TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules

FF75R12RT4

34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode
34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
VorlufigeDaten/PreliminaryData

VCES = 1200V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeAnwendungen
Hochleistungsumrichter
Motorantriebe
USV-Systeme

TypicalApplications
HighPowerConverters
MotorDrives
UPSSystems

ElektrischeEigenschaften
ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
NiedrigeSchaltverluste
NiedrigesVCEsat
Tvjop=150C
VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten

ElectricalFeatures
ExtendedOperationTemperatureTvjop
LowSwitchingLosses
LowVCEsat
Tvjop=150C
VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient

MechanischeEigenschaften
IsolierteBodenplatte
Standardgehuse

MechanicalFeatures
IsolatedBasePlate
StandardHousing

ModuleLabelCode
BarcodeCode128

DMX-Code

preparedby:MK

dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1
1

ContentoftheCode

Digit

ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)

1-5
6-11
12-19
20-21
22-23

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FF75R12RT4

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage

Tvj = 25C

VCES

Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent

TC = 100C, Tvj max = 175C

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent

tP = 1 ms

Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation

TC = 25C, Tvj max = 175C

Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage

1200

 V

IC nom 

75

 A

ICRM

150

 A

Ptot

395

 W

VGES

+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage

min.

IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage

IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C

Gateladung
Gatecharge

VCE sat

typ.

max.

1,85
2,15
2,25

2,15

V
V
V

VGEth

5,2

5,8

6,4

VGE = -15 V ... +15 V

QG

0,57

InternerGatewiderstand
Internalgateresistor

Tvj = 25C

RGint

10

Eingangskapazitt
Inputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies

4,30

nF

Rckwirkungskapazitt
Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres

0,25

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent

VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C

ICES

1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C

IGES

100

nA

td on

0,13
0,15
0,15

s
s
s

tr

0,02
0,03
0,035

s
s
s

td off

0,30
0,38
0,40

s
s
s

tf

0,045
0,08
0,09

s
s
s

Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = 15 V
RGon = 2,2

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload

IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = 15 V
RGon = 2,2

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = 15 V
RGoff = 2,2

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload

IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = 15 V
RGoff = 2,2

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse

IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25C
VGE = 15 V, di/dt = 1900 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGon = 2,2
Tvj = 150C

Eon

6,00
9,50
10,5

mJ
mJ
mJ

AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse

IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25C
VGE = 15 V, du/dt = 3700 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C
RGoff = 2,2
Tvj = 150C

Eoff

4,00
6,50
7,00

mJ
mJ
mJ

Kurzschluverhalten
SCdata

VGE 15 V, VCC = 800 V

VCEmax = VCES -LsCE di/dt

ISC

Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

RthJC

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)

RthCH

0,083

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

Tvj op

-40

preparedby:MK

dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1
2

tP 10 s, Tvj = 150C

270

0,38 K/W
K/W
150

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FF75R12RT4

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage

Tvj = 25C

Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent

PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent

tP = 1 ms

Grenzlastintegral
It-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C

VRRM 

1200

 V

IF

75

 A

IFRM

150

 A

It

1200
1100

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

1,70
1,65
1,65

2,15

As
As

Durchlassspannung
Forwardvoltage

IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

VF

Rckstromspitze
Peakreverserecoverycurrent

IF = 75 A, - diF/dt = 1900 A/s (Tvj=150C)

VR = 600 V
VGE = -15 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

IRM

60,0
65,0
70,0

A
A
A

Sperrverzgerungsladung
Recoveredcharge

IF = 75 A, - diF/dt = 1900 A/s (Tvj=150C)

VR = 600 V
VGE = -15 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Qr

7,50
13,0
15,0

C
C
C

AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy

IF = 75 A, - diF/dt = 1900 A/s (Tvj=150C)

VR = 600 V
VGE = -15 V

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

Erec

3,00
4,50
5,00

mJ
mJ
mJ

RthJC

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)

RthCH

0,125

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

Tvj op

-40

preparedby:MK

dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1

Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

V
V
V

0,58 K/W
K/W
150

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FF75R12RT4

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prfspannung
Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate

InnereIsolation
Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)

Kriechstrecke
Creepagedistance

VISOL 

4,0

 kV

Cu

Al2O3

Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

17,0
20,0

 mm

Luftstrecke
Clearance

Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal

17,0
9,5

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex

CTI

> 200

min.

typ.

RthCH

0,05

LsCE

30

nH

RCC'+EE'

0,65

Tstg

-40

125

SchraubeM6-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

3,00

5,00

Nm

Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlsse
Terminalconnectiontorque

SchraubeM5-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

2,5

5,0

Nm

Gewicht
Weight

160

Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)
Modulstreuinduktivitt
Strayinductancemodule

Modulleitungswiderstand,AnschlsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip

TC=25C,proSchalter/perswitch

Lagertemperatur
Storagetemperature

Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting

Power Cycling Zuverlssigkeit bei Tvjop=125C:

- entspricht gltiger Spezifikation fr Standard Module bei Tvjmax=125C; 300.000 Zyklen @ dTj=50K
Power Cycling Capability at Tvjop=125C:
- according to valid specification for standard modules at Tvjmax=125C; 300.000 cycles @ dTj=50K

preparedby:MK

dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1
4

max.
K/W

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FF75R12RT4

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150C

150

150
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

120

120

105

105

90

90

75

75

60

60

45

45

30

30

15

15

0,0

0,5

1,0

VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V

135

IC [A]

IC [A]

135

1,5

2,0
VCE [V]

2,5

3,0

3,5

4,0

bertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5 3,0
VCE [V]

3,5

4,0

4,5

5,0

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=15V,RGon=2.2,RGoff=2.2,VCE=600V

150

24
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

135

Eon, Tvj = 125C

Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C

22
20

120

18
105

16
14
E [mJ]

IC [A]

90
75

12
10

60

45

6
30

15
0

2
5

9
VGE [V]

10

11

12

13

preparedby:MK

dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1
5

15

30

45

60

75 90
IC [A]

105 120 135 150

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FF75R12RT4

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=15V,IC=75A,VCE=600V

TransienterWrmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)

30

1
Eon, Tvj = 125C
Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C

27
24

ZthJC : IGBT

21

ZthJC [K/W]

E [mJ]

18
15
12

0,1

9
6
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0228 0,1254 0,1216 0,1102
i[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1

3
0

10 12
RG []

14

16

18

20

0,01
0,001

22

SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=2.2,Tvj=150C
200
IC, Modul
IC, Chip
175

0,01

0,1
t [s]

10

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
150
135

Tvj = 25C
Tvj = 125C
Tvj = 150C

120
150
105
90
IF [A]

IC [A]

125
100

75
60

75

45
50
30
25
0

15

200

400

600
800
VCE [V]

1000

1200

1400

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dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1
6

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FF75R12RT4

IGBT-Module
IGBT-modules

VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=2.2,VCE=600V

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=600V

6
Erec, Tvj = 125C
Erec, Tvj = 150C

Erec, Tvj = 125C

Erec, Tvj = 150C
5

6
4

E [mJ]

E [mJ]

5
4

3
2
2
1
1
0

15

30

45

60

75 90
IF [A]

105 120 135 150

TransienterWrmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
1

ZthJC [K/W]

ZthJC : Diode

0,1

i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0348 0,1914 0,1856 0,1682
i[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1

0,01
0,001

0,01

0,1
t [s]

10

preparedby:MK

dateofpublication:2013-11-05

approvedby:WR

revision:2.1
7

10 12
RG []

14

16

18

20

22

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules

FF75R12RT4
VorlufigeDaten
PreliminaryData

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehuseabmessungen/packageoutlines

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revision:2.1
8

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules

FF75R12RT4
VorlufigeDaten
PreliminaryData

Nutzungsbedingungen


DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfrtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfrIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstndigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfrdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglicheGewhrleistungbernehmen.Eine
solcheGewhrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfrdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsbernommen.DieAngabenindengltigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbentigen,dieberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfrSiezustndigenVertriebsbroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FrInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenknnteunserProduktgesundheitsgefhrdendeSubstanzenenthalten.BeiRckfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfrSiezustndigenVertriebsbroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefhrdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfrdieseFlle
-diegemeinsameDurchfhrungeinesRisiko-undQualittsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualittssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinfhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhngigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlichenderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
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Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.

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9