You are on page 1of 5

Academia Tehnica Militară

Catedra E1

LABORATOR
Polarizarea tranzistorului bipolar
Obiective

Măsurarea punctului static de funcţionare (PSF) a tranzistorului bipolar
Identificarea anumitor parametri ai tranzistorului bipolar în catalogul de
componente
Identificarea situaţiei în care tranzistorul bipolar este blocat
Identificarea situaţiei în care tranzistorul bipolar este în saturaţie


SCHEMA DE LUCRU
+VCC

☺ Componente şi echipamente utilizate:

RC
RB1

1k

56k
T1

VCE
VBE

18k
RB2

Tranzistor bipolar npn BC107,
BC108, BC109, etc.
Rezistoare de polarizare
bază (RB1, RB2) – zeci kΩ
Rezistoare de polarizare E,C : RE, RC – kΩ
Sursa de tensiune VCC=12V
Conectori
VC Voltmetru curent continuu

VE
VB

RE
2,4k

CONSULTARE CATALOG
Să se consulte catalogul pentru a vedea următoarele valori de catalog ale tranzistorului utilizat!
Se notează: h fe   F  ___________(min) ... ___________(max)
, VCesat =
,
configuraţia terminalelor : E, B, C.

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

1

Laborator DCE

se determină direct cu voltmetrul valorile tensiunilor în punctele: bază VB = ______. dr. E .2_____. .VE=__________.VE=__________.VE=__________.indirect se determină VBE = VB-VE = ___________ şi respectiv VCE =VC . . de ordinul zeci de kΩ (exemplu RC=56k). V  VC VE  ____________.indirect se determină VBE = VB-VE = ___________ şi respectiv VCE =VC . emitor VE = __0____. colector VC =________. . . V  VC VE  ____________. emitor VE = ___560mV___.indirect se determină I E  RE RC b) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de saturaţie Schema de lucru rămâne aceeaşi cu cea din RAN.Academia Tehnica Militară Catedra E1 1. colector VC =___12. I C  CC  _________ .3mV___. emitor VE = ______. Doru Munteanu 2 Laborator DCE .indirect se determină I E  RE RC c) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de blocare . atenţie la poziţionarea terminalelor tranzistorului conform datelor de catalog! Tote determinările se vor face cu ajutorul voltmetrului prin determinarea de potenţiale electrice (tensiuni).se determină direct cu voltmetrul valorile tensiunilor în punctele: bază VB = ___0___. V  VC VE  ____________. Curenţii vor fi determinaţi indirect prin măsurarea tensiunii pe rezistoare şi aplicarea legii lui Ohm. ing. MĂSURĂTORI PRACTICE PE MACHETĂ a) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea activă normală (RAN) se realizează schema de mai sus utilizând macheta de lucru. Tensiunile se vor determina indirect prin diferenţă de potenţiale. colector VC =____600mV____. Voltmetru CC Sondă C .B VE Masă . I C  CC  _________ .indirect se determină VBE = VB-VE = ___________ şi respectiv VCE =VC .indirect se determină I E  RE RC Cpt.se determină direct cu voltmetrul valorile tensiunilor în punctele: bază VB = ___1. . cu excepţia faptului că RC se setează la o valoare foarte mare. I C  CC  _________ .

VCE = ______. VE = ______. . VC = ______.  F  = __________ IB b) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de saturaţie Schema de lucru rămâne aceeaşi cu cea din RAN. dr.se determină direct în analiza Bias Point Detail valorile următoarelor mărimi: IC = ______ .se determină direct în analiza Bias Point Detail valorile următoarelor mărimi: IC = ______ .se determină direct în analiza Bias Point Detail valorile următoarelor mărimi: IC = ______ . ing. VB = ______ - se determină indirect următoarele mărimi: IC VBE = ______. excepţia faptului că RB2 se scurtcircuitează (RB2=0). de ordinul zeci de kΩ (exemplu RC=56k). VB = ______ - se determină indirect următoarele mărimi: IC VBE = ______. .  F  = __________ IB c) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de blocare Schema de lucru rămâne aceeaşi cu cea de la RAN. IE = ______. VC = ______. VB = ______ - se determină indirect următoarele mărimi: IC VBE = ______. IB = ______. VE = ______. IB = ______. DETERMINĂRI ÎN SIMULARE (ORCAD) a) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea activă normală (RAN) .Academia Tehnica Militară Catedra E1 2. Doru Munteanu 3 Laborator DCE . VC = ______. VCE = ______. IE = ______. IB = ______. IE = ______. VE = ______. VCE = ______. cu excepţia faptului că RC se setează la o valoare foarte mare.  F  = __________ IB Cpt.

excepţia faptului că RB2 se scurtcircuitează (RB2=0). unde VCEsat este parametru de catalog. ___________ . de ordinul zeci de kΩ (exemplu RC=56k). RB  RB1 || RB 2   _______.  RE F b) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de saturaţie Schema de lucru rămâne aceeaşi cu cea din RAN. cu excepţia faptului că RC se setează la o valoare foarte mare.Academia Tehnica Militară Catedra E1 3.curentul de colector nu va mai respecta formula din RAN şi poate fi determinat astfel: I C  0 . . C VE  RE  I C  __________ . CALCUL PSF a) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea activă normală (RAN) .tensiunea VCE  VCC   RC  RE   I C c) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de blocare Schema de lucru rămâne aceeaşi cu cea de la RAN. .tensiunea VCE  VCC   RC  R E   I C  Cpt. .curentul de colector RB 2 RB1  RB2  ______.65 V.potenţialele la nivelul celor trei terminale E. ing. Evident VCE  VCEsat iar  RE F VBE  0. VBB  VCC RB1  RB2 RB1  RB2 IC  VBB  VBE RB = ______. .potenţialele la nivelul celor trei terminale E. unde  F este parametru de catalog şi VBE  0. .65 V. B. dr. Doru Munteanu 4 Laborator DCE . Evident VCE  VCC   RC  RE   I C  VCC  _______ iar VBE  0 V. C VE  RE  I C  0 VB  VE  VBE  0 VC  VCC  RC  I C  VCC  .curentul de colector nu va mai respecta formula din RAN şi poate fi determinat astfel: V  VCEsat I C  CC RB = ______. VB  VE  VBE  . B. VC  VCC  RC  I C  ___________ ___________ .

ing. APLICAŢIE – SENZOR DE NIVEL APĂ BAZAT PE TRANZISTORUL BIPOLAR ÎN REGIM DE COMUTAŢIE BLOCAT/CONDUCŢIE +VCC ☺ Observaţii: . şi curentul IC în cele două situaţii –ON/OFF LED T1 Vas cu apă RB2 RE Cpt. Doru Munteanu 5 Laborator DCE .se măsoară tensiunile VBE . VCE.Academia Tehnica Militară Catedra E1 4. dr.