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par
Patrick ALDEBERT
Ingnieur de lcole Suprieure dlectricit
Docteur en sciences
Adjoint du Directeur des tudes et Professeur lcole Suprieure dlectricit
1.
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Sources commandes.............................................................................
Sources commandes idales et relles ...................................................
Gains.............................................................................................................
Sources commandes diffrentielles.........................................................
Dcalage en tension et en courant.............................................................
Sources commandes oprationnelles .....................................................
E 320 - 2
2.
2.1
2.2
2.3
8
8
11
14
3.
3.1
3.2
3.3
3.4
14
15
17
19
19
4.
4.1
4.2
Stabilit ......................................................................................................
Critre de stabilit........................................................................................
Stabilisation et compensation ....................................................................
21
21
21
5.
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
23
23
24
24
26
26
Doc. E 320
n amplificateur est un bloc fonctionnel qui ralise sur une grandeur lectrique (tension ou intensit) porteuse d'information l'opration mathmatique lmentaire : multiplication par une constante, et qui accrot l'nergie vhicule par cette grandeur.
Cette dernire proprit de l'amplification rsulte de la prsence d'un ou plusieurs lments actifs fondamentalement non linaires associs une source
d'alimentation assurant la fourniture de l'nergie ncessaire.
Pour raliser un amplificateur, le concepteur a accs un nombre important de
dispositifs technologiques (amplificateur oprationnel intgr, transistors bipolaires ou effet de champ, discrets ou intgrs au sein d'un circuit intgr
application spcifique ASIC (Application Specific Integrated Circuit)). Pour chacun d'eux, le nombre de variantes et de schmas possibles n'est limit que par
la crativit des concepteurs. Il serait donc illusoire de chercher en faire la
nomenclature exhaustive.
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Techniques de lIngnieur, trait lectronique
E 320 1
1. Sources commandes
Nota : le lecteur pourra utilement se reporter larticle Thorie des circuits lectriques
linaires [E 3 000], rf. [19] dans le prsent trait. Les concepts gnraux rappels ici pourront galement tre approfondis en se reportant aux ouvrages mentionns dans la bibliographie [1] [4] [12].
E 320 2
1.2 Gains
1.2.1 Gains en tension et en courant
Toute source commande peut tre modlise en utilisant la
reprsentation matricielle des quadriples (paramtres admittances
[Y], impdances [Z] ou hybrides [G], [H] ou paramtres de chane
[A]) par lun des quatre schmas linaires du tableau 2. Si la source
commande caractriser est performante au sens voqu ci-avant,
le schma linaire privilgi est celui qui traduit la fonction principale du montage et qui tend vers lun des quatre cas limites du
tableau 1.
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______________________________________________________________________________________________________
(0)
SCV V
Ie = 0
Is
gVe
Ve
Ie
Vs
Vs
0
g
0 Ve
0 Is
Ve
0
y
0 Ve
0 Vs
Ve
0
h
0 Ie
0 Vs
Ve
0
z
0 Ie
0 Is
Ie
1g
0
0
0
1 y Vs
Is
0
0
0
Vs
0
1 h Is
0 Vs
0 Is
SCV I
Ie = 0
Is
yVe
Ve
Ie
Vs
Is
Ie
SCI I
Ie
Is
h Ie
Ve = 0
Ve
Vs
Is
Ie
SCI V
Ie
Is
z Ie
Ve = 0
Zg
Ve
Vs
Vs
Ve
Ie
Zs
0
1z
0 Vs
0 Is
Ie
Is
Eg
Ve
Av
Av 0
Avc
Avc 0
Ze
Vs 0
Vs
gain en tension
gain en tension vide
gain en tension composite
gain en tension composite vide
Ve = E g
Ze
Ze + Zg
Zu
Jg
Yg
Y e Is 0
Ai
Ai 0
Aic
Aic 0
Ie = Jg
Yu
gain en courant
gain en courant vide
gain en courant composite
gain en courant composite vide
Ye
Ye + Yg
Vs 0 = Av 0 Ve = Avc 0 Eg
Is 0 = Ai0 Ie = Aic 0 Jg
Zu
Vs = Av Ve = Avc Eg = Vs 0
Zs + Z u
Is = Ai Ie = Aic Jg = Is 0
Ys
Yu
Ys + Yu
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E 320 3
(0)
SCV V
g22
Ie
Ve g11
g12 Is
g21 Ve
Is
Vs
Ie
Vs
g 11
g 12 V e
Ve
g 21
g 22
Is
Ie
y 11
y 12 V e
Ve
y 21
y 22 V s
Ie
h 11
h 12
Ie
Ve
h 21
h 22 V s
Ie
z 11
z 12 I e
Ve
z 21
z 22 I s
Ie
1
-------g 21
=
g 11
-------g 21
g 22
-------Vs
g 21
g 11 g 22 g 21 g 12 I s
-----------------------------------------g 21
SCV I
Ie
Ve
Is
y12 Vs
y11
y22 Vs
y21 Ve
Ie
Is
y 22
-------y 21
=
y 12 y 21 y 11 y 22
----------------------------------------y 21
1
-------- V
y 21
s
y 11 I s
-----------y 21
h 12 h 21 h 11 h 22
-----------------------------------------h 21
=
h 22
------------h 21
h 11
------------h 21
SCI I
Ie
Ve
h11
Is
h21 Ie
h12 Vs
h22 V
s
Ve
Is
1
-------h 21
Vs
Is
SCI V
Ie
Ve
z22
z11
+
z12 Vs
z21 Ie
Is
Vs
Ve
Vs
E 320 4
z 11
------z 21
1
------z 21
z 11 z 22 z 12 z 21
-------------------------------------- V
z 21
s
Is
z 22
------z 21
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Le gain en puissance G est dfini comme le rapport de la puissance fournie par le quadriple la charge Zu et de la puissance
applique lentre du quadriple :
V s2 Re ( 1 Z u )
I s2 Re ( Z u )
G = ------------------------- = ----------------------------------2
I e Re ( Z e )
V e2 Re ( 1 Z e )
Zg 1
+
Source
commande
entre
diffrentielle
et sortie
rfrence
Ve1
Eg 1
Ved
Zg 2
Vs
Eg 2
Ve2
Re ( V s I s* )
4
G u = ----------------------------E g2 Re ( Z g )
Vis--vis de la sortie, on peut reprsenter le quadriple attaqu
par un gnrateur (Eg, Zg) par un schma quivalent de Thvenin
(Es, Zs) et dfinir une puissance disponible Pds pour ce gnrateur
(Es, Zs). Le gain en puissance disponible Gd est alors gal au rapport
de la puissance disponible Pds de la puissance disponible Pdg de la
source :
Zg 1
+
Source
commande
entre
et sortie
diffrentielles
Ve1
Eg 1
Ved
Zg 2
E s2
P ds
4 Re ( Z g )
G d = --------- = ----------------------- ----------------------P dg
4 Re ( Z s )
E g2
Vs1
Vsd
Eg 2
Ve2
Vs2
G (dB) = 10 lg G
b
Figure 2 Sources commandes diffrentielles
Ad
En pratique, cause des dissymtries, chaque entre est amplifie avec un gain lgrement diffrent :
Vs = A1Ve1 A2Ve2
V sd
A1 + A2
2 ( A1 A2 )
= -------------------- V ed + ---------------------------- V ec
( A1 + A2 )
2
V sc
A dd
A dc V ed
A cd
A cc V ec
V sd
reprsente le gain en mode diffrentiel du
A dd = ---------
V V = 0
ed ec
montage et en traduit la fonction principale.
V sc
A cc = ---------
V V
ec
=0
V sd
V sc
et A cd = ---------
reprsentent respectiveA dc = ---------
V V = 0
V V = 0
ec ed
ed ec
ment le gain en tension diffrentielle en mode commun et le gain en
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E 320 5
Zg
Vd
Source
commande
sans dcalage
Id
Eg
Vs
Id 1
Zg 1
Vd
Source
commande
sans dcalage
Eg 1
Zg 2
Vs
Eg 2
Id 2
--- = ----------------e
1 +
=
e 1 +
Figure 4 Rtroaction
Le schma bloc de la figure 4 ne traduit pas explicitement lexistence simultane des deux grandeurs duales : tension et courant.
Remplaons les blocs fonctionnels et par deux sources commandes en adaptant la topologie la nature des grandeurs
dentre et de sortie. Ainsi, le prlvement dune tension (resp. dun
courant) en sortie sera obtenu en plaant le diple de sortie de loprateur et le diple dentre de loprateur en parallle (resp. en
srie). De mme, si la grandeur dentre est un courant (resp. une
tension), la mise en parallle (resp. en srie) du diple dentre de
loprateur et du diple de sortie de loprateur permettra de raliser lopration de sommation-soustraction.
Par exemple, pour raliser une SCIV, on peut adopter le schma
de la figure 5. La source commande (SCVI ralise partir de
composants passifs) comporte de nombreuses imperfections (structure bidirectionnelle prsentant des impdances dentre et de sortie non idales...). Mais, on peut montrer [1] [2] [3] [4] que si le gain
de la source commande tend vers linfini, ces imperfections sont
sans effet sur les performances du systme boucl qui tend alors
vers une source commande idale de type SCIV et de gain 1/.
SCI V
Z11
Jg
Z22
Z12 Is
Z21 Ve
Gg
(0)
E 320 6
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Zu
______________________________________________________________________________________________________
Coefficient de transfert
SCV V
Rg
Ie
Eg
R1
Is
R2
Ve
Vs
Ru
Vs
R2
g = ------ = ------------------- pour Rg << R1 + R2 et Ru >> R1 // R2
Eg
R1 + R2
Ru
Is
1
y = ------ = ------ pour Rg << R et Ru << R
Eg
R
Ru
Is
R1
h = ------ = ------------------- pour Rg >> (R1 // R2) et Ru << R1 + R2
Jg
R1 + R2
Ru
Vs
z = ------ = R pour Rg >> R et Ru >> R
Jg
SCV I
Rg
Ie
Eg
Is
Ve
Vs
SCI I
R2
Ie
Rg Ve
Jg
Is
Vs
R1
SCI V
Ie
Rg Ve
Jg
Is
Vs
Ie
I
Is
Ve
Vs
ie
ib = 0
I=V=0
I et V dtermins
par le circuit extrieur
a nullateur
b norateur
0
Ve
=
Ie
0
0
0
i2
Vs
Is
c nulleur
d amplificateur oprationnel :
approximation du nulleur
e transistor :
approche grossire du nulleur
On appelle source commande oprationnelle toute source commande unidirectionnelle dont le coefficient de transfert tend vers
linfini. Sa matrice chane est gale la matrice nulle. Un tel quadriple peut tre reprsent en introduisant les deux diples
pathologiques : nullateur et norateur dfinis dans larticle Thorie
des circuits lectriques linaires [E 3 000], rf. [19] dont le comportement lectrique est rappel la figure 6.
Un nullateur est un diple dfini par v = i = 0. Le norateur est un
diple parcouru par un courant et soumis une tension dtermins
par le circuit extrieur. Le nulleur, quadriple dont le diple dentre
est un nullateur et le diple de sortie est un norateur, est une modlisation de source commande oprationnelle idale. Sa matrice
chane tant gale la matrice nulle, le fonctionnement de base de
cet ensemble intgr dans un systme boucl peut tre analys en
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E 320 7
2. Ralisation damplificateurs
faibles niveaux
Nota : le lecteur pourra utilement se reporter aux articles Thorie des circuits lectriques
linaires [E 3 000], rf. [19] et Diodes et transistors bipolaires discrets [20] dans le prsent
trait. On pourra galement se reporter aux ouvrages mentionns dans la bibliographie.
Rg
SCOV V
SCV I
Vs
SCOI V
Jg
Eg
Gg
R2
Vs
R1
SCV V
Rg
Jg
Eg
R2
Vs = Eg (R1 + R2)/R1
Gg
Vs = RJg
a SCI V
R1
b SCV V
E 320 8
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______________________________________________________________________________________________________
R2
Rg
R3
R1
Rg
R1
Ve
Eg
Eg 1
Vs
RC
Rg
R2
Vs
Eg 2
Vs
R
= 2
Ve
R1
V s = R3
E g1
R1
Eg 2
R2
Rc = R1//R2 optionnelle
(rduit linfluence des courants de polarisation)
a inverseur
b sommateur inverseur
R1
Rg
R2
R3
R4
Rg
Eg 1
R3
Rg
R1
R2
Vs
Eg
Vs
Eg 2
Vs
1
RC
1
0
Vs
Eg () d
c intgrateur
R2
R1
1+
2R3
R4
d amplificateur d'instrumentation
Rg
R
R /2
Eg
Ve
Vs
Vs
Ve
e redresseur double alternance de prcision (oprateur valeur absolue )
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E 320 9
R2
Vs
Rg
R1
+
Ve
Eg
Ve
Vs
R0
C1
Rg
R1
R2
R0
R2
Vs
Eg
Ve
Vs
Eg
(p ) =
R3
Vs
C2
R1
f0 =
1
2 R 0 C
E 320 10
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______________________________________________________________________________________________________
Ib +
Cs
Cc +
Rcc +
Rs
E+
S
Vec /Fr
Vd
Rdd
Cd
Av
Vs
Ib
Rcc
Cc
SCI V
Tension de
dcalage
ramen en
entre
Dcalage en sortie
Dcalage en sortie
R1 + R2
V s = ------------------- V d
R2
R + Rg
V s = ----------------- V d
Rg
Courants de
polarisation
Dcalage en sortie
Dcalage en sortie
R1 + R2
V s = ------------------- R g I b+ R 1 I b
R2
Vs = RIb
Facteur de
rjection de
mode commun
Gain fini
Impdance de
sortie
Impdance
dentre
-------------- V = V
dV BE BE BE0
0
avec
1 R1 + R2 2
A v ---- -------------------
A R
2
1
R2
A v ---- ------------------
A R // R
T (K)
Impdance
dentre non nulle
R
Z e = -------------1+A
Impdance de sortie non nulle
dI C
g m = ------------= -----
re
dV BE VBE = VBE0
R1 + R2
Z s R s ------------------AR 2
R + Rg
Z s R s ----------------AR g
Impdance
dentre non nulle
R dd AR 2
Z e ---------------------R1 + R2
1
Z e = -----------------------------------(1 + A)
1
---------- + ------------------R
R dd
peut tre confondu aux basses frquences avec le gain en courant du transistor mont en base commune ( 1). On peut le relier
au paramtre fourni par le constructeur en utilisant la relation :
(1 )(1 + ) = 1
rce reprsente limpdance de sortie du transistor et traduit leffet
Early :
V Early
dI C
r ce = --------------
= -------------V
=
V
dV CB BE BE0
IC
Pour raliser la fonction amplification, on peut utiliser des transistors (bipolaires ou effet de champ) en sources commandes unidi-
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E 320 11
ie = gm vbe
ie = gm vbe
Cb'c
rce
ie
ie
re
vbe
Cb'e
rce
re
vbe
Cb'c
ie = gm vbe
Cb'c
B
ie
ib
Cb'e
rce
ic
Cb'e
re
vbe
vbe
( + 1)re
gm vbe
re
C collecteur
E 320 12
VT
tension de seuil,
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______________________________________________________________________________________________________
Cgd
gm vbe
rds
is
is
rs = 1/gm
vgs
gm vgs
Cgs
rds
rs = 1/gm
vgs
Cgd
gm vgs
Cgd
is
Cgs
rds
id
Cgs
rs = 1/gm
vgs
gm vbe
vgs
rds
S source
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E 320 13
is
ve
is = v e /R
ve
is
ve
vs
ve
b SCV V de gain 1
v s = ve
ie
is = ie
ie
c SCV I de gain 1
E 320 14
3. Comportement frquentiel
des amplificateurs
Si on reste dans le cadre des amplificateurs faibles niveaux dfini
dans lintroduction, le comportement et les limitations dun amplificateur vis--vis de la frquence des signaux sont linaires. Le gain
de ltage nest pas constant vis--vis de la frquence du signal
traiter et doit tre caractris par une transmittance indpendante
de lamplitude des signaux. Aprs avoir rappel lorigine et la modlisation des phnomnes affectant la bande passante des tages
transistors, nous en valuerons les limitations frquentielles et nous
proposerons quelques solutions pour repousser ces limites. Nous
envisagerons ensuite le cas des structures boucles mettant en
uvre des amplificateurs oprationnels.
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______________________________________________________________________________________________________
Zs
ic
ie
RC
Ze
VCC
I C 0 + ic
Rg
eg
+
RC
ie
Rg
ve
re
I E 0 + ie
Eg 0 + eg
RE
VEE
RE
a schma de principe
ic
Cb'c
ic
ie
ie
Rg
Rg
ie
eg
ve
Cb'e
RC
ie
re
C3
re
eg
ve
RE
C1 + C2
RE
Gc =
Ze =
RC
ic
=
eg
re + RE + (1 ) Rg
re + R E
1
= ( + 1)(re + RE)
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E 320 15
ie
VCC
Ze
Rg
eg
ie
Rg
Zs
re
ve
Eg 0 + eg
RE
Vs 0 + v s
RE
a schma de principe
Cb'c
ie
ie
Rg
Rg
ie
eg
vs
ve
Cb'e
ie
re
re
eg
ve
RE
C1
RE
vs
Avc =
Ze =
vs
vs
RE
=
1
eg
re + RE + (1 ) Rg
re + R E
1
= ( + 1)(re + RE)
Zs = re + (1 ) Rg
Rg
( + 1)
re
E 320 16
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______________________________________________________________________________________________________
Zs
ic
RC
ie
VCC
I C 0 + ic
(Jg 0 < 0)
Rg
a schma de principe
RC
jg
jg
Rg
Aic =
ic
jg
Rg
re + R E
ie
ie
Cb'e
re
I E 0 + ie
Jg 0 + jg
Cb'c
ie
Ze
VBB
ic
RC
re
Rg
1
Z e = re
Zs infinie si on nglige leffet de rce
Figure 15 Structure SCII de gain 1 (base commune)
La limitation principale de la bande passante des sources commandes est due aux capacits parasites associes aux points
dinterfaage. Nous allons tudier linfluence de la capacit dentre,
de la capacit de sortie et de la capacit reliant lentre et la sortie
dune source commande.
1
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------2 ( R s1 // R e2 ) ( C s1 + C e2 + C es1_s + C es2_e )
o Ces1_s (resp. Ces2_e) dsigne la capacit de raction Ces du premier tage ramene en sortie (resp. du second tage ramene en
entre).
Lorsque Ces nintervient pas dans lexpression de Av, cette transformation (dite de Miller) permet dvaluer simplement le comportement frquentiel dun tage amplificateur. Nous allons lappliquer
au cas des tages amplificateurs de base transistors bipolaires
tudis au paragraphe 2. Le cas des transistors effet de champ se
traite de faon identique compte tenu de la similitude des modles
adopts.
Pour tudier le comportement frquentiel de la structure metteur
commun (SCVI charge par une rsistance), on peut adopter le
modle de la figure 13. Afin dvaluer la frquence de coupure de
cet tage, nous pouvons nous ramener un schma plus simple en
appliquant la transformation de Miller vue prcdemment, en
notant Av = RC /(re + RE) la valeur du gain en tension de ltage dans
sa bande passante et en considrant que :
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E 320 17
SCV I
RC 1
IC 1
Rg 1
SCV V
VCC
RC 2
ve 1
IC 2
re 1
r s1 ve 2
Rg 2
re 2
Av 02 ve 2
vs
Ru
g m1 v e 1
A
+
rs 2
Eg 1
Eg 2
JE
VEE
Rg 1 = Rg 2 = R g
RC 1 = R C 2 = RC
a schma de principe
RC
V+
RC
ic 1
T3
T2
T11
T13
ic 2
ie 1
ie 2
T4
E+
A
T5
T12
C
Rg
eg 1
ie 1
ie 2
re
re
Rg
T8
eg 2
T14
T1
T6
T7
T9
T10
RE
V
RE impdance de la source de courant JE
Add =
Acc =
ic1 ic 2
e g1 e g 2
ic1 + ic 2
e g1 + e g 2
re + (1 ) Rg
re + 2RE + (1 ) Rg
eg1 + eg 2 = 0
eg1 eg 2 = 0
a schma interne
V+
SCV I
diffrentielle
E
T4
T13
E+
T5
i1
i2
is1 = i1 i2
i2
T10
T14
SCV V
de gain 1
(push-pull)
Cbe peut tre remplace par une capacit C1 place en parallle sur lentre du transistor et de valeur :
C 1 = C be
re
-----------------re + RE
V
Miroir de courant
SCV I
E 320 18
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______________________________________________________________________________________________________
iCes
Ces
Ze
Zs
Av
Rs
+
eg
Rg
ve
v s = A vv e
Ru
Ze
Zs
C1 = Ces (1 Av )
eg
Ru
C2 = Ces (1 1/Av )
R s1
+
e g1
Re 2
Av
Les capacits mentionnes sur la figure 11 introduisent deux
ples 1 et 2 dans lexpression du gain.
ic
1
1
ic
------ = ------
---------------------- ---------------------e = 0
eg
p
p
1 + ------ 1 + ------
g
1
2
ic
= --------------------------------------------------
----( 1 )R g + r e + R E
eg = 0
1
1 = -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------re
R C + R E + r e
C be ------------------ + C bc ------------------------------------ [ R g // ( + 1 ) ( r e + R E ) ]
re + RE
re + RE
2 = ---------------------------------------------------C bc ( R C + R E + r e )
Lapproximation de Miller permet dvaluer le ple prdominant
1 li la capacit globale dentre, limpdance interne du gn-
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E 320 19
Rc
T2
Vcc
Rg
+
T1
VB 0
Eg + e g
RE
a schma de principe
2 ie2
Cb'c1
Rg
Cb'c1
1 ie1
Cb'c 2
r e2
Cb'c 2
Rc
Vs
ie2
re1
ie1
eg
Ve
RE
Z2
Av
s
--- = H ----------------- = H -------------------1 +
1 + Av
e
Z1
A v
1
Gain en boucle
ferme
0 dB
f0
fc
fT
b bande passante
Figure 21 Structure boucle
E 320 20
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dB
/d
ca
1
1
de
1
2
Av ( f )
H 0 = ---------------------------1 + A v ( f )
A v
20
e
ad
c
/d
dB
de
ca
20
B/d
0d
4
Si Av(f) > 1, H0 = 1/
Si Av(f) < 1, H0 = Av(f)
0 dB
a systmes stables
e
ad
c
/d
dB
20
+
1
1
1
2
de
ca
B/d
0d
4
de
ca
d
/
dB
fT = Av(0)f0
A v
20
Av ( 0 )
A v ( f ) = ------------------f
1 + j ---f0
0 dB
b systmes instables
Figure 22 Critre de stabilit
4. Stabilit
4.1 Critre de stabilit
Dans la pratique, Av possde de nombreux ples (ples dus
lamplificateur oprationnel, ples dus aux capacits parasites et
). Le dphasage de Av peut donc atteindre pour une valeur finie
f. Si, cette frquence, le module de Av est suprieur 1, la structure boucle est instable.
Pour tudier la stabilit de la structure boucle, on pourrait utiliser
les mthodes gnrales de lautomatique. Cependant, en lectronique, un systme est considr comme stable sil respecte les conditions de stabilit dfinies dans la thorie de la raction et si son
comportement est voisin de celui des systmes amortissement
optimal. Compte tenu de la faible prcision sur la position des ples
et des zros, on raisonne sur les tracs asymptotiques de Av et de
1/ et on utilise le critre simplifi de stabilit suivant : le systme
boucl sera stable avec une marge de gain et de phase convenable
si les tracs asymptotiques des modules de Av et 1/ se coupent en
un point o la diffrence entre la pente du module de Av et celle du
module de 1/ est suprieure ou gale 20 dB/dcade (figure 22).
Le trac de 1/ doit ventuellement tenir compte des lments
parasites dstabilisants (capacits dentre et de sortie de lamplificateur oprationnel...).
La capacit parasite Ce entre les entres de lamplificateur oprationnel modifie la transmittance de retour . Dans lexemple de la
R1
figure 23, R1 est alors remplac par --------------------------- .
1 + R1 Ce p
R1 + R2
1
--- devient alors ------------------- [ 1 + ( R 1 // R 2 )C e p ] .
R2
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E 320 21
R1
R2
R1
R2
Ce
Rs
Cs
Av
C2
R1
R2
Ce
Av
A v
+
1
b compensation possible
0 dB
1
Rs Cs
1
C s ( R s + R 3)
A v
1
C (R1 // R2)
b compensation possible
1
R1
R2
0 dB
sans compensation :
1
R 1 + R2
R1
[1 + (R1//R2)Ce p]
avec compensation :
1
R1 + R2
R1
C3
R3
Rs
si R1Ce = R2C2
Cs
c rponse en frquence
Av
R1 + R2
R2
sans compensation :
E 320 22
R1 + R2 + Rs
R1
[1 + Rs //(R1 + R2)Ce p]
avec compensation :
1
1 + R2C3 p + R3R2C3Cs p 2
Si R3 << R1 et Rs << R2
c rponse en frquence
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1
f 1 = -------------------------------------------------------------------2 ( R s1 // R e2 ) A v2 C comp
R2
Rg
Vs
a principe
A v
Av
1
0 dB
1
R2 C
f
1
(R1 // R2)C
sans compensation :
1
Eg
R1
R1 + R2
R1
avec compensation :
1 R1 + R2 (R1 // R2)C p + 1
=
R1
R 2C p + 1
b rponse en frquence
Figure 25 Compensation par action sur le facteur de retour
5. Comportement
des amplificateurs vis--vis
du bruit
premier temps, les diffrentes sources de bruit associes aux lments passifs et actifs usuels (rsistances, transistors...) puis on
valuera linfluence du bruit sur les performances dun tage amplificateur transistor ou amplificateur oprationnel. On donnera,
enfin, quelques indications pour le minimiser.
On tudiera dans ce paragraphe linfluence du bruit sur les performances dun amplificateur faibles niveaux. On rappellera, dans un
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E 320 23
efficace
temprature absolue.
Le bruit de grenaille est d aux fluctuations alatoires des courants dans les composants lectroniques actifs (diodes, transistors...).
Dans le cas dune jonction PN, la loi de Shockley traduisant le
comportement lectrique macroscopique fait apparatre deux flux
de porteurs. Compte tenu de la quantification de la matire, chaque
flux nest pas rigoureusement continu. Pour traduire le franchissement alatoire de la barrire de potentiel, on peut associer chacun
de ces flux un bruit indpendant de lautre, de densit spectrale de
puissance S(f) = 2qIx. La densit spectrale de puissance du bruit
de grenaille constitu de ces deux composantes est donc gale :
qV
S ( f ) = 2q I s exp -------- + I s 2qI
kT
avec
Is
q
E 320 24
courant de saturation,
charge de llectron (1,6 1019 C).
5.3.1 Rsistances
Une rsistance R la temprature T (K) est le sige dun bruit thermique qui peut tre reprsent par une source de courant
(figure 26) dlivrant un signal alatoire iR dont la densit spectrale
est gale :
di R2
4kT
--------------- = ---------df
R
La puissance disponible de bruit Pd est bien gale :
Pd = kT df
Cette puissance ne dpend pas de la rsistance R.
On peut galement faire intervenir un bruit en 1/f dpendant de la
technologie de fabrication de la rsistance. La densit spectrale de
puissance du bruit devient alors :
di R2
4kT KI 2
--------------- = ---------- + --------df
R
f
Pour raliser des amplificateurs faible bruit, on privilgiera donc
les rsistances couches mtalliques qui prsentent de meilleures
caractristiques.
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vb
Rg
iR
Source
commande
sans bruit
ib
Eg
Vs
veq
Source
commande
sans bruit
Vs
di b2
KI Ba
--------------- = 2qI B + --------df
f
avec
IC et IB
gm
transconductance du transistor,
ID
courant parcourant
statique),
le
canal
(polarisation
Cette modlisation peut tre adopte pour caractriser les transistors effet de champ grille isole (MOSFET) ou jonction (JFET).
On notera cependant, qu lheure actuelle, le bruit en 1/f des premiers est nettement plus important que celui des seconds.
Les diffrentes sources lmentaires de bruit internes aux composants produisent en sortie dun systme linaire (tage amplificateur) un signal parasite qui se superpose au signal utile dlivr par
la source Eg. Ces sources constituent des sources indpendantes
internes au quadriple quivalent dont on peut modliser globalement leffet, comme nous lavons fait pour le dcalage en sortie, en
introduisant un quadriple de bruit.
On peut ainsi dissocier la gnration du bruit et la fonction principale du quadriple (amplification) en considrant dune part ltage
amplificateur sans source de bruit et un quadriple de bruit (vb, ib)
traduisant globalement vis--vis de la sortie leffet des sources de
bruit dues aux diffrents composants constituant ltage amplificateur (figure 27 a). Ces sources vb et ib peuvent tre correles ou
non. Elles sont indpendantes de la source (Eg, Rg).
Par transformation de Thvenin, on peut galement se ramener
une modlisation ne faisant intervenir quune source unique
(figure 27 b). Cette source quivalente de bruit ramen lentre
dpend alors de la valeur de limpdance de la source.
2 v 2 + R 2 i 2 si on nglige les corrlations ventuelles
( v eq
b
g b
entre vb et ib).
Cette modlisation globale peut tre utilise pour caractriser les
tages amplificateurs lmentaires transistors bipolaires ou effet
de champ dcrits prcdemment.
On peut montrer par exemple [11] [13] que le bruit de ltage lmentaire de type SCVI transistor bipolaire, tudi au
paragraphe 2.2.3.1, peut tre modlis par une source quivalente
de bruit ramen lentre veq gale, si on nglige linfluence du
bruit en 1/f, :
2
dv eq
UT ( Rg + RE ) 2
IC
------------------- = 2q ----- ( R g + R E ) 2 + 2qI C ------- + ------------------------- + 4kTR E
IC
df
avec
UT
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E 320 25
Lorsque le transistor est polaris une valeur du courant collecteur gale ICopt, la densit spectrale de puissance de cette source
quivalente de bruit est minimale et gale :
2
+1
dv eq
------------------- mm = 4kT ( R g + R E ) -------------------------- pour
df
+11
kT
ib1
Rg 1
vb
Source
commande
sans bruit
Rg 2
Eg 1
Vs
Les constructeurs caractrisent le bruit des amplificateurs oprationnels laide dun quadriple quivalent de bruit ramen
lentre (figure 28), dont ils fournissent la densit spectrale de puissance.
Eg 2
ib 2
N s
F = --------Ns
Le facteur de bruit peut sexprimer en fonction des sources vb et
ib intervenant dans le quadriple de bruit de la figure 26 a ou en
fonction de la source quivalente de bruit ramen lentre de la
figure 26 b.
2
2 + v2
v b2 + R g2 i b2 + v Rg
v eq
Rg
F = ------------------------------------------------------------ = ------------------------------------2
2
v Rg
v Rg
F2 1
F3 1
Fn 1
F = F 1 + --------------- + --------------------- + ... + -----------------------------------------------G d1
G d1 G d2
G d1 G d2 ...G d ( n 1 )
soit N s = FG d kT 0 f = FG d N g .
Il caractrise donc le rapport entre le bruit total apport par le quadriple et la source et le bruit d uniquement la source. Il faut donc
tre trs prudent car le facteur de bruit peut tre minimal sans que
pour autant le bruit en sortie le soit. Il suffit en effet daugmenter le
bruit apport par la source pour rduire le facteur de bruit sans amliorer pour autant les performances de lamplificateur.
Si on fait intervenir la puissance disponible Sg du signal utile du
gnrateur et la puissance disponible de signal utile Ss en sortie, on
peut crire :
Ss = Gd Sg
E 320 26
On remarque donc que si le premier quadriple a un gain en puissance disponible lev, le facteur de bruit de la chane est pratiquement gal au facteur de bruit du premier quadriple (F F1).
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On pourra enfin agir au niveau des sources lmentaires en intervenant sur les grandeurs dinfluence qui leur sont associes [temprature (bruit thermique), polarisation statique (bruit de grenaille et
bruit en 1/f), polarisation des transistors bipolaires ICopt] et sur la
qualit des composants (rsistances couche mtallique, transistor
faible bruit...) pour minimiser le coefficient K intervenant dans le
bruit en 1/f. Le choix dune alimentation sur pile ou accumulateur
permettra de se prmunir des bruits extrieurs issus du rseau lectrique (ondulation rsiduelle, parasites...).
MOSFET
JFET
Transistor bipolaire
Rg ()
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