karakteristike modula. Na slici 6.13. prikazani su ozraenje i
temperatura modula izmjereni tijekom vedrog dana 24. rujna 2005., a promjena I-U
karakteristike tijekom tog dana prikazana je na slici 6.14. za nekoliko odabranih trenutaka.

Ozraenje i temperatura modula 24. rujna 2005


60

1000
900

Ozraenje, Euk [W/m ]

700

40

600
30

500
400

20

300
200

Temperatura modula, t[C]

50

800

10

100
0
5:00

7:00

9:00

11:00

Ozraenje

13:00

15:00

17:00

19:00

0
21:00

Temperatura modula

Slika 6.13. Ozraenje i temperatura modula izmjereni 24. rujna 2005.

90

I-U karakteristike izmjerene 24. rujna 2005.


0,9
0,8
0,7

Struja, I [A]

0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
0

10

12

14

16

18

20

22

Napon, U [V]
8:00

9:00

9:56

11:43

12:55

13:40

14:05

16:50

17:55

Slika 6.14. I-U karakteristike fotonaponskog modula u razliitim trenucima dana,


snimljene 24. rujna 2005.
Ozraenje modula u izmjereno u odabranim trenucima dano je slikom 6.15. Trenuci
su odabrani na nain da su pronaeni jutarnji i poslijepodnevni trenutak u kojem je
ozraenje priblino jednako. Na taj je nain mogue usporediti I-U krivulje za iste
vrijednosti ozraenja u razliitim trenucima dana. Tako ozraenje ima priblino jednake
vrijednosti u 8:00 i 17:55, 9:00 i u 16:50, u 9:56 i 14:05 te u 11:43 i 13:40, dok je kao
sredinji trenutak odabran onaj za koji je tijekom dana izmjerena najvea vrijednost
ozraenja.
Ozraenje modula u razliitim trenucima dana
1000
900
800

2
Ozraenje, Euk [W/m ]

700
600
500
400
300
200
100
0
8:00

9:00

9:56

11:43

12:55

13:40

14:05

16:50

17:55

Slika 6.15. Ozraenje modula u trenucima u kojima su prikazane I-U karakteristike


91

Kao to se vidi iz slike 6.14., za iste vrijednosti ozraenja prijepodne su zabiljeene


puno bolje I-U karakteristike nego poslijepodne. Razlika je najvea u iznosu struje kratkog
spoja; vrijednosti napona otvorenog kruga sredinom dana ne razlikuju se puno, ali razlika
raste sa smanjivanjem iznosa ozraenja. I pri najveim iznosima ozraenja, I-U krivulja
ima slabo izraeno koljeno, odnosno prilino mali iznos faktora punjenja, koji je tijekom
promatranog dana imao najveu vrijednost oko 48%. Kako se iznos ozraenja smanjuje,
koljeno pomalo iezava, odnosno karakteristika se po obliku pribliava pravcu.
Uoene razlike u snimljenim karakteristikama za iste vrijednosti ozraenja povrine
modula posljedica su promjene spektra upadnog Suneva zraenja. U trenucima oko
sunanog podneva Suneve zrake prolaze najkrai put kroz atmosferu pa je tada
Rayleighovo selektivno rasprenje najmanje i zraenje je bogatije u plavom dijelu spektra
u kojem je kvantna efikasnost sunanih elija od amorfnog silicija najvea. Nasuprot tome,
netom nakon izlaska i prije zalaska Sunca duina puta Sunevih zraka kroz atmosferu je
najvea zbog ega je rasprenje manjih valnih duina izraenije te je tada vei udio
zraenja u crvenom i infracrvenom podruju na koje je amorfni silicij vrlo slabo osjetljiv
zbog malog apsorpcijskog koeficijenta.

6.2.5. Usporedba Swartzova i empirijskog modela s izmjerenim I-U karakteristikama


I-U karakteristike fotonaponskog modula mogu se simulirati koristei neki od
mnogih razvijenih modela. Iako se mogu razlikovati po sloenosti, veina modela temelji
se na poznavanju struje kratkog spoja, napona otvorenog kruga, te struje i napona u toki
maksimalne snage, koji se mogu izmjeriti. U ovom su radu odabrana dva modela:
empirijski model pogodan je zbog svoje jednostavnosti dok je Swartzov model razvijen
posebno za sunane elije od amorfnog silicija s p-i-n strukturom. Spomenuti su modeli
usporeeni meusobno i s I-U karakteristikama izmjerenima 24. rujna 2005. Parametri
potrebni za simulaciju pomou Swartzova modela Us, Rc i m nisu se mogli izmjeriti pa su
za svaki pojedini trenutak odreeni optimizacijom [6].
Dobiveni rezultati prikazani su na slikama 6.16.-6.22.

92

Izmjereno
Empirijski model
Swartzov model

0.6

0.5

I [A]

0.4

0.3

0.2

0.1

10

12

14

16

18

20

U [V]

Slika 6.16. Usporedba empirijskog i Swartzovog modela s mjerenjima u 10:00 sati

0.8
Izmjereno
Empirijski model
Swartzov model

0.7

0.6

I [A]

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

10

12

14

16

18

20

U [V]

Slika 6.17. Usporedba empirijskog i Swartzovog modela s mjerenjima u 12:37 sati

93

0.8
Izmjereno
Empirijski model
Swartzov model

0.7

0.6

I [A]

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

10

12

14

16

18

20

U [V]

Slika 6.18. Usporedba empirijskog i Swartzovog modela s mjerenjima u 13:10 sati

Izmjereno
Empirijski model
Swartzov model
0.5

I [A]

0.4

0.3

0.2

0.1

10

12

14

16

18

20

U [V]

Slika 6.19. Usporedba empirijskog i Swartzovog modela s mjerenjima u 14:05 sati

94

Izmjereno
Empirijski model
Swartzov model

0.5

0.4

I [A]

0.3

0.2

0.1

10

12

14

16

18

20

U [V]

Slika 6.20. Usporedba empirijskog i Swartzovog modela s mjerenjima u 15:00 sati

0.45
Izmjereno
Empirijski model
Swartzov model

0.4

0.35

0.3

I [A]

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

10

12

14

16

18

20

U [V]

Slika 6.21. Usporedba empirijskog i Swartzovog modela s mjerenjima u 15:40 sati

95

0.25
Izmjereno
Empirijski model
Swartzov model
0.2

I [A]

0.15

0.1

0.05

10

12

14

16

18

20

U [V]

Slika 6.22. Usporedba empirijskog i Swartzovog modela s mjerenjima u 17:00 sati


Kao to je i oekivano, simulirane karakteristike najbolje se slau s izmjerenima
sredinom dana kad je Sunevo zraenje najintenzivnije. Za svaki prikazani trenutak
proraunato je srednje kvadratno odstupanje oba modela od izmjerene I-U karakteristike, a
rezultati su dani u Tablici 6.1.
Tablica 6.1. Izmjerene vrijednosti osnovnih parametara i suma kvadratnog odstupanja
Swartzovog i empirijskog modela od mjerenja
Vrijeme

Euk
[W/m2]

10:00
12:37
13:10
14:05
15:00
15:40
17:00

640
857
873
627
583
525
336

Eb
Ed
[W/m2] [W/m2]
540
768
775
523
485
439
260

93
81
89
98
92
81
72

(Imj-Imodel)2 [A2]

t
[C]

Iks
[A]

Uok
[V]

Pm
[W]

Swartz

empirijski

43,4
49,4
48,8
45,9
42,9
39,3
30,5

0,60
0,77
0,78
0,55
0,51
0,44
0,24

20,53
20,35
20,54
20,15
20,35
20,38
19,64

5,73
7,39
7,56
5,15
4,77
4,10
1,89

0,00972
0,01497
0,01655
0,00881
0,00854
0,00723
0,00754

0,01982
0,02381
0,02486
0,01820
0,01628
0,01415
0,00311

Sredinom dana, za vee vrijednosti ozraenja modula, Swartzov model bolje se


slae s mjerenjima od empirijskog, dok se empirijski model pokazao boljim u 17:00 sati,
kad je ukupno ozraenje modula manje. Oba modela najbolje se slau s mjerenjima u toki
maksimalne snage. Meutim, pogodnost empirijskog modela je njegova jednostavnost za
primjenu, dok je za Swartzov model potrebno posebnim mjerenjima odrediti njegove
96

parametre: faktor idealnosti diode m odreuje se mjerenjem ovisnosti Uok=f(ln Iks), a omski
otpor Rc i napon na fotootporu Us dobiju se iz ovisnosti dU/dI=f(1/Iks) u uvjetima
otvorenog kruga. Za oba mjerenja potrebno je osigurati konstantnu temperaturu, to je u
realnim uvjetima rada vrlo teko.

97

7. Zakljuak

Podaci o fotonaponskim modulima koje daju proizvoai dobiveni su njihovim


testiranjem u standardnim uvjetima i ne omoguuju ispravnu procjenu stvarnih
karakteristika modula u realnim uvjetima rada. Naime, standardni uvjeti podrazumijevaju
ozraenje modula od 1000 W/m2, temperaturu modula od 25C, spektar upadnog Suneva
zraenja koji odgovara raspodjeli AM 1,5 i normalan upad zraka na povrinu modula.
Stvarni se uvjeti rada openito razlikuju od standardnih uvjeta testiranja pa su samim tim
drugaije i radne karakteristike modula. One ne ovise samo o tehnologiji u kojoj je modul
izraen i zasebnosti svakog proizvedenog uzorka, ve su bitno odreene i klimatolokim
uvjetima koji vladaju na mjestu njegove primjene, u prvom redu o ozraenosti,
temperaturi, spektralnim efektima i kutu upada. Testiranja u realnim uvjetima omoguuju
precizniju procjenu ponaanja fotonaponskog modula u stvarnim uvjetima rada i pomau u
efikasnijem projektiranju fotonaponskih sustava.
U ovom radu opisano je testiranje fotonaponskog modula od amorfnog silicija
postavljenog na Fakultetu elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje u Splitu. Modul je
usmjeren izravno prema jugu, a u odnosu na horizontalu nagnut je pod godinjim kutom od
30. Testiranje je obuhvatilo tri zasebna mjerenja vrena istovremeno: mjerenje Suneva
zraenja, mjerenje temperature modula i snimanje strujno-naponskih karakteristika
fotonaponskog modula.
U projektiranju sustava temeljenih na koritenju Suneve energije esto je potrebno
poznavati iznos svake pojedine komponente Suneva zraenja. Ureaji za mjerenje izravne
i rasprene komponente Suneva zraenja moraju pratiti gibanje Sunca po nebu to ih ini
prilino skupima i zahtjevnima za odravanje. Grupa autora (Faiman i dr.) predloila je
mjerni sustav kojim se eliminiraju postojei nedostaci, a koji se zasniva na koritenju etiri
razliito usmjerena piranometra. Poznavajui geometriju sustava i karakteristike prividnog
Suneva gibanja po nebu, iz oitanja piranometara mogue je metodom najmanjih kvadrata
proraunati iznos izravne i rasprene komponente Suneva zraenja. Pri tome je potrebno
eliminirati utjecaj reflektirane komponente postavljanjem zatamnjenih maski koje
predstavljaju umjetni horizont za svaki od instrumenata. Osim toga, za dobivanje
vrijednosti izravne i rasprene komponente potrebno je koristiti neki od postojeih modela
Suneva zraenja. Na temelju mjerenja vrenih na podruju Izraela, autori metode utvrdili

98

su da se na ovaj nain mogu odrediti vrijednosti izravne i rasprene komponente Suneva


zraenja s preciznou usporedivom s mjerenjima uobiajenom instrumentacijom
(pirheliometar za mjerenje izravne, odnosno zasjenjeni piranometar za mjerenje rasprene
komponente).
Sustav za mjerenje Suneva zraenja postavljen je na zgradi Fakulteta
elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje u Splitu i puten je u rad u svibnju 2005. Sastoji
se od dva multipiranometarska niza, piranometara za mjerenje ukupnog i rasprenog
zraenja te meteorolokih osjetnika za mjerenje temperature, tlaka i vlanosti zraka, te
brzine i smjera vjetra. Svi instrumenti spojeni su na sustav za prikupljanje podataka koji
biljei vrijednosti mjerenja svakih 10 s te uz to vri usrednjavanje za period od 10 min.
Predoeni su i analizirani podaci mjerenja Suneva zraenja za period od svibnja do rujna
2005. godine. U spomenutom razdoblju najvei mjeseni prosjek ukupnog ozraenja
horizontalne plohe izmjeren je tijekom lipnja i srpnja, s maksimalnim dnevnim
vrijednostima oko 900 W/m2, dok je u rujnu mjeseni prosjek ozraenja manji otprilike
30%. Za razliku od ukupnog ozraenja, koje se jasno razlikuje od mjeseca do mjeseca,
promjene u mjesenom prosjeku rasprenog ozraenja puno su manje. Izmjerene
vrijednosti ukupnog ozraenja horizontalne plohe usporeeni su s petogodinjim
prosjekom izmjerenom u Institutu za oceanografiju i ribarstvo u Splitu; vrijednosti
izmjerene na FESB-u manje su od petogodinjeg prosjeka, ali su odstupanja za svaki
mjesec manja od 10%.
Metodom multipiranometarskog niza odreeno je ukupno ozraenje horizontalne
plohe u svibnju, lipnju i srpnju. Pri tome je koriten najjednostavniji, izotropni model, koji
pretpostavlja da je raspreno zraenje podjednako iz svih smjerova neba. Ta je
pretpostavka priblino zadovoljena samo tijekom vedrih dana, dok za oblane i pogotovo
djelomino oblane dane ne daje dovoljno dobre rezultate. Iz satnih prosjeka oitanja
svakog od etiri piranometra u multipiranometarskom nizu, metodom najmanjih kvadrata
proraunate su satne vrijednosti ukupnog ozraenja za svaki dan u mjesecu, iz ega je
dobiven mjeseni prosjek satnog ukupnog ozraenja horizontalne plohe. Za sva tri mjeseca
izraunato je srednje kvadratno odstupanje od izmjerene vrijednosti te su dobivene
vrijednosti 28,47 W/m2 za svibanj, 33,52 W/m2 za lipanj i 35,49 W/m2 za srpanj, a
postotno odstupanje od izmjerenih vrijednosti tijekom gotovo itavog dana ne prelazi
vrijednost od 10%. Najvea odstupanja od izmjerenih vrijednosti uoena su sredinom
dana i tijekom poslijepodneva i u tom su periodu vrijednosti ukupnog ozraenja
proraunatog metodom multipiranometarskog niza redovito manji od izmjerenih. Metoda
99

bi se mogla poboljati primjenom nekog od anizotropnih modela druge generacije (Perez,


Muneer i drugi) koji puno bolje opisuju stvarne karakteristike rasprenog Suneva
zraenja. Osim toga, s obzirom na relativno nepovoljan poloaj mjernog mjesta koje je
okrueno zgradama potrebno je dodatno ispitati kvalitetu izraenih maski za zasjenjivanje i
utjecaj reflektiranog zraenja.
Sustav za mjerenje temperature sastoji se od pet termistorskih osjetnika koji su bili
privreni na donju povrinu modula i postavljeni u kutove i u sredite modula.
Temperatura modula proraunata je kao srednja vrijednost temperatura izmjerenih sa svih
pet termistora. Uoeno je da temperatura modula u promatranom razdoblju postie dnevne
maksimalne vrijednosti oko 55C.
Snimanje I-U karakteristike modula vreno je pomou I-U testera, kakav je koriten
u tvornici Sunane elije d.o.o. iz Splita za testiranja u standardnim uvjetima. Testiranje je
vreno u realnim uvjetima u kojima se svi klimatoloki parametri mijenjaju istovremeno i
esto su meusobno povezani pa je u tim uvjetima vrlo teko precizno odrediti toan
utjecaj svakog pojedinog parametra na radne karakteristike fotonaponskog modula.
Ispitivanja su obuhvatila mjerenje ozraenja i temperature modula uz istovremeno
snimanje I-U karakteristike. Djelotvornost testiranog modula proraunata je iz izmjerene
maksimalne snage i ukupnog ozraenja modula i pronaeno je da je tijekom vedrih dana
njena vrijednost uglavnom izmeu 3 i 3,5% te da opada u poslijepodnevnim satima. Isto
tako, snimajui ovisnost struje kratkog spoja i napona otvorenog kruga o temperaturi i
ozraenju modula, uoene su za svaku ovisnost dvije krivulje, meusobno malo
razmaknute. Ta se razlika izmeu vrijednosti izmjerenih prijepodne i poslijepodne moe
pripisati utjecaju promjene spektra Suneva zraenja tijekom dana. Naime, fotonaponski
modul od amorfnog silicija slabije je osjetljiv u podruju veih valnih duina, gdje je
Sunevo zraenje bogatije u ljetno poslijepodne. Utvrena je jaka linearna ovisnost struje
kratkog spoja o ozraenju, dok je utjecaj temperature puno manji. Napon otvorenog kruga
relativno brzo ujutro naraste na svoju maksimalnu vrijednost koju uz male promjene
zadrava tijekom veine dana, da bi se krajem dana opet smanjio. Na temelju izmjerenih
vrijednosti, metodom najmanjih kvadrata pronaeni su parametri pretpostavljenih
jednostavnih funkcija koje opisuju ovisnost struje kratkog spoja i napona otvorenog kruga:
struja kratkog spoja aproksimirana je linearnom ovisnosti o ozraenju i temperaturi, dok je
napon otvorenog kruga aproksimiran logaritamskom ovisnosti o ozraenju i linearnom
ovisnosti o temperaturi. Pronaene funkcije opisuju promjene struje kratkog spoja i napona
otvorenog kruga sa zadovoljavajuom tonosti, uz znatnija odstupanja za male vrijednosti
100

ozraenja (ujutro i krajem dana). Ipak, tijekom poslijepodnevnih sati odstupanja su


znaajnija za struju kratkog spoja, to se takoer moe pripisati znaajnijem utjecaju
promjene spektra. To je dodatno potvreno usporeujui izmjerene I-U karakteristike jer
uz isto ukupno ozraenje modula svim krivuljama snimljenim poslijepodne pripadaju
manje vrijednosti struje kratkog spoja i napona otvorenog kruga nego ujutro.
Konano, izmjerene I-U karakteristike fotonaponskog modula usporeene su sa
simuliranima koristei dva karakteristina modela: empirijski i Swartzov model. Empirijski
je model jednostavan i zahtijeva poznavanje osnovnih parametara modula: struju kratkog
spoja, napona otvorenog kruga te struju i napon u toki maksimalne snage. Swartzov je
model razvijen posebno za p-i-n strukturu sunane elije od amorfnog silicija, no njegov je
nedostatak potreba odreivanja dodatnih parametara: faktora idealnosti diode m, omskog
otpora Rc i napona na fotootporu Us. Spomenuti se parametri moraju odrediti promjenom
ozraenja uz konstantnu temperaturu to u realnim uvjetima nije mogue pa je njihova
vrijednost simulirana u okviru granica dobivenih prijanjim mjerenjima. Usporedbom
simuliranih i izmjerenih I-U karakteristika, opaa se dobro slaganje oba modela sredinom
dana, kad su vrijednosti ozraenja vee i spektralni utjecaj slabiji. Usporedbom sume
kvadrata odstupanja utvreno je da je Swartzov model neto precizniji, osim u kasnim
poslijepodnevnim satima kad je ozraenje modula manje.

101

Literatura
[1]

European Commision, A Vision for Photovoltaic Technology, Report by the


Photovoltaic Technology Advisory Council, 2005.

[2]

P. Kulii, J. Vuletin, I. Zulim, Sunane elije, kolska knjiga, Zagreb, 1994.

[3]

C. Honsberg, S. Bowden, Photovoltaics: Devices, Systems and Applications


PVCDROM 1.0, University of New South Wales, 1999.

[4]

H. S. Rauschenbach, Solar Cell Array Design Handbook, Van Nostrand Reinhold


Company, New York, 1980.

[5]

G. A. Swartz, Closed-Form Solution of I-V Characteristic for a-Si:H Solar Cells,


Semiconductors and Semimetals, Vol. 21, Part D, Chapter 3 str. 39-53, 1984.

[6]

I. Vukni, Modeliranje fotonaponskog modula od amorfnog silicija, magistarski


rad, Elektrotehniki fakultet, Sveuilite u Zagrebu, 1994.

[7]

BP Statistical Review of World Energy June 2005, Excel Workbook

[8]

K. Scharmer, J. Greif, The European Solar Radiation Atlas, Vol. 1: Fundamentals


and maps, Les Presses de lcole des Mines 2000.

[9]

Canada Centre for Remote Sensing, Tutorial: undamentals of Remote Sensing

[10] M. A. Green, Solar Cells, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, 1982.


[11] M. Pidwirny, The Physical Environment: An Introduction to Physical Geography,
2005.
[12] K. Scharmer, J. Greif: The European Solar Radiation Atlas, Vol. 2: Database and
exploitation software, Les Presses de lcole des Mines 2000.
[13] University of Oregon, Solar Radiation Monitoring Laboratory, Pacific Northwest
Solar Radiation Data book, 1999.
[14] Z. Mati, Sunevo zraenje na podruju Republike Hrvatske prirunik za
energetsko koritenje Suneva zraenja, 2005.
[15] P. Tsalides, A. Thanailakis, Direct Computation of the Array Optimum Tilt Angle
in Constant-Tilt Photovoltaic Systems, Solar Cells 14 (1985) 1, str. 83-89.
[16] D. Faiman, A. Zemel, A method for monitoring insolation in remote regions,
Solar Energy 38 (1987) 5, str. 327-333.
[17] B. Steinmller, The two-solarimeter method for insolation on inclined surfaces,
Solar Energy 25 (1980) 5, str. 449-460.

102

[18] D. Faiman, D. Feuermann, P. Ibbetson, A. Zemel, A multipyranometer instrument


for obtaining the solar beam and diffuse components, and the irradiance on
inclined planes, Solar Energy 48 (1992) 4, str. 253-259.
[19] D. Faiman, D. Feuermann, A. Zemel, Site-independent algorithm for obtaining
the direct beam insolation from a multipyranometer instrument, Solar Energy 50
(1993) 1, str. 53-57.
[20] D. R. Myers, S. M. Wilcox, W. F. Marion, N. M. Al-Abbadi, M. bin Mahfoodh, Z.
Al-Otaibi, Final Report for Anex II Assessment of Solar Radiation Resources in
Saudi Arabia 1998-2000, NREL 2002.
[21] Thies Clima, Pyranometer CM 11 Instruction for use
[22] Kipp&Zonen, CM 11 / CM 14 Pyranometer/Albedometer Instruction Manual
[23] Kipp&Zonen, CM 6B / CM 7B Pyranometer/Albedometer Instruction Manual
[24] Kipp&Zonen, SP Lite Silicon Pyranometer Instruction Manual
[25] www.izor.hr
[26] S. Milun, B. Jajac, G. Petrovi, D. Sinovi, Mjerenje temperaturnog polja u
okoliu modela optereenog vn kabela u kabelskom tunelu HE "Zakuac"
Sustav za mjerenje temperatura i akviziciju podataka, FESB, 2005.
[27] Y. Poissant, L. Couture, L. Dignard-Bailey, Simple Test Methods for Evaluating
the Energy Ratings of PV Modules Under Various Environmental Conditions,
CANMET Energy Technology Centre, 2003.

103

SAETAK

Karakteristike fotonaponskog (FN) modula u realnim uvjetima rada osim o tehnologiji


proizvodnje uvelike ovise o razliitim klimatskim faktorima na mjestu primjene. Stoga
podaci koje o modulima daju proizvoai, a koji su dobiveni testiranjima u standardnim
uvjetima (ozraenje 1000 W/m2, temperatura modula 25C, masa zraka AM 1,5 i okomit
upad Suneva zraenja na modul) ne omoguuju precizno predvianje radnih svojstava i
uinkovito projektiranje FN sustava.
U ovom su radu predoeni i analizirani rezultati testiranja FN modula od amorfnog silicija
u realnim uvjetima. Testiranje je vreno tijekom kolovoza i rujna 2005. godine na
Fakultetu elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje u Splitu i sastojalo se od istovremenog
mjerenja Suneva zraenja, temperature modula i snimanja I-U karakteristika.
Prikazani su petomjeseni rezultati mjerenja Suneva zraenja (od svibnja do rujna), kao i
ukupno zraenje na horizontalnu povrinu odreeno pomou multipiranometarskog niza za
tri mjeseca (od svibnja do srpnja). Uoeno je da se primjenom jednostavnog izotropnog
modela neba ukupno zraenje na horizontalnu plohu moe izraunati sa srednjim
kvadratnim odstupanjem iznosa oko 30 W/m2.
Na temelju izmjerenih podataka odreene su funkcije ovisnosti struje kratkog spoja i
napona otvorenog kruga o ozraenju i temperaturi koristei jednostavne linearne modele.
Utvreno je da ozraenje puno jae utjee i na struju kratkog spoja i na napon otvorenog
kruga od temperature. Zabiljeeno je znaajno smanjenje I-U krivulje tijekom
poslijepodnevnih sati to je posljedica intenzivnijeg zraenja u crvenom dijelu spektra u
tim dijelovima dana.
Konano, I-U krivulje su simulirane primjenom empirijskog i Swartzova modela i
usporeene s izmjerenima. Iako je Swartzov model pokazao bolje slaganje, njegovi se
parametri moraju odrediti posebnim mjerenjima u kontroliranim uvjetima to ga ini
nepraktinim za testiranja u realnim uvjetima rada.
Kljune rijei: testiranje u realnim uvjetima, Fotonaponski modul, amorfni silicij, I-U
krivulja, Sunevo zraenje, multipiranometarski niz, model sunane elije

104

ABSTRACT

The performance of the photovoltaic (PV) module in real operating conditions is


determined not only by the module technology but also by various climatic factors at the
site of application. Hence, PV module data reported by manufacturers and corresponding
to Standard Testing Conditions (1000 W/m2, module temperature of 25C, air mass AM1.5
and normal incidence) are not suitable for making accurate performance predictions and
efficient PV systems designs.
In this work, the results of outdoor testing of the amorphous silicon PV module are
presented and analyzed. The testing has been performed during August and September
2005. at the Faculty of Electrical Engineering in Split and has included simultaneous
monitoring of solar radiation, module temperature and module I-V characteristics.
The results of five months solar radiation measurements (May to September 2005) are
presented together with global horizontal radiation determined with multipyranometer
method for three months (May to July 2005). It is found that using simple isotropic sky
model global horizontal radiation can be calculated with RMSE of around 30 W/m2.
Based on measured data, the dependences of module short-circuit current and open-circuit
voltage on irradiance and temperature are found and modeled using simple linear
functions. It is found that irradiance affects both short-circuit current and open-circuit
voltage much stronger than does temperature. Significant degradation of module I-V curve
was observed in the afternoon because during the testing period (late summer) solar
radiation in the afternoon has a significantly higher portion of radiation with greater
wavelengths.
I-V curves are simulated using empirical and Swartz model and are compared to the
measured data. The Swartz model performed a bit better, but is inconvenient for outdoor
testing because measurements in laboratory conditions are required in order to determine
its parameters.
Keywords: outdoor testing, photovoltaic module, amorphous silicon, I-V curve, solar
radiation, multipyranometer, solar cell model

105

IVOTOPIS

Tihomir Betti roen je 27. sijenja 1977. godine u Splitu. Nakon zavrene osnovne
kole pohaao je III. Gimnaziju u Splitu gdje je 1995. godine maturirao s odlinim
uspjehom. Iste godine upisuje studij elektrotehnike na Fakultetu elektrotehnike, strojarstva
i brodogradnje u Splitu. Tijekom studija radio je kao demonstrator na kolegijima Fizika 1,
Fizika 2 i Fizika 3. Diplomirao je s vrlo dobrim uspjehom na smjeru elektronike,
usmjerenja primijenjena elektronika, u veljai 2001. godine obranivi diplomski rad pod
naslovom ''Optimalni kut nagiba fotonaponskog panela'' pod vodstvom mentora prof. dr.
sc. Ivana Zulima. U lipnju 2001. godine nagraen je godinjom nagradom ''Hrvoje Poar''
za posebno istaknuti diplomski rad iz podruja energetike.
Od 8. lipnja 2001. godine zaposlen je na FESB-u kao znanstveni novak na
projektima 023052 Energetski tokovi u pasivnim i aktivnim solarnim sustavima (do
2002.) i 0023004 Komponente i sustavi za fotonaponsku pretvorbu Suneve energije
(2002.-) iji je glavni istraiva prof. dr. sc. Ivan Zulim. U travnju 2001. godine upisao je
poslijediplomski studij elektrotehnike na FESB-u. U znanstveno-istraivakom radu bavi
se u prvom redu fotonaponskim sustavima te je u razdoblju od lipnja 2001. do listopada
2005. godine objavio 6 radova na meunarodnim znanstvenim skupovima. Kao asistent
sudjeluje u nastavi na kolegijima Elektronika, Elektronike komponente, Industrijska
elektronika i Sunane elije.

106