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UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO

INSTITUTO DE FSICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

CARACTERIZAO PTICA DE FILMES FINOS

Rafael Cardim Pazim

Cuiab-MT
Agosto de 2011

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO


INSTITUTO DE FSICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM FSICA

CARACTERIZAO PTICA DE FILMES FINOS

Rafael Cardim Pazim

Dissertao apresentada ao Programa de PsGraduao em Fsica da Universidade Federal


de Mato Grosso, como parte dos requisitos necessrios para a obteno do ttulo de Mestre
em Fsica.

Orientador: Prof. Dr. Rogrio Junqueira Prado

Cuiab-MT
Agosto de 2011

Pazim, Rafael Cardim


Caracterizao ptica de filmes finos / Rafael Cardim Pazim. - 2011.
108f.

Dissertao (mestrado) - Universidade Federal de Mato Grosso.


Instituto de Fsica, 2011.
Orientador: Prof. Dr. Rogrio Junqueira Prado, Instituto de Fsica.

1. Filmes finos 2. Caracterizao ptica


3. Transmitncia 4. Partculas dispersas I. Ttulo.

CDU - 535

UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO


INSTITUTO DE FislCA
PROGRAMA DE P6S-GRADUA~AO EM FislCA
Fone- 656158734/8937
E-mail: pgf@fisica.ufmt.br

FOLHA DE APROVACAO

Titulo: "Caracterizacao Optica de Filmes Finos"


Autor: Rafael Cardim Pazim
Dissertac;ao de Mestrado defendida em 12 de agosto de 2011 e
aprovada pela Banca Examinadora:

,eQ~_

Pro. D. og' io Junqueira Prado


Universidade Federal de Mato Grosso - IF/UFMT
r

t-~v- ~

Prof. Dr. Edson Ferreira Chagas

Universidade Federal de Mato Grosso - UFMT

Examinador Interno

Contedo
Lista de Tabelas

iii

Lista de Figuras

iv

Resumo

vii

Abstract

viii

1 Introduo

2 Tcnicas de Deposio

2.1

Deposio Qumica a Vapor Assistida por Plasma . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.2

Sputtering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3 ptica de Filmes Finos

10

3.1

Condies de Contorno do Campo Eletromagntico . . . . . . . . . . . . . . . . . .

10

3.2

ndice de Refrao Complexo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

13

3.3

Coeficientes de Fresnell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16

3.4

Reflexo e Transmisso de Luz por um nico Filme . . . . . . . . . . . . . . . . . .

25

4 Anlise ptica de Filmes Finos Homogneos

29

4.1

Espectro de Transmitncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

29

4.2

ndice de Refrao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

32

4.3

Coeficiente de Extino . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

42

4.4

Refletncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

45

5 Anlise ptica de Filmes Finos Inomogneos

48

5.1

Rugosidade Superficial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

49

5.2

Perfil de Inomogeneidade em Profundidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

51

5.3

Modelo de Partculas Dispersas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

53

6 Resultados e Discusso

56

6.1

Anlise ptica por Modelos para Filmes Homogneos . . . . . . . . . . . . . . . . .

56

6.2

Verificao das Constantes pticas e Espessura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

68

6.3

Obteno numrica das constantes pticas e espessura. Filmes Muito Finos . . . . .

72

6.4

Modelo de Partculas Dispersas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

85

6.4.1

Simulao do Filme A-2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

85

6.4.2

Filmes A-3, A-4 e A-5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

93

7 Concluso

101

Bibliografia

104

ii

Lista de Tabelas
2.1

Condio de deposio dos filmes de carbeto de silcio amorfo hidrogenado. . . . . .

2.2

Condies de deposio dos filmes de nitreto de alumnio. . . . . . . . . . . . . . . .

6.1

Sumrio dos valores do ndice de refrao esttico ne e os parmetros E0 e Ed para


todos os filmes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6.2

Espessura dos filmes, em nanmetros, calculada pelo programa (dpro ) e obtida por
perfilometria (dper ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6.3

58
61

Gap ptico obtido pelos mtodos de Tauc e E04 . Os valores em parnteses esto
corrigidos pela refletncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

63

6.4

Constante g e correlao de E04 e ETauc com E04 (R).

66

6.5

Parmetro de qualidade 2 dos espectros da Figura 6.10. Estes valores esto nor-

. . . . . . . . . . . . . . . .

malizados pela quantidade de pontos da faixa espectral a qual os espectros foram


comparados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.6

68

Resultados obtidos para o filme A-2 simulado com partculas comparados com os
valores corretos. Legenda: espessura (d), tamanho de partculas (tp), nmero de
feixes (nf). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6.7

92

Resultados do modelo de partculas dispersas obtidos para os filmes A-3, A-4 e A-5.
Legenda: espessura (d), tamanho de partculas (tp), nmero de feixes (nf). . . . . .

iii

98

Lista de Figuras
2.1

Reator PECVD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.1

Superfcie gaussiana e loop amperiano

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

3.2

Coeficiente de extino . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16

3.3

Geometria considerada para a obteno do coeficientes de Fresnell . . . . . . . . . .

19

3.4

Refletncia e transmitncia de um filme transparente. . . . . . . . . . . . . . . . . .

24

3.5

Modelo ptico do sistema ar-filme-substrato. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

25

4.1

Espectro de transmitncia tpico de filmes finos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

30

4.2

Envoltrios mximos e mnimos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

32

4.3

ndice de refrao preliminar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

35

4.4

Disperso da espessura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

37

4.5

Ajuste da ordem dos mximos e mnimos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

38

4.6

ndice de refrao refinado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

39

4.7

Modelo Wemple-DiDomenico, obteno dos parmetros . . . . . . . . . . . . . . . .

40

4.8

ndice de refrao conforme modelo de Wemple-DiDomenico . . . . . . . . . . . . .

41

4.9

Espectro de transmitncia livre de interferncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

43

4.10 Coeficientes de absoro e extino . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

45

4.11 Refletncia de um filme fino . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

47

5.1

Modelagem da variao de espessura contnua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

49

5.2

Modelagem de rugosidade superficial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

50

5.3

Alguns perfis em profundidade. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

52

6.1

ndice de refrao dos filmes C-1 e C-2 e do SiC cristalino obtido por outros autores

57

6.2

ndice de refrao dos filmes A-1 a A-5 e obtido por outros autores

. . . . . . . . .

57

6.3

ndice de refrao esttico e contedo de carbono . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

59

6.4

Absorbncia e coeficientes de absoro de todos os filmes . . . . . . . . . . . . . . .

60

6.5

Coeficientes de extino de todos os filmes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

61

6.6

Gap ptico corrigido pela refletncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

64

6.7

Significado fsico do parmetro E0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

65

iv

6.8

Anlise dos valores do gap . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

66

6.9

ndice de refrao esttico e gap ptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

67

6.10 Transmitncia comparada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

70

6.11 Difratograma do filme A-5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

71

6.12 Microscopia eletrnica de transmisso de alta resoluo . . . . . . . . . . . . . . . .

71

6.13 Coeficiente de extino utilizado como palpite inicial da minimizao numrica . . .

73

6.14 Coeficiente de extino utilizado como palpite inicial para a minimizao numrica .

74

6.15 Coeficiente de extino final obtido pela minimizao numrica . . . . . . . . . . . .

75

6.16 Filme fino caracterizado pela minimizao numrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .

76

6.17 ndice de refrao e coeficiente de extino de um filme muito fino. . . . . . . . . . .

77

6.18 Filme fino caracterizado pela minimizao numrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .

77

6.19 Coeficiente de extino do filme C-1 calculado pelo mtodo numrico. . . . . . . . .

78

6.20 ndice de refrao do filme C-1 calculado pelo mtodo numrico. . . . . . . . . . . .

78

6.21 Filme fino caracterizado pela minimizao numrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .

79

6.22 Coeficiente de extino do filme C-2 calculado pelo mtodo numrico. . . . . . . . .

79

6.23 ndice de refrao do filme C-2 calculado pelo mtodo numrico. . . . . . . . . . . .

80

6.24 Filme fino caracterizado pela minimizao numrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .

80

6.25 Coeficiente de extino do filme A-1 calculado pelo mtodo numrico. . . . . . . . .

81

6.26 ndice de refrao do filme A-1 calculado pelo mtodo numrico. . . . . . . . . . . .

81

6.27 Filme fino caracterizado pela minimizao numrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .

82

6.28 Coeficiente de extino do filme A-2 calculado pelo mtodo numrico. . . . . . . . .

82

6.29 ndice de refrao do filme A-2 calculado pelo mtodo numrico. . . . . . . . . . . .

83

6.30 Perfil de inomogeneidade: rampa positiva e negativa. . . . . . . . . . . . . . . . . .

84

6.31 Perfil de inomogeneidade: degrau. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

85

6.32 Espectro do filme A-2 simulado com 50% do feixe incidente atravessando partculas
com tamanho de 30 nm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

87

6.33 ndice de refrao do filme A-2 simulado com 50% do feixe incidente atravessando
partculas com tamanho de 30 nm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

88

6.34 Simulao do filme A-2 com partculas: coeficiente de extino . . . . . . . . . . . .

89

6.35 Ajuste dos parmetros do modelo de partculas dispersas, ndice de refrao e espessura 90
6.36 Qualidade do ajuste utilizando k obtido do mtodo do envelope (com erros) e k correto 91
6.37 Obteno numrica do coeficiente de extino do filme A-2 simulado com partculas.

92

6.38 Correo do coeficiente de extino do filme A-3.

93

. . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6.39 ndice de refrao corrigido do filme A-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

94

6.40 Detalhe da transmitncia final do filme A-3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

95

6.41 Otimizao do ndice de refrao do filme A-4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

95

6.42 Coeficiente de extino otimizado do filme A-4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

96

6.43 Detalhe do coeficiente de extino otimizado do filme A-4. . . . . . . . . . . . . . .

96

6.44 Trasmitncia otimizada do filme A-4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

97

6.45 Correo do coeficiente de extino do filme A-5.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . .

97

6.46 Otimizao do ndice de refrao do filme A-5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

99

6.47 Trasmitncia corrigida do filme A-5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100

vi

Resumo
Este trabalho trata da caracterizao ptica de filmes finos na faixa espectral entre o ultravioleta e
o infravermelho prximo (UV-VIS-NIR). Nele so apresentados resultados para o ndice de refrao
complexo, gap ptico e espessura de filmes finos, obtidos atravs da anlise de seus respectivos espectros de transmitncia. Um programa em linguagem FORTRAN foi desenvolvido para esta anlise
de dados, utilizando como base o mtodo do envelope. Foram caracterizados filmes finos de carbeto
de silcio amorfo hidrogenado, depositados por PECVD, e de nitreto de alumnio, depositados por
sputtering. Em adio aos mtodos j citados na literatura, e tradicionalmente utilizados, foram
desenvolvidas novas metodologias e modelos que permitiram a anlise de filmes extremamente finos
(da ordem de uma centena de nanometros), filmes inomogneos pela presena de nanocristais em
seu volume, e um mtodo numrico que permite a obteno de coeficientes de extino mais precisos
que os obtidos pelo mtodo do envelope e variantes. Os dados obtidos foram comparados, a medida
do possvel, com dados experimentais, demonstrando a validade e aplicabilidade dos modelos e/ou
mtodos propostos.

vii

Abstract
The aim of this work is the optical characterization of thin films in the spectral range between ultraviolet and the near infrared (UV-VIS-NIR). Here, results for the complex refraction index, optical
gap and thickness of thin films, obtained by the optical analysis their transmittance spectrum, are
presented. A program in FORTRAN language, based on the envelope method, was developed to
perform this analysis. Thin films of hydrogenated amorphous silicon carbide, deposited by PECVD,
and aluminum nitride, deposited by sputtering, were characterized. In addition to the methods already mentioned in the literature, the development of new methodologies and models allowed the
analysis of thin films having about a hundred nanometers and films presenting nanocrystals in its
volume. Also, a numerical method presented here allows the obtaining of more accurate extinction coefficients than those found by the envelope method and its variants. The data obtained in
this work were compared, when possible, with experimental data, demonstrating the validity and
applicability of the proposed models and/or methods.

viii

Captulo 1
Introduo
Os filmes finos possuem inmeras aplicaes, dentre elas esto sistemas anti-reflexo, sistemas
altamente refletores, filtros interferomtricos, dispositivos de polarizao e sistemas absorvedores de
calor [1]. Filmes finos tambm so largamente utilizados na microeletrnica e esto sendo estudados
como barreiras de alta constante dieltrica [2], transistores de filmes finos [3], alm de dispositivos
opto-eletrnicos [4], micro-eletro-mecnicos e outros [5].
Filmes finos de alumina [6], oxinitreto de silcio [7] ou silcio sobre isolante [8] so utilizados como
guias de onda e desempenham funes importantes em dispositivos baseados em ptica integrada,
tais como comunicao ptica e sensores pticos. Filmes de HgCdTe so especialmente utilizados
como sensores pticos de alta performance na regio espectral do infravermelho [9].
MgF2 e ZnS so materiais importantes no planejamento de filtros, espelhos e coberturas antirefletoras para instrumentao ptica [10]. Propriedades como eletrocromismo e fotocromismo esto
presentes em filmes xido-cermicos nanocristalinos [11].
Vidros calcogenetos so utilizados em chaves pticas ultra-rpidas, conversores de frequncia,
amplificadores pticos, dispositivos de gravao e memria ptica, alm de ptica integrada, laseres
no infra-vermelho e fibras pticas transmissoras no infra-vermelho [1214].
Potenciais aplicaes em seletor solar, coberturas decorativas e dispositivos de resfriamento
ptico e termoeltrico esto sendo estudadas para filmes de Sb2 Se3 . Filmes de Sb2 S3 esto sendo
avaliados para uso como material do alvo em cmeras de televiso, assim como em chaveamento e
dispositivos opto-eletrnicos [15, 16].
Como as aplicaes de filmes finos so inmeras, h sempre a expectativa de que novos filmes
possibilitem o surgimento de novas tecnologias ou que aperfeioem as j existentes. Por isso a

necessidade de conhecer melhor suas propriedades e compreender os fenmenos fsicos que regem
esses sistemas. Neste sentido, os filmes finos so frutfero e empolgante objeto de estudo, tanto da
cincia bsica quanto da cincia aplicada.
Existem tcnicas para se obter desde caractersticas mecnicas de filmes finos at sua estrutura
de bandas, passando por suas caractersticas eltricas e ordem molecular, ou seja, os filmes podem
ter exploradas desde suas propriedades macroscpicas at as suas propriedades microscpicas.
Neste contexto, a caracterizao ptica fundamental tanto para a pesquisa bsica em novos
materiais quanto para a confeco de disposisitivos pticos na indstria ou academia. A caracterizao ptica compreende a obteno do ndice de refao, n(), coeficiente de extino, k(),
espessura do filme e gap ptico.
H muitos caminhos que podem ser percorridos na busca das constantes pticas de filmes finos.
As vrias tcnicas disponveis diferem entre si, principalmente, pela preciso relativa, convenincia
experimental e se as constantes pticas1 so desejadas em determinada frequncia ou numa faixa
delas [17].
Vrios mtodos foram propostos para a obteno das constantes pticas na regio espectral que
vai do ultravioleta ao infravermelho prximo. Alguns fornecem tambm a espessura do filme. Essas
informaes so obtidas atravs da anlise dos espectros de transmitncia, refletncia ou ambos
para um filme fino sobre substrato espesso absorvedor ou no.
Alguns dos primeiros pesquisadores a propor mtodos numricos com esta finalidade foram,
conforme [19], Hall et al em 1955 e Lyashenko et al em 1964, alm de Wales et al em 1967 e
Szczyrbowski et al em 1977. Os mtodos consistiam basicamente de aproximaes e interpolaes
sucessivas que permitiam encontrar as constantes pticas e espessura a partir dos dados da transmitncia e refletncia do filme, ou seja, era um procedimento que continha inmeras iteraes, por
vezes somente possveis com a ajuda de elaborados clculos computacionais [18, 19]. Esse tipo de
busca fornecia bons resultados, mas apresentava um grave problema de mltiplas solues para
1

frequente referir-se ao ndice de refrao e coeficiente de extino como constantes pticas, entretanto importante notar que eles no so constantes, mas sim funes do comprimento de onda.

valores singulares de refletncia, transmitncia e espessura. Essas mltiplas solues eram intrnsecas s equaes utilizadas para descrever a transmitncia e refletncia dos filmes, que possuam
natureza oscilatria.
Alcanando grande salto em simplicidade com manuteno da preciso dos resultados, em 1976,
Manifacier [18] derivou equaes explcitas para as constantes pticas e espessura dos filmes finos,
sendo que seu mtodo foi denominado envelope e apenas necessitava do espectro de transmitncia, eliminando os clculos iterativos e as indesejadas mltiplas solues. Mais tarde, em 1983,
Swanepoel [19] conseguiu melhorar ainda mais algumas equaes obtidas por Manifacier, todavia o
mtodo do envelope permanece altamente confivel nos casos em que ele aplicvel.
O mtodo do envelope ser largamente discutido nesse trabalho por meio de exemplos de sua
aplicao em filmes de carbeto de silcio e nitreto de alumnio. Na literatura [1115, 2022], o mtodo
do envelope utilizado com sucesso para a caracterizao de filmes finos. Outras propriedades dos
filmes, no obtidas diretamente do referido mtodo, sero apresentadas e discutidas, ampliando,
assim, as perspectivas do que pode ser extrado da caracterizao ptica de filmes finos.
Portanto, neste trabalho, ser discutida a caracterizao ptica completa de filmes finos de
carbeto de silcio amorfo hidrogenado e nitreto de alumnio. A caracterizao ptica ser feita
por meio do mtodo do envelope, o qual foi implementado em FORTRAN. Este programa fornece,
alm do ndice de refrao complexo e espessura do filme, o gap ptico, espectro de transmitncia
calculado e avaliao da qualidade dos resultados obtidos.
Alm do mtodo do envelope, ser apresentado e testado um mtodo de minimizao numrica
para a obteno das constantes pticas e espessura, que tem a vantagem de ser aplicvel a filmes
mais finos, impossveis de serem caracterizados pelo referido mtodo j existente na literatura.
A influncia da espessura e da refletncia na obteno do gap ptico, o limite de trabalho para
filmes muito e pouco espessos e a relao do ndice de refrao com a composio qumica do filme
(de carbeto de silcio) tambm sero discutidos.
Todavia, alguns filmes de nitreto de alumnimio apresentaram inomogeneidade causada por
3

partculas cristalinas dispersas em uma matriz amorfa, portanto tambm so discutidos modelos
da literatura para filmes inomogneos alm de um modelo de partculas dispersas proposto neste
trabalho. Tal modelo aqui proposto mostra-se eficiente e extremamente verstil, fornecendo o
tamanho e a quantidade de partculas presentes no filme, alm das constantes pticas e espessura.
No captulo 2, so apresentadas as tcnicas de deposio qumica a vapor assistida por plasma
e sputtering, utilizadas na obteno dos filmes de carbeto de silcio e nitreto de alumnio, respectivamente. Tambm discute-se brevemente os processos de deposio e as condies adotadas para
os filmes deste trabalho.
No captulo 3, introduzida a teoria eletromagntica clssica aplicada a filmes finos. As equaes
de transmitncia de filmes finos sero obtidas a partir de conceitos fsicos fundamentais. Tambm
apresentada a maneira de descrever a fase da onda e a equao da transmitncia num sistema
ar-filme-substrato-ar, requisitos tambm necessrios para a compreenso do modelo de partculas
dispersas proposto no captulo 5.
O captulo 4 trata da utilizao da equao de transmitncia obtida no captulo anterior. Ser
apresentado o mtodo do envelope, que o principal procedimento de anlise de dados de filmes
homogneos utilizado na literatura. As peculiaridades do programa em FORTRAN que utiliza o
mtodo sero discutidas convenientemente no corpo do captulo.
No captulo 5, discute-se a inomogeneidade em filmes finos, o que a caracteriza e como um
bom modelo pode ajudar nas anlises de dados outrora inutilizados. Em especial, so apresentados
os modelos da literatura para filmes no homogneos, a dizer: rugosidade superficial e perfil de
inomogeneidade em profundidade. Por fim, discutido o modelo de partculas dispersas proposto
neste trabalho, cujos resultados so apresentados no captulo seguinte.
No captulo 6, so apresentados e discutidos os resultados obtidos com o uso do mtodo do
envelope. O ndice de refrao e o gap ptico so comparados com resultados da literatura. A
espessura obtida pelo mtodo ptico comparada com a espessura obtida pelo mtodo mecnico.
O mtodo de minimizao numrica descrito e aplicado aos filmes estudados, seus resultados so

comparados com os resultados obtidos pelo mtodo do envelope. Tambm apresentada a evidncia
de cristalitos presentes em alguns dos filmes de nitreto de alumnio e os resultados do modelo de
partculas dispersas aplicado a eles.
No captulo 7, est a concluso do trabalho, onde so descritos os xitos deste trabalho e a sua
importncia em mbito local, UFMT, e para a sociedade cientfica global, j que alguns resultados
aqui obtidos so inditos.

Captulo 2
Tcnicas de Deposio
Este captulo apresenta as tcnicas experimentais utilizadas para a deposio dos filmes finos
analisados no decorrer desse trabalho.
Foram utilizadas duas tcnicas de deposio disponveis no Laboratrio de Microeletrnica da
Escola Politcnica da Universidade de So Paulo (LME, Poli-USP): 1) Deposio Qumica a Vapor
Assistida por Plasma, PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition); 2) Pulverizao
Catdica Reativa, ou simplesmente Sputtering, num equipamento da marca Balzers, modelo BAS
450.

2.1

Deposio Qumica a Vapor Assistida por Plasma

O mtodo PECVD uma variante do mtodo CVD (Chemical Vapour Deposition). Neste processo reagem quimicamente compostos volteis do material que ser depositado juntamente com
outros gases, para produzir um slido no voltil que depositado atomisticamente no substrato.
Processos CVD em alta temperatura so utilizados na fabricao de filmes e coberturas para diversas aplicaes, tais como dispositivos eletrnicos de estado slido, ferramentas de corte e at
em mecanismos de foguetes e de reatores nucleares [23]. As outras variantes so presso atmosfrica APCVD (Atmospheric Pressure), baixa presso LPCVD (Low Pressure) e assistida por laser
LECVD (Laser Enhanced ).
As propriedades dos filmes depositados em um reator PECVD, em geral pelos mtodos de vapor,
dependem fortemente das condies de deposio [24], que so temperatura do substrato, fluxo dos
gases, presso do processo, potncia da radiofrequncia e tempo de deposio. O controle desses
parmetros permite obter controle sobre, por exemplo, tipos de ligaes qumicas predominantes,

Figura 2.1: Representao esquemtica do reator PECVD utilizado para depositar os filmes de
carbeto de silcio amorfo hidrogenado.
cristalinidade, espessura, ndice de refrao e gap ptico. Por esse motivo, alm de outros, comum
estudar-se sries de deposies a fim de correlacionar as propriedades dos filmes com a mudana de
uma ou mais condies de deposio. Na Figura (2.1) mostrada uma representao esquemtica
do reator utilizado neste trabalho.
Uma das grandes vantagens em se usar a tcnica de PECVD, em vez de simplesmente a CVD,
a possibilidade de trabalho em regimes de temperaturas mais baixas, visto que o plasma torna a
mistura mais reativa em relao a uma simples mistura de gases aquecidos, como no caso do CVD.
De fato, durante o regime de plasma, os eltrons livres so acelerados de 1 a 10 eV, enquanto os ons
e elementos neutros, que podem ser tomos ou molculas, tem (baixa) energia em torno de 0,1 eV,
portanto, produz-se dois grupos, um quente e um frio. O aumento da reatividade devido a ao
do grupo quente, que inicia as reaes qumicas atravs de choques com o grupo frio.
O plasma gerado por uma fonte de radiofrequncia de 13,56MHz. A referida fonte acoplada

capacitivamente, ou seja, h duas placas paralelas que atuam como ctodo e nodo; o tamanho da
rea de deposio e a uniformidade dos filmes dependem das dimenses dessas placas capacitivas.
Portanto, importante que os eletrodos sejam grandes o suficiente para proporcionar deposio
uniforme sobre toda a rea desejada.
A posio do porta-substrato e a qualidade dos filmes tambm esto ligadas ao tipo de eletrodo
utilizado. Neste trabalho, foram utilizadas grades como eletrodos e o porta-substrato ficava logo
aps o ctodo, fazendo com que as partculas depositadas sejam eletricamente neutras, o que reduz
a quantidade de defeitos no filme [25]. Outro fato que melhora a qualidade dos filmes o alto vcuo
feito na cmara antes da deposio, que retira partculas indesejadas da atmosfera, impedindo sua
agregao nos filmes.
Neste trabalho, foram depositados filmes de carbeto de silcio amorfo hidrogenado, a-SiC:H. O
fluxo de silano, metano e hidrognio, a temperatura de deposio e a potncia Rf utilizados esto
na Tabela 2.1.
Tabela 2.1: Condio de deposio dos filmes de carbeto de silcio amorfo hidrogenado.
Filme
C-1
C-2

2.2

SiH4 (sccm)
2,7
0,9

CH4 (sccm)
25,4
8,1

H2 (sccm)
300
300

T( C)
300
300

Potncia RF (W)
100
100

Sputtering

Os filmes de nitreto de alumnio foram depositados pela tcnica de Sputtering. O processo


de deposio dos filmes finos de nitreto de alumnio consiste em bombardear, com um plasma
de argnio, um alvo de alumnio, lanando tomos do alvo na atmosfera. Quando em direo ao
substrato, esses tomos ejetados reagem (da o nome de sputtering reativo) com nitrognio, tambm
presente na atmosfera, formando nitreto de alumnio.
Antes de cada deposio, feito alto vcuo na cmara e preenche-se o seu interior com os gases
utilizados no processo, argnio e nitrognio. O equipamento possui uma cmara tipo Loadlock para
8

carregamento, a qual permite manter a cmara principal sempre em alto vcuo.


O gs argnio utilizado devido a sua alta massa molecular e inrcia qumica, o que, respectivamente, maximiza a retirada de tomos da superfcie do alvo e evita reaes com as espcies
qumicas presentes no processo.
O plasma de argnio gerado por uma fonte de radiofrequncia de 13,56MHz, a mesma do
reator PECVD, o campo alternado preferido pois evita o acmulo de cargas superficiais no filme,
ao contrrio do que pode acontecer com a utilizao de fontes DC. Alm disso, o plasma mantido prximo superfcie do alvo por meio de um campo magntico (magnetron) gerado por ms
localizados sob o alvo, esse campo uma armadilha para eltrons que passam a povoar a superfcie
logo acima do alvo aumentando a ionizao do argnio e, consequentemente, a taxa de deposio
do filme.
As propores dos gases argnio e nitrognio utilizadas na deposio de cada filme, bem como
a respectiva temperatura de deposio e densidade de potncia, so mostradas na Tabela 2.2.
Tabela 2.2: Condies de deposio dos filmes de nitreto de alumnio.
Filme
A-1
A-2
A-3
A-4
A-5

Ar (%)
70
80
30
70
70

N2 (%)
30
20
70
30
30

Temperatura ( C)
25
250
25
350
150

Presso (mTorr)
2
2
2
2
2

Potncia de RF (W/cm2 )
1,23
1,23
1,23
1,23
1,23

Captulo 3
ptica de Filmes Finos
Nesse captulo, ser tratada a teoria eletrodinmica clssica aplicada a filmes finos. Uma breve
introduo a cerca de consideraes bsicas como condies de contorno do campo eletromagntico
e a dinmica da fase da onda ser apresentada. O conceito de ndice de refrao complexo e a
sua influncia na transmisso e reflexo da luz pelo filme ser discutido. Por fim, sero obtidos os
coeficientes de Fresnell e as equaes gerais da transmitncia de filmes finos.

3.1

Condies de Contorno do Campo Eletromagntico

O principal aspecto fsico das ondas eletromagnticas considerado nesse trabalho como o meio
interfere na propagao dessas ondas. Dois efeitos muito importantes ocorrem quando a onda
encontra uma abrupta descontinuidade, ou interface, no meio no qual ela est se propagando: parte
da onda refletida e outra parte transmitida. A quantidade da onda que ser refletida e a
quantidade da onda que ser transmitida est intimamente ligada ao que acontece na interface.
Neste trabalho analisaremos apenas situaes nas quais a onda incide perpendicularmente (s)
interface(s).
A obteno das informaes necessrias acerca do comportamento do campo eletromagntico
em interfaces ser iniciada com a ajuda das contrues geomtricas apresentadas na Figura 3.1.
Poderia-se, agora, ir direto s equaes de Maxwell e resolv-las em vista das construes mostradas na Figura 3.1, encontrando-se uma soluo correta. Entretanto, possvel fazer algumas consideraes e simplificar todo o desenvolvimento matemtico envolvido. Essas consideraes definem
o meio material em estudo, ou seja, o filme fino. Aqui foram utilizadas as seguintes consideraes:
a) No h cargas livres no material, inclusive nas interfaces;
10

^
n

Meio 2

rea ds
dl
^
t

dh

Meio 1

dh

(a)

(b)

Figura 3.1: (a) Superfcie gaussiana e (b) loop amperiano, considerados para obteno das
condies de contorno do campo eletromagntico [26].
b) A corrente eltrica nula em qualquer regio;
c) O meio linear. Implica na condutividade g, a permissividade relativa ke e a permeabilidade
relativa km serem independentes do campo eletromagntico;
d) O meio homogneo. Implica em g, ke e km serem independentes da posio no material;
e) O meio isotrpico. Implica em g, ke e km serem escalares, no tensores, ou seja, independentes
da direo e sentido de propagao do campo.
Agora que o meio est definido, pode-se prosseguir com as condies de contorno dos campos
~ e magntico (B).
~ Utilizando as equaes de Maxwell na forma integral, j considerando
eltrico (E)
as particularidades acima, obtm-se:

~ dS
~=0
ke 0 E
S
~ dS
~=0
B
S

~ d~l = 0
E

(3.1.1)

1 ~
B d~l = 0
km 0

Note que existem acima duas integrais de superfcie e duas integrais de linha, e no por acaso so
utilizadas superfcies gaussianas e loops amperianos para os dois tipos de integrais, respectivamente.
11

Quando os campos eltrico e magntico atravessam o meio 1 em direo ao meio 2, os campos podem ser separados em componentes normal e tangencial. Cada uma dessas componentes
analisada isoladamente, atravs de uma das quatro equaes de Maxwell apresentadas. Uma condio imposta pela continuidade das equaes de Maxwell que, na interface, a intensidade de cada
componente do campo, em ambos os meios, sejam iguais entre si.
~ a seguir:
Da primeira equao em (3.1.1) obtida a componente normal de E,


~ dS
~
ke 0 E

~ dS
~
ke 0 E

meio1

meio2

Utilizando os ndices 1 e 2 para indicar os meios 1 e 2, respectivamente, inserindo a notao

~ n
dS = n
dS, E
En e fazendo dS1 = dS2 , obtm-se:
ke2 En2 ke1 En1 = 0

(3.1.2)

Utilizando a segunda equao de (3.1.1), encontra-se a componente normal do campo magntico,


a seguir:


~ dS
~
B

~ dS
~
B

=
S

meio1


meio2

Adotando procedimento anlogo ao utilizado para a obteno da relao (3.1.2), obtm-se:

Bn2 Bn1 = 0

(3.1.3)

Portanto, conforme a equao (3.1.2), a componente normal do campo eltrico descontnua


na superficie de separao entre os meios por um fator ke1 /ke2 ; e a componente normal do campo
magntico contnua nessa mesma superfcie, conforme a equao (3.1.3).
A partir da terceira equao em (3.1.1), obtm-se a componente tangencial do campo eltrico:

l


~ d~l
E

=
l

meio1

12


~ d~l
E
meio2

~ tEt e fazendo dl1 = dl2 , obtm-se:


Inserindo a notao d~l = tdl, E

Et2 Et1 = 0

(3.1.4)

A componente tangencial do campo magntico encontrada a partir da quarta equao de


(3.1.1), portanto:


l

1 ~ ~
B dl
km 0


=

meio1

1 ~ ~
B dl
km 0


meio2

o que fornece

Bt2
Bt1

= 0
km2 km1

(3.1.5)

obtido com procedimento anlogo ao utilizado para a obteno da equao (3.1.4).


Portanto, conforme a equao (3.1.4), a componente tangencial do campo eltrico contnua na
superficie de separao entre os meios; e a componente tangencial do campo magntico descontnua
nessa mesma superfcie por um fator km2 /km1 , conforme a equao (3.1.5).
Essas propriedades das ondas eletromagnticas sero importantes mais frente, quando o sistema
ar-filme-substrato-ar for analisado.

3.2

ndice de Refrao Complexo

O ndice de refrao uma quantidade adimensional definida como a razo entre a velocidade
da luz no vcuo, c, e a velocidade da luz no meio. O ndice de refrao no vcuo vale um e qualquer
meio que no o vcuo ter ndice de refrao maior que um, visto que a velocidade da luz ser
sempre menor que c.
O ndice de refrao como definido acima uma quantidade real. De fato ele vlido para
inmeros materiais, mas falha para sistemas que absorvem a luz, ou seja, o ndice de refrao
13

puramente real vlido somente para materiais transparentes no comprimento de onda para o qual
define-se o ndice.
Para um meio absorvedor, agrega-se parte real do ndice de refrao um termo imaginrio
que conter as informaes a respeito da absoro no material. Obtendo dessa forma um ndice de
refrao complexo, .
Alguns aspectos do chamado ndice de refrao complexo podem ser destacados. Esse um
nome muito apelativo mas deve-se ter em conta que, quando utilizado na lei de Snell, no fornece
o ngulo de refrao, como quando utiliza-se o ndice de refrao puramente real, ou seja, para uma
onda eletromagntica refratada por um meio no absorvedor. Claro que utilizar a parte real de
na lei de Snell, ignorando a parte imaginria, tambm no fornecer o valor correto do ngulo de
refrao.
seguir, ser mostrado como a substituio de n por modifica as equaes que sero utilizadas
no decorrer do trabalho.
Para uma onda plana entrando no contorno plano de um meio absorvedor isotrpico, os planos
de mesma fase da onda no meio so perpendiculares direo de propagao. Desde que a reduo
na amplitude da onda no meio dependa diretamente da distncia percorrida neste mesmo meio, a
posio dos pontos de igual amplitude formar planos paralelos superfcie de separao. Apenas
para o caso de incidncia normal os planos de mesma fase sero paralelos aos planos de mesma
amplitude.
Seja uma onda de frequncia angular propagando-se na direo (, , ) num meio transparente
de ndice de refrao n, o campo eltrico pode ser escrito como:


n (x + y + z)
E = E0 exp i t
c

(3.2.1)

onde E0 a amplitude da onda, x, y, e z so as coordenadas do eixo cartesiano. Os primeiro


e segundo termos dentro das chaves em (3.2.1) portam a evoluo temporal e espacial da onda,
respectivamente; a funo exp imaginria garante que a evoluo da onda seja oscilante.
14

Para a descrio de um meio absorvedor, necessrio fazermos a substituio do ndice de


refrao n = n ik, onde n o ndice de refrao real e pode ser chamado de ndice de
refrao complexo. O termo k chamado de coeficiente de extino e carrega as informaes a
respeito da absoro de energia pelo meio. Portanto, efetuando a referida substituio em (3.2.1),
obtm-se:
(x + y + z) i (0 x + 0 y + 0 z)
+
E = E0 exp i t
c
c



(3.2.2)

onde a direo (0 , 0 , 0 ) refere-se a direo normal aos planos de mesma amplitude. e dependem
da direo de propagao no meio e do ngulo de incidncia.
Na condio de incidncia normal, implica-se (x + y + z) = (0 x + 0 y + 0 z), tornando a
equao (3.2.2) um pouco mais simples:


(n ik) (x + y + z)
E = E0 exp i t
c

(3.2.3)

Agora possvel mostrar como o parmetro k causa a atenuao da amplitude da onda num meio
de ndice de refrao . Separando o termo que contm apenas k e considerando uma amplitude de
onda unitria, E0 = 1, obtm-se:

exp i

ikr
c


(3.2.4)

onde r a posio da onda no meio. A atenuao da amplitude quando a onda percorre a distncia
de um comprimento de onda do vcuo, r = , no meio :

exp (2k)

(3.2.5)

onde efetuou-se a substituio1 r/c = 2, sendo f a frequncia da onda.


A Figura 3.2 mostra o comportamento do termo (3.2.5). Quando o material transparente,
k = 0, a quantidade atenuada, 1 E0 exp (2k), nula, ao passo que quando o material tem
k = 1, toda a onda absorvida pelo meio.
1

Essa equivalncia obtida no caso especial r = . Seja r/c = 2f r/c = 2f /c = 2 c/c = 2.

15

1 ,0

0 ,6

0 ,4

1 -E

e x p (-2 p k )

0 ,8

0 ,2

0 ,0

0 ,0

0 ,2

0 ,4

0 ,6

0 ,8

1 ,0

Figura 3.2: Quantidade de atenuao de uma onda de amplitude unitria em funo do coeficiente
de extino k para a distncia de um comprimento de onda do vcuo percorrida no meio.

3.3

Coeficientes de Fresnell

O estudo quantitativo da reflexo e transmisso da luz ser realizado a seguir, doravante ser
adotado, conforme a convenincia, o termo luz como sinnimo para campo eletromagntico. Todas
as anlises realizadas nesse trabalho foram baseadas em medidas absolutas da intensidade da luz
transmitida e refletida.
A partir das equaes de Maxwell (3.1.1), so obtidas as equaes de propagao das ondas
eletromagnticas:
~
 2 E
~
= 2 E
2
2
c t
~
 2 H
~
= 2 H
2
2
c t
~ = B/.
~
onde  = ke 0 , = km 0 e H

16

(3.3.1)


V-se que a onda se propaga com velocidade c/ . Nas frequncias pticas, ou seja, ultravioleta, visvel e infra-vermelho prximo, a resposta magntica da matria em geral to insignificante quanto a do vcuo, = 12 , de forma que a velocidade da luz no meio dependente apenas da

constante dieltrica do material, c/ . Claramente, infere-se que o ndice de refrao do material

dado por = , onde a constante dieltrica  pode ser real ou complexa, caso o material seja
transparente ou absorvedor, respectivamente.
Seja uma onda plana monocromtica linearmente polarizada incidindo na superfcie z = 0 num
ngulo 0 e ngulo de refrao 1 , conforme mostra a Figura 3.3. O fator de fase o termo que
descreve a dinmica de fase da onda e muito importante quando se estuda a variao de intensidade
proveniente da interferncia da luz. Cada uma das trs ondas, incidente, refletida e transmitida,
possui um fator de fase diferente e, para cada uma delas:


2n0 xsen0 2n0 zcos0


exp i t


(3.3.2)

para a onda incidente;




2n0 xsen0 2n0 zcos0


exp i t
+


(3.3.3)

para a onda refletida; e




2n1 xsen1 2n1 zcos1

exp i t


(3.3.4)

para a onda transmitida.


Os termos sen0 e sen1 efetuam a projeo sobre o eixo coordenado x e cos0 e cos1 efetuam
a projeo sobre o eixo z. O termo t, que se repete de (3.3.2) a (3.3.4), exprime o fato de a
frequncia da luz no mudar no meio, apenas sua velocidade muda; nota-se tambm que os fatores
de fase contm dois argumentos de natureza distinta, t e 2nr/, nos quais esto expressas as
2

Este valor vlido considerando o sistema Gaussiano de unidades. A maior vantagem deste sistema de unidades
o de simplificar, mais do que o sistema internacional SI capaz de fazer, as caracterrsticas fsicas fundamentais e
relaes tericas envolvendo fenmenos eletromagnticos. Especialmente torna a teoria eletrodinmica mais simples,
mais transparente e mais elegante.

17

variaes devido a progresso temporal e espacial do campo, respectivamente. Os termos (3.3.2) e


(3.3.3) tm entre si uma nica diferena causada pela projeo do campo no eixo z, que passa a ser
negativa para a onda refletida. Em outras palavras, ocorre uma mudana de fase de radianos na
reflexo; o termo (3.3.4) equivalente ao (3.3.2) adquirindo as propriedades do meio subsequente,
n1 e 1 .
A notao utilizada a frente seguir algumas convenes em relao aos ndices sobrescritos e
subscritos. Aos primeiros, sero utilizados os sinais + e , indicando se o sentido de propagao
o positivo ou negativo em relao a um eixo fixado. Aos segundos, 0 e 1 indicam o meio no
qual a onda se propaga, alm de p e s indicando a direo do plano de polarizao em relao ao
plano de incidncia, paralelo e perpendicular, respectivamente. importante separar as direes
de polarizao, pois podero ser aplicadas diretamente as condies de contorno obtidas em (3.1.2)
a (3.1.5).
Pode-se perguntar por que h diferena de notao entre as equaes empregadas na obteno
das condies de contorno do campo eletromagntico e as equaes a seguir, especialmente nos
termos para campo tangencial (t)/paralelo (p) e normal (n)/perpendicular (s). A resposta muito
simples, em cada desenvolvimento foi utilizada a notao que melhor se adequa ao contexto e suas
construes geomtricas, alm de se seguir a notao comumente utilizada na literatura [26, 27].
A seguir, sero calculadas as componentes totais de E e H sobre os eixos x e y em funo de
+,
+,
.
E0,1,p,s
e H0,1,p,s

Considerando a geometria apresentada na Figura 3.3, obtm-se as seguintes relaes para as


componentes do campo na direo p projetadas sobre o eixo coordenado x:

+
+
E0x
= E0p
cos0

para a onda incidente e, para a onda refletida

E0x
= E0p
cos0

18

Figura 3.3: Geometria estudada.


portanto, a componente total do campo eltrico nessa direo :


+

E0x = E0x
+ E0x
= E0p
+ E0p
cos0

(3.3.5)

O eixo y coincide com a normal ao plano de incidncia, por isso a componente E0y obtida
diretamente:

E0,y = E0,s
+ E0,s

(3.3.6)

Resolvendo-se as equaes (3.3.1), da propagao do campo eletromagntico, pressupondo solues senoidais para ambos os campos, v-se que H sempre perpendicular a E. Sabendo disso, o
campo H associado a um determinado campo E pode ser obtido de E conforme as relaes (3.3.7)
e (3.3.8) derivveis das equaes de Maxwell:

H = nE
19

(3.3.7)

que permite obter a intensidade de H a partir de E e do ndice de refrao do meio. (Note que todo
esse desenvolvimento para a obteno dos coeficientes de Fresnell feito considerando o ndice de
refrao puramente real.) A direo e sentido de H podem ser obtidos utilizando-se o teorema de
Poynting:

~ =
S

i
c h~
~
EH
4

(3.3.8)

~ representa a energia, cujo sentido o mesmo da propagao do campo. Portanto, a compoonde S


nente H0,x (paralela ao plano de incidncia) deve ser obtida de E0s (normal ao plano de incidncia):

+
+
H0x
= H0p
cos0

para a onda incidente e, para a onda refletida

H0x
= H0p
cos0

portanto:


+

H0x = H0x
+ H0x
= n0 E0s
+ E0s
cos0

(3.3.9)

O ltimo termo do primeiro meio, H0y , obtido diretamente de E0p , visto que esta componente
j est sobre o eixo y:

H0y = H0y
+ H0y
+

H0y = n0 E0p
n0 E0p
= n0 E0p
E0p

(3.3.10)

Portanto, as equaes de (3.3.5) a (3.3.10) so as quatro componentes para o primeiro meio:

20

+
cos 0
+ E0p
E0x = E0p

+
+ E0s
E0y = E0s

(3.3.11)

+
cos 0
+ E0s
H0x = n0 E0s


+
E0p
H0y = n0 E0p
Utilizando consideraes anlogas, encontra-se as respectivas componentes para o segundo meio,
que so:

+
E1x = E1p
cos 1
+
E1y = E1s

H1x =

(3.3.12)

+
n1 E1s

cos 1

+
H1y = n1 E1p

As condies de contorno nas equaes (3.1.2), (3.1.3), (3.1.4) e (3.1.5) podem ser, ento, aplicadas. So elas:

E0x = E1x
H0y = H1y
(3.3.13)
E0y = E1y
H0x = H1x
onde substitumos convenientemente o campo B pelo H.
Manipulando as equaes (3.3.11) a (3.3.13), obtm-se:

21


E0p
n0 cos1 n1 cos0
= rp
+ =
n0 cos1 + n1 cos0
E0p
+
E1p
2n0 cos0
= tp
+ =
n0 cos1 + n1 cos0
E0p

E0s
n0 cos0 n1 cos1
= rs
+ =
n0 cos0 + n1 cos1
E0s
+
E1s
2n0 cos0
= ts
+ =
n0 cos0 + n1 cos1
E0s

(3.3.14)

onde rp , tp , rs e ts so chamados de coeficientes de Fresnel.


Para o caso de incidncia normal, cos(0 ) = cos(1 ) = 1, as componentes p e s sero iguais:

2n0
n0 + n1
n0 n1
r=
n0 + n1

(3.3.15)

2ni
ni + nj
ni nj
rij =
ni + nj

(3.3.16)

t=

ou, na forma geral:

tij =

onde t ser sempre um nmero real positivo, indicando que no ocorre diferena de fase entre os
feixes incidente e transmitido. Ao passo que r ser positivo quando ni > nj , indicando que no h
diferena de fase entre os feixes incidente e refletido, e negativo quando ni < nj , indicando que h
diferena de fase de entre os referidos feixes.
Utilizando a lei de Snell, n1 sen1 = n0 sen0 , pode-se escrever os coeficientes para qualquer
ngulo de incidncia como:

22

tan (1 0 )
tan (1 + 0 )
2sen1 sen0
=
sen (1 + 0 ) cos (1 0 )
sen (1 0 )
=
sen (1 + 0 )
2sen1 cos 0
=
sen (1 + 0 )

rp =

(3.3.17)

tp

(3.3.18)

rs
ts

(3.3.19)
(3.3.20)

Os coeficientes de Fresnel fornecem a frao da amplitude unitria da onda incidente que refletida e transmitida pelo filme. Entretanto, a quantidade medida experimentalmente a intensidade
da onda e no sua amplitude.
Utilizando o vetor de Poynting, equao (3.3.8), e a relao (3.3.7), obtm-se:

S=

c
~ |2
n|E
4

(3.3.21)

onde o termo da direita mostra claramente a dependncia da energia com o quadrado do mdulo
da amplitude do campo eltrico (ou magntico). Este resultado e as equaes (3.3.17) a (3.3.20),
so teis para escrever as relaes para a Refletncia R e a Transmitncia T de um filme fino:

Rp =
Rs =
Tp
Ts

E0p

2


+ 2
E0p

2
E0s

+ 2
E0s

= rp2

(3.3.22)

= rs2

(3.3.23)


+ 2
n1 E1p
n1 2
=
=
t

2
+
n0 E0p
n0 p

+ 2
n1 E1s
n1 2
=
=
t

2
+
n0 E0s
n0 s

(3.3.24)
(3.3.25)

No caso especial de incidncia normal, 0 = 0, as componentes paralela e perpendicular do


campo so iguais e as relaes acima tornam-se muito mais simples:

23

2
n0 n1
Rp = Rs =
n0 + n1
4n0 n1
Tp = Ts =
(n0 + n1 )2


(3.3.26)

Supondo um filme fino com ndice de refrao dado pela relao de disperso

n1 =

3 105
+ 2, 6
2

imerso no ar (n0 = 1), onde o comprimento de onda em nanmetros. obtm-se as curvas de R e


T para incidncia normal na interface ar-filme, conforme mostra a Figura 3.4, que mostra a frao
da intensidade do feixe que atravessa a interace ar-filme e a frao da intensidade que refletida
nessa interface.

1 ,0
0 ,9
0 ,8
0 ,7
0 ,6

R ,T

R
T

0 ,5

R + T
0 ,4
0 ,3
0 ,2
0 ,1
5 0 0

6 0 0

7 0 0

8 0 0

9 0 0

1 0 0 0

C o m p r im e n to d e o n d a ( n m )

Figura 3.4: Refletncia R e transmitncia T para um filme transparente. A transparncia do filme


implica em R + T = 1.

Quando o meio absorvedor, basta substituir o ndice de refrao real pelo ndice de refrao
complexo diretamente nas equaes (3.3.22) e (3.3.23), Rp e Rs , respectivamente. Os termos de
24

Fresnell no tm significado para uma onda que adentra um meio absorvedor, visto que a atenuao
tambm depende da distncia percorrida no meio.

3.4

Reflexo e Transmisso de Luz por um nico Filme

Quando a luz incide sobre o sistema ar-filme-substrato, experimenta mltiplas reflexes, conforme mostra a Figura 3.5. Cada onda refletida e transmitida tem sua amplitude quantificada
pelo coeficiente de Fresnell adequado. Alm desses coeficientes, tambm est presente o termo
exp (mi), m = 0, 1, 2, 3 . . . , contendo a mudana de fase espacial ocorrida no meio; conforme
discutido na seo 3.3.
R
r01
r0

t1

t1

r 10

r 10

t01t12exp(i1)

12

t 12

12

12

t 12

t 12

Substrato

t1

r 10

t 01

Filme fino

n0

t01t10r10r12exp(4i1)

t01t10r12exp(2i1)

t01t12r10r12exp(3i1)

t01t12r10r12exp(5i1)

Figura 3.5: Modelo ptico do sistema ar-filme-substrato. r e t representam as fraes da


amplitude da onda incidente que so refletidas e transmitidas, respectivamente [28].
A amplitude total da onda refletida, R, de acordo com a Figura 3.5 e os coeficientes de Fresnel,
equaes de (3.3.17) a (3.3.20), obtida da soma dos coeficientes de cada onda refletida multiplicada
pelo seu fator de fase, portanto:

2
R = r01 + t01 t10 r12 exp (2i1 ) + t01 t10 r10 r12
exp (4i1 ) + . . .

(3.4.1)

A soma acima contm uma srie do tipo y = a + ar + ar2 + ar3 + . . . , que pode ser reduzida a
y = a/ (1 r), portanto tem-se:
25

R = r01 +

t01 t10 r12 exp (2i1 )


1 r10 r12 exp (2i1 )

(3.4.2)

Essa equao j relativamente simples, mas ainda no a forma mais conhecida de R. Ainda
necessrio substituir r10 = r01 e t01 t10 = 1 r2 . A primeira relao pode ser facilmente verificada
por uma inspeo visual na geometria da Figura 3.5, mas a segunda deve ser obtida a partir das
equaes (3.3.17) a (3.3.20), tomando a direo de polarizao p (poderia ser a direo s), obtm-se:

t01p t10p +

2
r01p

=
=
=
=


2
2n1 cos 1
n1 cos 0 n0 cos 1
2n0 cos 0
+
n1 cos 0 + n0 cos 1 n1 cos 0 + n0 cos 1
n1 cos 0 + n0 cos 1
2
2
2
2
4n0 n1 cos 0 cos 1 + n1 cos 0 + n0 cos 1 2n0 n1 cos 0 cos 1
(n1 cos 0 + n0 cos 1 )2
(n1 cos 0 + n0 cos 1 )2
(n1 cos 0 + n0 cos 1 )2
1

Essa uma das formas que a lei da conservao da energia assume. Conforme pode ser visulizado
na Figura 3.4.
Efetuando as duas substituies apresentadas acima, obtm-se:

R=

r01 + r12 exp (2i1 )


1 + r01 r12 exp (2i1 )

(3.4.3)

A abordagem para a amplitude total da onda transmitida similar, a seguir:

2 2
T = t01 t12 exp (i1 ) + t01 t12 r10 r12 exp (3i1 ) + t01 t12 r10
r12 exp (5i1 ) + . . .

(3.4.4)

que se torna

T =

t01 t12 exp (i1 )


1 + r01 r12 exp (2i1 )
26

(3.4.5)

Obtendo a transmitncia a partir de (3.4.5) para incidncia normal, n0 = 1 e fazendo T = s|T |2 :

T=

A0 x
B 0 C 0 x + D 0 x2

(3.4.6)

onde


A0 = 16s n2 + k 2



B 0 = (n + 1)2 + k 2 (n + s)2 + k 2
 2



C0 =
n 1 + k 2 n2 s2 + k 2 + 4k 2 s 2 cos



k 2 n2 s2 + k 2 + 2s n2 1 + k 2 2 sen



D0 = (n 1)2 + k 2 (n s)2 + k 2
=

4nd

(3.4.7)

x = exp (d)

(3.4.8)

4k

(3.4.9)

A equao obtida em (3.4.6) a mesma utilizada na literatura [18, 29] para determinao das
constantes pticas de filmes finos. Nela, considerou-se a espessura do substrato infinita. Entretanto,
esta equao ainda pode ser melhorada.
O desenvolvimento feito at aqui aplicvel a sistemas de monocamadas onde no foram consideradas as reflexes na interface substrato-ar. A fim de melhorar as expresses de R e T , sero
includas as mltiplas reflexes nessa interface, ou seja, considera-se o efeito de um substrato finito
[30]. Ento, para um substrato no absorvedor, a transmitncia obtida de:

T=

(1 )T
1 R0

onde

27

(3.4.10)

(1 s)2
(1 + s)2



r21 + r10 exp (+2i1 )
r21 + r10 exp (2i1 )
=
1 + r21 r10 exp (2i1 ) 1 + r21 r10 exp (+2i1 )

=
R0

O espectro de transmitncia do sistema ar-filme-substrato-ar descrito pela equao a seguir,


obtida de (3.4.10):

T=

A00 x
B 00 C 00 x + D00 x2

(3.4.11)

onde


A00 = 16s n2 + k 2



B 00 = (n + 1)2 + k 2 (n + 1) (n + s)2 + k 2
 2



C 00 =
n 1 + k 2 n2 s2 + k 2 2k 2 s2 + 1 2 cos




k 2 n2 s2 + k 2 + s2 + 1 n2 1 + k 2 2 sen



D00 = (n 1)2 + k 2 (n 1) (n s)2 + k 2
A equao (3.4.11) o ponto de partida para o mtodo do envelope apresentado no captulo 4.

28

Captulo 4
Anlise ptica de Filmes Finos Homogneos
Neste captulo ser mostrado o funcionamento do programa de anlise de dados desenvolvido
em FORTRAN, cujos clculos tem base principal no mtodo do envelope conforme resolvido por
Manifacier [18] e Swanepoel [19]. O programa tem o objetivo de, a partir do espectro de transmitncia de filmes finos, encontrar o ndice de refrao n e coeficiente de extino k, tambm chamados
de constantes pticas. Alm disso, obtm a espessura do filme, simula o espectro de refletncia e
obtm o gap ptico.
As informaes relativas ao uso do Programa, o preenchimento do arquivo de entrada
e sua interferncia nos clculos, estaro ao longo do texto e podem ser identificadas pelo
seu alinhamento diferenciado, idntico ao aqui utilizado.
Quando houver referncias, neste captulo, ao ndice de refrao n, estaro tratando da parte
real de . A parte complexa do ndice de refrao ser chamada especificamente de coeficiente de
extino k.

4.1

Espectro de Transmitncia

Quando um filme fino atravessado por luz na faixa de energia entre o infravermelho prximo e
ultravioleta, obtm-se um espectro de franjas tpico desses sistemas, conforme mostrado na Figura
4.1. Essas franjas so geradas pelas mltiplas reflexes dentro do filme, que ora estaro em fase ou
fora de fase, aumentando e diminuindo a intensidade transmitida, respectivamente. A dinmica das
franjas peridica, como pode ser visto em termos das funes cosseno e seno da equao (3.4.11).
H alguns aspectos importantes comuns grande maioria dos espectros de transmitncia de
filmes finos:
29

1 ,0

T
T
s

I n t e n s id a d e ( u . a .)

0 ,8

0 ,6

0 ,4

0 ,2

5 0 0

1 0 0 0

1 5 0 0

2 0 0 0

l (n m )

2 5 0 0

3 0 0 0

3 5 0 0

Figura 4.1: Espectro de transmitncia tpico de filmes finos. A linha cheia T o espectro de um
filme de carbeto de silcio amorfo hidrogenado, a-SiC:H e Ts o espectro de transmitncia do
substrato.
a) Os espectros podem ser divididos em trs regies distintas: transparente, de mdia e fraca
absoro e de alta absoro;
b) A regio de transparncia aquela em que os mximos atingem a transmitncia do substrato,
portanto a mxima transmisso do filme limitada pelo substrato1 ;
c) Na regio de fraca e mdia absoro possvel assumir k = 0 e simplificar os clculos sem
perda da qualidade dos resultados;
d) A regio de alta absoro sofre influncia da banda de absoro ptica e no se pode obter n
diretamente dela.

A expresso exata da transmitncia intrincada e no possvel obter as desejadas equaes


1

Esse o comportamento esperado quando o ndice de refrao do filme maior que o ndice de refrao do
substrato. Caso contrrio, a transmisso do substrato limitaria os mnimos do espectro de transmitncia do filme.

30

explcitas para as constantes pticas a partir da forma que a equao (3.4.11) se apresenta. Uma
maneira de contornar essa dificuldade fazendo k = 0 nos coeficientes A00 , B 00 , C 00 e D00 , que fornece:

T=

Ax
B Cx cos + Dx2

(4.1.1)

onde

A = 16n2 s
B = (n + 1)3 (n + s)2


C = 2 n2 1 n2 s2
D = (n 1)3 (n s)2
Essa simplificao obviamente fornece ndices de refrao e espessura inexatos, e que sero
corrigidos mais adiante, quando for feito o ajuste da ordem dos mximos e mnimos.
O mtodo do envelope assim chamado devido a necessidade de se traar duas curvas, uma
passando pelos pontos mximos e outra passando pelos pontos mnimos do espectro. Teoricamente,
os envelopes so obtidos da equao (4.1.1) fazendo o termo oscilante cos = 1, da:

Tmax =

Ax
B Cx + Dx2

(4.1.2)

Tmin =

Ax
B + Cx + Dx2

(4.1.3)

onde Tmax o envoltrio dos pontos mximos e Tmin o envoltrio dos pontos mnimos.
O Programa obtm esses envoltrios a partir dos mximos e mnimos do espectro, que devem
ser fornecidos como parmetros de entrada. A interpolao dos pontos feita utilizando-se splines,
o que torna possvel fazer tanto ajustes lineares como polinomiais. A Figura 4.2 mostra dois tipos
31

de splines que podem ser utilizados pelo programa. Para todos os clculos realizados neste trabalho
foi utilizada a interpolao por spline cbico, por esta fornecer curvas mais suaves.
No arquivo de entrada do programa o usurio tem a possibilidade de escolher entre
15 tipos diferentes de splines para interpolar os pontos mximos e mnimos do espectro.

0 ,8 8

0 ,8 0

0 ,7 2

6 0 0

l (n m )

7 0 0

8 0 0

Figura 4.2: Envoltrios mximos e mnimos obtidos pelo Programa, a curva pontilhada um
ajuste linear e o envoltrio contnuo foi obtido por spline cbico.

importante notar que, ao se construir os envoltrios mximos e mnimos, obtm-se duas


curvas de transmitncia contnuas, independentes e suaves em funo de , e x [18], ao passo que
o espectro de transmitncia apenas uma curva e muitas vezes varia bruscamente.

4.2

ndice de Refrao

O ndice de refrao pode ser obtido das regies de transparncia e de fraca e mdia absoro do
espectro. Cada uma dessas regies receber tratamento diferenciado. A regio de transparncia
32

caracterizada pela no absoro de luz por parte do filme, portanto o coeficiente de absoro = 0
leva absorbncia x = 1, conforme equao (3.4.8). Adequando a equao (4.1.2) para essa regio,
obtm-se:

Tmax =

2s
+1

s2

(4.2.1)

A equaco (4.2.1) idntica obtida para a transmitncia do substrato Ts sem o filme [18].
Portanto, conclui-se que o envoltrio mximo na regio de transparncia coincide com a transmitncia do substrato. Uma maneira eficaz de se determinar o incio da absoro do filme verificar
a partir de onde o envoltrio mximo se afasta da transmistncia do substrato.
J que a transmitncia do substrato coincide com a relao (4.2.1), escreve-se:

Ts =

2s
+1

s2

(4.2.2)

de onde pode-se obter o ndice de refrao do substrato s, que agora ser conhecido:

1
+
s=
Ts

1/2
1
1
Ts 2

(4.2.3)

Existem, ento, duas maneiras de se obter o ndice de refrao do substrato. A primeira consiste
em se medir a transmitncia do substrato em todo o espectro pretendido e aplicar a equao (4.2.3);
a outra forma obter o ndice de refrao a partir dos mximos e mnimos da regio de transparncia
do filme, conforme equao (4.2.1). A segunda opo para obter o ndice de refrao do substrato
deve ser sempre tratada com cuidado, visto que pequenas variaes de s no levadas em conta
alteram significativamente os resultados.
Ainda na regio de transparncia, aplica-se a condio x = 1 no envoltrio mnimo, equao
(4.1.3), obtendo:

Tmin =

4n2 s
n4 + n2 (s2 + 1) + s2
33

(4.2.4)

Pode-se resolver (4.2.4) para o ndice de refrao do filme:

n= M + M s

 i1/2
2 1/2

(4.2.5)

onde

2s
s2 + 1
M=

Tmin
2
Portanto, obtm-se uma equao explcita para o ndice de refrao do filme fino na regio de
transparncia.
O programa deve ser informado pelo usurio sobre o comprimento de onda no qual
inicia-se a regio de transparncia, caso ela exista na faixa de espectro utilizada.
A regio de mdia e fraca absoro marcada pela absorbncia x < 1, pois 6= 0. Pode-se
percorrer caminho anlogo ao da regio anterior, trabalhando com as equaes (4.1.2) e (4.1.3):

1
Tmin

1
Tmax

2C
A

(4.2.6)

A equao (4.2.6) um exemplo claro da vantagem matemtica em se trabalhar com os dois


envoltrios, que so funes independentes em , e x. Subtraindo-se os seus recprocos, obtm-se
uma equao independente de x mesmo estando na regio de absoro. Substituindo os valores de
A e C, obtm-se uma relao explcita para o ndice de refrao:

h
1/2 i1/2
n = N + N 2 s2
onde

N = 2s

Tmax Tmin s2 + 1
+
Tmax Tmin
2
34

(4.2.7)

A equao (4.2.7) a mesma encontrada por Manifacier et al [18] utilizando a teoria de substrato
infinito, ao passo que seguimos aqui a considerao de substrato finito. De fato, a diferena objetiva
entre as duas formulaes est nos coeficientes B 0 , D0 de (3.4.6) e B, D de (4.1.1) quando feito
k = 0. Como pode ser notado, o ndice de refrao na regio de fraca e mdia absoro depende
apenas dos coeficientes A e C, por isso a equivalncia.
O mtodo do envelope permite a obteno do ndice de refrao para cada um dos mximos e
mnimos do espectro. importante notar que, ao se construir os envoltrios da transmitncia, cada
ponto possui um valor de transmitncia mximo e mnimo. O primeiro conjunto de valores de n
obtido aplicando-se as equaes (4.2.5) e (4.2.7) em cada mximo ou mnimo. O resultado pode
ser visto na Figura 4.3. Como esses valores para o ndice de refrao sero melhorados, ficam aqui
definidos como n1 .

2 ,2 5

2 ,2 0

2 ,1 5

2 ,1 0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 4.3: ndice de refrao preliminar, n1 , obtido de (4.2.5) e (4.2.7), cada ponto referente a
um mximo ou mnimo do espectro de transmitncia. Os valores de n1 dentro da regio de mdia
absoro, em destaque, carregam erros significativos referentes simplificao k = 0.

Os valores n1 obtidos devem ser interpretados com cautela. Ao assumir k = 0 para se obter a
35

equao de transmitncia (4.1.1), inseriu-se um erro considervel no clculo das constantes pticas
do material na regio de mdia absoro. De fato, os valores de n1 mais prximos dos corretos
esto na regio de comprimentos de onda maiores (mais prximos ou na regio de transparncia).
O prximo passo para melhorar os valores de n1 , extinguindo os resqucios da simplificao,
encontrar a ordem m correta de cada mximo e mnimo. Para isso, comea-se considerando o fator
de fase associado ao caminho percorrido no filme, conforme equaes de (3.3.2) a (3.3.4):

2nd

nos mximos e mnimos, esse termo deve ser igual a m:

2nd
= m

2nd = m

(4.2.8)

onde m = 1, 2, 3 . . . a ordem de interferncia das franjas2 . Se a ordem de um mximo (mnimo)


em 1 m1 , ento a ordem do mximo (mnimo) adjacente em 2 deve ser m1 1 se 1 <2 , ou
seja, a ordem cresce na direo em que o comprimento de onda decresce. De (4.2.8), tem-se:

2n1 d
2n2 d
=
1
1
2
que pode ser resolvida para d:

d=

1 2
2(1 n2 2 n1 )

(4.2.9)

De acordo com a equao (4.2.9), encontra-se um valor de espessura do filme para cada mximo
e mnimo. Os valores encontrados para um filme de nitreto de alumnio so mostrados na Figura
4.4. Pelo mesmo motivo dos valores de n1 apresentarem problemas na regio de mdia absoro,
2

Note que esse m no o mesmo utilizado no fator de fase da seo 3.4.

36

os valores da espessura tambm tm grande disperso, apenas em torno da regio de transparncia


os valores de d mantm constncia aceitvel3 . O refinamento da espessura obtido por meio da
correo da ordem de interferncia dos mximos e mnimos.

1 4 0 0

1 3 0 0

d (n m )

1 2 0 0

1 1 0 0

1 0 0 0

9 0 0
4 0 0

5 0 0

6 0 0

7 0 0

8 0 0

l (n m )

9 0 0

1 0 0 0

1 1 0 0

1 2 0 0

Figura 4.4: Valores de d obtidos a partir da equao (4.2.9). Nota-se a grande disperso na regio
de mdia absoro.

A correo da ordem dos mximos e mnimos feita utilizando um ajuste linear cujos coeficientes
so obtidos da generalizao da equao (4.2.8) para qualquer mximo ou mnimo. Definindo a
ordem do primeiro mximo ou mnimo m1 , ento pode-se escrever:

2nd = (m1 + l/2)


l/2 = 2d(n/) m1

(4.2.10)

onde l = 0, 1, 2, 3 . . ..
3

Deve-se entender por constncia aceitvel aquela que permite obter o valor correto da espessura quando terminado
o tratamento dos dados.

37

A equao da reta em (4.2.10) pode ser obtida, o seu coeficiente angular valer 2d e a interceptao no eixo l/2 ser igual a m1 . Esse grfico est na Figura 4.5. Algo importante para se notar
so os pontos que escapam do ajuste, esse comportamento evidencia o incio da absoro do filme.
Ao traar a reta, o valor de m1 no ser exatamente inteiro (meio inteiro), se o primeiro ponto
for um mximo (mnimo), mas ser um valor prximo de um inteiro (meio inteiro). O ajuste
consiste em arredondar o valor de m1 e desenhar uma nova reta que o intercepte exatamente no
eixo l/2. Deste ajuste, obtm-se a espessura definitiva do filme, e ento pode-se recalcular o ndice
de refrao utilizando a espessura recm obtida e a ordem correta para cada mximo e mnimo; a
equao utilizada para isso passa a ser a (4.2.8) resolvida para n. Os resultados refinados de n1 ,
que passam a ser chamados de n, esto superpostos aos valores de n1 na Figura 4.6.

6
5
4
3

l/2

2
1
0
-1
-2
0

n /l (x 1 0

3
-3

n m

4
-1

Figura 4.5: Grfico para ajuste linear da ordem dos mximos e mnimos. A interceptao do eixo
l/2 indica a ordem do primeiro mximo ou mnimo e o coeficiente angular da reta vale 2d.

O programa deve ser informado no seu arquivo de entrada sobre o comprimento


de onda a partir do qual se deve calcular a espessura mdia. Em vista da disperso
38

2 ,3 5

n
2 ,3 0

2 ,2 5

2 ,2 0

2 ,1 5

2 ,1 0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 4.6: ndice de refrao refinado n comparado com n1 . Nota-se o efeito de k 6= 0 na regio
de mdia absoro.
mostrada na Figura 4.4, importante iniciar o clculo de espessura excluindo a regio
que apresenta valores de d com maior disperso.

O ndice de refrao n como mostrado na Figura 4.6 compreende apenas os comprimentos de


onda nos quais esto os mximos ou mnimos, mas pode ser necessrio obter uma funo contnua
de n. Uma maneira de obt-la aplicando o modelo do oscilador simples proposto por Wemple e
DiDomenico [31]. Nele, a disperso do ndice de refrao relacionada com a energia do fton, de
acordo com a seguinte equao:

n2 1 =

E0 Ed
(E)2

E02

(4.2.11)

onde E0 chamada de energia do oscilador, Ed a energia de disperso, e E a energia do fton


em eltrons volt. Os parmetros E0 e Ed podem ser encontrados quando traada uma reta de
39

(n2 1)1 por (~)2 , sendo o coeficiente angular igual a (E0 Ed )1 e a interceptao no eixo vertical
igual a E0 /Ed . Na Figura 4.7, mostrado como isso acontece. A curva de disperso contnua para
o ndice de refrao encontra-se na Figura 4.8.
0 ,3 0

0 ,2 9

0 ,2 8

0 ,2 6

(n -1 )

-1

0 ,2 7

0 ,2 5

0 ,2 4

0 ,2 3
0

(e V )

1 0

Figura 4.7: Ajuste para obteno dos parmetros do modelo de Wemple-DiDomenico para um
filme de carbeto de silcio amorfo hidrogenado.

Alm da curva contnua para n, a modelagem de Wemple-DiDomenico permite fazer a extrapolao para E 0, fornecendo o ndice de refrao esttico ne , conforme equao a seguir, obtida
de (4.2.11):


ne =

Ed
1+
E0

1/2
(4.2.12)

Os coeficientes E0 e Ed no servem apenas para se desenhar uma curva contnua para o ndice
de refrao e fornecer o ndice de refrao esttico. Esses coeficientes tambm portam significado
fsico. O coeficiente E0 a energia do oscilador. Supe-se, com boa aproximao, que a energia do
gap de Tauc, Eg , esteja relacionada com E0 na forma

40

2 ,5

2 ,4

2 ,3

2 ,2

n
e

= 2 ,1 0

2 ,1
5 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 5 0 0

Figura 4.8: ndice de refrao conforme modelo de Wemple-DiDomenico (linha contnua) e ndice
de refrao n calculado nos mximos e mnimos (pontos). ne o ndice de refrao esttico obtido
da equao (4.2.12).

E0 = g Eg

(4.2.13)

E0 2Eg

(4.2.14)

onde g uma constante de valor prximo de 2. J o coeficiente Ed fornece o valor da energia de


disperso ptica, uma medida da resistncia do sistema a transies pticas, e est relacionado com
as propriedades microscpicas do material pela relao emprica [31]:

Ed = NC Za Ne

(4.2.15)

onde uma constante que vale 0, 370, 05eV para um material "covalente"e 0, 260, 04eV para um
material "inico", NC o nmero de coordenao do ction mais prximo ao nion, Za a valncia
qumica formal do nion e Ne o nmero efetivo de eltrons de valncia por nion (usualmente
Ne = 8). Todavia, os parmetros do lado direito dessa relao so imprecisos quando se trabalha
41

com materiais amorfos e, alm disso, a composio qumica exata dos mesmos desconhecida,
impedindo qualquer anlise ou desenvolvimento que se utilize desta relao neste trabalho.

4.3

Coeficiente de Extino

Aps obter os valores refinados do ndice de refrao e espessura do filme, pode-se prosseguir
com a obteno da absoro sem necessidade de realizar mais melhoramentos nos dados.
A absoro do filme pode ser descrita por trs parmetros, x, e k, que esto ligados por
relaes simples. A preferncia de um pelo outro depende da informao desejada. Por exemplo,
prefere-se para a obteno do gap ptico (pelo mtodo de Tauc ou E04 ), ou ento k se houver
interesse no ndice de refrao complexo. A quantidade x tambm utilizada para facilitar o manejo
das equaes. As relaes entre essas diferentes quantidades so dadas por:

x = exp (d)

(4.3.1)

(4.3.2)

k =

onde x a absorbncia, o coeficiente de absoro e k o coeficiente de extino.


Uma maneira eficiente de obter x atravs da derivao de uma curva de transmisso similar aos
envoltrios mximos e mnimos. Essa nova curva chamada de transmisso livre de interferncia,
T , e pode-se obt-la a partir da seguinte integrao:

Ax
d
2
0 B Cx cos() + Dx
Ax
=
2
[(B Cx + Dx )(B + Cx + Dx2 )]1/2

T =

(4.3.3)

Aqui, a integrao feita num intervalo suficientemente pequeno, de um mximo at o mnimo


adjacente, para que se possa considerar os parmetros constantes. Nesta equao (4.3.3), substituise Tmax e Tmin , equaes (4.1.2) e (4.1.3), obtendo:
42

0 ,9

I n t e n s id a d e ( u . a .)

0 ,8

0 ,7

0 ,6

T
T

m a x

,T

m in

0 ,5
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

Figura 4.9: Espectro de transmitncia livre de interferncia T .

T =

p
Tmax Tmin

(4.3.4)

Resolvendo a equao (4.3.3) para x, obtm-se:

G [G2 (n2 1)6 (n2 s4 )2 ]1/2


x=
(n 1)3 (n s2 )

1/2

(4.3.5)

onde

G=

128n4 s2
+ n2 (n2 1)2 (s2 1)2 + (n2 1)2 (n2 s2 )2
2
T

A equao anterior equivalente a outra muito utilizada para estudos de absoro na regio do
infravermelho [19]:

43

x=

P + [P 2 + 2QT (1 R2 R3 )]1/2
Q

(4.3.6)

onde

Q = 2T (R1 R2 + R1 R3 + 2R1 R2 R3 )
P = (R1 1)(R2 1)(R3 1)
R1 = [(1 n)/(1 + n)]2
R2 = [(n s)/(n + s)]2
R3 = [(s 1)/(s + 1)]2

O programa obtm x das equaes (4.3.5) e (4.3.6), a diferena entre os resultados,


como esperado, desprezvel.

Com os valores de x, e k, pode-se obter o gap ptico do material pelo mtodo de Tauc [32] e
E04 . O primeiro consiste em fazer um ajuste linear na regio de alta absoro do grfico de (h)1/2
por h para (h)1/2 0. O segundo obtm o gap diretamente da energia em que assume o
valor 104 cm1 .
O Programa obtm o valor do gap pelo mtodo E04 alm de criar um arquivo com
os dados no formato necessrio para obteno do gap pelo mtodo de Tauc.

44

7 0 0 0

a (c m

-1

6 0 0 0
5 0 0 0

4 0 0 0
3 0 0 0
2 0 0 0
1 0 0 0

0 ,0 2 0

0 ,0 1 5
0 ,0 1 0
0 ,0 0 5
0 ,0 0 0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

l (n m )

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 4.10: Coeficientes de absoro e extino obtidos para um dos filmes de nitreto de alumnio
estudados neste trabalho.

4.4

Refletncia

Agora que as constantes pticas do filme fino so conhecidas, possvel obter o espectro de
refletncia utilizando a equao obtida por Minkov [33, 34], a seguir:

R =

A0 (B10 cos B20 sen)x + C 0 x2


A00 (B100 cos B200 sen)x + C 00 x2
A000 x2
+ 00
A (B100 cos B200 sen)x + C 00 x2
1
00
00
D (E1 cos E200 sen)x + F 00 x2

onde

45

(4.4.1)

A0 = [(n 1)2 + k 2 ][(n + s)2 + k 2 ]


B10 = 2[(n2 + k 2 1)(n2 + k 2 s2 ) + 4k 2 s]
B20 = 4k[s(n2 + k 2 1) (n2 + k 2 s2 )]
C 0 = [(n + 1)2 + k 2 ][(n s)2 + k 2 ]
A00 = [(n + 1)2 + k 2 ][(n + s)2 + k 2 ]
B100 = 2[(n2 + k 2 1)(n2 + k 2 s2 ) 4k 2 s]
B200 = 4k[s(n2 + k 2 1) + (n2 + k 2 s2 )]
C 00 = [(n 1)2 + k 2 ][(n s)2 + k 2 ]
A000 = 64s(s 1)2 (n2 + k 2 )2
D00 = [(n + 1)2 + k 2 ][(n + 1)(n + s2 ) + k 2 ]
E100 = 2[(n2 + k 2 1)(n2 + k 2 s2 ) 2k 2 (s2 + 1)]
E200 = 2k[(n2 + k 2 s2 ) + (s2 + 1)(n2 + k 2 1)]
F 00 = [(n 1)2 + k 2 ][(n 1)(n s2 ) + k 2 ]
Na Figura 4.11, pode-se ver um espectro calculado, juntamente com o respectivo espectro de
transmitncia experimental.

46

I n t e n s id a d e ( u . a .)

0 ,9

0 ,6

0 ,3

4 0 0

6 0 0

l (n m )

8 0 0

1 0 0 0

Figura 4.11: Refletncia calculada para um filme fino e seu respectivo espectro de transmitncia.

47

Captulo 5
Anlise ptica de Filmes Finos
Inomogneos
Para um filme fino ser considerado no homogneo1 , deve cumprir no mnimo uma das condies
a seguir:
a) Interfaces ar-filme e filme-substrato no paralelas entre si, implica em espessura no uniforme;
b) Interfaces ar-filme e/ou filme-substrato apresentam rugosidade. No caso da primeira interface,
implica em espessura no uniforme. Se a rugosidade for causada por coexistncia de diferentes
fases cristalinas e/ou amorfa, pode surgir variaes no ndice de refrao do filme;
c) O gradiente das constantes pticas, n e k, no nulo.

Modelos para filmes homogneos no consideram os fenmenos fsicos provenientes das caracterstas pticas-estruturais listadas acima. Os parmetros pticos obtidos por esses modelos, como o
apresentado no captulo 4, apresentaro erros proporcionais ao grau de inomogeneidade presente nos
filmes. Todavia, esses modelos podem ser utilizados numa primeira caracterizao ptica, quando
ainda no se sabe qual modelo de inomogeneidade o mais adequado para o material.
A anlise ptica de filmes inomogneos deve considerar as alteraes no espectro de transmitncia
devido s inomogeneidades. Para os modelos discutidos seguir, h uma considerao fundamental
adotada especialmente neste trabalho: o espectro recuperado mostrado na Figura (6.10) assumido
como o espectro do filme caso este fosse homogneo. A no sobreposio desse espectro com o
espectro experimental indica que o filme possui algum grau de inomogeneidade. A assuno
ousada, mas sua validade nos casos aqui abordados ser verificada mais adiante.
1

As razes as quais se obtm filmes desse tipo podem variar de m colocao do substrato na cmara de deposio
at afinidade qumica dos elementos que so depositados.

48

5.1

Rugosidade Superficial

A rugosidade caracterizada pela variao de espessura, acompanhada ou no de variao no


ndice de refrao. Swanepoel [35] obteve uma equao que descreve a influncia da rugosidade no
espectro de transmitncia por meio da intregao da equao (3.4.11). Para a regio de transparncia, por exemplo, obtm-se:

T Td
1

2
1
A
=
d
2 1 1 B C cos + D
= 4n(d d)/

(5.1.1)

2 = 4n(d + d)/
onde a espessura mdia d e a variao de espessura d esto definidos na Figura (5.1).

Figura 5.1: Modelagem da variao de espessura contnua proposta por Swanepoel.

Utilizando procedimento anlogo para filme absorvedor, obtm-se a correspondncia entre os envoltrios dos pontos mximos e mnimos de um filme com variao de espessura e seu correspondente
de espessura uniforme:

49


T0max =

T0min =

Tmax Tmin
tan1

"s

Tmax Tmin
tan1

"s

Tmax
Tmin

Tmin
Tmax

#
tan

(5.1.2)
#

tan

(5.1.3)

onde = 2nd/ e 0 < < /2. T0max e T0min so os envelopes mximo e mnimo corrigidos do
espectro de transmitncia, Tmax e Tmin so os envelopes mximo e mnimo do espectro do filme
uniforme, d a variao da espessura na superfcie do filme.
A definio de d utilizada indistinguvel do padro de rugosidade retangular mostrado na
Figura (5.2). Alm disso, pode-se compreender a variao de espessura como mudana no caminho
ptico, tornando vlida a relao a seguir:

d n n d

(5.1.4)

Figura 5.2: Modelagem de rugosidade superficial proposta por Swanepoel.

Portanto, pode-se resolver as equaes (5.1.2) e (5.1.3) para o melhor valor de d. Utilizando a
equao (5.1.4) possvel encontrar o valor de n para determinado valor otimizado de d, dessa
forma o modelo permite obter uma medida da rugosidade em filmes de espessura uniforme, mas
de ndice de refrao no uniforme.
preciso notar que no modelo de rugosidade de Swanepoel os parmetros d e n so fixos,
limitados a duas fases e a proporco da fase inomognea ser sempre de 50% da rea do feixe. No
modelo de partculas dispersas proposto neste trabalho possvel: a) simular qualquer distribuio
para d; b) a diferena entre os ndices de refrao das duas fases includa em termos das curvas
de disperso dos ndices de refrao correspondentes; c) a proporo da fase inomognea no est
restrita a 50% da rea do feixe, mas toda a faixa de 0 a 100% pode ser analisada.
50

Note que, no modelo de Swanepoel, a inomogeneidade devida somente a d no engloba partculas, mas apenas variao de espessura, enquanto n significa uma variao constante na curva
de disperso do ndice de refrao da, aqui chamada, matriz, sendo ento impossvel obter qualquer
informao a respeito de quantidade e tamanho de partculas e/ou sobre o ndice de refrao destas
partculas. Portanto, considerando os aspectos fsicos do modelo de rugosidade de Swanepoel, no
aceitvel utiliz-lo para a caracterizao de filmes contendo partculas dispersas em uma matriz.

5.2

Perfil de Inomogeneidade em Profundidade

Outra forma de descrever a inomogeneidade de um filme fino considerar o gradiente do ndice


de refrao no nulo. Esse procedimento [36] considera a influncia de pequenas inomogeneidades
sobre o espectro de transmitncia, descrita pela equao a seguir:

T =
r0 =

4 n
T
s

" 
#
2
2nz
s
2nz
Im r0 cos
(z) dz
+ i sen

(5.2.1)

(s 1) cos + i (s/n n) sen


(s 1) cos + i (s/n + n) sen

A partir da equao acima, possvel simular o efeito de qualquer perfil de pequenas variaes
em n, as quais so descritas por funes dependentes da profundidade no filme (z), algumas delas
ilustradas na Figura 5.3. Essa equao obtida para filmes transparentes, mas pode ser tambm
utilizada na simulao de filmes absorvedores, desde que o coeficiente de absoro do filme seja
pequeno, tornando-o insignificante nessa anlise.
Com a devida escolha de (z), foi simulado o efeito de rampas positivas, nas quais ocorre o
aumento do ndice de refrao com o aumento da profundidade no filme, e negativas, onde ocorre o
contrrio. Avaliou-se a possvel presena de degrais nas interfaces ar-filme e/ou filme-substrato ou
em qualquer posio no interior do filme. Esse modelo to verstil que permite simular qualquer
perfil de constantes pticas caso conhea-se a funo (z).

51

Figura 5.3: Alguns perfis em profundidade que podem ser modelados pela equao (5.2.1).

52

Para filmes que reagem com o ambiente ao qual est exposto, por exemplo, se oxidando, a modelagem de um degrau com diferentes propriedades pticas na superfcie especialmente interessante.
J as rampas tm fraco apelo fsico, pois quando define-se determinada rampa para uma constante
ptica, a variao dessa constante seria to maior quanto menor a espessura do filme. Isso cria um
problema srio de anlise, visto que as condies de crescimento do filme e as propriedades pticas
esperadas esto correlacionadas, como observado experimentalmente, o que no condiz com esse
modelo.

5.3

Modelo de Partculas Dispersas

O modelo aqui proposto modifica o termo de fase 1 na equao (3.4.5), somando a mudana
de fase ocorrida na matriz homognea mudana de fase sofrida dentro de partculas tambm
homogneas. Ao se inserir partculas no modelo, mantm-se a espessura do filme inalterada, o que
equivale a retirar uma poro da matriz do filme e substitu-la por uma partcula com ndice de
refrao diferente daquele do filme, mas de tamanho correspondente. O termo modificado torna-se:

2nm dm 2np dp
+

d = dm + dp

(5.3.1)
(5.3.2)

onde os subndices m e p correspondem s fases matriz e partcula, respectivamente e d a espessura


total do filme. Note que dp o tamanho da partcula na direo do feixe, como o experimento feito
com a inclinao do feixe fixa (normal ao filme), espera-se obter o tamanho mdio das partculas
nessa direo. O valor de np pode, muitas vezes, ser obtido da literatura [37]. A transmitncia final
deve ser obtida da equao (3.4.10).
Para esse modelo ser vlido, o filme deve obedecer as seguintes condies:
a) A adio ao termo de fase vlida para misturas com ndices de refrao prximos. Caso isso
no fosse verdade, seria necessrio modificar os coeficientes de reflexo e transmisso; essa
53

aproximao particularmente vlida para uma matriz amorfa e partcula cristalina de um


mesmo material, como o caso de alguns dos filmes de AlN aqui estudados.
b) Considera-se as partculas no interior do volume, e no nas interfaces ar-filme e filme-substrato.
Caso contrrio, os coeficientes de reflexo e transmisso deveriam ser alterados; na realidade,
h um erro embutido nesta aproximao, mas desde que as partculas estejam distribudas
homogeneamente no volume do filme, e que suas dimenses sejam muito inferiores espessura
do mesmo, esta uma aproximao vlida.
c) As interfaces entre matriz e partcula devem ser abruptas, o que vlido no nosso caso, pois
>> dp >> tinterface .
Aqui, vale a pena justificar se haveria ou no espalhamento de luz (elstico e/ou inelstico)
devido s partculas, o que poderia causar reduo da intensidade transmitida. Para o espalhamento
elstico, poderamos considerar n 2dsen :

n
sen
2d

(5.3.3)

como 400 6 6 1200 nm, para /2d . 1 d > /2,

d > 200 nm

(5.3.4)

ou seja, teramos espalhamento mensurvel para partculas de dimenses superiores a 200 nm,
somente, o que no ocorre nos filmes aqui estudados. Logo, as partculas so suficientemente
pequenas para evitar o espalhamento elstico da luz. Para grandes partculas com d > 200 nm,
seria necessrio tambm levar em conta o espalhamento elstico da luz.
Alm disso, o espalhamento elstico seria mais importante para partculas com densidade eletrnica e/ou ndice de refrao bem diferentes. No nosso caso, temos partculas e matriz muito
parecidas. Ambos os meios so formados pelo mesmo material, AlN, amorfo na matriz e cristalino
nas partculas.
54

J o espalhamento inelstico praticamente inexistente nessa faixa de energia [38].


Por fim, o modelo de partculas dispersas pode ser implementado no processo de minimizao
numrica apresentado na seo 6.3, possibilitando que a espessura do filme seja otimizada em
conjunto com os demais parmetros do modelo, como o nmero de feixes que passam por partculas
e o tamanho delas. Alm disso, possvel simular mais de um tipo de partcula presente no filme,
no se limitanto a apenas duas fases.

55

Captulo 6
Resultados e Discusso
Neste captulo, sero apresentados os resultados obtidos para os filmes de carbeto de silcio
amorfo hidrogenado e nitreto de alumnio indicados nas tabelas 2.1 e 2.2.
O termo mtodo homogneo ser usado com frequncia para referenciar o mtodo do envelope
desenvolvido por Manifacier e Swanepoel.

6.1

Anlise ptica por Modelos para Filmes Homogneos

ndice de Refrao
Os ndices de refrao obtidos pelo mtodo do envelope e j ajustados de acordo com o modelo
de Wemple esto nas Figuras (6.1) e (6.2). Todas as curvas de disperso encontradas apresentam o
mesmo comportamento: aumento do ndice de refrao com o aumento da energia da radiao. A
suavidade das curvas mostra que a regio espectral estudada est distante de bandas de absoro.
A Figura (6.1) apresenta, tambm, valores do ndice de refrao do carbeto de silcio cristalino
obtidos na literatura [39]. O ndice de refrao do material amorfo deve ser menor que o ndice de
refrao de sua respectiva fase cristalina, e de fato isso que se observa.
Jones et al [40] utilizou elipsometria espectroscpica para obter o ndice de refrao de um filme
similar ao A-2, encontrando n = 2, 09 em = 620 nm e n = 2, 07 em = 1240 nm. Os valores
obtidos neste trabalho foram n = 2, 099 em = 620 nm e n = 2, 061 em = 1240 nm para o
referido filme. As curvas de disperso obtidas para o nitreto de alumnio por este e outros autores
[41] so mostradas na Figura (6.2).

56

C -1
C -2
L e v e q u e e L y n c h
T h ib a u lt
S h a ffe r
C h o y k e e P a tric k
6

2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.1: ndice de refrao dos filmes C-1 e C-2 e do SiC cristalino obtido por outros autores
[39].
A -1
A -2
A -3
A -4
A -5
Jo n e s e t a l
D e m iry o n t e t a l
G e id u r e Y a s k o v e t a l

3 ,2

3 ,0

2 ,8

2 ,6

2 ,4

2 ,2

2 ,0

1 ,8
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.2: ndice de refrao dos filmes A-1 a A-5 e obtido por outros autores.
O sumrio dos valores dos ndices de refrao estticos encontrados para cada filme e os coeficientes E0 e Ed esto na Tabela 6.1. interessante notar que o ndice de refrao esttico
57

Tabela 6.1: Sumrio dos valores do ndice de refrao esttico ne e os parmetros E0 e Ed para
todos os filmes.
Filme
C-1
C-2
A-1
A-2
A-3
A-4
A-5

ne
2,106
1,932
2,011
2,050
1,968
1,954
1,910

E0
6,5057
6,5207
8,2586
8,1270
8,1972
7,5462
7,4728

Ed
22,3614
17,8216
25,1512
26,0171
23,5699
21,2667
19,7897

decrescente para os filmes A-3, A-4 e A-5, que possuem graus de cristalinidade crescentes nessa
ordem.
O ndice de refrao esttico (ne ) do carbeto de silcio amorfo foi graficado em funo do gap
ptico (E04 ) e do contedo de carbono (x)1 por Bullot e Schmidt [42]. Conforme a literatura, vide
Figura (6.3), e os valores de ne da tabela 6.1, obtm-se o contedo de carbono nos filmes C-1 e
C-2 de 0,39 e 0,49, respectivamente. Vale lembrar, todavia, que os filmes estudados neste trabalho
so bem diferentes dos estudados at ento [42] pela comunidade cientfica. Particularmente, os
filmes aqui estudados apresentam maior densidade de ligaes Si-C, sendo bem mais densos que os
filmes depositados na poca [42]. Devido maior densidade dos filmes atuais, de se esperar que
os ndices de refrao desses filmes sejam maiores que os obtidos para os filmes apresentados no
trabalho de Bullot e Schmidt [42], para um mesmo contedo de carbono.
Dados de RBS [43] mostram que o contedo de carbono real dos filmes C-1 e C-2 de 0,64 e 0,80,
respectivamente. Esses dados mostram que uma nova curva de correspondncia de ne por x deveria
ser construda para os filmes atuais, depositados com baixo fluxo de silano, diluio da mistura
gasosa em gs hidrognio e dentro de regime de plasma faminto por silano, como os depositados
aqui e em outros trabalhos do grupo [44, 45].

O contedo de carbono definido conforme a conveno: a-Si1x Cx :H.

58

3 ,0 0

B u llo t e S c h m id t
C -1
C -2

2 ,7 5

2 ,5 0

2 ,2 5

2 ,0 0

1 ,7 5

1 ,5 0
0 ,3

0 ,4

0 ,5

0 ,6

0 ,7

0 ,8

0 ,9

1 ,0

Figura 6.3: Relao entre o ndice de refrao esttico e o contedo de carbono na literatura [42] e
neste trabalho.

Absoro
Os valores obtidos para o coeficiente de absoro, , e da absorbncia, x, so exibidos na Figura
(6.4).
Os coeficientes de extino para todos os filmes esto na Figura (6.5).
Tanto os filmes de carbeto de silcio quanto de nitreto de alumnio apresentaram valores da ordem
de 1003 a 1002 para o coeficiente de extino, valores relativamente pequenos e que correspondem
a filmes pouco absorvedores. Note que, mesmo para a regio de maior transparncia dos filmes, em
geral a partir de 800 nm, o coeficiente de extino pequeno mas existente.
As curvas dos coeficientes de absoro so similares s curvas dos coeficientes de extino, visto
que a relao entre as duas dada pela equao (4.3.2). Note que a relao entre as curvas dos
coeficientes de extino e da absorbncia dada pela equao (4.3.1).

59

1 ,0

1 ,0

0 ,9

0 ,9

A -1
A -2
A -3
A -4
A -5

0 ,8
0 ,7

C -1
C -2

0 ,8

0 ,7
0 ,6
0 ,6
0 ,5
0 ,5

0 ,4
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0 1 2 0 0 1 4 0 0 1 6 0 0 1 8 0 0 2 0 0 0
9 0 0 0

1 6 0 0 0

1 2 0 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

C -1
C -2

7 0 0 0
6 0 0 0
5 0 0 0

-1

8 0 0 0

a (c m

1 0 0 0 0

6 0 0

8 0 0 0

A -1
A -2
A -3
A -4
A -5

1 4 0 0 0

4 0 0

4 0 0 0

6 0 0 0

3 0 0 0

4 0 0 0

2 0 0 0

2 0 0 0

1 0 0 0
0
0
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0 1 2 0 0 1 4 0 0 1 6 0 0 1 8 0 0 2 0 0 0
l (n m )

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.4: Absorbncia e coeficientes de absoro de todos os filmes.

Espessura
A espessura ptica dos filmes exibida na Tabela 6.2, na qual tambm so fornecidos os valores
obtidos por perfilometria. V-se que os valores acordam entre si e que o valor obtido por perfilometria
, em geral, menor que o obtido pelo mtodo do envelope. Isso se d pela maneira mecnica pela
qual o degrau formado e medido, pois a mscara utilizada para a formao do degrau acaba
influenciando a espessura do filme em sua proximidade, causando uma subestimao sistemtica
nas medidas obtidas pelo equipamento de perfilometria.
As espessuras obtidas pelo programa de anlise ptica variaram de 283,95 nm a 972,70 nm,
mostrando que possvel trabalhar com filmes de diversas espessuras sem que se perca qualidade
nos resultados. Todavia, as espessuras obtidas para os filmes A-3, A-4 e A-5 podem necessitar de

60

0 ,0 4 0
0 ,0 3 5

A -1
A -2
A -3
A -4
A -5

0 ,0 3 0
0 ,0 2 5

0 ,0 2 0
0 ,0 1 5
0 ,0 1 0
0 ,0 0 5
0 ,0 0 0
4 0 0

0 ,0 3 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

2 0 0 0

C -1
C -2

0 ,0 2 5
0 ,0 2 0

0 ,0 1 5
0 ,0 1 0
0 ,0 0 5
0 ,0 0 0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.5: Coeficientes de extino de todos os filmes.


Tabela 6.2: Espessura dos filmes, em nanmetros, calculada pelo programa (dpro ) e obtida por
perfilometria (dper ).
Filme
C-1
C-2
A-1
A-2
A-3
A-4
A-5

dpro
972,50
426,29
283,95
861,79
588,82
688,90
962,93

dper
860,70
377,50
276,23
852,13
605,53
622,25
923,46

dpro/dper

1,13
1,13
1,03
1,01
0,97
1,11
1,04

correo, tendo em vista a inomogeneidade observada nos mesmos, conforme ser discutido mais a
frente.
A mnima espessura de um filme que pode ser obtida pelo programa varia em funo dos ndices
de refrao do filme e do substrato, e tambm em funo da absoro do filme. Para filmes muito
finos, desejvel que a diferena entre os ndices de refrao do filme e do substrato seja grande,

61

a fim de aumentar a definio das franjas do espectro de transmitncia2 . Como regra geral, no
possvel analisar espectros com menos de 3 mximos e 3 mnimos pelo mtodo do envelope.
Para filmes grossos, no h um limite claro na espessura, mas deve-se ter em conta de que filmes
muito grossos produzem muitos extremos e o equipamento que medir a transmitncia deve ter
resoluo em energia suficiente para defin-los no espectro adquirido. Caso o filme seja espesso o
suficiente para que a separao entre extremos seja da ordem da largura de banda do feixe (2nm)
que incide na amostra, necessrio fazer um ajuste que leve a atenuao da transmitncia em conta
[19] (nenhum filme deste trabalho necessitou desse ajuste).
Como 2nd = m, considerando-se 2 mximos ou mnimos subsequentes:

2n1 d = m1 1 2n2 d = m2 1
com m2 = m1 + 1 temos que

2(n2 n1 )d = m1 (2 1 ) + 2
logo

d=

m1 (2 1 ) + 2
2(n2 n1 )

(6.1.1)

Note que, na regio de transparncia, n2 n1 , e consequentemente espessura muito grandes


podem ser analisadas , mesmo se 2 1 0, ou da ordem de resoluo espectral do equipamento
(2nm).
Por outro lado, na regio de mdia e alta absoro n2 n1 atinge valores considerveis, mesmo
para 2 1 muito pequenos, fazendo com que a espessura dos filmes analisveis neste intervalo
seja menor.
2

A amplitude das oscilaes do espectro de transmitncia aumenta com o aumento da diferena entre os ndices
de refrao do filme e do substrato.

62

Por exemplo, considerando o filme A-2, o limite para a regio de transparncia d = 162 m e
e para a regio de alta absoro d = 13, 5 m.
Logo, na regio de transparncia podemos analisar filmes com centenas de micrmetros, enquanto
que na regio de mdia e alta absoro, filmes com, at, dezenas de micrmetros.
Filmes muito grossos atrapalham as medidas de gap ptico nos mtodos de Tauc e E04 , visto que
as franjas de interferncia adentram a regio de alta absoro prejudicando a determinao desses
parmetros. Na seo seguinte, Figura (6.6), h um exemplo deste efeito.

Gap ptico
Os gaps pticos obtidos neste trabalho esto reunidos na Tabela 6.3. Este foram determinados
utilizando-se os mtodos de Tauc e E04 , e exibidos juntamente com o parmetro E0 da relao
(4.2.14).
Como pode ser visto na tabela 6.3, os valores de gap obtidos diretamente do espectro de transmitncia, atravs da lei de Lambert-Beer3 , diferem dos valores obtidos considerando a influncia
da refletncia no espectro. Note que a refletncia est includa na obteno das constantes pticas
pelo programa, inclusive na obteno do coeficiente de absoro .
Tabela 6.3: Gap ptico obtido pelos mtodos de Tauc e E04 . Os valores em parnteses esto
corrigidos pela refletncia.
Filme
C-1
C-2
A-1
A-2
A-3
A-4
A-5

Tauc
2,89
3,14
4,80
4,43
4,87
3,65
3,59

E04
2,93 (3,05)
2,95 (3,18)
4,12 (4,05)
3,29 (3,47)
3,60 (3,90)
3,37 (3,59)
3,84 (4,20)

E0 /2
3,25
3,26
4,13
4,06
4,10
3,77
3,73

E04 E0 /2
0,32 (0,20)
0,31 (0,08)
0,01 (0,08)
0,77 (0,59)
0,50 (0,20)
0,40 (0,18)
+0,11 (+0,47)

TaucE0 /2
0,36
0,12
+0,67
+0,37
+0,77
0,12
0,14

A Lei de Lambert-Beer utilizada para converter o espectro de transmitncia em um espectro do coeficiente de


absoro: = 1/d ln (1R)/T . H possibilidade de inserir a refletncia na equao (R 6= 0), mas geralmente isto no
feito.

63

A Figura (6.6) mostra claramente o deslocamento vertical dos valores do coeficiente de absoro.
Nota-se que a equao de Lambert-Beer superestima a absoro do filme, j que esta considera a
diminuio da transmitncia devido a refletncia como absoro do filme. O mtodo do envelope
considera a refletncia e, por isso, apresenta valores menores, e mais prximos do real, para a
absoro.
O parmetro E0 , proveniente do modelo de Wemple e Didomenico, fornece uma mdia da
energia do gap. Conforme a Figura (6.7), esse parmetro a diferena de energia entre o centro de
gravidade das bandas de valncia e conduo [46]. Dessa forma, a constante da equao (4.2.13)
pode ser diferente de 2, dependendo do formato das bandas de valncia e conduo, mas nunca
muito inferior a este valor.
2 5 0 0 0

Lambert-Beer
Mtodo do Envelope
Interpolao

2 0 0 0 0

a (c m

-1

1 5 0 0 0

1 0 0 0 0

5 0 0 0

0
2 7 0

3 0 0

3 3 0

l (n m )

3 6 0

3 9 0

Figura 6.6: Coeficiente de absoro corrigido pela refletncia inserida no mtodo do envelope.

Em particular, E0 traz informao quantitativa a cerca da estrutura de banda como um todo.


Isso diferente da informao dada pelo gap ptico Eopt 4 , que descreve as propriedades pticas
prximo borda da banda, ou seja, fornece uma propriedade local da banda.
Uma maneira de verificar o valor da constante na equao (4.2.13) fazer um ajuste linear do
grfico de Eopt por E0 cruzando a origem dos eixos coordenados, dessa forma o coeficiente angular
4

O termo Eopt refere-se tanto a E04 quanto a ETauc .

64

BANDA DE
CONDUO

EOPT

E0

BANDA DE
VALNCIA

Figura 6.7: Significado fsico do parmetro E0 : diferena de energia entre o centro de gravidade
da banda de valncia e da banda de conduo.
ser igual constante 1/g . Solomon et al [46] fizeram esse ajuste para filmes de carbeto do silcio e
sugere que o Eopt utilizado seja o E04 a fim de no se sujeitar aos erros estatsticos da extrapolao
de Tauc, neste trabalho fez-se o ajuste tambm para os filmes de nitreto de alumnio e utilizou-se
o gap E04 (R), j corrigido pela refletncia.
A Figura 6.8 mostra o referido ajuste linear para os filmes de carbeto de silcio e nitreto de
alumnio. Nesta figura tambm esto os dados de E04 e ETauc . Para o gap E04 possvel obter a
correlao entre os valores corrigidos e no corrigidos pela refletncia, e para o gap de Tauc pode-se
verificar o comportamento dos valores obtidos. A constante g calculada para os gaps pticos ETauc ,
E04 e E04 (R) esto na tabela 6.4. O gap E04 corrigido pela refletncia apresentou os valores de g
mais prximos de 2 para ambos os grupos de filmes, indicando que esta correo atua corretamente
na determinao do valor do gap.
Os valores de g obtidos esto prximos de 2 para os dois grupos de filmes, o fato de apenas

65

5 ,0
4 ,5

A lN
E 0 4
T a u
E 0 4
a -S iC :H
E 0 4
T a u
E 0 4

4 ,0
3 ,5

2 ,5

O P T

(e V )

3 ,0

(R )
c

(R )
c

2 ,0
1 ,5
1 ,0
0 ,5
0 ,0
0

E 0 (e V )

Figura 6.8: Obteno da constante da equao (4.2.13) e comparao entre ETauc e E04 com
E04 (R), este ltimo corrigido pela refletncia.
Tabela 6.4: Constante g e correlao de E04 e ETauc com E04 (R).
Filmes
a-SiC:H
AlN

g ETauc
2,159
1,848

g E04
2,214
2,175

g E04 (R)
2,089
2,075

dois pontos dos filmes de carbeto de silcio ajustarem-se prximos desse valor, pode indicar uma
segura correspondncia dos valores de E0 com o gap ptico. J os filmes de nitreto de alumnio
apresentam alguma disperso, especialmente o filme A-5 com deslocamento de 0,8eV do ajuste,
seguido pelo filme A-2 com deslocamento de 0,6eV do ajuste para o gap de Tauc. O filme A-5
apresentou disperso pouco maior que a do filme A-2 (homogneo), portanto no possvel afirmar
se a inomogeneidade do filme causou tal disperso. Aparentemente, pode-se dizer que a temperatura
de deposio, conforme tabela 2.2, altera o formato das bandas de valncia e conduo, levando
disperso do parmetro para esses filmes. Assim, se faz necessrio sries de deposio especficas
para verificar se, de fato, os filmes A-2 e A-5 pertencem a grupos com diferentes parmetros g e a
razo dessa diferena.
Os valores de g que mais apresentam diferena entre si so os do gap de Tauc e E04 para os
filmes de nitreto de alumnio. Isto mostra que o valor de = 104 cm1 no deve ser o melhor para

66

obter o gap correspondente dos filmes de nitreto de alumnio, ou que eles necessitam da correo
da refletncia. Os mesmos valores para os filmes de carbeto de silcio no apresentam tamanha
disperso, tambm corroborada pela pouca quantidade de pontos, entretanto indicam que filmes
de sries similares provavelmente tm acordncia entre ETauc e E04 . Este bom comportamento
apresentado pelos filmes de a-SiC:H encontrado tambm na literatura [46], que fornece uma
diferena mdia de 0,15 eV entre os gap pticos de ETauc e E04 .
A comparao do gap ptico com o ndice de refrao esttico pode ser visualizada na Figura
(6.9). Todavia, no se pode deixar de considerar que os filmes de a-SiC:H depositados at a poca
na qual o trabalho de Bullot e Schmidt [42] foi publicado so bem diferentes dos estudados neste
trabalho, que apresentam propriedades qumicas, morfolgicas e estruturais muito superiores. Como
citado anteriormente, devem apresentar ndice de refrao maior para um mesmo contedo de
carbono, se comparado aos filmes da poca.
3 ,5

B u llo t e S c h m id t
C -1 T a u c
C -2 T a u c
C -1 E 04

3 ,0

C -2 E

0 4

2 ,5

2 ,0

1 ,5
1 ,9

2 ,0

2 ,1

2 ,2

2 ,3

2 ,4

2 ,5

2 ,6
O P T

2 ,7

2 ,8

2 ,9

3 ,0

3 ,1

3 ,2

3 ,3

(e V )

Figura 6.9: Relao entre o ndice de refrao esttico e o gap ptico E04 . Linha contnua obtida
da literatura [42]. O gap ptico dos filmes C-1 e C-2 foi obtido por Tauc e E04 .

67

6.2

Verificao das Constantes pticas e Espessura

Uma maneira evidente de mostrar a eficcia do programa e, por consequncia, a validade dos
resultados recuperar o espectro de transmitncia de cada filme e compar-lo com o espectro
experimental inicial. Caso os dados de ndice de refrao (n), coeficiente de extino (k) e/ou
espessura (d) estiverem incorretos o ajuste no ser o ideal.
Conforme anlise visual da Figura 6.10 e o parmetro 2 na Tabela 6.5, conclui-se que as constantes pticas de filmes homogneos obtidas para os filmes C-1 e C-2 e A-1 e A-2 esto, provavelmente,
corretas. O fato do 2 do filme C-2 ser muito maior que o do filme C-1 provm do seu menor
nmero de mximos e mnimos, o que prejudica a preciso do mtodo do envelope, mesmo assim
o resultado obtido de boa qualidade. Portanto, concluses a cerca da qualidade dos resultados
devem ser tomadas considerando a anlise visual juntamente com o seu respectivo 2 . Os filmes
A-3 e A-4 apresentam pequenas diferenas entre os espectros experimental e calculado, supondo-se
o modelo de filme homogneo, o que indica a presena de algum tipo de inomogeneidade. J para
o filme A-5 h grandes diferenas entre os espectros experimental e calculado pelo programa de
anlise ptica, supondo-se o modelo de filme homogneo, como tambm pode ser confirmado pelo
seu 2 , sugerindo que a presena de inomogeneidades neste ltimo filme mais importante que nas
amostras A-3 e A-4.
Tabela 6.5: Parmetro de qualidade 2 dos espectros da Figura 6.10. Estes valores esto
normalizados pela quantidade de pontos da faixa espectral a qual os espectros foram comparados.
Filme
C-1
C-2
A-1
A-2
A-3
A-4
A-5

2 (105 )
0,3142
2,6569
2,1187
1,9027
2,3908
6,4058
25,4933

Por outro lado, sabemos o tipo de inomogeneidade presente nas amostras A-3, A-4 e A-5, pois
estas apresentam nanocristais (partculas) dispersos na matriz amorfa. Tambm se sabe que a
68

amostra A-5 a que apresenta maior quantidade desses nanocristais [47]. Logo, quanto maior a
quantidade desses nanocristais no filme, mais o espectro calculado supondo-se um filme homogneo
se distancia do experimental, como esperado. Esse fato tambm sugere que seria possvel calcular
a quantidade (ou densidade) desses nanocristais presente nos filmes, e at mesmo algumas de suas
caractersticas fsicas, como seu tamanho mdio.
No difratograma do filme A-5, mostrado na Figura 6.11, pode-se notar o pico referente ao plano
(002) da fase wurtzita hexagonal [48] do nitreto de alumnio. O tamanho de cristalito calculado
pela equao de Scherrer [49] 30 nm.
Imagens de microscopia eletrnica de transmisso de alta resoluo (HRTEM) [47] mostram a
formao de cristais (partculas) imersos em matriz amorfa no interior do filme A-5 e, em menor
tamanho e quantidade, tambm no filme A-3, Figura (6.12). Esse aspecto dos filmes j era esperado:
o modelo de filme homogneo forneceu melhores resultados para o filme A-3 em comparao ao filme
A-5.
As condies a), b) e c) indicadas na seo 5.3 so cumpridas neste caso, elas so: a) os ndices
de refrao das duas fases devem ser prximos, b) as partculas esto no interior do volume e c) a
interface entre as diferentes regies abrupta.
seguir, sero aplicados os modelos de inomogeneidade apresentados no captulo 5.

69

1 ,0

1 ,0

C -1
C -1 p

0 ,9

C -2
C -2 p

0 ,9

0 ,8
0 ,7

0 ,8

0 ,6
0 ,5

0 ,7

0 ,4
0 ,6

0 ,3
0 ,2

0 ,5
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

4 0 0

1 ,0

l (n m )

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

1 ,0

A -1
A -1 p

0 ,9

A -2
A -2 p

0 ,9
0 ,8

0 ,8
0 ,7

0 ,7
0 ,6

0 ,6
0 ,5
0 ,5
0 ,4
0 ,4

0 ,3

0 ,3

0 ,2
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

l (n m )

1 0 0 0

2 0 0

1 ,0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

l (n m )

1 0 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 ,0

A -3
A -3 p

0 ,9

A -4
A -4 p

0 ,9

0 ,8

0 ,8

0 ,7

0 ,7

0 ,6

0 ,6

0 ,5

0 ,5
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

3 0 0

6 0 0

9 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 5 0 0

1 ,0

A -5
A -5 p

0 ,9

0 ,8

0 ,7

0 ,6

0 ,5
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.10: Transmitncia experimental comparada com o espectro de transmitncia calculado a


partir das constantes pticas obtidas pelo mtodo do envelope (letra p aps nome do filme).

70

8 0 0
7 0 0

I n t e n s id a d e ( u . a .)

6 0 0
5 0 0
4 0 0
3 0 0
2 0 0
1 0 0

3 4 ,5

3 5 ,0

3 5 ,5

3 6 ,0

2q ()

3 6 ,5

3 7 ,0

3 7 ,5

Figura 6.11: Difratograma do filme A-5. Foi obtido somente um pico, em 36 .

Figura 6.12: Microscopia eletrnica de transmisso de alta resoluo do filme A-3 (esquerda) e A-5
(direita).
71

6.3

Obteno numrica das constantes pticas e espessura.


Filmes Muito Finos

Uma abordagem alternativa desenvolvida no decorrer deste trabalho a obteno numrica das
constantes pticas e espessura de filmes homogneos. (Na seo 5.3 est a verso para filmes com
partculas dipersas em uma matriz.)
Este procedimento baseado na descrio de Wemple do ndice de refrao, o qual necessita de
apenas dois parmetros para descrever o ndice de refrao: E0 e Ed . E tambm no comportamento
no oscilante do coeficiente de extino.
Os parmetros de entrada para a minimizao numrica so:
a) Faixa de E0 e Ed a ser considerada;
b) Espessura aproximada;
c) Coeficiente de extino: utiliza-se de outro filme fino ou fixa-se determinado valor constante
para todo espectro.

Para testar o procedimento de obteno numrica das constantes pticas e espessura utilizouse o espectro do filme A-2, cujos parmetros j so conhecidos e tambm por este ser um filme
homogneo.
O coeficiente de extino utilizado como parmetro de entrada est na Figura 6.13 comparado
com o coeficiente de extino correto do filme A-2. Neste caso, o coeficiente de extino utilizado
menor que o correto, entretanto um coeficiente de extino maior tambm permite executar o
mesmo procedimento mostrado aqui. A escolha deste coeficiente de extino como palpite inicial
proposital a fim de mostrar que irregularidades neste parmetro inicial no prejudicam o resultado
final. Note as irregularidades em torno de 750 nm e outras menores em 460 e 620 nm.

72

0 ,0 3 0

C o rre to
P a lp ite in ic ia l

0 ,0 2 5

0 ,0 2 0

0 ,0 1 5

0 ,0 1 0

0 ,0 0 5

0 ,0 0 0
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

(n m )

Figura 6.13: Coeficiente de extino utilizado como palpite inicial da minimizao numrica
comparado com o coeficiente de extino correto.
Para cada par de E0 e Ed otimiza-se a espessura do filme e, por fim, obtm-se o coeficiente de
extino ajustado ponto a ponto do espectro (para cada comprimento de onda). Logo, para cada
par de E0 e Ed existir uma espessura e curva do coeficiente de extino diferente. As diferentes
curvas do coeficiente de extino so sobrepostas num grfico, mostrado na figura 6.14. O comportamento no oscilante do coeficiente de extino permite encontrar a soluo correta entre as vrias
solues oscilantes, alm disso, a comparao entre o coeficiente de extino correto e da regio
correspondente ao ajuste pontual apontam que a soluo passa pelos ns das oscilaes.
Os assim chamados ns esto posicionados sobre os mximos do espectro de transmitncia, isso
mostra que, na condio de inteferncia construtiva, a transmitncia mxima no depende do ndice
de refrao do filme, mas somente do ndice de refrao do substrato e do coeficiente de extino
do filme [19], considerando sempre substrato no absorvedor, segundo equao 4.2.1. O mesmo no
acontece para os mnimos das franjas de interferncia que dependem do ndice de refrao do filme,
por isso apresentam as regies de maior disperso em k para um mesmo comprimento de onda,
conforme pode ser visto na Figura 6.15 e equao 4.2.4.

73

Assim, a anlise utilizando este mtodo, em geral s pode ser feita no limite de transparncia
at o ltimo mximo, ou seja, o mximo posicionado no maior comprimento de onda, pois a partir
deste ponto a incerteza no coeficiente de extino pode se tornar muito grande. No outro limite
espectral, a obteno do coeficiente de extino na regio de mdia-alta absoro a mais simples,
j que a disperso de k pequena e no depende da definio proporcionada pelos mximos de
transmitncia, j que nesta regio as franjas de interferncia desaparecem, conforme pode ser visto
na Figura 6.15.
0 ,0 3 0

C o rre to
P a lp ite in ic ia l
A ju s te p o n to a p o n to

0 ,0 2 5

0 ,0 2 0

0 ,0 1 5

0 ,0 1 0

0 ,0 0 5

0 ,0 0 0
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

(n m )

Figura 6.14: Coeficiente de extino utilizado como palpite inicial para a minimizao numrica
comparado com o coeficiente de extino correto e ajustado ponto a ponto do espectro.

A escolha correta da faixa de E0 e Ed feita quando os ns das oscilaes de k, mostradas no


grfico da Figura 6.14, so bem definidos e uma simetria similar a uma onda estacionria obtida.
A redefinio do coeficiente de extino deve ser feita para um mais prximo do correto. Nesta
primeira atualizao, escolhe-se diretamente os valores de k a partir dos ns j discutidos e refaz-se
o procedimento at a obteno dos novos valores de k. Este ciclo pode ser repetido quantas vezes
forem necessrias.

74

O fim do processo obtido quando, para o menor valor de 2 , o coeficiente de extino correspondente ajustado ponto a ponto no oscilante. Entretanto, minimizando 2 somente, podemos
ajustar perfeitamente o espectro experimental, mas ainda podemos obter k oscilante, o que no tem
significado fsico. Se isso acontecer, deve-se levar em conta tambm a qualidade do k otimizado, a
fim de que ele no seja oscilante.
Este ltimo coeficiente de extino obtido est mostrado na Figura 6.15. Esta forma de obter
o coeficiente de extino, ponto a ponto, muito sensvel a pequenas variaes de intensidade no
espectro de transmitncia, note a indicao da seta que mostra o efeito de uma troca de lmpada
no equipamento de medida. As oscilaes em torno do valor correto diferem em, no mximo, 4%
do valor correto, um smoothing desta curva a aproxima do valor correto, mas no recomendvel
pois no considera outros parmetros do filme.
0 ,0 3 0

Correto
Final obtido pela minimizao
Palpite inicial

0 ,0 2 8
0 ,0 2 6
0 ,0 2 4
0 ,0 2 2
0 ,0 2 0
0 ,0 1 8

0 ,0 1 6
0 ,0 1 4
0 ,0 1 2
0 ,0 1 0
0 ,0 0 8
0 ,0 0 6
0 ,0 0 4
0 ,0 0 2
0 ,0 0 0
3 0 0

4 5 0

6 0 0

7 5 0

9 0 0

l (n m )

1 0 5 0

1 2 0 0

1 3 5 0

1 5 0 0

Figura 6.15: Coeficiente de extino final obtido pela minimizao numrica comparado com o
coeficiente de extino correto e o palpite inicial.

Os outros parmetros (ndice de refrao e espessura) coincidiram com os valores corretos. Isso
mostra que este procedimento adotado para a obteno das constantes pticas e espessura resolve
o problema de filmes homogneos.
75

Utilizando este procedimento, a anlise ptica de um filme de 145 nm foi concluda com sucesso.
O espectro experimental comparado com o obtido pela minimizao numrica mostrado na Figura
6.16, as contantes pticas esto na Figura 6.17. Este filme no poderia ser analisado pelo mtodo
do envelope, devido pequena espessura que leva a pouca quantidade de franjas na faixa espectral
medida. Temos ento que o mtodo apresentado aqui pode ser uma alternativa confivel nestes
casos.
Os resultados obtidos pelo mtodo numrico para os filmes homogneos C-1, C-2, A-1 e A-2
esto comparados com os resultados obtidos pelo mtodo do envelope nas Figuras de 6.18 a 6.29.
1 ,0

Espectro experimental
Espectro mtodo numrico

0 ,9
0 ,8
0 ,7
0 ,6

0 ,5
0 ,4
0 ,3
0 ,2
0 ,1
0 ,0
3 0 0

5 0 0

7 0 0

l (n m )

9 0 0

1 1 0 0

Figura 6.16: Espectro de transmitncia de um filme fino de 145 nm de espessura caracterizado


pela minimizao numrica.

76

3 ,0 0

2 ,7 5

2 ,5 0

2 ,2 5

3 0 0
0 ,7
0 ,6
0 ,6
0 ,5
0 ,4
0 ,4
0 ,3
0 ,3
0 ,2
0 ,1
0 ,1
0 ,0
0 ,0

5 0 0

7 0 0

9 0 0

1 1 0 0

2
6
0
4
8
2
6
0
4
8
2
6
0
3 2 0

4 0 0

4 8 0

5 6 0

6 4 0

l (n m )

7 2 0

8 0 0

8 8 0

9 6 0

1 0 4 0

Figura 6.17: ndice de refrao e coeficiente de extino do filme de 145 nm.

1 ,0 0

0 ,7 5

0 ,5 0

Espectro experimental
Espectro mtodo homogneo
Espectro mtodo numrico
0 ,2 5
4 0 0

6 0 0

8 0 0

l (n m )

1 0 0 0

1 2 0 0

Figura 6.18: Espectro de transmitncia do filme C-1 comparado com o experimental e numrico.
77

k mtodo homogneo
k mtodo numrico

0 ,5

0 ,4

0 ,3

0 ,2

0 ,1

0 ,0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.19: Coeficiente de extino do filme C-1 calculado pelo mtodo numrico comparado com
o resultado obtido pelo mtodo de filme homogneo.

n mtodo homogneo
n mtodo numrico
5

4
3
2
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

0 ,0 1

D n (h o m -n u m )

0 ,0 0
-0 ,0 1
-0 ,0 2
-0 ,0 3
-0 ,0 4

l (n m )
1 0 0 0

Figura 6.20: ndice de refrao do filme C-1 calculado pelo mtodo numrico comparado com o
resultado obtido pelo mtodo de filme homogneo.
78

1 ,0

0 ,8

Espectro experimental
Espectro mtodo homogneo
Espectro mtodo numrico

0 ,6

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

Figura 6.21: Espectro de transmitncia do filme C-2 comparado com o experimental e numrico.
Note os melhores valores obtidos pelo mtodo numrico para a regio de alta absoro.

0 ,1 8

k mtodo homogneo
k mtodo numrico

0 ,1 6
0 ,1 4
0 ,1 2

0 ,1 0
0 ,0 8
0 ,0 6
0 ,0 4
0 ,0 2
0 ,0 0
4 0 0

6 0 0

l (n m )

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

Figura 6.22: Coeficiente de extino do filme C-2 calculado pelo mtodo numrico comparado com
o resultado obtido pelo mtodo de filme homogneo.
79

n mtodo homogneo
n mtodo numrico

6 ,0
5 ,5
5 ,0
4 ,5
4 ,0
3 ,5
3 ,0
2 ,5
2 ,0
1 ,5
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

D n (h o m -n u m )

0 ,0 0
-0 ,0 5
-0 ,1 0
-0 ,1 5
-0 ,2 0

l (n m )

1 0 0 0

Figura 6.23: ndice de refrao do filme C-2 calculado pelo mtodo numrico comparado com o
resultado obtido pelo mtodo de filme homogneo.

1 ,0

0 ,8

0 ,6

espectro experimental
espectro mtodo homogneo
espectro mtodo numrico

0 ,4

0 ,2
3 0 0

5 0 0

l (n m )
7 0 0

9 0 0

1 1 0 0

Figura 6.24: Espectro de transmitncia do filme A-1 comparado com o experimental e numrico.
Note os melhores valores obtidos pelo mtodo numrico para a regio de alta absoro.
80

0 ,1 5

k mtodo homogneo
k mtodo numrico

0 ,1 0

0 ,0 5

0 ,0 0
3 0 0

5 0 0

7 0 0

l (n m )

9 0 0

1 1 0 0

Figura 6.25: Coeficiente de extino do filme A-1 calculado pelo mtodo numrico comparado com
o resultado obtido pelo mtodo de filme homogneo.

3 ,0

n mtodo homogneo
n mtodo numrico

2 ,8

2 ,6
2 ,4
2 ,2
2 ,0
3 0 0

5 0 0

7 0 0

9 0 0

1 1 0 0

3 0 0

5 0 0

l ( n m 7 )0 0

9 0 0

1 1 0 0

0 ,0 0

D n (h o m -n u m )

-0 ,0 2
-0 ,0 4
-0 ,0 6
-0 ,0 8
-0 ,1 0
-0 ,1 2
-0 ,1 4

Figura 6.26: ndice de refrao do filme A-1 calculado pelo mtodo numrico comparado com o
resultado obtido pelo mtodo de filme homogneo.
81

1 ,0

0 ,8

0 ,6

espectro experimental
espectro mtodo homogneo
espectro mtodo numrico

0 ,4

3 0 0

5 0 0

7 0 0

l (n m )

9 0 0

1 1 0 0

1 3 0 0

1 5 0 0

1 7 0 0

Figura 6.27: Espectro de transmitncia do filme A-2 comparado com o experimental e numrico.
Note os melhores valores obtidos pelo mtodo numrico para a regio de alta absoro.

1 ,2

k mtodo homogneo
k mtodo numrico

1 ,0

0 ,8

0 ,6

0 ,4

0 ,2

0 ,0
3 0 0

5 0 0

7 0 0

9 0 0

l (n m )

1 1 0 0

1 3 0 0

1 5 0 0

1 7 0 0

Figura 6.28: Coeficiente de extino do filme A-2 calculado pelo mtodo numrico comparado com
o resultado obtido pelo mtodo de filme homogneo.
82

n mtodo homogneo
n mtodo numrico

3 ,0
2 ,8

2 ,6
2 ,4
2 ,2
2 ,0
0 ,0 2

3 0 0

5 0 0

7 0 0

9 0 0

3 0 0

5 0 0

7 0 0

9 0 0

1 1 0 0

1 3 0 0

1 5 0 0

1 7 0 0

1 1 0 0

1 3 0 0

1 5 0 0

1 7 0 0

D n (h o m -n u m )

0 ,0 0
-0 ,0 2
-0 ,0 4
-0 ,0 6
-0 ,0 8
-0 ,1 0
-0 ,1 2

l (n m )

Figura 6.29: ndice de refrao do filme A-2 calculado pelo mtodo numrico comparado com o
resultado obtido pelo mtodo de filme homogneo.

83

Perfil de Inomogeneidade em Profundidade


Os resultados obtidos para diversos tipos de perfis de n esto mostrados nas Figuras 6.30 e
6.31. Para o modelo ser aplicvel ao filme A-5, necessrio que o seu efeito sobre o espectro seja
o achatamento da amplitude das oscilaes, o que no acontece em nenhum dos casos. No caso
das rampas, os pontos mnimos do espectro permanecem inalterados, mas a posio dos mximos
aumenta ou diminui para a rampa positiva ou negativa, respectivamente. J o degrau desloca
verticalmente o espectro, efeito incapaz de corrigir os efeitos da inomogeneidade existente no filme
A-5.
0 ,9 0

A -5
A -5 p
+ 0 ,1 5 /-0 ,1 5
+ 0 ,7 0 /-0 ,7 0

0 ,8 5

0 ,8 0
0 ,7 5
0 ,7 0
0 ,6 5
1 ,0 0

A -5
A -5 p
-0 ,2 /+ 0 ,2
-0 ,7 /+ 0 ,7

0 ,9 5
0 ,9 0

0 ,8 5
0 ,8 0
0 ,7 5
0 ,7 0
0 ,6 5
4 0 0

4 5 0

5 0 0

5 5 0

l (n m )

6 0 0

6 5 0

7 0 0

7 5 0

Figura 6.30: Alterao no espectro de transmitncia variando-se continuamente o ndice de


refrao em funo da profundidade no filme. O ndice de refrao menor (maior) na superfcie e
maior (menor) na interface filme-substrato para rampa positiva (negativa).

84

0 ,9 5

A -5
A -5 p
f/s 3 0 -0 ,1 5
f/s 3 0 -0 ,7 0

0 ,9 0

0 ,8 5

0 ,8 0

0 ,7 5

0 ,7 0

0 ,6 5
4 0 0

5 0 0

l (n m )

6 0 0

7 0 0

Figura 6.31: Alterao no espectro de transmitncia quando inserida uma regio de 30nm na
interface filme (f)-substrato (s) com ndice de refrao superior em 0,15 e 0,70.

A descrio do filme com presena de gradiente no seu ndice de refrao no possibilitou a


reproduo do espectro de transmitncia experimental. Isso est de acordo com o esperado, visto
que, se a inomogeneidade do filme causada por aglomerados cristalinos em meio a uma matriz
amorfa, no h razo para inferir a existncia de um gradiente do ndice de refrao na direo de
crescimento do filme e, muito menos, em outras direes. Ainda, como discutido no captulo 5, este
modelo no fisicamente justificvel.

6.4
6.4.1

Modelo de Partculas Dispersas


Simulao do Filme A-2

Para testar o modelo de partculas dispersas aqui implementado e o procedimento de anlise de


dados utilizado, inseriu-se no espectro do filme homogneo A-2 o efeito de 50% do feixe incidente
atravessando partculas com tamanho de 30 nm 5 . Note que esse espectro modificado pela presena
5

A simulao feita com o total de 10000 feixes, portanto 5000 atravessam partculas.

85

das partculas seria o espectro obtido experimentalmente. Portanto, ele foi analisado da seguinte
forma:
a) Foi feita a obteno das constantes pticas e espessura pelo mtodo do envelope, supondo-se
o filme homogneo;
b) Realizou-se o ajuste dos parmetros Ed e E0 simultaneamente com a minimizao dos parmetros das partculas (tamanho e quantidade) e espessura do filme;
c) O coeficiente de extino foi obtido conforme mtodo da seo 6.3.
d) O ndice de refrao das partculas de AlN foi obtido da literatura [37]. Por apresentar
anisotropia ptica, se utilizou o valor mdio do ndice de refrao ordinrio (paralelo ao eixo
cristalogrfico c) e extraordinrio (perpendicular ao eixo cristalogrfico c). J o valor de k para
as partculas foi suposto nulo (o que uma boa aproximao para uma pequena quantidade
de partculas por unidade de volume, de tal maneira que o coeficiente de extino do filme
seja muito mais importante para a resoluo do problema).

Os espectros simulado e obtido do mtodo do envelope esto na Figura 6.32. notvel a


similaridade com o espectro do filme A-5 da Figura 6.10, este fato sugere que o modelo de partculas
dispersas aqui descrito possa ser aplicado aos filmes reais A-3, A-4 e A-5, consideradas as limitaes
e confiabilidade do modelo e resultados obtidos, conforme discutido adiante. A confirmao deste
fato ser dada mais a frente neste trabalho, atravs da comparao do espectro simulado com a
utilizao deste modelo com o espectro experimental de cada amostra.
Os parmetros obtidos pelo mtodo do envelope (ndice de refrao, coeficiente de extino e
espessura) vm de uma teoria desenvolvida para filmes homogneos, por isso a sua aplicao para
a obteno das constantes pticas e espessura de um filme homogneo (filme A-2), ao qual foi
adicionado o efeito de partculas ao espectro, fornece resultados incorretos, mas que devem ser bons
valores iniciais para um processo de refinamento desses resultados.

86

1 ,0

A-2 simulado com partculas


Resultado do mtodo do envelope

0 ,9

0 ,8

0 ,7

0 ,6

0 ,5

0 ,4
4 0 0

8 0 0

1 2 0 0

l (n m )

1 6 0 0

2 0 0 0

Figura 6.32: Espectro do filme A-2 simulado com 50% do feixe incidente atravessando partculas
com tamanho de 30 nm e espectro obtido a partir do mtodo do envelope aplicado ao filme
simulado.
Na Figura 6.33 esto comparados o ndice de refrao correto da fase homognea do filme A-2
e o ndice de refrao obtido pelo mtodo do envelope do filme simulado. interessante notar
que existe uma diferena de 0,08 em quase toda a faixa analisada, sendo que o mtodo para filme
homogneo subestimou os valores do ndice de refrao. Essa limitao em obter o ndice de refrao
correto pesa principalmente sobre o parmetro Ed , por isso qualquer ajuste que se faa no ndice
de refrao pode economizar tempo computacional melhorando primeiramente o valor de Ed para
depois melhorar o parmetro E0 . O parmetro Ed obtido pelo mtodo do envelope foi 22, enquanto
que o valor correto 26 ( 20% de erro) e o parmetro E0 obtido foi 7,73 contra o valor correto de
8,12 ( 5% de erro). Na Tabela 6.1, v-se que os parmetros E0 e Ed do filme A-5 so menores que
os obtidos para os demais filmes de AlN com menor ou nenhum grau de cristalinidade.
A comparao entre os coeficientes de extino est na Figura 6.34, o mtodo para filmes homogneos superestimou os valores de k a partir de 550 nm, para este filme. O efeito mais marcante
do aumento de k nessa regio o fato de os mximos do espectro calculado estarem abaixo dos mximos do espectro experimental, e esse um problema sistemtico do prprio mtodo do envelope,
pois para quase todos os filmes no homogneos estudados neste trabalho houve essa caracterstica
87

3 ,2

n obtido do mtodo do envelope


n correto

3 ,0

2 ,8

2 ,6

2 ,4

2 ,2

2 ,0

1 ,8
2 0 0

4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

l (n m )

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

2 0 0 0

Figura 6.33: ndice de refrao do filme A-2 simulado com 50% do feixe incidente atravessando
partculas com tamanho de 30 nm e ndice de refrao obtido a partir do mtodo do envelope
aplicado ao filme simulado.
nos espectros calculados. A falta de um modelo que possibilite o ajuste do coeficiente de extino,
similarmente ao utilizado com os parmetros E0 e Ed para o ndice de refrao, dificulta o ajuste
deste coeficiente. O fato de o coeficiente de extino no ter apresentado diferenas significativas
na regio de alta absoro sugere que os gaps pticos calculados pelo modelo de filme homogneo
estejam corretos.
Os resultados obtidos do ajuste dos parmetros das partculas, espessura do filme e ndice de
refrao so mostrados na Figura 6.35. Todos os clculos ali exibidos foram efetuados com o
coeficiente de extino obtido pelo mtodo do envelope. Os quatro pontos mostrados nesta figura
so solues de qualidade equivalente (com 2 de mesma ordem) , assim como os seus valores
intermedirios.
Verificou-se, neste trabalho, que o ndice de refrao e espessura s podem ser recuperados
completamente com o uso do coeficiente de extino correto durante o refinamento, caso contrrio os
parmetros E0 e Ed assumem um contnuo de valores que levam a solues de qualidade equivalente
e pouca melhora pode ser obtida. Particularmente, se o ajuste feito utilizando-se o coeficiente de
extino correto obtemos como resultado os valores corretos de espessura, tamanho e quantidade
88

k obtido pelo mtodo do envelope


k correto

0 ,0 2 9
0 ,0 2 7
0 ,0 2 5
0 ,0 2 3
0 ,0 2 1
0 ,0 1 9

0 ,0 1 7
0 ,0 1 5
0 ,0 1 3
0 ,0 1 1
0 ,0 0 9
0 ,0 0 7
0 ,0 0 5
0 ,0 0 3
3 0 0

5 0 0

7 0 0

l (n m )
9 0 0

1 1 0 0

1 3 0 0

1 5 0 0

Figura 6.34: Coeficiente de extino obtido para o filme simulado A-2 pelo mtodo do envelope
comparado com seu valor correto.
de partculas, bem como dos parmetros E0 e Ed utilizados na simulao.
Na Figura 6.36, esto algumas estapas do processo de minimizao dos parmetros envolvidos,
onde possvel notar as vrias solues utilizando o coeficiente de extino com erros e a boa
definio da soluo quando utilizado o coeficiente de extino correto.
Assim, o erro no coeficiente de extino obtido pelo mtodo do envelope supondo-se os filmes
homogneos a nica limitao para a obteno dos parmetros corretos dos filmes de nitreto
de alunnio aqui estudados, com presena de nanocristais (partculas dispersas), como descrito pelo
modelo aqui proposto. Ainda assim, com o valor de k obtido supondo-se que o filme seja homogneo,
foi possvel obter uma melhora de aproximadamente 3% na espessura do filme e um bom valor para
o tamanho de partcula mdio presente no filme, cuja diferena foi de 2,5 nm ou 10%. Conforme
mostrado na Tabela 6.6. J o resultado obtido para a quantidade de partculas existente no filme
utilizando o valor de k no ideal foi ruim, uma diferena de aproximadamente 50%, sendo que com
o valor de k correto o resultado melhor, ficando a diferena em torno de 15%.
Esses resultados, utilizando k fornecido pelo mtodo do envelope, mostram que o tamanho das
partculas tambm um parmetro confivel, e que o seu valor permaneceu praticamente constante
durante todo o processo de ajuste com erro absoluto de 10%, o que muito bom considerando-se a
89

2 8

1 0 0 0

Ed ajustado
Ed correto

2 7

9 5 0

Espessura (nm)

2 6
2 5

Ed

Espessura ajustada
Espessura correta

2 4
2 3
2 2

9 0 0

8 5 0

2 1
2 0

8 0 0
7 ,4

7 ,6

7 ,8

8 ,2

8 ,4

8 ,6

E 0

6 0 0 0

4 5 0 0
4 0 0 0
3 5 0 0
3 0 0 0
2 5 0 0

7 ,6

7 ,8

2 0 0 0

8 ,0

8 ,2

8 ,4

8 ,6

E 0

Tamanho de partcula ajustado


Tamanho de partcula correto

3 1

Tamanho de partcula (nm)

5 0 0 0

7 ,4
3 2

Nmero de partculas ajustado


Nmero de partculas correto

5 5 0 0

Nmero de partculas

8 ,0

3 0

2 9

2 8

2 7

2 6

2 5
7 ,4

7 ,6

7 ,8

8 ,0

8 ,2

8 ,4

8 ,6

7 ,4

7 ,6

7 ,8

E 0

8 ,0

8 ,2

8 ,4

8 ,6

E 0

Figura 6.35: Ajuste dos parmetros do modelo de partculas dispersas, ndice de refrao e
espessura comparados com os valores corretos.
simplicidade do modelo aqui proposto. A espessura tambm foi um parmetro estvel, apresentando
melhora em relao ao valor fornecido pelo mtodo para filmes homogneos. A quantidade de
partculas deve ser tomada com ateno, pois variou muito e seu valor mdio no foi satisfatrio,
entretanto pode ser utilizado na comparao entre diferentes filmes.
Note que todo este ajuste feito com o valor de k no ideal, obtido do mtodo para filmes
homogneos, fornecer melhores resultados quando exclui-se a regio de maiores comprimentos
de onda, j que o coeficiente de extino tende a conter maiores erros nesta parte do espectro.
Entretanto, caso seja feita esta anlise em apenas parte do espectro, os valores ajustados de ndice
de refrao do filme somente sero vlidos nesta faixa de comprimento de onda estudada.

90

0 ,1

0 ,0 1
2 1

2 2

2 3

2 4

2 5

2 6

E d

2 7

2 8

k pelo mtodo do envelope


E0 = 8,12
E0 = 7,73
E0 = 7,50
E0 = 8,50
k correto
2 9 E03 =0 8,123 1
E0 = 8,75
E0 = 7,73

Figura 6.36: Qualidade do ajuste utilizando k obtido do mtodo do envelope (no ideal) e k
correto. Para cada par E0 -Ed otimizou-se a espessura do filme e o tamanho e a quantidade de
partculas
Portanto, pde ser verificado que as solues obtidas aplicando-se o modelo para a anlise
ptica de filmes homogneos a um filme homogneo ao qual foi adicionado o efeito de partculas
superestima a espessura do filme e possibilita a obteno de um ndice de refrao prximo, mas
incorreto, alm de superestimar os valores do coeficiente de extino. Neste ltimo caso, quanto
maior o comprimento de onda maior o erro. Particularmente, este fato vai em oposio existncia
da regio de transparncia do filme, e portanto em oposio aos dados experimentais e teoria aqui
aplicados.
A seguir, experimentamos o mtodo numrico desenvolvido neste trabalho, e apresentado nas
sees 6.3 e 5.3, para a determinao do coeficiente de extino de um filme idntico ao filme
A-2 em cujo espectro foi includo o efeito de partculas, com o objetivo de melhorar o resultado
obtido pelo mtodo do envelope. O resultado apresentado na Figura 6.37. Neste procedimento,
o coeficiente de extino obtido pelo mtodo do envelope, que superestima o valor do mesmo para
grandes comprimentos de onda, foi utilizado como palpite inicial para o mtodo aqui desenvolvido.

91

Note que possvel obter o coeficiente de extino correto guiando-se pelos ns da regio de k
ajustado ponto a ponto.
0 ,0 3 0

C o rre to
P a lp ite in ic ia l
A ju s te p o n to a p o n to

0 ,0 2 5

0 ,0 2 0

0 ,0 1 5

0 ,0 1 0

0 ,0 0 5

0 ,0 0 0
4 0 0

8 0 0

1 2 0 0

1 6 0 0

l (n m )

2 0 0 0

Figura 6.37: Coeficiente de extino utilizado como palpite inicial (obtido pelo mtodo do
envelope) para a minimizao numrica comparado com o coeficiente de extino correto e
ajustado ponto a ponto do espectro.

Os resultados finais da espessura (d), tamanho mdio de partculas (tp) e nmero de feixes que
atravessam alguma partcula (nf) para o filme A-2 esto na Tabela 6.6.
Tabela 6.6: Resultados obtidos para o filme A-2 simulado com partculas comparados com os
valores corretos. Legenda: espessura (d), tamanho de partculas (tp), nmero de feixes (nf).
Mtodo do envelope
k mtodo homogneo
k mtodo numrico
k correto
Valores corretos

d (nm)
922
900
864
864
862

tp (nm)

27,5
30
30
30

nf

2750
4500
4500
5000

Tem-se, ento, que o mtodo numrico desenvolvido neste trabalho permite a obteno das
constantes pticas otimizadas dos filmes analizados, bem como a dimenso mdia e concentrao dos
nanocristais presentes no filme. Abaixo, aplicamos este mtodo para a determinao das constantes
92

pticas, espessura, dimenso mdia e concentrao dos nanocristais dos filmes A-3, A-4 e A-5.
Notem que o comportamento observado para o filme ideal simulado acima idntico ao observado
para os filmes reais analisados.

6.4.2

Filmes A-3, A-4 e A-5

O primeiro passo para a caracterizao destes filmes deve ser a otimizao do coeficiente de
extino pois, como foi mostrado anteriormente, a qualidade dos resultados depende fortemente
deste parmetro. Na Figura 6.22 est o resultado da otimizao do coeficiente de extino para o
filme A-3. A seta indica claramente a superestimao de k para comprimentos de onda acima de
800 nm.
0 ,0 2 0

k mtodo homogneo
k ajustado ponto a ponto
k mtodo numrico com partculas

0 ,0 1 8
0 ,0 1 6
0 ,0 1 4
0 ,0 1 2

0 ,0 1 0
0 ,0 0 8
0 ,0 0 6
0 ,0 0 4
0 ,0 0 2
0 ,0 0 0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

l (n m )

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.38: Correo do coeficiente de extino do filme A-3. A seta indica o ponto onde est
visvel a superestimao de k pelo mtodo do filme homogneo.

Aps a otimizao do coeficiente de extino do filme, utilizando o mtodo numrico aqui apresentado, aplicou-se o modelo de partculas dispersas, que possibilitou a obteno de valores melhorados de espessura e ndice de refrao do filme, alm do tamanho e quantidade das partculas. O
93

ndice de refrao melhorado do filme A-3 e o ndice de refrao obtido pelo mtodo do envelope
para filmes homogneos so apresentados, para comparao, na Figura 6.39. Um detalhe do espectro final corrigido exibido na Figura 6.40, e comparado com o espectro experimental e o espectro

calculado pelo modelo de filme homogneo.


3 ,0
2 ,9
2 ,8
2 ,7
2 ,6
2 ,5
2 ,4
2 ,3
2 ,2
2 ,1
2 ,0
1 ,9
0 ,0 0

n mtodo homogneo
n mtodo numrico com partculas

3 0 0

6 0 0

3 0 0

6 0 0

9 0 0

1 2 0 0

9 0 0

1 2 0 0

D n (h o m -n u m )

-0 ,0 1
-0 ,0 2
-0 ,0 3
-0 ,0 4
-0 ,0 5

l (n m )

Figura 6.39: ndice de refrao otimizado do filme A-3, comparado com o ndice de refrao obtido
pelo mtodo do filme homogneo.

Devido a pouca quantidade de partculas no filme A-3, a diferena entre os ndices de refrao
pequena, entretanto o ajuste do coeficiente de extino foi substantivo. As espessuras e os resultados
obtidos para os trs filmes esto na tabela 6.7.
O filme A-4 mostrou comportamento similar ao filme A-3 durante essa anlise. O ndice de
refrao foi otimizado a partir de 715 nm em 1,5%, conforme pode ser notado na Figura 6.41. A
superestimao do coeficiente de extino obtida pelo mtodo do envelope na regio de transparncia
foi corrigida, veja detalhe na Figura 6.43, o resultado em toda a faixa estudada exibido na Figura
6.42.
Na Figura 6.44 esto comparados os espectros experimental, corrigido pelo modelo de partculas
dispersas e o obtido pelo mtodo de filme homogneo.
94

espectro experimental
espectro mtodo homogneo
espectro mtodo numrico com partculas

0 ,9 9

0 ,9 0

0 ,8 1

0 ,7 2

0 ,6 3

0 ,5 4
3 2 0

l (n m )

4 0 0

4 8 0

5 6 0

Figura 6.40: Detalhe da transmitncia final do filme A-3, comparada com o espectro experimental
e calculado pelo modelo de filme homogneo.
3 ,6
3 ,4
3 ,2
3 ,0
2 ,8
2 ,6
2 ,4
2 ,2
2 ,0
1 ,8
0 ,0 0

n mtodo homogneo
n mtodo numrico com partculas

3 0 0

5 0 0

7 0 0

3 0 0

5 0 0

7 0 0

9 0 0

1 1 0 0

1 3 0 0

9 0 0

1 1 0 0

1 3 0 0

D n (h o m -n u m )

-0 ,0 5
-0 ,1 0
-0 ,1 5
-0 ,2 0
-0 ,2 5
-0 ,3 0
-0 ,3 5

l (n m )

Figura 6.41: Otimizao do ndice de refrao do filme A-4 comparado com o resultado obtido
pelo mtodo de filme homogneo.
Note na Figura 6.45 que a forma caracterstica de k ajustado ponto a ponto, obtida para os
outros dois filmes no homogneos estudados neste trabalho, e que lembra ondas estacionrias no
95

0 ,2 0

k mtodo homogneo
k mtodo numrico com partculas

0 ,1 5

0 ,1 0

0 ,0 5

0 ,0 0
3 0 0

5 0 0

7 0 0

9 0 0

l (n m )

1 1 0 0

1 3 0 0

Figura 6.42: Coeficiente de extino otimizado do filme A-4 comparado com o resultado obtido
pelo mtodo de filme homogneo.
k mtodo homogneo
k mtodo numrico com partculas

0 ,0 1 4

0 ,0 0 7

0 ,0 0 0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

l (n m )

1 0 0 0

Figura 6.43: Detalhe da superestimao do coeficiente de extino obtido pelo mtodo de filme
homogneo.
est evidente aqui, pelo menos na regio at 900 nm. Note tambm o deslocamento dos ns, que
para esta amostra no ocupam a mesma posio dos mximos do espectro de transmisso, agora

96

0 ,9 6

0 ,8 8

0 ,8 0

0 ,7 2

0 ,6 4

espectro experimental
espectro mtodo homogneo
espectro mtodo numrico com partculas

0 ,5 6

0 ,4 8
3 0 0

4 5 0

l (n m )

6 0 0

7 5 0

9 0 0

1 0 5 0

1 2 0 0

1 3 5 0

Figura 6.44: Transmitncia do filme A-4 otimizada pelo modelo de partculas dispersas,
experimental e obtida pelo modelo de filme homogneo.
coincidindo com os pontos de inflexo do espectro.
0 ,0 1 4

k ajustado ponto a ponto


k mtodo homogneo
k corrigido

0 ,0 1 2

0 ,0 1 0

0 ,0 0 8

0 ,0 0 6

0 ,0 0 4

0 ,0 0 2

0 ,0 0 0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

1 2 0 0

l (n m )

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.45: Correo do coeficiente de extino do filme A-5. Os ns no ocupam as posies dos
mximos do espectro de transmitncia (linhas verticais).

Alm disso, o espectro de transmitncia do filme A-5 contm sutil modulao das franjas de
97

interferncia, como pode ser visualizado atravs da comparao do envoltrio mnimo na Figura
6.47 com o envoltrio da Figura 4.9.
Este tipo de efeito observado, por exemplo, em sistemas nos quais os filmes se descolam
parcialmente do substrato ou no caso de multicamadas [50]. Como no caso de nosso espectro,
esses efeitos so mais importantes acima de 900 nm, o ajuste para este filme foi feito at 900 nm,
apenas, na tentativa de evitar que esses efeitos (de causa em estudo, mas ainda desconhecida)
interferissem de maneira significativa nos resultados obtidos. Aparentemente, a anlise do filme no
ficou prejudicada, e o tamanho mdio das partculas e sua quantidade, vide Tabela 6.7, puderam
ser obtidos com acurcia na regio em que os batimentos mostraram-se menos relevantes.
Tabela 6.7: Resultados do modelo de partculas dispersas obtidos para os filmes A-3, A-4 e A-5.
Legenda: espessura (d), tamanho de partculas (tp), nmero de feixes (nf).
Filme
A-3
A-4
A-5

d (nm)
586
664
948

tp (nm)
15
24
30

nf
1125
2875
3625

O ndice de refrao otimizado para o filme A-5 est na Figura 6.46, diferentemente dos filmes
A-3 e A-4, houve uma pequena reduo para toda a faixa analisada.
Para confirmar o xito do modelo aqui proposto aplicado ao filme A-5 na referida faixa espectral
na qual o modelo vlido, comparamos o espectro experimental e o espectro corrigido pelo modelo
de partculas j utilizando os ndice de refrao e coeficiente de extino corrigidos. Veja a Figura
6.47.
As porcentagens em volume p de partculas em relao ao volume total analisado do filme foram
0,288%, 0,475%, 1,147% para os filmes A-3, A-4 e A-5, respectivamente. Elas foram obtidas da
seguinte frmula:

p=

(nf)(tp)
(d)102

98

(6.4.1)

3 ,2

n mtodo homogneo
n mtodo numrico com partculas

3 ,0
2 ,8

2 ,6
2 ,4
2 ,2
2 ,0
1 ,8
2 0 0

3 0 0

4 0 0

5 0 0

2 0 0

3 0 0

4 0 0

5 0 0

6 0 0

7 0 0

8 0 0

9 0 0

6 0 0

7 0 0

8 0 0

9 0 0

0 ,1 4

D n (h o m -n u m )

0 ,1 2
0 ,1 0
0 ,0 8
0 ,0 6
0 ,0 4
0 ,0 2
0 ,0 0

l (n m )

Figura 6.46: Otimizao do ndice de refrao do filme A-5.


onde nf o nmero de feixes que atravessam alguma partcula, tp o tamanho das partculas e d a
espessura do filme, todos eles mostrados na tabela 6.7. tambm possvel obter o nmero absoluto
de partculas presentes no filme caso se conhea a rea do feixe que atinge a amostra, mas esta rea
no foi determinada para o equipamento utilizado neste trabalho.
As melhoras obtidas com a utilizao do mtodo numrico e modelo de partculas dispersas,
desenvolvidos neste trabalho, nos espectros dos filmes A-3, A-4 e A-5 foram significativas, principalmente com relao ao coeficiente de extino na regio acima de 800 nm, permitindo assim a
determinao da espessura e ndice de refrao corrigidos. Devido maior quantidade de partculas
presente na amostra A-5, mais de dez vezes a do filme A-3, os efeitos das inomogeneidades sobre
o espectro podem no ser idnticos aos obtidos para as demais amostras de AlN que apresentaram
partculas em seu volume. Particularmente, estamos analisando a possibilidade de em nico feixe
da simulao atravessar mais de uma partcula, algo que no foi desenvolvido at aqui, devido
suposio de uma baixa densidade de partculas nos filmes, que pode no ser vlida para a amostra
A-5.
Importante notar que o tamanho mdio das partculas (nanocristais), obtidos pelo modelo para o
99

0 ,9 5

0 ,9 0

0 ,8 5

0 ,8 0

0 ,7 5

Espectro modelo homogneo


Espectro corrigido
Espectro experimental
Batimentos

0 ,7 0

0 ,6 5

0 ,6 0
4 0 0

6 0 0

8 0 0

1 0 0 0

l (n m )

1 2 0 0

1 4 0 0

1 6 0 0

1 8 0 0

Figura 6.47: Transmitncia do filme A-5 corrigida pelo modelo de partculas dispersas,
experimental e obtida pelo modelo de filme homogneo. A linha vertical define a regio onde os
batimentos (modulao) do espectro no influenciam a anlise (regio esquerda) e onde no
possvel continuar desprezando os batimentos (regio direita).
filme A-5 (30 nm) seria indistinguvel de vrios cristais menores que juntos tenham essa dimenso,
entretanto os resultados de difrao de raios X e HRTEM concordam relativamente bem com o
tamanho mdio dos nanocristais aqui obtido.

100

Captulo 7
Concluso

Neste trabalho, filmes finos homogneos de carbeto de silcio amorfo hidrogenado e filmes finos
homogneos e inomogneos de nitreto de alumnio foram depositados e tiveram suas espessuras e
constantes pticas caracterizadas. Foi realizada uma reviso dos mtodos de caracterizao ptica
de filmes homogneos e no homogneos j existentes na literatura, bem como a proposio de novos
mtodos, de acordo com nosso conhecimento, inditos.
Especificamente, foi proposto um mtodo de otimizao numrica do coeficiente de extino dos
filmes analisados e um modelo para a anlise de sistemas inomogneos pela presena de partculas
dispersas numa matriz homognea. O programa de anlise do espectro de transmitncia ptica, aqui
desenvolvido em linguagem FORTRAN, funcionou muito bem, mostrando estabilidade e preciso,
sendo que esta ltima foi muitas vezes limitada por aproximaes existentes nos modelos tericos
utilizados.
O modelo de partculas dispersas desenvolvido para os filmes inomogneos de nitreto de alumnio estudados neste trabalho (A-3, A-4 e A-5) forneceu bons resultados permitindo, inclusive,
a estimativa de suas caractersticas estruturais, como tamanho mdio da partcula e porcentagem
em volume de material cristalino imerso na matriz amorfa. Por exemplo, o tamanho mdio das
partculas, obtido pelo programa (30 nm) pde ser comparado com o tamanho mdio obtido por
difrao de raios X (30 nm). Algumas novas melhorias no processo de determinao da espessura
e do tamanho mdio das partculas presentes no filme ainda podem ser conseguidas, como a implementao de modelos que possibilitem a anlise de partculas com formas variadas (prismtica,
esfrica etc).
Com relao determinao das constantes pticas, o mtodo do envelope (tradicionalmente
101

utilizado na literatura) e o mtodo de otimizao numrica aqui desenvolvido se mostraram praticamente equivalentes no caso do estudo de filmes finos homogneos, todavia, o mtodo numrico
aqui desenvolvido possibilitou a determinao das constantes pticas de filmes muito finos, algo que
o mtodo do envelope no permite. Tambm, o mtodo de otimizao numrica desenvolvido neste
trabalho se mostrou mais confivel no caso dos filmes inomogneos estudados neste trabalho, para
os quais o mtodo do envelope superestimava o coeficiente de extino para comprimentos de onda
superiores a 900 nm, causando incorrees nas solues encontradas pelo mtodo do envelope nesses
casos.
Outra caracterstica importante deste trabalho foi a ateno dada discusso fsica dos modelos
utilizados e dos resultados obtidos. O objetivo inicial, a caracterizao ptica de filmes finos, foi
concludo com xito, e vrios dos resultados puderam ser comparados com dados existentes na
literatura. Particularmente, os dados de espessura e tamanho mdio das partculas puderam ser
comparados a dados experimentais obtidos para os mesmos filmes analisados pelo mtodo ptico,
confirmando os resultados obtidos pelo programa e modelos aqui implementados.
Este trabalho tambm mostra que, para a obteno de valores mais precisos e confiveis para
o ndice de refrao e espessura, necessrio conhecer previamente o coeficiente de extino do
filme, e que o mtodo de otimizao numrica do coeficiente de extino e o modelo para anlise
do tamanho mdio de partculas dispersas, que foram desenvolvidos, testados e aplicados neste
trabalho, apresentaram resultados de maior abrangncia e apelo fsico que os modelos at aqui
citados na literatura e comumente utilizados.
Visto que o Instituto de Fsica da UFMT no possui um equipamento de perfilometria, mas
tem acesso a um UV-VIS, e que a obteno da espessura exata dos filmes fundamental para
sua caracterizao por FITR, bem como as constantes pticas so fundamentais para a confeco
de dispositivos optoeletrnicos, poder-se- utilizar sistematicamente o programa aqui desenvolvido
para a determinao da espessura e constantes pticas dos filmes depositados localmente na UFMT.
O que ser particularmente til aps a instalao do sistema de deposio de filmes finos por PED
(Pulsed Electron Deposition) no IF/UFMT, conferindo especial independncia e competitividade
102

ao IF/UFMT e seus colaboradores neste quesito.

103

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