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OBJETIVO:

Conocer fsicamente el dispositivo electrnico semiconductor conocido como


Transistor y realizar algunas pruebas bsicas usndolo como amplificador
encontrando prcticamente su ganancia de voltaje.

MARCO TERICO:
Transistor: es un dispositivo electrnico semiconductor
utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a
una seal de entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor
es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente
en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios,
televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo,
computadoras,
lmparas
fluorescentes,
tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956.
Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.
Transistor de unin bipolar (BJT):
El transistor de unin bipolar (bipolar junction transistor)
se fabrica sobre un monocristal de material
semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro
de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de
un conductor elctrico y las de un aislante. Sobre el
sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como
el arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores
de carga Positiva) se logran contaminando con tomos aceptadores de electrones,
como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho
ms contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de


dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin y del comportamiento cuntico de la unin.
EQUIPO A UTILIZAR:

Multmetro digital.
Fuente de corriente directa.
Osciloscopio.
Generador de funciones.

MATERIAL:

Transistor NPN 2N2222A.


Resistencias varias.
Filtros.

PROCEDIMIENTO:
1. Identificar fsicamente los bornes del dispositivo NPN, utilizando el hmetro
(segn indicaciones del profesor).
2. Armar el circuito siguiente en la tablilla y en Livewire.

3. Aplicar una seal


1Vca-1KHz a la
divisor y

alterna
de
base a travs del
un
filtro
de
proteccin.

4.
circuito
el
transistor.

Medir la salida
con
osciloscopio
colector

del
un
en
del

5. Obtener la ganancia de voltaje mediante =Vsal/Vent.


6. Obtener conclusiones, apoyndonos de la teora ofrecida por el profesor.

DESARROLLO:
CLCULO TERICO:

CONCLUSIN:

BIBLIOGRAFA:

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor