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AES: Auger Electron Spectroscopy

3
L2,3
L1

3) Le- Auger esce con lenergia in eccesso


Ek = E1- E2 - E3
Si usano tre lettere che corrispondono ai tre
livelli energetici coinvolti, e.g. KLL.
2) Un e- con energia maggiore riempie
la buca del livello di core

K
1

1) e- (o fotone) incidente strappa un e- di core

AES un processo a tre elettroni, in cui lelettrone Auger ha unenergia cinetica


determinata solo dalla posizione dei livelli energetici.
AES ha in genere una maggiore sensibilit superficiale di XPS.

Meccanismi di diseccitazione

Notazione transizioni Auger


Transizioni Auger designate attraverso la notazione dei
Raggi X:
KLL, KL1L2,3, KVV, dove:
prima lettera
seconda lettera
terza lettera

livello di appartenenza della


lacuna di core iniziale
collocazione iniziale
dellelettrone che rilassa
collocazione iniziale
dellelettrone Auger

Esempio: transizioni Auger in Si

E(KLL)=1839-149-99=1591eV

Energia delle transizioni Auger

Ekin EK ( E L1 + EL2 , 3 )
Ekin f ( E p )
Ekin = f ( EK , EL1 , EL2 , 3 )

EL1 EL2 , 3

impossibile distinguere
fra i due processi

nelettroni 3
nlivelli 2

H ed He non possono emettere


elettroni Auger

Indistinguibilit dei 2 processi:

E convenzione riferirsi al processo raffigurato a sinistra

Alcuni processi Auger

Processi competitivi: AES & fluorescenza X

Resa Auger e di fluorescenza per una lacuna K


in funzione di Z

Rese Auger (linee) e di fluorescenza (tratteggi)


per lacune K, L, M in funzione di Z

Energie degli elettroni Auger per 3Z92

AES
Informazione analitica da:
Energia dei picchi ==> cosa c (analisi qualitativa)
Forma (+energia) dei picchi ==>come (informazione
chimica)
Intensit dei picchi ==> quanto ce n (analisi
quantitativa)

Energia ==> individuazione degli elementi


chimici presenti
Ni
Ni
Ni

N(E)

dN(E)/dE

Cl

Ni

Ni

C
Ni

Ni

Cl

Ni
O

100

200

300

400

500

600

Kinetic Energy (eV)

700

800

900

100

200

300

400

500

600

700

800

900

Kinetic Energy (eV)

Lo spettro degli elettroni in uscita contiene non solo il segnale Auger ma anche gli elettroni del
fascio primario (di gran lunga pi numerosi) con tutte le strutture di perdita ed il fondo crescente
verso le basse energie cinetiche ad esso associato.
Le transizioni Auger sono quindi spesso deboli rispetto al fondo.
Per questa ragione gli spettri Auger sono solitamente riportati in derivata prima del segnale:
ci enfatizza le strutture

AES: Survey Scan e spettro derivata


Spettro del Pd

Spettro derivata

Di solito si usa lo spettro derivata (dN / dE) per migliorare il rapporto segnale/rumore.

Negli spettri derivata


la posizione delle strutture Auger per convenzione individuata dal mimino
dellescursione negativa della derivata (chiaramente ci non corrisponde alla posizione
del picco non derivato).
I database di spettri Auger riportano le transizioni in derivata prima.
i massimi e i minimi corrispondono alle massime pendenze da entrambi i lati del picco.
lo zero corrisponde al valore di picco.
la distanza fra massimi e minimi viene considerata come la larghezza di picco.

Spettro diretto di un campione di rame


contaminato, eccitato con un fascio di
elettroni di 5 keV

Spettro derivata ottenuto applicando


un segnale di modulazione (5eV)

Transizioni Auger KLL per 4Z11

Intensita relative non in scala.


Aumento dellenergia cinetica con Z (maggiore energia
disponibile nel rilassamento della lacuna di core)

Forma + energia ==> individuazione dello


stato chimico dellelemento
0.6
0.4

Esempio: Si L2,3VV

0.0

Silicon Oxide

-0.2

Silicon Oxide

diamante

-0.8

carbonio amorfo

-1.0

grafite policristallina

220

230

240

250

260

270

280

N(E)/E

-0.6

dN(E)/dE

-0.4

290

Kinetic Energy [eV]


40

50

60

70

80

90

100

40

50

60

Esempio: C KVV

70

80

90

100

Kinetic Energy [eV]

Kinetic Energy [eV]

Elemental Silicon

Elemental Silicon

N(E)/E

dN(E)/dE

Intensity [arb. units]

0.2

40

50

60

70

80

Kinetic Energy [eV]

90

100

110

40

50

60

70

80

Kinetic Energy [eV]

90

100

110

Sensibilit chimica degli spettri Auger

Come per lXPS, il tipo di legame


chimico pu causare uno
spostamento della posizione dei
picchi.

I picchi hanno una struttura fine


che pu essere usata per
distinguere picchi di energia
simile, o per ricavare le
caratteristiche di legame.

Elementi di transizione 3d
Serie di righe Auger caratteristiche:
In ogni regione della tavola periodica
vi un insieme caratteristico (o serie)
di transizioni Auger che il pi
promiente, sotto le condizioni
sperimentali solitamente impiegate
(fasci elettronici primari da 3-5 keV)
Strutture caratteristiche negli spettri
degli elementi di transizione:

L3M2,3 M2,3
M2,3VV

L3VV
L3M2,3V

tripletto LMM:
L3 M2,3 M2,3
L3 M2,3V
L3VV
picco M2,3VV a bassa energia

Lintensit della componente L3VV aumenta con Z rispetto alle altre 2


componenti del tripletto LMM: dovuto al progressivo riempimento della banda
di valenza

Intensit ==> quantificazione degli elementi chimici


presenti
1. Atomo isolato:
creazione lacuna primaria + emissione elettrone Auger
==> Intensit dipende da:
probabilit di generazione della lacuna primaria ==> sezione durto di
ionizzazione da impatto elettronico
probabilit di generazione dellelettrone Auger ==> resa Auger=rapporto tra il
numero di elettroni Auger emessi da una shell e il numero di lacune create nella
stessa shell

I x ( ABC )
= x ( E p , E A ) x ( ABC ) T ( E x ) D( E x )
Ip
T(Ex) = trasmissione dellanalizzatore
D(Ex) = efficienza del rivelatore

Uso di fattori di sensibilit elementali: si basa sullipotesi di poter


trascurare gli effetti di matrice.

I x Sx
Cx =
I i Si
i

Analisi
quantitativa con
AES

Nickel
Ferro
Cromo

Sonda in scansione sulla superficie ==> microscopia di


superficie
Secondary Electron
Microscopy (SEM)
segnale considerato: elettroni
secondari
==> immagine topografica

Scanning Auger Microscopy


(SAM)
segnale considerato: elettroni
Auger emessi da un particolare
elemento
==> immagine chimica o
composizionale

Scanning Auger Microscopy (SAM)

titanio (blu)
zolfo (verde)
silicio (rosso)

Immagine SEM

Mappa Auger

Auger Imaging

Al and Si Auger maps of Al conducting lines on Si.

Sensibilit superficiale di AES ==> informazione risolta


in profondit in combinazione con un sistema di erosione

Profili in profondit

concentrazione atomica relativa

100

80

60

Ni1
Cr2
O1

40

20

0
0

10

15

20

25

30

35

40

Cr50nm

tempo di sputtering [min]

Ni65nm
Cr

Esempi di profili di profondit Auger

Film multistrato (Ni/Fe/Cu)


depositato su un substrato di
silicio

Profilo di profondit
Auger: film di Ru/SiO2 su
substrato di silicio

Profilo di
profondit

Strato di vernice su superficie polimerica

Sezione di Al/TiN/Ti/SiO2/Si

Profilo di profondit di Al/TiN/Ti/SiO2/Si

La risoluzione del profilo di profondit peggiora con la profondit (tempo di sputtering), a


causa del mixing di specie diverse indotte dallo sputtering.