CAPITULO Vill TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO (JFET, MESFET Y MOSFET) Nota: Los transistores de efecto de campo o FET! se denominan asi porque durante su funcionamiento la sefial de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del dispasitivo. Estos transistores también se denominan unipolares para distinguir- los de los transistores bipalares de unién (cap. 6) y para destacar el hecho de que sélo un tipo de portadores -clectrones © huecos- inter- viene en su funcionamiento. Los transistores de efecto campo de unién (JFET) fueron pri- mero propuestos por Schockley en 1952 y su funcionamiento se basa en el control del paso de la corriente por el campo aplicado a Ia puer- Ja, constituida por una o varias uniones p-n polarizadas en inverso. Los transistores de efecto de campo de unién metal-semiconductor (MESFET), propuestos en 1966, tienen un funcionamiento muy si- milar al JFET, pero en ellos el control del flujo de corriente se realiza Por una union metal-semiconductor de tipo Schottky (cap. 4). Final- mente, existe también otro tipo de transistores denominados genéri- camente MOSFET (metal-Gxido-semiconductor), de desarrollo mas reciente, en los que el control de la corriente a través del semiconductor se realiza mediante un contacto separado del semiconductor por una capa aislante (normaimente, éxido de silicio). Este tipo de transisto- Tes se utiliza preferentemente en la electronica digital. En comparacién con Jos transistores bipolares, los FET pre- sentan una impedancia de entrada muy elevada y ademas consumen muy poca potencia, por lo que su uso se ha extendido sobre toda en icrSnime FET proviene del nombre en inglés: "Field Effect Transistor". Asitiismo JFET procede del nombre: “Junction Field Effect Transistor”:226 Fundamentos de electrénica fisica y microelectrénica los circuitos integrados, También encuentran aplicaciones en circui- tos de alta frecuencia (microondas), especialmente los MESFET de arseniuro de galio, los cuales tienen un tiempo de respuesta muy ra pido debido a la alta movilidad de los electrones en este material. 8.1, EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNION (JFET) 8.1.1, Descripcién del transistor Segtin se muestra en la fig. 8.1a, la estructura basica de un JFET esté formada por un semiconductor, de tipo n por ejemplo, con dos contactos Ghmicos en sus extremos, uno de ellos S denominado fuente o surtider y el otro D conocido por el nombre de drenador o sumidero. El tercer electrodo G, denominado puerta, esta constituide per dos regiones de tipo Pp difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor, Se forma asf en el contacto de puerta dos uniones p-n, las cuales estén conectadas entre sf y polarizadas en inverso, de forma que la corriente que pasa a través de ellas es pricticamente nula. Generalmente la union de puerta es del tipo p*- n, lo cual significa que la regién p de la puerta esté mucho més dopada. que la region n del semiconductor, Los JFET utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrican siguiendo la tec- nologéa planar (véase cap. XII), segiin la cual el semiconductor esté formado por una capa de caricter n (capa epitaxial) depositada sobre un substrato de silicio u otro semiconductor, de tipo p. Un drea pequefia de la superficie de esta capa epitaxial esté difundida con impurezas también de tipo p, y forma, junto con el substrato de silicio, el contacto de puerta. Los electro- dos metilicas de fuente y de sumidero se depositan directamente a ambos lados del contacto superior de puerta. En la fig. 8.1b se presenta un esquema de la geometria de las diferentes zonas y contactos de un JFET utilizado en circuitos integrados, mostrando la zona activa, es decir la region donde tiene lugar la accidn del transistor. El simbolo de circuitos para el JFET de tipo n se ha representado en la fig, 8.1¢, con la flecha de la pueria apuntando hacia dentro para indicar el caracter n del semiconductor. En el caso del JFET de tipo p, la flecha de la puerta tiene la direccién opuesta a la de la figura. Si el semiconductor es de tipo n, la polarizacién se hace de forma que la corriente de electrones (portadores mayoritarios) fluya desde ¢] contacto de surtidor, S, al de drenador, D. Esto quiere decir que la tensién Vos = Vp -Vs debe ser positiva. Se dice entonces que el semiconductor funciona como un canal de baja resistencia para los electrones, estando limita- do el canal por las paredes que forman las dos regiones de carga espacial adyacentes a las uniones p-n de la puerta. Segtin hemos visto en el capitulo tercero, en las regiones de carga espacial la concentracién de carga libre es muy baja y por tanto su resistividad es muy elevada.VIII. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 227 rcarga espacial pt s D canal n G a) s 6 D carga espacial zona activa del transistor es capa epitaxial (n) — substrato (p) ————— i —— contacto b) G ¢) Fig. 8.1. a) Esquema de ta estructura de un IFET de canal tipo n. b) Esquema de un transistor JFET de canal n fabricado segin Ia tecnologia planar. ¢) Simbolo de circuitos de un JFET de canal n.228 Fundamentos de electrénica fisica y microelectrénica estrangulamiento Pam regién lineal Vojsety Vo. Fig. 8.2. Parte superior: Esquema de la variacién de anchura del canal para valores crecienies det voltaje de drenador, V,, de un transistor JFET: a) Para V,<< Vy... B)V,=V,.,- c)¥, >> V,,. . Parte inferior: Representacion de la curva de wariacién de la corriente de drenador, 1, 8.1.2 Comportamiento cualitativo del JFET. Supongamos inicialmente que el electrodo de puerta estd polarizado al potencial de tierra, esto es Vc = 0, y que aumentamos lentamente desde cero la tensién aplicada al drenador, Wp, manteniendo el surtidor a una tensién fija de cero voltios, esto es Ws = 0 (potencial de tierra). Para pequefios valores de Vp, la corriente que circula entre el surtidor y el drenador, Tp, debe ser pequefia. Esta corriente es debida al movimiento de electrones desde la fuente al drenador a través del canal. En esta situacién se considera que el canal esti completamente abierto, comportdndose del mismo modo que una resistencia (fig. 8.2a). Asi pucs, la variacién de Ipen funcién de Vp en el rango de tensiones bajas serd priicticamente de tipo lineal. Obsér- vese en la fig. 8.2a que el canal semiconductor de tipo n esta sometido a un potencial positive respecto los contactos de puerta (polarizados a una tensién Vg = 0) por lo que la unién p*- n de los contactos de puerta queda polarizada en inverso. Como consecuencia de esta polarizacién en inverso, la corriente que circula a través de los contactos de puerta debe ser extremadamen- ‘te baja, Ademiés, la regidn de carga espacial, también llamada de agotamiento, que se extien-VIN. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 229 de a ambos lados de cada una de las dos uniones tiene una anchura mayor en la regién del canal, ya que ésta es la que esti menos dopada (regién sombreada en la fig. 8.1a). Es impor- ‘ante sefialar que la anchura de la zona de agotamiento es ms acusada conforme s¢ avan- za hacia el drenador, ya que el potencial V(x) a lo largo del canal semiconductor (regién n) es cada vez més positive respecto de la puerta (regién p), A medida que se aumenta Vp manteniendo V,= 0, Ja anchura de la region de carga espacial a ambos lados de la unién p* - n de la puerta es cada vez mayor. Este efecto da lugar auna reduceién de 1a anchura del canal, siendo légicameme el efecto mas acusado en la zona del drenador, La reduccién gradual de la anchura del canal puede ser tan elevada que puede incluso cerrar el canal en ¢l extremo del drenador. Se origina entonces en esta regién un aumento notable de Ia resistencia del canal, por lo que la pendiente de la curva Ip en funcién de Vp comienza a decrecer. Cuando el voltaje alcanza un cierto valor critico, dado por Vo = Visa (este valor normalmente es de unos paces voltios, aunque ldgicamente depende de las dimensiones de! dispositivo), se Hega a la situacién indicada en la fig. 8.2b, en la cual se Produce el estrangulamiento del canal (“pinch-off”) y la curva caracteristica Ip -Vp se hace entonces pricticamente horizontal (es. decir, resistencia dindmica infinita). A partir de este momento, al aumentar Vp ya no aumenta més la corriente que circula a través de! canal, En este rango de tensiones clevadas, conocido como regién de saturacién, el aumento de Vp da lugar a un crecimiento de la longitud de la regin del canal que ha sido estrangulada, debido al desplazamiento del punto P (punto donde se produce inicialmente el estrangulamiento) hacia la regién de la fuente, fig. 8.2c. Obsérvese que, contrariamente a lo que podrfa parecer en una primera impresién, al quedar el canal bloqueado la corriente Ip no se reduce a cera, ya que entonces no habria caida de potencial a lo largo del canal y no se legarfa a la condicién de estrangulamiento, Es preciso tener en cuenta ademas que a medida que el potencial en el drenador se acerea o incluso se hace més elevado que el potencial de estrangulamiento, la cafda de poten- cial a lo largo del semiconductor, V(x), ya no es homogénea. De hecho, cuando se aplica enel drenador un potencial mayor qué Vp,0 €l punto P de estrangulamiento separa dos zonas de diferente resistencia en el semiconductor: entre la fuente y el punto P tenemos el canal semiconductor con resistencia baja, mientras que desde el punto P al drenador la resistencia es muy clevada, ya que corresponde a la regién de agotamiento de la unién p-n polarizada en versa, Es mds, el potencial en el punto P de estrangulamienta ha de mantenerse constante e igual al valor de saturacion, Vp, Esto quiere decir que la tensién aplicada, Vp, se reparte de forma no homogénea, produciendo una cafda igual a Vp.q,en la zona del canal comprendida entre la fuente y el punto P, y una caida igual a Vp -Vp,, en la parte posterior del canal, entre Pyeldrenador. Para tensiones de drenador mucho mas elevadas que Vp,» €sta iltima region 5 la que absorbe la mayor parte de la tensién aplicada, Este reparto inhomogéneo de la tensién hace que en la regisn de saturacién la corriente de fuente a sumidero sea practicamente ‘constante ya que esté limitada por la caida de tensidn entre la fuente y el punto P de estrangu- lamiento. Un esquema cualitative de las dos regiones de diferente resistencia que forman el canal en la zona de saturacién viene dado en la fig. 8.3.230 Fundamentos de electronica fisica y microelectrénica Fig. 8.3. Parte superior: Variacién del voltaje, W(x), a lo largo del canal de un JFET (tipo nj cuando se aplica un voltaje V,, superior al de estrangulamiento (punto de operavidn en la regién de satracién). Las lineas a trazos indican la situacién correspondiente a diferentes valores de V,, (V',>V,> V",) Parte inferior: Esquema de la situacién de estrangulamienta del canal en un punto P, enel interior det JFET. Aparte de este efecto, existe otra limitacién de la corriente que se presenta sobre todo en los transistores con una longitud de canal, L, pequefia. La corriente en este caso puede quedar limitada por la velocidad maxima que alcanzan los portadores en la parte posterior del canal (detras del punto P), donde el campo eléctrico toma valores muy elevados. Efectiva- mente, se sabe que para campos relativamente altos, del orden de 10* Vern" para el silicio, la velocidad de los electrones alcanza un valor de saturacién (véase fig. 8.10), ya que la mavili- dad de los electrones en este rango decrece al aumentar el campo eléctrico aplicado. Este efecto de saturaciGn de la velocidad de los electrones en la zona posterior del canal se puede superponer al ya mencionado de Ia constancia de la caida de tensidn en la parte anterior del canal, preduciendo uno u otro una limitacién de la corriente en la regidn de voltajes superiores al voltaje de estrangulamiento.VIH. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 231 Ipfma} 0 2 4 6 8 1 12 14 YOM Fig. 8.4. Curvas caracteristicas I, V,, de un JFET tipico de canal n, mostrande el aumento abrupto de la corriente en la regién de avalancha. Si en el JFET de canal n polarizado a una tensién de drenador positiva determinada aplicamas ahora tensiones, Vg, negativas en el contacto de: puerta, la unidn p-n de la puerta queda polarizada en inverso a un potencial ms elevado que en el caso anterior (con Vg= 0). En esta situacién la anchura de la regién de carga espacial en cada unién se hace todavia mayor, y a su vez la regidn del canal se hace mas estrecha, por lo que Ia corriente a través del canal disminuye, En la fig. 8.4 se muestra la familia de curvas caracteristicas Ip -Vp de un JFET tipico de canal n, cada una de ellas correspondiente a un valor de Ve fijo, Nétese que al aumentar el voltaje en inverso, Vc, aplicado a las uniones p-n de la puerta, Ip disminuye como consecuencia del estrechamiento del canal. En la figura 8.4 se observa también un aumento abrupto de la corriente cuando se alcanza una tensién critica por encima del valor de saturacién, Este aumento se debe a un fendmeno de avalancha de electrones originado en la unién p-n que existe entre la puerta y el canal. Este fenémeno se produce mayoritariamente en la parte posterior del canal, ya que en esta region es donde el diodo tiene una polarizacion inversa mas elevada. Las caracteristicas de este proceso de ruptura por avalancha en una unién p-n ya fueron sefialadas en el capitulo tercera (sec. 3.3.4). Evideniemente, este fenémeno ocurrira para un valor de Vp tanto menor232 Fundamentos de electronica fisica y microelectrénica 8.2. CALCULO DE LAS CURVAS CARACTERISTICAS INTENSI- DAD-VOLTAJE DEL JFET Para voltajes de drenador inferiores al de saturaciGn, ¥p>a (aproximacién del canal gradual) Consideremos el JFET de canal n tal como se representa en fig, 8.5, es decir antes del estrangulamiento total del canal. Debido al estrechamiento del canal su resistencia es mds elevada a medida que se avanza hacia el drenador. Sin embargo, la corriente Ip que fluye a regién de 6 carga espacial Fig. 8.5. Esquema de la seccién transversal de un JFET operando en la region lineal. En la parte superior se muestra la variacion del voltaje Vix) a lo largo del canal para un JFET de canal n.VILL. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 233 través de cualquier seccidn transversal, perpendicular a la direccidn x, debe ser constante a lo largo del canal. Asf pues, para cualquier punto entre x=00 y x=L se tendra: dV =IpdR [8.1] siendo dR y dV la resistencia y la caida de potencial correspondientes a una longitud dx del canal. Légicamente, et valor de dR depende de la anchura del canal en el punto considerado y puede calcularse a través de la relacién: dR =p (dx/S) donde S = 22 [a - wix)] es el drea de la seccién transversal del canal en el punto x, y p la resistividad del semiconductor, La dimensién 2 corresponde a la anchura del canal en la direccién perpendicular al plano de la figura. Si ¢l semiconductor es de tipo a, con una con- centracién Ny de impurezas, podemos calcular su resistividad mediante la relacién: Vp = qj. Ny, siendo p, la movilidad de los portadores (electrones). Introduciendo los valores de py S en la ecuaci6n anterior tendremos: dx 2g we Nuz [a- woo] al con lo que sustituyendo en [8.1], resulta, Ipdx = 22 q He Ng [a - w6x)] dV [8.3] Ahora bien, segiin ¢l resultado obtenido en ec. [3.47], en una unién abrupta tipo p’- n la anchura, w(x), de la zona de carga espacial en la region n viene dada por una expresin del tipo: 2 w(x) = [ aN, [Va + Vid - Ve] ] [84] ya que el potencial inverso aplicado a través de la unidn p-n en el punto de coordenada x es Vo-¥0). En la ecuacién amerior, V, es el denominado potencial barrera o de contacto de la unién de puerta y V(x) es la parte del potencial que cae entre la fuente (x=0) y el punto considerade (de coordenada x) como consecuencia del potencial Vp aplicado en el drenador. A partir de la ce.(8.4] se puede establecer para dV: gee aw [8.5] z234 Fundamentos de electronica fisica y microelectronica que sustituida en [8.3] nos da: aN, Indx=2zq H.Nyla- wh]! wdw Integrando sobre la longitud L del canal y despejando Ip queda: zngn? ¢ lp = aha [a-wnaw = (8.6) w, [a (a? wy?) - 3 (wy w| Particularizando para los valores de w), cuando x=0, V=0, y w;, cuando x=L, V=Vp y hacien- do uso de [8.4] se tiene finalmente: Ip= 2 (Set¥ecY J 2 (2%) "] 18.7] 3 Vv, 3\y, donde; p= he [8.8] y Vp = ae 8.9] Tanto I, como Vp son pardmetros que dependen de las caracterfsticas del semiconductor utilizado asi como de sus dimensiones geométricas, Asi, un aumento de la seccidn transversal de] semiconductor (esto es, de la semianchura a 6 la profundidad z), o bien una disminucién de Ta longitud L, hace que el valor de Ip sea mds elevado. Del mismo mado, el voltaje Vp también erece con la semianchura del semiconductor. Este parametro es conocido como valiaje de estrangulamiento, ya que su valor coincide aproximadamente (si no se tiene en cuenta el valor ¥V,) con el potencial en inverso que es necesario aplicar sobre la puerta para cerrar el canal cuando la corriente de drenador es cero (es decir Ip=0), segtin se puede demostrar facilmente a partir de la ec. [8.4]. De esta misma ecuacién se deduce ademés que si aplicamos a la puerta un voltaje determinada, Vg, la situacién de estrangulamiento en el borde del drenador se pro-VIL Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 235 lineal 1de saturacién ss i Vg=0Vv Veg =05V 0.6" 0.4 02. Fig. 8.6. Curvas caracteristicas I,-V,, normalizadas para un JFET de canal n, segin la ec. [8.7], con V,= 3 ¥. duce cuando la iensién de drenador alcanza un valor, Vp... tal que cumpla la ecuacién: 2e ve a= | (Mo4 Vosa- Vi [Zhevevenvo | o bien, teniendo en cuenta la expresién [8.9]: Ve = Vou + Vo- Vo [8.10] la cual sirve para calcular Vp 9a. En la fig. 8.6 se ha representado en trazo continuo las curvas tedricas [p-Vp (normali- zadas) correspondientes a la ec. [8.7] para un semiconductor tipico. Las curvas representan la variacién del cociente Ip/Ips en funcidn de Vp (siendo Ips el valor de Ipqu Corespondiente a Vo = 0) para voltajes inferiores al de saturacién (Vp Vis lac. [8.7] deja de ser valida y la corriente se considera constante, igual al valor de saturacién, Ip... (lineas de trazo discontinuo en la fig. 8.6). El valor de Ip: Se puede obtener a partir de la ec. [8.7] haciendo Vp = Vpu, com lo que resulta: V,-3V,-V) | 2{¥,-¥,)" los = | pa 2(Me¥e) | (8.11) = av, ah vy, Utilizando los datos de la fig. 8.6 para las curvas caracteristicas Ip-Vo de un transistor JFET se puede obtener la variacion de Ip en funcién de Vg en la region de saturacién, Resulta asf la denominada curva de transferencia (fig. 8.7), la cual se obtiene a partir de la ordenada del punio de interseccién de las curvas de la fig. 8.6 con una recta paralela al eje de ordenadas en un punto de abscisa Vp, contenido en la regin de saturacién, Es ficil demostrar que la curva de transferencia cumple aproximadamente la ecuacién: Vv, Y Tpaw = Ins | 1 - v para (Vg < Wp) [8.12] Vatv) 2.0 40 o Fig. 8.7. Curva de transferencia para un JFET de canal n (1,, en funcidn de V,). ebtenida a partir de las curvas de la figura anterior en la region de saturacién.VII. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 237 donde Ips es, segiin hemos visto, la corriente de saturacién maxima, es decir, la corriente Ipc. para Vg = 0. Aunque esta ecuacién parece muy distinta de la ec. [8.11], da sin embargo resultados muy aproximados y es mucho mds sencilla de aplicar. A partir de la curva de transferencia se define un pardmetro caracteristico del transistor denominado transconductancia, 8, €l cual coincide con la pendiente de la curva de transferencia en el punto de operacién, es deci Al, WN, 18.13] &m = Vv Al estudiar los amplificadores con transistores (cap. IX) veremos que el factor de am- plificacién en voltaje de los JFET esta directamente relacionado con el factor gm > 8,3, CIRCUITO EQUIVALENTE DEL JFET PARA SENALES PEQUENAS (*) Cuando se utiliza el transistor JFET como amplificador de sefales alternas normal- mente se emplea la configuracién de fuente comin, mostrada en la fig. 8.8a, polarizando el transistor con una tensidn entre fuente y drenador, Vps, suficientemente elevada para que el punto de operacién se site en la regin de saturacidn (definido por una corriente Ip). La sefial alterna que se desea amplificar, v,, s¢ aplica en el electrode de puerta superpuesta a la tensién continua de polarizacién de puerta, Vos. Esta sefial de valtaje se traduce en variaciones de la corriente de drenador, is, que se superponen al valor continuo, Ip, y producen a su vez una variacién, Vs, en la cafda de tensién en la resistencia, R,,, introducida en el circuito de salida En la regién de saturaci6n del transistor se puede utilizar un andlisis del comportamien- to del JFET para sefiales pequefias similar al del transistor bipolar funcionando en la regidn activa con [a configuracién de emisor comin (apartado 6.5), haciendo la salvedad de que para el JFET la corriente en el circuito de entrada, esto es, la corriente de puerta, es practicamente cero. Asi pues, en este andlisis sélo es preciso considerar el circuito de salida, en el cual la dependencia del valor instanténeo de la corriente de saturacién, ip, con las variables vp y vo puede escribirse como ip = ip (vp. Yo). Mediante el célculo diferencial resulta para la compo- nente alterna de ip: ta = Spa + Sm ¥e [8.14] donde gi es la transconductancia definida por ec. [8.13], y al, 8 = av, ¥ o [8.15]238 Fundamentos de electronica fisica y microelectrénica a) “a amg Wo Md bh Fig.8.8. a) Circuito amplificador simple basado en un transistor JFET de canal n polarizado en la configuracién de fuente comin. b) Circuito equivalente de alterna para sefales pequefas del JFET funcionando en ta region de saturacion, es ladenominada conductancia del canal. En los transistores JFET esta magnitud suele tener un valor muy pequefio, ya que las curvas caracteristicas en la regién de saturacién son pricti- camente horizontales. Laec. [8.14] sugiere el circuito equivalente de pequefia sefial del JFET representado en la fig. 8.8b, en el cual la corriente en el circuito de salida, iy. se obtiene mediante la suma de la corriente suministrada por el generador de corriente de valor g,,¥, y la corriente a través de la resistencia =1/gp debida a la sefial vy en el circuito de salida. Normalmenie esta resistencia es. muy elevada, varias decenas de kiloohmias, por lo que desde un punto de vista practico suele ¢liminarse en ¢l circuito de salida. Por otra parte, el circuito de entrada se ha dejado abierto, es decir sin conexidn con el terminal de fuente o de drenador, para tener en cuenta el hecho fundamental de que la resistencia de entrada en el terminal de puerta de los JFET es muy elevada. Es ésta quizds una de las caracteristicas mds distintivas de la familia de transis-VIII, Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 239 tores de efecto campo. Nétese la similitud del circuito de la fig. 8.8b con el circuito equivalen- te del transistor bipolar representado en la fig. 6.18 ‘Cuando los JFET operan a muy alta frecuencia hay que tener en cuenta el tiempo de tndnsito, (,, de los portadores a través del canal. Se puede demostrar que t, ¢8 proporcional a L’, por lo que la frecuencia de corte a partir de la cual los portadores ya no responden a las variaciones de la sefial aplicada es inversamente proporcional a L*. Por tanto para mejorar el comportamiento del transistor a frecuencias altas ¢s muy conveniente que la longitud del canal sea lo mas pequelia po: 8.4, EL TRANSISTOR DE UNION METAL-SEMICONDUCTOR (MESFET) El MESFET fué propuesto por Mead en 1966, y aunque su funcionamiento es conceptualmente similar al JFET discutido més arriba, desde un punto de vista préctico puede operar a frecuencias bastante més altas, en la region de las microondas. A diferencia del JFET, el electrodo de puerta esta formado por una unién metal-semiconductor (de ahi el nombre de MESFET) de tipo Schottky en lugar de una unisn p-n, como se puede apreciar en el esquema fuente, S semicond. tipo n ‘sustrato semiaislante carga espacial Fig. 8.9. Esquema de la estructura de un transistor tipo MESFET. Elcontacto de puerta esté formado por una unién metal-semiconductor, tipo Schottky.240 Fundamentos de electrénica fisica y microelectronica de Ja fig. 8.9. La estructura se completa con otros dos electrodos metilicos depositades sobre la superficie del semiconductor, en sus extremos, formanda un contacto éhmico con el semiconductor, Uno de estos clectrodos actuia de fisente o surtidor (5) y el otra de drenador o sumidero (D). Los MESFET son construidos en casi su totalidad a partir de arseniuro de galio en lugar de silicio. Las ventajas de la utilizacién del arseniuro de galio son varias: i) En el rango de operacién util, los electrones del arseniuro de galio presentan una movilidad de 0.8 m’V's", es decir unas cinco veces superior a la del silicio. ii) La velocidad de arrastre maxima de los electrones por un campo eléctrico es en el GaAs alrededor del doble de la de Ios electrones en el Si (véase la fig. 8.10). iii) Los MESFET se fabrican depositando una capa epitaxial de GaAs dopada convenientemente sobre un substrato de GaAs con propiedades semiaislantes (p = 10° ohm cm). De este modo, las capacidades pardsitas entre e] substrato y los contactos metilicos de los electrodos son muy bajas. iv) La posibilidad, en los dispositi- vos de puertas muy cortas, de que los electrones alcancen velocidades muy elevadas, lo. que resulta en un tiempo de trdnsito muy pequefio. Todo ello hace posible construir hoy dia amplificadores que pueden aperar hasta frecuencias de 60 GHz, asf como circuitos digitales de muy alta velocidad. Debido a todas estas caracteristicas el Gass est sustituyendo venta- josamente al Si en algunas aplicaciones especiales, a pesar de que la tecnologia de circuitos integrados basada cn el GaAs estd todavia mucho menos desarrollada que la del Si. 8.5, CURVAS CARACTERISTICAS INTENSIDAD-VOLTAJE DEL MESFET E] funcionamiento del MESFET es muy similar al del JFET estudiado en los apartados anteriores, De hecho la capa epitaxial semiconductora acta como un canal efectivo para los portadores, ya que est limitado en su parte inferior por el substrato semiaislante. Si el canal es de tipo n, el electrodo de puerta se polariza negativamente, con lo cual se forma una regién de carga espacial en el semiconductor vacia de portadores, que controla la anchura efectiva del canal. Asimismo, en el modo normal de operacian, la fuente se conecta a tierra y el drenador aun potencial positive. De esta forma la fuente inyecta electrones hacia el sumidero a través del canal formado por el semiconductor, La fig, 8.11 muestra la variacién de la intensidad Ip en funcién det voltaje Vp aplicado al drenador de un MESFET tipico. Consideremos primero que la tensién de puerta se mantic- ne a potencial cero (esto es Vg = 0). Para pequefios valores de Vp el canal semiconductor actiia como una resistencia pura, y por tanto la relacién Ip- Vp es de tipo lineal. Sin embargo, cuando se aplican voltajes Vp mas elevados, et canal semiconductor se hace cada vez miis positive respecto de la puerta por lo que la regién de carga espacial se hace progresivamente més ancha, Esto implica una disminucién de la anchura del canal (sobre todo en fa zona proxi-VII. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 241 v(em/s) 30-10? GaAs 2.0107 si 1.0«107 0 0 54109 100109 15109 E(Vemr") Fig. 8.10. Velocidad de arrastre de los efectrones enfuncidn del campo eléctrico, para el GaAs y el Si. Ip(mA} 08 06 o4 02 VolV) oO 2 4 6 8 10 Fig. 8.11, Curvas caracteristicas 1,-V,, de un MESFET (con un semiconductor tipo n), de canat “normalmente abierio",242 Fundamentos de electrénica fisica y microelectrénica ma al drenador) y un aumento de su resistencia, lo cual da lugar a una disminucién de la pendiente de la curva Ip- Vp. Cuando Vp toma valores superiores a una cierta tensidn critica ‘o umbral, necesaria para el estrangulamiento del canal, la corriente se estabiliza por un efecto similar al JFET (fig. 8.11). Enel caso de los MESFET de Gads, este efecto de saturacién de la corriente es debido en gran parte a la limitacién de la velocidad de los electrones en la regién del canal préxima al drenador. Debido al disefio de Jos MESFET, con una longitud de canal generalmente muy Pequeiia, el campo eléctrico en la regién del sumidero puede alcanzar valores muy elevados cuando se aplican tensiones de drenador suficientemente altas. La velocidad de los electrones se sita entonces a la derecha del maximo en la curva correspondiente al GaAs en la fig, 8.10, Ipfma) os 06 04 02 o 2 4 6 @ 1 42 YOM Fig. 8.12. Curvas caracteristicas 1,,-V, de unt MESFET similar al anterior, de canal “normalmente cerrado". alcanzando un valor de saturacién. En esta regién de campos eléctricos clevados, un aumento del campo eléctrico se compensa por una disminucién de la movilidad de los electrones, con lo que la corviente a través del canal se mantiene constante, Evidentemente, si el potencial de puerta, Wo, Se hace negative la region de carga espa- cial se ensancha y ¢l canal semiconductor se hace mas estrecho. Por esta razén, la corriente Ip a través del canal serd. menor cuanto mas negativo sea Vg. Se puede obtener una relacién cuantitativa para la caracteristica Ip - Vp siguiendo el mismo cilculo que se efectud en el apartado anterior para el JFET. De hecho el resultado de la ec. [8.7] es también vilido para el MESFET, siendo V> el voltaje critico 0 umbral a partir del cual la corriente se estabiliza por efecto del estrangulamiento del canal,VI. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 243 ‘Cuando se pretende una velocidad de respuesta elevada a menudo se recurre a disposi- tivos MESFET disefiados de tal manera que ¢l canal se encuentra cerrado cuando la tensién aplicada es cero. Para ello, basta que el espesor de la capa epitaxial depositada sobre el substrato semiaislante y que constituye el canal sea suficientemente fina. Cuando este espesor ¢s menor que el de la carga espacial de la unin metal-semiconductor en equilibrio (Vg = 0) el canal esté bloqueado, y el transistor se dice que es del tipo “normalmente cerrado” (en con- traste a los anteriormente descritos que son de canal “normalmente abierto"). Sin embargo, si se aplican voltajes positivos con un valor pequefio a la puerta Ja regin de carga espacial se reduce dejando libre un pequefio canal para la corriente que pasa desde la fuente al drenador, La tensién positiva aplicada a la puerta nunca puede ser superior a unas pocas décimas de voltio, ya que en otro caso se perderia el cardcter bloqueante del contacto y una cierta fraccién de la corriente a través del canal se perderfa por el propio contacto de puerta. Las caracteris- ticas Ip-Vp de estos dispositivos son muy similares a las de canal abierto, con la nica diferen- cia de que la corriente aumenta al aumentar Vo, segiin se observa en la fig. 8.12. 8.6. TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) En el capitulo anterior se ha considerado la estructura MOS come un dispositivo de dos terminales, lo cual permite estudiar la estructura de bandas y la distribucién de carga en el interior del semiconductor cuando se aplica una tensidn en los extremos de la estructura. Estos estudios son necesarios para el entendimiento, ¢ incluso la previsién, de] funcionamien- tode los transistores MOSFET, o abreviadamente MOS. Los transistores MOS encuentran en la actualidad amplia aplicacién en las puertas légicas utilizadas en electronica digital y en las memorias semiconductoras. 8.6.1. Estructura basica del MOSFET En la fig. 8.13a se muestra la estructura bisica de un transistor MOS de silicio de tipo p. desarrollado también segtin la tecnologia planar, Basicamente consiste en una estructura MOS en Ia cual el electrodo metélico superior, G, depositado sobre la capa aislante actia como terminal de puerta del transistor, Existen ademas dos regiones pequefias de la superficie dopadas fuertemente con impurezas donadoras, es decir de tipo n”, situadas a cada lado de la puerta, Sobre cada una de estas regiones o islas de tipo n° se deposita asimismo un electroda metlico, formando el contacto de fuente o surtidor, S, y el de sumidero o drenador, D, del transistor, Finalmente, al igual que en una estructura MOS simple, sobre la superficie inferior del dispositive se deposita un capa metélica que se mantiene conectada a tierra. En la fig. 8.13b se muestra el simbolo del transistor MOS de canal n (come el de fig. 8.13) en el cual la flecha indica el sentido convencional de la corriente (de drenador a fuente) en el modo normal24d Fundamentos de electrénica fisica y microelectrénica de operacién del transistor. En cl MOSFET de canal p, la corriente tiene sentido opuesto y la flecha del dibujo Meva la direccién invertida. 8.6.2. Deseripeién cualitativa del funcionamiento del MOSFET Consideremos primero el caso de que el voltaje aplicado a la puerta es cero, es decir, Vo = 0. Las dos regiones o islas de tipo n* de fuente y drenador forman con el resto del semiconductor de tipo p sendas uniones p-n" conectadas en oposicidn, por lo que practica- mente no existe paso de corriente entre los electrodos de fuente y sumidero, cualquiera que sea el signo de la tensién aplicada entre ellos. Supongamos ahora que aplicamos un voltaje positivo suficientemente alto a la puerta para tener la condicién de inversién fuerte en la interfase del semiconductor con e] éxido (véase apartado 7.1). Esto quiere decir que Vg = Vy, siento Vy el voltaje umbral de la estruc- tura MOS. Los portadores minoritarios, electrones en este caso, dan lugar a la formacién de un canal conductor de tipo n en la superficie del semiconductor entre la fuente y el drenador con una conductancia mayor cuanto més alto sea el voltaje aplicado en la puerta. Como ya b Fig. 8.13. a) Estructura tipica de un MOSFET de canal n, b) Simbolo det MOSFET de canal n utilizado en circuitas.VU. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 245 vimos en ¢] capitulo anterior, este canal estd limitado en su parte superior por la capa aislante de SiO, y en la parte inferior por la regiGn de carga espacial que se forma en ¢l semiconductor bordeando la puerta y también alrededor de las islas n‘ de los contactos de fuente y sumidero. En estas circunstancias si se aplica un voltaje positivo de valor pequeiio al drenador (véase la fig. 8.14a), los electrones fluyen desde la fuente al drenador a lo largo del canal que acta ahora como si fuera una resistencia de valor baja (nétese que en el canal, al estar invertido, la conduccién tiene el mismo cardcter que en la fuente y el sumidero), Se obtiene asi, en esta tegidn de voltajes de drenador bajos, una variacidn lineal entre la corriente Ip y el voltaje aplicado, Vp Vo < Vowsat Vo = Vosat Vo > Vosat Va? Vr Vo 8 Wr Ve 2 Vr anagttt region de carga espacial a) b) o regisn lineal estrangulamiento saluracién lo peat) Yo Fig. 8.14, Exquema de la variacién de la anchura del canal al apticar voltajes de drenador crecientes en un MOSFET de canal n. En la parte inferior se muestra la correspondiente curva caracteristica 1,-Vy246 Fundamentos de electrénica fisica y microelectrénica Al aumentar Vp, manteniendo Vp < Vg, tanto la regidn de carga espacial que rodea al drenador como aquella que existe a lo largo del canal se ensancha, ya que el contacto inferior del dispositivo est4 a tierra. Debido a la progresiva caida de tensién desde la fuente al drenador, el ensanchamiento €s tanto mayor cuanto mas préximos nos hallemos del drenador. Por otra parte, esta caida de tensién a lo largo del canal semiconductor hace que la diferencia de poten- cial efectiva entre la puerta y el semiconductor sea cada vez mds pequefia a medida que se avanza hacia el drenador, Todo ello da lugar a una disminucién del mimero de electrones que est4n presentes en la capa de inversién préxima al drenador, lo que equivale a su vez auna reduccién, también progresiva, de la anchura del canal, Evidentemente, esta reduc- cién es mds acusada en la zona del drenador. El efecto global es una disminucién de la pen- diente en la curva de variacién de Ip en funcién de Vp. Cuando se alcanza un voltaje, tal que 1a. anchura del canal se reduce a cero-en el drenador (fig. 8.146), se dice que ha ocurrido el estrangulamiento del canal (punto P en fig, 8.14b). Esto ocurrird para un voltaje denominado veltaje de saturacién, V ps4, ¢l cual ha de cumplir la relacién Vp.q, = Vo-Vp. Para voltajes mds elevados, la regién del canal estrangulada, AL, aumentard de longitud en la direccién de Ja fuente (fig. 8.14c) y la corriente se mantendré esencialmente constante, ya que el voltaje en el nuevo punto P de estrangulamiento se mantie- ne practicamente igual a Vp... De hecho, el mecanismo de limitacién de la corriente entre el punto P y la regiGn de agotamiento del drenador es muy similar a 1a de un transistor JFET (véase sec, 8.1.2), de ahf que las caracteristicas Ip-Vp sean también similares. 0 5 10 15 20 25 Vow) Fig.8.15. Curvas f,-V, tipicas de un MOSFET de canat n.VILE. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 247 En la fig. 8.15 se presentan las curvas experimentales Ip-Vp obtenidas al variar la tensidn de puerta, Vp, en un transistor MOS de canal n. Obsérvese en esta figura que, para un voltaje Vp dado, al hacer mds positiva la tension Vg aplicada a la puerta la corriente Ip se hace més elevada, ya que el canal es cada vez mis ancho y por tanto el niimeto de portadores mas elevado. Hay que notar también que para conseguir que el canal sea conductor es preciso que ‘Vo tenga un valor por Io menos igual al voltaje umbral (alrededor de un voltio) para la forma- cidn en la superficie de una capa con fuerte inversién. Evidentemente, en los transistores MOS de silicio de tipo n el canal conductor es de tipo p y el potencial de puerta ha de ser negativo. Asimismo, la tensién Vp debe ser negativa en este caso, Por lo demas el comporta- miento es exactamente igual al transistor MOS de canal n discutido mas arriba. CALCULO DE LAS CARACTERISTICAS INTENSIDAD-VOL- TAJE DEL MOSFET(*) Con objeto de obtener una relacién sencilla entre la corriente Ip y ¢l voltaje Vp para un transistor MOSFET de canal n consideraremos el caso ideal, es decir, cuando no hay diferen- cia entre la funcién de trabajo del metal de puerta y la del semiconductor, las cargas eléctricas en el 6xido son nulas y no existen estados superficiales. Supondremos ademds que inicial- mente aplicamos en la puerta una tensién Vg superior a la umbral, esto es, Vq>V7. Esto quiere decir que, incluso sin tensién aplicada en el drenadar, el canal se encuentra en condicio- nes de inversién fuerte. Andlogamente al caso de] JFET estudiado anteriormente, consideraremos el caso en el que el transistor se polariza en la region cuasi-lineal de las curvas Ip-Wp. Esto implica que la tensién aplicada al drenador, Vp, (con Ia fuente a potencial cero) es menor que la tensi6n de saturacién, Vp.a. ¢8 decit Vp Vpyq. Siguiendo el modelo desarrollado para el JFET pode- mos suponer también que la anchura del canal es variable, disminuyendo en la direccién del drenador (en realidad 1o que varia es la concemtracién de carga presente en cada punto del canal). Consecuentemente, la resistividad del canal debe aumentar al pasar de la fuente al drenador. Sabiendo que la corriente en cualquier punto del canal, Ip, debe ser independiente de la posicién, podemos poner: dV =IpdR [8.16] siendo dR la resistencia de un elemento dx en una posicién x a lo largo del canal, con una resistividad p variable. El valor de dR vendra dado por: aR = po = 1 8.71 = POE = can) zy0) :248 Fundamentos de electrénica fisica microelectrénica donde $ = zy(x) representa el Area de la seccidn transversal del canal de profundidad z y altura y(x) variable (fig. 8.16). El producto qn{x)y(x) del denominador correspande a la densidad de carga de inversién contenida en el canal en la pasicién x, Q'n.(X). Asi pues, a partir de las ecs, [8.16] y [8.17] podremos escribir: Ip dx = z He Qinw (x) dV (8.18) La carga por unidad de drea en la zona de inversién del semiconductor, Q'ja(x), s¢ puede expresar como (véase sec. 7.3.1): nw 00) = O00 - Qagee 00) [8.19] donde Q’,(x) es la carga total en el punto de coordenada x de Ia interfase del semiconductor con el aislante y Q'ayo(X) €s la carga comprendida en la zona de agotamiento (ambas por unidad de superficie), Ahora bien, en la situacién de inversin Q’, est directamente relacio- nada con la capacidad especifica de la estructura MOS, C’,,, a través de la ecuacidn: Q'=-C’uVou. En esta ecuacién V,, es la parte del potencial de puerta que cae en el éxida. Teniendo en cuenta ademds la ec. [7.20], la ecuacién anterior queda: Qin (X) = - Ca lVa - Ws 00] - Qsgor [8.20] siendo Vg el voliaje aplicado a la puerta y ,(x) el potencial de superficie correspondiente al punto de coordenada x. Por otra parte, en una estructura MOS con semiconductor tipo p. dopado con una concentracién de impurezas N,, la carga de agotamiento estd relacionada con W. 4 través de la ec. [7.16], por lo que la expresi6n anterior resulta: Qi (8) = - Can [Ve - We] + [2geNays(x)]!? [8.21] ‘Si denominamos V(x) a la cafda de voltaje entre la fuente del MOSFET y un punto de abscisa x a lo largo del canal, podemos escribir para el potencial de superficie del semiconductor cuando est4 en inversién fuerte: w(x) = 2y, +V(x), con y, definido a través de la ec. [7.7]. Esta expresion de W(x) sustituida en [8.21] nos da para Q(x): Qiny (0) == Cou [Ve - 2, - VO] + (2geN, [2y, + VOO}'? 18.22] En la fig. 8.16 se da un esquema cualitativo de la variacién de la carga de inversidn y del potencial a lo largo del canal en un transistor MOSFET de canal n polarizado en la regién lineal.VIEL. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 249 Fig.8.16. Esquema de la variacion de la carga de inversién, Q',.{x), y de la tension, Vix), @ lo largo del canal en un MOSFET, tipo n, polarizado en la region lineal (V,¢-V7) la ec.[8.23] puede aproximarse por: Ib= it Cia (Vo~ Vi) Vo [8.24] En esta regién la conductancia del canal, gp, vendra dada de forma aproximada por: al Bo = a w= = Co (Va- Va) [8.25] o/Me OLVUI. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 251 y la transconductancia, gy9: [8.26] Al igual que en el caso del JFET, para Vp = Wp. ocurre el estrangulamiento del canal enel drenador. Por encima de este voltaje, la corriente toma un valor constante, Ip. (lineas de trazo discontinuo en la fig. 8.17). Bl valor de la corriente de saturaci6n, Ip. puede hallar- se obteniendo primero el valor de Vp a partir de la ec. [8.22] imponiendo la condicién que para x=L se cumple que Q'iny = 0 y sustituyendo el valor asi obtenido en la ec. [8.23] (véase problema 8.9), Se obtiene de este modo para [pa = Ze vp? Tosa 2dL (Vg - Vay [8.27] donde d y €,, son, respectivamente, el espesor y la constante dieléctrica del xido y Vresel voltaje umbral dado por la ec. (7.24] del capitulo anterior, Evidentemente, en la regién de ‘saturacién la conductancia del canal es précticamente nula, mientras que la transconductancia fm viene dada, a partir de ec. [8.26), por: a FE (VG Vy) [8.28] dL siendo una funcién que depende dnicamente de la tensidn aplicada en la puerta, Vo. 8.8. CIRCUITO EQUIVALENTE DEL MOSFET PARA SENALES PEQUENAS (*) En los circuitas amplificadores de seffales alternas basados en un MOSFET, el transis- tor se polariza en la regién de saturacion utilizando la configuracién de fuente comin. La sefial alterna, v,, que se pretende amplificar se introduce, al igual que en las otros tipos de transistores estudiados en este capitulo, superpuesta a la tensidn de polarizacién de puerta, Vo. En estos circuitos, las variaciones producidas en la tensién de puerta originan a su vez una variacién en la corriente de drenador, i, que se superpone a la corriente continua del drenador, Ip. Estas variaciones de corriente provocan también una sefial variable, vg, en la resistencia Ry, introducida en el circuito de salida. En la region de saturacién se puede realizar un andlisis del comportamiento del MOSFET similar al del transistor bipolar funcionando para la regién activa. Las caracterfsticas del252 Fundamenios de electrénica fisica y microelectrénica circuito equivalente resultante son muy similares a las obtenidas para el transistor JFET. La fig. 8.18a muestra el circuito equivalente de un MOSFET operando a baja frecuencia. Igual que en el JFET, la puerta G se encuentra separada de los electrodos de la fuente y el sumidero debido a la resistencia practicamente infinita de la capa de 6xido. En este sentido, el MOSFET es el transistor que presenta mejores caracteristicas en lo que se refiere a la resistencia de entrada, ya que al ser casi infinita, el dispositive no consume corriente de la fuente de alimen- tacidn que proporciona la sefial v,. Nétese en el circuito equivalente que la sefial de salida se obtiene a través de un generador de corriente de valor g,v,- Hay que sefialar que, en lo que se refiere al ci 10 de salida, e] MOSFET, al igual que otros transistores, se comporta como una fuente de corriente constante, Este hecho es debido a la horizontalidad de las curvas Ip-Vp en la regién de saturacién. Coe Bo %g 9m¥g 1199 va s 5 a) Cen S —T1 D ‘g Cas Omg 195 va s 8 b) Fig.8.18. a) Circuito amplificador simple de sefales pequefias para un MOSFET, de canal n, polarizado en la regién de saturacién. b) Circuito equivalente del transistor para baja frecuencia. ‘Cuando se trabaja con sefiales de alta frecuencia es preciso tener en cuenta las capaci- dades pardsitas entre el electrode de puerta y los de fuente y sumidero (Cos y Cap en la fig. 8.18b), Estas capacidades pardsitas pueden tener bastante importancia en ¢l transistor MOSFET, ya que alteran profundamente el tiempo de respuesta del transistor. Se puede de- mostrar que el tiempo de respuesta es proporcional al cuadrado de la longitud L.del canal, por Jo que cuando se desea trabajar a frecuencias altas ¢s preciso reducir la longitud del canal al maximo posible.VII. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 253 8.9. OTROS TIPOS DE MOSFET (*) En las secciones anteriores hemos visto que la conductividad del canal en un MOSFET aumenta sustancialmente al formarse una capa de inversién mediante la aplicacién de un vol- taje superior al umbral. A este tipo de transistores, bien sean de canal n 6 p se les denomina MOSFET de enriquecimiento y también se les conoce como transistores de canal "normal- mente cerrado” Oo 4 8 1 18 2 24 Voty) Fig. 8.19. a) Estructura de un MOSFET de canal nde agotamiento, b) Curvas caracteristicas 1,-V,, para un MOSFET tipico de canal n de agotamiento.254 Fundamenios de electronica fisica y microelectrénica Se puede conseguir que el transistor funcione con el canal «normalmente abierto», si la regi6n del canal se dopa con impurezas de tipo opuesto al resto del semiconductor, formando asf una capa conductora entre las islas que forman las regiones de fuente y sumidero. A este tipo de transistores se les denomina MOSFET de agotamiento, ya que como veremos después el transistor puede funcionar en la regién de agotamiento del canal. En la fig. 8.19a se ha representado un MOSFET de agotamiento con canal n. Obsérvese que el canal conductor, al igual que las regiones de puerta y drenador es de tipo n. La aplicacién de voltajes negativos a a puerta da lugar en este caso a una disminuci6n del mimero de portadores en el canal (region de agotamiento) por lo que la corriente Ip disminuye para un voltaje Vp fijo, pudiendo incluso hacerse cero si V¢ €s suficientemente negative. Al contraria, si el voltaje de puerta es positi- vo, con un valor superior al umbral, el canal se enriquece con los portadores minoritarios de inversiGn y la corriente aumenta, Légicamente las caracteristicas Ip-Vp de un MOSFET de agotamiento son similares a las del MOSFET de enriquecimiento con 1a diferencia de que la tensién de pueria admite a la vez valores positivos y negativos (fig. 8.19b). 8.10. ASPECTOS TECNOLOGICOS DEL MOSFET Igual que ocurre en el JFET, el limite de la frecuencia superior de utilizacién del tran- sistor estd relacionado con el tiempo de transito de los electrones de la fuente al sumidero, por Jo que es conveniente que la longitud L de! canal sea la menor posible, siendo el Ifmite actual de L alrededor de media micra. De los dos tipos de MOSFET de silicio, de canal no de canal p. los primeros son preferidos por la mayor movilidad de los electrones en relacion a los huecos. El voltaje umbral para la estructura MOS ideal, dado por la ecuacién [7.24], es alrede- dor de 1'V para los MOSFET de silicio de canal ny -1'V para los de canal p. Ahora bien, si tenemos cn cuenta que la diferencia entre las funciones de trabajo del metal y el semiconductor €8 dns = -1V y que el cociente QYC,, (Q; ¢s la carga fija en ¢l 6xido) resulta también del orden de - LV, se tendrd que cl voltaje umbral real es alrededor de -1'V y -3V para los MOSFET de canal n y p, respectivamente, Quizds uno de los mayores avances en la disminuciGn de V se consiguié al utilizar el propio silicio en forma policristalina (polisilicio) como contacto de puerta, en lugar del aluminio, ya que de esta forma la diferencia de funciones de trabajo es cero, Para hacer més conductor el silicio policristalino se dopa fuertemente con fdsforo du- rante la deposicién, quedando el material como un semiconductor degenarado, es decir con una conductividad elevada. Para disminuir atin més el valor de V; se siguen diversos procedimentos. El primero consiste en utilizar para el substrato de silicio obleas cortadas segiin la cara [100] de la super- ficie en lugar de la cara [111]. De este modo, se consigue asf que el valor de Q, disminuya nolablemente (véase apartado 7.4). Otro procedimiento consiste en aumentar la capacidad256 8.6 8.7 88 8.9 8.10 8.11 Fundamentos de electronica fisica y microelectrénica Asimismo, para cl transistor de curvas caracteristicas como las de la fig. 8.4, hallar de forma aproximada el valor de ry para Vg = 0. Sea nn transistor de silicio de efecto campo de unin de dimensiones: a=1.85 ym, L=25 umy 2=120 jim para el cual el dopaje del canal y de la puerta es Ny=10!° em” y N,=10" cm”, respectivamente. Calcular el voltaje de estrangulamiento y la corriente correspondiente para el caso Vg=0. (Tomese fl, =1380 em“V's"' y e=11.9). Dibujar la curva de transferencia de un JFET con Ips =12 mA y Vp =-5V, Demostrar que la tangente a esta curva en el punto de corte con el eje de ordenadas coma al eje de abscisas en el punto Vp/2, En un transistor de GaAs tipo MESFET de canal n con Ng = 10" cm” Ia altura de la barrera metal-semiconductor en el electrodo de puerta es de 0.9 eV, y las dimensiones del canal son: a=0.2 jum, L=| jam y z=10 pm, a) Averiguar si s¢ trata de un dispositivo con canal normalmente abierto o cerrado, b) calcularel voltaje umbral y 1a corriente de saturacién para Vg=0. A partir de la expresién [8.23] demostrar que para un MOSFET de canal n el voltaje de saturacion viene dado por la expresién: geN. mc? Vou = Wi aye |. ie Met paws vortne Efi (16 BE Calcular el campo eléctrico en el Gxido de puerta de un MOSFET de silicio de canal n, con espesor t., =0.1 wm y longitud L = 10 um, cuando se aplica un voltaje de puerta Vg =5.0V y un voltaje de drenador Vp = 4.0 V, en los siguientes casos: a) en un punto préximo a la fuente (x=0) y b) préximo al drenador (x=L), Comparar el resultado con el campo eléctrico necesario para Ja avalancha en una unién p-n. Sea un transistor MOSFET de silicio de canal n, de longitud L=1 um, anchura z=20 Jim, capacidad del 6xido por unidad de superficie C’.. =1.2x10" Fm” y voltaje umbral Vysl.1V. Se pide caleular la corriente de saturacién, Ipaq; y la transconductancia, gy. cuando el voltaje aplicado a la puerta es Vg =6 V. (Témese para la movilidad de los electrones, 1, =1000.cm?V"s") En un MOSFET de silicio de canal n, con z= 30 pm, L= 1 ym, p, = 750 em°V"s', y C’u:= 15x10" Fm’, caleular la corriente de saturacién y la transconductancia para un voltaje aplicado Vg =5 V.