Informe Laboratorio 4

“Transistor de unión bipolar UJT”

Nombres: Luis Ramírez – Marco Cárdenas
Asignatura: Laboratorio de Electrónica
Carrera: Ingeniería en Ejecución en Electrónica Industrial, UNAP
Profesor: Jorge Soto
Fecha de entrega: 22/04/2016

Índice de temas del Desarrollo Experimental

2. Objetivos . 4.1. 6. 7. 3. 5. Objetivos Materiales e instrumentos necesarios para realizar la experiencia Medición de un transistor BJT de unión NPN Medición de un transistor BJT tipo PNP Recta de carga y punto de trabajo de un transistor Polarización de emisor común mejorada Transistor operando en corte y saturación 1.

Materiales e instrumentos necesarios para realizar la experiencia 1. 3.Protoboard (1u). 1 Vatio (1u). 2.Determinar el punto de operación y la recta de carga de un transistor.Transistor 2N3904 (1u).Resistor de 120KΩ.Transistor 2N4401 (1u).. 25W con soquete.Cable telefónico (1 metro)...Diodo 1N4007 (1u). 4.. 12. 11.. 5..Polarizar el transistor por medio de la configuración emisor común.Ampolleta 220V. Mathcad 14..Comprobar experimentalmente el funcionamiento de un transistor BJT operando en la zona activa. 3.Comprobar experimentalmente el funcionamiento de un transistor BJT operando como interruptor electrónico..25 Vatios (1u). 3.Alicate cortante (1u) 14.. 2.Los objetivos del laboratorio son: 1.Identificar los terminales de un transistor BJT..Multímetro digital (1u).Programas CAD de apoyo: Multisim 12.Transistor 2N3906 (1u).... 10..Resistor de 330Ω. 6. 5..Relé bobina de 12V (1u). 8. 9.. 7... 13.Fuente de voltaje DC regulable (1u). 2. 0. 4. Medición de un transistor BJT tipo NPN Modelo Polarización directa Polarización directa Polarización inversa Polarización inversa ..

Medición de un transistor BJT tipo PNP Polarización directa emisor-base 679mV Modelo 2N3906 Polarización directa colector-base 667mV Polarización inversa emisor-base OL Polarización inversa colector-base OL 5.2 Para los cálculos y medidas se implementó el siguiente circuito: 120kΩ RB 330Ω RC Q1 2N3904 5.emisor-base 675mV 2N3904 colector-base 655mV emisor-base OL colector-base OL 4. Ic y Vce.167 6.1 Ganancia del 2N3904 hFE medido: 187 hFE del fabricante: 100 a 300 5.3 Cálculos teóricos de Ib.407V10 A Vbe  0. Recta de carga y punto de trabajo de un transistor 5. Vbb Ib Rb  Vbe solve Ib  Vbb  Vbe Rb Vbb  12 V Rb  120 K Vbb  Vbe 6 Ib Vce Vcc  Ic Rc 94.7 V V1 12 V .

5 Zona de operación del transistor Como el voltaje colector-emisor está cercano a VCC/2 se dice que el transistor está trabajando en la zona activa .Tabla 1: Valores calculados versus medidos β 100-300 Teóricos Ib [mA] Ic [mA] 0.35 Vce [V] 5.9 5.4 β 180 Medidos Ib [mA] Ic [mA] 0.094 17 Vce [V] 6.091 17.4 Recta de carga 5.

6 Zonas de saturación y corte Icsat  Ibsat  Rbsat  Vcc 3  36.02  10 A Vbb  Vce 3  27.6 Vce [V] 0. Se reemplazó este nuevo valor en el circuito experimental dando los siguientes resultados: Tabla 2: Medidas en saturación Ib [mA] 0.1 Punto de trabajo del circuito emisor común para el transistor 2N4401: 4. Polarización de emisor común mejorada 6.2 Circuito de polarización mejorada: .28 6.440 Ic [mA] 33.688  10  Ibsat Por lo tanto la resistencia de base necesaria para llevar al transistor a la zona de saturación es de 27KΩ.5.364  10 A Rc Icsat  6  202.44V 6.

2% Tabla 4: Polarización de emisor común mejorado 2N3904 2n4401 % de variación β 180 220 Ic [mA] 9.64 2.2% 6.6.3 Punto Q de trabajo del transistor (Q1 = 2N3904): 3.8% Vce [V] 6. se debe principalmente a la inclusión de RE en el diseño según la siguiente demostración: Aproximando la corriente de emisor Ie a Ic.4 Punto Q de trabajo del transistor (Q1 = 2N4401): 2.8% Vce [V] 3. Esta estabilidad frente a la ganancia.44 -27.10 4.40 11. y que permitiría sustituir el transistor con un diferente hFE sin tener que adaptar demasiado los valores de los demás componentes del circuito o compensar los efectos de la temperatura frente a la ganancia.00 26.64V 6. dato que se puede corroborar viendo los voltajes y corrientes en las tablas 3 y 4 de los transistores 2N3904 y 2N4401.30 10.65V 6. tenemos: .6 Comparación tablas 3 y 4: De la polarización emisor común mejorado se desprende que la ganancia del transistor tiene un efecto menor en el punto Q de trabajo del transistor en el circuito.65 -27.35 22.5 Tablas comparativas de polarización de emisor común y emisor común mejorado: Tabla 3: Polarización de emisor común 2N3904 2N4401 % de variación β 180 220 Ic [mA] 17.

Vbb Ib Rb  Vbe  Ic Re Vbb Ib Rb  Ib Rdiodo   Ib Re Vbb Ib  Rb  Rdiodo   Ib Re Vbb Ib Rb  Ib Re   Vbb Rb  Re Ib Finalmente: Ic O sea: Vbb Rb  Re {R. Transistor operando en corte y saturación . 7. es decir.diodo<<Rb Ic   Vbb Rb  Re En esta última expresión se demuestra que el circuito asociado a la base “ve” la resistencia de emisor amplificada beta veces. dando como resultado que la corriente de colector dependería sólo del factor β en el numerador. βxRe y que estando este término en el denominador de la expresión provoca una disminución de la corriente de colector para un posible aumento de β (beta como factor en el numerador) y viceversa. De no existir Re el término βRe estaría ausente en la expresión.