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Transistor Bipolar

Ing. Luis Campusano


OBJETIVOS:

Comparar los tipos de materiales que componen un transistor


Distinguir el rea(zonas) de operacin segn su curva
respectiva.
Identificar los terminales de un transistor.
Diferenciar los dos tipos de transistores NPN y PNP.
EL TRANSISTOR BIPOLAR
Los transistores son dispositivos electrnicos de tres terminales constituidos por dos
uniones PN en un cristal de germanio (Ge) o silicio (Si),

Los Transistores Bipolares (BJT: Bipolar Junction Transistor), muy utilizados tienen las
siguientes partes:
Emisor (E): fuertemente dopado.
Base (B): dopaje muy bajo, su misin es controlar el flujo de electrones
Colector (C): posee un dopaje intermedio.
Un transistor es similar a dos diodos en serie y en oposicin como muestra la figura.
Existen dos tipos de transistores: los NPN y los PNP,
Funcionamiento
El transistor es un dispositivo
capaz de regular la corriente. Para
que se produzca el efecto es
necesario polarizar directamente
la unin base-emisor, e
inversamente la unin base-
colector.

Como el transistor es un dispositivo con tres terminales, se deber conectar uno


de ellos a la entrada, otro a la salida y el tercero deber ser comn a ambas,
siendo las tres configuraciones tpicas: base comn, emisor comn y colector
comn.
En este esquema (condicin directa), la
unin Base Emisor (BE) acta como un
diodo normal.
Note en la grfica el flujo de electrones y
huecos, siendo la corriente de huecos menor.
A partir de ese momento, mediante el
mismo mecanismo del diodo, se produce una
corriente de base a emisor.
Transistor por unin Bipolar - BJT

Un transistor bipolar de unin esta formado por dos uniones PN


en contraposicin.
El transistor esta constituido por tres regiones semiconductoras
-emisor, base y colector- siendo la regin de base muy delgada
(< 1m).
Tipos de Transistores BJT
Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transistor tipo PNP.
Si el transistor tiene la capa P en el medio es un transistor tipo NPN.
Los tres terminales son: E = Emisor, B = Base, C = Colector
1. ZONA ACTIVA. El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta
como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de
base (ganancia de corriente). Este parmetro lo suele proporcionar el
fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector
dada (Ic).

2. ZONA DE CORTE. La operacin en sta regin corresponde a


aplicaciones de conmutacin en el modo aplicaciones de conmutacin en el
modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC=0).
IB=IE=IC=0.
3.-ZONA DE SATURACIN. En este caso el transistor conduce la mxima
corriente de colector IC posible sin daarse, o sea que se comporta "casi"
como un interruptor cerrado Vce=0. Esta definida para tensiones Colector-
emisor de 0.1v a 0.4v. La corriente Ic es mxima o esta saturada. Un
aumento de ib no produce aumento de IC. El transistor es utilizado para
aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.)
Si la Vbe (Tensin base-emisor) es menor a 0,6V el transistor est en Corte.
Si la Vbe est entre 0,6V y 0,7V el transistor se encuentra en la zona Activa.

Si la Vbe est en 0,7V el transistor se encuentra en Saturacin.

Despus de que Vbe supera los 0,7V el transistor se daa de forma


permanente.
Caractersticas de un Transistor BJT -
NPN
Para analizar la caracterstica i v de un
transistor se debe tomar los siguientes
pares:

iB vBE
iC vCE
Este ltimo par origina una familia de
curvas.

IC=IB
Caractersticas den un Transistor BJT - NPN

iC vCE

De este modo, variando vCC, variamos el


voltaje vCE y por consiguiente la corriente en el
colector. Esto adicionalmente a la variacin de
iB. Se genera toda una familia de curvas, una
para cada valor de iB.
Concepto de punto de trabajo y
recta de carga esttica
Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos:
- proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el
transistor opere en la regin lineal
- suministrar energa al transistor que va a ser convertida en potencia (amplificacion)

En este circuito se verifica que IB


VCC - VBE
RB

El punto de trabajo del circuito en ese caso seria :

IBQ VCC - VBE


RB
ICQ IBQ
VCEQ VCC -ICQRC
Este punto se encuentra localizado dentro de una
recta denominada recta de carga esttica
Transistores - Encapsulados
Es la envoltura que recubre y provee a los semiconductores (transistores, triacs,
circuitos integrados,) de la rigidez necesaria y el aislamiento del medio. El material
que lo envuelve puede ser de plstico, cermico o metlico.
Encapsulado de transistores
TO-92: Pequeo utilizado para la amplificacion de
pequeas seales.
TO-18 y TO-38: Encapsulado metlico. En la carcasa hay
un pequeo saliente que indica que el terminal mas
cercano es el emisor. Colector pegado a la carcasa
TO-126: Utilizado en aplicaciones de pequea y
mediana potencia.
TO-220: Utilizado en aplicaciones de potencia.
Incorpora una placa metlica.
TO-3: Gran potencia. Es de gran tamao, fabricado de
metal. El colector esta directamente conectado al
cuerpo del mismo (carcasa),
Ejemplo 1
Ejemplo 2

Hallar

VBB=5V RB =10K RC = 100 VCC =10 V =150


Bibliografa

Boylestad, Robert L. (2003). Electrnica: Teora de circuitos.


Mxico D.F. : Prentice Hall (621.381/B78/2003.)
Savant, C.J. (1992) Diseo electrnico: Circuitos y sistemas.
Wilmington: Addison Wesley (621.381C/S25).
Malvino, Albert Paul (2000) Principios de electrnica. Madrid:
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Floyd, Thomas (2006) Fundamentos de sistemas digitales.
New Jersey.Pearson Prentice Hall (621.381/F59).
Floyd, Thomas (2006) Dispositivos electrnicos. Mexico
D.F..Limusa (621.381/F59D).