EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

AULA 03

Princpio de funcionamento dos Diodos

Curva Caracterstica
Aplicao (Retificador Meia Onda)

Roberto Jacobe Rodrigues

roberto.rodrigues@ufabc.edu.br
2o Quadrimestre de 2011
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Contedo
o Princpio (o diodo no polarizado) e a camada de depleo

o Polarizaes Direta e Reversa

o Tenso de Ruptura
o Simbologia
o Modelos (aproximaes para o Diodo)
o A Curva Caracterstica do Diodo
o Simulao (CircuitMaker)

o Importncia da especificaes de Potncia e de Corrente

o Aplicao 1a: circuitos retificadores de meia onda
o Questes e Exerccios
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Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

O que ocorre se juntarmos os dois

cristais de silcio dopado acima?
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O Diodo no Polarizado
o A regio onde os cristais tipo-p e tipo-n so unidos chama-se juno.
o Esta juno pn conhecida como diodo semicondutor.

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O Diodo no Polarizado

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O Diodo no Polarizado Camada de Depleo

o Devido a diferena de concentrao de portadores e repulso mtua,
eltrons livres no lado n difundem para o lado p.
o Quando um eltron livre sai da regio n cria-se um tomo carregado

positivamente (um on positivo) na regio n.

o medida que penetra na regio p, o eltron livre:

- torna-se um portador minoritrio e

- preenche uma lacuna (quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o
tomo associado torna-se carregado negativamente on negativo).

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O Diodo no Polarizado Camada de Depleo

o Na medida em que o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno
esvazia-se de eltrons livres e lacunas (depleo).
o A camada de depleo age como uma barreira dificultando a continuao da

difuso de eltrons livres atravs da juno.

o A largura da camada de depleo continua aumentando com cada eltron que

a atravessa at que se atinja uma condio de equilbrio.

o Esta barreira de potencial (Tenso Interna) dada pela expresso a seguir.:

Tenso Trmica, 25 mV

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O Diodo no Polarizado Camada de Depleo

A largura da camada de depleo dada por:

Onde xn e xp so as larguras da regio de depleo, respectivamente, nos

lados n e p do diodo.

es a permissividade eltrica
do silcio

es = 1,04x10-12 F/cm
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O Diodo no Polarizado Camada de Depleo

Exerccio 1
Para uma juno pn com NA = 1017/cm3 e ND = 1016/cm3 a uma
temperatura ambiente T = 300 K, determine a tenso interna, a

largura da regio de depleo e as distncias pelas quais ela se

estende no lado p e no lado n. Utilize ni = 1,5x1010/cm3.
Resposta:
V0 = 0,728 V; Wdep = 0,32 mm; xn = 0,03 mm e xp = 0,29 mm

Exerccio 2

Comente os resultados obtidos no Exerccio 1, por exemplo, justifique o fato

de xn << xp e sugira maneiras para obter-se diodos bem menores, ou seja,

que no sejam limitados, em tamanho, por um Wdep = 0,32 mm.

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Polarizao Direta

o Na polarizao direta, o terminal positivo da fonte ligado ao material

tipo-p, e o terminal negativo ao material tipo-n.

o Na medida em que aumenta-se a d.d.p. da bateria a barreira de

potencial diminui e mais eltrons passam da regio n para a regio p.

Polarizao direta

Polarizao direta

Diagrama de Bandas de Energia

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Polarizao Direta
o A polarizao direta pode produzir uma alta corrente eltrica.

o O negativo da fonte repele os eltrons livres da regio n para a juno.

o Estes eltrons podem atravessar a juno e encontrar as lacunas.

o A recombinao ocorre em distncias variveis a partir da juno.

o medida que os eltrons encontram as lacunas, eles se tornam eltrons

de valncia.
o Como eltrons de valncia, os eltrons continuam a se deslocar para a
esquerda atravs das lacunas no material p at ao positivo da fonte.

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Polarizao Reversa
o Se voc mudar a polarizao da fonte CC, voc colocar o diodo em
polarizao reversa.
o Os eltrons livres na regio n passam a se afastar da juno em direo

ao terminal positivo da fonte. As lacunas da regio p tambm passam a se

deslocar da juno para o terminal negativo.

o Camada de depleo fica mais larga.

Polarizao reversa

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Polarizao Reversa
o Relembrando: a energia trmica cria continuamente um nmero limitado de

eltrons livres e de lacunas de ambos os lados da juno, originando os

portadores minoritrios.
o A corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios chamada

corrente de saturao e designada por IS.

o Assim IS dependente da temperatura.
o Com base na experincia, para os diodos de silcio, IS tem o seu valor
quase dobrado a cada aumento de 10C na temperatura.
Nota:
O valor de IS de 5 nA a 25C, ...
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Polarizao Reversa
o A corrente de fuga superficial IFS produzida por impurezas da superfcie

que criam trajetos hmicos para a corrente.

o A corrente reversa IR a soma das corrente IS e IFS.

o especificada para um dado valor de tenso reversa VR e temperatura

ambiente TA.
o Como IS varia com a temperatura e IFS com a tenso, IR varia com a
temperatura e com a tenso.
o Exemplo:
- no diodo lN914, a corrente IR de 25 nA para uma tenso reversa VR =
20 V temperatura ambiente TA = 25C. Se aumentar ou a temperatura ou a

tenso, a corrente reversa aumenta.

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Tenso de Ruptura
o Se aumentar-se muito a tenso reversa, pode-se atingir a tenso de

ruptura do diodo (VBR).

o Devido polarizao reversa, o eltron livre empurrado para a direita.
o Quanto maior a polarizao reversa, mais rpido desloca-se o eltron (o
que equivale a um ganho de energia). Isto causa a corrente de avalanche.
o Por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduzir
intensamente e ser danificado pela excessiva potncia dissipada.

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Simbologia

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Aproximaes do Diodo

Primeira Aproximao - O Diodo Ideal

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Aproximaes do Diodo

Segunda aproximao

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Aproximaes do Diodo

Terceira aproximao

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A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao

Levantamento da Curva Caracterstica usando o simulador de circuitos
CircuitMaker:
http://my.ece.ucsb.edu/bobsclass/2C/Simulation/circuit_maker.htm
Montagem 1

Montagem 2

A simulao consiste em:

1 passo: montar-se o circuito acima;
2 passo: variar a d.d.p. da fonte de tenso;

3 passo: medir a tenso eltrica sobre o diodo e a corrente eltrica no circuito a

cada d.d.p. da fonte de tenso e

4 passo: fazer o grfico da corrente como funo da d.d.p. no diodo.

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A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao

Montagem 1

Tenses
Fonte
Diodo

Corrente

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A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao

Montagem 1

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A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao

Montagem 2

Tenses

Fonte

Diodo

Corrente

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A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao

Montagem 2

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A Curva Caracterstica do Diodo

Na medida em que nos aproximamos do potencial da barreira (por volta de
0,7 V), os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em
grandes quantidades.

Concluso da simulao realizada: verificou-se o incio da conduo do diodo e o

valor aproximado da tenso interna. Tambm verificou-se a parte da curva

caracterstica onde o diodo est polarizado reversamente.

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Importncia das especificaes de Potncia e de Corrente

o Para destruir um diodo basta exceder sua:

- tenso reversa de ruptura ou
- sua especificao mxima de potncia.

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Importncia das especificaes de Potncia e de Corrente

Questo:
Como proteger um diodo da destruio?

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Aplicao 1a: Retificador Meia Onda

Produz-se uma meia onda senoidal de tenso no resistor de carga RL.

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Aplicao 1a: Retificador Meia Onda

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Aplicao 1a: Retificador Meia Onda

Durante o semi ciclo positivo do sinal senoidal de entrada:

Durante o semi ciclo negativo do sinal senoidal de entrada:

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Aplicao 1a: Retificador Meia Onda

Tenso Mdia:

1
Vcc
2

Vcc

VP sentdt

VP
cos t 0
2

VP
1 1
Vcc
2

Vcc

VP

0,318Vp
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Exerccios e Questes

1) Determine a corrente I para o circuito da Figura com VS = 5 V e

RS = 1 k. Assuma que a queda de tenso no diodo de 0,7 V.

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Exerccios e Questes

2) Determine a corrente ID para o circuito da Figura, tendo-se os

valores VDD = 5 V, R = 1 k, rD = 20 e VD0 = 0,65 V.

3) Uma fonte de tenso de 8 V leva o diodo a ter um resistor limitador de corrente de

100 . Nesta situao, a tenso no diodo de 0,75 V. Qual a corrente de operao

do diodo?

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Exerccios e Questes
4) Esboce o grfico I V do exerccio anterior.

5) Levando em considerao a curva caracterstica de um diodo, explique de

forma concisa a sua operao.

6) A tenso VS de 9 V e a resistncia RS de 1 k (figura abaixo). Calcule

a corrente atravs do diodo.

7) Descreva o funcionamento de um circuito retificador de meia onda.

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Avisos
Entrega de Relatrio 1 e realizao da Prtica 2:
o Prxima quarta-feira, 01 de Junho (s 08:00)

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