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Sesin 19

Respuesta en Frecuencia de
Amplificadores con Transistores
Componentes y Circuitos Electrnicos
Pablo Acedo
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Respuesta en Frecuencia de
Amplificadores con Transistores
CONTENIDOS

Fundamentos y las herramientas utilizadas en el


anlisis en frecuencia de circuitos amplificadores con
transistores.
Modelo en pequea seal en alta frecuencias para BJT
y FET.
Anlisis en alta frecuencia de circuitos amplificadores.
Mtodo de las constantes de tiempo en Circuito Abierto.
Ejemplos.
Anlisis en baja frecuencia de circuitos amplificadores.
Mtodo de las constantes de tiempo en Cortocircuito.
Ejemplo.

UC3M 2009

CCE - Sesin 19

Fundamentos
Circuito RC Paso Bajo
20log|Vo(j)/Vg(j) | (dB)
0dB
-20dB
V
1
T (s) = o =
Vg 1 + ( s / 0 )

T ( j ) =

1
1 + ( / 0 )2
1

( ) = tan ( / 0 )
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()
0

o/10

10o

o/10

10o

=2f

=2f

-45
-90
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Fundamentos
Circuito RC Paso Alto
20log|Vo(j)/Vg(j) | (dB)
0dB
-20dB

Vo
s
T ( s) =
=
Vg s + 0

o/10
90

1 + (0 / ) 2

45

( ) = tan 1 (0 / )

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10o

o/10 o

10o

=2f

()

T ( j ) =

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=2f
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Fundamentos
Diagrama de Bode (Amplitud y Fase)
20log|Vo(j)/Vg(j) | (dB)
20log(Ao) dB

20dB

1/10

90
45
0
-45
-90
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()

1 101

2/10 2 102

10s
T ( s) =
1 + s / 102 * 1 + s / 105

)(

=2f

2/10 2 102
1/10 1 101

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=2f

Funadamentos: Tres Bandas de Frecuencia

20log|Av (j)|

(dB)
Frecuencias medias

Baja
frecuencia
Ci, Co, Ce

20log(Ao) dB

fci
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Alta
frecuencia
C, C

Ancho de banda
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fcs

f (Hz)
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Modelo en Pequea Seal en Alta Frecuencia


BJT

Frecuencia de
Transicin

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gm
fT =
2 (C + C )

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Modelo en Pequea Seal en Alta Frecuencia


FET

Frecuencia de
Transicin

UC3M 2009

gm
fT =
2 (C gs + C gd )

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Anlisis en alta frecuencia de circuitos


amplificadores.

La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con


transistores est fijada por los condensadores internos y
las constantes de tiempo asociadas.
En general, se har la suposicin de que la respuesta
en frecuencia viene fijada por un POLO DOMINANTE.
De esta manera, el anlisis en alta frecuencia se reduce
al clculo de la frecuencia de corte superior asociada a
este polo dominante.
El clculo del polo dominante se realizar aplicando el
MTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO EN
CIRCUITO ABIERTO.

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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Circuito Abierto.

1
f cs (3dB) =
2

1
0
Ri Ci
i

Donde:

Ci son cada uno de los condensadores que actan en


alta frecuencia: Condensadores intrnsecos a los
dispositivos (circuito equivalente), o condensadores
pequeos de caracterstica paso-bajo introducidos
para controlar la respuesta en frecuencia del circuito.
R0i es la impedancia que ve cada uno de los
condensadores con el resto EN CIRCUITO ABIERTO

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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Circuito Abierto. EJEMPLO (I)

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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Circuito Abierto. EJEMPLO (II)
R0 = RB // r // Rg (1 + g m RC // RL ) + RC // RL

R0 = RB // r // Rg

1
1
fcs =
2 C (r // RB // Rg ) + C (RB // r // Rg (1+ gmRC // RL ) + (RC // RL ))
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Teorema de Miller. Ejemplo (I)

Cmu (1-K)

K = gm RC // RL
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Teorema de Miller. Ejemplo (II)


Comparacin con Polo Dominante
1
1
fcsM =
2 (r // RB // Rg ) [C + C (1+ gmRC // RL )]

1
1
fcs =
2 C (r // RB // Rg ) + C (RB // r // Rg (1+ gmRC // RL ) + RC // RL )

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Anlisis en baja frecuencia de circuitos


amplificadores.

La Respuesta en baja frecuencia de circuitos con


transistores est fijada por los condensadores de acoplo
y las constantes de tiempo asociadas.
En general, se har la suposicin de que la respuesta
en frecuencia viene fijada por un POLO DOMINANTE.
De esta manera, el anlisis en baja frecuencia se
reduce al clculo de la frecuencia de corte inferior
asociada a este polo dominante.
El clculo del polo dominante se realizar aplicando el
MTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO EN
CORTOCIRCUITO.

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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Cortocircuito.

1
f ci (3dB) =
2

1
R C
i
i
i

Donde:
Ci son cada uno de los condensadores DE ACOPLO
presentes en el circuito.
Ri es la impedancia que ve cada uno de los
condensadores con el resto EN CORTOCIRCUITO

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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Cortocircuito. EJEMPLO (I)

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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Cortocircuito. EJEMPLO (II)

RCi
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= Rg + RB // r
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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Cortocircuito. EJEMPLO (III)

RE
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= RE //

r + ( Rg // RB )
1 + 0

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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Cortocircuito. EJEMPLO (IV)

Co

R = RC + RL
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Mtodo de las Constantes de Tiempo en


Cortocircuito. EJEMPLO (V)

1
1
1
1

fci =
+
+
r + (Rg // RB ) Co (RC + RL )
2 Ci (Rg + RB // r )

CE RE //

1+ 0

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Ejercicio Propuesto

+Vdd = 15 V
RS = 560
RG = 1 M
Rg = 50

RD = 5,6 K
RL=10 K

Ci = 10 F
C0=10 F

Transistor:
IDSS= 10 mA

VP = -2 V

Cgd=0.36 pF
Cgs=1 pF

ID = IDSS (1-VGS/VP)2
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